CN1467780A - 偏转装置 - Google Patents

Abstract

本发明披露了一种安装在阴极射线管(CRT)的后部用于偏转CRT的电子枪射出的电子束的偏转装置，该偏转装置包括：线圈隔离器，安装在CRT上；水平偏转线圈，安装在线圈隔离器的内侧，具有：用于产生在水平方向偏转电子束的水平偏转磁场并且具有第一部分半径的第一部分以及用于产生减弱该水平偏转磁场的无用磁场并且具有不同于第一部分半径的第二部分半径的第二部分；垂直偏转线圈，安装在线圈隔离器的外侧，产生用于在垂直方向偏转电子束的垂直偏转磁场；以及铁氧体磁心，覆盖部分垂直偏转线圈以增强水平偏转磁场和垂直偏转磁场。由于第二部分的磁场被减弱，所以电子束轰击颈部(BSN)距离被改善，并且改善了偏转敏感性。

Description

偏转装置

相关申请的交叉参考

本发明要求优先权基于2002年7月11日向韩国知识产权局提交的第2002-40442号韩国专利申请，在此引用该专利申请供参考。

技术领域

本发明涉及偏转装置，更具体地说，本发明涉及可以改善偏转灵敏度又不影响阴极射线管的其它特性的偏转装置。

背景技术

通常，在电视机或监视器的阴极射线管(CRT)内使用的偏转装置是诸如鞍-环形和鞍-鞍形的各种类型的装置之一。

图1是传统偏转装置1的剖视图。偏转装置1对称，并且对其设置具有一对形成在集成体内的部分的线圈隔离器10。

线圈隔离器10包括：屏幕单元11、对应于CRT的屏幕2a；中部单元12、从屏幕单元延伸到CRT的背面；以及颈部单元13，与中部单元12形成为一体，并耦合到CRT的电子枪。

在线圈隔离器10的内侧和外侧分别设置：水平偏转线圈14，具有一对用于产生水平偏转磁场以在水平方向对电子束产生作用的上部和下部；以及垂直偏转线圈15，具有一对用于产生垂直偏转磁场以在垂直方向对电子束产生作用的左部和右部。将水平偏转线圈14和垂直偏转线圈15统称为偏转线圈。在垂直偏转线圈15的外侧设置铁氧体磁心16以加强水平偏转磁场和垂直偏转磁场。

对水平偏转线圈14形成外凸缘形前端和后端，并且还形成有产生无用磁场的弯曲。

偏转装置1是喇叭形的，具有形成在线圈隔离器10的前部与后部之间的平滑曲线。

水平偏转线圈14和垂直偏转线圈15与线圈隔离器10具有同样的喇叭形。

将垂直偏转线圈15形成为环形，其中线圈围绕铁氧体磁心16缠绕，而将偏转装置1内的环形垂直偏转线圈15称为鞍-鞍型偏转线圈。

图2是图1所示传统偏转装置1的线圈隔离器10的剖视图。在传统偏转装置1的线圈隔离器1内，中部区域22和颈部区域23的背面具有同样的直径，以便在CRT的轴向将水平面H形成在线圈隔离器20的背面。

中部区域包括：喇叭形区域22a，具有喇叭形曲线；以及直线式区域，在CRT的轴向形成为直线。

图3是图1所示偏转装置的水平偏转线圈30的透视图，图4是图3所示水平偏转线圈30的示意图，图5是图3所示水平偏转线圈30的侧视图，图6是沿图5内的a-a′和b-b′的剖视图。

图3至图6所示的水平偏转线圈30是非折弯型的，它没有外凸缘。由于垂直偏转线圈与水平偏转线圈30的结构相同，所以省略了对垂直偏转线圈的解释。

水平偏转线圈30包括分别对应于线圈隔离器20的屏幕区域21、中部区域22以及颈部区域30的屏幕弯曲部分31、延伸部分32以及颈部弯曲部分33。

延伸部分32形成在屏幕弯曲部分31的背面，而颈部弯曲部分33形成在延伸部分32的背面从而与延伸部分32形成单体。

延伸部分32包括：喇叭形部分32a，具有喇叭形曲线；以及直线式部分，在CRT的轴向为直线。延伸部分32产生水平偏转磁场，用于在水平方向偏转电子束。颈部弯曲部分33产生无用磁场，它对于产生水平偏转磁场不起作用，因此将它称为无效弯曲区域。

如图4至图6所示，从喇叭形部分32a到颈部弯曲部分33的后部，在水平偏转线圈30内形成内半径(DSO、DL)和外半径(FSO、FL)。DSO和DL分别表示垂直方向和水平方向的内半径，而FSO和FL分别表示垂直方向和水平方向的外半径。

由于在颈部弯曲部分33产生无用磁场，所以因为该无用磁场缩短了射束轰击颈部(beam strike neck)(BSN)距离。

BSN距离是电子束开始被水平偏转磁场或垂直偏转磁场偏转到屏幕单元11的屏幕预定位置的偏转点的移动距离，并且利用该移动距离使BSN距离向着电子枪位移，因为不靠近CRT的最后部安装偏转装置1，而是根据该移动距离与CRT最后部隔离开安装。

将BSN移动距离称为BSN距离。如果BSN距离被延长，则电子束可以到达CRT屏幕的最外围部分，因为对电子束产生的最大偏转。然而，如果BSN距离被缩短，则电子束不能到达CRT屏幕的最外围部分，而是轰击CRT的内表面。因此，在屏幕的角落显示暗区域，并且不可能在屏幕上正确显示显示图像。

图7A至图8示出水平偏转线圈30的延伸部分32产生的水平偏转磁场和颈部弯曲部分33产生的磁场(另一个垂直偏转磁场)影响电子束的情况。

图7A、7B以及7C是示出图3所示水平偏转线圈30产生的磁场的示意图，图8是示出电子束与图3所示水平偏转线圈30的颈部弯曲部分33产生的磁场之间关系的示意图。

如图7A和7B所示，图7B所示的示意图是沿图7的线a-a′的剖视图，它示出水平偏转线圈30的延伸部分32的水平偏转磁场B1产生水平偏转力F1，并且在X方向偏转电子枪2b射出的电子束。

电流I由与电子枪2b射出电子束的发射方向相反的反向，即电子束的反向确定。水平偏转力F1与流入延伸部分32的电流I产生的第一磁力B1对应，如图7A所示。

图7C所示的图是沿图7A的线b-b′的剖视图，该图示出因为电流以水平方向流动而由水平偏转线圈30的颈部弯曲部分33产生的垂直偏转磁场B2与电子束的方向相反。因此，在向着颈部弯曲部分33的上部的Y方向产生垂直偏转力F2。垂直偏转力F2与流入颈部弯曲部分33的电流I产生的第二磁力B2对应，如图7A所示。

垂直偏转力F2是由水平偏转线圈30的颈部弯曲部分33的垂直偏转磁场B2产生的，它对在水平方向偏转电子束的水平偏转力F1没有加强作用，反而因为在不同于X方向的方向偏转电子束而弱化了水平力F1，从而导致BSN距离被缩短。

因为颈部弯曲部分33为圆形，所以在向外的半径方向的垂直偏转磁场B2被形成为扇形。由于在相对于电子束方向的对角线方向，在颈部弯曲部分33的角区域内产生垂直偏转磁场B2，所以垂直偏转磁场B2对电子束产生影响，如图8所示。

R、G、B电子束GB在屏幕上不形成一个光点，而是形成线，并且在相邻R、G、B电子束之间形成间隙，如图8所示。

R、G、B电子束GB向着一个光点聚焦，并且R和B电子束GB相对于G电子束倾斜。

电流I被确定在与电子枪2b射出的电子束的发射方向相反的反向上，并且在电流I的反向与在与电子束的发射方向相反的方向形成的垂直偏转磁场B2之间形成倾角θ。

根据向量F＝IBsinθ，由于倾角θ与sinθ对应，所以水平偏转线圈30的颈部弯曲部分33产生偏转电子束的偏转力F。

由于倾角θ在颈部弯曲部分33的角区域的对角线方向产生的垂直偏转磁场B2内变大，所以对在对应于颈部弯曲部分33的角区域的区域内分布的电子束产生的偏转比对其它区域内分布的其它电子束产生的偏转大。

然而，与水平偏转线圈30产生的水平偏转磁场B1相比，垂直偏转磁场B2不显著。因此，垂直偏转磁场B2不对电子束的水平偏转产生影响。然而，产生了因为垂直偏转磁场B2而缩短BSN距离的问题。

图9是示出电子束根据图1所示传统偏转装置的水平偏转线圈30的电流的扫描情况的示意图。该扫描情况示出根据流过水平偏转线圈30的电流I扫描电子束的情况。

根据流过水平偏转线圈30的锯齿形电流IR，被水平偏转线圈30水平偏转的电子束水平扫描在CRT的屏幕2a上。

与最大电流IR相对应，电子束被水平偏转到屏幕2a的最右侧，而与最小电流IL相对应，电子束被水平偏转到屏幕2a的最左侧。扫描宽度与电流IR、IL的相应大小之间的相关性与偏转敏感性对应。

利用作为电感L(水平偏转线圈30的电感)与电流I(流过水平偏转线圈30)的平方I²的乘积的公式计算偏转敏感性。

公式    水平偏转敏感性mHA²＝I²×L

也就是说，水平偏转线圈30的偏转敏感性是电感L与最大电流IR和/或最小电流IL的平方的乘积。

如果在将电子束偏转到屏幕2a的最右侧和最左侧期间消耗的电流小，则可以提高CRT的效率。因此，在偏转敏感性的值小时，可以改善偏转敏感性。

利用电感L和电子束到达屏幕2a的最右侧和最左侧时消耗的电流I的相应终值确定偏转敏感性。

为了改善偏转敏感性，应该缩小水平偏转线圈30的内半径DL、DSO和外半径FL、FSO。然而，在将水平偏转线圈30的内半径DL、DSO和外半径FL、FSO降低到最小时存在限制，因为在将偏转装置1安装在CRT上时，水平偏转线圈30的内半径DL、DSO和外半径FL、FSO应该大于电子枪2b的直径。

图10是示出图1所示传统偏转装置1的水平偏转线圈30的偏转敏感性和BSN现象的示意图。如图10所示，在不靠近CRT的背面设置偏转装置1而是移向电子枪2b时，产生BSN现象，并且电子束不能到达分布在屏幕2a的角区域、最右侧以及最左侧之一内的屏幕2a上的最大点，以致在屏幕2a的角区域内产生暗图像，因为电子束轰击CRT的背面，如图10的虚线GB3所示。

偏转装置1首先靠近CRT的背面固定，然后在对CRT进行会聚调整期间向后向着电子枪2b移动。最大点是位于屏幕2a的最右侧和最左侧的角区域。

在偏转装置1向后移动时，提高偏转装置1的调整程度，并且提高CRT的制造效率，因为偏转装置1在向上方向、向下方向、水平方向和垂直方向之一移动以对CRT进行会聚调整。

如果延长偏转装置1向后向着电子枪2b移动的距离，则可以提高偏转装置1的调整程度。必需获得在防止出现BSN现象情况下偏转装置1向后移动距离的最大值。

在偏转敏感性与BSN现象的相关性方面，偏转敏感性与BSN现象成反比。如果增强偏转装置1的偏转敏感性，则会提高电子束的偏转角，因为加强了磁场，并且BSN距离被缩短。相反，如果降低偏转装置1的偏转敏感性，则会降低电子束的偏转角，因为磁场被弱化，并且BSN距离被延长。

也就是说，根据被缩短的BSN距离和被改善的偏转敏感性，BSN现象变坏，并且根据被延长的BSN距离和被降低的偏转敏感性，BSN现象得到改善。

如果靠近CRT的背面安装具有两种不同偏转敏感性的两个不同偏转装置1，则在偏转装置1具有增强偏转敏感性时，电子束象电子束路径GB1表示的那样偏转，在偏转装置1具有减弱偏转敏感性时，电子束象另一个电子束路径GB2表示的那样偏转。

与偏转装置1的消耗电流相比，电子束路径GB1被适度偏转，而且不能到达屏幕2a的最大点，而电子束路径GB2可以到达屏幕2a的最大点。

不因为偏转装置1的偏转敏感性的增强(变坏)，提高偏转装置1的偏转效率，而因为偏转装置1的偏转敏感性的减弱(改善)，提高了偏转装置1的偏转效率。

在偏转线圈30向后向着CRT的电子枪2b移动以调整会聚时，偏转点移动到位置f′，而因为偏转点象图10的GB3所示的那样移动，产生电子束轰击CRT电子枪2b的内表面的BSN现象。

利用偏转点的移动，即偏转装置1的移动距离表示BSN距离，利用图10所示位置f与位置f′之间的距离定义BSN距离。

因此，根据位置f与位置f′之间的距离，具有增强偏转敏感性的CRT内的电子束路径GB1显示BSN现象(BSN距离)的偏转点被缩短。根据位置f与位置f′之间的距离，具有减弱偏转敏感性的CRT内的电子束路径GB2显示BSN现象(BSN距离)的偏转点被延长。

偏转敏感性被大大增强(变坏)，有助于增加BSN距离。然而，CRT应该被设计成具有改善(减弱)的偏转敏感性，而非设计成具有提高的BSN距离，因为在设计CRT过程中，偏转敏感性是首要考虑的主要因素。

因此，最好设计偏转装置1具有改善(减弱)的偏转敏感性和延长的BSN距离。

水平偏转线圈30的颈部弯曲部分33产生的垂直偏转磁场B2在垂直方向偏转电子束，并使BSN距离缩短。具体地说，在对角线方向具有颈部弯曲部分33的中心部分产生的分量的垂直偏转磁场B2使BSN距离更加缩短，因为增大了倾角θ。

如上所述，传统CRT的偏转装置1的缺陷在于，尽管可以稍许改善偏转敏感性，但是会缩短BSN距离，因为偏转装置1首先靠近CRT的背面安装，然后向后向着电子枪2b移动。

如果在偏转装置1向后向着电子枪2b移动时延长BSN距离，则会因为提高了偏转敏感性的值而降低偏转敏感性。

因为偏转装置1向后向着电子枪2b的移动，BSN距离被缩短，并且电子束不能到达屏幕2a上的最大点，而是轰击CRT背面的内表面，从而使得部分显示图像未显示在屏幕2a上。

发明内容

为了解决上述以及其它问题，一个方面是提供一种在将该偏转装置安装在阴极射线管(CRT)的最后面以对CRT调整会聚时，可以改善偏转敏感性和电子束轰击颈部(BSN)距离的偏转装置。

以下将对本发明的其它方面和优势做进一步说明，并且根据此说明本发明的其它方面和优势将变得更加明显，或者通过实施本发明可以获知本发明的其它方面和优势。

为了实现上述方面和/或其它方面，一种安装在阴极射线管(CRT)的后部用于偏转CRT的电子枪射出的电子束的偏转装置，该偏转装置包括：线圈隔离器，安装在CRT上；水平偏转线圈，安装在线圈隔离器的内侧，具有：用于产生在水平方向偏转电子束的水平偏转磁场并且具有第一部分半径的第一部分和用于产生减弱该水平偏转磁场的无用磁场并且具有不同于第一部分半径的第二部分半径的第二部分；垂直偏转线圈，安装在线圈隔离器的外侧，产生用于在垂直方向偏转电子束的垂直偏转磁场；以及铁氧体磁心，覆盖部分垂直偏转线圈以增强水平偏转磁场和垂直偏转磁场。

根据本发明的另一个方面，第二部分的内半径不同于第一部分的内半径。

根据本发明的另一个方面，第二部分的外半径不同于第一部分的外半径。

根据本发明的另一个方面，第二部分的第一截面半径大于第一部分的第二截面。

根据本发明的另一个方面，第二部分的外半径大于第一部分的外半径。

根据本发明的另一个方面，第二部分的外半径大于第一部分的外半径。

根据本发明的另一个方面，第二部分包括位于第一方向的第一分截面半径和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分截面半径，并且第一分截面半径不同于第二分截面半径。

根据本发明的另一个方面，第二部分包括位于第一方向的第一分内半径和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分内半径，并且第一分内半径不同于第二分内半径。

根据本发明的另一个方面，第二部分包括位于第一方向的第一分外半径和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分外半径，并且第一分外半径不同于第二分内半径。

根据本发明的另一个方面，其中线圈隔离器包括：另一个第一部分，对应于水平偏转线圈的第一部分并且具有第一内半径；以及另一个第二部分，对应于水平偏转线圈的第二部分并且具有不同于第一内半径的第二内半径。

根据本发明的另一个方面，一种安装在阴极射线管(CRT)的后部用于偏转CRT的电子枪射出的电子束的偏转装置包括：线圈隔离器，安装在CRT上；水平偏转线圈，安装在线圈隔离器的内侧，用于产生在水平方向偏转电子束的水平偏转磁场；垂直偏转线圈，安装在线圈隔离器的外侧，具有：用于产生在垂直方向偏转电子束的垂直偏转磁场并且具有第一部分半径的第一部分以及用于产生减弱该垂直偏转磁场的无用磁场并且具有不同于第一部分半径的第二部分半径的第二部分；以及铁氧体磁心，覆盖部分垂直偏转线圈以增强水平偏转磁场和垂直偏转磁场。

根据本发明的另一个方面，第二部分的内半径不同于第一部分的内半径。

根据本发明的另一个方面，第二部分的外半径不同于第一部分的外半径。

根据本发明的另一个方面，第二部分的第二截面半径大于第一部分的第一截面半径。

根据本发明的另一个方面，第二部分的外半径大于第一部分的外半径。

根据本发明的另一个方面，第二部分的外半径大于第一部分的外半径。

根据本发明的另一个方面，第二部分包括位于第一方向的第一分截面半径和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分截面半径，并且第一分截面半径不同于第二分截面半径。

根据本发明的另一个方面，第二部分包括位于第一方向的第一分内半径和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分内半径，并且第一分内半径不同于第二分内半径。

根据本发明的另一个方面，第二部分包括位于第一方向的第一分外半径和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分外半径，并且第一分外半径不同于第二分外半径。

根据本发明的另一个方面，其中线圈隔离器包括：另一个第一部分，对应于水平偏转线圈的第一部分并且具有第一内半径；以及另一个第二部分，对应于水平偏转线圈的第二部分并且具有不同于第一内半径的第二内半径。

附图说明

通过结合附图对本发明优选实施例进行说明，本发明的这些以及其它方面和优势将变得更加明显和更加容易理解，附图包括：

图1是传统偏转装置的剖视图；

图2是图1所示偏转装置的线圈隔离器的剖视图；

图3是图1所示偏转装置的水平偏转线圈的透视图；

图4是示出图3所示水平偏转线圈的示意图；

图5是图3所示水平偏转线圈的侧视图；

图6是沿图5所示的a-a和b-b的水平偏转线圈的剖视图；

图7A、7B以及7C是示出图3所示水平偏转线圈产生的磁场的示意图；

图8是示出电子束与图3所示水平偏转线圈的颈状弯曲部分产生的磁场之间关系的示意图；

图9是示出电子束根据图1所示传统偏转装置的水平偏转线圈的电流的扫描情况的示意图；

图10是示出图1所示传统偏转装置1的水平偏转线圈的偏转敏感性和BSN现象的示意图；

图11是根据本发明实施例的偏转装置的剖视图；

图12是图11所示偏转装置的线圈隔离器和水平偏转线圈的部件分解图；

图13A、13B以及13C分别是线圈隔离器的剖视图、水平偏转线圈的剖视图以及水平偏转线圈的平面图；

图14是沿图3B所示j-j′线的剖视图；

图15是沿图3B所示k-k′线的剖视图；

图16A和1 6B是示出图13A、13B以及13C所示偏转装置的水平偏转线圈的第一部分和第二部分分别产生的磁场的示意图；

图17是示出图11所示偏转装置的偏转敏感性和BSN现象的示意图；

图18A和18B分别示出根据传统偏转装置和图11所示偏转装置的内径的偏转敏感性和BSN现象；

图19A和19B分别示出根据传统偏转装置和图11所示偏转装置的外径的偏转敏感性和BSN现象；

图20是根据本发明另一个实施例的偏转装置的另一种水平偏转线圈的剖视图；以及

图21是沿图20所示m-m′线和沿n-n′线的剖视图。

具体实施方式

现在将详细说明本发明的当前优选实施例，附图示出当前优选实施例的例子，在全部附图中，类似的参考编号表示类似部件。以下参考附图对各实施例进行说明是为了解释本发明。

以下将结合附图说明阴极射线管(CRT)内的偏转装置的实施例。

图11是根据本发明实施例的偏转装置的剖视图，图12是图11所示偏转装置100的线圈隔离器80和水平偏转线圈70的部件分解图，图13A、13B以及13C分别是线圈隔离器80的剖视图、水平偏转线圈70的剖视图以及水平偏转线圈70的平面图。

图14是沿图13B所示j-j′线的剖视图，图15是沿图13B所示k-k′线的剖视图。

尽管图11至图15示出表示产生水平偏转磁场的水平偏转线圈70的偏转线圈，但是省略解释垂直偏转线圈90，因为水平偏转线圈70与垂直偏转线圈90具有同样结构和运行过程。水平偏转线圈70和垂直偏转线圈90统称为偏转线圈。

如图11所示，偏转装置100是鞍一鞍形的，具有水平偏转线圈和垂直偏转线圈，水平偏转线圈和垂直偏转线圈由绕线架上的绕线线圈构成。偏转装置100是对称的，并且包括形成在集成体内的部分的线圈隔离器80。

偏转装置100包括：水平偏转线圈70，安装在线圈隔离器80的内侧以产生水平偏转磁场；以及垂直偏转线圈90，安装在线圈隔离器80的外侧以产生垂直偏转磁场。

偏转装置100进一步包括铁氧体磁心95，它形成在垂直偏转线圈90的外表面上以增强分别由水平偏转线圈70和垂直偏转线圈90产生的水平偏转磁场和垂直偏转磁场。

在图12至图13C中，水平偏转线圈70和线圈隔离器80包括靠近CRT屏幕的后部(未示出)安装的屏幕部分210。

延伸部分200从屏幕部分210向着CRT的向后方向延伸，并产生在水平方向偏转电子束的水平偏转磁场。

延伸部分200包括：喇叭形部分220，在CRT的轴向具有喇叭形曲线；以及第一部分250，具有与电子枪的外径相同的内径，以便将延伸部分200的第一部分250安装到电子枪的外侧圆周表面上。

第二部分300从延伸部分200的第一部分250开始延伸，并产生对水平偏转线圈70产生的水平偏转磁场无用的第二垂直偏转磁场。

第二部分300被称为颈状弯曲部分，因为第二部分被设置在(插入)与CRT的电子枪形成在一起的颈部。

水平偏转线圈70的第二部分300不产生对在水平方向偏转电子束的水平偏转磁场有用的磁场，但是产生无用磁场(第二垂直偏转磁场)。因此，将第二部分300定义为(称为)无效弯曲部分。

第二部分300的半径大于第一部分250的半径以弱化所产生的无用第二垂直偏转磁场，从而延长电子束轰击颈部(BSN)距离，这与现有技术的传统偏转装置具有同样意义。

通过压低第二部分300或第一部分250的正面上部，第二部分300的截面大于第一部分250的截面。水平偏转线圈70的第二部分300可以在水平偏转线圈70的径向向外延伸以比第一部分250具有更大截面。

水平偏转线圈70的第一部分250与传统水平偏转线圈的第一部分不同之处在于深度d，因为第二部分300的正面上部被压低，如图13B所示。

线圈隔离器80的第一部分250与水平偏转线圈70的第一部分250的正面上部具有同样深度d。

所形成的水平偏转线圈70的第一部分250的半径比传统水平偏转线圈的第一部分的半径小深度d，并且所形成的水平偏转线圈70的第二部分300的半径比传统水平偏转线圈的第二部分的半径大间隙T，如图13B所示。

在设计偏转装置100过程中，考虑到裕度，间隙T约为0.05-0.5mm 。

在集成单体或单片单体(monolithic single body)内对具有上述结构的线圈隔离器80和水平偏转线圈70与屏幕部分210形成屏幕部分210和第二部分300。

如图14和15所示，利用截面的内半径和外半径的平均值计算截面的平均(剖面)半径R。

图15详细示出水平偏转线圈70的第二部分300的截面半径R，并且由于根据截面半径R，以形成水平偏转线圈70的同样方式形成线圈隔离器80，所以省略对线圈隔离器80做说明。

水平偏转线圈70的第二部分的上部的截面半径R比第一部分25的上部截面半径大间隙T。

第二部分300具有分别在水平方向和垂直方向上的内半径DL和DSO，以及分别在水平方向和垂直方向上的外半径FL和FSO，它们均比图14所示的第一部分分别在水平方向和垂直方向上的内半径DL和DSO，以及分别在水平方向和垂直方向上的外半径FL和FSO大间隙T，其截面半径R也比第一部分的截面半径大间隙T。第二部分300还可以具有水平方向和垂直方向上的内半径DL或DSO以及水平方向和垂直方向上的外半径FL或FSO，它们比图14所示的第一部分的水平方向和垂直方向上的内半径DL或DSO以及水平方向和垂直方向上的外半径FL或FSO大间隙T。

第二部分300的截面半径R的值是内半径DL或DSO+T与外半径FL或FSO+T的平均值。

第二部分300的截面半径R以及内半径DL或DSO和外半径FL或FSO均增加间隙T。因此，内半径DSO变成DSO+T，外半径FSO变成FSO+T。

垂直方向上的截面半径R和内半径以及外半径DL、DSO、FL、FSO大于水平方向上的截面半径R和内半径以及外半径DL、DSO、FL、FSO。

水平方向上的截面半径R和内半径以及外半径DL、DSO、FL、FSO不同于垂直方向的截面半径R以及内半径和外半径DL、DSO、FL、FSO。

在偏转装置100与CRT的电子枪组合在一起时，第二部分300(颈部弯曲部分)与电子枪的外侧圆周表面隔离开，并且对于电子枪发出的电子束，第二垂直偏转磁场被弱化。

线圈隔离器80与水平偏转线圈70具有同样结构和形状，并且具有分别对应于截面半径R以及内半径和外半径DL、DSO、FL、FSO的另一个截面半径和另一个内半径和外半径。

线圈隔离器80的第二部分300的另一个截面半径以及另一个内半径和外半径均增加间隙T。

垂直方向上的线圈隔离器80的另一个截面半径以及内半径和外半径大于水平方向上的线圈隔离器80的另一个截面半径以及内半径和外半径。

水平方向上的线圈隔离器80的另一个截面半径以及另一个内半径和外半径不同于垂直方向上的线圈隔离器80的另一个截面半径以及另一个内半径和外半径。

因此，在一个集成单体内，水平偏转线圈70的相应第一部分150和第二部分300可以与线圈隔离器80组合在一起，因为水平偏转线圈70的结构与线圈隔离器80的结构相同。

垂直偏转线圈90可以与线圈隔离器80和水平偏转线圈70具有同样结构，具有分别与截面半径以及内半径和外半径DL、DSL、FL、FSO对应的另一个截面半径以及另一个内半径和外半径。所构造的垂直偏转线圈90具有在水平方向与在垂直方向不同的另一个截面半径以及另一个内半径和外半径，以弱化垂直偏转线圈90的另一个第二部分300产生的第二水平偏转磁场，从而延长BSN距离。

利用安装在线圈隔离器80的内侧的水平偏转线圈70构造的偏转装置100的后部显示的间隔对应于图11所示间隙T。间隙在从最上侧到右侧和左侧的方向变窄。在电子枪与偏转装置100的水平偏转线圈70之间的间隔内设置材料层，并且该材料层可以由诸如粘合剂、绝缘体等的材料制成。材料的第一厚度在径向方向对应于间隙T，而由于变窄的间隙，所以第二厚度小于第一厚度。

因此，在偏转装置100与CRT的电子枪组合在一起时，电子枪的外表面与偏转装置100的后部隔离开，并且电子枪还与水平偏转线圈70的第二部分300隔离开对应于间隙T的距离。电子枪射出的电子束被分布的位置距离水平偏转线圈70的第二部分300的距离比传统偏转装置的此距离远。

在远离第二部分300分布电子束时，水平偏转线圈70的第二部分300产生的无用磁场，即第二垂直偏转磁场对电子束的影响比传统偏转装置的影响小，从而增加了BSN距离。

根据对电子束的影响，弱化第二部分300产生的无用磁场。

如果第二部分的正面上部，即第一部分被压低深度d，则水平偏转线圈70的第一部分250的内半径和外半径被缩短，并且电子枪射出的电子束更靠近水平偏转线圈70的第一部分。根据对电子束的影响，增强水平偏转磁场。

延伸部分200的第一部分250产生的水平偏转磁场对电子束的影响更大。

第一部分250更靠近电子束，并且第二部分300更远离电子束。因此，第一部分250产生的水平偏转磁场被增强，而第二部分300产生的无用磁场被减弱。

如果水平偏转磁场被增强，则改善对电子束的水平偏转，并延长BSN距离(延伸)，因为减弱了的无用磁场(减弱的第二垂直偏转磁场)。

垂直偏转线圈90可以具有其截面半径互相不同的另一个第一部分和另一个第二部分，而在减弱第二水平偏转磁场(无用磁场)时，另一个第一部分的垂直偏转磁场被增强。因此，可以改善对电子束的垂直偏转，并同时延长BSN距离。

偏转装置100可以具有：水平偏转线圈70，作为水平偏转磁场发生器；以及垂直偏转线圈90，线圈缠绕在铁氧体磁心95上，铁氧体磁心95安装在线圈隔离器80的外表面上。

偏转装置100可以是鞍-环形的，其中水平偏转线圈70是鞍形的，而垂直偏转线圈90是环形的。

由于鞍-环形偏转装置的偏转线圈与偏转装置100具有同样结构和工作过程，所以省略对鞍-环形偏转装置做说明。

图16A和16B是示出图11所示偏转装置1的水平偏转线圈70的第一部分250和第二部分300分别产生的磁场的示意图。

作为针(pin)形磁场的水平偏转磁场B1是第一部分250根据输入电流产生的，水平偏转磁场B1在Y方向偏转电子束，并且第一部分250根据水平偏转磁场B1和以电子束的反向流过的反向电流，在X方向产生水平偏转力F1。

由于如上所述第一部分250的内半径被减小了深度d，所以第一部分250与电子束之间的距离被缩短，并且与传统偏转装置相比，更增强了水平偏转力F1。

在第二部分300内，电流I在X方向向右流动。尽管由于该电流第二垂直偏转磁场在Y方向，但是与传统偏转装置相比，第二垂直偏转磁场对电子束的影响更小，因为在电子枪的上表面与第二部分300的下表面之间形成与间隙T对应的间隔。

因此，第一部分250产生的水平偏转磁场更强，而第二部分300产生的第二垂直偏转磁场不影响电子束在第二部分300内的路径。

图17是示出图11所示偏转装置1的偏转敏感性和BSN现象的示意图。不靠近CRT的背面安装偏转装置100，而是向后向着电子枪移动它以与CRT的电子枪连接在一起以调整会聚。

由于电子束GB在形成在偏转装置100的后部的第二部分300内以平行于CRT轴向方向的直线方向移动，所以BSN距离向CRT的最后面延伸。

虚线是传统偏转装置对电子束产生的偏转路径，并且电子束在第二部分300内因为无用磁场，例如第二部分300产生的第二垂直偏转磁场而开始偏转，并轰击CRT的电子枪2b的内侧。

实线是偏转装置100对电子束产生的另一个偏转路径，在第二部分300内，第二偏转磁场不对电子束GB产生影响，而是沿直线方向向前，并且该电子束GB在第一部分内因为第一部分250产生的水平偏转力F1而被迅速偏转，而且该电子束GB可以到达对应于屏幕的最上面、最下面、最右面以及最左面的、屏幕上的最大点。

如上所述，第二部分300与电子枪的外表面隔离开，并且第二部分300产生的无用磁场对电子束GB不产生影响，而且电子束GB可以在第二部分300内保持直线。

然而，在通过第二部分300后，电子束GB在第一部分250内根据第一部分250产生的水平偏转磁场被迅速偏转。

电子束GB的偏转点不是位于第二部分300内，而是位于第一部分250内。

可以延长偏转装置100的BSN距离，因为电子束GB在第二部分300内不被偏转。

即使BSN距离被延长，电子束GB仍可以到达屏幕上的最大点。

即使将在传统偏转装置内消耗的同样电流输入到偏转装置100，电子束GB仍可以到达屏幕上的最大点，并且可以改善偏转敏感性，因为偏转敏感性值被降低。

因为被缩小了内半径的第一部分增强的偏转磁场严重影响电子束GB，所以可以根据第一部分150的磁场，减小送入偏转装置100的消耗电流，从而改善偏转装置100的偏转敏感性。

图18A和18B分别示出根据传统偏转装置和图11所示偏转装置的内径的偏转敏感性和BSN现象，图19A和19B分别示出根据传统偏转装置和图11所示偏转装置的外径的偏转敏感性和BSN现象。

在图18A中，在传统偏转装置的偏转线圈的内径为15.8mm时，偏转敏感性为13.9，而相应BSN距离的BSN值为5.1。

在图18B中，根据本发明实施例，在偏转装置100的偏转线圈的内径为15.8mm时，偏转敏感性为13，而相应BSN距离的BSN值为5.12。

根据上图，本发明的偏转装置100显示了改善的偏转敏感性和BSN距离。

在图19A中，在传统偏转装置的偏转线圈的外径为18.4mm时，偏转敏感性为13.9，而相应BSN距离的BSN值为5.1。

在图19B中，根据本发明实施例，在偏转装置100的偏转线圈的外径为18.4mm时，偏转敏感性为13，而相应BSN距离的BSN值为5.12。

根据涉及外径的上图，根据本发明的偏转装置100与偏转装置100的内径具有同样效果。偏转敏感性和BSN距离也得到了改善。

相反，在水平方向而不在垂直方向加大水平偏转线圈70的第二部分300的内半径和外半径以延长BSN距离，如图20和21所示。

图20是根据本发明另一个实施例的偏转装置100的另一种水平偏转线圈的剖视图，图21是沿图20所示m-m′线和沿n-n′线的剖视图。图20和21示出水平偏转线圈70′，而且省略对垂直偏转线圈做解释，因为水平偏转线圈与垂直偏转线圈具有同样结构和工作过程。

如图20和21所示，与图12和图13c所示的水平偏转线圈70类似的水平偏转线圈70′包括：屏幕部分210′；延伸部分，具有从屏幕部分开始延伸的喇叭形部分220′和从喇叭形部分220′开始延伸的第一部分；以及第二部分300，在一个集成单体内与延伸部分200形成在一起。

第一部分250′和第二部分300′的半径不同，并且第二部分300′的截面半径大于第一部分250′的截面半径。

第二部分300′在水平方向(左面和右面)的截面半径大于在垂直方向(上面)的截面半径。

通过压低第二部分300′的正面上部，第二部分300′的左面和右面的截面半径大于第二部分300′的上面的截面半径。将水平偏转线圈70′的第一部分250′的内半径和外半径减小深度d以根据第一部分250′的内半径和外半径的减小增强水平偏转磁场。

水平偏转线圈70′的左面与右面半径的加大部分被表示为间隙T。

在第二部分300′的截面半径大于第一部分250′的截面半径时，第二部分300′的内表面设置在离开第一部分250′的外表面某个距离的位置，并因为第二部分300′产生的第二偏转磁场对电子束的影响小，所以延长BSN距离。

因为在第二部分300′内不对电子束产生影响，而在第一部分250′内对电子束产生影响，所以延长了BSN距离。

由于第二偏转磁场不对电子束产生影响，所以在第二部分300′内电子束沿直线向前移动，而因为第一部分250′的水平偏转磁场，该电子束在第一部分250′内被迅速偏转并到达屏幕上的最大点。

所构造的线圈隔离器80的第二部分300′与水平偏转线圈70′的第二部分300′对应。因此，省略对线圈隔离器80做解释。

如上所述，即为了调整会聚使偏转装置100向后向着电子枪2b移动，仍可以减弱偏转装置100的后部产生的无用磁场，并且通过使电子束避免受到该无用磁场的影响而延长了BSN距离。

此外，使电子束扫描到屏幕上的最大点所使用的消耗电流数量较少，而且可以改善偏转敏感性。

由于电子束GB到达屏幕2a上的最大点，所以可以将屏幕图像显示在屏幕2a上，而且可以避免在电子束GB未完全偏转到屏幕2a时产生的缺陷。

可以使偏转装置100倾斜，因为第二部分300、300′具有加大的内半径和外半径以及截面半径，而且可以改善制造过程。根据偏转装置的偏转敏感性，可以扩大电子束的扫描宽度，从而提高偏转装置的产品质量。

尽管已经示出并说明了本发明的几个优选实施例，但是，显然，本技术领域内的普通技术人员可以在本发明实质原理范围内对这些实施例进行各种变更，本发明范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (20)

1.一种安装在阴极射线管(CRT)的后部用于偏转CRT的电子枪射出的电子束的偏转装置，该偏转装置包括：

线圈隔离器，安装在CRT上；

水平偏转线圈，安装在线圈隔离器的内侧，具有：第一部分，用于产生在水平方向偏转电子束的水平偏转磁场并且具有第一部分半径；第二部分，用于产生减弱该水平偏转磁场的无用磁场并且具有不同于第一部分半径的第二部分半径；

垂直偏转线圈，安装在线圈隔离器的外侧，产生用于在垂直方向偏转电子束的垂直偏转磁场；以及

铁氧体磁心，覆盖部分垂直偏转线圈以增强水平偏转磁场和垂直偏转磁场。

2.根据权利要求1所述的偏转装置，其中水平偏转线圈的第一部分和第二部分包括内半径，其中第二部分的内半径不同于第一部分的内半径。

3.根据权利要求2所述的偏转装置，其中第二部分的内半径大于第一部分的内半径。

4.根据权利要求2所述的偏转装置，其中第二部分包括位于第一方向的第一分内半径和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分内半径，并且第一分内半径不同于第二分内半径。

5.根据权利要求1所述的偏转装置，其中水平偏转线圈的第一部分和第二部分包括外半径，其中第二部分的外半径不同于第一部分的外半径。

6.根据权利要求5所述的偏转装置，其中第二部分的外半径大于第一部分的外半径。

7.根据权利要求5所述的偏转装置，其中第二部分包括位于第一方向的第一分外半径和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分外半径，并且第一分外半径不同于第二分外半径。

8.根据权利要求1所述的偏转装置，其中第二部分包括位于第一方向的第一分截面半径和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分截面半径，并且第一分内半径不同于第二分内半径。

9.根据权利要求1所述的偏转装置，其中第二部分的截面半径大于第一部分的截面半径。

10.根据权利要求1所述的偏转装置，其中线圈隔离器包括：

另一个第一部分，对应于水平偏转线圈的第一部分并且具有第一内半径；以及

另一个第二部分，对应于水平偏转线圈的第二部分并且具有不同于第一内半径的第二内半径。

11.一种安装在阴极射线管(CRT)的后部用于偏转CRT的电子枪射出的电子束的偏转装置，该偏转装置包括：

线圈隔离器，安装在CRT上；

水平偏转线圈，安装在线圈隔离器的内侧，用于产生在水平方向偏转电子束的水平偏转磁场；

垂直偏转线圈，安装在线圈隔离器的外侧，具有：第一部分，用于产生在垂直方向偏转电子束的垂直偏转磁场并且具有第一部分半径；第二部分，用于产生减弱该垂直偏转磁场的无用磁场并且具有不同于第一部分半径的第二部分半径；以及

铁氧体磁心，覆盖部分垂直偏转线圈以增强水平偏转磁场和垂直偏转磁场。

12.根据权利要求11所述的偏转装置，其中水平偏转线圈的第一部分和第二部分包括内半径，其中第二部分的内半径不同于第一部分的内半径。

13.根据权利要求12所述的偏转装置，其中第二部分的外半径大于第一部分的外半径。

14.根据权利要求12所述的偏转装置，其中第二部分包括位于第一方向的第一分内半径和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分内半径，并且第一分内半径不同于第二分内半径。

15.根据权利要求11所述的偏转装置，其中水平偏转线圈的第一部分和第二部分包括外半径，其中第二部分的外半径不同于第一部分的外半径。

16.根据权利要求15所述的偏转装置，其中第二部分的外半径大于第一部分的外半径。

17.根据权利要求15所述的偏转装置，其中第二部分包括位于第一方向的第一分外半径和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分外半径，并且第一分外半径不同于第二分外半径。

18.根据权利要求11所述的偏转装置，其中第二部分包括位于第一方向的第一分截面半径和位于垂直于第一方向的第二方向的第二分截面半径，并且第一分截面半径不同于第二分截面半径。

19.根据权利要求11所述的偏转装置，其中第二部分的截面半径大于第一部分的截面半径。

20.根据权利要求11所述的偏转装置，其中线圈隔离器包括：

另一个第一部分，对应于水平偏转线圈的第一部分并且具有第一内半径；以及

另一个第二部分，对应于水平偏转线圈的第二部分并且具有不同于第一内半径的第二内半径。

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