CN1453835A - 防止钨插塞腐蚀的方法 - Google Patents

防止钨插塞腐蚀的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1453835A
CN1453835A CN02146273.9A CN02146273A CN1453835A CN 1453835 A CN1453835 A CN 1453835A CN 02146273 A CN02146273 A CN 02146273A CN 1453835 A CN1453835 A CN 1453835A
Authority
CN
China
Prior art keywords
tungsten plug
prevents
lead
semiconductor element
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN02146273.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100352018C (zh
Inventor
陈中泰
董克伟
钟嘉麒
李俊鸿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Macronix International Co Ltd
Original Assignee
Macronix International Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Macronix International Co Ltd filed Critical Macronix International Co Ltd
Publication of CN1453835A publication Critical patent/CN1453835A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100352018C publication Critical patent/CN100352018C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

一种在半导体元件的工艺中防止钨插塞腐蚀的方法，其中在一基底上已形成有一钨插塞且该钨插塞与形成在基底上的导线耦接。首先将基底浸泡于一非离子良性溶剂中，以实质上去除累积在导线表面上的电荷，接着再进行洗濯程序以清洗导线表面，其后再进行旋干步骤。

Description

防止钨插塞腐蚀的方法
技术领域
本发明是有关于一种在半导体元件的工艺中防止钨插塞腐蚀的方法。
背景技术
随着半导体元件尺寸的缩小，特别是在多层内连线(金属层)工艺中，如何保有半导体晶片的表面积将日形重要。在许多方面，晶片上的元件密度受到内连线的限制。在数年前，元件的尺寸(因为内连线造成)较大，通常导线会将与之接触的下层钨插塞完全覆盖。钨插塞腐蚀所产生的问题，仅在微影步进机发生错误对准，导致图案化的导线层并未对准钨插塞的上方时方才会浮现。由于元件的尺寸变小(并且内连线的导线的大小又必须严格控制)，因此，通常导线层并不会完全对准其下方的钨插塞。故，钨插塞以及上层导线的腐蚀问题仍是工艺所关切的问题。
通常，与钨插塞耦接的导线，是在钨插塞形成的后方才形成。典型的导线材料为铝铜合金，其铝的比例约为0.5wt％-1.5wt％。当元件的尺寸缩小至0.18微米以下之后，多重金属内连线中的铝合金导线是由铜导线取而代之。
图1为公知一种半导体元件其部分工艺的剖面示意图(未依照比例)。图式中包括基底10、内层介电材料11、黏着层12、钨插塞13、用来定义图案的光阻材料14、金属导线15以及残留的聚合物(蚀刻的副产物)17，其中黏着层11的材料包括TiN、TiW或其它的阻障材料。图式中内连线的导线15并未完全覆盖下层的钨插塞13。图案化的导线15可能因为错误对准而并未对准钨插塞13或是为了节省晶片面积而故意仅覆盖一部份的钨插塞13。为了清楚起见，本领域技术人员当可了解，剖面图中省略了一些半导体元件或集成电路的构件。
图2为图1的部分工艺的半导体元件的剖面图(未依照比例)。在进行干蚀刻步骤后，图1中部分的高分子材料14(其是由干蚀刻所形成者)仍会残留下来-高分子残留物17。钨插塞13所裸露出来的部分16与此高分子残留物17相邻。在进行氧等离子体蚀刻工艺以灰化光阻14以及将内连线的导线15图案化时，残留的光阻层或是其它的高分子残留物17必然会黏附在图案化的导线以及光阻14的侧壁上。因此，在进行后续工艺之前，必须将此高分子残留物17去除。典型的方法是采用上述的氧等离子体蚀刻步骤去除光阻材料14，接着再以清除溶液(stripping solution)(例如EKC科技公司的EKC-265TM)，在pH约为10-12下进行湿式洗净工艺，以去除残留的高分子残留物17。
若是内连线的导线15并未对准钨插塞13，或是内连线的导线15故意不完全覆盖钨插塞，使得钨插塞13的一部份16在后的工艺中裸露出来。
请参照图3，其为部分工艺所形成的半导体元件的剖面图，以标准的湿式清除程序(wet-stripping process)去除残存在导线15上的高分子残留物17时，所发生的钨插塞13腐蚀现象。
以清除溶液(stripping solution)19进行湿式洗净程序，以去除金属导线侧壁上的高分子残余物17时，清除溶液19会腐蚀钨插塞13所裸露出来的部分，而在钨插塞13之中形成一个孔洞18。钨腐蚀，是因为在图案化以形成导线15的蚀刻过程中或是以氧等离子体灰化光阻14的过程中，电荷(“q”)20累积在内连线导线15表面所造成。带着电荷的导线与钨插塞13之间具有很大的电化学势能(electrochemical potential)(具有不同电化学势能的两金属层会产生电耦合(galvanic couple))，因此，以pH值为10-12的清除溶液19处理之后，所裸露的钨金属将氧化成离子态21(例如是WO4 -2)，而此离子态的屋金属在后续的湿式洗濯步骤中将被移除，而导致钨插塞13中形成孔洞18。
图4为公知一种部分工艺所形成的半导体元件的剖面图，其为以标准的湿式清除程序处理图3的元件后，钨插塞13之中所形成的孔洞13。由于钨插塞13遭到腐蚀，钨插塞13与图案化的金属导线15的接触面积减小，导线的阻值将因而增加，进而导致集成电路失效而无法使用。
公知解决上述问题的方法，是将基底浸泡于一中性溶液(例如电解液)或去离子水中数小时，再以清除溶液进行湿式洗净程序。将基底浸于中性的离子溶液中可以有效去除导线表面所累积的电荷(q)，但是，此方法虽可保护钨插塞13防止其发生电化学腐蚀，却会使得钨插塞13表面上的内连线的导线15腐蚀(亦即导线15的金属会与中性离子溶液中的盐或电解液反应)。当导线的尺寸缩小时，防止导线以及钨插塞13发生腐蚀的问题将日益重要。而且，公知的方法中，将基底进行浸泡步骤之后，还必须额外进行清洗-干燥步骤以去除残留在基底上的溶液(即盐/电解液)。
发明内容
本发明的目的是提供一种防止钨插塞腐蚀的方法，其还可以防止金属导线腐蚀，并能减少步骤，提高效率。
为达上述目的，本发明提供一种在半导体工艺中防止钨插塞与金属导线腐蚀的方法。此方法的步骤包括：提供已形成有一钨插塞的基底，钨插塞系与形成在基底上的导线耦接。首先，将基底浸泡于一非离子良性溶剂(non-ionic benign solvent)中，此溶液例如是纯异丙醇(IPA)或纯N-甲基比各烷酮(NMP)，接着再进行洗濯步骤以清洗导线表面，其后再将基底旋干并进行公知的湿式清除程序。
本发明使用异丙醇或N-甲基比各烷酮溶剂去除累积在导线上的电荷(q)，以防止钨插塞发生电化学腐蚀。一旦累积在导线上的电荷去除之后，在后续的湿式洗濯步骤中钨插塞与导线之间的电化学势能将大幅降低，钨金属不会发生氧化，因此可以保护钨插塞，防止腐蚀的现象。而且，异丙醇或N-甲基比各烷酮溶剂液不会侵蚀钨插塞上的内连线导线图案，因此，也可以防止导线发生腐蚀的现象。
由于异丙醇与N-甲基比各烷酮是一种以氧等离子体蚀刻与湿式洗净(EKC-265TM)程序之后，进行快速冲洗(quick dump rinse，QDR)之前，普遍使用于溶媒内洗濯程序(inter-medium rinse process)之中的溶剂，因此，异丙醇与N-甲基比各烷酮非常容易由既有的工艺设备中取得。此外，将基底浸泡在纯异丙醇或纯N-甲基比各烷酮溶剂的时间仅需几秒钟，相较于公知使用中性的离子溶液，本发明可以大幅缩短浸泡的时间。因此，本发明的工艺可以简化半导体金属层的制造程序并且可以节省制造的成本。而且，可以增进效率，并且因为无须更换工艺设备，因此可以减少工艺的时间，并且减少生产线被污染的可能。
再者，以异丙醇与N-甲基比各烷酮溶剂去除累积在导线上的电荷(q)防止钨插塞发生电化学腐蚀时，由于异丙醇与N-甲基比各烷酮溶剂与湿式洗净程序所使用的溶液(如EKC-265TM)为化学兼容，可以直接将异丙醇与N-甲基比各烷酮溶洗濯步骤安排在湿式洗濯步骤之前，因此，可以简化工艺并且可以使工艺更为经济。
本发明提供一种在半导体工艺中以湿式清除溶液移除高分子残留物时，防止钨插塞与金属导线腐蚀的方法。
依照本发明实施例所述，本发明的防止钨插塞与金属导线腐蚀的方法包括：提供已形成有一钨插塞的基底，其钨插塞与形成在基底上的导线耦接。首先，将基底浸泡于一非离子良性溶剂中，接着再进行洗濯步骤以清洗导线表面，其后再进行旋干步骤。上述将基底浸泡于非离子良性溶剂的步骤在标准的湿式清除程序之前进行，并且非离子良性溶剂例如是异丙醇与N-甲基比各烷酮溶剂。异丙醇或N-甲基比各烷酮溶剂可以在半导体元件的工艺中实质上去除累积在导线上的电荷(q)。而基底浸泡在非离子良性溶剂的时间约为1秒钟至5分钟。
本发明的其它特征与优点将在后续的说明中提出，其一部份可以由说明中得知，或经由实施本发明而得知。
附图说明
图1为公知一种部分工艺所形成的半导体元件的剖面示意图(未依照比例)。
图2为图1部分工艺所形成的半导体元件的剖面图(未依照比例)。
图3为部分工艺所形成的半导体元件的剖面图(未依照比例)，以标准的湿式清除程序去除残存在导线上的高分子残留物时，所发生的钨插塞腐蚀现象。
图4为公知一种部分工艺所形成的半导体元件的剖面图，其绘示以标准的湿式清除程序处理元件后，钨插塞之中所形成的孔洞。
图5为依照本发明所示的一种防止钨插塞与金属导线腐蚀的程序的流程图。
图6为本发明部分工艺所形成的半导体元件进行本发明的基底浸泡程序的剖面示意图(未依照比例)。
图7为本发明的部分工艺所形成的半导体元件进行本发明的浸泡程序后剖面示意图(未依照比例)，其中高分子残留物已被移除并且钨插塞与图案化的导线并没有腐蚀的现象。
10：基底
11：内层介电层
12：黏着层
13：钨插塞
14：光阻
15：金属导线
16：裸露出的部分
17：残留的聚合物
18：孔洞
19：清除溶液
20：电荷
21：离子态
具体实施方式
本发明将以实施例配合图式详细说明如下。图式中相同的标记表示相同或相似的部分。为了使本发明更清楚明白，本领域技术人员当可了解，本发明的剖面图中省略了半导体元件/集成电路中数个构件，而以简图表示之。
图1至图4为描述公知的部分，其显示了半导体元件在工艺中所产生的钨塞腐蚀问题。
图5为本发明实施例的一种防止钨插塞腐蚀的程序的流程图50。程序50的步骤51，提供一个形成在基底上的钨插塞，此钨插塞与形成在基底上的导线耦接。步骤51中所形成的导线并未完全覆盖其下层的钨插塞，其依照目前的0.18微米设计准则(以及更小的设计准则)的工艺技术所形成者。
接着，进行步骤52。将具有钨插塞与导线的基底浸泡于一非离子良性溶剂之中。依照本发明实施例，此具有钨插塞与导线的基底可以浸泡于异丙醇或N-甲基比各烷酮之中。本领域技术人员可轻易了解该非离子良性溶剂是于一般实验室的室温(298K)下。进行步骤52，可以实质上去除图案化导线以及以氧等离子体蚀刻去除光阻的过程中累积在导线表面上的电荷。相比于公知的方法，进行步骤52具有额外的优点，其优点是减少累积在钨插塞或导线上的电荷时，钨插塞与导线的表面并非会发生腐蚀的问题。因此，在步骤52中，使用异丙醇或N-甲基比各烷酮不但可以避免钨插塞的腐蚀，而且亦可以防止下方的图案化的金属导线发生腐蚀的问题。
接着，进行步骤53。步骤53进行洗濯步骤以清洗进行浸泡步骤52之后的导线表面。进行步骤53之后，再进行步骤54。步骤54将具有钨插塞与图案化导线的基底进行旋干步骤。
最后，进行步骤55。步骤55将具有钨插塞与图案化导线的基底进行湿式清除程序，其可以使得钨插塞或图案化导线，在以步骤52去除氧等离子体蚀刻过程中累积在导线表面上的电荷之后避免遭受到破坏。因此，在进行步骤55时，钨插塞所裸露出来的部分将不会被氧化而被移除，并且金属导线不会被腐蚀。
图6为本发明部分工艺所形成的半导体元件进行本发明图5中步骤52的基底浸泡程序的剖面示意图(未依照比例)。化学式(异丙醇与N-甲基比各烷酮)表示的非离子良性溶剂21可以中和累积在图案化导线15表面上所累积的电荷。值得注意的是，在后续的湿式清除步骤中，将可移除高分残留物17。
图7为本发明图6的部分工艺所形成的半导体元件进行本发明步骤52(图5)的浸泡程序后的剖面示意图(未依照比例)，其中高分子残留物已被移除并且钨插塞与图案化的导线并没有腐蚀的现象。因此，本发明所使用的材料是一种可以购买得到，并且已经是半导体元件工艺中用于解决多重导线金属化程序中所衍生的问题的一种材料。此材料例如是异丙醇与N-甲基比各烷酮，使用此溶剂可以不需要额外的处理步骤，而且可与洗濯步骤53(图5)兼容。因此，本发明可以在不增加所有程序的时间与成本的前提下避免钨插塞与图案化金属导线的腐蚀。
为让本发明清楚明白以上已详细说明本发明，然而，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，例如说明书中所述的中和电荷的浸泡步骤，可以在后续的步骤中进行(例如，在不同的金属层进行)，以避免额外的电荷累积在导线表面所造成的腐蚀问题。此外，如果工艺设备已具有去除电荷的功用，则可以省略洗濯步骤53以及旋干步骤54。这是因为非离子良性溶剂，例如是异丙醇、N-甲基比各烷酮，系与湿式清除溶剂如EKC-265TM兼容，因此，并不需要洗濯步骤与旋干步骤。
再者，本发明并不限定于铝的内连导线技术。除了铝(0.5wt％-1.5wt％)铜之外，本领域技术人员当可了解本发明可以避免钨插塞与图案化的铜导线发生腐蚀的现象。随着铜导线的发展，钨插塞仍会使用于第一层的金属层以与半导体基底的主动区接触。依旧使用钨插塞，是为了避免铜的扩散高易扩散至材料层之中所造成的“铜毒化(Cu poisoning)”现象。防止钨插塞腐蚀可以避免第一层金属层中铜扩散至半导体基底的主动区的路径的形成。再者，由于铜并无法如同铝一样形成保护的氧化薄膜，因此非常容易被侵蚀。故而，对于使用铜导线的半导体元件避免腐蚀的发生也是非常重要的。

Claims (13)

1.一种防止钨插塞腐蚀的方法，其特征是，该方法包括：
提供一形成于一基底中的钨插塞，该钨插塞与该基底上的一导线耦接；
将该基底浸泡于一非离子良性溶剂中；
进行一洗濯步骤，以清洗该导线的表面；以及
进行一旋干步骤。
2.如权利要求1所述的防止钨插塞腐蚀的方法，其特征是，该非离子良性溶剂是实质上去除累积于该导线表面上的静电。
3.如权利要求1所述的防止钨插塞腐蚀的方法，其特征是，将该基底浸泡于该非离子良性溶剂的步骤为在一湿式清除步骤之前施行。
4.如权利要求1所述的防止钨插塞腐蚀的方法，其特征是，该非离子良性溶剂为纯异丙醇。
5.如权利要求1所述的防止钨插塞腐蚀的方法，其特征是，该非离子良性溶剂为纯N-比各烷酮。
6.如权利要求1所述的防止钨插塞腐蚀的方法，其特征是，该浸泡步骤进行1至300秒左右。
7.如权利要求1所述的防止钨插塞腐蚀的方法，其特征是，该洗濯步骤进行5至15秒左右。
8.如权利要求1所述的防止钨插塞腐蚀的方法，其特征是，该导线为一铝合金导线。
9.如权利要求1所述的防止钨插塞腐蚀的方法，其特征是，该导线为铜导线或铜合金导线。
10.如权利要求1所述的防止钨插塞腐蚀的方法，其特征是，该浸泡该基底的步骤在室温下进行。
11.一种半导体元件，其依照权利要求1所述的方法所形成。
12.如权利要求11所述的一种半导体元件，其特征是，该半导体元件包含一钨插塞，且该钨插塞介于内连线层之间。
13.如权利要求11所述的一种半导体元件，其特征是，该半导体元件的内连线层的材质为铝合金、铜或铜合金。
CNB021462739A 2002-04-26 2002-10-17 防止钨插塞腐蚀的方法 Expired - Fee Related CN100352018C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/132,286 2002-04-26
US10/132,286 US6703301B2 (en) 2002-04-26 2002-04-26 Method of preventing tungsten plugs from corrosion

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1453835A true CN1453835A (zh) 2003-11-05
CN100352018C CN100352018C (zh) 2007-11-28

Family

ID=29248721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021462739A Expired - Fee Related CN100352018C (zh) 2002-04-26 2002-10-17 防止钨插塞腐蚀的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6703301B2 (zh)
CN (1) CN100352018C (zh)
TW (1) TW561538B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105448658A (zh) * 2014-09-25 2016-03-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 防止钨腐蚀的晶圆清洗方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7253092B2 (en) * 2003-06-24 2007-08-07 Nec Electronics America, Inc. Tungsten plug corrosion prevention method using water
US7052992B2 (en) * 2003-10-28 2006-05-30 Nec Electronics America, Inc. Tungsten plug corrosion prevention method using ionized air
US20060063388A1 (en) * 2004-09-23 2006-03-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for using a water vapor treatment to reduce surface charge after metal etching
US7977241B2 (en) * 2006-12-20 2011-07-12 Freescale Semiconductor, Inc. Method for fabricating highly reliable interconnects
KR20180087661A (ko) 2017-01-25 2018-08-02 삼성전자주식회사 핵형성 구조물을 갖는 도전성 구조물을 포함하는 반도체 소자 및 그 형성 방법
US10867844B2 (en) * 2018-03-28 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wet cleaning with tunable metal recess for VIA plugs

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3264405B2 (ja) * 1994-01-07 2002-03-11 三菱瓦斯化学株式会社 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法
US6068879A (en) 1997-08-26 2000-05-30 Lsi Logic Corporation Use of corrosion inhibiting compounds to inhibit corrosion of metal plugs in chemical-mechanical polishing
US5893756A (en) 1997-08-26 1999-04-13 Lsi Logic Corporation Use of ethylene glycol as a corrosion inhibitor during cleaning after metal chemical mechanical polishing
US6077762A (en) * 1997-12-22 2000-06-20 Vlsi Technology, Inc. Method and apparatus for rapidly discharging plasma etched interconnect structures
US6117795A (en) 1998-02-12 2000-09-12 Lsi Logic Corporation Use of corrosion inhibiting compounds in post-etch cleaning processes of an integrated circuit
US6103615A (en) 1998-03-19 2000-08-15 Lsi Logic Corporation Corrosion sensitivity structures for vias and contact holes in integrated circuits
KR20000022633A (ko) * 1998-09-22 2000-04-25 김영남 전도성 유기고분자의 대전방지막이 형성된 유리기판 및 그 형성방법과 그 도포용액 및 그 도포용액의 제조방법
US6251568B1 (en) 1999-02-09 2001-06-26 Conexant Systems Inc. Methods and apparatus for stripping photoresist and polymer layers from a semiconductor stack in a non-corrosive environment
TW518713B (en) 1999-04-05 2003-01-21 Taiwan Semiconductor Mfg Method to prevent metal tungsten plug from corrosion
JP2002016034A (ja) * 2000-06-30 2002-01-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
US6465358B1 (en) * 2000-10-06 2002-10-15 Intel Corporation Post etch clean sequence for making a semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105448658A (zh) * 2014-09-25 2016-03-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 防止钨腐蚀的晶圆清洗方法
CN105448658B (zh) * 2014-09-25 2018-07-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 防止钨腐蚀的晶圆清洗方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW561538B (en) 2003-11-11
US6703301B2 (en) 2004-03-09
CN100352018C (zh) 2007-11-28
US20030203625A1 (en) 2003-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0918081B1 (en) Etching composition and use
KR100505044B1 (ko) 세정액 및 이를 이용한 반도체 장치의 세정방법
CN100352018C (zh) 防止钨插塞腐蚀的方法
KR100495603B1 (ko) 실리콘 마이크로기계구조의 제작
US7468321B2 (en) Application of impressed-current cathodic protection to prevent metal corrosion and oxidation
US20070207609A1 (en) Tungsten Plug Corrosion Prevention Method Using Water
US20020162579A1 (en) Wet stripping apparatus and method of using
US5538921A (en) Integrated circuit fabrication
US20070181532A1 (en) Cmp clean process for high performance copper/low-k devices
CN100444350C (zh) 防止钨插塞腐蚀的方法
US6720271B2 (en) Process for removing polymers during the fabrication of semiconductor devices
US6077762A (en) Method and apparatus for rapidly discharging plasma etched interconnect structures
US20040152305A1 (en) Method for preventing corrosion of tungsten plug
KR100529654B1 (ko) 반도체 소자의 듀얼 다마신 배선을 위한 컨택 홀 형성 방법
CN1139978C (zh) 半导体器件的生产方法
US6495472B2 (en) Method for avoiding erosion of conductor structure during removing etching residues
KR100458591B1 (ko) 반도체 소자의 폴리머 제거방법
TWI229382B (en) Method for preventing tungsten-plug corrosion
KR19990081192A (ko) 오존수를 이용한 반도체 장치의 세정방법
KR100678299B1 (ko) 반도체 소자 제조방법
KR100532380B1 (ko) 반도체장치의 세정방법
KR20060020825A (ko) 반도체 소자의 세정 방법
JPH0962013A (ja) 半導体装置用洗浄剤及び半導体装置の製造方法
KR20060077033A (ko) 반도체 소자의 세정 방법
US20040023505A1 (en) Method of removing ALF defects after pad etching process

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20071128

Termination date: 20191017

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee