CN1409353A - 阴极射线管装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种阴极射线管装置，不必搭载附加修正线圈，而且不需要特别的修正电流发生用的修正电路，动态会聚失调调整容易，具有良好的会聚特性。水平偏转线圈由导线卷绕而成，在垂直于管轴的剖面上，分别以电子枪一侧的区域上的水平方向为0°的绕组角度θ1，中间区域上的水平方向为0°的绕组角度θ2，屏幕一侧的区域上的水平方向为0°的绕组角度θ3为中心，以规定的角度范围隔开的第一部分上的导线的线密度小于第一部分之外的第二部分上的导线的线密度，第一部分的绕组角度θ1、绕组角度θ2、以及绕组角度θ3满足θ1≥θ2≥θ3。

Description

阴极射线管装置

技术领域

本发明涉及一种阴极射线管装置。特别是涉及对偏转线圈的会聚特性进行了改进的阴极射线管装置。

背景技术

作为个人计算机的OS，随着以微软公司制的视窗等为代表的多画面显示环境的普及，在用于计算机的显示器中的阴极射线管装置中，屏幕周边部的高分辨率成为重要的技术课题。

作为决定分辨率的要素之一，可列举出表示屏幕面上蓝色、绿色和红色发光用电子束的象差误差(以下，称为“会聚失调”)的会聚特性。

在显示器用阴极射线管装置中，其屏幕面上的会聚失调在制造工序中被调整到0.25mm左右。在这种情况下，特别是在屏幕面的角部上，蓝色发光用电子束和红色发光用电子束之间的会聚失调的调整比较容易，而绿色发光用电子束和蓝色发光用电子束或者红色发光用电子束之间的会聚失调的调整困难，这是众所周知的。

其原因是，在调整屏幕面的角部上的会聚(以下，称为“动态会聚”)时，虽然从偏转线圈的屏幕一侧开口部插入安装在短长方形树脂制平板前端部上的含有铁氧体粉的树脂制软磁性片，但其含有铁氧体粉的树脂制软磁性片的特性是相对于绿色会聚失调的调整灵敏度非常低。因此，为了获得良好的会聚特性，要预先将屏幕面的角部上的绿色会聚失调设计得较小。特别是，将屏幕面四边的角部上绿色会聚向外侧偏离的状态称为HGB，对HGB修正的现有技术说明如下。

在现有的阴极射线管装置用的偏转线圈中，例如专利文献1等所公开的，在偏转线圈20的电子枪一侧设置附加的一组专用修正线圈(副线圈)23和24(图21)。然后，通过垂直偏转电路(未图示)产生全波整流电流，通过使磁性线圈(未图示)的磁通变化而在连接于专用修正线圈23和24上的线圈中产生电流，电流在专用修正线圈23和24中流动。因此，在专用修正线圈23和24中产生特殊的磁场，通过这种特殊的磁场对HGB进行修正。

专利文献1：特许第3053841号公报说明书。

但是，根据上述的现有技术，存在仅仅为了对HGB进行修正的目的而必须要附加地装载专用修正线圈23和24的问题。而且，还存在必须要在偏转线圈内辅助电路中特别增设上述的修正电流发生用的电流。由于这种增设的必要性，电流损失增大，制造成本大幅度上升，偏转线圈、阴极射线管等的设计负担也增大。

而且，通过上述的作用改进HGB的量取决于电路中流动的电流量，另一方面，由于要将水平偏转功率的增加和电路损失抑制到最小限度，所以作为HGB的改进量，尚不能说非常充分。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种阴极射线管装置，不必装载附加修正线圈，而且不需特别的修正电流发生用的修正电路，动态会聚失调的调整容易，具有良好的会聚特性。

为了达到上述目的，本发明所涉及的阴极射线管装置为一种包括：具有玻璃面板和连接在玻璃面板后部上的玻璃锥管的阴极射线管本体，设置在阴极射线管本体后部上的电子枪，具有配置在阴极射线管本体的后部外周上的水平偏转线圈、设置在水平偏转线圈外侧上的垂直偏转线圈、和铁氧体铁心的偏转线圈的阴极射线管装置，水平偏转线圈由导线卷绕而成，在从电子枪一侧的水平偏转线圈的末端位置和水平磁场强度为最大的位置的中间点起、到电子枪一侧的水平偏转线圈的末端位置为止的第一区域，从电子枪一侧的水平偏转线圈的末端位置和水平磁场强度为最大的位置的中间点起、到屏幕一侧的水平偏转线圈的前端位置和水平磁场强度为最大的位置的中间点为止的第二区域，以及从屏幕一侧的水平偏转线圈的前端位置和水平磁场强度为最大的位置的中间点起、到屏幕一侧的水平偏转线圈的前端位置为止的第三区域上，在垂直于管轴的剖面上，分别以第一区域上的水平方向为0°的绕组角度θ1，第二区域上的水平方向为0°的绕组角度θ2，第三区域上的水平方向为0°的绕组角度θ3为中心，以规定的角度范围隔开的第一部分上的导线的线密度小于第一部分之外的第二部分上的导线的线密度，第一部分的绕组角度θ1、绕组角度θ2、以及绕组角度θ3满足公式2。

公式2

θ1≥θ2≥θ3

根据这种结构，由于可仅通过水平线圈磁场控制HGB，并且可有效地降低HGB，所以动态会聚失调调整容易，可获得良好会聚特性的阴极射线管装置。

而且，在具有同样结构的阴极射线管装置中，即使是在垂直于管轴的剖面上，以水平方向为0°的绕组角度为中心，在规定的角度范围隔开的第一部分位于第一区域、第二区域、第三区域中的至少两个区域上，其两个区域中位于电子枪一侧的区域上的第一部分的绕组角度大于位于屏幕一侧的区域上的第一部分的绕组角度的结构，也可以具有同样的效果。

另外，在具有同样结构的阴极射线管装置中，即使是在垂直于管轴的剖面上，以水平方向为0°的绕组角度为中心，在规定的角度范围隔开的第一部分位于第一区域、第二区域、第三区域中的任一个区域上的结构，也可以具有同样的效果。

而且，本发明所涉及的阴极射线管装置最好是规定的角度范围是以绕组角度为中心在±2°的范围隔开的部分。

而且，本发明所涉及的阴极射线管装置最好是在第一部分上，在水平偏转线圈上形成有规定形状的凹部。

而且，本发明所涉及的阴极射线管装置最好是第一部分的水平偏转线圈的厚度小于水平偏转线圈的最大厚度的40％。

而且，本发明所涉及的阴极射线管装置最好是绕组角度θ1为：35°≤θ1≤65°，绕组角度θ2为：25°≤θ2≤55°，绕组角度θ3为：15°≤θ3≤45°。

如上所述，根据本发明所涉及的阴极射线管装置，可大幅度改进屏幕面上的对角周边部出现的HGB值，稳定地持续生产线圈，同时可实现高品质的偏转线圈。因此，可获得其制造成品率高，仅有线圈的离散性值的偏转线圈离散性，减少了50％以上的离散性，动态会聚失调调整容易，具有良好的ITC调整能率的会聚特性的阴极射线管装置。

附图说明

图1为本发明的实施方式所涉及的阴极射线管装置的俯视图。

图2为从下方观看本发明的实施方式所涉及的阴极射线管装置中水平偏转线圈时的附图。

图3为本发明的实施方式所涉及的阴极射线管装置中水平偏转线圈的纵向剖视图。

图4为HGB图形的说明图。

图5为电子枪一侧的区域中电子束的排列及水平偏转磁场的说明图。

图6为垂直预备偏转(上偏转时)的说明图。

图7为电子束轨迹的说明图。

图8为偏转线圈中垂直磁场的分布图。

图9为修正后的HGB图形的说明图。

图10为中间区域中电子束的排列及水平偏转磁场的说明图。

图11为屏幕一侧的区域中电子束的排列及水平偏转磁场的说明图。

图12为表示本实施方式所涉及的阴极射线管装置中采用水平偏转线圈的三维形状时的HGB变化量的附图。

图13为表示大致直径方向的厚度比率和会聚失调HGB的改进值的关系的附图。

图14为表示本实施方式所涉及的阴极射线管装置中采用水平偏转线圈的三维形状时的HGB改进效果的附图。

图15为现有的阴极射线管装置中偏转线圈周边部的立体图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式所涉及的阴极射线管装置加以说明。图1为本发明的实施方式所涉及的阴极射线管装置的俯视图。

图1中，阴极射线管本体36由玻璃面板37和连接在玻璃面板37后部上的玻璃锥管38构成。阴极射线管本体36的后部上设置有电子枪。而且，在阴极射线管本体36的后部外周上安装有由卷绕成鞍型的水平偏转线圈39，设置在水平偏转线圈39外侧上的鞍型垂直偏转线圈40，以及设置在垂直偏转线圈40外侧上的铁氧体铁心41构成的偏转线圈42。

图2为从下方仅观看不图示一根一根线圈铜线而简化了的水平偏转线圈39的附图。而且，图3为图2中所示的水平偏转线圈39的A-A向纵向剖视图。图3中，绕组角度θ是以水平轴方向(X方向)作为0°，朝向垂直轴方向(Y方向)的角度规定的，而且，图示出由位于外侧的线圈铜线的包络线表示水平偏转线圈39的区域(以下，称为“壳体”)。另外，壳体相当于与卷绕组圈铜线而形成水平偏转线圈时的模具形状。

即，本实施方式所涉及的阴极射线管装置中的水平偏转线圈39的形状如图2所示，呈下述的鞍型形状，即，从电子枪一侧的水平偏转线圈的末端位置221和水平磁场强度为最大的位置223的中间点222起、到电子枪一侧的水平偏转线圈的末端位置221为止的区域(以下，称为“电子枪一侧的区域”)3，从电子枪一侧的水平偏转线圈的末端位置221和水平磁场强度为最大的位置223的中间点222起、到屏幕一侧的水平偏转线圈的前端位置225和水平磁场强度为最大的位置223的中间点为止的区域(以下，称为“中间区域”)4，以及从屏幕一侧的水平偏转线圈的前端位置225和水平磁场强度为最大的位置223的中间点224起、到屏幕一侧的水平偏转线圈的前端位置225为止的区域(以下，称为“屏幕一侧的区域”)5(Z的正向)，将沿着锥管的形状形成的圆锥形状切成一半。

这样，如图3所示，具有下述的特征，即，将以绕组角度θ为中心，在规定的角度范围内隔开壳体的第一部分31(左倾斜的斜线部)上的导线的线密度比壳体上第一部分31以外的第二部分(右倾斜的斜线部)上的导线的线密度低。作为第一部分31上的导线的线密度相对于第二部分32低的结构，例如可以通过形成使水平偏转线圈的一部分下凹而形成凹部的部分(以下，称为“三维形状”)来实现。在此，线密度表示以管轴(Z轴)的断面将偏转线圈切断时单位面积上的线的比例。

另外，导线的线密度低于第二部分32的第一部分31设计成在电子枪一侧的区域3上其绕组角度θ1是在35°≤θ1≤65°的范围内，在中间区域4上其绕组角度θ2是在25°≤θ2≤55°的范围内，在屏幕一侧的区域5上其绕组角度θ3是在15°≤θ3≤45°的范围内。即具有下述特征：在电子枪一侧的区域3、中间区域4、以及屏幕一侧的区域5上设置的凹部上，卷绕成凹部随着从电子枪一侧的区域3朝向屏幕一侧的区域5而逐渐变化。

而且，该三维形状的特征与图3一样，即，在本发明的实施方式所涉及的阴极射线管装置中的水平偏转线圈的纵向剖视图中，在相对于绕组角度θ以±2 °隔开的同心圆状单元处的壳体部分中与管轴相垂直的剖面上的水平偏转线圈的大致直径方向(以管轴为中心的大致圆形中的直径方向)的厚度为相对于与图3中所示的管轴相垂直的剖面上的水平偏转线圈的大致直径方向的最大厚度13的40％不到的厚度14。

在此，图4为表示HGB图形的附图，表示出在屏幕面的右边中央部和左边中央部上，绿色发光用电子束21和蓝色发光用电子束以及红色发光用电子束22相一致，另一方面，在角部上，绿色发光用电子束21呈现相对于蓝色发光用电子束以及红色发光用电子束22，上下部分向外侧偏离的状态。这种HGB图形出现于例如对HCR进行修正的情况下，屏幕面越平越显著。

以下，对修正HGB的原理加以说明。

HGB可以认为是在电子束向屏幕面的对角周边部偏转时，水平轴上的主枕形磁场的控制稀薄而产生的。因此，为了改进这种HGB，在电子束向对角周边部偏转时，进一步强调主枕形磁场即可。

强调主枕形磁场只能是在对角磁场上同时强调对角周边部上的筒形磁场，作为基本的考虑方法，可认为是对角周边部、即电子束越接近偏转线圈，其效果越明显。

以下，对本发明的实施方式所涉及的阴极射线管装置的效果，分成电子枪一侧的区域3、中间区域4以及屏幕一侧的区域5顺序说明。

首先，对电子枪一侧的区域3加以说明。图5为对于与管轴相垂直的剖面，将电子枪一侧的区域3上的电子束排列以及水平偏转磁场的样子模式化后表示的。如图5所示，在电子枪一侧的区域3上，水平偏转磁场比较接近于整齐的磁场，垂直预备偏转受到较强影响。

在此，垂直预备偏转为在图1中所示的偏转线圈电子枪一侧的后端61上，如图6所示，N极/S极上下对称地设置U字形的硅钢板62，通过垂直偏转电流在垂直辅助修正线圈63中流动而对彗差象差进行修正。即，在电子枪一侧的后端61上，通过将绿色发光用电子束21比蓝色发光用电子束以及红色发光用电子束22在Y方向上更加向上拉，可对彗差象差进行修正。

但是，这种修正效果越是在接近于电子枪的区域越显著，如图7所示，可知，向管轴方向(正的z方向)射出的绿色发光用电子束21的轨道(实线部分)与蓝色发光用电子束以及红色发光用电子束22的轨道(虚线部分)相比，随着从电子枪一侧的区域3进入屏幕一侧的区域5，在Y方向上变化量减小。

图8(a)和图8(b)表示以横轴为Y方向，以纵轴为垂直磁场强度，从垂直磁场强度为最大的位置起，以Z＝5(mm)逐渐变化时的垂直磁场分布。另外，图8(a)表示在电子枪一侧变化的情况，图8(b)表示在屏幕一侧变化的情况。

在图8(a)和图8(b)中，100表示垂直磁场强度为最大的位置，101表示垂直磁场强度为最大的位置和电子枪一侧的水平偏转线圈的末端位置的中间点，102表示垂直磁场强度为最大的位置和屏幕一侧的水平偏转线圈的末端位置的中间点。而且，在图8(a)和图8(b)中，将从电子枪一侧的水平偏转线圈的末端位置起到中间点101为止的区域作为电子枪一侧的区域103，将从中间点101起到中间点102为止的区域作为屏幕一侧的中间区域104，将从中间点102起到屏幕一侧的水平偏转线圈的末端位置为止的区域作业屏幕一侧的区域105。

如图8(a)和图8(b)所示，在电子枪一侧的区域103中，表示枕形磁场的图形，在中间区域104中，表示筒形磁场的图形。而且，在屏幕一侧的区域105中，表示弱筒形磁场的图形。

因此，不仅在电子枪一侧的区域的后端61上，在从电子枪一侧的区域3朝向屏幕一侧的区域5的宽阔区域上，连续地作用有与图6所示的垂直磁场相反的力。而且，对于赋予电子束的力的大小，绿色发光用电子束21要比蓝色发光用电子束以及红色发光用电子束22大。

因此，如图7所示，绿色发光用电子束21在电子枪一侧的区域3上，在Y方向上被向上方(与管轴分离的方向)拉伸，随着从电子枪一侧进入屏幕一侧，向接近管轴的方向被拉伸(Y的绝对值减小)。

根据图5可知，在电子枪一侧的区域3上，几乎未作用有水平枕形磁场，仅仅作用有垂直预备偏转。因此，垂直方向(Y方向)的绿色发光用电子束21的位置位于红色发光用电子束以及蓝色发光用电子束22的位置的稍上方。

利用作用的垂直预备偏转所产生的效果，可对BGB进行修正。即，当假定存在图5中所示的区域80(图中的斜线部分)时，则如图5中所示的空心箭头所示，绿色发光用电子束21承受的力与红色发光用电子束以及蓝色发光用电子束22承受的力相比，在水平的正方向上要大。

但是，在本实施方式中，由于实际上排除了区域80，即形成凹部，所以电子束从垂直预备偏转承受的力成为朝向水平的负方向的实心箭头，绿色发光用电子束21承受的力与红色发光用电子束以及蓝色发光用电子束22承受的力相比，在水平的正方向上要小。本效果可认为是电子束的轨迹越接近区域80，其效果越大。

如上所述，在电子枪一侧的区域3上，通过形成上述的凹部，可将图4中所示的HGB图形修正成图9所示。

另外，作为HGB图形的修正方式，并不仅限于排除区域80，即形成凹部的方式，也可以是在壳体内设置空洞部，或者在该空洞部中夹入绝缘物的结构。而且，即使是不形成凹部，而是使图3中所示的第一部分31上的绕组数少于第二部分32上的绕组数的结构，即减小绕组密度的结构，也可以使第一部分31的线密度小于第二部分32的线密度。因此，根据这种结构，能够起到上述的效果。

以下，对中间区域4上的效果加以说明。图10为模式化表示与管轴相垂直的剖面上中间区域4上的电子束的排列和水平偏转磁场的样子。

在中间区域4上，水平偏转磁场为弱枕形磁场，垂直偏转效果也比电子枪一侧的区域3稍弱。在此，由于水平偏转枕形磁场强力作用，所以如图10所示，水平方向(X方向)上的绿色发光用电子束21的位置为蓝色发光用以及红色发光用电子束22的位置的外侧，另外，由于还作用有弱的垂直预备偏转，所以垂直方向(y方向)上的绿色发光用电子束21的位置也位于蓝色发光用电子束以及红色发光用电子束22的位置的稍上侧。

这样，与电子枪一侧的区域3的情况相同，可进行HGB修正。即，当假定存在图10所示的区域81(图中斜线部分)时，则如图10中所示的空心箭头那样，绿色发光用电子束21承受的力与蓝色发光用以及红色发光用电子束22承受的力相比，在水平的正方向上增大。

但是，在本实施方式中，由于排除了区域81，即形成凹部，所以三条电子束承受的力成为朝向水平的负方向的实心箭头，而绿色发光用电子束21承受的力与红色发光用以及蓝色发光用电子束22承受的力相比，在水平的正方向上要小。本效果可认为是电子束的轨迹越接近区域81越大。

如上所述，即使在中间区域4上，通过在水平偏转线圈的一部分上设置凹部，也可以将图4中所示的HGB图形修正成图9中所示的HGB图形。

另外，作为HGB的修正方式，并不仅限于排除区域81，即形成凹部的方式，也可以是在壳体内设置空洞部，或者在该空洞部中夹入绝缘物的结构。而且，即使是不形成凹部，而是使图3中所示的第一部分31上的绕组数少于第二部分32上的绕组数的结构，即减小绕组密度的结构，也可以使第一部分31的线密度小于第二部分32的线密度。因此，根据这种结构，能够起到上述的效果。

以下，对屏幕一侧的区域5的效果加以说明。图11为模式化表示与管轴相垂直的剖面上屏幕一侧的区域5上的电子束的排列和水平偏转磁场的样子。在屏幕一侧的区域5上，水平偏转磁场为弱枕形磁场，垂直预备偏转效果也比电子枪一侧的区域3弱很多。

在此，由于水平偏转枕形磁场作用，所以如图11所示，水平方向(X方向)上的绿色发光用电子束21的位置为蓝色发光用以及红色发光用电子束22的位置的更外侧。另外，由于还作用有弱很多的垂直预备偏转，所以垂直方向(y方向)上的绿色发光用电子束21的位置也位于蓝色发光用以及红色发光用电子束22的位置的稍上侧。

这样，与电子枪一侧的区域3的情况相同，可进行HGB修正。即，当假定存在图11所示的区域82(图中斜线部分)时，则如区域82上所示的空心箭头那样，绿色发光用电子束21承受的力与红色发光用以及蓝色发光用电子束22承受的力相比，在水平的正方向上增大。

但是，在本实施方式中，由于排除了区域82，即形成凹部，所以三条电子束承受的力成为朝向水平的负方向的实心箭头，而绿色发光用电子束21承受的力与红色发光用以及蓝色发光用电子束22承受的力相比，在水平的正方向上减小。本效果可认为是电子束的轨迹越接近区域82越大。

如上所述，即使在屏幕一侧的区域5上，通过在水平偏转线圈的一部分上设置凹部，也可以将图4中所示的HGB图形修正成图9中所示的HGB图形。

另外，作为HGB的修正方式，并不仅限于排除区域82，即形成凹部的方式，也可以是在壳体内设置空洞部，或者在该空洞部中夹入绝缘物的结构。而且，即使是不形成凹部，而是使图3中所示的第一部分31上的绕组数少于第二部分32上的绕组数的结构，即减小绕组密度的结构，也可以使第一部分31的线密度小于第二部分32的线密度。因此，根据这种结构，能够起到上述的效果。

以下，对电子枪一侧的区域3、中间区域4、以及屏幕一侧的区域5上设置的凹部的绕组角度θ1、θ2、θ3和HGB的变化量的关系进行了实验，其结果用图12加以说明。在图12中，纵轴为HGB的变化量(mm)，横轴为绕组角度θ1、θ2、θ3(°)。另外，将凹部仅设置在电子枪一侧的区域3、中间区域4、以及屏幕一侧的区域5中之一上进行了实验。

而且，符号□表示电子枪一侧的区域3上HGB的变化量推移，符号△表示中间区域4上HGB的变化量推移，符号○表示屏幕一侧的区域5上HGB的变化量推移，

在图12中，在HGB的变化量为负(-)的情况下认为HGB图形被有效地修正。因此，作为绕组角度的范围，可知在电子枪一侧的区域3上最好为35°≤θ1≤65°，在中间区域4上最好为25°≤θ2≤55°，在屏幕一侧的区域5上最好为15°≤θ3≤45°。

如上所述，由于从电子枪一侧的区域3朝向屏幕一侧的区域5，预备垂直偏转磁场产生的影响本身是变化的，所以要进行与各区域相对应的绕组角度的设定。即，随着从电子枪一侧的区域3向屏幕一侧的区域5过渡，预备垂直偏转磁场所产生的影响减弱，所以绕组角度也最好随着向屏幕一侧的区域5过渡而逐渐减小。因此，对于绕组角度θ1、θ2、θ3，最好是公式3的关系。

公式3

θ1≥θ2≥θ3

另外，线占空因数低于50％的部分，即销孔周边部分或线圈端部，密集线的偏置情况不能特定，线(线圈)的相对于电子束的偏转磁场理论通常不成立。即，在壳体的断面面积上铜线不是均匀排列的，而是分别以无序存在的状态。在此，线占空因数表示在偏转线圈以及存在的区域中线圈实际占有的比例。

在这种状态下，由磁场进行控制是困难的，难以预想对磁场的影响，所以，关于本实施方式所涉及的三维形状，最好是线占空因数为50％以上。

图13为表示大致直径方向上的厚度比率(相对于垂直于管轴的剖面上的最大厚度的厚度比率)和会聚失调HGB的改进值的关系的视图。另外，图13中，a、b、c分别表示中间区域4上绕组角度约为35°、设置了凹部的情况下，厚度比率分别为50％、40％、28％的情况。

由图13可知，HGB的改进情况在厚度比率为40～50％处大幅度提高了，所以可认为与厚度比率小于40％时相比具有效果。

在以上的本实施方式所涉及的阴极射线管装置中采用水平偏转线圈的三维形状时的HGB改进效果示于图14。在图14中，一般形状意味着标准的线圈形状，现有技术意味着图15中所示的特许文献1中所示的使用附加辅助线圈(副线圈)23和24时的实验数据。另外，图14中的HGB改进数值是图9中所示的阴极射线管装置的屏幕面上左右部分的数值。

从图14可知，与现有技术相比，在采用具有本实施方式所涉及的三维形状的线圈的情况下，HGB也进一步被改进了-0.20(mm)，这可以认为是由于现有技术是采用修正电流，后进行HGB修正，推测存在结构上或者电流量等产生的限度，而本实施方式中，针对产生HGB的原因，从根本上改进了产生的要因，所以发挥了更进一步的效果。

而且，如图14所示，由于可通过线圈单体进行HGB的改进，所以即使对于其离散性的情况，也可以成为现有技术的50％这样的单体的小的离散性情况。

Claims (11)

1.一种阴极射线管装置，包括：具有玻璃面板和连接在上述玻璃面板后部上的玻璃锥管的阴极射线管本体，设置在上述阴极射线管本体后部上的电子枪，具有配置在上述阴极射线管本体的后部外周上的水平偏转线圈、设置在上述水平偏转线圈外侧上的垂直偏转线圈、和铁氧体铁心的偏转线圈，其特征是，

上述水平偏转线圈由导线卷绕而成，

在从电子枪一侧的上述水平偏转线圈的末端位置和水平磁场强度为最大的位置的中间点起、到电子枪一侧的上述水平偏转线圈的末端位置为止的第一区域，从电子枪一侧的上述水平偏转线圈的末端位置和水平磁场强度为最大的位置的中间点起、到屏幕一侧的上述水平偏转线圈的前端位置和水平磁场强度为最大的位置的中间点为止的第二区域，以及从屏幕一侧的上述水平偏转线圈的前端位置和水平磁场强度为最大的位置的中间点起、到屏幕一侧的上述水平偏转线圈的前端位置为止的第三区域上，在垂直于管轴的剖面上，分别以上述第一区域上的水平方向为0°的绕组角度θ1，上述第二区域上的水平方向为0°的绕组角度θ2，上述第三区域上的水平方向为0°的绕组角度θ3为中心，以规定的角度范围隔开的第一部分上的上述导线的线密度小于上述第一部分之外的第二部分上的上述导线的线密度，

上述第一部分的绕组角度θ1、绕组角度θ2、以及绕组角度θ3满足公式1。

公式1

θ1≥θ2≥θ3

2.一种阴极射线管装置，包括：具有玻璃面板和连接在上述玻璃面板后部上的玻璃锥管的阴极射线管本体，设置在上述阴极射线管本体后部上的电子枪，具有配置在上述阴极射线管本体的后部外周上的水平偏转线圈、设置在上述水平偏转线圈外侧上的垂直偏转线圈、和铁氧体铁心的偏转线圈，其特征是，

上述水平偏转线圈由导线卷绕而成，

在从电子枪一侧的上述水平偏转线圈的末端位置和水平磁场强度为最大的位置的中间点起、到电子枪一侧的上述水平偏转线圈的末端位置为止的第一区域，从电子枪一侧的上述水平偏转线圈的末端位置和水平磁场强度为最大的位置的中间点起、到屏幕一侧的上述水平偏转线圈的前端位置和水平磁场强度为最大的位置的中间点为止的第二区域，以及从屏幕一侧的上述水平偏转线圈的前端位置和水平磁场强度为最大的位置的中间点起、到屏幕一侧的上述水平偏转线圈的前端位置为止的第三区域上，在垂直于管轴的剖面上，以水平方向为0°的绕组角度为中心，在规定的角度范围隔开的第一部分位于上述第一区域、上述第二区域、上述第三区域中的至少两个区域上，其两个区域中位于电子枪一侧的区域上的第一部分的绕组角度大于位于屏幕一侧的区域上的第一部分的绕组角度，并且上述第一部分中的上述导线的线密度小于上述第一部分之外的第二部分上的上述导线的线密度。

3.一种阴极射线管装置，包括：具有玻璃面板和连接在上述玻璃面板后部上的玻璃锥管的阴极射线管本体，设置在上述阴极射线管本体后部上的电子枪，具有配置在上述阴极射线管本体的后部外周上的水平偏转线圈、设置在上述水平偏转线圈外侧上的垂直偏转线圈、和铁氧体铁心的偏转线圈，其特征是，

上述水平偏转线圈由导线卷绕而成，

在从电子枪一侧的上述水平偏转线圈的末端位置和水平磁场强度为最大的位置的中间点起、到电子枪一侧的上述水平偏转线圈的末端位置为止的第一区域上，在垂直于管轴的剖面上，上述第一区域上以水平方向为0°的绕组角度θ1为中心，在规定的角度范围隔开的第一部分上的上述导线的线密度小于上述第一部分之外的第二部分上的上述导线的线密度。

4.一种阴极射线管装置，包括：具有玻璃面板和连接在上述玻璃面板后部上的玻璃锥管的阴极射线管本体，设置在上述阴极射线管本体后部上的电子枪，具有配置在上述阴极射线管本体的后部外周上的水平偏转线圈、设置在上述水平偏转线圈外侧上的垂直偏转线圈、和铁氧体铁心的偏转线圈，其特征是，

上述水平偏转线圈由导线卷绕而成，

在从电子枪一侧的上述水平偏转线圈的末端位置和水平磁场强度为最大的位置的中间点起、到屏幕一侧的上述水平偏转线圈的前端位置和水平磁场强度为最大的位置的中间点为止的第二区域上，在垂直于管轴的剖面上，上述第二区域上以水平方向为0°的绕组角度θ2为中心，在规定的角度范围隔开的第一部分上的上述导线的线密度小于上述第一部分之外的第二部分上的上述导线的线密度。

5.一种阴极射线管装置，包括：具有玻璃面板和连接在上述玻璃面板后部上的玻璃锥管的阴极射线管本体，设置在上述阴极射线管本体后部上的电子枪，具有配置在上述阴极射线管本体的后部外周上的水平偏转线圈、设置在上述水平偏转线圈外侧上的垂直偏转线圈、和铁氧体铁心的偏转线圈，其特征是，

上述水平偏转线圈由导线卷绕而成，

在从屏幕一侧的上述水平偏转线圈的前端位置和水平磁场强度为最大的位置的中间点起、到屏幕一侧的上述水平偏转线圈的前端位置为止的第三区域上，在垂直于管轴的剖面上，上述第三区域上以水平方向为0°的绕组角度θ3为中心，在规定的角度范围隔开的第一部分上的上述导线的线密度小于上述第一部分之外的第二部分上的上述导线的线密度。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的阴极射线管装置，上述规定的角度范围是以绕组角度为中心在±2°的范围隔开的部分。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的阴极射线管装置，在上述第一部分上，在上述水平偏转线圈上形成有规定形状的凹部。

8.根据权利要求7所述的阴极射线管装置，上述第一部分的上述水平偏转线圈的厚度小于上述水平偏转线圈的最大厚度的40％。

9.根据权利要求1或3所述的阴极射线管装置，上述绕组角度θ1为：35°≤θ1≤65°。

10.根据权利要求1或4所述的阴极射线管装置，上述绕组角度θ2为：25°≤θ2≤55°。

11.根据权利要求1或5所述的阴极射线管装置，上述绕组角度θ3为：15°≤θ3≤45°。

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