CN1332266A - 真空电弧蒸发源及使用它的薄膜形成装置 - Google Patents
真空电弧蒸发源及使用它的薄膜形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1332266A CN1332266A CN01122564A CN01122564A CN1332266A CN 1332266 A CN1332266 A CN 1332266A CN 01122564 A CN01122564 A CN 01122564A CN 01122564 A CN01122564 A CN 01122564A CN 1332266 A CN1332266 A CN 1332266A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- vacuum arc
- evaporation source
- negative electrode
- arc evaporation
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32614—Consumable cathodes for arc discharge
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
真空电弧蒸发源30通过真空电弧放电来蒸发阴极以便由此产生含有阴极材料的等离子体36和38。真空电弧蒸发源30具有含有互不相同的种类的材料并且互相电绝缘的两个阴极32和34。阴极32和34通过绝缘材料40互相同轴地配置。可交换地使用这两个阴极32和34,以便可以通过在数量上少于先有技术的蒸发源来形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜。
Description
发明背景
1.发明领域
本发明涉及真空电弧蒸发源和使用真空电弧蒸发源的薄膜形成装置,用于在例如汽车零件、机器零件、工具、模具、外部零件等的衬底的表面上形成包括阴极材料或含有所述阴极材料的化合物的薄膜,以便提高衬底的耐磨性、滑动性、防卡塞性、装饰性等。更具体地说,本发明涉及真空电弧蒸发源和使用它、以用于在衬底的表面上形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜的薄膜形成装置。
2.先有技术
有一种用于通过把真空电弧蒸发源产生的等离子体中的离子(在本说明书中指的是正离子)借助负偏置电压等拉向衬底、在衬底的表面上形成薄膜的方法。所述真空电弧蒸发源通过真空电弧放电蒸发阴极,由此产生含有阴极材料的等离子体。上述方法也被称为电弧离子电镀法。电弧离子电镀法具有薄膜形成速度高,薄膜的粘附性高等这些特性。
薄膜形成速度高的原因是,通过使用真空电弧放电可以从阴极蒸发大量的阴极材料。薄膜粘附性高的原因是,由负偏置电压等产生的电场可把等离子体中的离子拉向衬底并与之碰撞。
为了提高薄膜的性能,可在衬底表面上形成包括多个异质薄膜(彼此不同种类的薄膜)的叠层薄膜。
图4表示在先有技术中用于通过电弧离子电镀法形成这种叠层薄膜的薄膜形成装置。这种基于电弧离子电镀法的薄膜形成装置也称为电弧离子电镀装置。
夹具8被设置在由未示出的真空泵系统抽成真空的真空容器2内,并且夹住在其上面形成薄膜的衬底6。衬底6可具有所需的形状。根据需要,对于实施例以箭头A所示的方向,旋转夹具8和衬底6。
在此实例中,从偏置电源10把例如在从大约负几十伏到大约负500伏的范围内的负偏置电压加至夹具8从而加在所夹的衬底6上。真空容器2接地。
根据需要把气体4引入真空容器2。例如,气体4包括惰性气体、或与从真空电弧蒸发源20的阴极22蒸发的阴极材料反应的反应气体。
在真空容器2的壁面互不相同的位置装上多个(例如,二个)真空电弧蒸发源20,使得后者指向夹具8上的衬底6。
各个真空电弧蒸发源20要通过真空电弧放电来蒸发阴极22,以便产生含有阴极材料(阴极材料意味着含有阴极的材料)的等离子体24。每个真空电弧蒸发源20具有一个阴极22、用于使阴极22和真空容器2相互绝缘的绝缘材料26等。各个真空电弧蒸发源20的阴极22包括彼此不同种类的材料。每个真空电弧蒸发源20还配备有许多未示出的组成部分,即,触发电极、磁体、水冷系统、真空密封机构等。
在此实例中,真空容器2还用作各个真空电弧蒸发源20的阳极。例如,在作为阳极的真空容器2和各个阴极22之间,从各个电弧电源28施加从大约几十伏到大约100伏的范围内的电弧放电电压。但是,可以单独提供阳极电极。
当在阴极22和真空容器2之间加上电弧放电电压时,在这两者之间产生真空电弧放电,使得阴极22被局部加热而阴极材料从加热的阴极22上蒸发。此时,在阴极22指向衬底6的表面附近,由电弧放电产生等离子体,使得阴极材料被部分地电离。也就是说,在指向衬底6的阴极22的表面附近产生了含有电离的阴极材料的等离子体24。
通过偏置电压把等离子体24中电离的阴极材料吸引到衬底6并且淀积在其上。由此,在衬底6的表面上形成含有阴极材料的薄膜。当时,如果把反应气体(例如氮气)作为气体4引入真空容器2,则反应气体与阴极材料反应,使得在衬底6的表面上形成化合物(例如氮化物)的薄膜。
在先有技术中,通过这种装置,用一种真空电弧蒸发源20来形成一种薄膜。也就是说,在真空容器2中安装多个真空电弧蒸发源20,以便真空电弧蒸发源20的数量与组成形成于衬底6的表面的叠层薄膜的薄膜的种数相对应,然后依次操作各个真空电弧蒸发源20以便在衬底6的表面上形成叠层薄膜。
例如,为了在形成于衬底6表面上的氮化钛(TiN)薄膜上形成氮化铬(CrN)薄膜,在真空容器2内安装了两个真空电弧蒸发源20。其中一个阴极22的材料是由钛构成的而另一个阴极22的材料是由铬构成的。然后,在氮气气氛中依次操作各个真空电弧蒸发源20使得在衬底6的表面上形成具有一个或一个以上的氮化钛层和一个或一个以上的氮化铬层的叠层薄膜。
在上述的先有技术中,必须在真空容器2内安装这些真空电弧蒸发源20使得真空电弧蒸发源20的数量与组成叠层薄膜的薄膜种数对应。因而,如果组成叠层薄膜的薄膜种数增加,则真空电弧蒸发源20的数量增加,因而真空容器2必然在尺寸上变大。因此,薄膜形成装置作为一个整体在尺寸上变大。因而,用于真空容器2的真空泵系统不得不增加容量。随着尺寸和容量的增加,薄膜形成装置的制造成本也增加。
另外,尽管在真空容器2内安装了多个真空电弧蒸发源20,当形成叠层薄膜时,使用其中一个真空电弧蒸发源20而其他真空电弧蒸发源20暂停使用。因而,真空电弧蒸发源20的运行率下降。即,为了形成包括m种不同薄膜的叠层薄膜(m是不小于2的整数),真空电弧蒸发源20的运行率为1/m。因而,薄膜形成速度低并且与所安装的真空电弧蒸发源20的数量相比,薄膜形成的效率低。
另外,从真空电弧蒸发源20的阴极22蒸发的阴极材料常常含有对于薄膜形成不希望有的粗粒子(也称为宏粒子或微滴)。这种粗粒子粘附在衬底6上给薄膜特性带来负面影响,例如,薄膜的粘附性下降。为了防止这种问题,可提供磁性过滤器以产生用于使真空电弧蒸发源20产生的等离子体24偏转、由此消除等离子体24中的粗粒子的磁场。但是,在先有技术中,当安装多个真空电弧蒸发源20以形成叠层薄膜时,必须提供用于各个真空电弧蒸发源20的磁性过滤器。因此,薄膜形成装置的结构复杂,装置作为一个整体尺寸变大,并且装置成本也大幅度地变高。
发明概述
因此,本发明的一个目的是提供能用数量上少于先有技术的蒸发源形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜的真空电弧蒸发源。
可通过按照本发明、包括由互不相同种类的材料构成且相互电绝缘的多个阴极的真空电弧蒸发源来达到上述目的。
按照这种真空电弧蒸发源,能够可交换地使用所述多个阴极。因此,能通过在数量上少于先有技术的蒸发源形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜。也就是说,如果在一个蒸发源中的阴极数量为n(n是不小于2的整数),则蒸发源的数量可减少到先有技术的1/n。另外,通过可交换地使用阴极,可以连续地、基本上没有任何间断地使用一个真空电弧蒸发源。因此,极大地提高了真空电弧蒸发源的运行率。因而,按照这种真空电弧蒸发源,能够以低成本和提高的效率形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜。而且,能够使得用于在衬底表面上形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜的薄膜形成装置尺寸更小且成本更低,并且效率得以提高。
上述目的还能通过按照本发明、用于在衬底的表面上形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜、包括以下部分的薄膜形成装置来达到:包括多个阴极的真空电弧蒸发源;用于向真空电弧蒸发源的阴极提供电弧放电电力的电弧电源;和用于在真空电弧蒸发源的多个阴极之间轮流地转换来自电弧电源的电弧放电电力的转换开关。
按照这种薄膜形成装置,真空电弧蒸发源的多个阴极能够可交换地使用。因而,可以在衬底的表面上以低成本和提高的效率形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜。另外,可以使所述装置尺寸更小、成本更低,并且效率得以提高。
另外,如果如上所述提供电弧电源和转换开关,对于一个包括多个阴极的真空电弧蒸发源需要安装一个电弧电源。因而,可以减少电弧电源的数量。而且从这个观点来看,可以使所述装置结构更简单、尺寸更小且成本更低。
附图简介
图1是部分地表示使用按照本发明的真空电弧蒸发源的薄膜形成装置的第一实施例的剖视图;
图2是图1中的真空电弧蒸发源的阴极部分的正视图;
图3是表示使用按照本发明的真空电弧蒸发源的薄膜形成装置的第二实施例的示意图;和
图4是表示使用先有技术中的真空电弧蒸发源的薄膜形成装置的示意图。
最佳实施例的详细描述
图1是部分地表示使用按照本发明的真空电弧蒸发源的薄膜形成装置的第一实施例的剖视图。图2是图1中的真空电弧蒸发源的阴极部分的正视图。与图4所示实例中的那些相同或等价的部分被对应地加上标号。以下描述中主要说明与该实例不同之处。
薄膜形成装置具有真空电弧蒸发源30,后者这样安装在真空容器2上,使得它指向真空容器2内的夹具8上的衬底6。根据需要,这样安装的真空电弧蒸发源30的数量可为一个或一个以上。
在这个实施例中,真空电弧蒸发源30具有由互不相同的种类的材料构成且互相电绝缘的两个阴极32和34。更具体地说,在这个实施例中,在真空电弧蒸发源30的中心部分的柱形阴极32和在阴极32外面的圆筒形(可表达为“环形”)阴极34通过使阴极32和34互相电绝缘的圆筒形绝缘材料40互相同轴地设置。在这个实施例中,外面的电极34和真空容器2通过圆筒形绝缘材料42互相电绝缘。
阴极32和34的材料的组合是可选的,并且可以按照要形成的薄膜种类适当地选择阴极32和34。例如,阴极32和34中的一个是钛而另一个是铬。为了提高固体碳粒薄膜等的粘附力,可选择稍后将描述的材料。
可以在阴极32和34之间可移动地设置用于激发(引起)电弧的触发电极,以便对阴极32和34共同起作用。但是,在这个实施例中,分开设置了用于阴极32的触发电极44和用于阴极34的触发电极46以使结构简单。
用于向真空电弧蒸发源30的阴极32和34提供电弧放电电力的电弧电源可分别一对一地提供给阴极32和34。但是,在这个实施例中,对于一个真空电弧蒸发源30,设置了一个用于向阴极32和34提供电弧放电电力的电弧电源,以及用于在两个阴极32和34之间转换来自电弧电源28的电弧放电电力的转换开关50。
所述真空电弧蒸发源30的两个阴极32和34通过绝缘材料40互相电绝缘。因而,如果向阴极32和34中的一个提供电弧放电电力,仅在这一个阴极中产生电弧放电。也就是说,通过把转换开关50切换到阴极32一侧,可以在阴极32和真空容器2之间产生真空电弧放电。因此,阴极32被加热并且被局部地蒸发,使得可以产生含有阴极32的阴极材料的等离子体36。因此,通过与先有技术中详细描述的同样的操作,可以在衬底6上形成包含等离子体36中所含阴极材料的薄膜或者包含由该阴极材料和反应气体所得化合物的薄膜。
相反,通过把转换开关50切换到阴极34一侧,可以在阴极34和真空容器2之间产生真空电弧放电。因此,阴极34被加热并且局部地被蒸发,使得可以产生含有阴极34的阴极材料的等离子体38。因此,可以在衬底6上形成包含等离子体38中所含阴极材料的薄膜或者包含由阴极材料和反应气体所得化合物的薄膜。
在这种情况下,通过电弧本身产生的电磁力在阴极32或34的表面随机四处移动电弧放电的阴极点(电弧点)。可以均匀地使用阴极32或34的整个表面以产生含有阴极32或34的阴极材料的等离子体36,而不取决于阴极32或34的面形状。甚至圆筒形的阴极34也可被均匀地使用以产生含有阴极34的阴极材料的等离子体而不取决于阴极34的平面形状。因而,可基本上均匀地使用阴极32和34。例如,可以在阴极32和34的背面附近,设置如图1中由双点划线所表示的磁体(例如永磁体)48、或者具有另一种磁极配置的磁体。在这种情况下,电弧放电的阴极点的移动可由磁体48等的磁场来控制。因此,阴极32和34都可用来产生含有阴极32或34的阴极材料的等离子体36。
另外,在这个实施例中,真空电弧蒸发源30的阴极32和34被互相同轴地放置。因此,由使用阴极32和34所产生的等离子体36和38的位置具有相对于彼此基本上相同的位置,并且不用担心等离子体36和38的位置相互之间大大地移位。因而有可能基本上在相同条件下,对于形成叠层薄膜更加方便地在同一衬底6上形成薄膜。
如上面提及的,在工作时适当地转换真空电弧蒸发源30的两个阴极32和34。更具体地说,在阴极32和34中的一个已经形成具有预定薄膜厚度的薄膜以后,转换阴极32和34。因而,可在衬底6的表面上形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜。例如,如果执行一次这种转换,可形成对于不同种薄膜中的每个都有一层的叠层薄膜。如果执行多次这种转换,可形成对于不同种薄膜中的每个都有多层的叠层薄膜。
顺便提一下,在与上述实施例中的相同的概念下,例如,可以在真空电弧蒸发源30中设置由互不相同种类的材料构成且互相电绝缘的三个或三个以上电极。同样设置可用于图3的实施例的情况。
按照所述真空电弧蒸发源30,能够可交换地使用多个阴极32和34。由此,可通过在数量上少于先有技术的蒸发源在衬底6上形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜。也就是说,如果在一个真空电弧蒸发源中阴极数量为n(n是不小于2的整数),则蒸发源的数量可减少到先有技术的1/n。另外,通过可交换地使用阴极32和34,可以连续地、基本上没有任何间断地使用一个真空电弧蒸发源30。因此,也极大地提高了真空电弧蒸发源30的运行率。
因而,按照这种真空电弧蒸发源30,能够以低成本和提高的效率形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜。另外,能够使得用于在衬底6表面上形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜的薄膜形成装置尺寸更小、成本更低,并且效率得以提高。
按照具有这种真空电弧蒸发源30的薄膜形成装置,能够可交换地使用真空电弧蒸发源30的多个阴极32和34。因而,由于如上所述的同样原因,可以在衬底6的表面上以低成本和提高的效率形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜。另外,可以使所述装置尺寸更小、成本更低,并且效率得以提高。
另外,如上所述在薄膜形成装置中设置电弧电源28和转换开关50。因而,对于一个具有多个阴极的真空电弧蒸发源30仅需要一个电弧电源28。因而,可以减少电弧电源的数量。而且从这个观点来看,可以使所述装置结构更简单、尺寸更小且成本更低。
另外,真空电弧蒸发源30的多个上述阴极32和34的平面形状可以是除圆形之外的四边形等。但是,最好是如上述实施例所描述的把它们做成圆的。如果把它们做成圆的,制造各个阴极32和34就变得容易。
但是,当在金属衬底6的表面上形成诸如类金刚石碳粒薄膜、金刚石薄膜等的固体碳粒薄膜时,以下叠层结构可用来提高固体碳粒薄膜的粘附力。即,在固体碳粒薄膜与衬底6之间形成含有周期表中4A族(例如钛)、5A族(例如钽)、6A族(例如铬)的金属(例如包括这类金属或其碳化物)的中间薄膜。这是因为这种4A、5A或6A族的金属或者其碳化物能良好地适应金属衬底6并且不仅对其具有高粘附力,而且能良好地适应碳粒薄膜以及对其具有高粘附力。因此,从叠层薄膜整体上来看,提高了固体碳粒薄膜的粘附力。
真空电弧蒸发源30可被用来形成这种叠层薄膜。在这种情况下,作为多个阴极,可以使用(1)包括含碳材料(例如石墨)的阴极,(2)包括含上述4A、5A或6A族的金属材料的阴极(例如,由这类金属或其碳化物构成的阴极)。例如,当阴极数如图1的实施例中所示为二时,所述阴极(1)可被用作其中一个阴极(例如阴极32),而所述阴极(2)可被用作另一个阴极(例如阴极34)。
通过使用具有这种阴极配置的真空电弧蒸发源30,能够以低成本和提高的效率在金属衬底6的表面上形成高粘附力的固体碳粒薄膜。能以低成本和提高的效率形成这类薄膜的原因在于,如上面详细描述的,可以减少蒸发源的数量并且其运行率高。
图3是表示使用按照本发明的真空电弧蒸发源的薄膜形成装置的第二实施例的示意图。这里,简单地表示真空电弧蒸发源30。
下面将主要描述与图1的实施例的不同点。在这个实施例中,在如上述配置的真空电弧蒸发源30与真空容器2之间设置磁性过滤器60。磁性过滤器60产生用于使真空电弧蒸发源30产生的等离子体36和38偏转的磁场,以便由此从等离子体36和38中消除粗粒子并且把消除粗粒子后的等离子体36和38引至衬底6附近。
在这个实施例中,磁性过滤器60具有弯曲的输送管道62、用于形成沿此输送管道62弯曲的磁场的磁性线圈64,和用于激励这个磁性线圈64的直流电源66。磁性线圈64可为诸如所示实施例中的缠绕在输送管道62上的螺线管线圈,或者可为多个环形线圈。或者,可用多个永磁体代替磁性线圈64来形成如上所述的弯曲磁场。在这种情况下,不需要直流电源66。
由真空电弧蒸发源30产生的等离子体36和38在磁性过滤器60中被沿其磁场传送,并被引入真空容器2中衬底6的附近。此时,在等离子体36和38中包括的粗粒子中那些不带电荷的不受磁场影响并且由此不会被传送到衬底6。甚至在每个粗粒子带有电荷的情况下,由于其在磁场中螺旋运动的半径与其质量成比例极度地增大,这种粗粒子与输送管道62的内壁、设置成从输送管道62内壁突起的翼片(未示出)等碰撞,由此粗粒子消失(粘附)。结果,很少含有粗粒子的等离子体36和38被送入真空容器2,并且被引向衬底6的附近。因而,有可能防止粗粒子粘附在衬底6上。由此,可在衬底6上形成粘附性和表面光洁度高的叠层薄膜。
按照上述真空电弧蒸发源30,如上所述,通过在数量上少于先有技术的蒸发源可以形成叠层薄膜。据此,可以减少磁性过滤器60的数量。因此,当提供这种磁性过滤器60时,可相应地使薄膜形成装置结构更简单、尺寸更小且成本更低。
另外,按照需要,对于一个真空容器2,可以提供两套或两套以上的真空电弧蒸发源30、转换开关50、电弧电源28和磁性过滤器60。
每个上述实施例表示了从偏置电源10向衬底6加负偏置电压的情况。但是,甚至在衬底6未被加上负偏置电压而是设置成地电势而没有任何偏置电源10时,被传送到衬底6附近的等离子体36和38往往具有相对衬底6为正的电势。因此,等离子体36和38与衬底6之间的电势差可把等离子体36和38中的离子向着衬底6加速。
由于本发明是这样构成的,所以它具有以下效果。
按照本发明的第一方面,能可交换地使用多个阴极。因此,可以通过在数量上少于先有技术的蒸发源形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜。另外,通过可交换地使用阴极,可持续地、基本上没有任何中断地使用一个真空电弧蒸发源。因而,极大地提高了真空电弧蒸发源的运行率。
因此,按照本发明,能以低成本和提高的效率形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜。另外,能使得用于在衬底的表面上形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜的薄膜形成装置尺寸更小、成本更低、并且效率得以提高。
按照本发明的第二方面,由各个阴极产生的等离子体具有相对于彼此基本相同的位置。因此,还有进一步的效果:可在基本相同的条件下、比形成叠层薄膜更方便地在同一衬底6上形成薄膜。
按照本发明的第三方面,可以通过使用一个蒸发源,在由金属制成的衬底的表面上,形成含有周期表中4A、5A或6A族的金属的中间薄膜。然后,可在中间薄膜上形成固体碳粒薄膜。由此,具有能以低成本和提高的效率在金属衬底的表面上形成高粘附力的固体碳粒薄膜的进一步效果。
按照本发明的第四方面,设置电弧电源和转换开关。因而,对于一个具有多个阴极的真空电弧蒸发源需要安装一个电弧电源。由此可减少电弧电源的数量。而且从这点来看,可使装置结构更简单、尺寸更小且成本更低。
按照本发明的第五方面,可设置磁性过滤器。因而,除在第一、第二和第三方面陈述的本发明的上述效果以外,还有以下效果:
由于设置了这种磁性过滤器,防止了粗粒子粘附在衬底上,使得能在衬底上形成高粘附性和表面光洁度的叠层薄膜。
另外,通过使用上述真空电弧蒸发源,能用数量上少于先有技术的蒸发源形成叠层薄膜。据此,还可减少磁性过滤器的数量。因而有可能相应地使薄膜形成装置结构更简单、尺寸更小且成本更低。
按照本发明的第六方面,可提供电弧电源、转换开关和磁性过滤器。因此,具有在第四和第五方面所陈述的本发明的上述效果。
Claims (11)
1.一种真空电弧蒸发源,它包括:
含有互不相同的种类的材料并且互相电绝缘的多个阴极,
其中所述多个阴极被真空电弧放电蒸发而由此产生具有阴极材料的等离子体。
2.权利要求1的真空电弧蒸发源,其特征在于:所述多个阴极是通过绝缘材料互相同轴地设置的。
3.权利要求1的真空电弧蒸发源,其特征在于:所述多个阴极包括具有含碳材料的阴极和具有含周期表中4A、5A或6A族金属的材料的阴极。
4.权利要求1的真空电弧蒸发源,其特征在于:所述多个阴极中的每个是圆形的。
5.一种用于在衬底的表面上形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜的薄膜形成装置,所述装置包括:
具有包括互不相同的种类的材料并且互相电绝缘的多个阴极的真空电弧蒸发源,其中所述多个阴极被真空电弧放电蒸发而由此在所述阴极的表面上产生具有阴极材料的等离子体;
用于向所述真空电弧蒸发源的所述多个阴极提供真空电弧放电电力的电弧电源;和
用于将所述真空电弧蒸发源的所述电弧放电电力轮流地向所述电弧电源的所述多个阴极转换的开关。
6.一种用于在衬底的表面上形成包括多个异质薄膜的叠层薄膜的薄膜形成装置,所述装置包括:
具有包括互不相同的种类的材料并且互相电绝缘的多个阴极的真空电弧蒸发源,其中所述多个阴极被真空电弧放电所蒸发而由此在所述阴极的表面上产生具有阴极材料的等离子体;和
用于产生磁场而使所述真空电弧蒸发源产生的等离子体偏转、以便从所述等离子体中消除粗粒子、并把消除其粗粒子的所述等离子体引入所述衬底附近的磁性过滤器。
7.权利要求6的薄膜形成装置,其特征在于所述磁性过滤器包括:
弯曲的输送管道;
用于产生沿所述输送管道弯曲的所述磁场的磁性线圈;和
用于激励所述磁性线圈的直流电源。
8.权利要求6的薄膜形成装置,其特征在于还包括:
用于向所述真空电弧蒸发源的所述多个阴极提供电弧放电电力的电弧电源;和
用于将所述真空电弧蒸发源的所述电弧放电电力轮流地向所述电弧电源的所述多个阴极转换的开关。
9.权利要求8的薄膜形成装置,其特征在于所述磁性过滤器包括:
弯曲的输送管道;
用于形成沿所述输送管道弯曲的所述磁场的磁性线圈;和
用于激励所述磁性线圈的直流电源。
10.权利要求5的薄膜形成装置,其特征在于还包括:
用于控制所述真空电弧放电的电弧点的移动、靠近与产生所述等离子体的表面相对的所述阴极的另一表面而设置的磁体。
11.权利要求6的薄膜形成装置,其特征在于还包括:
用于控制所述真空电弧放电的电弧点的移动、靠近与产生所述等离子体的表面相对的所述阴极的另一表面而设置的磁体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP204961/2000 | 2000-07-06 | ||
JP2000204961A JP2002020860A (ja) | 2000-07-06 | 2000-07-06 | 真空アーク蒸発源およびそれを用いた膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1332266A true CN1332266A (zh) | 2002-01-23 |
Family
ID=18702130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN01122564A Pending CN1332266A (zh) | 2000-07-06 | 2001-07-06 | 真空电弧蒸发源及使用它的薄膜形成装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20020020356A1 (zh) |
EP (1) | EP1170776A3 (zh) |
JP (1) | JP2002020860A (zh) |
KR (1) | KR20020005449A (zh) |
CN (1) | CN1332266A (zh) |
HK (1) | HK1042774A1 (zh) |
TW (1) | TW499493B (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1322162C (zh) * | 2003-07-07 | 2007-06-20 | 株式会社神户制钢所 | 真空蒸镀装置 |
CN100338255C (zh) * | 2003-10-13 | 2007-09-19 | 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司 | 一种铝硅钇扩散合金化涂层的制备方法 |
CN104451559A (zh) * | 2013-09-24 | 2015-03-25 | 日本Itf株式会社 | 真空电弧蒸镀法及装置、用该法制造的薄膜、物品及产品 |
CN107177822A (zh) * | 2017-05-02 | 2017-09-19 | 上海理工大学 | 纳米涂层设备的电磁过滤装置 |
CN103668061B (zh) * | 2013-12-25 | 2018-12-14 | 湖南中航超强金刚石膜高科技有限公司 | 一种高附着力高硬度低摩擦系数类金刚石膜的涂层设备 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005029855A (ja) | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 真空アーク蒸着装置、真空アーク蒸着法、および磁気記録媒体 |
US7872244B2 (en) * | 2007-08-08 | 2011-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN102244971A (zh) * | 2010-05-13 | 2011-11-16 | 贵州翔明科技有限责任公司 | 一种大气压直流弧放电等离子体发生装置及阴极制作方法 |
RU2449513C1 (ru) * | 2010-11-30 | 2012-04-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" | Вакуумно-дуговое устройство |
TWI639719B (zh) * | 2016-11-21 | 2018-11-01 | 行政院原子能委員會核能研究所 | 直流磁控電弧鍍膜裝置及其方法 |
KR101902778B1 (ko) * | 2016-12-08 | 2018-10-02 | 한국생산기술연구원 | 네스트유닛을 포함하는 아크이온플레이팅장치 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4673477A (en) * | 1984-03-02 | 1987-06-16 | Regents Of The University Of Minnesota | Controlled vacuum arc material deposition, method and apparatus |
DE4126040C1 (en) * | 1991-08-06 | 1992-05-07 | Multi-Arc Oberflaechentechnik Gmbh, 5060 Bergisch Gladbach, De | Segmented cathodes for plasma surface-coating process - comprise rectangular section frame internally divided into 3 segments of titanium@, zirconium@ and chromium@ respectively and insulating projections |
US5677003A (en) * | 1995-10-30 | 1997-10-14 | Sam Shin Precision, Co., Ltd. | Method for coating diamond-like carbon on head drums of a video cassette recorder |
-
2000
- 2000-07-06 JP JP2000204961A patent/JP2002020860A/ja active Pending
-
2001
- 2001-07-05 US US09/897,900 patent/US20020020356A1/en not_active Abandoned
- 2001-07-05 EP EP01116357A patent/EP1170776A3/en not_active Withdrawn
- 2001-07-05 KR KR1020010039927A patent/KR20020005449A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-07-06 CN CN01122564A patent/CN1332266A/zh active Pending
- 2001-07-06 TW TW090116559A patent/TW499493B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-06-18 HK HK02104518.3A patent/HK1042774A1/zh unknown
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1322162C (zh) * | 2003-07-07 | 2007-06-20 | 株式会社神户制钢所 | 真空蒸镀装置 |
CN100338255C (zh) * | 2003-10-13 | 2007-09-19 | 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司 | 一种铝硅钇扩散合金化涂层的制备方法 |
CN104451559A (zh) * | 2013-09-24 | 2015-03-25 | 日本Itf株式会社 | 真空电弧蒸镀法及装置、用该法制造的薄膜、物品及产品 |
CN103668061B (zh) * | 2013-12-25 | 2018-12-14 | 湖南中航超强金刚石膜高科技有限公司 | 一种高附着力高硬度低摩擦系数类金刚石膜的涂层设备 |
CN107177822A (zh) * | 2017-05-02 | 2017-09-19 | 上海理工大学 | 纳米涂层设备的电磁过滤装置 |
CN107177822B (zh) * | 2017-05-02 | 2019-10-01 | 上海理工大学 | 纳米涂层设备的电磁过滤装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW499493B (en) | 2002-08-21 |
KR20020005449A (ko) | 2002-01-17 |
HK1042774A1 (zh) | 2002-08-23 |
EP1170776A2 (en) | 2002-01-09 |
JP2002020860A (ja) | 2002-01-23 |
EP1170776A3 (en) | 2005-03-23 |
US20020020356A1 (en) | 2002-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6274014B1 (en) | Method for forming a thin film of a metal compound by vacuum deposition | |
CN1332266A (zh) | 真空电弧蒸发源及使用它的薄膜形成装置 | |
CN1800441A (zh) | 等离子体增强薄膜沉积方法及装置 | |
CN1397151A (zh) | 等离子体加工系统和方法 | |
CN1636076A (zh) | 磁控管负离子溅射源 | |
CN1743497A (zh) | 用于改进的磁性层的溅射靶材料 | |
JP2003217516A (ja) | 保護膜を有する炭素ナノチューブを具備した電界放出素子 | |
Audi et al. | Ion pumps | |
US5780862A (en) | Method and apparatus for generating ions | |
US8377269B2 (en) | Sputtering apparatus | |
US6444100B1 (en) | Hollow cathode sputter source | |
JP2008266747A (ja) | 合金ナノ粒子作製方法、合金薄膜作製方法及び同軸型真空アーク蒸着装置 | |
US20090266703A1 (en) | Plasma generating device and film deposition method in which the plasma generating device is used | |
CN1811010A (zh) | 磁控溅射制造工艺 | |
KR101888557B1 (ko) | ta-C 복합 코팅층, ta-C 복합 코팅층 제조 장치 및 이를 이용한 제조방법 | |
CN1163627C (zh) | 溅射离子泵 | |
CN1118586C (zh) | 电弧型离子镀装置 | |
Hayakawa et al. | Differences between the internal energy depositions induced by collisional activation and by electron transfer of W (CO) 62+ ions on collision with Ar and K targets | |
US9748569B2 (en) | Porous, thin film electrodes for lithium-ion batteries | |
CN1806965A (zh) | 碳包金属纳米材料的制备方法和其设备 | |
US8134287B1 (en) | Low voltage closed drift anode layer ion source | |
CN1109512A (zh) | 真空溅镀装置 | |
JP2002280171A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
WO2009027905A2 (en) | Sputtering system | |
CN1702806A (zh) | 稳定场发射器的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |