CN1326146C - 堆叠式存储器模组 - Google Patents
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Abstract
一种堆叠式存储器模组,包括:一具一第一安装表面和一第二安装表面且形成数个电镀贯孔的芯片安装体,至少两各具一设置数个黏接垫的黏接垫安装表面的芯片,至少两分别置于其中一芯片与第一安装表面之间及另一芯片与第二安装表面之间的绝缘胶带层,数个安装在印刷电路板上的锡球,其是设在芯片安装体的一安装表面上,且与对应的电镀贯孔对准及与孔形成壁上的导电材料电连接;多层堆叠式存储器模组由至少两个堆叠式存储器模组组成。
Description
技术领域
本发明涉及一种堆叠式存储器模组,特别是涉及一种便于制造自动化的堆叠式存储器模组及使用它的多层堆叠式存储器模组。
背景技术
随着电脑运作速度及功能日益加快及增强,存储器容量的需求便越来越大,而一般主机板的面积有限,为增加存储器数量必需占用许多主机板面积,因此,便有堆叠式存储器模组架构产生,以在少占用主机板面积下就可增加存储器容量。
一般的堆叠式存储器模组有如在由IBM所拥有的美国专利第4,996,587号中所公开的结构,但是,该美国专利所公开的技术因为需要由人工装配额外的S形连接器夹子,所以无法进行自动化制造,因此使得工艺变复杂,且增加成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种便于制造自动化的堆叠式存储器模组及使用它的多层堆叠式存储器模组。
为达到上述目的,本发明采取如下措施:
本发明的多层堆叠式存储器模组,其安装在一印刷电路板上,该多层堆叠式存储器模组具有至少两个堆叠式存储器模组,各堆叠式存储器模组包括:一芯片安装体、至少两芯片、至少两绝缘胶带层及至少二个可安装在该印刷电路板上的锡球,该芯片安装体具有一第一安装表面和一第二安装表面,并且形成有至少二个其的孔形成壁被电镀有导电材料的电镀贯孔,第一和第二安装表面都布设有延伸至对应的电镀贯孔且与该电镀贯孔的孔形成壁上的导电材料电连接的预定的电路轨迹,所述芯片各具有一设置有至少二个黏接垫的黏接垫安装表面,所述绝缘胶带层分别放置在其中一个芯片与该芯片安装体的第一安装表面之间及另一个芯片与该芯片安装体的第二安装表面之间,并且各具有一与对应的芯片的黏接垫安装表面黏接的第一黏接表面和一与该芯片安装体的对应的安装表面黏接的第二黏接表面,该胶带层形成有至少二个用以使各芯片的黏接垫与该芯片安装体的对应的安装表面的对应的电路轨迹连通的穿孔,在各穿孔中设置有导电金属球可达成所述芯片的黏接垫与该芯片安装体的对应的电路轨迹的电连接,所述锡球被设置在该芯片安装体的其中一个安装表面上且与对应的电镀贯孔对准及与该电镀贯孔的孔形成壁上的导电材料电连接。
本发明采取如下具体结构:
本发明的一种堆叠式存储器模组,其安装在一印刷电路板上,包括一个芯片安装体、至少两芯片;其特征在于:还包括至少两个绝缘胶带层及安装在印刷电路板上的锡球;
芯片安装体具有一第一安装表面和一第二安装表面,并且形成有至少二个电镀贯孔,贯孔形成壁上电镀有导电材料,第一和第二安装表面上布设有延伸至对应的电镀贯孔且与电镀贯孔的孔形成壁上的导电材料电连接的电路轨迹;
芯片各具有一设置有多个黏接垫的黏接垫安装表面;
绝缘胶带层分别置设在其中一个芯片与芯片安装体的第一安装表面之间及另一个芯片与该芯片安装体的第二安装表面之间,并且各具有一与对应芯片的黏接垫安装表面黏接的第一黏接表面和一与芯片安装体对应的安装表面黏接的第二黏接表面;该胶带层形成有多个用以使各芯片黏接垫与该芯片安装体对应的安装表面对应的电路轨迹连通的穿孔,在各穿孔中设置有使芯片的黏接垫与芯片安装体对应的电路轨迹的电连接的导电金属球;
锡球设置在芯片安装体的其中一个安装表面上,且与对应的电镀贯孔对准及与电镀贯孔的孔形成壁上的导电材料电连接。
其中:所述各芯片的周围与所述芯片安装体对应的安装表面之间形成有一环氧树脂层。
其中:所述各芯片与黏接垫安装表面相对的表面上设置有一金属散热板。
本发明的多层堆叠式存储器模组,其安装在一印刷电路板上,其特征在于:其由至少两个堆叠式存储器模组组成;
各堆叠式存储器模组呈堆叠式排列,位于较上层的堆叠式存储器模组的锡球与较下一层堆叠式存储器模组的芯片安装体上的电镀贯孔的顶端电连接。
附图说明
结合附图及实施例对本发明的具体结构特征详细说明如下:
图1是本发明第一实施例的剖视示意图。
图2是本发明第一实施例中的芯片安装体的部分立体示意图。
图3是本发明第一实施例中的芯片的部分立体示意图。
图4是本发明第一实施例中的胶带层部分立体示意图。
图5是本发明第一实施例使用多层堆叠式存储器模组的剖视示意图。
图6是本发明第二实施例的剖视示意图。
图7是本发明第二实施例使用多层堆叠式存储器模组的剖视示意图。
图8是本发明第三实施例的剖视示意图。
图9是本发明第三实施例使用多层堆叠式存储器模组的剖视示意图。
图10是本发明第四实施例的剖视示意图。
图11是本发明第四实施例使用多层堆叠式存储器模组的剖视示意图。
图12是本发明第五实施例的侧视示意图。
具体实施方式
如图1所示,其是本发明的堆叠式存储器模组的第一实施例的剖视示意图,发明的堆叠式存储器模组包括一芯片安装体1、至少二个芯片2及多个锡球3。
在本实施例中,芯片安装体1为一基板,且具有一第一安装表面10和一第二安装表面11,在第一和第二安装表面10、11上都布设有预定的电路轨迹12(如图2所示),芯片安装体1形成有多个电镀贯孔14,贯孔14的形成壁上电镀有导电材料,在芯片安装体1的第一和第二安装表面10、11上的电路轨迹12延伸至对应的电镀贯孔14且与其孔形成壁上的导电材料电连接。
配合图3、4所示,所述芯片2各具有一黏接垫安装表面20,黏接垫安装表面20上设置有多个黏接垫21,芯片2各通过一具有第一与第二黏接表面的绝缘胶带层4分别安装在芯片安装体1的第一与第二安装表面10、11上,各胶带层4的第一黏接表面与对应的芯片2的黏接垫安装表面20黏接,而第二黏接表面与芯片安装体1的对应的第一与第二安装表面10、11黏接,胶带层4形成有数个用以使各芯片2的黏接垫21与芯片安装体1的对应的第一与第二安装表面10、11上的对应的电路轨迹12连通的穿孔40,所述芯片2的黏接垫20与芯片安装体1对应的电路轨迹12的电连接是经由置放在穿孔40中的导电金属球5实现的,在各芯片2的周围与芯片安装体1对应的第一与第二安装表面10、11之间更形成有一环氧树脂层23,以可进一步固定芯片2,要注意的是,为了散热及保护芯片2,在各芯片2与黏接垫安装表面20相对的表面上更设置有一金属散热板24。
所述锡球3(在图1中只显示其中两个)被设置在芯片安装体1的第二安装表面11上,且与对应的电镀贯孔14对准及与电镀贯孔14的孔形成壁的导电材料电连接,导致锡球3通过芯片安装体1的第一与第二安装表面10、11上的电路轨迹12来与芯片2对应的黏接垫21成电连接。
应要注意的是,本实施例的图中显示在芯片安装体1的第一与第二安装表面10与11上分别只有一个芯片2,而熟知此项技术的人应了解在芯片安装体1的各安装表面10、11上可设置两个或两个以上的芯片2。
配合图5所示,其表示利用本发明第一实施例的多层堆叠式存储器模组,其包括多个本发明第一实施例的堆叠式存储器模组,较上层的存储器模组的锡球3固定到较下层的存储器模组的芯片安装体1的第一安装表面10上,且与对应的电镀贯孔14对准及与贯孔14的孔形成壁的导电材料电连接,而最下层的存储器模组的锡球3固定至一印刷电路板(图未示)上,且与印刷电路板的对应的电路轨迹12呈电连接。
如图6所示,其是本发明的堆叠式存储器模组的第二实施例,在本实施例中,芯片安装体1由三层基板组成,且在第一与第二安装表面10、11上各凹设有至少一个用以容置芯片2的芯片容置凹坑13,各芯片2与黏接垫安装表面20相对的表面与一绝缘胶带层41的第一黏接表面黏接,而该胶带层41的第二黏接表面黏接至该芯片安装体1的对应的凹坑13的底壁,藉此使各芯片2被固定在对应的凹坑13内,与第一实施例不同的是,胶带层41没有形成可暴露芯片2的黏接垫21的穿孔,各芯片2的黏接垫21经由导线22与芯片安装体1对应的第一与第二安装表面10、11(如图2所示)对应的电路轨迹电连接,此外,在芯片安装体1的第一与第二安装表面10、11上各设有一用在覆盖导线22与芯片2的黏接垫安装表面20以作保护的封胶层6,封胶层6可以由环氧树脂形成。
与上述第一实施例相类似的是,锡球3被设置在芯片安装体1的第二安装表面11上,且与对应的电镀贯孔14对准及与电镀贯孔14的孔形成壁上的导电材料电连接,导致锡球3通过芯片安装体1的第一与第二安装表面10、11上的电路轨迹及导线22来与芯片2对应的黏接垫21呈电连接。
配合图7所示,其表示利用本发明第二实施例的多层堆叠式存储器模组,其包括多个本发明第二实施例的堆叠式存储器模组,与图5所示的结构相类似,较上层的存储器模组的锡球3固定在较下层的存储器模组结构的芯片安装体1的第一安装表面10上,且与对应的电镀贯孔14对准及与电镀贯孔14的孔形成壁上的导电材料电连接,而最下层的存储器模组的锡球3固定至一印刷电路板(图中示)上,且与该印刷电路板对应的电路轨迹12电连接。
如图8所示,其是本发明的堆叠式存储器模组的第三实施例的示意图,包括一芯片安装体1、至少两个第一芯片201、至少两个第二芯片202、至少两层第一绝缘胶带层4、至少两层第二绝缘胶带层41及多个锡球3。
在本实施例中,芯片安装体1包括三层基板,且具有第一与第二安装表面10、11,在各安装表面10、11上形成至少一个可容置芯片的芯片容置凹坑131,另一方面,在各安装表面10、11和各凹坑131的底壁上布设有如图2所示般的预定的电路轨迹12,且各电路轨迹12延伸至形成在芯片安装体1中对应的电镀贯孔14。
各第一芯片201被容置在对应的凹坑131内且其设有黏接垫21的黏接垫安装表面20与第一绝缘胶带层4的第一黏接表面黏接,而第一绝缘胶带层4的第二黏接表面与对应的凹坑131的底壁黏接,与上述第一实施例相同的是,第一胶带层4形成有多个用以使各第一芯片201的黏接垫21与在对应的凹坑131的底壁上对应的电路轨迹12连通的穿孔40,第一芯片201的黏接垫21与对应的凹坑131的底壁上对应的电路轨迹12的电连接是经由导电金属球5来实现的。
第二芯片202也被容置在对应的凹坑131内,且其与设有黏接垫21的黏接垫安装表面20相对的表面与第二绝缘胶带层41的第一黏接表面黏接,而第二胶带层41的第二黏接表面与对应的第一芯片201与黏接垫安装表面20相对的表面黏接,与上述第二实施例相同的是,各第二芯片202的黏接垫21与在芯片安装体1对应的第一与第二安装表面10、11上的电路轨迹之间的电连接是经由导线22实现的。
所述锡球3被设置在芯片安装体1的第二安装表面11上,且与对应的电镀贯孔14对准及与电镀贯孔14的孔形成壁上的导电材料电连接,导致锡球3通过芯片安装体1的第一与第二安装表面10、11上的电路轨迹12及导线22与第二芯片202对应的黏接垫21电连接及通过凹坑131的底壁上的电路轨迹12与第一芯片201对应的黏接垫21电连接。
如图9所示,其是本发明第三实施例的多层堆叠式存储器模组的示意图,其包括多个堆叠式存储器模组,与图5所示的结构相类似,较上层的存储器模组的锡球3固定在较下层的存储器模组的芯片安装体1的第一安装表面10上,且与对应的电镀贯孔14对准及与电镀贯孔14的孔形成壁上的导电材料电连接,而最下层的存储器模组的锡球3是固定至一印刷电路板(图未示)上,且与印刷电路板对应的电路轨迹12电连接。
如图10所示,其是本发明堆叠式存储器模组结构的第四实施例的示意图,包括第一和第二芯片安装体101和102、至少一个第一芯片201、至少一个第二芯片202、多个第一锡球31及多个第二锡球3。
第一芯片安装体101具有一芯片安装表面151和一与芯片安装表面151相对的电路轨迹布设表面161,第一芯片安装体101形成有一可暴露芯片的黏接垫的通孔171及多个其孔形成壁被电镀有导电材料的电镀贯孔141,在电路轨迹布设表面161上布设有如图2所示般的延伸至对应的电镀贯孔141且与电镀贯孔141的孔形成壁上的导电材料电连接预定的电路轨迹。
第二芯片安装体102具有一芯片安装表面152和一与芯片安装表面152相对的电路轨迹布设表面162,第二芯片安装体102形成有一可暴露芯片的黏接垫的通孔172及多个其孔形成壁被电镀有导电材料的电镀贯孔142,在电路轨迹布设表面162上布设有如图2所示般的延伸至对应的电镀贯孔142且与该贯孔142的孔形成壁上的导电材料电连接预定的电路轨迹。
第一芯片201具有一安装有黏接垫211的黏接垫安装表面203,第一芯片201的黏接垫安装表面203与一第一绝缘胶带层7的第一黏接表面黏接,而第一绝缘胶带层7的第二黏接表面与第一芯片安装体101的芯片安装表面151黏接,第一绝缘胶带层7形成有一与芯片安装体101的通孔171对准的穿孔70,第一芯片201的黏接垫211经由导线221与第一芯片安装体101的电路轨迹布设表面161上对应的电路轨迹电连接,此外,在第一芯片安装体101的电路轨迹布设表面161上设有一覆盖所述导线221与第一芯片201的黏接垫安装表面203的被暴露的部分以作保护的封胶层61,封胶层61可以由环氧树脂形成。
与上述第一实施例相同的是,在第一芯片201的周围与第一芯片安装体101的芯片安装表面151之间更形成有一环氧树脂层231以可进一步固定芯片201,同时,第一芯片201与黏接垫安装表面203相对的表面上设置有一金属散热板241。
第二芯片202具有一安装有黏接垫212的黏接垫安装表面204,第二芯片202的黏接垫安装表面204与一第二绝缘胶带层8的第一黏接表面黏接,而第二绝缘胶带层8的第二黏接表面与第二芯片安装体102的芯片安装表面152黏接,第二绝缘胶带层8形成有一与第二芯片安装体102的通孔172对准的穿孔80,第二芯片202的黏接垫212经由导线222来与第二芯片安装体102的电路轨迹布设表面162上对应的电路轨迹电连接,此外,第二芯片安装体102的电路轨迹布设表面162上设有一覆盖导线222与第二芯片202的黏接垫安装表面204的被暴露的部分作保护的封胶层62,封胶层62可以由环氧树脂形成。
与上述第一实施例相同的是,在该第二芯片202的周围与第二芯片安装体102的芯片安装表面152之间更形成有一环氧树脂层232以可进一步固定芯片202,同时,第二芯片202与黏接垫安装表面204相对的表面上设置有一金属散热板242。
所述第一锡球31设置在第一与第二芯片安装体101、102之间,各第一锡球31与该第一芯片安装体101的一对应的电镀贯孔141和第二芯片安装体102的一对应的电镀贯孔142对准,且与所述贯孔141、142的孔形成壁上的导电材料电连接,导致各第一锡球31通过第一与第二芯片安装体101、102的电路轨迹布设表面161、162上的电路轨迹和导线221、222与第一与第二芯片201、202对应的黏接垫211、212电连接。
所述第二锡球3被设置在该第二芯片安装体102的芯片安装表面152上且与对应的电镀贯孔142对准及与电镀贯孔142的孔形成壁的导电材料电连接。
如图11所示,其是本发明第四实施例的多层堆叠式存储器模组的示意图,其包括多个本发明第四实施例的堆叠式存储器模组,与图5所示的结构类似,较上层的存储器模组的第二锡球3固定在较下层的存储器模组的第一芯片安装体101的芯片安装表面151上且与对应的电镀贯孔141对准及与电镀贯孔141的孔形成壁上的导电材料电连接,而最下层的存储器模组的第二锡球3是固定至一印刷电路板(图未示)上且与印刷电路板对应的电路轨迹成电连接。
如图12所示,其是本发明第五实施例的堆叠式存储器模组的示意图,其与上述第四实施例不同的是,图12的实施例显示了在各芯片安装体101、102上安装有至少两个芯片201、202。
与现有技术相比,本发明具有如下效果:
本发明的堆叠式存储器模组便于自动化生产,生产成本低。
Claims (17)
1.一种堆叠式存储器模组,其安装在一印刷电路板上,包括一个芯片安装体、至少两芯片;其特征在于:还包括至少两个绝缘胶带层及安装在印刷电路板上的锡球;
芯片安装体具有一第一安装表面和一第二安装表面,并且形成有至少二个电镀贯孔,贯孔形成壁上电镀有导电材料,第一和第二安装表面上布设有延伸至对应的电镀贯孔且与电镀贯孔的孔形成壁上的导电材料电连接的电路轨迹;
芯片各具有一设置有多个黏接垫的黏接垫安装表面;
绝缘胶带层分别置设在其中一个芯片与芯片安装体的第一安装表面之间及另一个芯片与该芯片安装体的第二安装表面之间,并且各具有一与对应芯片的黏接垫安装表面黏接的第一黏接表面和一与芯片安装体对应的安装表面黏接的第二黏接表面;该胶带层形成有多个用以使各芯片黏接垫与该芯片安装体对应的安装表面对应的电路轨迹连通的穿孔,在各穿孔中设置有使芯片的黏接垫与芯片安装体对应的电路轨迹的电连接的导电金属球;
锡球设置在芯片安装体的其中一个安装表面上,且与对应的电镀贯孔对准及与电镀贯孔的孔形成壁上的导电材料电连接。
2.根据权利要求1所述的堆叠式存储器模组,其特征在于:
所述各芯片的周围与所述芯片安装体对应的安装表面之间形成有一环氧树脂层。
3.根据权利要求1所述的堆叠式存储器模组,其特征在于:
所述各芯片与黏接垫安装表面相对的表面上设置有一金属散热板。
4.一种堆叠式存储器模组,其安装在一印刷电路板上,其特征在于:包括一芯片安装体、至少两芯片、至少两绝缘胶带层、至少两封胶层及至少二个安装在该印刷电路板上的锡球;
芯片安装体具有一第一安装表面和一第二安装表面,并且形成有至少二个其孔形成壁被电镀有导电材料的电镀贯孔,第一和第二安装表面各凹设有至少一个芯片容置凹坑,并且都布设有延伸至对应的电镀贯孔且与该电镀贯孔的孔形成壁上的导电材料电连接的电路轨迹;
芯片各具有一设置有至少二个黏接垫的黏接垫安装表面,芯片分别容置在芯片安装体对应的芯片容置凹坑内;
绝缘胶带层分别置设在其中一个芯片与该芯片安装体的其中一个凹坑的底壁之间及另一个芯片与该芯片安装体的另一个凹坑的底壁之间,所述胶带层各具有一与对应的芯片与该黏接垫安装表面相对的表面黏接的第一黏接表面和一与该芯片安装体对应的凹坑的底壁黏接的第二黏接表面,所述芯片的黏接垫经由导线与芯片安装体对应的安装表面的电路轨迹电连接;
封胶层覆盖在对应的芯片的黏接垫安装表面及导线上;
锡球设置在芯片安装体的其中一个安装表面上,且与对应的电镀贯孔对准及与该电镀贯孔的孔形成壁上的导电材料电连接。
5.根据权利要求4所述的堆叠式存储器模组,其特征在于:
所述封胶层是由环氧树脂形成。
6.一种堆叠式存储器模组,其安装在一印刷电路板上,其特征在于:包括一芯片安装体、至少两第一芯片、至少两第一绝缘胶带层、至少两个第二芯片、至少两第二绝缘胶带层、至少两封胶层及至少二个安装在印刷电路板上的锡球;
芯片安装体具有一第一安装表面和一第二安装表面,并且形成有至少二个其孔形成壁被电镀有导电材料的电镀贯孔,第一和第二安装表面各凹设有至少一个芯片容置凹坑,第一和第二安装表面及各凹坑的底壁都布设有延伸至对应的电镀贯孔且与电镀贯孔的孔形成壁上的导电材料电连接的电路轨迹;
第一芯片各具有一设置有至少二个黏接垫的黏接垫安装表面,第一芯片分别容置在芯片安装体对应的芯片容置凹坑内;
第一绝缘胶带层分别置设在其中一个第一芯片与芯片安装体对应的凹坑的底壁之间,另一个第一芯片与芯片安装体对应的凹坑的底壁之间,第一胶带层各具有一与对应芯片的黏接垫安装表面黏接的第一黏接表面和一与该芯片安装体对应的凹坑的底壁黏接的第二黏接表面,第一胶带层形成设有至少二个用以使第一芯片的黏接垫与芯片安装体对应的凹坑的底壁对应的电路轨迹连通的穿孔,在各穿孔中设置有使第一芯片的黏接垫与芯片安装体对应的凹壁的底壁的电路轨迹电连接的导电金属球;
第二芯片各具有一设置有至少二个黏接垫的黏接垫安装表面,第二芯片分别容置在该芯片安装体对应的芯片容置凹坑内;
第二绝缘胶带层分别置设在其中一个第一芯片与对应的第二芯片之间,另一个第一芯片与对应的第二芯片之间,第二胶带层各具有一第一黏接表面及第二黏接表面;第一黏接表面与对应的第二芯片与黏接垫安装表面相对的表面黏接;第二黏接表面与对应的第一芯片的黏接垫安装表面相对的表面黏接;第二芯片的黏接垫经由导线与该芯片安装体对应的安装表面的电路轨迹电连接;
一封胶层覆盖在对应的第二芯片的黏接垫安装表面及导线上;
所述锡球设置在芯片安装体中的一个安装表面上,且与对应的电镀贯孔对准及与该电镀贯孔的孔形成壁上的导电材料电连接。
7.根据权利要求6所述的堆叠式存储器模组,其特征在于:
所述封胶层由环氧树脂形成。
8.一种堆叠式存储器模组,其安装在一印刷电路板上,其特征在于:包括第一和第二芯片安装体、一第一芯片、一第二芯片、至少二个第一锡球及至少二个第二锡球:
芯片安装体各具有一芯片安装表面和一与芯片安装表面相对的电路轨迹布设表面,芯片安装体各形成有一可暴露芯片的黏接垫的通孔及至少二个其孔形成壁被电镀有导电材料的电镀贯孔,各芯片安装体的电路轨迹布设表面上布设有延伸至对应的电镀贯孔且与贯孔的孔形成壁上的导电材料电连接的电路轨迹;
第一芯片具有一安装有黏接垫的黏接垫安装表面,第一芯片的黏接垫安装表面与一第一绝缘胶带层的第一黏接表面黏接,第一绝缘胶带层的第二黏接表面与第一芯片安装体的芯片安装表面黏接,第一绝缘胶带层形成有一与芯片安装体的通孔对准的穿孔,第一芯片的黏接垫经由导线与第一芯片安装体的电路轨迹布设表面上对应的电路轨迹电连接,第一芯片安装体的电路轨迹布设表面上设有一覆盖导线与第一芯片的黏接垫安装表面的被暴露的部分的封胶层;
第二芯片具有一安装有黏接垫的黏接垫安装表面,第二芯片的黏接垫安装表面与一第二绝缘胶带层的第一黏接表面黏接,第二绝缘胶带层的第二黏接表面与第二芯片安装体的芯片安装表面黏接,第二绝缘胶带层形成有一与第二芯片安装体的通孔对准的穿孔,第二芯片的黏接垫经由导线与第二芯片安装体的电路轨迹布设表面上对应的电路轨迹电连接,第二芯片安装体的电路轨迹布设表面上设有一覆盖导线与第二芯片的黏接垫安装表面的被暴露部分的封胶层;
第一锡球设置在第一与第二芯片安装体之间,各第一锡球与第一芯片安装体的一对应的电镀贯孔和第二芯片安装体的一对应的电镀贯孔对准,而与贯孔的孔形成壁上的导电材料电连接,各第一锡球通过芯片安装体的电路轨迹布设表面上的电路轨迹和导线与第一和第二芯片对应的黏接垫电连接;
第二锡球设置在第二芯片安装体的芯片安装表面上,且与对应的电镀贯孔对准及与贯孔的孔形成壁的导电材料电连接。
9.根据权利要求8所述的堆叠式存储器模组,其特征在于:
所述封胶层由环氧树脂形成。
10.根据权利要求8所述的堆叠式存储器模组,其特征在于:
所述第一芯片的周围与第一芯片安装体的芯片安装表面之间更形成有一环氧树脂层。
11.根据权利要求8所述的堆叠式存储器模组,其特征在于:
所述第一芯片与该黏接垫安装表面相对的表面上设置有一金属散热板。
12.根据权利要求8所述的堆叠式存储器模组,其特征在于:
所述第二芯片的周围与第二芯片安装体的芯片安装表面之间形成有一环氧树脂层。
13.根据权利要求8所述的堆叠式存储器模组,其特征在于:
所述第二芯片与该黏接垫安装表面相对的表面上设置有一金属散热板。
14.一种由权利要求1~3中任一项堆叠式存储器模组组成的多层堆叠式存储器模组,其安装在一印刷电路板上,其特征在于:其由至少两个堆叠式存储器模组组成;
各堆叠式存储器模组呈堆叠式排列,位于较上层的堆叠式存储器模组的锡球与较下一层堆叠式存储器模组的芯片安装体上的电镀贯孔的顶端电连接。
15.一种由权利要求4或5的堆叠式存储器模组组成的多层堆叠式存储器模组,其安装在一印刷电路板上,其特征在于:其由至少两个堆叠式存储器模组组成;
各堆叠式存储器模组呈堆叠式排列,位于较上层的堆叠式存储器模组的锡球与较下一层堆叠式存储器模组的芯片安装体上的电镀贯孔的顶端电连接。
16.一种由权利要求6或7的堆叠式存储器模组组成的多层堆叠式存储器模组,其安装在一印刷电路板上;其特征在于:其由至少两个堆叠式存储器模组组成;
各堆叠式存储器模组呈堆叠式排列,位于较上层的堆叠式存储器模组的锡球与较下一层堆叠式存储器模组的芯片安装体上的电镀贯孔的顶端电连接。
17.一种由权利要求8~13中任一项堆叠式存储器模组组成的多层堆叠式存储器模组,其安装在一印刷电路板上,其特征在于:其由至少两个堆叠式存储器模组组成;
各堆叠式存储器模组呈堆叠式排列,位于较上层的堆叠式存储器模组的锡球与较下一层堆叠式存储器模组的芯片安装体上的电镀贯孔的顶端电连接。
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CNB991219368A CN1326146C (zh) | 1999-10-15 | 1999-10-15 | 堆叠式存储器模组 |
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CN1216862A (zh) * | 1997-11-04 | 1999-05-19 | 株式会社日立制作所 | 半导体存储器件及其制造方法 |
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- 1999-10-15 CN CNB991219368A patent/CN1326146C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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US4996587A (en) * | 1989-04-10 | 1991-02-26 | International Business Machines Corporation | Integrated semiconductor chip package |
CN1216862A (zh) * | 1997-11-04 | 1999-05-19 | 株式会社日立制作所 | 半导体存储器件及其制造方法 |
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