CN1324775A - 微晶玻璃及其制造方法 - Google Patents

微晶玻璃及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1324775A
CN1324775A CN 00114592 CN00114592A CN1324775A CN 1324775 A CN1324775 A CN 1324775A CN 00114592 CN00114592 CN 00114592 CN 00114592 A CN00114592 A CN 00114592A CN 1324775 A CN1324775 A CN 1324775A
Authority
CN
China
Prior art keywords
devitrified glass
glass
sio
warmed
hour
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN 00114592
Other languages
English (en)
Inventor
彭波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN 00114592 priority Critical patent/CN1324775A/zh
Publication of CN1324775A publication Critical patent/CN1324775A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/11—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing halogen or nitrogen
    • C03C3/112—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing halogen or nitrogen containing fluorine
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/11—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing halogen or nitrogen
    • C03C3/112—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing halogen or nitrogen containing fluorine
    • C03C3/115—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing halogen or nitrogen containing fluorine containing boron
    • C03C3/118—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing halogen or nitrogen containing fluorine containing boron containing aluminium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

微晶玻璃,其特征在于在SiO2－Li2O－Al2O3－P2O5系统微晶玻璃中掺Y2O3,其中各主要物质原料含量的重量百分比为:SiO265－80wt%;Li2O7－12wt%;Al2O32－5wt%;P2O51－4wt%;Y2O30.5－8wt%。具有高机械强度和高度平滑表面,是特别适合用于信息记录装置用的基板材料。微晶晶粒在0.3μm以内时,该微晶玻璃的弹性模量大于9000kgf/cm2,断裂强度大于25kgf/cm2。按现有普通加工技术加工后,表面粗糙度小于5埃。

Description

微晶玻璃及其制造方法
本发明属于微晶玻璃及其制造方法，具有高机械强度和高度平滑表面，是特别适合用于信息记录装置用的基板材料
近年来，由于磁头和磁记忆膜技术的发展，计算机硬盘的记录密度和读写速度得到了很大的提高，对盘基的性能也提出了更高的要求：为了增大单位面积的记录密度，磁盘必须增大环节和磁道的密度，因而必然使磁头更接近于盘面，目前磁头从盘面向上的浮动量已达到0.015μm，做到这一点要求盘片的表面粗糙度在5以下；读写速度高正是使硬盘没有面临淘汰的重要原因之一，随着记录密度的快速增长及计算机的CPU等其他部件的信息处理速度越来越快，必然要求硬盘的读写速度也得到相应的提高，其结果是硬盘的转速得到了很大的提高，目前一万转以上/分钟的硬盘已进入了市场，高速的旋转要求硬盘盘基具有更高机械强度，更高的弹性模量。
传统的硬盘盘基为铝合金，但由于铝合金难以研磨到5以下的表面粗糙度，要达到5以下的表面粗糙度需经过2次以上特殊加工，成本较高，成本已没有下降的余地。现在的记忆膜都是玻璃态的金属膜，玻璃的基板将会更适宜，特别是新发展的记忆膜都希望有较高的成膜温度(高于650度)以此提高记忆特性，但铝合金的极限温度只能到360度左右。同时高强度的玻璃其机械强度也优于铝合金，基于以上原因，传统的铝合金基板近年来已出现了被化学强化玻璃基板和微晶玻璃基板逐步取代的趋势。
但化学强化玻璃基板的组成中必须含有一定量的Na2O和K2O，易导致成膜特性变坏，必须进行全面性包涂处理，镀Si膜，导致生产成本提高；而现有的微晶玻璃基板，例如：日本小原的MgO-Li2O-(Al2O3)-RO-R2O3-SiO2-P2O5系玻璃(见日本专利1995年247138号)，如果要达到理想的表面粗糙度，必须严格控制晶粒的大小，使晶粒的尺寸在0.3μm以下，但当晶粒的尺寸在0.3μm以下时，微晶玻璃基板达不到理想的机械强度，这一矛盾仍没有得到很好的解决。
本发明的目的在于克服已有技术的缺陷，提供一种微晶玻璃及其制造方法，具有高机械强度和高度平滑表面，是特别适合用于信息记录装置用的基板材料，使微晶晶粒控制在0.3μm以内也能达到理想的机械强度和弹性模量。
本发明的解决方案是：在SiO2-Li2O-Al2O3-P2O5系统微晶玻璃中通过一定的工艺手段引入一定量的Y2O3和/或La2O3以提高微晶玻璃的机械强度和弹性模量，结果表明引入一定量的Y2O3后，即使微晶晶粒控制在0.3μm以内也能达到理想的机械强度，加入适量的La2O3也能得到增加机械强度的效果，但是没有加入Y2O3的效果显著。考虑到La2O3比Y2O3便宜很多，在实际生产时可以考虑以适当的比例共同加入。
本发明的微晶玻璃，其特征在于在SiO2-Li2O-Al2O3-P2O5系统微晶玻璃中掺入Y2O3，其中各主要原料的重量百分比的含量为：SiO2 65-80wt％；Li2O 7-12wt％；Al2O3 2-5wt％；P2O5 1-4wt％；Y2O3 0.5-8wt％。
微晶玻璃，其特征在于在SiO2-Li2O-Al2O3-P2O5系统微晶玻璃中掺入La2O3，其中各主要原料的重量百分比的含量为：SiO2 65-80wt％；Li2O 7-12wt％；Al2O3 2-5wt％；P2O5 1-4wt％；La2O31-8wt％。
微晶玻璃，其特征在于在SiO2-Li2O-Al2O3-P2O5系统微晶玻璃中掺入Y2O3+La2O3，其中各主要原料的重量百分比的含量为：SiO2 65-80wt％；Li2O 7-12wt％；Al2O3 2-5wt％；P2O5 1-4wt％；Y2O3+La2O3=0.5-8wt％。
如上所述的微晶玻璃，其特征在于原料中还掺杂下列任意一种或多种过渡金属元素：Fe2O31-3wt％,CuO 1-3wt％,Cr2O3 1-3w％,V2O5 1-3wt％，稀土金属元素CeO2 1-3wt％。
如上所述的微晶玻璃，其特征在于原料中还掺有F 0.1-4wt％；Cl 0.1-5wt％；P2O5 1-4wt％；RO 2-8wt％,R为二价元素。
如上所述的微晶玻璃，其特征在于原料中还掺有R2O＜6wt％；B2O3＜5wt％。
如权利要求1所述，本发明的特征之一是Li2O,Al2O3,SiO2,P2O5及其所规定的范围是形成微晶玻璃的基础，不足或超出范围都不能成为微晶玻璃，本发明的特征之二是采用Li2O-Al2O3-SiO2-P2O5玻璃体系，通过在其中引入一定量的Y2O3成为新的微晶玻璃体系，该种微晶玻璃具有高弹性模量和高断裂强度的特点，实际测试弹性模量均大于9600kgf/cm2，断裂强度均大于27kgf/cm2。晶粒尺寸却在0.3μm以下。可以加工超平滑表面。Y2O3的含量以0.5wt％到8wt％为佳，少于0.5wt％效果不明显，高于8wt％影响表面粗糙度。
如权利要求2所述，本发明的特征之一Li2O,Al2O3,SiO2,P2O5及其所规定的范围是形成微晶玻璃的基础，不足或超出范围都不能成为微晶玻璃，本发明的特征之二是采用Li2O-Al2O3-SiO2-P2O5玻璃体系，通过在其中引入一定量的La2O3成为新的微晶玻璃体系，该种微晶玻璃比原体系具有较高弹性模量的特点，但晶粒尺寸在0.3μm以下。可以加工超平滑表面。但增加机械强度没有加入Y2O3后效果显著。实际测试弹性模量均大于9200kgf/cm2，断裂强度均大于20kgf/cm2。La2O3的含量以1wt％到8wt％为佳，少于1wt％效果不明显，高于8wt％影响表面粗糙度。
如权利要求3所述，本发明的特征之一是Li2O,Al2O3,SiO2,P2O5及其所规定的范围是形成微晶玻璃的基础，不足或超出范围都不能成为微晶玻璃，本发明的特征之二是采用Li2O-Al2O3-SiO2-P2O5玻璃体系，通过在其中引入一定量的Y2O3和La2O3成为新的微晶玻璃体系，该种微晶玻璃具有高弹性模量和高断裂强度的特点，实际测试弹性模量均大于95kgf/cm2，断裂强度均大于25kgf/cm2。晶粒尺寸却在0.3μm以下。可以加工超平滑表面。由于有一定比例的Y2O3被La2O3替代，成本低于权利要求1的微晶玻璃体系。Y2O3和La2O3的总含量以0.5wt％到8wt％为佳，少于0.5wt％效果不明显，高于8wt％影响表面粗糙度不好。
如权利要求4所述，还可根据不同用户的需要，在熔制时将权利要求1,2,3的玻璃中掺杂下列一种或多种过渡金属元素：Fe2O3 1-3wt％,CuO 1-3w％,Cr2O3 1-3wt％,V2O5 1-3wt％，稀土金属元素CeO2 1-3wt％；使其能直接进行激光网纹加工。
如权利要求5所述，F和Cl，特别是Cl，有利于微晶析出并能降低熔融温度。加入太多，晶粒变粗大；加入适量的二价元素氧化物可以提高玻璃的稳定性和有利于熔制。
如权利要求6所述，加入碱金属(R2O)和硼(B2O3)对降低熔制温度有一定好处，但因碱金属(R2O)和硼(B2O3)镀磁膜时，很容易溢出污染磁膜，并影响表面光洁度。
为了更好地阐述该发明的成效，我们列举实施例如下：
实施例1
玻璃的组成以重量百分比表示为：SiO2 76.5wt％；Li2O 11wt％；Al2O3 4.5wt％；P2O53wt％；Y2O3 5wt％，且以碳酸盐，硝酸盐，氧化物，氯化物和氟化物形式，称量，混合后加入熔炉中，配合料在1440℃熔融，澄清、均化后成型为理想的形状，然后以100℃/小时升温到550℃保温3小时，以100℃/小时升温到780℃保温2小时，热处理后即可获得所要的微晶玻璃。该微晶玻璃的弹性模量9610kgf/cm2。断裂强度均大于27.2kgf/cm2。晶粒尺寸却在0.3μm以下。按现有普通加工技术加工后表面粗糙度为4.4埃。此微晶玻璃经打孔，滚边，研磨，抛光，既成为记忆装置的基板，可在此基板上镀磁膜等各种记忆膜。
实施例2
玻璃的组成以重量百分比表示为SiO2 76.5wt％；Li2O 11wt％；Al2O3 4.5wt％；P2O5 3wt％；La2O3 5wt％，且以碳酸盐，硝酸盐，氧化物，氯化物和氟化物形式，称量，混合后加入熔炉中，配合料在1440℃熔融，澄清、均化后成型为理想的形状，然后以100℃/小时升温到550℃保温3小时，以100℃/小时升温到780℃保温2小时，热处理后即可获得所要的微晶玻璃。该微晶玻璃的弹性模量9210kgf/cm2。断裂强度均大于20.1kgf/cm2。晶粒尺寸却在0.3μm以下。按现有普通加工技术加工后表面粗糙度为4.3埃。此微晶玻璃经打孔，滚边，研磨，抛光，既成为记忆装置的基板，可在此基板上镀磁膜等各种记忆膜。
实施例3
玻璃的组成以重量百分比表示为：SiO2 71.7wt％；Li2O 10.0wt％；Al2O3 3.3wt％；MgO 2.4wt％；ZnO 1.4wt％；Cu 1.9wt％；F 1wt％；Cl 1wt％；P2O5 2.3wt％；Y2O3 5.0wt％，且以碳酸盐，硝酸盐，氧化物，氯化物和氟化物形式，称量，混合后加入熔炉中，配合料在1400℃熔融，澄清、均化后成型为理想的形状，然后以100℃/小时升温到550℃保温3小时，以100℃/小时升温到780℃保温2小时，热处理后即可获得所要的微晶玻璃。该微晶玻璃的弹性模量9700kgf/cm2。断裂强度均大于28kgf/cm2。晶粒尺寸却在0.3μm以下。按现有普通加工技术加工后表面粗糙度为4.3埃。此微晶玻璃经打孔，滚边，研磨，抛光，既成为记忆装置的基板，可在此基板上镀磁膜等各种记忆膜。
实施例4
玻璃的组成以重量百分比表示为：SiO2 71.7wt％；Li2O 10.0wt％；Al2O3 3.3wt％；MgO 2.4wt％；ZnO 1.4wt％；Cu 1.9wt％；F 1wt％；Cl 1wt％；P2O5 2.3wt％；La2O3 5.0wt％
且以碳酸盐，硝酸盐，氧化物，氯化物和氟化物形式，称量，混合后加入熔炉中，配合料在1400℃熔融，澄清、均化后成型为理想的形状，然后以100℃/小时升温到550℃保温3小时，以100℃/小时升温到780℃保温2小时，热处理后即可获得所要的微晶玻璃。该微晶玻璃的弹性模量9250kgf/cm2。断裂强度均大于20.4kgf/cm2。晶粒尺寸却在0.3μm以下。按现有普通加工技术加工后表面粗糙度为4.2埃。此微晶玻璃经打孔，滚边，研磨，抛光，既成为记忆装置的基板，可在此基板上镀磁膜等各种记忆膜。
实施例5
玻璃的组成以重量百分比表示为：SiO2 71.7wt％；Li2O 10.0wt％；Al2O3 3.3wt％；MgO 2.4wt％；ZnO 1.4wt％；Cu 1.9wt％；F 1wt％；Cl 1wt％；P2O5 2.3wt％；Y2O3 3.5wt％；La2O3 1.5wt％
且以碳酸盐，硝酸盐，氧化物，氯化物和氟化物形式，称量，混合后加入熔炉中，配合料在1400℃熔融，澄清、均化后成型为理想的形状，然后以100℃/小时升温到550℃保温3小时，以100℃/小时升温到780℃保温2小时，热处理后即可获得所要的微晶玻璃。该微晶玻璃的弹性模量9650kgf/cm2。断裂强度均大于27kgf/cm2。晶粒尺寸却在0.3μm以下。按现有普通加工技术加工后表面粗糙度为4.1埃。此微晶玻璃经打孔，滚边，研磨，抛光，既成为记忆装置的基板，可在此基板上镀磁膜等各种记忆膜。
实施例6
玻璃的组成以重量百分比表示为：SiO2 70.4wt％；Li2O 9.8wt％；Al2O3 3.0wt％；MgO 2.3wt％；ZnO 1.4wt％；Cu 1.9wt％；F 1wt％；Cl 1wt％；P2O5 2.3wt％；Y2O3 3.0wt％；La2O3 1.0wt％；CeO2 3wt％
且以碳酸盐，硝酸盐，氧化物，氯化物和氟化物形式，称量，混合后加入熔炉中，配合料在1400℃熔融，澄清、均化后成型为理想的形状，然后以100℃/小时升温到550℃保温3小时，以100℃/小时升温到780℃保温2小时，热处理后即可获得所要的微晶玻璃。该微晶玻璃的弹性模量9630kgf/cm2。断裂强度均大于27kgf/cm2。晶粒尺寸却在0.3μm以下。按现有普通加工技术加工后表面粗糙度为4.2埃。此微晶玻璃经打孔，滚边，研磨，抛光，激光网纹加工，既成为记忆装置的基板，可在此基板上镀磁膜等各种记忆膜。
实施例7
玻璃的组成以重量百分比表示为：SiO2 70.4wt％；Li2O 9.8wt％；Al2O3 3.0wt％；MgO 2.3wt％；ZnO 1.4wt％；Cu 1.9wt％；F 1wt％；Cl 1wt％；P2O5 2.3wt％；Y2O3 3.0wt％；La2O3 1.0wt％；Fe2O3 2 V2O5 1
且以碳酸盐，硝酸盐，氧化物，氯化物和氟化物形式，称量，混合后加入熔炉中，配合料在1400℃熔融，澄清、均化后成型为理想的形状，然后以100℃/小时升温到550℃保温3小时，以100℃/小时升温到780℃保温2小时，热处理后即可获得所要的微晶玻璃。该微晶玻璃的弹性模量9610kgf/cm2。断裂强度均大于26.7kgf/cm2。晶粒尺寸却在0.3μm以下。按现有普通加工技术加工后表面粗糙度为4.2埃。此微晶玻璃经打孔，滚边，研磨，抛光，激光网纹加工，既成为记忆装置的基板，可在此基板上镀磁膜等各种记忆膜。
实施例8
玻璃的组成以重量百分比表示为；SiO2 70.4wt％；Li2O 9.8wt％；Al2O3 3.0wt％；MgO 2.3wt％；ZnO 1.4wt％；Cu 1.9wt％；F 1wt％；Cl 1wt％；P2O5 2.3wt％；Y2O3 3.0wt％；La2O3 1.0wt％；Cr2O3 3
且以碳酸盐，硝酸盐，氧化物，氯化物和氟化物形式，称量，混合后加入熔炉中，配合料在1400℃熔融，澄清、均化后成型为理想的形状，然后以100℃/小时升温到550℃保温3小时，以100℃/小时升温到780℃保温2小时，热处理后即可获得所要的微晶玻璃。该微晶玻璃的弹性模量9620kgf/cm2。断裂强度均大于26.6kgf/cm2。晶粒尺寸却在0.3μm以下。按现有普通加工技术加工后表面粗糙度为4.2埃。此微晶玻璃经打孔，滚边，研磨，抛光，激光网纹加工，既成为记忆装置的基板，可在此基板上镀磁膜等各种记忆膜。

Claims (9)

1．微晶玻璃，其特征在于在SiO2-Li2O-Al2O3-P2O5系统微晶玻璃中掺入Y2O3，其中各主要物质原料含量的重量百分比为：SiO2 65-80wt％；Li2O 7-12wt％；Al2O3 2-5wt％；P2O5 1-4wt％；Y2O30.5-8wt％。
2．微晶玻璃，其特征在于在SiO2-Li2O-Al2O3-P2O5系统微晶玻璃中掺入La2O3，其中各主要物质原料含量的重量百分比为：SiO2 65-80wt％；Li2O 7-12wt％；Al2O3 2-5wt％；P2O5 1-4wt％；La2O31-8wt％。
3．微晶玻璃，其特征在于在SiO2-Li2O-Al2O3-P2O5系统微晶玻璃中掺入Y2O3+La2O3，其中各主要物质原料含量的重量百分比为：SiO2 65-80wt％；Li2O 7-12wt％；Al2O3 2-5wt％；P2O5 1-4wt％；Y2O3+La2O3=0.5-8wt％。
4．如权利要求1、2、3所述的微晶玻璃，其特征在于还掺杂下列一种或多种过渡金属元素：Fe2O31-3wt％,CuO 1-3wt％,MgO 1-3wt％,ZnO 1-3wt％,Cu 1-3wt％,Cr2O3 1-3wt％,V2O5 1-3wt％，稀土金属元素CeO2 1-3wt％。
5．如权利要求1、2、3所述的微晶玻璃，其特征在于还掺有F 0.1-4wt％；Cl 0.1-5wt％；P2O51-4wt％；RO 2-8wt％,R为二价元素。
6．如权利要求5所述的微晶玻璃，其特征在于还掺有R2O＜6wt％；B2O3＜5wt％。
7．如权利要求1、2、3、6所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于以碳酸盐，硝酸盐，氧化物，氯化物和氟化物形式称量，混合后加入熔炉中，混合料在1400-1450℃熔融，澄清、均化后成型为理想的形状，然后以100℃/小时升温到550℃保温3小时，以100℃/小时升温到780℃保温2小时，热处理后即可获得所要的微晶玻璃。
8．如权利要求4所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于以碳酸盐，硝酸盐，氧化物，氯化物和氟化物形式称量，混合后加入熔炉中，混合料在1400℃熔融，澄清、均化后成型为理想的形状，然后以100℃/小时升温到550℃保温3小时，以100℃/小时升温到780℃保温2小时，热处理后即可获得所要的微晶玻璃。
9．如权利要求5所述的微晶玻璃的制造方法，其特征在于以碳酸盐，硝酸盐，氧化物，氯化物和氟化物形式称量，混合后加入熔炉中，混合料在1400℃熔融，澄清、均化后成型为理想的形状，然后以100℃/小时升温到550℃保温3小时，以100℃/小时升温到780℃保温2小时，热处理后即可获得所要的微晶玻璃。
CN 00114592 2000-05-24 2000-05-24 微晶玻璃及其制造方法 Pending CN1324775A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 00114592 CN1324775A (zh) 2000-05-24 2000-05-24 微晶玻璃及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 00114592 CN1324775A (zh) 2000-05-24 2000-05-24 微晶玻璃及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1324775A true CN1324775A (zh) 2001-12-05

Family

ID=4584250

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 00114592 Pending CN1324775A (zh) 2000-05-24 2000-05-24 微晶玻璃及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1324775A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101139171B (zh) * 2007-07-28 2011-02-02 广东科迪微晶玻璃实业有限公司 超低膨胀系数高透明度微晶玻璃以及其制品的生产方法
CN102976616A (zh) * 2012-11-28 2013-03-20 江苏宜达光电科技有限公司 锂铝硅微晶玻璃浮法制备方法
CN103951239A (zh) * 2014-05-08 2014-07-30 宁波大学 稀土离子掺杂的LiLaCl4微晶玻璃及其制备方法
CN101117270B (zh) * 2007-06-07 2016-03-02 河南安彩高科股份有限公司 高弹性模量的铝硼硅酸盐玻璃及其应用

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101117270B (zh) * 2007-06-07 2016-03-02 河南安彩高科股份有限公司 高弹性模量的铝硼硅酸盐玻璃及其应用
CN101139171B (zh) * 2007-07-28 2011-02-02 广东科迪微晶玻璃实业有限公司 超低膨胀系数高透明度微晶玻璃以及其制品的生产方法
CN102976616A (zh) * 2012-11-28 2013-03-20 江苏宜达光电科技有限公司 锂铝硅微晶玻璃浮法制备方法
CN103951239A (zh) * 2014-05-08 2014-07-30 宁波大学 稀土离子掺杂的LiLaCl4微晶玻璃及其制备方法
CN103951239B (zh) * 2014-05-08 2016-06-08 宁波大学 稀土离子掺杂的LiLaCl4微晶玻璃及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5053948B2 (ja) 結晶化ガラス
JP2799544B2 (ja) 情報記録ディスク用結晶化ガラス
JP4755135B2 (ja) 結晶化ガラス
KR100188901B1 (ko) 자기디스크용 결정화 유리기판
JP3131138B2 (ja) 磁気ディスク用結晶化ガラス基板
CN1042827C (zh) 磁盘基片用的玻璃-陶瓷及其制法
US20140141285A1 (en) Crystallized glass and crystallized glass substrate for information recording medium
US6593257B1 (en) Glass-ceramic composition for recording disk substrate
CN1125789C (zh) 一种高强度磁盘基板用微晶玻璃及其制造方法
US6524982B1 (en) Glass-ceramic composition for recording disk substrate
JP2977068B2 (ja) 化学強化用ガラス
CN1324775A (zh) 微晶玻璃及其制造方法
JP3130800B2 (ja) 磁気ディスク基板用ガラス組成物及び磁気ディスク基板
JP4273625B2 (ja) ガラス組成物
JP4831854B2 (ja) 結晶化ガラス組成物
JP4265036B2 (ja) 結晶化ガラス組成物
JP4273623B2 (ja) ガラス組成物
US6583077B1 (en) Glass-ceramic composition for recording disk substrate
JP4300676B2 (ja) ガラス組成物
JP2002203309A (ja) 情報記録媒体用の結晶化ガラス基板
JP4265035B2 (ja) 結晶化ガラス組成物
US6458729B1 (en) Glass-ceramic composition for recording disk substrate
US6624101B1 (en) Glass-ceramic composition for recording disk substrate
US6573206B1 (en) Glass-ceramic composition for recording disk substrate
JP4284763B2 (ja) ガラス組成

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
AD01 Patent right deemed abandoned
C20 Patent right or utility model deemed to be abandoned or is abandoned