CN1307476C - 导光板模仁的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明是关于一种导光板模仁的制造方法，包括以下步骤：提供一导光板模仁基板；在基板上涂布一正型光致抗蚀剂层；对上述基板利用预先绘制有透光图案的掩模采用黄光进行曝光；显影；蚀刻，在基板表面形成多个U形槽；在上述具有U形槽的基板上涂布一正型光致抗蚀剂层；采用另一与上述掩模透光图案一致且透光部分尺寸较小的掩模对该基板进行曝光；显影；蚀刻，即得到具多个V形槽的导光板模仁。

Description

导光板模仁的制造方法

【技术领域】

本发明是关于一种导光板模仁的制造方法。

【背景技术】

随着科技的发展，液晶显示器的重要性日益突显，因液晶显示器中的液晶层自身不能发光，为其提供亮度高及均匀度好的光照的前光系统或背光系统的重要性也不可忽视。

目前，背光系统主要由灯管、导光板、位于导光板底面一侧的反射片、位于导光板出光面一侧的扩散膜及棱镜片构成，其中作为液晶显示器关键部件的导光板的性能优劣直接影响液晶显示器画面质量，其可将点光源(如LED)或线光源(如CCFL)所发出的光线转变为分布均匀的面光源后为液晶面板提供照明。为节约成本，可将导光板与具有聚光功能的棱镜片整合为一体，即在导光板的出光面设置V形槽结构，使导光板在增加显示亮度的同时，减少棱镜片的使用，降低背光系统的成本。

现有具V形槽结构的导光板可采用射出成型法制得，因而一般需先制得与上述导光板形状相对应的导光板模仁，而模仁成型表面的V形槽一般采用机械方式如精密机械加工法进行，其主要利用昂贵的钻石超精密加工机在模具上进行V形凹槽处理，用此种方法制得的导光板模仁精度差，模仁上的V形槽通常具有线缺陷(LineDefect)或点缺陷(Point Defect)，从而导致使用该模仁制得的导光板表面V形槽精度差，且该机械方式制得的导光板模仁良率较低。

【发明内容】

为克服现有技术导光板模仁制造方法所制得的导光板模仁精度低且良率较低的缺陷，本发明提供一种可制造精度高且良品率高的导光板模仁制造方法。

本发明解决技术问题所采用的技术方案是：提供一导光板模仁基板；在基板上涂布一层正型光致抗蚀剂层；对上述基板利用预先绘制有透光图案的掩模进行曝光；显影；蚀刻，在基板表面形成多个U形槽；在上述具有U形槽的基板上涂布一正型光致抗蚀剂层；采用另一与上述掩模透光图案一致且透光部分尺寸较小的掩模对该基板进行曝光；显影；蚀刻，即得到具多个V形槽的导光板模仁。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：由于本发明导光板模仁的制造方法采用半导体制程进行，且采用二次曝光、显影及蚀刻因而该方法所制得的具有V形槽的模仁及采用该导光板模仁所制得的导光板精度高，良品率高。

【附图说明】

图1是本发明导光板模仁制造方法的流程图。

图2是本发明导光板模仁制造方法的涂布光致抗蚀剂层示意图。

图3是本发明导光板模仁制造方法的第一次曝光示意图。

图4是本发明导光板模仁制造方法的第一次显影示意图。

图5是本发明导光板模仁制造方法的第一次蚀刻示意图。

图6是本发明导光板模仁制造方法的第一次去除余留光致抗蚀剂层后的导光板模仁示意图。

图7是本发明导光板模仁制造方法的第二次涂布光致抗蚀剂层示意图。

图8是本发明导光板模仁制造方法的第二次曝光示意图。

图9是本发明导光板模仁制造方法的第二次显影示意图。

图10是本发明导光板模仁的制造方法的第二次蚀刻示意图。

图11是本发明导光板模仁制造方法的第二次去除余留光致抗蚀剂层后的导光板模仁示意图。

图12是采用本发明方法制得的导光板模仁的立体图。

【具体实施方式】

请参照图1，本发明导光板模仁制造方法包括以下步骤：提供一导光板模仁基板；在基板上涂布一层光致抗蚀剂层；对上述基板利用预先绘制有图案的掩模进行曝光；显影；蚀刻，在基板表面形成多个的U形槽；在上述具U形槽的基板上涂布一光致抗蚀剂层；采用另一与上述掩模图案一致且透光部分尺寸较小的掩模对该基板进行曝光；显影；蚀刻，即得到具多个V形槽的导光板模仁。

请参照图2，首先提供一模仁基板20，基板20的材质可采用金属或者树脂。将基板20洗净后置于光阻涂布机(图未示)上，以转速4000转/分、旋转25秒均匀涂布一层厚度约为20微米的光致抗蚀剂层22。该光致抗蚀剂层22的材料可使用正型光致抗蚀剂，也可使用负型光致抗蚀剂。图示中以使用正型光致抗蚀剂为例进行介绍。

请参照图3，将预先绘制有图案的掩模24架设于上述基板20的涂布光致抗蚀剂层22一侧的上方，采用黄光光源对光致抗蚀剂层22进行曝光。通过曝光过程，光致抗蚀剂层22形成硬化区221与可溶解区222，其中硬化区221与掩模24的不透光部分241相对应，而可溶解区222与掩模24的透光部分242相对应。

请参照图4，对于曝光后的光致抗蚀剂层22进行显影。利用显影液进行湿式腐蚀法显影，通过控制显影液浓度及显影时间，将可溶解区222精确去除，使得余留硬化区221所组成的图案与上述掩模24的图案一致，如此掩模24的图案即转写到光致抗蚀剂层22上。

请参照图5，是将经过上述步骤后具有光致抗蚀剂层22硬化区221的基板20进行蚀刻。其采用湿法化学蚀刻，即使用化学溶液使其与基板20的裸露表面发生化学反应，由于化学溶液的腐蚀特性，则基板20上形成多个平行排列的U形槽26，此U型槽26开口较硬化区221的间距大。

请参照图6，去除余留硬化区221，即得到具有多个U型槽26的基板20。

请参照图7，在上述具有多个U型槽26的基板20上，涂布正型光致抗蚀剂层22′，其中正型光致抗蚀剂填满上述多个U型槽26，且正型光致抗蚀剂层22′表面平坦。

请参照图8，在上述涂布正型光致抗蚀剂层22′的基板20上方架设掩模24′，使掩模24′的透光部分242′与基板20上U型槽26位置相对应，其中此掩模24′的图案与掩模24的图案一致，且透光部分242′尺寸比掩模24的透光部分242尺寸小。经黄光曝光后，光致抗蚀剂层22′形成硬化区221′与可溶解区222′，其中硬化区221′与掩模24′的不透光部分241′相对应，而可溶解区222′与掩模24′的透光部分242′相对应。

请参照图9，对曝光后的光致抗蚀剂层22′进行显影，精确去除可溶解区222′，余留硬化区221′所组成的图案与上述掩模24′的图案一致。

请参照图10，对具有硬化区221′的基板20进行湿法化学蚀刻，从而在基板20上形成多个比上述U型槽26更细小的U形槽26′。

请参照图11及图12，是去除余留的硬化区221′后的基板20，其上具有多个在U型槽26基础上进一步形成U型槽26′后所得到的V型槽27，如此即得到具有多个V形槽27的导光板模仁2，其中V形槽27的顶角在75度到115度范围内，V形槽27的节距L为10微米到100微米，V形槽27的高度H为5微米到100微米。

为了增加导光板模仁2V型槽27的精度，可重复上述U型槽形成过程，每次所用的掩模图案均一致，但掩模的透光部分尺寸均比上次掩模透光部分尺寸小。

Claims (8)

1.一种导光板模仁的制造方法，包括以下步骤：提供一导光板模仁基板；在基板上涂布一层正型光致抗蚀剂层；对上述基板利用预先绘制有透光图案的掩模进行曝光；显影；蚀刻，在基板表面形成多个U形槽；在上述具有U形槽的基板上涂布正型光致抗蚀剂层；采用另一与上述掩模透光图案一致且透光部分尺寸较小的掩模对上述基板进行曝光；显影；蚀刻，即得到具多个V形槽的导光板模仁。

2.如权利要求1所述的导光板模仁的制造方法，其特征在于：上述多个U形槽为平行排列。

3.如权利要求1所述的导光板模仁的制造方法，其特征在于：上述多个V形槽为平行排列。

4.如权利要求1所述的导光板模仁的制造方法，其特征在于：该正型光致抗蚀剂层的涂布是采用光阻涂布机。

5.如权利要求1所述的导光板模仁的制造方法，其特征在于：该曝光光源为黄光。

6.如权利要求1所述的导光板模仁的制造方法，其特征在于：该V形槽顶角大小范围在75度到115度。

7.如权利要求1所述的导光板模仁的制造方法，其特征在于：该V形槽节距为10微米到100微米。

8.如权利要求1所述的导光板模仁的制造方法，其特征在于：该V形槽高度范围为5微米到100微米。

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