CN1285527A - 对传输光进行电光调制的方法和装置 - Google Patents

Abstract

一种对传输光进行电光调制的方法和装置,该方法利用衰减全反射谱线的下降沿或上升沿的线性区范围内选择电光调制器的工作点,再利用电场改变电光调制器的电光介质折射率来控制入射光的衰减全反射角度;电光调制装置包括光学棱镜部、基体部、电信号调制部,光学棱镜部置于基体部上,电信号调制部的输出接至基体部。利用该方法制取的装置具有较高的调制带宽、较小的调制损耗、较小驱动功率,同时保证具有工艺简单、价格低廉、小型化等高技术性能。

Description

对传输光进行电光调制的方法和装置

本发明涉及对光调制技术，更具体地涉及对传输光进行电光调制的方法和装置。

在光电子通信和光信息处理领域中，经常需要根据外界信号来对传输光进行控制，实现这一功能的器件称为光调制器。根据光调制器所依据物理效应的不同，又分为电光调制、声光调制和磁光调制等。即，由外界输入电、声、磁等信号，对光进行位相、频率、强度调制，以及偏振面旋转、传播方向偏折等方面的控制，使输出光携带所需信息或按设计要求实现某些参数的变化。光调制器的应用前景十分广泛，因为光信号具有许多电信号无法比拟的优势，如频率高、抗干扰性能强等。尤其是激光问世以来，更以其强度大、单色性好、方向性强等一系列独特优点在国民经济的各个领域如精密测量、材料加工、通讯、测距、全息检测、医疗、农业等获得了极为广泛的应用。

电光调制原理是利用电光效应，外加电场会引起物质折射率的改变，从而影响光波在物质中的传播特性，这种现象称为电光效应。在此效应中，折射率变化与外加电场成比例的关系称为线性电光效应，又称为Pockels效应；折射率变化与外加电场的平方成比例的关系称为二次电光效应，又称为Kerr效应。因为Kerr效应一般很弱，所以一般应用以Pockels效应为主。在结晶固体或极化聚合物体内，线性电光效应产生的折射率改变可方便地用光学折射率矩阵分量的改变来表述。电场作用前折射率椭球方程为： ${\left(\frac{1}{n^2}\right)}_1{x}^2+{\left(\frac{1}{n^2}\right)}_2{y}^2+{\left(\frac{1}{n^2}\right)}_3{z}^2+2{\left(\frac{1}{n^2}\right)}_4\mathrm{yz}+2{\left(\frac{1}{n^2}\right)}_5\mathrm{xz}+2{\left(\frac{1}{n^2}\right)}_6\mathrm{xy}=1$

如果选择x、y和z轴使其平行于晶体的主轴，由于电场E的作用，这些系数的线性变化为： $\mathrm{\Δ}{\left(\frac{1}{n^2}\right)}_i=\underset{j=1}{\overset{3}{\mathrm{\Σ}}}{r}_{\mathrm{ij}}{E}_j$

其中i=1、2、3、4、5、6，j=1、2、3、分别对应于x、y、z轴。如果将上式写成矩阵形式，此6×3[r_ij]矩阵称为电光张量。

由于折射率的变化已能由外部电场来控制，因而可以用外部电调制信号来控制光束的各种物理特性。

现有的电光调制器均采用干涉方式的电光调制器，如Mach-Zehnder就是干涉型或其改进型结构。美国Uniphase公司的许多高速模拟和数字式调制器均采用了Mach-Zehnder干涉型的结构。在这种干涉型波导结构中，两个位相相干的光波传输了不同的长度后发生了相干。工作时，光线经由单模波导输人到调制器，分束器将光分配成两能量相等的光束，各自沿波导通道a和b传播。电极加上电压后，由于电光效应使光传播的有效路程发生变化。在这类理想设计的调制器中，路程长度及波导特性都是一模一样的，所以在没有电场作用时，分路光束在输出波导内重新合成而再次产生最低阶模。如果加上了电场，以致两臂间产生π弧度的相移变化，这样光束重新合成就使输出波导中心的光场为零，即相当于第一阶模。如果输出波导和输入波导完全一样，也是一个单模波导，此第一阶模就被截止，并且经过一段较短的距离就通过衬底辐射很快的消失了。因而，通过电压的作用此调制器就可以从一个传输态变换到一个非传输态。

Mach-Zehnder干涉型或其改进型结构的电光调制器是当今世界上光调制器的主流，它的优点是调制带宽比较高，如美国Lawrence Livermore国家实验室现以制成调制带宽为40GHz的铌酸锂LiMbO₃调制器并已实用化。但这类波导结构的调制器普遍存在着插入损耗大，制作工艺复杂的缺点。其插入损耗一般在2dB左右，这意味着调制过程中接近40％的输入能量损失掉了。同时其制作过程中广泛采用的微加工工艺增加了制作的困难度。例如Mach-Zehnder干涉型调制器的制备过程包括电极设计、制版、掩模、光刻、刻蚀、剥离等一系列复杂精细的微加工工艺，且整个过程必须在超净除尘的净化室中进行。这就决定了用干涉型方法制作的电光调制器价格昂贵的特点。

声光调制器原理为，声波在固体中传播时，会引起固体内部的机械应变。机械应变会引起折射率的变化，从而影响在介质中传播光波的位相。此即所谓光弹性效应。和电光效应一样，可以用一个把应变张量和折射率椭球联系起来的四阶张量来(光弹张量)表示。现已证明，折射率的变化△n与声功率P_a的关系为 $\mathrm{\Δn}=\sqrt{\frac{n^6{p}^2{10}^7{P}_a}{2{\mathrm{\ρ\ν}}_a^{3}A}}$

其中n为无应变介质的折射率，p是可适用的光弹张量元，P_a是以瓦(W)为单位的声波功率，p是质量密度，ν_a为声速，A是波传播途径的横截面。

由声波产生的△n会导致光波之间的相互作用，如果实现适当的位相匹配，可使光波相互叠加或相互抵消，产生明显的衍射效应，从而控制光波的位相、强度和方向。声波在固体中传播时，会引起固体内部的机械应变。机械应变会引起折射率的变化，从而影响在介质中传播光波的位相。此即所谓光弹性效应。和电光效应一样，可以用一个把应变张量和折射率椭球联系起来的四阶张量来(光弹张量)表示。现已证明，折射率的变化△n与声功率P_a的关系为 $\mathrm{\Δn}=\sqrt{\frac{n^6{p}^2{10}^7{P}_a}{2{\mathrm{\ρ\ν}}_a^{3}A}}$

其中n为无应变介质的折射率，p是可适用的光弹张量元，P_a是以瓦(W)为单位的声波功率，p是质量密度，ν_a为声速，A是波传播途径的横截面。

声波产生的△n会导致光波之间的相互作用，如果实现适当的位相匹配，可使光波相互叠加或相互抵消，产生明显的衍射效应，从而控制光波的位相、强度和方向。

现有较有实用价值的声光调制器均采用布拉格型衍射结构，该结构如图3所示。电信号作用在压电陶瓷上，在声光介质内部产生超声波。由于光弹性效应在声光介质内部形成周期性的折射率改变，相当于一个由声波控制的光栅。光束以一特定的角度(布拉格角)入射到该光栅结构上，当满足一定条件时，便在空间形成0级光(透射光)和1级光(衍射光)。所需满足的条件为： $\frac{2\mathrm{\π}{\mathrm{\λ}}_{0}L{f}_a^2}{n{V}^2}>4\mathrm{\π}$

其中L为声光作用距离，λ₀为真空中光波长，f_a为超声波的频率，V为介质中的超声波波速，n为介质光折射率。

1级光的强度为 $I_1\∝A_{\mathrm{RF}}{\sin }^2(K_1\sqrt{\mathrm{Me}{P}_a}/{\mathrm{\λ}}_0)$

其中K₁为压电晶体特征系数，Me为声光介质材料的特征系数，A_RF为所加电信号大小。

1级光偏折方向由下式给出 ${\mathrm{\θ}}_B={\sin }^{-1}\left(\frac{{\mathrm{\λ}}_0{f}_a}{2V}\right)$

1级光的频率为ν₁=ν+f_a

其中ν为人射光的频率。

这样，就实现了光的方向、强度和频率的控制。

日本Hoya-Schott公司和美国Isomet公司均采用布拉格光栅结构，实现一级光的强度调制。声光调制器的最大优点是器件的驱动功率比较小。但缺点也很明显，调制带宽比较小，即调制速度比较慢，无法满足高速数字通信的需要。现有最高调制带宽的声光调制器调制带宽为200MHz，相比电光调制器几十甚至上百GHz(1G=1000M)的调制带宽要小得多。另外现有的声光调制器都采用结晶工艺制造，制造加工非常复杂，成本较高，因而要在大范围推广仍有一定的难度。

以上介绍的是世界上目前比较先进的光波调制的原理和实用器件，不管其依据的物理效应是什么，最终目的都是希望用电信号来调制光信号，控制光的各种参数。同时希望实现较高的调制带宽、较小的调制损耗以及较小的器件功耗。就目前的实际产品来看，虽然各有优点，但普遍存在制造复杂、成本较高的不利特点。

因此，如何针对上述干涉型电光调制器和布拉格型声光调制器存在的缺点，用最经济而高效的方法对激光或其它光信号进行高速、低损耗、低能耗的控制，是当今迫切需要解决的重大问题。

为此，本发明的目的是提供一种对传输光进行电光调制的方法和装置，力图用全新的方法来实现电光调制，同时保证利用该电光调制方法所制得的器件具有工艺简单、价格低廉、小型化等高技术性能，使之更具有实用价值和产业化。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案，

其方法为：

一种对传输光进行电光调制的方法，该电光调制方法是利用衰减全反射谱线的下降沿的线性区范围内选择电光调制器的工作点，再利用电场(调制信号)改变电光调制器的电光介质折射率来控制入射光的衰减全反射角度，从而实现调制反射光强度。

一种对传输光进行电光调制的方法，该电光调制方法是利用衰减全反射谱线的上升沿的线性区范围内选择电光调制器的工作点。再利用电场(调制信号)改变电光调制器的电光介质折射率来控制入射光的衰减全反射角度，从而实现调制反射光强度。

依上述方法所制得的装置为：

一种对传输光进行电光调制的装置，该装置包括光学棱镜部、基体部、电信号调制部，光学棱镜部置于基体部上，所述的基体部包括有上层金属膜、电光介质、隔离介质、下层金属膜，并依次相叠而设，电信号调制部的输出接至基体部。

一种对传输光进行电光调制的装置，该装置包括光学棱镜部、基体部、电信号调制部，光学棱镜部置于基体部上，所述的基体部包括有上金属电极、电光介质、隔离介质、下金属电极，电光介质和隔离介质置于上下金属电极之间，电信号调制部的输出接至上金属电极和下金属电极。

由于本发明采用了全新的方法来实现电光调制，即，利用衰减全反射谱线的下降沿或上升沿的线性区范围内选择电光调制器的工作点，再利用电场(调制信号)改变电光调制器的电光介质折射率来控制入射光的衰减全反射角度，从而实现了调制反射光强度；以及依上述方法而制作的电光调制装置来对传输光进行电光调制。因此，本发明既可克服Mach-Zehnder干涉型或其改进型的电光调制器普遍存在着插入损耗大，制作工艺复杂、价格昂贵的缺点。同时，又克服了布拉格型声光调制器存在的调制带宽比较小、调制速度比较慢、无法满足高速数字通信的需要的缺点。具有较高的调制带宽、较小的调制损耗、较小驱动功率，同时保证器件具有工艺简单、价格低廉、小型化等高技术性能。

下结合附图和实施例，对本发明的方法和装置作进一步地详细描述：

图1为光调制器工作原理示意图。

图2为Mach-Zehnder干涉型电光调制器结构示意图。

图3为布拉格型声光调制器结构示意图。

图4为实验测得的衰减全反射谱线图。

图5为理论计算得到的部分谱线图。

图6为本发明的电光调制装置结构示意图。

图7为本发明的电光调制装置结构的参数定义示意图。

图8为本发明的电光调制装置又一结构示意图。

请参阅图1所示，该图示意了光调制器的一般工作原理，包括了电光调制、声光调制、磁光调制。光调制器上面的箭头表示外界输入信号，也是调制信号，左面的箭头表示入射光，它为原始光，不带有信息，右面的箭头表示出射光，它为输出光，已携带了外界信息。

图2示意了Mach-Zehnder干涉型电光调制器的结构，图中1为电光调制器的衬底，2表示电极，中间的电极接调制信号VS，另二个电极接地，3为光波通道。

图3示意了布拉格型声光调制器的结构，图中，4为压电陶瓷，5为声光晶体，调制信号VS直接接至压电陶瓷4上。

请参阅图4、图5所示，横坐标为人射光的入射角度，纵坐标为反射光的相对光强度I，在图4中，AB段表示下降沿，下降沿的底部B为衰减全反射谱线的吸收峰，相对应的入射角为同步角，从图中要以看出AB段呈良好的线性。同样图5中，AB段也具有良好的线性。如图4、图5所示，对于上升沿CD来说，也具有良好的线性。

为了能便于更好地理介本发明所基于的原理，请先结合图6、图7所示。图6中，由上至下为棱镜11、上层金属膜12、电光介质13、隔离介质14、下层金属膜15构成了电光调制器10。上下两层金属膜12、15构成原理上的电光调制器10的上下电极，电光介质13为工作物质。外界信号(电调制信号)通过改变电光介质13的折射率n₃来对入射光λi的强度进行调制。隔离介质14的作用是防止电光介质13因厚度太小、场强过大而击穿。另外，若采用极化聚合物作为电光介质13，则还能防止聚合物在极化过程中直接受高动量电离离子的冲击而造成损伤。

电光调制器10工作时，入射光λi从棱镜11入射至棱镜11底面与上层金属膜12的交界处。当入射角比较小时，光的能量一部分反射，一部分透射，此时反射能量较小。当入射角度逐渐增加，直至棱镜11与上层金属膜12的临界角时，透射能量减为零，能量全部反射。当入射角度继续增大，并到某一特定角度时，棱镜11与上层金属膜12交界面的光波矢沿棱镜底面方向的能量大小与上层金属膜中离子振动能量大小一致时，就会激发等离子共振，这时会引起反射能量的急剧下降，形成表面等离子共振吸收(Surface Plasmons Resonance)，又称为衰减全反射(Attenuated Total Reflection)。在整个角度范围内，存在若干特征角度，均能产生表面等离子共振吸收。每产生一次吸收，称为一个模式，而与这些模式对应的角度称为同步角。整个角度范围内反射光强的变化曲线称为衰减全反射(ATR)谱，ATR谱上与等离子共振吸收对应的峰称为ATR吸收峰(图4、图5中的B点)。ATR谱既可通过实际测量也可通过理论计算来得到，实际测量到的ATR全谱如图4所示，理论计算得到的部分谱如图5所示。

ATR谱的特性之一是整个谱线的位置对于电光介质13的折射率n₃的变化很敏感，当n₃变化很小时，整个ATR谱的变化表现为沿坐标横轴方向发生一微小位移。在ATR谱上(图5)，其全反射吸收峰的下降沿存在着一段线性区，在图中用AB表示。该段区域的线性较好、斜率较大。这样如果把工作点选择在AB段的中点S处，即，保持光线入射角θ=θ_s，θ_s称为电场敏感角。当在电极上施加一个工作电压之后，由于电光效应会引起电光材料介电系数的微小变化，进而引起整个ATR谱线的平移变化，这样由于AB段的线性特性将使得θ_s处的反射光强随工作电压线性变化，依此，就可实现了一个衰减反射电光调制器的功能。

从理论分析也可支持本发明的观点和目的的实现：

由于施加了电场E而引起的同步角的变化△θ为 $\mathrm{\Δ\θ}=\frac{\mathrm{d\θ}}{d{n}_3}\mathrm{\Δ}{n}_3=\frac{\mathrm{d\θ}}{d{n}_{\mathrm{eff}}}\frac{d{n}_{\mathrm{eff}}}{d{n}_3}\mathrm{\Δ}{n}_3$ 其中n_eff模式的有效折射率。电场引起的工作物质折射率变化为： $\mathrm{\Δ}{n}_3=-\frac{1}{2}{n_3}^3{\mathrm{\γ}}_{i3}E$ i=1或3分别对应于TE和TM的偏振方向。根据金属波导的特性可知 $\frac{d{n}_{\mathrm{eff}}}{d{n}_3}=1$ 又由棱镜耦合条件n_eff=n₁sinθ，可得 $\mathrm{\Δ\θ}=-\frac{{\mathrm{\γ}}_{i3}{n_3}^3}{2n_1\cos \mathrm{\θ}}E$ 设ATR下降沿斜率为k，即△I=k△θ，则有 $\mathrm{\ΔI}=-\frac{k{\mathrm{\γ}}_{i3}{n_3}^3}{2n_1\cos \mathrm{\θ}}E$

上式中得到了反射光强与所施加电场成正比的关系，这就是衰减全反射型光强调制器的工作理论基础。

请再参阅图4、图5所示，基于上述原理，本发明的对传输光进行电光调制的方法可以通过以下二种方式：

一种是利用衰减全反射谱线的下降沿AB段的线性区范围内选择电光调制器的工作点，再利用电场(调制信号)改变电光调制器的电光介质折射率来控制入射光的衰减全反射角度，从而实现调制反射光强度。

所述的电光调制器的工作点选择在衰减全反射谱线的下降沿AB段的线性区的中部的某一点处，此时，一但选定中部的某一点S处，则相对应于S处，所述入射光的入射角为电场敏感角θ_s。

另一种是利用衰减全反射谱线的上升沿CD段的线性区范围内选择电光调制器的工作点。再利用电场(调制信号)改变电光调制器的电光介质折射率来控制入射光的衰减全反射角度，从而实现调制反射光强度。

所述的电光调制器的工作点选择在衰减全反射谱线的上升沿CD段的线性区的中部的某一点处，此时，一但选定中部的某一点S处，则相对应于S处，所述入射光的入射角也为电场敏感角θ_s。

请继续参阅图6、图7所示，

该装置包括光学棱镜部11、基体部、电信号调制部VS，光学棱镜部11置于基体部上，所述的基体部进一步包括有上层金属膜12、电光介质13、隔离介质14、下层金属膜15，并依次相叠而设，电信号调制部VS的输出接至基体部。

所述的光学棱镜部11采用以棱镜作为光密媒质的能保证全反射现象发生的棱镜，折射率n₁在1.1-4.0之间的高折射率棱镜。

所述的光学棱镜部11可选择等边、等腰、柱面、球面或其它形状的光学棱镜。

所述的上层金属膜12、下层金属膜15为单层膜或多层膜。在制作上层金属膜12时，把该层金属膜镀在棱镜11的下表面，其厚度须严格控制，因为该层金属膜的厚度直接影响表面等离子共振激发的效率，直接影响ATR吸收峰的深度，对调制深度参数起决定作用。在本发明中，上层金属膜12的厚度在40nm-500nm之间，下层金属膜15的厚度也可参照上层金属膜12的厚度取值。

所述的金属膜可选择银、金、铝、铂等在光频范围内介电常数实部ε_γ≤-5，介电常数虚部ε_i≤2.0的金属。

所述的电光介质13的电光系数为γ＞3pm/V。可选用具有电光系数较高的有机薄膜或无机晶体。可采用不导电的有机或无机材料。电光介质13厚度的取值在1μm-5μm之间。

所述的隔离介质14选用不导电的有机或无机材料，其厚度取值在1μm～5μm之间。

如，棱镜部11选用高折射率等边三角棱镜(n=1.750)。上层金属膜12采用银(632.8nm波长下ε=-18+i0.47)。电光介质13采用DANS/MMA有机聚合物，γ=27.8pm/V，n₄=1.680。隔离介质14采用紫外固化剂，n₃=1.574。下层金属膜15也采用银。

除了上述结构的电光调制装置外，本发明还可以采用将上述装置中的基体部的上层金属膜改为上金属电极，电光介质和隔离介质诸参数不变，而下层金属膜改为下金属电极，电光介质和隔离介质仍置于上下金属电极之间，上下金属电极可以采用不同的结构，如平行板式。下金属电极也可采用针型电极15(见图8)。而电信号调制部的输出接至上金属电极和下金属电极，依这样的方案也能达所预期的效果。

本发明同现有的电光调制技术相比，具备以下优点。

1．制备简单、成本低廉。可采用极化聚合物作为工作物质，其突出优点是材料配置方便、成本很低。

2．调制损耗很低。与LiNbO₃行波型调制器相比，本反射调制器插入损耗很小，同时不需要经过传输。而且调制发生在全反射角之外，入射能量几乎能全部被反射。相对于LiNbO₃调制器几个dB的调制损耗有了很大的改善。

3驱动电压很低。有两种方法来降低驱动电压：

a．提高材料电光系数。这样在较小的电场作用下ATR谱能发生较大的移动，使得反射光强发生较大的变化。

b．增加ATR吸收峰下降沿的斜率。这又有数种方法。一是减小金属膜的介电常数的虚部。因为吸收峰的宽度主要由介电常数的虚部来决定。虚部越小，下降沿越陡。通常光波长越长，介电常数的虚部越小。二是采用低阶模进行调制。由于本调制器构成多模金属包覆波导的结构，低阶模的吸收峰一般比高阶模的吸收峰宽度窄。一般可用TM₁模来调制。

4．消光比很高。由于光强最大值和最小值完全由吸收峰的深度来决定。所以可以通过控制银膜厚度来使吸收峰最深，从而获得极佳的消光比。

5．调制带宽比较高。由于本调制器的上下两电极构成一对平行板电容器，所以不可能加上频率很高的调制信号。此频率取决于电路的RC常数。例如对于上下电极间距为8μm，电极最小面积为0.25cm²的结构，带宽约为2GHz。但可以通过减小电极面积的方法来提高调制带宽。由于反射仅发生于一点，所以可以尽量减小入射光斑的面积，同时减小电极面积。

6．调制器可以以多种模式工作。通过选择不同的工作点和工作电压，可以使调制器在不同的模式下工作：

a．以θ_s为工作点，工作电压可正可负，相当于一个双极型调制器；

b．以θ_A或θ_B为工作点，工作电压只能是正或负，相当于一个单极型调制器；

c．以θ_B为工作点，工作电压为一正或负的确定量，调制器相当于一个光开关。

a和b模式相当于模拟电光调制器，c模式相当于数字电光调制器。

本发明可应用于光通讯、光信息处理等各种有光调制需要的场合。如直接光强调制激光器(Directly Modulated Lasers)，有线电视信号传输调制器(Modulatorfor CATV Transmitters)，以及CD-ROM读写头光强调制器(Modulator for LaserBeams in CD-ROM)等。另外还可用于其它需要对激光或光束参数进行控制的情况，如精密测量、测距、全息检测、分析仪器等领域。

Claims (16)

1、一种对传输光进行电光调制的方法，其特征在于：该电光调制方法是利用衰减全反射谱线的下降沿的线性区范围内选择电光调制器的工作点，再利用电场(调制信号)改变电光调制器的电光介质折射率来控制入射光的衰减全反射角度，从而实现调制反射光强度。

2、如权利要求1所述的对传输光进行电光调制方法，其特征在于：所述的电光调制器的工作点选择在衰减全反射谱线的下降沿的线性区的中部的某一点处，所述入射光的入射角采用电场敏感角θ_s。

3、一种对传输光进行电光调制的方法，其特征在于：该电光调制方法是利用衰减全反射谱线的上升沿的线性区范围内选择电光调制器的工作点。再利用电场(调制信号)改变电光调制器的电光介质折射率来控制入射光的衰减全反射角度，从而实现调制反射光强度。

4、如权利要求3所述的对传输光进行电光调制方法，其特征在于：所述的电光调制器的工作点选择在衰减全反射谱线的上升沿的线性区的中部的某一点处，所述入射光的入射角采用电场敏感角θ_s。

5、一种对传输光进行电光调制的装置，其特征在于：该装置包括光学棱镜部、基体部、电信号调制部，光学棱镜部置于基体部上，所述的基体部包括有上层金属膜、电光介质、隔离介质、下层金属膜，并依次相叠而设，电信号调制部的输出接至基体部。

6、如权利要求5所述的对传输光进行电光调制的装置，其特征在于：所述的光学棱镜部采用以棱镜作为光密媒质的能保证全反射现象发生的棱镜。

7、如权利要求6所述的对传输光进行电光调制的装置，其特征在于：所述的光学棱镜部可选择等边、等腰、柱面、球面或其它形状的光学棱镜。

8、如权利要求5所述的对传输光进行电光调制的装置，其特征在于：所述的上层金属膜、下层金属膜为单层膜或多层膜。

9、如权利要求8所述的对传输光进行电光调制的装置，其特征在于：所述的金属膜可选择银、金、铝、铂等在光频范围内介电常数实部ε_γ≤-5，介电常数虚部ε_i≤2.0的金属。

10、如权利要求8或9所述的对传输光进行电光调制的装置，其特征在于：所述的上层金属膜、下层金属膜的厚度在40nm-500nm之间。

11、如权利要求5所述的对传输光进行电光调制的装置，其特征在于：所述的电光介质的电光系数γ＞3pm/V。

12、如权利要求5所述的对传输光进行电光调制的装置，其特征在于：所述的电光介质可选用具有电光系数较高的有机薄膜或无机晶体。

13、如权利要求5或11或12所述的对传输光进行电光调制的装置，其特征在于：所述的电光介质厚度的取值在1μm-5μm之间。

14、如权利要求5所述的对传输光进行电光调制的装置，其特征在于：所述的隔离介质可采用不导电的有机或无机材料。

15、如权利要求5或14所述的对传输光进行电光调制的装置，其特征在于：所述的隔离介质的厚度取值在1μm～5μm之间。

16、一种对传输光进行电光调制的装置，其特征在于：该装置包括光学棱镜部、基体部、电信号调制部，光学棱镜部置于基体部上，所述的基体部包括有上金属电极、电光介质、隔离介质、下金属电极，电光介质和隔离介质置于上下金属电极之间，电信号调制部的输出接至上金属电极和下金属电极。

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