CN1279460A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于以低成本提供—种耐冲击性高、实用上的安全性高、且在亮度与高色显示性、显示急定性方面优良的大型液晶显示装置。上述目的是通过下述方案实现的,该方案涉及这样的液晶显示装置,该装置采用在第1玻璃基板1的表面上形成多个薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列基板10和在第2玻璃基板11的表面上形成多个滤色片与对置电极的滤色片基板20,在薄膜晶体管与对置电极按照对置的方式组合形成的单元内部经液晶取向膜注入液晶,正视侧的玻璃基板1的厚度大于相对侧的玻璃基板11的厚度。

Description

液晶显示装置及其制造方法
本发明涉及液晶显示装置和其制造方法，更具体地说涉及提高显示侧基板的耐冲击性的液晶显示装置。
近年来，随着个人计算机与文字处理器的普及，有源矩阵列型的液晶显示装置的市场大幅度扩大，并且显示画面正在走向大型化。其中，采用作为有源层的借助非结晶硅膜而形成的薄膜晶体管(TFT)的薄膜晶体管彩色液晶显示装置的大型化令人注目。
但是，在过去，液晶显示装置中采用板厚大致小于1．1mm的玻璃板，按照适合板厚的方式，设置了制造线(比如传送装置)。另外，对于大型的液晶显示装置来说，也采用已有的板厚的玻璃基板来制造。
然而，在采用已有的板厚的玻璃基板制作20型(对角线尺寸：20英寸)以上的大型的液晶显示装置的场合，显示画面的强度或耐冲击力不够大。于是，在显示装置的安全性与耐久性方面会产生问题。另外，由于如果采用大尺寸的基板，产生因自重造成的变形与翘曲，在薄膜晶体管阵列工艺与滤色片工艺中，掩模对准精度变差，其结果是，产生开口率较低等的问题。
另外，即使在显示装置组装之后的情况下，由于显示画面容易产生变形与翘曲，这样显示稳定性变差。如果玻璃基板的厚度较大，则必须改变传送设备等的制造设备，这样便使成本上升。另外，还具有显示装置的总重量较大的问题。
本发明的目的在于通过合理地消除上述问题，在不伴随制造成本的大幅度上升的情况下，使比如20型以上的大型液晶显示装置中的显示稳定性与安全性提高，并且使开口率与颜色显示性提高。这样的目的可通过下述的结构实现。
(1)本发明的液晶显示装置的特征在于：
包括液晶单元，在该液晶单元中，第1基板与第2基板按照以其相应的电极面为内侧、具有规定间隙的方式对置，并且在上述间隙内部密封了液晶，该第1基板上至少形成了薄膜晶体管和与该薄膜晶体管连接的像素电极，该第2基板上至少形成了滤色片层与对置电极，上述液晶单元的两个外侧面中的某一个为显示侧，该显示侧基板的厚度大于与其对置的基板的厚度。
在该结构中，由于仅仅显示侧基板较厚，这样不伴随大幅度成本的上升与显示装置重量的大幅度增加，可提高显示装置的安全性与显示稳定性。
另外，在上述(1)的结构中，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板。如果采用下述结构，在该结构中，在较厚的基板上形成薄膜晶体管(TFT)，作成薄膜晶体管阵列基板，该薄膜晶体管阵列基板被配置于显示侧，这样不但安全性、而且显示稳定性、亮度、颜色显示性都提高了。其原因在于：由于较厚的基板的变形与翘曲是很小的，这样在制造时，薄膜晶体管阵列的尺寸精度必然提高，其结果是开口率提高，并且由于即使在液晶单元的组装之后的情况下，基板的变形与翘曲仍难于产生，这样目视性与显示稳定性都提高了。
但是，也可在较厚的基板上形成滤色片，使其成为显示侧。在此场合下，由于在滤色片分段之间形成遮光图案的掩模对准精度与尺寸精度提高，这样颜色显示性提高，并且即使在通过金属铬或氧化铬形成遮光膜的情况下，因基板较厚及强度增加，遮光膜的热膨胀造成的基板的翘曲与变形很小，这样颜色显示性与显示稳定性提高。
在上述(1)结构中，上述显示侧的基板由粘接了多个透明基板的贴合基板形成。
如果将多个透明基板贴合，则强度、耐冲击性提高。由此，如果采用该结构，可提高显示装置的安全性与显示稳定性。另外，在该结构中，比如对置基板中采用过去所使用的较薄的基板，显示侧基板可采用将多个已有的基板贴合而成的基板。于是，不开发新的基板就可方便地提高显示稳定性与安全性。
此外，上述(1)的结构中，上述显示侧的基板可由在两块透明基板之间夹持有偏振片而贴合的复合基板形成。
在上述结构中，采用在两块基板之间夹持有偏振片的复合基板，在该复合基板中通过外侧基板防止偏振片损伤，另外该夹持于中间的偏振片起到吸收冲击的作用。于是，显示装置的显示稳定性与耐冲击性显著提高。
还有，在上述(1)的结构中，上述显示侧的基板可由在两块透明基板之间夹持有透明树脂板而贴合的复合基板形成。
如果采用在玻璃板之间夹持材质不同的树脂板的复合基板，其柔性大于玻璃板的树脂板起到吸收冲击的作用。于是，难于发生玻璃板破损，显示侧的耐冲击性显著提高。
再有，在上述(1)的结构中，上述显示侧的基板可由厚度为2mm以上至5mm以下的硼酸玻璃板形成。硼酸玻璃板的成本小于石英玻璃等材料，但是其强度较小，容易发生变形。但是，如果使显示侧基板的厚度在2mm以上至5mm以下的范围内，可在实用方面确保足够的强度与耐冲击性。此外，从强度与耐冲击性方面来说，板厚最好较厚，但只要板厚大于2mm，则从实用方面来说，可获得足够的耐冲击性。另一方面，在使板厚超过5mm的情况下，不仅显示装置的重量的增加的缺点变得严重，而且安全性没有提高。于是，显示侧基板的厚度在2mm以上至5mm以下的范围内较好。另外，该板厚的基板可通过一块玻璃板来实现，也可采用将多块玻璃板贴合起来的板。
另外，在上述结构中，上述显示侧的基板可为形成了薄膜晶体管的第1基板，该薄膜晶体管可通过膜厚在100纳米～10微米的范围内的下层膜形成。
如上所述，硼酸玻璃容易虽产生变形与翘曲，但是如果板厚在2mm以上至5mm以下的范围内，另外在基板上形成100纳米～10微米的范围内的下层膜且在其上形成薄膜晶体管阵列，则薄膜晶体管阵列的尺寸精度显著提高。于是，可实现开口率较大、亮度高、色显示性高的液晶显示装置。在这里，所说的“下层膜”可采用比如氮化硅膜或二氧化硅膜。
此外，在上述结构中，上述显示侧的图像显示面为方形，其对角线尺寸大于20英寸。
在对角线尺寸大于20英寸(20型)的大型液晶显示装置中，在安全与显示稳定性方面不容易产生问题。于是，这样的显示装置采用加厚显示侧基板等的结构，则可获得更加充分的作用效果。
(2)本发明的另一种液晶显示装置的特征在于：
包括液晶单元，在该液晶单元中，第1基板与第2基板按照以其相应的电极面为内侧、具有规定间隙的方式对置，并且在上述间隙内部密封了液晶，该第1基板上至少形成了薄膜晶体管、与该薄膜晶体管连接的像素电极、以及层叠于该像素电极上的滤色片层，该第2基板上至少形成了对置电极，上述液晶单元的两个外侧面中的某一个为显示侧，该显示侧基板的厚度大于与其对置的基板的厚度。
在上述结构中，与上述(1)的结构不同，在第1基板上同时形成薄膜晶体管与滤色片。在该结构中，如果以较厚的基板作为第1基板，则在开口率与显示稳定性方面是有利的。另外，附加于该结构上的限制特征与上述(1)的结构的场合相同，其作用效果也与上述(1)的结构基本相同。于是，在这里省略对其的描述。
(3)本发明的又一种液晶显示装置是面内开关型，其特征在于：
包括面内开关型的液晶单元，在该液晶单元中，第1基板与第2基板按照以其相应的电极面为内侧、具有规定间隙的方式对置，并且在上述间隙内部密封了液晶，该第1基板上至少形成了薄膜晶体管、与该薄膜晶体管连接的像素电极、以及与该像素电极隔开的对置电极；上述液晶单元的两个外侧面中的某一个为显示侧，该显示侧基板的厚度大于与其对置的基板的厚度。
即使在面内开关型的情况下，外部冲击容易作用在显示侧面上，这一点不变。于是，即使在该结构的面内开关型液晶显示装置中，可获得与上述(1)的结构中所描述的相同的作用效果。另外，在该结构中，也可添加与上述(1)的结构的场合相同的限制特征。
(4)本发明的又一结构的液晶显示装置的的特征在于：
包括液晶单元，在该液晶单元中，第1基板与第2基板按照以其相应的电极面为内侧、具有规定间隙的方式对置，并且在上述间隙内部密封了液晶，该第1基板上至少形成了薄膜晶体管、和与该薄膜晶体管连接的像素电极，该第2基板上至少形成了滤色片层与对置电极；
上述液晶单元的两个外侧面中的某一个为显示侧，该显示侧基板的每单位体积的强度大于与其对置的基板的每单位体积的强度。
在该结构中，仅仅下述的方面与上述(1)的结构不同，该方面指显示侧基板的每单位体积的强度大于与其对置的基板的每单位体积的强度。即，在上述结构中，不对第1基板与第2基板的厚度进行规定，而对每单位体积的强度之间的关系进行了规定。强度较高的基板的成本一般是较高的，但是难于被损伤破损。于是，通过将每单位体积的强度较高的基板设置于显示侧，则可在不伴随有成本大幅度提高的情况下，提高显示装置的安全性与可靠性。另外，在该结构中，可以贴合多块每单位体积的强度较高的基板来使用，也可采用中间夹持有偏振片或树脂板的3层结构的贴合基板。此外，在不产生矛盾的范围内，还可添加上述(1)的结构中所描述的附加结构特征。
(5)本发明的再一种结构的液晶显示装置是面内开关型，其特征在于：
包括面内开关型的液晶单元，在该液晶单元中，第1基板与第2基板按照以其相应的电极面为内侧、具有规定间隙的方式对置，并且在上述间隙内部密封了液晶，该第1基板上至少形成了薄膜晶体管、与该薄膜晶体管连接的像素电极、以及与该像素电极隔开的对置电极，上述液晶单元的两个外侧面中的某一个为显示侧，该显示侧基板的每单位体积的强度大于与其对置的基板的每单位体积的强度。
上述结构在下述方面，与上述(3)的结构不同，即，在面内开关型液晶显示装置中，显示侧基板的每单位体积的强度大于与其对置的基板的每单位体积的强度。另外，由于除了面内开关型的方面以外，其它的方面于上述(4)的结构基本相同，这样上述(4)的结构中所描述的内容也适合于本发明。
(6)本发明的液晶显示装置可通过具有比如下述的步骤的制造方法制造。
即，该显示装置可通过下述制造方法制造，该方法包括下述步骤：薄膜晶体管阵列基板制造步骤，在该步骤中，准备厚度不同的2块基板，在厚度较厚的基板上至少形成薄膜晶体管以及与该薄膜晶体管连接的像素电极；对置基板形成步骤，在该步骤中在厚度较薄的一个基板上至少形成对置电极；使上述薄膜晶体管阵列基板与对置基板按照以电极面为内侧、具有规定的间隙的方式对置的步骤：液晶单元装配步骤，在该步骤中将液晶密封于上述间隙内；将偏振片设置于上述液晶单元的两个外侧面上的步骤；以及在设置了偏振片的液晶单元的对置基板一侧设置背照光源的步骤。
(7)本发明的显示装置可通过下述制造方法制造，该方法包括下述步骤：
薄膜晶体管阵列基板制造步骤，在该步骤中，准备第1块、第2块、第3块基板，在第1块基板上至少形成薄膜晶体管以及与该薄膜晶体管连接的像素电极；对置基板形成步骤，在该步骤中在第2基板上至少形成对置电极；使上述薄膜晶体管阵列基板与对置基板按照以电极面为内侧、具有规定的间隙的方式对置的步骤：液晶单元装配步骤，在该步骤中将液晶密封于上述间隙内；贴合步骤，在该步骤中，将第3基板贴附于上述液晶单元中的薄膜晶体管阵列基板的外侧面上，使整个板的厚度大于第2基板的厚度；将偏振片设置于上述贴合步骤后的液晶单元的两个外侧面上的步骤；以及在设置了偏振片的的对置基板一侧设置背照光源的步骤。
在上述制造方法，上述第1、第2、第3块基板可由玻璃制成，并且板厚相同。在该制造方法中，由于采用厚度、大小、材质相同的玻璃基板，这样不会导致成本的大幅度上升。可高效率地制造安全性与显示安全性优良的液晶显示装置。
在上述(7)的制造方法中，第1块基板与第3块基板可采用不同的材质。比如，第1块基板为玻璃板，第3块基板为树脂板(也可相反)。如果按照此方式，可任意调节强度与耐冲击性。
(8)另外，本发明的液晶显示装置可通过例如具有下述步骤的制造方法制造。
一种液晶显示装置的制造方法，包括下述步骤：薄膜晶体管阵列基板制造步骤，在该步骤中，准备第1块、第2块、第3块基板，在第1块基板上至少形成薄膜晶体管以及与该薄膜晶体管连接的像素电极；对置基板形成步骤，在该步骤中在第2基板上至少形成对置电极；使上述薄膜晶体管阵列基板与对置基板按照以电极面为内侧、具有规定的间隙的方式对置的步骤；液晶单元装配步骤，在该步骤中将液晶密封于上述间隙内；贴合步骤，在该步骤中，将偏振片贴附于上述液晶单元中的薄膜晶体管阵列基板的外侧面上，再在其上贴附第3基板，使整个板的厚度大于第2基板的厚度；将偏振片设置于对置基板的外侧面上的步骤；以及在设置了偏振片的对置基板侧设置背照光源的步骤。
如果采用该制造方法，可在液晶单元装配后，将显示侧基板变为在两块基板以夹持偏振片的方式贴合的复合基板。夹持有偏振片的复合基板的耐冲击性优良，另外偏振片不会因外力而损伤或破损。即，如果采用该制造方法，可方便地制造安全性、可靠性优良的液晶显示装置。
在该制造方法中，至少第1基板与第3基板可为玻璃板，偏振片可由树脂形成。如果由树脂形成的偏振片夹持于玻璃板之间，这样不但可防止偏振片损伤，而且还可减缓作用于玻璃上的冲击，显示装置的耐冲击性(安全性)进一步提高。
(9)另外，本发明的液晶显示装置可通过例如具有下述步骤的制造方法制造。
一种液晶显示装置的制造方法，包括下述步骤：薄膜晶体管阵列基板制造步骤，在该步骤中，准备第1、2块基板材质与第1基板不同的第3块基板，以及材质与第1块基板相同的第4块基板这4块基板，在第1块基板上至少形成薄膜晶体管以及与该薄膜晶体管连接的像素电极；对置基板形成步骤，在该步骤中在第2基板上至少形成对置电极；使上述薄膜晶体管阵列基板与对置基板按照以电极面为内侧、具有规定的间隙的方式对置的步骤；液晶单元装配步骤，在该步骤中将液晶密封于上述间隙内；贴合步骤，在该步骤中将第3块基板贴附于上述液晶单元中的薄膜晶体管阵列基板的外侧面上，再在其上贴附第4基板，使整个板的厚度大于第2基板的厚度；将偏振片设置于对置基板的外侧面上的步骤；以及在设置了偏振片的对置基板一侧设置背照光源的步骤。
如果采用该制制造方法，可在液晶单元组装后，使显示侧基板变为在两块基板之间以夹持有材质不同的其它的基板的方式贴合的复合基板。两块基板之间以夹持材质不同的其它基板的的方式贴合的复合基板的耐冲击性优良。于是，如果采用该制造方法，可简单并且经济地制造安全性、可靠性优良的液晶显示装置。另外，在该制造方法中，如果第1块基板为玻璃板，第3块基板为树脂板，则玻璃板与树脂板相互之间实现良好的作用，其结果是，可以较高的生产性制造耐冲击性更加优良的显示基板。
下面通过实例对本发明的液晶显示装置的制造进行具体描述。
首先，在最初，准备厚度不同的玻璃基板。接着，在厚度较厚的玻璃基板表面上形成薄膜晶体管阵列。作为薄膜晶体管阵列形成方式，可适当地采用过去所进行的各种方式。在厚度较薄的玻璃基板表面上形成滤色片。作为滤色片的形成方式，可适当地采用过去进行的各种方式。此后，在上述薄膜晶体管阵列与滤色片的相应表面上形成公知的液晶取向膜，之后使上述液晶取向膜分别位于内侧，在保持规定间隙的同时，将两块玻璃基板定位，采用粘接剂将它们粘接固定，制作液晶显示装置用的空单元。接着，把上述空单元内减压、注入液晶并密封，从而形成液晶单元。此后，将偏振片贴附于两个外表面上，在厚度较薄的基板(滤色片基板)一侧设置背照光源，从而形成液晶显示装置。
另外，还可采用下述的方法。准备厚度不同的玻璃基板。接着，在厚度较厚的玻璃基板上形成滤色片。此时，作为滤色片层的形成方式，可适当采用过去所进行的各种方式。另外，在厚度较薄的玻璃基板表面上形成薄膜晶体管阵列。此时，作为薄膜晶体管的形式方式，可适合采用过去所进行的各种方式。此后，在上述滤色片与薄膜晶体管阵列的相应薄膜上形成公知的液晶取向膜之后，与上述方式相同，制作液晶单元，在该液晶单元的两面上贴附偏振片，在薄膜晶体管阵列基板侧设置背照光源，从而形成液晶显示装置。
上述的方法也同样适合用于下述方法，即，在某一个玻璃基板上层叠形成了多个薄膜晶体管与多个滤色片的阵列上的滤色片型液晶显示装置的制造方法。此外，还可适合用于下述方法，该方法指在某一个玻璃基板表面上层叠形成了多个薄膜晶体管与多个对置电极的面内开关(TPS)型液晶显示装置，或层叠形成了多个薄膜晶体管、多个滤色片与对置电极的面内开关(IPS)型液晶显示装置的制造方法。
图1为本发明的第1实施例中的薄膜晶体管阵列基板的剖面示意图；
图2为本发明的第1实施例中的滤色片基板的剖面示意图；
图3为本发明的第1实施例中的液晶显示装置的剖面示意图：
图4为本发明的另一实施例中的在显示侧基板上形成了薄膜晶体管与滤色片的阵列上的滤色片型液晶显示装置的剖面示意图；
图5为本发明的再一实施例中的在显示侧基板表面形成了薄膜晶体管、与其连接的像素电极和对置电极的IPS型液晶显示装置的剖面示意图。
(实施例)
下面根据实施例对本发明进行描述。
(第1实施例)
首先，准备两块透明的玻璃板(尺寸为550mm×650mm，康宁公司生产的Coming7059)，其由板厚分别为2．5mn和0．7mm的并可同时制作4个显示尺寸为20型(对角尺寸为20英寸)的液晶显示装置用基板的尺寸的硼酸玻璃形成。
接着，将板厚为2．5mm的透明玻璃板作为显示侧基板，在其上通过公知的方法形成下层膜与薄膜晶体管(TFT)，制成图1所示的薄膜晶体管阵列基板10。
图1为为了便于制图将1个薄膜晶体管部分取出而绘制的薄膜晶体管阵列基板的剖面示意图。在图1中，标号1表示厚度为2．5mm的玻璃基板，标号2表示形成于该基板上的膜厚为400nm的下层膜，标号3表示栅电极，标号4表示栅极绝缘膜，标号5表示由非晶硅形成的半导体膜(但是也可为多晶硅膜)，标号5’表示扩散有n型杂质的n+层，标号6表示钝化膜，标号7表示源极布线，标号8表示漏极布线，标号8’表示像素电极，该像素电极8’与上述漏极布线连接。
另外，以板厚为0．7mm的透明玻璃板作为与该基板1相对的背面侧的基板，通过公知的方法，在该玻璃板11上形成由氧化铬与金属铬构成的双层结构的挡光膜布线图案12，在其上形成下述滤色片，该滤色片由红色滤色片分段3、绿色滤色片分段14和兰色滤色片分段形成。此外，在其上形成由ITO(氧化铟锡)形成的对置电极15。按照此方式制成图2所示的滤色片基板20。
此后，分别在上述薄膜晶体管阵列基板10的表面以及滤色片基板20的表面上形成液晶取向膜22。
接着，按照下述方式，将上述两块基板重叠，该方式为：以液晶取向膜22、22为内侧，并且保持5微米的间隙，可将整体分割为4块的区域的周边粘接并重叠后，将上述板切断为4块，制成4个液晶显示装置用的空单元。
然后，在真空中向上述空单元内部注入TN型液晶23(ZLI4792)，将该单元密封形成液晶单元30之后，在该液晶单元的两个面上贴附偏振片24，接着在滤色片基板20一侧，设置背照光源，形成显示尺寸为20型的透射型液晶显示装置31。此外，也可采用在注入液晶之后、将基板分割为4块的方法。在此场合，必须在分割为4块之前的各自区域中，按照可注入液晶的方式，形成多个液晶注入口。
但是，由于在液晶显示装置中，从显示器的性能方面来说，显示侧基板面在外侧露出，这样与背面侧基板相比较，容易产生因受外力而破损等的情况，然而，上述液晶显示装置31中的显示侧基板的厚度大于背面侧基板的厚度。于是，由于即使在从显示侧施加强烈的冲击的情况下，仍难于产生破损，另一方面，背面侧基板采用其厚度小于显示侧的基板，这样不会导致液晶显示装置质量的不必要的提高或不必要的成本的增加。即，如果采用该结构，可在抑制该成本的大幅度增加的同时，确保必要的耐冲击性与安全性。因此，上述结构对于20型以上的大型液晶显示装置来说特别有用。
随便说一下，本实施例的显示装置的重量为其两面采用厚度为0．7mm的上述基板(Coming7059)的液晶显示装置的2．3倍，如果将上述液晶显示装置的耐冲击性定为1，则本实施例的显示装置的耐冲击性为3．6(3．6倍)。在这里，耐冲击性是通过符合JIS R3205、3206中所述的试验法的方法进行评价的。
此外，在上述实施例中给出的是下述实例，在该实例中，作为可同时制作4块显示尺寸为20型的液晶显示装置用基板的尺寸的基板，将厚度为2．5mm的玻璃基板(显示侧)与厚度为0．7mm的玻璃基板(背面侧)组合，但是为了提高耐冲击性，最好增加显示侧的玻璃基板的厚度。然而，如果增加玻璃基板的厚度，则显示装置重量增加，故最好将该厚度增加到必要的足够值为止。
如果按照下述本申请人的试验，该试验采用硼酸玻璃板的20型～45型的显示尺寸的液晶显示装置，则在采用厚度大于2mm的玻璃基板的装置中，即使在以15m／s的速度、使正式比赛中所采用的排球碰撞显示面的情况下，仍不会开裂。另一方面，判明了，在考虑液晶显示装置的通常使用状态和伴随重量增加的缺点时，使用板厚超过5mm的基板是无益的。由此，在20型～45型范围内的显示尺寸的显示装置中，可使显示侧的玻璃基板的厚度在2mm以上至5mm以下的范围内。
此外，如果采用板厚在2mm以上至5mm以下的范围内的硼酸玻璃板，则在玻璃板表面上作为下层膜，形成厚度在100纳米～10微米的的氮化硅膜或二氧化硅膜之后，即使在通过该膜形成薄膜晶体管阵列的情况下，因经历薄膜晶体管阵列制造时的加热而造成的玻璃板的翘曲或变形也足够小。如果玻璃板的翘曲或变形较小，由于薄膜晶体管阵列制造用的光掩模的对准精度或尺寸精度提高，则可将开口率设计得较大，其结果是便获得最大开口率为86％的液晶显示装置。即，在不伴随大幅度的成本上升的情况下，与已有的液晶显示装置相比较，可制造亮度高的、在高色显示性方面优良的液晶显示装置。
(第2实施例)
在第2实施例中，以显示侧基板为滤色片基板，该基板的厚度为3．2mm，另外以板厚为0．7mm的基板为背面侧基板，在其上设置薄膜晶体管阵列，此外采用1块玻璃板，同时制造两块30型(对角线尺寸为30英寸)的液晶显示装置用基板，除了上述的方面以外，其它的与上述第1实施例的相同，制作了显示尺寸为30型的透射型液晶显示装置。
另外，对于该显示装置，也通过与第1实施例的场合相同的方法进行耐冲击试验。其结果是，已确认具有足够的耐冲击性。
在本实施例中，在厚度较厚的基板上形成滤色片，但是由于如果板厚较厚，刚性增加，因自重等造成的变形较小，这样光掩模图案的对准精度或尺寸精度提高。于是，可增加滤色片基板的开口率，其结果是可获得亮度高、高色显示性方面优良的液晶显示装置。另外，由于基板强度大、作为遮光膜图案形成金属铬膜或氧化铬膜的场合中的基板的翘曲或变形较小，这样显示稳定性提高。
(第3实施例)
在第3实施例中，制作了下述在阵列上的滤色片型液晶显示装置33，其中在薄膜晶体管基板上，层叠形成了薄膜晶体管与滤色片分段。图4表示该显示装置的剖面示意图。另外，在图4中，给出的是下述实例，在该实例中，滤色片薄膜晶体管阵列基板40设置于显示侧，但是也可采用滤色片薄膜晶体管阵列基板设置于背面侧的结构。但是，在此场合，必须使成为显示侧基板的基板11的厚度大于基板1的厚度。
作为上述滤色片薄膜晶体管阵列基板的制作方法，在用与第1实施例相同的方法制作的薄膜晶体管阵列基板(采用膜厚为2．5mm的玻璃基板的Coming7059)上，形成由比如二氧化硅形成的平坦化膜27，在其上，形成红色滤色片分段13、绿色滤色片分段14、以及图中未示出的兰色滤色片分段。此外，作为背面侧基板，在板厚为0．75mm的玻璃板(Coming7059)上形成对置电极。接着，将显示侧基板与背面侧基板叠合制作液晶单元32，接着按照与第1实施例相同的方式，形成透射型液晶显示装置33。此外，该液晶显示装置33具有与第1实施例相同的耐冲击性。另外，由于与在第1实施例中所描述的相同的原因，与两块基板均采用板厚为0．75mm的玻璃基板的显示装置相比较，显示图像质量提高。
(第4实例)
在板厚为2．5mm的玻璃基板1(Coming7059)上，通过公知的方法形成薄膜晶体管，与该薄膜晶体管连接的像素电极和对置电极15，将其作为显示侧基板50。此外，在板厚为0．7mm的玻璃基板(Coming7059)上形成遮光膜12，在其上形成色素组(13，14等)，从而形成背面侧基板(对置基板)。然后，按照常规作法，在两块基板的表面上形成液晶取向膜22，使取向膜对置，将两块基板组合，制作图5所示的面内开关型(IPS)液晶显示装置35。此外，图5中的标号34表示面内开关型的液晶单元部分。
该液晶显示装置35除了显示侧基板1的厚度大于背面侧基板11以外，可采用已有技术制作，但是考虑到该显示装置的重量，当与已有的显示装置相比较时，耐冲击性明显提高、并且亮度也提高。
(第5实施例)
在第1～4实施例中，给出的是下述结构实例，在该结构实例中，采用板厚不同的硼酸玻璃板，将板厚较厚的一侧设置于显示侧，在第5实施例中，采用了下述结构，在该结构中，采用每单位体积强度不同的2种玻璃板，将强度较高的板设置显示侧。具体来说，采用厚度为0．75mm的硼酸玻璃板(Coming7059)、以及厚度为0．75mm的硅玻璃板(Coming7940)。接着，在强度较高的硅玻璃板上形成薄膜晶体管阵列，在其强度小于前者的硼酸玻璃板上形成滤色片。对于其它的方面，与第1实施例相同地制作液晶显示装置。
在该液晶显示装置中，与第1实施例相同，对耐冲击性或显示清晰度进行分析。其结果是，可获得足够的耐冲击性和显示清晰度。于是，判定了，即使在甚至于内侧未采用高价的硅玻璃的情况下，仍可充分地提高显示装置的安全性与性能。另外，在本实施例中，虽然采用了硅玻璃，但是也可采用强化玻璃等强度较高的玻璃板或树脂板。
(第6实施例)
首先，准备3块透明玻璃板(尺寸为550mm×650mm，康宁公司生产的Coming7059)，其由板厚为0．7mm、且可同时制作4个显示尺寸为20型(对角尺寸为20英寸)的液晶显示装置用基板的尺寸的硼酸玻璃形成，将其中的1块板分割为4块，准备将其进行贴附用。
此外，采用两块上述的玻璃板，即板厚相同的2块玻璃板，通过与第1实施例相同的方法制作液晶单元。接着，利用透明粘接剂、将预先准备的贴附用玻璃板仅仅贴附于该液晶单元的两个外表面中的形成了薄膜晶体管的基板面(薄膜晶体管阵列基板面)上。由此，形成下述的液晶单元，该液晶单元中的薄膜晶体管阵列基板比滤色片基板厚，在该单元的两个表面上设置偏振片，接着在滤色片基板一侧设置背照光源，以薄膜晶体管阵列基板一侧作为显示侧，制成以显示侧基板的厚度较厚为特征的透射型液晶显示装置。
另外，在上述描述中，采用板厚与材质相同的3块玻璃板，但是也可采用板厚和／或材质分别不同的3块玻璃板。比如，可以厚度0．7mm的硼酸玻璃作为背面侧基板，显示侧基板为下述贴合基板，该贴合基板是在厚度为0．7mm的硼酸玻璃上贴附0．4mm的硅玻璃。还有，在上面的描述中，以薄膜晶体管阵列基板为显示侧，但是不限于该情况，可采用下述贴合基板，即，按照显示侧的基板的厚度大于背面侧的厚度的方式，将2块以上的基板贴合。
(第7实施例)
在第6实施例中，在形成了薄膜晶体管的基板面(显示侧的面)上贴附专门准备的玻璃板，但是在第7实施例中，首先在显示侧面上贴附偏振片，之后在偏振片上贴附专门准备的玻璃板。之后，其它的方面与第6实施例的相同，制作其显示侧的基板的厚度大于背面侧基板的透射型液晶显示装置。
如果采用在装配液晶单元之后、通过偏振片形成将基板之间粘接的复合基板的制作方法，可方便地使显示画面的耐冲击强度提高，偏振片由其外侧的基板保护起来，由此作为显示装置的可靠性、安全性显著提高。另外，在上述结构实例中，薄膜晶体管阵列基板位于显示侧，但是与第6实施例相同，不限于此情况。
(第8实施例)
除了下述方面以外，第8实施例的其它方面与第7实施例的相同，来制作透射型液晶显示装置，该下述方面指首先将透明的树脂板粘接于液晶单元的显示侧，之后贴附专门准备的玻璃板。在对该显示装置的显示侧的耐冲击性进行分析时，与仅仅将多个玻璃板重叠的场合相比较，耐冲击性进一步提高。其原因可认为是：不同的材质，即其硬度大于树脂的玻璃板，与柔性的具有弹性的树脂板容易相互作用，从而减缓了冲击力。
在这里，上述树脂板可采用比如聚碳酸酯，聚对苯二甲酸乙二酯，聚乙烯，尼龙等各种材质的树脂板。此外，在本说明书中，复合基板指在中间夹持材质不同的基板(偏振片或树脂板等)、将基板之间粘接形成的板。
(其它的方面)
(1)在第1～8实施例中，液晶单元的基本结构件采用玻璃板，但是也可采用树脂板，以代替该玻璃板。在此场合，在第8实施例中，例如通过玻璃板在显示侧的树脂板上贴附树脂板。
(2)本发明为在显示侧的基板的厚度或强度具有特征的发明，其它的方面，比如薄膜晶体管的制作方法、滤色片的制作方法、液晶的注入方法等，可采用过去公知的方法。另外，本发明不仅适合用于透射型液晶显示装置，还适合用于反射型液晶显示装置。另外，为了在树脂板上形成薄膜晶体管，也可采用比如借助公知的低温处理法的硅多结晶化技术。

Claims (50)

1．一种液晶显示装置，其特征在于：
包括液晶单元，在该液晶单元中，第1基板与第2基板按照以其相应的电极面为内侧、具有规定间隙的方式对置，并且在上述间隙内部密封了液晶，该第1基板上至少形成了薄膜晶体管和与该薄膜晶体管连接的像素电极，该第2基板上至少形成了滤色片层和对置电极；
上述液晶单元的两个外侧面中的某一个为显示侧，该显示侧基板的厚度大于与其对置的基板的厚度。
2．根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板。
3．根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板由粘接了多块透明基板的贴合基板形成。
4．根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板。
5．根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板由在两块透明基板之间夹持偏振片而贴合的复合基板形成。
6．根据权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板。
7．根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板由在两块透明基板之间夹持偏振片而贴合的复合基板形成。
8．根据权利要求7所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板。
9．根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板由厚度在2mm以上至5mm以下的范围内的硼酸玻璃板形成。
10．根据权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板，该薄膜晶体管通过膜厚在100纳米以上至10微米以下的范围内的下层膜形成。
11．根据权利要求10所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的图像显示面为方形，其对角线尺寸在20英寸以上。
12．一种液晶显示装置，其特征在于：
包括液晶单元，在该液晶单元中，第1基板与第2基板按照以其相应的电极面为内侧、具有规定间隙的方式对置，并且在上述间隙内部密封了液晶，该第1基板上至少形成了薄膜晶体管、与该薄膜晶体管连接的像素电极以及层叠于该像素电极上的滤色片层，该第2基板上至少形成了对置电极；
上述液晶单元的两个外侧面中的某一个为显示侧，该显示侧基板的厚度大于与其对置的基板的厚度。
13．根据权利要求12所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板。
14．根据权利要求12所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板由粘接了多块透明基板的贴合基板形成。
15．根据权利要求14所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板。
16．根据权利要求12所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板由在两块透明基板之间夹持偏振片而贴合的复合基板形成。
17．根据权利要求16所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板。
18．根据权利要求12所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板由在两块透明玻璃基板之间夹持透明树脂板而贴合的复合基板、或由在两块透明树脂板之间夹持透明玻璃板而贴合的复合基板形成。
19．根据权利要求18所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板。
20．根据权利要求12所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板由厚度在2mm以上至5mm以下的范围内的硼酸玻璃板形成。
21．根据权利要求20所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板，该薄膜晶体管通过膜厚在100纳米以上至10微米以下的范围内的下层膜形成。
22．根据权利要求21所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的图像显示面为方形，其对角线尺寸大于20英寸。
23．一种液晶显示装置，该装置是面内开关型，其特征在于：
包括面内开关型的液晶单元，在该液晶单元中，第1基板与第2基板按照以其相应的电极面为内侧、具有规定间隙的方式对置，并且在上述间隙内部密封了液晶，该第1基板上至少形成了薄膜晶体管、与该薄膜晶体管连接的像素电极以及与该像素电极隔开的对置电极；
上述液晶单元的两个外侧面中的某一个为显示侧，该显示侧基板的厚度大于与其对置的基板的厚度。
24．根据权利要求23所述的液晶显示装置，其特征在于，在上述第1基板的像素电极和对置电极上还形成滤色片。
25．根据权利要求24所述的液晶显示装置，其特征在于，在上述第2基板上形成了滤色片，该滤色片面与第1基板的电被面对置。
26．根据权利要求23所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板。
27．根据权利要求23所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板由粘接了多块透明基板的贴合基板形成。
28．根据权利要求27所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板。
29．根据权利要求23所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板由在两块透明基板之间夹持偏振片而贴合的复合基板形成。
30．根据权利要求29所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板。
31．根据权利要求23所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板由在两块透明基板之间夹持透明树脂板而贴合的复合基板形成。
32．根据权利要求31所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板。
33．根据权利要求23所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板由厚度在2mm以上至5mm以下的范围内的硼酸玻璃板形成。
34．根据权利要求33所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板，该薄膜晶体管通过膜厚在100纳米以上至10微米以下的范围内的下层膜形成。
35．根据权利要求34所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的图像显示面为方形，其对角线尺寸大于20英寸。
36．一种液晶显示装置，其特征在于：
包括液晶单元，在该液晶单元中，第1基板与第2基板按照以其相应的电极面为内侧、具有规定间隙的方式对置，并且在上述间隙内部密封了液晶，该第1基板上至少形成了薄膜晶体管和与该薄膜晶体管连接的像素电极，该第2基板上至少形成了滤色片层和对置电极；
上述液晶单元的两个外侧面中的某一个为显示侧，该显示侧基板的每单位体积的强度大于与其对置的基板的每单位体积的强度。
37．根据权利要求36所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板。
38．一种液晶显示装置，其特征在于：
包括液晶单元，在该液晶单元中，第1基板与第2基板按照以其相应的电极面为内侧、具有规定间隙的方式对置，并且在上述间隙内部密封了液晶，该第1基板上至少形成了薄膜晶体管、与该薄膜晶体管连接的像素电极以及层叠于该像素电极上的滤色片层，该第2基板上至少形成了对置电极；
上述液晶单元的两个外侧面中的某一个为显示侧，该显示侧基板的每单位体积的强度大于与其对置的基板的每单位体积的强度。
39．根据权利要求38所述的液晶显示装置，其特征在于，上述显示侧的基板为形成了薄膜晶体管的第1基板形成。
40．一种液晶显示装置，该装置是面内开关型，其特征在于：
包括面内开关型的液晶单元，在该液晶单元中，第1基板与第2基板按照以其相应的电极面为内侧、具有规定间隙的方式对置，并且在上述间隙内部密封了液晶，该第1基板上至少形成了薄膜晶体管、与该薄膜晶体管连接的像素电极以及与该像素电极隔开的对置电极；
上述液晶单元的两个外侧面中的某一个为显示侧，该显示侧基板的每单位体积的强度大于与其对置的基板的每单位体积的强度。
41．根据权利要求40所述的液晶显示装置，其特征在于，在上述第1基板的像素电极与对置电极上，还形成滤色片。
42．根据权利要求40所述的液晶显示装置，其特征在于，在上述第2基板上形成了滤色片层，该滤色片面与第1基板中的电极面对置。
43．一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：
薄膜晶体管阵列基板制造步骤，在该步骤中，准备厚度不同的2块基板，在厚度较厚的基板上至少形成薄膜晶体管以及与该薄膜晶体管连接的像素电极；
对置基板形成步骤，在该步骤中在厚度较薄的一个基板上至少形成对置电极；
使上述薄膜晶体管阵列基板与对置基板按照以电极面为内侧、具有规定的间隙的方式对置的步骤；
液晶单元装配步骤，在该步骤中将液晶密封于上述间隙内；
将偏振片设置于上述液晶单元的两个外侧面上的步骤；以及
在设置了偏振片的液晶单元的对置基板一侧设置背照光源的步骤。
44．一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：
薄膜晶体管阵列基板制造步骤，在该步骤中，准备第1块、第2块、第3块基板，在第1块基板上至少形成薄膜晶体管以及与该薄膜晶体管连接的像素电极；
对置基板形成步骤，在该步骤中在第2基板上至少形成对置电极；
使上述薄膜晶体管阵列基板与对置基板按照以电极面为内侧、具有规定的间隙的方式对置的步骤；
液晶单元装配步骤，在该步骤中将液晶密封于上述间隙内；
贴合步骤，在该步骤中，将第3基板贴附于上述液晶单元中的薄膜晶体管阵列基板的外侧面上，使整个板的厚度大于第2基板的厚度；
将偏振片设置于上述贴合步骤后的液晶单元的两个外侧面上的步骤；以及在设置了偏振片的对置基板一侧设置背照光源的步骤。
45．根据权利要求44所述的方法，其特征在于，上述第1、第2、第3块基板由玻璃形成，并且它们的厚度相同。
46．根据权利要求44所述的方法，其特征在于，上述第1基板与第3基板的材质是不同的。
47．一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：
薄膜晶体管阵列基板制造步骤，在该步骤中，准备第1块、第2块、第3块基板，在第1块基板上至少形成薄膜晶体管以及与该薄膜晶体管连接的像素电极；
对置基板形成步骤，在该步骤中在第2基板上至少形成对置电极；
使上述薄膜晶体管阵列基板与对置基板按照以电极面为内侧、具有规定的间隙的方式对置的步骤；
液晶单元装配步骤，在该步骤中将液晶密封于上述间隙内：
贴合步骤，在该步骤中，将偏振片贴附于上述液晶单元中的薄膜晶体管阵列基板的外侧面上，再在其上贴附第3基板，使整个板的厚度大于第2基板的厚度；
将偏振片设置于对置基板外侧面上的步骤；以及
在设置了偏振片的对置基板侧设置背照光源的步骤。
48．根据权利要求46所述的方法，其特征在于，至少第1基板与第3基板由玻璃制成。
49．一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：
薄膜晶体管阵列基板制造步骤，在该步骤中，准备第1、2块基板、材质与第1基板不同的第3块基板，以及材质与第1块基板相同的第4块基板这4块基板，在第1块基板上至少形成薄膜晶体管以及与该薄膜晶体管连接的像素电极；
对置基板形成步骤，在该步骤中在第2基板上至少形成对置电极；
使上述薄膜晶体管阵列基板与对置基板按照以电极面为内侧、具有规定的间隙的方式对置的步骤；
液晶单元装配步骤，在该步骤中，将液晶密封于上述间隙内；
贴合步骤，在该步骤中将第3块基板贴附于上述液晶单元中的薄膜晶体管阵列基板的外侧面上，再在其上贴附第4基板，使整个板的厚度大于第2基板的厚度；
将偏振片设置于对置基板的外侧面上的步骤；以及
在设置了偏振片的对置基板一侧设置背照光源的步骤。
50．根据权利要求49所述的方法，其特征在于，上述第1块基板由玻璃制成，第3块基板由树脂形成。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1294622C (zh) * 2002-12-09 2007-01-10 Lg.飞利浦Lcd有限公司 具有薄膜晶体管上滤色器结构的阵列基板及其制造方法
CN100378534C (zh) * 2004-11-04 2008-04-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
CN100401340C (zh) * 2002-05-17 2008-07-09 东芝松下显示技术有限公司 显示装置及其制造方法
CN101248386B (zh) * 2005-09-22 2011-02-02 夏普株式会社 液晶显示装置
CN101501743B (zh) * 2006-08-11 2011-07-06 夏普株式会社 显示装置和包括该显示装置的电子设备
WO2015143735A1 (zh) * 2014-03-24 2015-10-01 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板
CN107315276A (zh) * 2017-07-06 2017-11-03 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板、液晶显示器及黄色染料偏光片的制作方法
US10431167B2 (en) 2015-07-23 2019-10-01 E Ink Holdings Inc. Electronic paper display apparatus, signal transmission system and method thereof
CN111722429A (zh) * 2020-08-06 2020-09-29 业成光电(无锡)有限公司 触控显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06214252A (ja) * 1992-08-25 1994-08-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd ライトバルブ装置およびそれを用いた投写型表示装置
JPH08146422A (ja) * 1994-11-15 1996-06-07 Sony Corp 液晶表示装置および製造方法
KR100186548B1 (ko) * 1996-01-15 1999-05-01 구자홍 액정표시장치의 구조
JPH1062788A (ja) * 1996-08-22 1998-03-06 Hoechst Ind Kk 液晶表示素子
WO1998013722A1 (en) * 1996-09-25 1998-04-02 Hoechst Celanese Corporation Liquid crystal display devices using a polymeric support layer
JPH11202311A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Matsushita Electron Corp 液晶表示装置
JP2000241606A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Canon Inc 平板型マイクロレンズ、平板型レンズ、液晶表示装置、光学系および投射型表示装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100401340C (zh) * 2002-05-17 2008-07-09 东芝松下显示技术有限公司 显示装置及其制造方法
CN1294622C (zh) * 2002-12-09 2007-01-10 Lg.飞利浦Lcd有限公司 具有薄膜晶体管上滤色器结构的阵列基板及其制造方法
CN100378534C (zh) * 2004-11-04 2008-04-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
CN101248386B (zh) * 2005-09-22 2011-02-02 夏普株式会社 液晶显示装置
US8009261B2 (en) 2005-09-22 2011-08-30 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device comprising a plurality of first and second supports
CN101501743B (zh) * 2006-08-11 2011-07-06 夏普株式会社 显示装置和包括该显示装置的电子设备
WO2015143735A1 (zh) * 2014-03-24 2015-10-01 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板
US10431167B2 (en) 2015-07-23 2019-10-01 E Ink Holdings Inc. Electronic paper display apparatus, signal transmission system and method thereof
CN107315276A (zh) * 2017-07-06 2017-11-03 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板、液晶显示器及黄色染料偏光片的制作方法
CN111722429A (zh) * 2020-08-06 2020-09-29 业成光电(无锡)有限公司 触控显示装置

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