CN1258928A

CN1258928A - 用于阴极射线管的会聚磁装置

Info

Publication number: CN1258928A
Application number: CN99108626A
Authority: CN
Inventors: 金相冕
Original assignee: MAGNETIC ELECTRONICS CO Ltd
Current assignee: MAGNETIC ELECTRONICS CO Ltd
Priority date: 1998-12-28
Filing date: 1999-06-16
Publication date: 2000-07-05
Also published as: KR200242233Y1; TW424932U; MY125166A; KR19990038862U

Abstract

一种阴极射线管的会聚磁装置,包括为p极,4极和6极的3对磁环,多个隔离物,以及非磁的保持器,还包括被形成在一个特定隔离物内的单独6极磁体,用于使红绿蓝电子束中的一侧或两侧的电子束在最小磁场下位移,增加中心会聚变量。本发明,可在无误差管中使3个电子束容易被静态地会聚。此外,其可以应用于ITC自动化,并且可以不设置磁通密度之间的差值以及制造时不用区分在束入口和束出口的磁环。

Description

用于阴极射线管的会聚磁装置

本发明一般涉及被设置在一字排列式阴极射线管(下面称为CRT)的颈部上的用于静态会聚对准的磁装置，尤其涉及一种会聚磁装置，其包括单独的磁体，用于以微小的误差在CRT上人为地分散电子束的排列，从而使得多个磁体对能够容易地调整电子束的静态会聚。

图1示意地表示一般的CRT的结构。如图所示，CRT包括一真空玻璃管，和玻璃管相连的3个电子枪，以及一偏转轭(DY)和作为用来偏转与对准由电子枪发射的电子束的纯度会聚磁体(PCM)装置。

3个电子枪被沿着水平方向设置，以便发射阴极射线，其在CRT的屏上分别呈现红(R)、绿(G)、蓝(B)射线束。

CRT一般按这样的方式设计，使得从电子枪发出的R，G，B射线束可被会聚在荫罩的一点上。然而，实际上，由于在CRT制造工艺中的种种误差，不能获得一致的产品，这又使得不可能按照需要静态地把来自电子枪的R，G，B射线束会聚在荫罩的一点上。

由于这个原因，不能避免发生某种程度的会聚偏差，因而，研制了会聚磁体装置，用于调整这种会聚偏差，并把R，G，B射线束静态地会聚在一点上。

PCM装置包括分别利用p极，4极和6极被极化的3对磁环，用于按照弗来明左手法则和洛伦兹力移动发射的电子束。

DY配备有一铁芯，一对垂直偏转线圈和一对水平偏转线圈。DY利用单独的电源被激励，从而产生磁场，所述磁场使电子束偏转，借以使光栅在整个屏幕上被扫描。此时，因为在DY制造工艺中的种种误差，也可能发生所谓的束旋转现象，其中两侧的电子束(R，B)根据中心电子束(G)呈弧形偏转。因而，设置4极磁环用于校正这种现象。

即，随着电子束被4极磁环调整位置，当静态会聚的电子束作为光栅在整个屏幕上被扫描时而发生的电子束旋转现象在水平轴上被校正。

偏转轭和会聚磁体装置可以相互呈一整体结构或者相互分离的结构。

图2a-d表示通过集成的管元件(ITC)的调整，R，G和B电子束在CRT的机械中心上的静态会聚。p极磁环被调整，从而在同一方向上移动图2a所示的分散的R，G和B电子束一个相等于如图2b所示的距离。

然后，4极磁环被调整，以便以这样的方式沿相反方向移动侧边电子束(R，B)一个相等的距离，使得侧边电子束可以在中心电子束(G)在保持原位的状态下相互接近，如图2c所示。然后6极磁环被调整，分别把R和B电子束移动到G电子束的两侧。结果，R，G，B电子束被静态地在机械中心会聚成一行，如图2d所示。

这个工作过程被称为ITC调整。其中，在基于4极或6极磁环的静态会聚中，在电子束R和B之间的直线距离，下面称为外侧会聚变量(OCV)，可通过4极磁环调整，在电子束R和B之间的直线距离的中点和G电子束之间的直线距离，下面称为中心会聚变量(CCV)，可通过6极磁环调整。用这种方式，3个电子束被会聚在一点上。

然而，制造用于按照上述理想地把3个电子束静态地会聚在一点上的会聚磁体也是困难的。因此，这些会聚磁体可以在具有微小的会聚误差的CRT(下面称为“无误差管”)中引入一种反作用。

即，如图3所示，每对磁环起初以这样的方式彼此相连，使得N极和S极可以彼此相对，以便产生一个最小的磁场(偏置磁场)，从而使每个电子束的位移最小。

显然，在无误差管中，按照设计值要被静态地会聚在荫罩的一点上的电子束B1，在其不受“在理想情况下制造的会聚磁装置的最小磁场的”影响的条件下可以容易地被对准，即它不会移动。

然而，在不是于理想情况下制造的会聚磁装置中，电子束B1发生位移，或移动，如同电子束B2，因而使对准相当困难。

因此，在无误差管中，特别需要一种能够在会聚磁装置的最小磁场状态下使电子束的位移最小的技术。

按照这种要求研制过种种技术用于制造会聚磁装置。

例如，有一种技术致力于减少每个磁环的N和S极之间的偏差。最近，另一种技术提出在每对磁环的平均磁通密度之间设置一个差值。还有另一种技术提出在每对磁环的N和S极的磁通密度之间设置差值。

在对每对磁环的平均磁通密度之间设置一个差值的技术中，当磁环的组合磁场最小时的最小束位移(移动)是0.2-0.5mm，当组合磁场最大时中心束位移是0.1-0.8mm。因此，这种技术的缺点在于，最小束位移仍然较大。此外，当每对磁环的组合磁场最大时，中心束或G束移动一个相当大的量，故引起对准困难。

在对每对磁环的N和S极的磁通密度之间设置差值的技术中。当磁环的组合磁场最小时的最小束位移(移动)是0.2-0.6mm，当组合磁场最大时中心束位移是0.1-0.6mm。类似地，这种技术的缺点在于，最小束位移是不可忽略的。此外，当每对磁环的组合磁场最大时，中心束移动一个相当大的量，使得静态会聚对准发生困难。

在另一方面，每对磁环的平均磁通密度之间的差叫做对率。对率大约为10-30％，使得在束的入口侧的磁环的平均磁通密度比在束的出口侧的磁环的大。

在束的入口侧的磁环和在束的出口侧的磁环考虑到对率必须被单独磁化，这在磁环制造工艺中造成不便。此外，在束的入口侧的磁环和在束的出口侧的磁环在装配工序中必须被选择地装配。在装配工序中，通常磁环被肉眼观察的不一致，因而，最终的误装配会造成不良的产品。

显然，即使会聚磁装置按照上述技术被理想地制造，由于在CRT中的会聚磁装置的分散性，在没有磁场的情况下也不可避免地存在束位移。

为了解决上述问题，可以在一个隔离物中进一步形成一2极的伪磁体(P_N，P_S)(见本申请人在1993，5，1提交的申请号为93-7214的韩国实用新型，其在1996，7，29公开(实用新型公开号966527))。不过，在该实用新型中，侧束(R和B)不能同时在相同的方向(上下左右)发生相似的位移，这使得3个束在CRT上不容易实现静态会聚。

结果，在具有非常小的CCV的无误差管中，3个电子束在一点上的静态会聚不容易被对准，这是由于ITC的调整范围非常窄，以及在最小磁场状态下发生的CCV误差所致。此外，考虑到对率或者考虑到平均磁密之间的差值，磁环必须被单独极化。这使得其结构、制造和装配复杂。

因此，根据上述问题作出了本发明，因而本发明的目的在于提供一种会聚磁装置，其中提供一单独的6极磁体，用于使R，G，和B电子束的一侧或两侧电子束在最小的磁场状态下移动，从而增加CCV，借以在无误差管中使3个电子束容易被静态地会聚。

本发明的另一个目的在于，提供一种用于CRT的会聚磁装置，其可以应用于ITC自动化，并且可以制造时不设置磁通密度之间的差值以及不用区分在束入口和束出口侧的磁环。

按照本发明，上述的和其它的目的可以通过提供一种用于阴极射线管的会聚磁装置来实现，所述会聚磁装置包括三对分别被极化为p极，4极和6极的磁环，多个隔离物，其每个被设置在相邻的磁环对之间，用于防止其间的转动干扰，以及一非磁的保持器，用于保持磁环和隔离物，其中会聚磁装置还包括一个被形成在一个特定的隔离物中的单独的6极磁体，用于使红绿蓝电子束中的一侧或两侧的电子束在磁环的最小磁场状态下发生位移，从而增加中心会聚变量，所述特定的隔离物由磁性树脂材料构成。

本发明的上述和其它的目的特点和优点由下面结合附图所作的详细说明将看得更加清楚，其中：

图1是一般的CRT的结构的示意图；

图2a-d是通过ITC调整在CRT的机械中心上实现电子束静态会聚的示意图；

图3说明通过常规的磁环而引起的电子束的位移；

图4是按照本发明的会聚磁装置的结构的示意图；以及

图5a-d说明通过图4所示的会聚磁装置在最小磁场状态下电子束的分散。

图4是按照本发明的会聚磁装置的结构的示意图。如图所示，这种会聚磁装置包括3对磁环10，20和30，它们分别被极化为p极，4极和6极，多个隔离物40，其中每个被设置在相邻的一个磁环对10，20，和30之间，用于阻止其间的转动干扰，以及一用于保持磁环10，20，和30以及隔离物40的非磁的保持器50。会聚磁装置还包括一个在隔离物40中之一个特定隔离物40a中形成的单独的6极磁体(P_N，P_S)，用于使R，G和B电子束之一侧或两侧的电子束在磁环10，20和30的最小磁场状态下发生位移，从而增加CCV。隔离物40a由磁树脂材料制成。

单独的6极磁体(P_N，P_S)适用于根据R，G和B电子束中的一个中心电子束(G电子束)，沿上和右方向之一或其组合方向(+增加方向)增加CCV，如图5a和5b所示，或者沿左和下方向(-增加方向)增加CCV，分别如图5c和5d所示。

单独的6极磁体(P_N，P_S)也适用于增加CCV为+0.3mm～+1.5mm或-0.3mm～-1.5mm。

此外单独的6极磁体(P_N，P_S)可以被形成在隔离物40和40a的任何一个中。

在本发明的会聚磁装置中，CCV，或者束间距离，相对基准值偏离一个相当窄的限度。因此，这种会聚磁装置在难于对准静态会聚的无误差管的ITC工作过程中是非常有用的。

换句话说，在无误差管中，ITC调整是非常困难的，因为R，G和B电子束被很近地会聚，即CCV极小。

然而，在本发明的会聚磁装置中，单独的磁体可使R，G和B电子束的一侧或两侧的电子束位移，借以人为地增加CCV。

具有增加的CCV的无误差管基本上等于具有大的会聚误差的CRT。结果，ITC调整的范围增加了，使得静态会聚更容易地被对准。

虽然CCV取决于CRT的特性，但在实际使用中通过形成一单独的磁体，该磁体产生一个对CRT的特性和会聚没有影响的磁场，使得CCV和CRT的特性的关系很小。

按照本发明，在将来的ITC自动化中，将根据增加的CCV自动地实现ITC调整，使得自动化设备和测量误差被大大减小。此外，用于转动磁环的伺服机构可以低的成本制造。

由上述可见，按照本发明，为了克服在无误差管中在ITC调整中的困难，提供一个单独的磁体，用于分散电子束在无误差管上的排列，并在分散状态下使电子束静态地会聚。因此，这种会聚磁装置不需要常规的复杂的技术结构，例如为无误差管配备的双磁体结构。此外，这种会聚磁装置的结构简单，同时它的ITC调整范围宽。因此，这种会聚磁装置对于将来的ITC自动化是非常经济而有利的。

此外，偏转轭和会聚磁装置可被相互分开地构成，或者会聚磁装置可以在偏转轭的后部和偏转轭连成一个整体。

虽然为了说明本发明披露了本发明的优选实施例，但是，本领域的技术人员应当理解，不脱离所附权利要求限定的构思可以作出各种改变和改型。

Claims

1一种用于阴极射线管的会聚磁装置，包括3对分别被极化为p极，4极和6极的磁环，多个隔离物，其每个被设置在相邻的磁环对之间，用于阻止其间的转动干扰，以及一非磁的保持器，用于保持磁环和隔离物，其中会聚磁装置还包括一个被形成在所述隔离物中的一个特定的隔离物内的单独的6极磁体，用于使红绿蓝电子束中的一侧或两侧的电子束在所述磁环的最小磁场状态下发生位移，从而增加中心会聚变量，所述特定的隔离物由磁树脂材料构成。

2如权利要求1所述的用于阴极射线管的会聚磁装置，其特征在于，所述单独的6极磁体适用于沿着上、右方向之一或其组合，或者沿着左、下方向之一或其组合，根据所述红绿蓝电子束的一个中心的电子束，增加所述中心会聚变量。

3如权利要求1所述的用于阴极射线管的会聚磁装置，其特征在于，所述单独的6极磁体适用于增加所述中心会聚变量为+0.3mm～+1.5mm或-0.3mm～-1.5mm。

4如权利要求1所述的用于阴极射线管的会聚磁装置，其特征在于，所述单独的6极磁体被形成在所述隔离物的任何一个中。