CN1227380A - 薄膜磁头装置的制造和检查方法及其制造和检查装置 - Google Patents

Abstract

在用配线材料连接滑块和闸板的工序，和使承载梁和滑块位置对准并接合起来的工序中，利用半导电性材料制造配线材料的闸板有可能接触的滑块夹具。又，关闭开关SW1，使用半导电体(表面电阻=1×10⁶～1×10¹²欧姆/平方)制成的座与地面连接,同时,打开开关SW2,使端子与DCR检测装置断开之后，将磁头装置和引线安装在设置部分内。经过规定的时间之后，在打开开关SW1，同时关闭开关SW2的状态下，测定磁头装置的特性。

Description

薄膜磁头装置的制造和检查方法 及其制造和检查装置

本发明涉及在装有薄膜元件的磁头装置制造过程中，可以防止由于配线材料的绝缘体部分的静电带电造成的薄膜元件质量变坏或破损的薄膜磁头装置的制造方法和制造装置，以及该磁头的检查方法和检查装置。

图9为设置在硬盘装置等上的薄膜磁头装置的立体图。

这个磁头装置，在作为弹性支承构件的承载梁1的前端，安装着同样是作为弹性支承构件的挠性件3。在该挠性件3上，安装着陶瓷制成的滑块4。该滑块4通过支轴支承着，可以改变相对于承载梁1的姿势。另外，安装板2与承载梁1的基体端部接合在一起。

在上述滑块4的后端端面上，安装着薄膜元件5。该薄膜元件5具有含有MR元件的再现部分；和具有线圈图形，可以将磁信号记录在记录媒体上的电感薄膜头的记录部分。该MR元件利用磁阻效应，可检测硬盘等记录媒体的泄漏磁场。

导电引线7与上述薄膜元件5的电极衬片连接，另外，在该导电引线7上，覆盖着绝缘体8，构成配线材料。该配线材料从承载梁1的基体端部延伸出来，由绝缘体8覆盖的部分，与承载梁1的边缘固定。又，在该配线材料的基体端部，闸板9与上述导电引线7连接。闸板9由环氧玻璃等绝缘材料制成，在其表面上，形成由导电材料制成的台阶部分9a,9b,9c,9d。导电引线7的各个引线7a,7b,7c,7d，利用锡焊，分别与该台阶部分9a,9b,9c,9d连接。

图10为表示现有的磁头装置和磁头测定方法的立体图。在图10所示的磁头装置1中，在由极薄的不锈钢等板材制成的板簧34的前端(X1侧)的下面(Z2侧)，设有滑块4。这个滑块4为具有再现专用的薄膜磁头(MR头)4A和记录专用的电感头4B的复合型薄膜磁头。

板簧34的X2一侧为固定部分34a。在该固定部分34a的下面，固定着向图示的X2方向延伸的挠性印刷基板等的引线35。在这个引线35上，平行地形成四根图形线，它们分别与上述滑块4的薄膜磁头(MR头)4A，和电感头4B的输入和输出端子连接。在引线35的X2一侧的端部，形成检测部分35A。该检测部分35A是由将铜箔等露出在引线35的表面上，铜箔等中心部分上穿孔的四个四方形的孔35a,35b,35c和35d构成。这些四方形孔35a,35b,35c和35d的大小和间隔是预先规定的。另外，上述引线35的各个图形线，分别与这个检测部分35A的各个四方形孔35a,35b,35c和35d连接。即：例如，MR头4A的输入端子和输出端子，通过引线35的图形线，分别与四方形孔35a和四方形孔35b连接；而电感头4B的输入端子和输出端子，通过引线35的图形线，分别与四方形孔35c和四方形孔35d连接。

在图10中，还表示了用于作为MR头4A和电感头4B的输入端子和输出端子之间的直流电阻的专用测头38。这个专用测头38具有可以分别插入上述引线35的检测部分35A的各个四方形孔35a,35b,35c和35d中的端子39(39a,39b,39c和39d)；它埋入由绝缘体制成的座38a中，从一端的端面，向着检测部分35A的方向(Z1方向)突出出来。另外，从各个端子39输出的引线40，分别延伸至座38a的另一端的端面上，与上述DCR检测装置37连接。该DCR检测装置37，可以是所谓的数字式电压表等。通常，当将电阻与一对测头的两端连接时，有微小的恒定电流(例如1mA)流过，测出测头两端之间的电压下降，由这个电压值换算，则可表示该电阻的直流电阻值。

在磁头装置1交货之前，或根据情况不同，在交货以后，利用上述专用测头38，可以进行上述MR头4A和电感头4B的直流电阻的测定。

在上述磁头装置的制造工序中，由于作业环境中的温度和湿度的关系，还有在作业过程中，加在配线材料上的摩擦力等影响，在配线材料的覆盖绝缘体8和闸板9上，容易产生静电。在绝缘体8带有静电的状态下，当露出的导电引线7或台阶部分9a,9b,9c,9d与导电材料接触时，在薄膜元件5上，有过大的电流流过。这样，在薄膜元件5，特别是构成MR元件的薄膜材料的层间，由于焦耳热量的影响，会产生移动，甚至会造成熔融破坏(静电破坏)。

图8为说明发生上述静电破坏现象的说明图。

当由于摩擦等作用，在绝缘体上产生静电时，在内部的导电引线上会产生的静电分极。例如，当绝缘体上带有由静电产生的正电荷时，在导电引线中，正电荷集中在中心部位，而负电荷则集中在与绝缘体接触的边界部位处。即：导电引线内的电子集中在与绝缘体接触的边界部位处，导电引线内部形成分极，达到平衡状态。

这时，如在图7的情况那样，当导电引线，通过台阶部分等，与低电阻的导电材料接触时，导电材料的电子急剧地流入导电引线的中心部位，结果造成在薄膜元件中有过大的电流流过。当过大的电流在薄膜元件5的MR元件的层内流动时，MR元件由于焦耳热量的影响而发热；并且，由于这种热量发散不出去，因此，在MR元件的层间产生移动或熔融破坏等现象。

以往，在制造图9所示的磁头装置时，在将导电引线7锡焊在滑块4的薄膜元件5上的工序，使作为弹性支承构件的承载梁1相对于滑块4定位的工序，粘接固定挠性件3和滑块4的工序，和使用闸板的台阶部分9a,9b,9c,9d测定薄膜元件5的直流电阻等电气特性或磁特性的检测工序中，该滑块4和支承承载梁1的夹具由低电阻的导电材料制成。

因此，闸板9的台阶部分9a,9b,9c,9d等容易与上述夹具，或放在制造生产线上的其它导电材料接触，这样，就形成由上述静电引起的薄膜元件5容易破损等现象的环境。

本发明是为了解决上述现有技术的问题而提出来的，其目的是要提供一种磁头装置的制造方法和制造装置，该方法和装置使闸板的台阶部分和挠性基板的台阶部分，在生产线上没有与导电材料接触的机会，因而可以防止上述由于带有静电而引起的薄膜元件的破损等问题。

另外，在使用上述专用测头进行检测的情况下，存在下列问题。即：当专用测头38的端子39插入检测部分35A的各个四方形孔35a,35b,35c和35d中时，经常发生MR头4A烧坏的事故。其原因可认为是静电引起的。即：引线35是多根引线的图形线在聚酰亚胺等绝缘膜内形成的。这种绝缘膜本身很容易由于静电作用而带电，例如，在有些情况下，其带电程度可达大约200～300伏的高电位。在这种带电的情况下，因为各根引线图形线也变成高电位，因此，从与它们直接连接的MR头4A和电感头4B的输入端子和输出端子的接地端看的电位，也是极高的电位。另外，DCR测定装置通常是在偏离接地电位的某一电位下工作的，在它与上述各个引线图形线之间，也会产生高的电位差。

因此，在这种状态下，当专用测头38的端子39插入检测部分35A的各个四方形孔35a,35b,35c和35d中时，在该端子与各四方形孔之间，有电子移动。在某些情况下，在它们之间，有数百mA以上的电流瞬时流过。

当端子39插入检测部分35A中时，即：分别将端子39a插入四方形孔35a中，将端子39b插入四方形孔35b中，将端子39c插入四方形孔35c中，和将端子39d插入四方形孔35d中时，看上去好象是同时插入的，但严格来说，各个端子39之间，可能时间上多少有些错开。例如，当端子39a插入四方形孔35a中，与MR头4A的输入端子导通时，有时候在端子39b一侧，还没有与MR头4A的输出端子导通。这样，在输入端子与端子39a之间的电位差作用下，有过大的电流瞬时流过。这时，由于即使在输出端子一侧，通过MR头4A和输入端子，与端子39a导通，但端子39a和输出端子之间的电位差的作用，会在MR头4A和输入端子中瞬时产生过大的电流。特别是，在通过MR头流动的电流为在检测电流(数mA至15mA左右)以上的大电流的情况下，会产生MR头4A烧毁的问题。

另外，静电不仅仅限于引线35一侧，在专用测头38上也可能产生静电。即：由于专用测头38和DCR检测装置37连接的引线40，为将多根绝缘体覆盖的引线40(上述情况下为4根)拧捻构成的，各个覆盖层彼此之间的摩擦带电等，也容易产生静电感应。因而，例如，当正的感应电荷积蓄起来，使覆盖层带有正电位时，原来处在中和状态的导线内的负电子，被吸引至导线37A的外圆周表面。这样，由于导线内部成为负电子缺乏的状态，导线的中心部分形成正电位的感应分电极。另外，由于在这种状态下连接的各个端子39和上述引线35的引线图形线之间产生电位差，在二者连接的地方之间，产生电子移动；同样有上述数百mA以上的过大电流瞬时流过，因而MR头4A会烧毁。特别是，导线中心部分的电位与上述引线图形线的电位方向相反时，由于二者间的电位差更加扩大，因此，可产生更大的电流。

另外，上述磁头装置1和硬盘的连接，是在比检测部分35A更接近磁头装置1的连接端子35B部分上进行的。即：由于在测定了直流电阻后，引线35的检测部分35A不再需要了，因此，在装入硬盘等之前，需在图示的6-6线附近，将它切断。可以使用锐利的金属刀具等进行切断。然而，当在上述测定直流电阻之后，利用刀具切断引线35的引线图形线时，在该引线图形线和刀具之间也会产生电位差，这样，与上述的情况一样，在该引线图形和刀具之间有大的电流流过，MR头4A也会烧毁。这种情况就是在直流电阻测定后，直到切断之前这段时间内，产生的静电所造成的烧毁的情况。因此，在引线35上产生新的静电之前，在测定后，需立即切断该引线35。

本发明是为了解决上述现有技术的问题而提出的，其目的是要提供一种在测定MR头的直流电阻时，不会烧毁MR头的磁头检查方法。

本发明还有一个目的是要提供一种在切断挠性印刷基板或引线等时，不会烧毁MR头的磁头检查方法。

本发明的另一个目的是要提供一种可以一起进行上述MR头的直流电阻测定和引线切断的磁头检查装置。

本发明主要是，在将装有薄膜元件的滑块安装在弹性支承构件上，并且设置有由与上述薄膜元件导通的导电引线，和覆盖该导电引线的绝缘体构成的配线材料的薄膜磁头装置的制造方法中，在下列各个工序中，即在：将上述配线材料的导电引线与上述滑块的薄膜元件连接的工序，将弹性支承构件与上述滑块接合的工序，和通过在上述配线材料的基体端部上形成的台阶部分来测定该薄膜元件的磁特性的工序中，将形成上述台阶部分的部分，设置或固定在由表面电阻在1×10⁶～1×10¹²欧姆/平方(Ω/square)的半导电材料制成的区域中。

上述的配线材料是由线材制成的导电引线被绝缘体覆盖而成的；或者是导电引线在绝缘薄膜上形成薄膜图形的挠性印刷基板。在挠性印刷基板的情况下，覆盖上述绝缘薄膜和导电引线的保护膜成为带静电的绝缘体。另外，在用挠性印刷基板作配线材料的情况下，台阶部分做在挠性印刷基板的基体端部上。

在设置有形成台阶部分的一个部分的夹具、保持体、台架，还有生产线上，上述台阶部分有可能接触的区域，用半导电性材料制成，而且，该半导电性材料接地。在上述配线材料的绝缘体带电的状态下，当台阶部分等与半导电性材料接触时，电子以缓慢的速度在导电引线和半导电性材料之间的流动，导电引线内的静电分电极的平衡状态消除。这时，流过薄膜元件的电流很小，可以防止静电破坏。

另外，本发明的薄膜磁头装置的制造装置是这样的：将装有薄膜元件的滑块，安装在弹性支承构件上，并且设有由与上述薄膜元件导通的导电引线，和覆盖该导电引线的绝缘体构成的配线材料；其中，当上述滑块用夹具支承，将上述配线材料的导电引线与上述滑块的薄膜元件连接时，设置有形成上述配线材料的基体端部的台阶部分的那样一个部分的区域，由表面电阻在1×10⁶欧姆/平方以上，1×10¹²欧姆/平方以下的半导电性材料制成。

或者，将装有薄膜元件的滑块安装在弹性支承构件上，并且设置有由与上述薄膜元件导通的导电引线，和覆盖该导电引线的绝缘体构成的配线材料；其中，当用夹具支承上述滑块，将该弹性支承构件安装在上述滑块上时，设置有形成与上述薄膜元件连接的配线材料的基体端部台阶部分的那一部分的区域，由表面电阻在1×10⁶欧姆/平方以上，1×10¹²欧姆/平方以下的半导电性材料制成。

或者，将装有薄膜元件的滑块安装在弹性支承构件上，并且设置有由与上述薄膜元件导通的引线，和覆盖该导电引线的绝缘体构成的配线材料；其中，在安装有上述滑块的弹性支承构件由夹具支承的状态下，设置有形成上述配线材料的基体端部的台阶部分的那一部分的区域，由表面电阻在1×10⁶欧姆/平方以上，1×10¹²欧姆/平方以下的半导电性材料制成。

在滑块或滑块与弹性支承构件的组合体固定在夹具上输送的生产线上，台阶部分或导电引线有可能接触的支承台、支柱等生产线的构成元件，最好全部用半导电性材料制成。

上述半导电性材料，可以为例如：离子导电性陶瓷，离子导电性高分子，或高分子中混入导电性填充剂的复合导电材料。

本发明提供了一种磁头的检查方法，该磁头具有薄膜元件，并且设有与上述薄膜元件连接的引线；其中，该检查方法由下列工序组成：将设在基座上的座与地面连接的工序；将设在上述座上的端子从DCR检测装置断开的工序；将上述磁头固定在上述基座上，同时将从磁头延伸出来的引线的检测部分，和上述端子连接的工序；在经过规定的时间后，将该座与地面断开的工序；和将上述端子与DCR检测装置连接，检测薄膜元件的设计特性(DCR)的工序。

在本发明中，当该座与地面连接时，如图7所示，各条引线图形线通过四方形孔35a等，通过端子39、座44a、输出线43和开关SW1，与地面G连接。同时，DCR检测装置37和各个端子35a等的连接，被开关SW2断开。因此，当将磁头和引线35安装在基座42上，将检测部分与端子连接时，由静电带电产生的引线的各条图形线的电位差的影响，电子通过上述各条图形线、四方形孔35a等、端子39、座44a、输出线43和开关SW1，在它们与地面之间移动。由于提高该座的电阻值，利用高电阻来减缓电子的移动，因此，可以避免大电流在上述各元件之间流动。另外，使小的电流缓慢流动，经历一段时间，在引线图形线的电位差几乎为零的状态下，可以进行磁头检测。当端子再次与DCR检测装置连接时，由于引线图形线和DCR检测装置之间的电位差也几乎为零，这样，电子很难在其间急剧移动。即：当端子再次与DCR检测装置连接时，可以避免大电流流动。由于可以减小流过引线图形线本身的电流，所以可以防止MR头烧毁。

在如上所述，将端子与DCR检测装置连接，检测薄膜元件的设计特性(DCR)之后，最好有从引线上切断上述检测部分的工序。

在检测了磁头特性以后，通过切断引线，可以使引线难以带上在检测后至切断前期间所产生的静电。因此，由于切断时，在引线图形线和刀具之间，很难产生电子急剧移动，因此不会产生大电流。

另外，上述的座最好由表面电阻在1×10⁶～1×10¹²欧姆/平方的范围内的半导电性材料制成。

通过将该座的表面电阻设定在这个范围内，可以将该测定部分与端子连接时产生的瞬时电流的峰值限制在检测电流以下。由于流过MR头本身的电流小，因此可防止MR头烧毁。

本发明的磁头检查装置具有：设置了具有薄膜元件的磁头的设置部分，与设置在和上述薄膜元件连接的引线上的检测部分连接的端子，固定上述端子的座，断开与连接上述端子和DCR检测装置的开关，和断开与连接上述座和地面的开关。

另外，在上述装置中，最好具有在利用DCR检测装置检测薄膜元件的设计特性(DCR)之后，切断引线，将检测部分分离的刀具。

通过将具有引线的磁头装在该磁头检查装置上，可以使从利用上述方法检测磁头，至切断该引线的一部分(检测部分)的工作，在短时间内进行。即：可以可靠地，不致烧毁MR头，而进行磁头的检测，并且可以切断引线。

上述座，最好由表面电阻在1×10⁶～1×10¹²欧姆/平方范围内的半导电材料制成。

这样，由于可以使电子缓慢移动，可以抑制大电流发生，可以使引线图形线和地面，或与DCR检测装置之间的电位差慢慢地接近零。因此，在经过规定的时间后，即：在电位差达到零之后，在DCR检测装置的检测和切断引线的情况下，不会烧毁MR头。

图1A为表示使用滑块夹具的配线材料连接工序的立体图；

图1B为表示滑块与承载梁的位置对准，并接合在一起的工序的立体图；

图2为表示并排设有将配线材料的闸板接地的台架的状态的立体图；

图3为表示使用回转台架的磁头装置的制造方法和制造装置的立体图；

图4为使用挠性印刷基板的磁头装置的立体图；

图5为表示使与记录媒体相对的表面向上的滑块的立体图；

图6为从ABS面一侧看的薄膜元件的再现部分的剖面图；

图7为表示进行本发明的磁头检测和切断的检查装置的立体图；

图8为导电引线的诱导分电极的说明图；

图9为表示磁头装置的立体图；

图10为表示现有的磁头装置和磁头的检测方法的立体图。

图1A、图1B和图2所示的磁头装置H的基本构成与图9所示的相同。

这个磁头装置H，在其承载梁1的前端设有挠性件，滑块4与这个挠性件接合。承载梁1和挠性件，为由板簧等材料制成的弹性支承构件。安装板2与承载梁1的基体端部接合。

如图5所示，滑块4的α端为前端，β端为后端。硬盘等记录媒体从前端向后端行走。在滑块4的与记录媒体相对的表面上，形成承受由记录媒体上的空气流产生的浮起力的导轨状的ABS面4a,4a，而在后端的端面4b上，设置薄膜元件5。

图6表示从ABS面4a一侧看的薄膜元件5的剖面图。薄膜元件5由利用图6所示的磁阻效应的再现部分，和重叠在该再现部分上的记录部分构成。

图6所示的薄膜元件5的再现部分是从滑块4的后端的端面4b开始，按照下部屏蔽层11，作为绝缘层的下部分间隙层12这样的顺序形成的。在它的上面，层叠着一个MR元件13，再层叠有作为绝缘层的上部间隙层14和上部屏蔽层15。MR层13为SAL、SHANT、MR的三层结构，在它的两侧，形成硬偏压层16和导电层17。或者，MR元件同样也可使用旋转阀型元件，双旋转阀型元件等。

另外，在图6所示的薄膜元件5的再现部分上，形成具有线圈层、上部铁芯层等的电感型的记录部分。

又如图5所示，在滑块4的后端端面4b上，还形成图6所示的导电层17，和与记录部分的线圈层导通的电极衬片6。

在磁头装置H上，还设置有配线材料C。配线材料C是由用导线等线材制成的四根导电引线7，被树脂材料等制成的绝缘体8覆盖构成的。导电引线7的一端，利用锡焊等方法，与图5所示的滑块4的各个电极衬片6连接；而导电引线7的另一端，与闸板9上的台阶部分9a,9b,9c,9d锡焊在一起。闸板9是供检查和检测用的，它由绝缘材料制成；台阶部分9a,9b,9c,9d用铜箔等材料制成。

图1A表示在利用磁头装置的制造装置(生产线)的制造方法中，使上述滑块4和闸板9导通的工序。

图1A中表示了滑块的夹具21。在滑块夹具21上做出一个凹部21a；滑块4被后端(β端)朝上地固定在凹部21a中。另外，在图1A中，闸板9使其台阶部分9a,9b,9c,9d朝上地设置在滑块夹具21的上面，利用固定构件22固定。

这里，滑块夹具21整个是由半导电性材料制成的，或者至少是，设置了闸板9的区域是用半导电性材料制成的。另外，该半导电性材料的一部分接地，变成地面电位。

在图1A所示工序中，配线材料C的导电引线7的两端，利用锡焊等方法，与设置在滑块4上的电极衬片6和闸板9的台阶部分9a,9b,9c,9d连接。

图1B表示将作为弹性支承构件的承载梁1，和滑块4的位置对准并接合起来的工序。

在图1B中，滑块夹具21从图1A的姿势侧转90°，使滑块4的上表面向上。另外，还与滑块夹具21并排地设置了承载梁夹具23。这个承载梁夹具23，可以用工具钢等铁系材料的导电材料制成，但最好是用半导电性的材料制成，并接地。

在图1B的工序中，利用设在承载梁夹具23上的定位销23a等，来支承该承载梁1的安装板2。在这个状态下，使滑块4和承载梁1的相对位置对准。在这个位置对准的作业中，利用图像处理等方法来测定承载梁1的前端与滑块4的相对位置；与它相应地来相对移动该滑块夹具21和承载梁夹具23；或者移动滑块4。当承载梁1和滑块4的位置对准工作完成后，用粘接剂，将该承载梁1前端的挠性件和滑块4固定。

当承载梁1和滑块4接合完成后，如图2所示，与承载梁夹具23并排设置一个台架24。在图2的状态下，闸板9从滑块夹具21上卸下，设置并固定在台架24上；配线材料C则向承载梁1的基体端部延伸。固定该台架24和闸板9的固定件，也是由半导电性材料制成，接地，设定成地面电位。

在图2的状态下，利用传送带将该磁头装置移送至下一工序。在以后的工序中进行各种检查，检测。在检查和检测工序中，例如，可利用在台架24上接地的闸板9的台阶部分9a,9b,9c,9d，来检测薄膜元件5的直流电阻和测定其它的磁特性。

在上述检查和检测完成以后，从导电引线7上将闸板9切断，送至向硬盘装置等上进行安装的工序。

在从图1A至图2的过程中，滑块夹具21，承载梁夹具23和台架24等，沿着传送带连续地输送至各个工序；但在这条传送带上，与支承或固定闸板9的滑块夹具21、台架24和闸板9的台阶部分9a,9b,9c,9d可能接触的区域，都用半导电性材料制成。

在本说明书中，将表面电阻在1×10⁶欧姆/平方以上，1×10¹²欧姆/平方以下的材料定义为半导电性材料。又将表面电阻在1×10⁶欧姆/平方以下的材料定义为导电材料；将表面电阻在1×10¹²欧姆/平方以上的材料定义为绝缘材料。

这里，表面电阻在1×10⁶欧姆/平方以上，1×10¹²欧姆/平方以下的半导电性材料为离子导电体。例如，可以是氧化锆陶瓷、β-氧化铝陶瓷等离子导电性陶瓷；在高分子中混入聚乙炔、聚-对-亚苯基1,2-亚乙烯基(ポリ-p-フェニレンビニレン)等的离子导电性高分子、碳或金属粉末等导电性填充剂的复合导电材料等。

如图8所示，当由于作业环境的湿度、温度和加在配线材料C上的摩擦的影响，绝缘体8带有静电时，在导电引线7的内部，电子产生偏移，产生介质极化，而达到平衡状态。当产生过剩的介质极化时，导电引线7与导电材料导通，电子急剧地在导电材料和导电引线之间移动。这样，在薄膜元件5，特别是MR元件13上有过大的电流流过。由于焦耳热量的作用，会产生MR元件的层间移动，甚至会产生MR元件13的熔融破坏。在本发明中，成为闸板9的台阶部分9a,9b,9c,9d有可能接触的部分(区域)的滑块夹具21，固定件22和台架24等，都用半导电性材料制成，而且，半导电性材料接地。因此，当台阶部分9a,9b,9c,9d与滑块夹具21和台架24接触时，电流缓慢地在导电引线7和半导电性材料之间流动。这样，如图8所示的导电引线7内的介质极化的平衡状态可以缓和或消除。这时，由于从导电引线7，经过图6所示的导电层17，流入MR元件13的电流值很小，因此，可以抑制MR元件13的温度升高，防止上述层间移动的产生或熔融破坏。

但是，当利用绝缘材料制造滑块夹具21、固定件22和台架24等，在这些零件与台阶部分9a,9b,9c,9d接触时，由于在导电引线7和绝缘材料之间，不产生电子移动，因此，不能缓和或消除图8所示的介质极化的平衡状态。另外，由于绝缘材料本身容易带电，这更促进了绝缘体8的带电，容易助长导电引线7内的介质极化。

图3表示本发明的磁头装置的制造方法和制造装置的另一个例子。

在图3所示的例子中，设有以轴32为中心转动的回转台架31。在该回转台架31上，安装着滑块4、承载梁1和配线材料C，另外还固定着闸板9。通过这个回转台架31的回转，和在各个作业工作站时的停止回转，与图1和图2所示的情况一样，可以进行滑块4和闸板9的配线材料连接，滑块4和承载梁1的位置对准和接合；以及使用闸板9的台阶部分9a,9b,9c,9d进行检查和检测的作业等。

这个回转台架31，整个由半导电性材料制成；或者至少是设置闸板9的区域由半导电性材料制成。这些半导电性材料接地，设定成地面电位。

在图3所示的磁头装置的制造方法和制造装置中，由于闸板9的台阶部分9a,9b,9c,9d可能接触的区域都用半导电性材料制成，因此，可以阻止接触时过大的电流流过薄膜元件5，特别是流过MR元件13。

图4表示磁头装置的另一个构成例子。

在这个磁头装置Ha中，配线材料Ca由挠性印刷基板F构成。这个挠性印刷基板F是在绝缘薄膜表面上，形成导电引线的图形，然后，再用保护膜将该表面覆盖起来。在该挠性印刷基板的端部，整体地形成一个闸板部分Fa。由导电材料制成的台阶部分9a,9b,9c,9d在该闸板部分Fa上露出来，这个台阶部分通过上述各个导电引线，与薄膜元件5导通。

与上述的闸板一样，闸板部分Fa也是供检查和检测用的。在装在硬盘装置等上的状态下，在离开该闸板部分Fa的端部上，设置有用于在该磁头和装置本体之间传递信号用的连接台阶33a,33b,33c,33d。完成磁头装置，并在通过闸板部分Fa的台阶部分9a,9b,9c,9d，完成了检查和检测之后，在L所表示的部分处，将该挠性印刷基板F切断，除去闸板部分Fa。

如图1，图2或图3所示那样，在这个磁头装置Ha的制造工序中，上述闸板部分Fa和接触台阶33a,33b,33c,33d有可能接触的区域，都用半导电性材料制成，并且接地。

因此，在挠性印刷基板Fa的绝缘薄膜和保护膜带有静电，导电引线产生如图8所示的介质极化的情况下，可以防止过大的电流，通过台阶部分9a,9b,9c,9d或连接台阶33a,33b,33c,33d流入薄膜元件5。

另外，本发明的磁头装置不仅仅限于在硬盘上使用，也可以作为其它磁性记录媒体的磁性检测，或其它各种磁性传感器使用。

图7表示进行磁头装置的检测和引线切断的检查装置的立体图。

磁头装置1与上述图10所示的磁头装置相同。在板簧34的前端，设置具有再现专用的薄膜磁头(MR头)4A和记录专用的电感头4B的滑块4。由将上述MR头4A和电感头4B的输入端子和输出端子(图中都没有示出)连接起来的挠性印刷基板等组成的引线35，从固定部分34a的下面延伸出来，在引线的前端形成检测部分35A。引线35除了挠性印刷基板以外，用通常的引线也可以。检测部分35A是由在引线35的表面上露出的铜箔的中心穿孔的四方形孔35a,35b,35c和35d构成的，这些四方形孔分别与上述MR头4A和电感头4B的输入端子和输出端子连接。在检测部分35A和磁头装置之间，还设有用于与实际的硬盘连接的连接端子35B。

符号41为检查装置，主要由基座42和刀具C构成。在基座42上，形成一个设置部分42A。该设置部分42A由容纳磁头装置的第一嵌合槽42a，容纳引线35的第二嵌合槽42b和只容纳引线35中的检测部分35A的第三嵌合槽42c构成。上述磁头装置1和引线35，可以大致按其原来形状放置在这个设置部分42A(第一、第二和第三嵌合槽42a、42b和42c)内。在上述第二嵌合槽42b和第三嵌合槽42c之间，即：检测部分35A和连接端子35B之间，形成一个支承部分42B。该支承部分42B在与引线35的延伸方向垂直相交的方向上延伸。刀具C的刀口可以夹入该支承部分42B中。

刀具C为钢等制成的锋利的金属刀，它固定在图中没有示出的支点上，可以自由转动。上述支承部分42B位于该刀具的回转范围内。在引线35装在上述第二嵌合槽42b和第三嵌合槽42c内的状态下，通过使刀具C下降，即可以切断引线35。

另外，在检查装置41附近，设置有用于测定MR头4A和电感头4B的直流电阻的DCR检测装置。该DCR检测装置的检测用测头44，埋入基座42的上述第三嵌合槽42c内。测定用的测头44埋在座44a的内部，端子39(39a,39b,39c和39d)与上述的四方形孔35a,35b,35c和35d的间隔相同。该座44a从第三嵌合槽42c露出来，并且上述各个端子39a,39b,39c和39d向图示的上方突出。这个座44a由表面电阻为1×10⁶～1×10¹²欧姆/平方的半导电性材料制成。

作为半导电性材料，例如可以由离子导电体，导电性高分子，导电性填充剂和离子传导高分子等制成。作为离子导电体，可以使用例如：ZrO₂-Y₂O₃、Bi₂O₃-Y₂O₃、PbCl₂、Li₁₄Mg(GeO₄)₄、PbF₂、Li₃N(单晶体)、Na-β-氧化铝(多晶体)、7CuBr·C₆H₁₂N₄CH₃Br、H₃PW₁₂O₄₀·29H₂O、Na-β-氧化铝(单晶体)、RbA9₄I₅等。作为导电性高分子可以使用例如：聚乙炔、聚-对-亚苯基1,2-亚乙烯基、(ポリ-2.5-チュニレンビニレン)、聚-对-亚苯基、聚吡略、聚噻吩、聚苯胺、聚异硫茚、(ポリベリナフタレン)等。作为导电性填充剂，可以使用例如：将碳黑、金属粉末、或金属电镀无机物等金属系的填充剂，复合在塑料基体中而制成的产品等。作为离子传导性高分子，可以使用例如：聚乙烯氧化物+LiClO₄(12∶1),γ射线照射的聚乙烯氧化物交联体+LiClO₄(1∶8)，聚丙烯+LiCF₃SO₃(9∶1),(ポリェチレン·アジペイ酸)衍生物+LiCF₃SO₃(4∶1)，聚乙烯·琥珀酸衍生物+LiBl₄(6∶1)，聚磷腈(ME7P)+LiCF₂SO₃(16∶1),(ポリフォスゼン)交联体(1XMP)+LiCF₃SO₃(32∶1)，交错形聚硅氧烷(PMM57)+LiClO₄(25∶1)，交联不饱和聚氨酯的(トリオ-ル型)聚乙烯氧化物+LiClO₄(50∶1)，交联具有三个功能基的聚氨酯的PEO-PPO-PEO嵌段共聚物+LiClO₄(20∶1)等。

另外，输出线33与座44a连接，再通过开关SW1与地面G连接。一方面，与端子39a,39b,39c和39d连接的四根引线40，拧捻在一起，输出至基座42的外面；或者是利用挠性印刷基板等，输出至基座42的外面。该引线40还通过开关SW2，与DCR检测装置连接。

下面来说明磁头的检测和切断方法。

在将磁头装置1放置在图7所示的基座42的设置部分42A内的前一阶段，开关SW1关闭，座44a与地面G连接。同时，打开开关SW2，使端子39与DCR检测装置37的连接断开。这样，引线40可以通过座44a，输出线43和开关SW1与地面G连接。因此，在上述导线的中心部分产生正电位的诱导分电极的情况下，负电子按照地面G→开关SW1→输出线43→座44a的顺序移动。由于电流按照与这个方向相反的方向流动，因此，端子39a,39b,39c和39d变成地面G的电位。另外，在导线的中心部分产生负电位的诱导分电极的情况下，电子按照与上述相反的方向移动，电流也按照与上述电流方向相反的方向流动。这样，端子39a,39b,39c和39d同样为地面G的电位。

接着，将磁头装置1放置在基座42的设置部分42A内。这时，引线35的检测部分35A嵌在第三嵌合槽42c中，检测部分35A的四方形孔35a,35b,35c和35d与上述端子39a,39b,39c和39d插接配合，使它们电气上连接起来。这时，当由于静电作用，引线上带电时，如上所述，由于四方形孔35a,35b,35c和35d(纤丝线)和上述端子39a,39b,39c之间的电位差的影响，通常，会有电子移动，因而产生电流。但是，由于引线40断开，电子只能通过上述端子39，座44a，输出线43和开关SW1，向地面G移动。另外，如上所述，由于座44a是用半导电性材料制成的，其表面电阻在1×10⁶～1×10¹²欧姆/平方范围内，因此，可以抑制电子的急剧移动，使电子移动缓慢下来，经历一定的时间。这样，可以防止在四方形孔35a,35b,35c和35d与端子39a,39b,39c和39d接触时，产生瞬时过大的电流。

另外，使小的电流有充分的时间流动，四方形孔和端子之间的电位差大约为零；这样，在打开开关SW1的同时，关闭开关SW2，就可以测定MR头4A和电感4B的直流电阻。

在测定了直流电阻之后，直接使刀具下降，就可以切断引线。这时，如现有的那样，由于在检测后，至切断前这段时间内，不必要移动磁头装置1，因此可防止这段时间内，引线35带上静电。这样，由于减小了引线35的引线图形线与刀具C之间的电位差，可以防止切断时电荷移动，不会产生大的电流。因此，由于在MR头的输入和输出端子之间，不产生大的电流，这就可以防止MR头烧毁。

另外，上述刀具C，最好通过半导电体，与地面G连接。例如，即使在开关没有切换动作而使用刀具的情况下，由于电子通过半导电体移动，因此，电子也不会产生急剧的移动。这样，就可能防止产生大的电流。

如上所述，利用本发明的磁头装置的制造方法和制造装置，通过用半导电性材料来制造台阶部分等容易接触的区域，可以防止过大的电流流过薄膜元件，可以有效地防止薄膜元件的层间的移动和熔融破坏。

此外，MR头不会被静电烧毁，并可以测定磁头的直流电阻，且MR头不烧毁，而可以切断引线的一部分。

Claims (24)

1．一种薄膜磁头的制造方法，该磁头具有薄膜元件，而且还设有电气上开放的、与上述薄膜元件连接的引线，其特征为，上述电气上开放的引线端区域，用表面电阻在1×10⁶欧姆/平方以上、1×10¹²欧姆/平方以下的、与地面连接的半导电性材料制成。

2．一种薄膜磁头的固定夹具，该磁头具有薄膜元件，并且设置了电气上开放的、与上述薄膜元件连接的引线，其特征为，上述电气上开放的引线端区域，用表面电阻在1×10⁶欧姆/平方以上，1×10¹²欧姆/平方以下的，与地面连接的半导电性材料制成。

3．一种磁头的保管方法，该磁头具有薄膜元件，并且设置有电气上开放的、与上述薄膜元件连接的引线，其特征为，上述引线的开放端，利用表面电阻在1×10⁶欧姆/平方以上、1×10¹²欧姆/平方以下的、与地面连接的半导电性材料制成，且电气上封闭起来。

4．一种薄膜磁头装置的制造方法，该薄膜磁头装置将装有薄膜元件的滑块安装在弹性支承构件上，并且设置有由与上述薄膜元件导通的导电引线，和覆盖该导电引线的绝缘体构成的配线材料，其特征为，在使上述配线材料的导电引线与上述滑块的薄膜元件连接的工序，在将弹性支承构件与上述滑块接合的工序，和通过在上述配线材料的基体端部上形成的台阶部分检测薄膜元件的磁特性的工序等各个工序中，将形成上述台阶部分的那一个部分，设置或固定在由表面电阻在1×10⁶欧姆/平方以上、1×10¹²欧姆/平方以下的半导电性材料制成的区域中。

5．一种薄膜磁头装置的制造装置，该薄膜磁头设置是将装有薄膜元件的滑块安装在弹性支承构件上，并且设置有由与上述薄膜元件导通的导电引线，和覆盖该导电引线的绝缘体构成的配线材料，其特征为，当利用夹具支承上述滑块，使上述配线材料的导电引线与上述滑块的薄膜元件连接时，设置有形成上述配线材料的基体端部的台阶部分的那一个部分的区域，是由表面电阻在1×10⁶欧姆/平方以上、1×10¹²欧姆/平方以下的半导电性材料制成的。

6．一种薄膜磁头装置的制造装置，该薄膜磁头装置将装有薄膜元件的滑块安装在弹性支承构件上，并且设置有由与上述薄膜元件导通的导电引线，和覆盖该导电引线的绝缘体构成的配线材料，其特征为，当用夹具支承上述滑块，使该弹性支承构件安装在上述滑块上时，设置有形成与上述薄膜元件连接的配线材料基体端部的台阶部分的那一个部分的区域，由表面电阻在1×10⁶欧姆/平方以上、1×10¹²欧姆/平方以下的半导电性材料制成。

7．一种薄膜磁头装置的制造装置，该薄膜磁头装置将装有薄膜元件的滑块安装在弹性支承构件上，并且设置有由与上述薄膜元件导通的导电引线，和覆盖该导电引线的绝缘体构成的配线材料，其特征为，在用夹具支承安装有上述滑块的弹性支承构件的状态下，设置做有上述配线材料的基体端部的台阶部分的那一个部分的区域，由表面电阻在1×10⁶欧姆/平方以上、1×10¹²欧姆/平方以下的半导电性材料制成，并接地。

8．如权利要求5所述的薄膜磁头装置的制造装置，其特征为，上述半导电性材料为离子导电性陶瓷。

9．如权利要求5所述的薄膜磁头装置的制造装置，其特征为，上述半导电性材料为离子导电性高分子。

10．如权利要求5所述的薄膜磁头装置的制造装置，其特征为，上述半导电性材料为在高分子中混入导电性填充剂的复合导电材料。

11．如权利要求6所述的薄膜磁头装置的制造装置，其特征为，上述半导电性材料为离子导电性陶瓷。

12．如权利要求6所述的薄膜磁头装置的制造装置，其特征为，上述半导电性材料为离子导电性高分子。

13．如权利要求6所述的薄膜磁头装置的制造装置，其特征为，上述半导电性材料为在高分子中混入导电性填充剂的复合导电材料。

14．如权利要求7所述的薄膜磁头装置的制造装置，其特征为，上述半导电性材料为离子导电性陶瓷。

15．如权利要求7所述的薄膜磁头装置的制造装置，其特征为，上述半导电性材料为离子导电性高分子。

16．如权利要求7所述的薄膜磁头装置的制造装置，其特征为，上述半导电性材料为高分子中混入导电性填充剂的复合导电材料。

17．一种磁头的检查方法，该磁头具有薄膜元件，并且设有与上述薄膜元件连接的引线，其特征为，该检查方法由下列几个工序组成：将设在一个基座上的座接地的工序；将设在上述座上的端子从DCR检测装置上断开的工序；在将上述磁头固定在上述基座上的同时，将从磁头延伸出来的引线检测部分和上述端子连接的工序；在经过规定的时间后，将该座与地面分离的工序；和将上述端子与DCR测定装置连接，进行薄膜元件的设计特性(DCR)测定的工序。

18．如权利要求17所述的磁头检查方法，其特征为，它具有在将端子与DCR检测装置连接，检测了薄膜元件的设计特性(DCR)之后，将上述检测部分从引线上切断的工序。

19．如权利要求17所述的磁头检查方法，其特征为，上述座是由表面电阻在1×10⁶～1×10¹²欧姆/平方范围内的半导电体制成的。

20．如权利要求18所述的磁头检查方法，其特征为，上述座由表面电阻在1×10⁶～1×10¹²欧姆/平方范围内的半导电体制成。

21．一种磁头的检查装置，其特征为，它具有一个设置部分，用于设置具有薄膜元件的磁头；连接端子，它与设置在与上述薄膜元件连接的引线上的检测部分连接；固定上述端子的座；使上述端子与DCR检测装置断开和连接的开关；和使上述座与地面断开和连接的开关。

22．如权利要求21所述的磁头检查装置，其特征为，它具有一个刀具，用于在利用DCR检测装置检测了薄膜元件的设计特性(DCR)之后，切断引线，将该检测部分分离开来。

23．如权利要求21所述的磁头检查装置，其特征为，上述座由表面电阻在1×10⁶～1×10¹²欧姆/平方范围内的半导电体制成。

24．如权利要求22所述的磁头检查装置，其特征为，上述座由表面电阻在1×10⁶～1×10¹²欧姆/平方范围内的半导电体制成。

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