CN120957504A - 一种雪崩光电探测器及其制备方法 - Google Patents

一种雪崩光电探测器及其制备方法

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CN120957504A CN202511184686.9A CN202511184686A CN120957504A CN 120957504 A CN120957504 A CN 120957504A CN 202511184686 A CN202511184686 A CN 202511184686A CN 120957504 A CN120957504 A CN 120957504A
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gallium oxide
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张文瑞
叶继春
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Abstract

本公开提供了一种雪崩光电探测器及其制备方法，其中，所述雪崩光电探测器包括：自下而上依次堆叠的第一电极层、衬底、吸收层、倍增层、欧姆接触层和第二电极层；其中，所述吸收层的材料包括氧化铟镓，所述倍增层的材料包括氧化镓。通过将光吸收过程与载流子倍增过程在空间和电场上进行有效分离，从而有效降低了倍增噪声、显著提升了器件增益和响应度，并利用氧化铟镓拓宽了日盲光谱响应范围。

Description

一种雪崩光电探测器及其制备方法
技术领域
本公开涉及光电探测器技术领域，尤其涉及一种雪崩光电探测器及其制备方法。
背景技术
日盲紫外波段（200-280nm）的探测在军事、民用和科学研究领域具有重要应用，例如导弹告警、火焰探测、空间通信、臭氧层监测、生物医学成像以及紫外消毒效果评估等。传统的硅基光电探测器由于带隙较窄，对可见光和近紫外光均有响应，在日盲紫外应用中需要配合昂贵且复杂的滤光片来抑制背景噪声，增加了器件成本和系统复杂性。
雪崩光电二极管（Avalanche Photo Diode，APD）通过内部增益机制实现对微弱光信号的高灵敏探测，在光通信、激光雷达等领域得到广泛应用。
然而，目前氧化镓基APD的研究尚处于早期发展阶段，在实现高效、低噪声的雪崩倍增方面仍面临显著技术挑战。尤其值得注意的是，由于p型氧化镓材料的制备和掺杂技术仍不成熟，现有大部分氧化镓APD结构仅限于简单的异质结形式，这种结构往往难以同时兼顾光吸收效率、倍增增益和噪声抑制等多重性能优化。这种局限性严重制约了氧化镓APD性能的充分发挥，使其难以达到理想的低噪声、高增益性能。
因此，如何设计一种高性能、低噪声的氧化镓基日盲紫外APD，是当前氧化镓光电探测器领域亟待解决的关键问题。
发明内容
本公开提供了一种雪崩光电探测器及其制备方法，以至少解决现有技术中存在的以上技术问题。
根据本公开的第一方面，提供了一种雪崩光电探测器，其中，所述雪崩光电探测器包括：
自下而上依次堆叠的第一电极层、衬底、吸收层、倍增层、欧姆接触层和第二电极层；其中，
所述吸收层的材料包括氧化铟镓，所述倍增层的材料包括氧化镓。
在一可实施方式中，所述吸收层的材料为(InxGa1-x)2O3，其中，0<x≤0.2。
在一可实施方式中，还包括：贯穿所述第二电极层、所述欧姆接触层和部分所述倍增层的窗口；
覆盖所述窗口的底面和侧壁，以及所述第二电极层的部分表面的钝化层。
在一可实施方式中，所述倍增层的导电类型为n型；所述倍增层中的载流子浓度范围为8E16 cm-3~1E18 cm-3；
所述倍增层的厚度范围为100nm~200nm。
在一可实施方式中，所述吸收层为轻掺杂n型层；所述吸收层中载流子浓度范围为1E15 cm-3~1E16 cm-3。
在一可实施方式中，所述吸收层的厚度范围为150nm~400nm；
所述吸收层的禁带宽度为4.42~4.75。
在一可实施方式中，所述欧姆接触层的材料包括NiO、Ir2O3、Cu2O、SnO、CuGaO2或CuAlO2中的至少一种；
所述欧姆接触层的导电类型为p型；
所述欧姆接触层的载流子浓度范围为1E19 cm-3~1E21 cm-3；
所述欧姆接触层的厚度范围为100nm~200nm。
根据本公开的第二方面，提供了一种雪崩光电探测器的制备方法，其中，所述方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成吸收层，所述吸收层的材料包括氧化铟镓；
在所述吸收层上形成倍增层，所述倍增层的材料包括氧化镓；
在所述倍增层上形成欧姆接触层；
在所述欧姆接触层上形成第二电极层；
在所述衬底的下方形成第一电极层。
在一可实施方式中，所述吸收层的材料为(InxGa1-x)2O3，其中，0<x≤0.2。
在一可实施方式中，所述方法还包括：
形成窗口，所述窗口贯穿所述第二电极层、所述欧姆接触层和部分所述倍增层；
形成覆盖所述窗口的底面和侧壁，以及所述第二电极层的部分表面的钝化层。
本公开的雪崩光电探测器及其制备方法，通过分开制作吸收层和倍增层，将光吸收功能和雪崩倍增功能分离，并且通过设置倍增层的材料为氧化镓，利用氧化镓本身的高击穿电场特性，实现高效的雪崩倍增，从而获得显著的内部增益，极大地提高了对微弱日盲紫外光信号的探测灵敏度和响应度；以及设置吸收层的材料为禁带宽度更窄的氧化铟镓，将探测范围扩展至整个日盲波段，氧化铟镓吸收层还能保持较低的电场，有效抑制该区域的碰撞电离，从而显著降低了器件的过剩噪声，提高了信噪比，解决了传统氧化镓APD的性能瓶颈，提升了器件综合性能。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本公开的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
通过参考附图阅读下文的详细描述，本公开示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本公开的若干实施方式，其中：
在附图中，相同或对应的标号表示相同或对应的部分。
图1为本公开实施例提供的雪崩光电探测器的结构示意图；
图2为本公开的雪崩光电探测器的电场强度分布图；
图3为本公开实施例提供的雪崩光电探测器的制备方法的流程图；
图4a至图4d为本公开实施例提供的雪崩光电探测器在制备过程中的示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而非全部实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
本公开实施例提供了一种雪崩光电探测器，图1为本公开实施例提供的雪崩光电探测器的结构示意图，如图1所示，雪崩光电探测器包括：
自下而上依次堆叠的第一电极层11、衬底12、吸收层13、倍增层14、欧姆接触层15和第二电极层16；其中，
吸收层13的材料包括氧化铟镓，倍增层14的材料包括氧化镓。
在一实施例中，衬底12采用（010）取向的β-Ga2O3单晶衬底，衬底12通过Sn（锡）掺杂实现n型导电，载流子浓度为2E18 cm-3~1E20 cm-3，优选的，载流子浓度为5E18 cm-3。
衬底12作为器件的机械支撑，同时充当电子的收集层和底部电极的良好欧姆接触界面。
衬底12的下方是第一电极层11，第一电极层11为底部电极。
第一电极层11为Ti/Au（钛/金）金属叠层结构。
吸收层13位于衬底12的上方，吸收层13的材料包括氧化铟镓（(InxGa1-x)2O3），其中，0<x<1，在一优选实施例中，0<x≤0.2。
通过精确调节In组分的含量x，可使(InxGa1-x)2O3的带隙小于Ga2O3的带隙，并且可以灵活调控吸收层的带隙，从而能够高效吸收200-280nm的日盲紫外波段光，显著拓宽光响应范围并优化对特定日盲紫外波段的吸收，使探测器能够针对不同的日盲紫外应用场景优化吸收波长，提高量子效率。例如在一具体实施例中，可以将x设定为0.15，使其禁带宽度为4.59eV，对应于约270nm的吸收边。并且本公开通过控制吸收层(InxGa1-x)2O3中的低铟组分，使其与Ga2O3衬底的晶格常数高度匹配。这种低失配度的材料体系设计，从根本上保证了外延层的高结晶质量，显著降低了材料的本征缺陷密度，与存在较大晶格失配的异质结构相比，本公开的外延层缺陷更少、质量更优，这直接转化为更低的器件暗电流和更高的工作稳定性。
本公开中，设置吸收层的材料为禁带宽度更窄的氧化铟镓，将探测范围扩展至整个日盲波段，氧化铟镓吸收层还能保持较低的电场，有效抑制该区域的碰撞电离，从而显著降低了器件的过剩噪声，提高了信噪比，解决了传统氧化镓APD的性能瓶颈，提升了器件综合性能。
在一实施例中，吸收层13为轻掺杂n型层；吸收层13的载流子浓度范围为1E15 cm-3~1E16 cm-3。
吸收层13的厚度范围为150nm~400nm。在一优选实施例中，吸收层13的厚度为200nm。
吸收层13的禁带宽度为4.42~4.75，以实现对整个日盲波段紫外光的有效吸收。
倍增层14位于吸收层13的上方，倍增层14的材料包括氧化镓（Ga2O3）。
本公开中，通过设置倍增层的材料为氧化镓，利用氧化镓本身的高击穿电场特性，实现高效的雪崩倍增，从而获得显著的内部增益，极大地提高了对微弱日盲紫外光信号的探测灵敏度和响应度。
倍增层14在外部反向偏压作用下，该层会形成一个高电场区域，诱发光生载流子的碰撞电离，实现雪崩倍增。
倍增层14为轻掺杂的n型Ga2O3薄膜，通过Si（硅）载流子实现n型导电，倍增层14中的载流子浓度范围为8E16 cm-3~1E18 cm-3。在一优选实施例中，载流子浓度为2E17 cm-3。
倍增层14的厚度范围为100nm~200nm。在一优选实施例中，倍增层14的厚度为200nm。
宽禁带半导体材料氧化镓（Ga2O3）因其固有的宽带隙特性（约4.8 eV），本征吸收波长为258nm，而对可见光不敏感，是实现“日盲”探测的理想材料。此外氧化镓还凭借其优异的物理化学性质，如超宽带隙、高击穿电场强度、良好的化学稳定性和易于制备大尺寸衬底的潜力，被认为是开发高性能日盲紫外探测器的极具前景的材料。此外，氧化铟镓合金作为氧化镓的合金材料，其禁带宽度小于纯氧化镓，且带隙可通过对In组分的含量x进行精确调谐，使得氧化铟镓能够有效拓展探测器的光响应范围，使其能够高效吸收并覆盖200-280nm的整个日盲紫外光谱，从而实现更宽波段和更高效的日盲紫外探测。
欧姆接触层15位于倍增层14上，其可以作为空穴收集层和顶部电极的良好欧姆接触界面。
欧姆接触层15为重掺杂的p型半导体层，其材料包括NiO、Ir2O3、Cu2O、SnO、CuGaO2或CuAlO2中的至少一种，也可以选用其他合适的p型氧化物半导体材料。欧姆接触层15为重掺杂层，可以优化欧姆接触特性，提高器件的性能。
欧姆接触层15的载流子浓度范围为1E19 cm-3~1E21 cm-3。在一优选实施例中，载流子浓度为6E20 cm-3。
欧姆接触层15的厚度范围为100nm~200nm。在一优选实施例中，欧姆接触层15的厚度为100nm。
第二电极层16位于欧姆接触层15上，第二电极层16为顶部电极。
第二电极层16为Ni/Au（镍/金）金属叠层结构。
在一实施例中，雪崩光电探测器还包括：贯穿第二电极层16、欧姆接触层15和部分倍增层14的窗口20；
覆盖窗口20的底面和侧壁，以及第二电极层16的部分表面的钝化层17。
本公开中，形成贯穿第二电极层16、欧姆接触层15和部分倍增层14的窗口20，如此，光线能从窗口20处入射。
钝化层17覆盖窗口20的底面和侧壁，以及第二电极层16的部分表面，能修饰和保护刻蚀后的界面，减少表面态和漏电流，从而提高了器件的长期工作稳定性和可靠性。
钝化层17的材料包括Al2O3、SiO2和Si3N4中的至少一种。
本公开实施例中的雪崩光电探测器的工作原理如下：
当波长在200-280nm范围内的日盲紫外光从顶部窗口20暴露出的倍增层14入射后，光子会穿过这一层，主要在带隙较窄的吸收层13中被高效吸收。光子能量大于吸收层13的带隙，使得电子从价带跃迁到导带，产生电子-空穴对。
在探测器两端施加反向偏压（即在第二电极层16施加负电压，第一电极层11接地）。由于器件的p-n结结构，内部形成一个耗尽区和电场。由于吸收层13为轻掺杂层，该区域的电场相对较低，主要作用是有效地分离光生电子-空穴对，并使其开始漂移，同时有效抑制了吸收层13内的碰撞电离，这是实现低噪声的关键。光生电子在电场作用下向n衬底12方向漂移，而光生空穴则向欧姆接触层15方向漂移。
由于欧姆接触层15与倍增层14之间巨大的载流子浓度差异，耗尽区主要分布在倍增层14。图2为本公开的雪崩光电探测器的电场强度分布图。如图2所示，通过精心设计倍增层14的载流子浓度和厚度，可以使电场在该层达到峰值。当从吸收层13漂移过来的空穴进入倍增层14时，它们在这个高电场区域被急剧加速，获得足够的动能。这些高能空穴与晶格原子发生碰撞，将能量传递给价带电子，使其跃迁到导带，产生新的电子-空穴对。这个过程被称为碰撞电离。新产生的载流子又会进一步被加速并引发新的碰撞电离，形成链式的“雪崩”效应，使光电流呈指数级倍增，从而实现器件的内部增益。
最终，经过倍增后的电子流被衬底12收集，通过第一电极层11输出；而大量的空穴（包括原始光生空穴和倍增产生的空穴）则被欧姆接触层15收集，通过第二电极层16输出，形成可被外部电路检测到的光电流信号。钝化层17则有效保护了器件的刻蚀边缘，减少了表面态复合和漏电流，确保了器件在反向高偏压下工作的稳定性和长期可靠性。
本公开中，通过将光吸收区和雪崩倍增区在空间上和电场上分离开来，并利用氧化镓和其合金材料氧化铟镓的超宽带隙特性，使得探测器对可见光和近紫外光具有天然的响应盲区，无需额外滤光片，极大地简化了器件结构和应用场景，同时实现高增益、低噪声、高响应度以及优异日盲性能的紫外光探测。
本公开实施例还提供了一种雪崩光电探测器的制备方法，图3为本公开实施例提供的雪崩光电探测器的制备方法的流程图，如图3所示，方法包括：
步骤301：提供衬底；
步骤302：在衬底上形成吸收层，吸收层的材料包括氧化铟镓；
步骤303：在吸收层上形成倍增层，倍增层的材料包括氧化镓；
步骤304：在倍增层上形成欧姆接触层；
步骤305：在欧姆接触层上形成第二电极层；
步骤306：在衬底的下方形成第一电极层。
下面结合具体实施例对本公开实施例提供的雪崩光电探测器的制备方法作进一步详细的说明。图4a至图4d为本公开实施例提供的雪崩光电探测器在制备过程中的示意图。
首先，参见图4a，执行步骤301，提供衬底12。
衬底12采用（010）取向的β-Ga2O3单晶衬底，衬底12通过Sn（锡）掺杂实现n型导电，载流子浓度为2E18 cm-3~1E20 cm-3，优选的，载流子浓度为5E18 cm-3。
衬底12作为器件的机械支撑，同时充当电子的收集层和底部电极的良好欧姆接触界面。
接着，继续参见图4a，执行步骤302，在衬底12上形成吸收层13，吸收层13的材料包括氧化铟镓。
具体的，吸收层13可以通过分子束外延（Molecular Beam Epitaxy，MBE）或金属有机物化学气相沉积（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）或脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD）等方法形成。
吸收层13的材料包括氧化铟镓（(InxGa1-x)2O3），其中，0<x<1，在一优选实施例中，0<x≤0.2。
通过精确调节In组分的含量x，可使(InxGa1-x)2O3的带隙小于Ga2O3的带隙，并且可以灵活调控吸收层的带隙，从而能够高效吸收200-280nm的日盲紫外波段光，显著拓宽光响应范围并优化对特定日盲紫外波段的吸收，使探测器能够针对不同的日盲紫外应用场景优化吸收波长，提高量子效率。例如在一具体实施例中，可以将x设定为0.15，使其禁带宽度为4.59eV，对应于约270nm的吸收边。并且本公开通过控制吸收层(InxGa1-x)2O3中的低铟组分，使其与Ga2O3衬底的晶格常数高度匹配。这种低失配度的材料体系设计，从根本上保证了外延层的高结晶质量，显著降低了材料的本征缺陷密度，与存在较大晶格失配的异质结构相比，本公开的外延层缺陷更少、质量更优，这直接转化为更低的器件暗电流和更高的工作稳定性。
本公开中，设置吸收层的材料为禁带宽度更窄的氧化铟镓，将探测范围扩展至整个日盲波段，氧化铟镓吸收层还能保持较低的电场，有效抑制该区域的碰撞电离，从而显著降低了器件的过剩噪声，提高了信噪比，解决了传统氧化镓APD的性能瓶颈，提升了器件综合性能。
在一实施例中，吸收层13为轻掺杂n型层，载流子浓度范围为1E15 cm-3~1E16 cm-3。
吸收层13的厚度范围为150nm~400nm。在一优选实施例中，吸收层13的厚度为200nm。
吸收层13的禁带宽度为4.42~4.75。，以实现对整个日盲波段紫外光的有效吸收。
接着，继续参见图4a，执行步骤303，在吸收层13上形成倍增层14，倍增层14的材料包括氧化镓。
倍增层14可以通过分子束外延（Molecular Beam Epitaxy，MBE）或金属有机物化学气相沉积（Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）或脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD）等方法形成。
本公开中，通过设置倍增层的材料为氧化镓，利用氧化镓本身的高击穿电场特性，实现高效的雪崩倍增，从而获得显著的内部增益，极大地提高了对微弱日盲紫外光信号的探测灵敏度和响应度。
倍增层14在外部反向偏压作用下，该层会形成一个高电场区域，诱发光生载流子的碰撞电离，实现雪崩倍增。
倍增层14为轻掺杂的n型Ga2O3薄膜，通过Si（硅）掺杂实现n型导电，倍增层14中的载流子浓度范围为8E16 cm-3~1E18 cm-3。在一优选实施例中，载流子浓度为2E17 cm-3。
倍增层14的厚度范围为100nm~200nm。在一优选实施例中，倍增层14的厚度为200nm。
接着，继续参见图4a，执行步骤304，在倍增层14上形成欧姆接触层15。欧姆接触层15可以作为空穴收集层和顶部电极的良好欧姆接触界面。
具体地，欧姆接触层15可以采用磁控溅射或脉冲激光沉积（PLD）的方法沉积形成。
欧姆接触层15为重掺杂的p型半导体层，其材料包括NiO、Ir2O3、Cu2O、SnO、CuGaO2或CuAlO2中的至少一种，也可以选用其他合适的p型氧化物半导体材料。欧姆接触层15为重掺杂层，可以优化欧姆接触特性，提高器件的性能。
欧姆接触层15的载流子浓度范围为1E19 cm-3~1E21 cm-3。在一优选实施例中，载流子浓度为6E20 cm-3。
欧姆接触层15的厚度范围为100nm~200nm。在一优选实施例中，欧姆接触层15的厚度为100nm。
接着，继续参见图4a，执行步骤305，在欧姆接触层15上形成第二电极层16。第二电极层16为顶部电极。
具体地，可以采用光刻和剥离（Lift-off）工艺形成第二电极层16。
第二电极层16为Ni/Au（镍/金）金属叠层结构。
接着，参见图4b，形成窗口20，窗口20贯穿第二电极层16、欧姆接触层15和部分倍增层14。
具体地，可以在第二电极层16上形成光刻胶层（图中未示出），然后图案化光刻胶层，形成窗口图案，接着，利用窗口图案，进一步刻蚀去除窗口图案暴露出的第二电极层16、欧姆接触层15和部分倍增层14，以形成窗口20，如此，光线能从窗口20处入射。窗口20定义出器件的有源区。
接着，参见图4c，形成覆盖窗口20的底面和侧壁，以及第二电极层16的部分表面的钝化层17。
具体地，可以采用原子层沉积（Atomic layer deposition，ALD）技术形成钝化层17。
钝化层17覆盖窗口20的底面和侧壁，以及第二电极层16的部分表面，能修饰和保护刻蚀后的界面，减少表面态和漏电流，从而提高了器件的长期工作稳定性和可靠性。
钝化层17的材料包括Al2O3、SiO2和Si3N4中的至少一种。
接着，参见图4d，执行步骤306，在衬底12的下方形成第一电极层11。第一电极层11为底部电极。
具体地，可以通过电子束蒸发等方法将电极材料沉积在衬底12的背面，并经快速热退火形成良好的欧姆接触。
第一电极层11为Ti/Au（钛/金）金属叠层结构。
上述方法中各部分的具体细节在产品部分实施方式中已经详细说明，未披露的细节内容可以参见产品部分的实施方式内容，因而不再赘述。
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本公开中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本公开的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或隐含地包括至少一个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种雪崩光电探测器，其特征在于，所述雪崩光电探测器包括：
自下而上依次堆叠的第一电极层、衬底、吸收层、倍增层、欧姆接触层和第二电极层；其中，
所述吸收层的材料包括氧化铟镓，所述倍增层的材料包括氧化镓。
2.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器，其特征在于，
所述吸收层的材料为(InxGa1-x)2O3，其中，0<x≤0.2。
3.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器，其特征在于，还包括：
贯穿所述第二电极层、所述欧姆接触层和部分所述倍增层的窗口；
覆盖所述窗口的底面和侧壁，以及所述第二电极层的部分表面的钝化层。
4.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器，其特征在于，
所述倍增层的导电类型为n型；
所述倍增层中的载流子浓度范围为8E16 cm-3~1E18 cm-3；
所述倍增层的厚度范围为100nm~200nm。
5.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器，其特征在于，
所述吸收层为轻掺杂n型层；所述吸收层的载流子浓度范围为1E15 cm-3~1E16 cm-3。
6.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器，其特征在于，
所述吸收层的厚度范围为150nm~400nm；
所述吸收层的禁带宽度为4.42~4.75。
7.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器，其特征在于，
所述欧姆接触层的材料包括NiO、Ir2O3、Cu2O、SnO、CuGaO2或CuAlO2中的至少一种；
所述欧姆接触层的导电类型为p型；
所述欧姆接触层的载流子浓度范围为1E19 cm-3~1E21 cm-3；
所述欧姆接触层的厚度范围为100nm~200nm。
8.一种雪崩光电探测器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成吸收层，所述吸收层的材料包括氧化铟镓；
在所述吸收层上形成倍增层，所述倍增层的材料包括氧化镓；
在所述倍增层上形成欧姆接触层；
在所述欧姆接触层上形成第二电极层；
在所述衬底的下方形成第一电极层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，
所述吸收层的材料为(InxGa1-x)2O3，其中，0<x≤0.2。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
形成窗口，所述窗口贯穿所述第二电极层、所述欧姆接触层和部分所述倍增层；
形成覆盖所述窗口的底面和侧壁，以及所述第二电极层的部分表面的钝化层。
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