CN1197848A - 真空薄膜生长设备 - Google Patents

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Abstract

一种校正机构包括一个用以校正等离子体束扭转和/或偏移的磁体(51),它被置放在真空腔(21)和导引线圈(23)之间的一个位置处,在那里有由导引线圈产生的磁力线。

Description

真空薄膜生长设备
本发明涉及一种薄膜生长设备。更具体地说，本发明涉及一种改进的薄膜生长设备，它包含一个等离子体源以及一个用于将由等离子体源产生的等离子体束引导到用作阳极的一个熔炉中的导引线圈。
利用等离子体的一般真空薄膜生长设备通称为离子镀膜设备和等离子体CVD设备。现有的离子镀膜设备包括使用压力梯度的等离子体源或采用电弧放电的HCD等离子体源的镀膜设备。这样的离子镀膜设备包括有一个真空腔、一个等离子体束发生器(等离子体源)、一个熔炉以及一个导引线圈。真空腔装有等离体束发生器而熔炉作为阳极设在真空腔中。导引线圈设在真空腔外边，它引导等离子体源产生的等离子体束进入阳极。在所述的一类离子镀膜设备中，等离子体束产生在等离子体束发生器和熔炉之间。将等离子体束引导到熔炉上所准备的蒸发材料上使蒸发材料加热并蒸发。蒸发材料的蒸发粒子被等离子体束离化。离化的粒子淀积在施加负电压的衬底表面上。结果使得在衬底上形成一层薄膜。
由等离子体束发生器产生的等离子体束经导引线圈引导进入熔炉。但是等离子体束有产生磁场的电流。磁场会使等离子体束产生扭转或偏移。
扭转或偏移阻止等离子体束以与蒸发材料的表面成正交的角度射向它。结果就可能发生各种各样的麻烦。例如，蒸发材料可能蒸发不均匀。在单位空间内的等离子体的密度和/或温度可能变化。因此，对任何扭转和偏移都要进行校正。已知采用调节导引线圈高度的方法可以实现这种校正。但由于导引线圈的重量太大，对它进行调节要费很大力气。
因而，本发明的一项目的是要提供一种真空薄膜生长设备，它能以简单的结构校正等离子体束的扭转和偏移。
本发明的真空薄膜生长设备包括一个真空腔、一个装在真空腔上的等离子体源、一个设在真空腔内的阳极、以及一个设在真空腔外面引导等离子体源产生的等离子体束进入阳极的导引线圈。真空薄膜生长设备将等离子体向阳极引导并在衬底上形成一层薄膜。
按照本发明的一种方式，真空薄膜生长设备还包括设在导引线圈和真空腔之间的导引线圈或其它位置上的一个校正机构，在那里出现来自导引线圈的磁力线，用以校正等离子体束的偏移。
图1为能够适用本发明的离子镀膜设备的垂直剖视图；
图2为能够适用本发明的等离子体化学汽相淀积(CVD)设备的垂直剖视图；
图3为用以说明图1中所示离子镀膜设备的等离子体束偏移的示意图；
图4为实现本发明的真空薄膜生长设备的带局部剖面的外观示意图；
图5为示出本发明等离子体束一例校正机构的平面视图；
图6为沿着经导引线圈透视的方向观看图5中的校正机构的前视图；
图7为图5中的校正机构的侧视图；
图8A和8B为用以说明等离子体束扭转以及对它进行校正的视图；以及
图9为示出对图5中校正机构作出的一种变换的平面视图。
为了便于了解本发明，参阅图1所描绘的一件常规离子镀膜设备。离子镀膜设备有一密闭的真空腔21。真空腔21经一导引部件21a装接一个等离子体束发生器22。等离子体束发生器22可以，譬如说是一个压力梯度的等离子体枪。将一个导引线圈23置于导引部件21a的外面，用以引导等离子体束35。等离子体束发生器22装接有第一中间电极24和第二中间电极25。第一和第二中间电极24和25用于使等离子体束会聚并安排成与等离子体束发生器22同心。第一中间电极24装有一块永久磁铁24a，使其磁轴线与等离子体束发生器22的中心轴线平行。第二中间电极25装有一个线圈25a，使其中心轴线与等离子体束发生器22的中心轴线重合。
等离子体束发生器22有一绝缘体管道26与由第一和第二中间电极24和25所限定的一条路径连通。绝缘体管道26可以，譬如是一根玻璃管。在玻璃管26中放有一根空心圆柱体26a。圆柱体26a是用钼(Mo)制成的并装有一根用钽(Ta)制成的导管26b。用一块由LaB6制造的圆环板26c分开由圆柱体26a和导管26b所确定的间隙。相应于绝缘体管道26的一端，将圆柱体26a和导管26b装在一块导体截面26d上。导体截面26d有一个形成在其中的载运气体入口26e，用以接纳载运气体。载运气体通过导管26b进入真空腔21。
将一片要进行加工的衬底27放在真空腔21内。衬底27支托在传送系统28上。衬底27与一加负偏压的直流电源相连。一个熔炉(阳极)29置于真空腔21底部上并且面对着衬底27。熔炉29装有一块永久磁铁29a。在熔炉29周围设一磁罩30，使其外周边区留有一固定的空间。磁罩30装有一块永久磁铁31。
导体截面26d与可变电源40的负端相连。可变电源40的正端则经电阻R1和R2分别与第一和第二中间电极24和25相连。熔炉29则与可变电源40、以及R1及R2相连。
在真空腔21的侧壁中形成一个气体入口21b和一个气体排放出口21c。气体入口21b用于取得如氩(Ar)气之类的载运气体。气体排放出口21c用于从真空腔21中排放气体。气体入口21b与未予示出的一个供气源相连，而气体排放出口21c则与未予示出的一个排气泵相连。
在上述离子镀膜设备中，当载运气体经载运气体的入口26c引入时，在第一中间电极24和圆柱体26a之间开始放电。结果产生等离子体束35。等离子体束35经导引线圈23和磁罩30中的永久磁铁的引导到达熔炉29和磁罩30。
当将等离子体束射至熔炉29时，熔炉29上的蒸发材料39得到焦耳热并蒸发。蒸发的粒子被等离子体束35离化。离化的粒子淀积在加上负电压的衬底27的表面上。结果使衬底27上形成一层薄膜。
接着，参照图2对一种常规的等离子体CVD设备进行描述。与上述离子镀膜设备中的相同元件和部件用相同的标号表示。省略去对这类元件和部件的说明。真空腔21′具有形成在其侧壁上的供气入口21b′，用以引入供气。在真空腔21′的底部上设置阳极29′。
在上述等离子体的CVD设备中，排出真空腔21′中的气体和向其中引入供气是通过供气入口21b′进行的。由等离子体发生器22产生等离子体束35并引导至阳极29′上面。用等离子体在衬底27上形成一层薄膜。
参阅图3，描绘了等离子体束35的偏移。对于使用诸如压力梯度等离子体源或HCD等离子体源之类的电弧放电的等离子体源的离子镀膜设备，当未出现等离子体束35时，来自导引线圈23的磁力线G沿着一条水平线H通过而后向下拐折，并沿一条垂直线V在熔炉29中的永久磁铁29a上面稍稍超出熔炉29。当产生等离子体束35时，由导引线圈23将它导引向熔炉29。然而，等离子体束35随带的电流产生一磁场HM。磁场HM扭转或偏移等离子体束35。这就是结合图3所说明的等离子体CVD设备的真实情况。
更具体地说，如图3中所示，磁场HM作用在上述磁力线G上扭转磁力线I。当等离子体束发生器22的输出增加时，等离子体束35中的电流也增加。随着电流的增加，磁场HM增加。这就进一步扭转磁力线I。等离子体束35沿着磁力线I通过，以致使等离子体束也随着它扭转或偏移。结果造成扭转或偏移的等离子体束35。这种扭转或偏移的等离子体束35阻止它向蒸发材料39表面作垂直地入射。结果就可能出现各种各样的麻烦。例如蒸发材料39可能蒸发得不均匀。在单位间隔内等离子体的密度和/或温度可能会有变化。这严重地影响着在衬底27上形成的薄膜。因而，对任何扭转和偏移均应作校正。现有技术可以通过调节导引线圈23的方法实现这种校正。
然而，常规的导引线圈23并非永久固定的。而是用一个支撑件经过垫片将它支撑起来。垫片的厚度和/或数量随着对导引线圈23的高度作精细调节的需要而改变。由于导引线圈23相当重，对它进行调节需要化费很大的力气。
参阅图4，描绘了本发明一项最佳实施例的真空薄膜生长设备。本发明最佳实施例的真空薄膜生长设备的特色是有一个用以校正等离子体束35的扭转和/或偏移的校正机构。校正机构既能应用于图1的离子镀膜设备也能应用于图2的等离子体CVD设备。因而，下面只对校正机构进行说明，省略去对真空薄膜生长设备内部结构的说明。
在图4中，真空腔21如上所述装设有等离体束发生器22。真空腔21有置于其中用作阳极的熔炉29。导引线圈23安排成在真空腔21外面包围着等离子体束发生器22。由等离子体束发生器22产生的等离子体束35被引导到熔炉29上。在图4中，对熔炉29及其周边作了示意性绘示，它与图1中结合描绘的相似。
从图4能看明白，在导引线圈23和真空腔21之间放有一块磁体51，在那里有来自导引线圈23的磁力线，用以校正等离子体束35的偏移。具体情况是，磁体51是经一装配板52设置的，这样使它可沿两个或更多的方向移动。装配板52可以装在真空腔21、等离子体束发生器22、以及导引线圈23中的任何一个上面，将磁体51设置成在由导引线圈23所产生的磁力线上。
参阅图5至7，将装配板52装在真空腔21的外壁上并略作相对倾斜。装配板52的主表面上形成有一条长缝52-1。磁体51经一支撑件53用螺栓与螺母固定在装配板52上。更具体地说，就是用一螺栓54穿过支撑件53。螺栓54还穿过长缝52-1。在装配板52的背面有一螺母(未示出)与螺栓54螺旋连接。支撑件53就这样用螺栓54和螺母固定在装配板52上。支撑件53通过松动螺母可以沿着长缝52-1的箭头A的方向(图5)移动。支撑件53可以沿箭头A的方向绕螺栓54的中心轴线旋转。
磁体51是用螺栓55装在支撑件53上。更具体地说，就是将螺栓55穿过磁体51和支撑件53。在支撑件53的背面有一螺母(未示出)与螺栓55螺旋连接。磁体51通过松动螺母可沿箭头C的方向(图6)绕螺栓55的中心轴线旋转。
由等离子体束发生器22产生的等离子体束35经导引线圈23的磁场引导进入熔炉29。此时由于有等离子体束35的电流产生了磁场。由电流产生的磁场影响着导引线圈23的磁场并使等离子体束35偏移。对此，将磁体51置于对引导等离子体束通过起作用的磁力线位置上，以影响那里的磁力线。对引导等离子体束35起作用是更接近真空腔21的侧边的磁力线而不是导引线圈的磁力线。磁体51改变引导等离子体束35的磁力线以校正等离子体束35的偏移。
例如图8A中所示，由等离子体束发生器22产生的等离子体束35以相对于垂直方向的一确定的扭转角度射向熔炉29。磁体51如图8B中所示，被置于扭转的等离子体束35的对面。然后，改变围绕磁体51的磁力线。这一改变影响相对一侧的磁力线。结果使相对一侧的磁力线减少对等离子体束的束缚。按照这一方法，校正了等离子体束35的偏移。
如上所述，将磁体51放在导引线圈23和真空腔21之间，在那里有从导引线圈23出来的磁力线。若有必要可对磁体51的位置进行调节并在这样的调节之后确定地固定住位置。若在等离子体束35中出现偏移，这时可以调节磁体51的位置予以校正，通过例如在真空腔21中形成的窗口可以观察偏移。
对于上述实施例已经结合通过装配板52和支撑件53将磁体51装在真空腔21上的情况作了描述，同时还可以将部分磁体51用作安装部位直接在真空腔21上装拉磁体51自身。
参阅图9，描绘了上述实施例的一种变换。该变换包括磁体51′具有覆盖部分导引线圈23的一般U形。磁体51′固定在支撑件53上。磁体51′和支撑件53是用螺栓54和螺母通过长缝52-1固定住的。
在图1所示的离子镀膜设备中实施的上述实施例，也能同样适用于图2中所示的等离子体CVD设备。
如上所述，本发明的真空薄膜生长设备有一置于导引线圈和真空腔之间的导引线圈或其它位置上的磁体，在那里有由导引线圈产生的磁力线。若有需要，可以任意地调节磁体的位置，并在调节之后确定地固定住位置。等离子体束若有偏移，只要通过调节磁体就能方便地进行校正。这样就能在衬底上形成一层高质量的薄膜。

Claims (4)

1、一种真空薄膜生长设备，其特征在于：它包括：一个真空腔，一个装在所述真空腔上的等离子体源，一个置于所述真空腔内的阳极，以及一个设在真空腔外将由所述等离子体源产生的等离子体束引导进入所述的阳极，所述真空薄膜生长设备适用于将所述等离子体束引导向所述阳极并在一块衬底上形成一层薄膜，所述真空薄膜生长设备还包括一个用以校正所述等离子体束的扭转和/偏移的校正机构，所述校正机构包含置于在所述导引线圈和所述真空腔之间的所述导引线圈或另一位置上的一个磁体，在那里有从所述导引线圈产生的磁力线。
2、按照权利要求1所述的真空薄膜生长设备，其特征在于，所述校正机构包括一个用于将所述磁体安装其上的装配板，所述磁体安装在所述装配板上使其能沿两个或更多的方向移动。
3、按照权利要求2所述的真空薄膜生长设备，其特征在于，所述装配板装在所述真空腔上。
4、按照权利要求1所述的真空薄膜生长设备，其特征在于，所述的设备适用于将所述等离子体束引导至置于所述阳极上的蒸发材料上，使所述蒸发材料离化，用以在所述衬底上淀积所述蒸发材料的离化粒子，使在其上形成一层薄膜。
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