CN118507443A - 一种堆叠式电容芯片封装结构 - Google Patents

Abstract

本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种堆叠式电容芯片封装结构。具体而言，该堆叠式电容芯片封装结构，包括封装壳体和多个子芯片层，各子芯片层沿子芯片层的厚度方向堆叠安装在封装壳体上；堆叠式电容芯片封装结构还包括导热层，在任一子芯片层的两侧均设置有导热层，各导热层通过导热胶安装在对应的子芯片层上；导热层包括密封壳体和封装在密封壳体中的相变材料。该堆叠式电容芯片封装结构能够在实现芯片高度集成的同时，确保芯片具有良好散热性能，进而确保芯片不会在某一功能模块高强度运行时被陡然提升的温度烧坏。

Description

一种堆叠式电容芯片封装结构

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种堆叠式电容芯片封装结构。

背景技术

芯片是电子设备的核心组成部分，其对电子设备的性能（包括但不限于运行能力、运行速度、运行平稳性、存储能力、显示效果等方面）起到决定性的作用。随着时代的发展，消费者对各种电子产品的性能提出了更高的要求，而在提升电子设备性能的同时，通常还需要保持电子设备的便携性（例如手机）。这要求对芯片进行更高程度的集成封装，进而在体积不变或更小的情况下，实现更优的性能，进而支持更优性能的电子设备。

在采用这种高集成度的芯片生产的电子设备运行时，对应的功能模块会在短时间内产生大量热量，而对于这种高集成度的芯片而言，其紧凑的结构通常会使得这些热量难以在短时间内传导、散发，热量的持续累积将会导致芯片结构持续升温，进而影响设备运行，甚至会导致芯片烧坏。

为此，亟需提出一种全新的堆叠式电容芯片封装结构，在实现芯片高度集成的同时，确保芯片具有良好散热性能，进而确保芯片不会在某一功能模块高强度运行时被陡然提升的温度烧坏。

发明内容

本发明目的在于提供一种堆叠式电容芯片封装结构，能够至少部分克服上述技术问题，进而在实现芯片高度集成的同时，确保芯片具有良好散热性能，确保芯片不会被高强度运行的功能模块短时间内产生的高温烧坏。

本发明提供的一种堆叠式电容芯片封装结构，包括封装壳体和多个子芯片层，各所述子芯片层沿子芯片层的厚度方向堆叠安装在所述封装壳体上；所述堆叠式电容芯片封装结构还包括导热层，在任一子芯片层的两侧均设置有所述导热层，各所述导热层通过导热胶安装在对应的子芯片层上；所述导热层包括密封壳体和封装在所述密封壳体中的相变材料。

进一步地，所述密封壳体由铜薄膜制成，在所述密封壳体的底板内侧以及侧板内侧均设置有若干加强肋；在将所述导热层安装在对应的子芯片层时，通过导热胶将所述密封壳体的底板和所述子芯片层的一侧连接。

进一步地，在所述密封壳体内还设置有滑轨，所述滑轨的下部连接至所述底板的内侧；在所述滑轨的两端分别滑动连接有第一滑套和第二滑套；所述第一滑套铰接有第一连杆，且所述第一连杆的另一端铰接至所述密封壳体的顶板内侧；所述第二滑套铰接有第二连杆，且所述第二连杆的另一端铰接至所述密封壳体的顶板内侧。

进一步地，所述滑轨、所述第一滑套、所述第二滑套、所述第一连杆、所述第二连杆的导热系数均高于所述密封壳体的导热系数。

进一步地，还包括控制单元，所述控制单元与各所述密封壳体以及各所述子芯片层电性连接；在所述密封壳体的顶板上还插设有第一测杆，所述第一测杆和所述顶板之间设置有绝缘密封圈；所述第一测杆的一端与所述控制单元电性连接，所述第一测杆的另一端设置有第一触头；在所述第一滑套从所述滑轨的端部滑动至中部的过程中，所述第一滑套经过第一预设距离后与所述第一触头接触，并使得所述第一测杆、所述滑轨和所述密封壳体形成连通的回路；在所述第一滑套与所述第一触头接触的情况下，所述控制单元能够断开该第一滑套对应的子芯片层的电源。

进一步地，还包括示警单元，所述控制单元与所述示警单元电性连接；在所述密封壳体的顶板上还插设有第二测杆，所述第二测杆和所述顶板之间设置有绝缘密封圈；所述第二测杆的一端与所述控制单元电性连接，另一端设置有第二触头；在所述第二滑套从所述滑轨的端部滑动至中部的过程中，所述第二滑套经过第二预设距离后与所述第二触头接触，并使得所述第二测杆、所述滑轨和所述密封壳体形成连通的回路；在所述第二滑套与所述第二触头接触的情况下，所述控制单元能够控制所述示警单元发出警示信号。

进一步地，在所述封装壳体上设置有平行于所述子芯片层厚度方向的导轨，在各所述子芯片层上开设有对应所述导轨形状的卡口；位于两端的子芯片层和所述封装壳体之间均通过弹性件连接，其余各所述子芯片层通过所述卡口滑动安装在所述导轨上；任意两相邻子芯片层之间的导热层的顶板相抵接。

进一步地，还包括管状的引流罩，在任意两相邻子芯片层之间均设置有所述引流罩，所述引流罩的两端分别密封连接至一个子芯片层的侧面；所述引流罩为弹性材料，且在所述引流罩的侧壁上设置有多个通气孔。

进一步地，在各所述子芯片层的侧壁上均连接有扰流鳍。

进一步地，所述相变材料为石蜡。

本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：

1、本公开实施例提供的一种堆叠式电容芯片封装结构，通过将多个子芯片层在厚度方向上进行堆叠进而安装在封装壳体上，实现了电子设备内用于实现不同功能的多个子芯片层的高度集成封装，进而使得芯片占用的体积更小，有利于电子设备的小型化；通过在各子芯片层的两侧均用导热胶安装封装有相变材料的导热层，能够在任一子芯片层的温度陡然升高或是持续升高的情况下，利用对应导热层内的相变材料发生相变来吸收大量的热量，进而避免来不及散发出去的热量持续累积使得该堆叠式电容芯片封装结构内的温度持续升高，能够有效防止子芯片层过热；

2、本公开实施例提供的一种堆叠式电容芯片封装结构，通过在密封壳体的底板和侧板的内侧均设置加强肋，一方面，通过导热胶将底板和子芯片层的一侧连接，在相变材料发生相变进而引起体积变化的过程中，结构强化的底板和侧板不易发生变形，能够避免底板在相变材料发生体积变化的情况下发生翘起、隆起等情况，能够确保底板和子芯片层之间始终良好接触、良好导热；另一方面，未强化的密封壳体顶板可以作为密封壳体变形的发展方向，使得密封壳体能够适应相变材料在相变过程中的体积变化；此外，加强肋还能增加密封壳体和相变材料的接触面积，进而强化热量在密封壳体和相变材料之间的传导；并且，加强肋还能均化导热层内的温度，即在子芯片层的任一区域温度较高的情况下，热量从该区域传递到导热胶进而传递到密封壳体后，加强肋强化了这些热量向着周边传导的能力，进而使得更大范围内的相变材料吸收这些热量，能够有效提升相变材料遏制温度提升的作用速度；

3、本公开实施例提供的一种堆叠式电容芯片封装结构，通过设置控制单元，能够在任一子芯片层温度过高的情况下，及时断开该子芯片层的电源，使得该子芯片层停止工作，进而实现过热断电保护，能够保护该子芯片层不被高温烧毁；通过设置示警单元，能够在任一子芯片层温度较高的情况下，发出警示信号，结合前述的过热断电保护，该警示信号能够提示用户及时保存数据，避免数据因断电保护而丢失；

4、本公开实施例提供的一种堆叠式电容芯片封装结构，在任一子芯片层的温度升高到相变材料的相变温度时，相应的导热层内的相变材料发生相变，进而使得相应的密封壳体的顶板膨出，进而使得其它的子芯片层产生沿导轨方向的滑动，各所述子芯片层的滑动动作能够扰动封装壳体内部的气体，进而促进该子芯片层附近的高温气体和封装壳体内其它区域相对低温的气体的对流换热，促进封装壳体内的气体温度均一化，进而促进封装壳体内的各导热层温度均一化，有利于提升该堆叠式电容芯片封装结构承受局部高温的时长；通过设置扰流鳍，能够强化上述的“扰动封装壳体内部的气体”的扰动幅度，进而强化该子芯片层附近的高温气体和封装壳体内其它区域相对低温的气体的对流换热。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：

图1为根据本发明实施例绘示的一种堆叠式电容芯片封装结构的立体结构示意图，其中，为便于展示内部堆叠结构，已省略绘制封装壳体的部分面板；

图2为根据本发明实施例绘示的密封壳体的立体结构示意图，其中，为便于展示内部设置加强肋的情况，已省略绘制密封壳体的顶板；

图3为根据本发明实施例绘示的导热层的立体结构示意图，其中，为便于展示内部结构，仅在图中示出了滑轨、第一滑套、第二滑套、第一连杆、第二连杆部分的结构；

图4为根据图3绘示的该部分结构的正视图；

图5为根据本发明实施例绘示的一种堆叠式电容芯片封装结构的剖视图，其中，各导热层中的相变材料均未发生相变；

图6为根据图5绘示的A区域的局部放大视图；

图7为根据本发明实施例绘示的一种堆叠式电容芯片封装结构的另一剖视图，其中，存在相变材料发生相变的导热层；

图8为根据图7绘示的B区域的局部放大视图；

图9为根据图7绘示的C区域的局部放大视图。

附图中标记及对应的零部件名称：

1-封装壳体；11-导轨；2-子芯片层；21-卡口；22-扰流鳍；3-导热层；3101-底板；3102-侧板；3103-顶板；311-加强肋；312-滑轨；313-第一滑套；314-第二滑套；315-第一连杆；316-第二连杆；317-第一测杆；318-第二测杆；4-弹性件；5-引流罩；51-通气孔。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。需要说明的是，本发明已经处于实际研发使用阶段。

随着社会的发展进步，便携式电子产品的功能日益强大，同时，体积偏向于轻量化、小型化。强大的功能需要性能更加优异的芯片来支持，但在相同的制程工艺下，为了以较小的芯片体积实现更加强大的性能，则需对芯片进行高集成度封装。然而，在高度集成的情况下，芯片产生的热量更加汇聚，难以避免某一功能模块持续升温导致芯片烧坏的情况。为了克服现有高集成度芯片难以有效散热的情况，避免芯片被持续累积的热量烧坏。本发明提供了一种全新的堆叠式电容芯片封装结构，用于至少部分克服上述技术问题，实现上述有益效果。

实施例1：

如图1、图2所示，本实施例提供了一种堆叠式电容芯片封装结构，其包括封装壳体1和多个子芯片层2，各所述子芯片层2沿子芯片层2的厚度方向堆叠安装在所述封装壳体1上；

所述堆叠式电容芯片封装结构还包括导热层3，在任一子芯片层2的两侧均设置有所述导热层3，各所述导热层3通过导热胶（未在图中绘示）安装在对应的子芯片层2上；所述导热层3包括密封壳体和封装在所述密封壳体中的相变材料。应能理解的是，为了确保导热的效果，相变材料充满所述密封壳体。

基于此，本实施例提供的一种堆叠式电容芯片封装结构，通过将多个子芯片层2在厚度方向上进行堆叠进而安装在封装壳体1上，实现了电子设备内用于实现不同功能的多个子芯片层2的高度集成封装，进而使得芯片占用的体积更小，有利于电子设备的小型化；通过在各子芯片层2的两侧（指厚度方向上的两侧）均用导热胶安装封装有相变材料的导热层3，能够在任一子芯片层2的温度陡然升高或是持续升高的情况下，利用对应导热层3内的相变材料发生相变来吸收大量的热量，进而避免来不及散发出去的热量持续累积使得该堆叠式电容芯片封装结构内的温度持续升高，能够有效防止子芯片层2过热。

优选地，所述相变材料为石蜡。

更具体地，所述密封壳体由铜薄膜制成，在所述密封壳体的底板3101内侧以及侧板3102内侧均设置有若干加强肋311；

在将所述导热层3安装在对应的子芯片层2时，通过导热胶将所述密封壳体的底板3101和所述子芯片层2的一侧连接。

优选地，在所述密封壳体的底板3101外侧还设置有若干导热刺，导热刺的设置能够大幅度提升密封壳体和导热胶之间的接触面积，进而强化导热。

基于此，通过在密封壳体的底板3101和侧板3102的内侧均设置加强肋311，能够有效加强密封壳体的底板3101和侧板3102的强度。一方面，通过导热胶将底板3101和子芯片层2的一侧连接，在相变材料发生相变进而引起体积变化的过程中，结构强化的底板3101和侧板3102不易发生变形，能够避免底板3101在相变材料发生体积变化的情况下发生翘起、隆起等情况，能够确保底板3101和子芯片层2之间始终良好接触、良好导热；另一方面，未强化的密封壳体顶板3103可以作为相变材料发生相变进而发生体积变化后密封壳体变形的发展方向（由于密封壳体的底板3101和侧板3102均设有加强肋311，在密封壳体内的相变材料发生相变的情况下，例如由固态转变为液态，会发生膨胀，在加强肋311的影响下，密封壳体变形的趋势集中在顶板3103，体现为顶板3103向着远离底板3101的方向膨出，为了确保变形仅发生在顶板3103上，可以采取相对减弱顶板3103的结构强度、在顶板3103设置波纹结构等现有手段实现，在此不再赘述），使得密封壳体能够适应相变材料在相变过程中的体积变化；此外，加强肋311还能增加密封壳体和相变材料的接触面积，进而强化热量在密封壳体和相变材料之间的传导；并且，加强肋311还能均化导热层3内的温度，即在子芯片层2的任一区域温度较高的情况下，热量从该区域传递到导热胶进而传递到密封壳体后，加强肋311强化了这些热量向着周边传导的能力，进而使得更大范围内的相变材料吸收这些热量，能够有效提升相变材料遏制温度提升的作用速度。

实施例2：

如图3至图9所示，本实施例基于实施例1，区别在于，在本实施例提供的一种堆叠式电容芯片封装结构中：

在所述密封壳体内还设置有滑轨312，所述滑轨312的下部连接至所述底板3101的内侧；

在所述滑轨312的两端分别滑动连接有第一滑套313和第二滑套314；所述第一滑套313铰接有第一连杆315，且所述第一连杆315的另一端铰接至所述密封壳体的顶板3103内侧；所述第二滑套314铰接有第二连杆316，且所述第二连杆316的另一端铰接至所述密封壳体的顶板3103内侧。

更优地，所述滑轨312、所述第一滑套313、所述第二滑套314、所述第一连杆315、所述第二连杆316的导热系数均高于所述密封壳体的导热系数；更具体地，所述滑轨312、所述第一滑套313、所述第二滑套314、所述第一连杆315、所述第二连杆316均为石墨烯或银材质。

基于此，在任一子芯片层2温度过高的情况下，对应的密封壳体内的相变材料会发生相变，具体为传导到密封壳体底板3101上的温度迅速传递到导热系数更高的滑轨312、第一滑套313、第二滑套314、第一连杆315、第二连杆316上，相变材料与底板3101、加强肋311、滑轨312、第一滑套313、第二滑套314、第一连杆315、第二连杆316相接触的部分先受热熔化（能够确保第一滑套313、第二滑套314、第一连杆315、第二连杆316具有活动空间），进而相变材料体积增大使得密封壳体的顶板3103向着远离底板3101的方向膨出，同时，在第一连杆315和第二连杆316的作用下，第一滑套313和第二滑套314沿着滑轨312滑动，第一滑套313和第二滑套314能够挤压未发生相变的相变材料，使得已熔化的相变材料流动到整个密封壳体内的各个位置，进而将热量均匀分布在密封壳体内，能够加快该密封壳体内的相变材料对该子芯片层2产生的热量的吸收。

优选地，该堆叠式电容芯片封装结构还包括控制单元，所述控制单元与各所述密封壳体以及各所述子芯片层2电性连接；

在所述密封壳体的顶板3103上还插设有第一测杆317，所述第一测杆317和所述顶板3103之间设置有绝缘密封圈；

所述第一测杆317的一端与所述控制单元电性连接，所述第一测杆317的另一端设置有第一触头；

在所述第一滑套313从所述滑轨312的端部滑动至中部的过程中，所述第一滑套313经过第一预设距离后与所述第一触头接触，并使得所述第一测杆317、所述滑轨312和所述密封壳体形成连通的回路；

在所述第一滑套313与所述第一触头接触的情况下，所述控制单元能够断开该第一滑套313对应的子芯片层2的电源。

基于此，通过设置控制单元，能够在任一子芯片层2温度过高的情况下，及时断开该子芯片层2的电源，使得该子芯片层2停止工作，进而实现过热断电保护，能够保护该子芯片层2不被高温烧毁。具体地，在任一子芯片层2温度过高的情况下，其对应的密封壳体内的相变材料完全发生相变，而后该导热层3失去吸收大量热量而不升温的能力，此后，该子芯片层2继续工作会使得温度持续升高，容易导致烧坏；而在该子芯片层2温度升高的过程中，密封壳体内的相变材料从固体逐渐相变为液体，体积逐渐增大，使得密封壳体的顶板3103逐渐向着远离底板3101的方向膨出（顶板3103的膨出会作用于第一连杆315，使其铰接在顶板3103的一端向着远离底板3101的方向位移，进而带动第一滑套313从滑轨312的端部向中部滑动，其中，顶板3103的膨出程度能够表征该密封壳体内的相变材料的相变程度，进而第一滑套313从滑轨312的端部向中部滑动的距离能够用于表征该密封壳体内的相变材料的相变程度），进而在第一连杆315的作用下使得第一滑套313逐渐从滑轨312的端部向中部滑动第一预设距离（根据需要设定）后与第一触头接触（如图9所示），进而使得第一测杆317、滑轨312和密封壳体形成连通的回路（意味着此时，相变材料已经发生了第一预设程度的相变，例如已经有98%的相变材料发生相变），进而利用控制单元检测上述回路是否形成，在回路形成的情况下（即第一滑套313与第一触头接触的情况下），断开该子芯片层2的电源。

更优地，该堆叠式电容芯片封装结构还包括示警单元，所述控制单元与所述示警单元电性连接；

在所述密封壳体的顶板3103上还插设有第二测杆318，所述第二测杆318和所述顶板3103之间设置有绝缘密封圈；

所述第二测杆318的一端与所述控制单元电性连接，另一端设置有第二触头；

在所述第二滑套314从所述滑轨312的端部滑动至中部的过程中，所述第二滑套314经过第二预设距离后与所述第二触头接触，并使得所述第二测杆318、所述滑轨312和所述密封壳体形成连通的回路；

在所述第二滑套314与所述第二触头接触的情况下，所述控制单元能够控制所述示警单元发出警示信号。

基于此，通过设置示警单元，能够在任一子芯片层2温度较高的情况下，发出警示信号，结合前述的过热断电保护，该警示信号能够提示用户及时保存数据，避免数据因断电保护而丢失。具体地，在任一子芯片层2温度较高的情况下，其对应的密封壳体内的相变材料会有一部分从固体逐渐相变为液体，使得密封壳体的顶板3103逐渐向着远离底板3101的方向膨出，进而在第二连杆316的作用下使得第二滑套314逐渐从滑轨312的端部向中部滑动第二预设距离（根据需要设定）后与第二触头接触（如图8所示），进而使得第二测杆318、滑轨312和密封壳体形成连通的回路（意味着此时，相变材料已经发生了第二预设程度的相变，例如已经有80%的相变材料发生相变），进而利用控制单元检测上述回路是否形成，在回路形成的情况下（即第二滑套314与第二触头接触的情况下），发出该子芯片层2温度较高的警示信号。

实施例3：

如图1、图5至图9所示，本实施例基于实施例1，区别在于，在本实施例提供的一种堆叠式电容芯片封装结构中：

在所述封装壳体1上设置有平行于所述子芯片层2厚度方向的导轨11，在各所述子芯片层2上开设有对应所述导轨11形状的卡口21；

位于两端的子芯片层2和所述封装壳体1之间均通过弹性件4连接，其余各所述子芯片层2通过所述卡口21滑动安装在所述导轨11上；

任意两相邻子芯片层2之间的导热层3的顶板3103相抵接。

基于此，各所述子芯片层2是滑动安装在所述封装壳体1上的，在任一子芯片层2的温度升高到相变材料的相变温度时，相应的导热层3内的相变材料发生相变，进而使得相应的密封壳体的顶板3103膨出，进而使得其它的子芯片层2产生沿导轨11方向的滑动（如图7所示），各所述子芯片层2的滑动动作能够扰动封装壳体1内部的气体，进而促进该子芯片层2附近的高温气体和封装壳体1内其它区域相对低温的气体的对流换热，促进封装壳体1内的气体温度均一化，进而促进封装壳体1内的各导热层3温度均一化，有利于提升该堆叠式电容芯片封装结构承受局部高温的时长。

更优地，在各所述子芯片层2的侧壁上均连接有扰流鳍22。基于此，通过设置扰流鳍22能够强化上述的“扰动封装壳体1内部的气体”的扰动幅度，进而强化该子芯片层2附近的高温气体和封装壳体1内其它区域相对低温的气体的对流换热。

优选地，该堆叠式电容芯片封装结构该还包括管状的引流罩5，在任意两相邻子芯片层2之间均设置有所述引流罩5，所述引流罩5的两端分别密封连接至一个子芯片层2的侧面；

所述引流罩5为弹性材料，且在所述引流罩5的侧壁上设置有多个通气孔51。

基于此，在任意两相邻子芯片层2之间的一个导热层3内的相变材料受热发生相变的情况下，该导热层3内的密封壳体的顶板3103向着远离底板3101的方向膨出，进而使得该两相邻的子芯片层2相互远离，进而使得该两相邻子芯片层2和相应的引流罩5围成的腔体吸气，吸气使得该腔体外部的气体经由通气孔51加速进入到该腔体内，进而缓解该腔体内的高温环境，有利于延长该导热层3内的相变材料从固体相变为液体所需的时间；类似的，在该导热层3对应的子芯片层2降温后，该子芯片层2内的相变材料由液态转变为固态，并释放热量，此时，随着相变的进行，该导热层3的顶板3103将会回缩，进而该两相邻的子芯片层2会相互靠近，相互靠近使得该腔体内的高温气体释放到外部，有利于加快该导热层3内的相变材料从液体转变为固体。

以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种堆叠式电容芯片封装结构，包括封装壳体（1）和多个子芯片层（2），其特征在于，各所述子芯片层（2）沿子芯片层（2）的厚度方向堆叠安装在所述封装壳体（1）上；

所述堆叠式电容芯片封装结构还包括导热层（3），在任一子芯片层（2）的两侧均设置有所述导热层（3），各所述导热层（3）通过导热胶安装在对应的子芯片层（2）上；所述导热层（3）包括密封壳体和封装在所述密封壳体中的相变材料。

2.根据权利要求1所述的一种堆叠式电容芯片封装结构，其特征在于，

所述密封壳体由铜薄膜制成，在所述密封壳体的底板（3101）内侧以及侧板（3102）内侧均设置有若干加强肋（311）；

在将所述导热层（3）安装在对应的子芯片层（2）时，通过导热胶将所述密封壳体的底板（3101）和所述子芯片层（2）的一侧连接。

3.根据权利要求2所述的一种堆叠式电容芯片封装结构，其特征在于，

在所述密封壳体内还设置有滑轨（312），所述滑轨（312）的下部连接至所述底板（3101）的内侧；

在所述滑轨（312）的两端分别滑动连接有第一滑套（313）和第二滑套（314）；所述第一滑套（313）铰接有第一连杆（315），且所述第一连杆（315）的另一端铰接至所述密封壳体的顶板（3103）内侧；所述第二滑套（314）铰接有第二连杆（316），且所述第二连杆（316）的另一端铰接至所述密封壳体的顶板（3103）内侧。

4.根据权利要求3所述的一种堆叠式电容芯片封装结构，其特征在于，

所述滑轨（312）、所述第一滑套（313）、所述第二滑套（314）、所述第一连杆（315）、所述第二连杆（316）的导热系数均高于所述密封壳体的导热系数。

5.根据权利要求4所述的一种堆叠式电容芯片封装结构，其特征在于，

还包括控制单元，所述控制单元与各所述密封壳体以及各所述子芯片层（2）电性连接；

在所述密封壳体的顶板（3103）上还插设有第一测杆（317），所述第一测杆（317）和所述顶板（3103）之间设置有绝缘密封圈；

所述第一测杆（317）的一端与所述控制单元电性连接，所述第一测杆（317）的另一端设置有第一触头；

在所述第一滑套（313）从所述滑轨（312）的端部滑动至中部的过程中，所述第一滑套（313）经过第一预设距离后与所述第一触头接触，并使得所述第一测杆（317）、所述滑轨（312）和所述密封壳体形成连通的回路；

在所述第一滑套（313）与所述第一触头接触的情况下，所述控制单元能够断开该第一滑套（313）对应的子芯片层（2）的电源。

6.根据权利要求5所述的一种堆叠式电容芯片封装结构，其特征在于，

还包括示警单元，所述控制单元与所述示警单元电性连接；

在所述密封壳体的顶板（3103）上还插设有第二测杆（318），所述第二测杆（318）和所述顶板（3103）之间设置有绝缘密封圈；

所述第二测杆（318）的一端与所述控制单元电性连接，另一端设置有第二触头；

在所述第二滑套（314）从所述滑轨（312）的端部滑动至中部的过程中，所述第二滑套（314）经过第二预设距离后与所述第二触头接触，并使得所述第二测杆（318）、所述滑轨（312）和所述密封壳体形成连通的回路；

在所述第二滑套（314）与所述第二触头接触的情况下，所述控制单元能够控制所述示警单元发出警示信号。

7.根据权利要求2所述的一种堆叠式电容芯片封装结构，其特征在于，

在所述封装壳体（1）上设置有平行于所述子芯片层（2）厚度方向的导轨（11），在各所述子芯片层（2）上开设有对应所述导轨（11）形状的卡口（21）；

位于两端的子芯片层（2）和所述封装壳体（1）之间均通过弹性件（4）连接，其余各所述子芯片层（2）通过所述卡口（21）滑动安装在所述导轨（11）上；

任意两相邻子芯片层（2）之间的导热层（3）的顶板（3103）相抵接。

8.根据权利要求7所述的一种堆叠式电容芯片封装结构，其特征在于，

还包括管状的引流罩（5），在任意两相邻子芯片层（2）之间均设置有所述引流罩（5），所述引流罩（5）的两端分别密封连接至一个子芯片层（2）的侧面；

所述引流罩（5）为弹性材料，且在所述引流罩（5）的侧壁上设置有多个通气孔（51）。

9.根据权利要求7所述的一种堆叠式电容芯片封装结构，其特征在于，

在各所述子芯片层（2）的侧壁上均连接有扰流鳍（22）。

10.根据权利要求1所述的一种堆叠式电容芯片封装结构，其特征在于，

所述相变材料为石蜡。