CN118318209A - 曝光光束的特性的确定 - Google Patents

Abstract

一种装置包括：估计系统，其被配置为：基于所感测的初始光束的波前来确定与初始光束相关的值集合，该值集合包括第一值和第二值。估计系统还被配置为基于包括第一值和第二值的非线性关系来确定曝光光束的特性的估计值。曝光光束由初始光束与光学系统相互作用形成。该装置还包括通信模块，其耦合到估计系统并被配置为输出曝光光束的特性的估计值。

Description

曝光光束的特性的确定

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年11月30日提交的美国申请号63/284,081的优先权，该申请的标题为“DETERMINATION OF A PROPERTY OF AN EXPOSURE LIGHT BEAM”，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及确定曝光光束的特性。曝光光束可以基于从深紫外(DUV)光源发射的初始光束而产生。

背景技术

光刻是通过其在诸如硅晶片等的衬底上图案化半导体电路的过程。光源产生深紫外(DUV)光，用于曝光晶片上的光致抗蚀剂。DUV光可以包括例如约100纳米(nm)至约400nm的波长。通常，光源是激光源(例如，准分子激光器)，而DUV光是脉冲激光束。来自光源的DUV光与投影光学系统相互作用，投影光学系统通过掩模将光束投影到硅晶片上的光致抗蚀剂上。以此方式，芯片设计的层就被图案化到光致抗蚀剂上。随后蚀刻和清洁光致抗蚀剂和晶片。如果需要，可以使用新鲜的光致抗蚀剂来重复光刻工艺。

发明内容

在一个方面，一种装置包括：估计系统，其被配置为：基于所感测的初始光束的波前来确定与初始光束相关的值集合，该值集合包括第一值和第二值。估计系统还被配置为基于包括第一值和第二值的非线性关系来确定曝光光束的特性的估计值。曝光光束由初始光束与光学系统相互作用而形成。该装置还包括耦合到估计系统的通信模块，其被配置为输出曝光光束的特性的估计值。

实施方式可以包括以下一个或多个特征。曝光光束的特性可以是卷积带宽度量，该卷积带宽度量表示曝光光束的在被曝光光束照射的晶片处的光谱的一部分的宽度；并且曝光光束的光谱包括曝光光束的作为波长函数的强度。

所感测的初始光束的波前可以包括由初始光束产生的条纹图案；条纹图案可以包括多个条纹；第一值可以包括多个条纹中的第一条纹的第一宽度；并且第二值可以包括多个条纹中的第二条纹的第二宽度。多个条纹中的第一条纹和多个条纹中的第二条纹可以是同一个条纹。第一宽度可以是该一个条纹在该一个条纹的峰值强度的第一百分比处的宽度；并且第二宽度可以是该一个条纹的在该一个条纹的峰值强度的第二百分比处的宽度。第一百分比和第二百分比可以是不同的百分比。多个条纹可以是以中心点为中心并由无光区域分开的同心光环；并且该条纹可以是最靠近中心点的条纹。该装置还可以包括被配置为产生条纹图案的标准具。

该非线性关系可以为二阶关系，第一值和第二值中的一者可以是平方的。

非线性关系还可以包括多个校准参数。估计系统还可以被配置为：访问曝光光束的特性的参考值；并通过最小化特性的估计值与特性的参考值之间的差值来确定每个校准参数的值。特性的参考值可以通过光谱仪来获得。

该装置还可以包括光学系统。

光学系统可以包括投影透镜和掩模版。

该装置还可以包括检测器，该检测器被配置为感测波前并向估计系统提供与所感测的波前相关的数据。

在另一个方面，系统包括：光源，被配置为发射包括深紫外(DUV)光的光束；光学测量系统，被配置为基于光束产生条纹图案；投影光学系统，被配置为基于光束发射曝光光束；以及估计系统，被配置为：根据条纹图案来确定第一值和第二值；并基于第一值和第二值来确定曝光光束的特性的估计值。

实施方式可能包括下列特征中的一个或多个特征。

投影光学系统可以包括投影透镜和掩模版。

估计系统可被配置为基于非线性关系确定特性的估计值；并且非线性关系可包括第一值、第二值和多个校准常数。估计系统还可配置为：基于最小化特性的估计值与特性的参考值之间的差值来确定多个校准常数中的每一者的值。

光学测量系统可以是标准具。

光源可以包括被配置为发射种子光束的主振荡器，以及被配置为放大种子光束以产生包括DUV光的光束的功率放大器。

在另一个方面，该方法包括：感测初始光束的波前；基于所感测的波前来确定初始光束的值集合；确定包括该值集合中的至少两个值的关系；以及基于该关系确定曝光光束的特性的估计值。曝光光束是通过使初始光束与光学系统相互作用而产生的。

该关系可能是非线性关系。

上述任何技术的实施方式可以包括系统、方法、过程、设备或装置。一个或多个实施方式的细节在附图和以下描述中阐述。其他特征将从描述和附图以及权利要求中显而易见。

附图说明

图1A是系统的一个示例的框图。

图1B示出了干涉图案的一个示例。

图1C是图1A的系统的图像平面和输出透镜的框图。

图2A是光学测量装置的一个示例的框图。

图2B和图2C涉及干涉图案的另一示例。

图3是用于确定曝光光束的特性的估计值的过程的一个示例的流程图。

图4是示出卷积带宽(CBW)估计误差的实验数据的一个示例。

图5是示出了根据二阶关系估计的作为测量的参考CBW的函数的CBW误差的实验数据的一个示例。

图6是根据线性关系估计的作为测量的参考CBW的函数的CBW误差的实验数据的一个示例。

图7A示出了针对七种不同的曝光工具的作为95％积分宽度(E95)的估计值的函数的估计关键尺寸(CD)的模拟数据。

图7B示出了针对七种不同曝光工具的作为半峰全宽(FWHM)的估计值的函数的估计关键尺寸(CD)的模拟数据。

图7C示出了针对七种不同曝光工具的作为CBW的估计值的函数的估计关键尺寸(CD)的模拟数据。

图8和图10示出了可以与光学测量装置一起使用的深紫外(DUV)光学系统的示例。

图9是投影光学系统的一个示例。

具体实施方式

图1A是系统100的框图。在图1A中，元件之间的虚线表示光沿其传播的光路，元件之间的实线表示信息和/或数据沿其传播的信号路径。系统100包括产生初始光束116的光产生模块110。初始光束116与光学系统181相互作用以产生曝光光束112。光学系统181包括部件183，诸如例如一个或多个透镜、反射镜、孔径和/或掩模版。初始光束116通过例如被部件183反射、折射和/或透射而与部件183相互作用以产生曝光光束112。曝光光束112曝光或照射元件182以在元件182上形成电子特征。元件182可以是例如半导体晶片。

系统100包括估计系统150，其估计曝光光束112的特性。曝光光束112的特性可以是例如与曝光光束112的光谱带宽相关的度量。在更详细地讨论估计系统150之前，先提供系统100的概述。

系统100还包括光束分离器117，其将初始光束116的一部分116’引导至测量系统160。光束分离器117可以是例如分束器，其将部分116’引导至估计系统150并将初始光束116中的剩余光引导至光学系统181。在图1A的示例中，测量系统160包括标准具130和检测器140。标准具130包括两个平行光学元件133A、133B，它们相隔距离136，以及输出透镜134。输出透镜134具有焦距163，并且输出透镜134将入射光聚焦在图像平面137处。图像平面137与检测器140的有效区域142重合。图1C是示出图像平面137和输出透镜134的框图。估计系统150耦合到测量系统160。估计系统150从检测器140接收数据。

还参考图1B，标准具130的输出是聚焦在图像平面137处的条纹图案或干涉图案139。图1B示出了图像平面137中的干涉图案139。在图1B的示例中，干涉图案139是在图像平面137处形成的多个同心光环。图1B中示出了两个条纹139_1和139_2，但是干涉图案139可以包括附加条纹。条纹139_1是一阶条纹，而条纹139_2是二阶条纹，并且一阶条纹139_1和二阶条纹139_2是连续或相邻的条纹。利用图1B中所示的布置，干涉图案139中的光的空间分布至少部分地取决于光束116的部分116’中的光的光谱特性。

初始光束116和曝光光束112各自具有光谱。光束的光谱包含有关光束的光能、强度或功率如何在波长范围(或光频率)上分布的信息。光谱具有作为波长函数的形状或轮廓。例如，初始光束116的光谱可以具有作为波长函数的近似高斯形状。光束的光谱带宽代表光束中的波长范围。

可以使用各种度量来表征光谱带宽。与光谱带宽相关的度量的具体示例包括半峰全宽(FWHM)，即，光谱最大强度的一半处的光谱宽度，以及95％积分宽度(E95)，即，包含光谱中95％总能量的波长间隔。可以使用其他度量。例如，光谱带宽可以表示为表示光束中最小波长和最大波长之间的波长范围的值。

光学系统181具有传递函数。传递函数是一种数学关系，描述光学系统181如何响应各种波长的输入。作为波长函数的传递函数形状取决于部件183的特性(例如，尺寸、定向、材料和/或形状)以及各种部件相对于彼此的布置。

光学系统181影响初始光束116的光谱内容，使得曝光光束112通常不具有与初始光束116相同的光谱。从数学上讲，曝光光束112的光谱可以表示为初始光束116的光谱与光学系统181的传递函数的卷积。卷积是一种数学运算，其表示第一函数的形状如何被第二函数修改以产生第三(或输出)函数。在此示例中，曝光光束112的光谱是被光学系统181的传递函数修改的初始光束116的光谱。换句话说，曝光光束112的光谱是初始光束116的光谱与光学系统181的传递函数的卷积。

估计系统150基于条纹图案139来估计曝光光束112的光谱特性。尽管一些传统技术使用干涉图案(诸如条纹图案139)来确定光束的特性，但是估计系统150提供了比这些传统方法更多的和/或不同的信息，并且还以直接的方式提供此类信息。

例如，一些传统系统使用直接光谱恢复方法来确定初始光束116的光谱。直接光谱恢复方法从条纹图案139计算初始光束116的光谱。然而，光谱恢复方法所涉及的计算复杂且具有挑战性。例如，直接光谱恢复方法涉及反转表示标准具130的传递函数的矩阵，并且这种反转可能很复杂并且当矩阵包含较小值时可能导致较大的误差和噪声。如果在操作期间(例如，在激光器操作期间定期执行)需要重复执行复杂的计算，则复杂计算可能特别不受欢迎。它们可能导致操作速度变慢或可能需要过多的计算资源。此外，直接光谱恢复不会提供有关曝光光束112的光谱信息，除非将初始光束116的计算光谱与表示光学系统181的传递函数的数学函数卷积。此外，在一些传统系统中，使用来自条纹图案139的信息和线性相关技术来估计初始光束116的光谱的光谱带宽度量(例如E95和/或FWHM值)。

另一方面，由估计系统150所实施的估计技术提供了一种直接而准确的方法，用于基于与初始光束116相关的信息来估计曝光光束112的特性。卷积带宽(CBW)是曝光光束112的特性的一个示例。CBW是曝光光束112的光谱的FWHM。如图7所示，CBW与关键尺寸(CD)具有很强的相关性，关键尺寸是能够通过系统100印刷在晶圆120上的最小特征尺寸。为了保持产品的均匀性和质量，希望在使用光学系统181期间保持一致的CD，并且还在光学系统181的许多实例之间保持一致的CD。了解CBW可以深入了解特定光学系统181的CD。此外，尽管光学系统181的每个实例都会产生具有独特特性的曝光光束，但具有相同CBW的不同曝光光束通常与相同的CD相关联。因此，CBW是一种稳健的度量，可用于表征由光学系统181产生的曝光光束112。CBW也可以是针对由光学系统181的不同实例产生的曝光光束的有用度量。估计系统150基于与初始光束116相关的信息估计曝光光束112的CBW。估计还可基于光学系统181的特性，诸如通过光学系统181测量的输出，或光学系统181的建模或测量的传递函数。

图2A是另一系统200的框图。系统200包括估计系统250(其是估计系统150(图1A)的一个实施方式的一个示例)和测量系统260。测量系统260包括输入透镜232、标准具230、输出透镜234(或聚焦透镜234)和检测器240。部分116’被漫射并穿过测量系统260的孔径235。部分116’可以由放置在平面237处的光学漫射器(未示出)有意地散射，平面237位于光束分离器117和孔径235之间。孔径235位于输入透镜232的焦平面处。输入透镜232在部分116’进入标准具230之前对其进行准直。输出透镜234具有焦距263并将光聚焦到图像平面。检测器240被定位成使得检测器240的有效区域242与图像平面重合。

在图2A所示的示例中，标准具230包括一对部分反射光学元件233A和233B。光学元件233A和233B位于输入透镜232和输出透镜234之间。光学元件233A和233B具有相应的反射表面238A和238B，它们间隔开距离236。距离236可以是相对较短的距离(例如，毫米到厘米)。光学元件233A和233B是楔形的，以防止后表面(与表面238A和238B相对的表面)产生干涉条纹。后表面可以具有抗反射涂层。标准具230的其他实施方式也是可能的。例如，在其他实施方式中，光学元件233A和233B是平行板，并且不是楔形的。在另一示例中，标准具230可以仅包括具有两个平行的部分反射表面的单个板。

还参考图2B，标准具230与部分116’相互作用并输出干涉图案239。图2B示出了在某一时刻的透镜234的图像平面中的干涉图案239。干涉图案239包括多个条纹。图2B示出了多个条纹中的三个条纹(239_1、239_2、239_3)。干涉图案239包括由部分116’的相消干涉产生的暗区(光相对较少或没有光)和由部分116’的相长干涉产生的亮区(光相对较多)。相长干涉区域是条纹239_1、239_2、239_3。没有光的区域用灰色阴影表示，并且位于光区域之间。条纹239_1、239_2、239_3是输出透镜234的图像平面中的同心光环。条纹组中的每个环是干涉图案的阶数(m)，其中m是等于或大于一的整数。条纹239_1是一阶条纹(m＝1)，条纹239_2是二阶条纹(m＝2)，而条纹239_3是三阶条纹(m＝3)。图2C是干涉图案239的强度作为沿图2B中标记为244的路径距离干涉图案239中心的距离的函数的图。路径244从干涉图案239的中心沿X方向延伸。条纹239_1的FWHM在图2C中被标记为243。

干涉图案239在检测器240的有效区域242处被感测。检测器240是能够感测干涉图案239中的光的任何类型的检测器。例如，有效区域242可以是线性光电二极管阵列，其包括沿单个维度以相等间距布置在一个封装中的多个相同尺寸的元件。光电二极管阵列中的每个元件都对部分116’的波长敏感。作为另一个示例，检测器240可以是二维传感器，诸如二维电荷耦合器件(CCD)或二维互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器。

检测器240经由数据连接254连接到估计系统250。估计系统250包括电子处理模块251、电子存储器252和I/O接口253。电子处理模块251包括一个或多个适合执行计算机程序的处理器，例如通用或专用微处理器，以及任何类型的数字计算机的任意一个或多个处理器。通常，电子处理器从只读存储器、随机存取存储器(RAM)或两者接收指令和数据。电子处理模块251可以包括任何类型的电子处理器。电子处理模块251的一个或多个电子处理器执行指令并访问存储在电子存储器252上的数据。电子处理器还能够将数据写入电子存储器252。

电子存储器252是任何类型的计算机可读或机器可读介质。例如，电子存储器252可以是易失性存储器，例如RAM，或非易失性存储器。在一些实施方式中，电子存储器252包括非易失性和易失性部分或部件。电子存储器252可以存储在估计系统250的操作中使用的数据和信息。电子存储器252还可以存储指令(例如，以计算机程序的形式)，该指令使估计系统250与估计系统250交互。例如，指令可以是共同形成估计模块231的指令，当执行该指令时，该指令使电子处理模块251实现关于图3讨论的过程300。电子存储器252还可以存储由过程300使用的各种校准值的初始值。

电子存储器252存储指令，该指令分析来自检测器240的数据以确定有关初始光束116的信息。例如，电子处理模块251可以被配置为确定与初始光束116的特性相关的值或指示符。在一些实施方式中，电子处理模块251被配置为根据干涉图案239确定这些值。例如，电子存储器252可以存储指令，该指令使得电子处理模块251确定条纹239_1的宽度和条纹239_2的宽度，或者条纹239_1或条纹239_2或条纹239_3中的两个不同宽度，或者其他组合。可以通过确定FWHM 243(图2C)来确定条纹239_1的宽度。可以确定条纹239_1的其他宽度。例如，可以确定条纹239_1的最大强度的0.1、0.2或0.9处的条纹239_1的宽度并将其存储为与初始光束116相关的指示或值。在另一个示例中，可以确定包含条纹239_1中总光的特定百分比(例如，10％、50％、95％)的宽度并将其存储为与初始光束116相关的指示或值。在另一个示例中，确定每个条纹239_1、239_2、239_3的最大强度并将其用作与初始光束116相关的信息。

条纹239_1是最靠近条纹图案239中心的条纹，并且通常在条纹图案239中的所有条纹的径向方向上具有最宽的范围。因此，使用来自条纹231_1的数据可以提供比来自图案239中的其他条纹的数据更高的分辨率和更高的准确度。此外，尽管在条纹图案239中示出了完整的条纹，但是在一些实施方式中，整个条纹图案239不会落在有效区域242上并且/或者有效区域242的中心部分与条纹图案239的中心不重合。这种配置导致有效区域242仅捕获一些条纹的部分，并且部分条纹在由检测器240产生的数据中显示为部分环。在这些实施方式中，可以通过从一个或多个完整条纹获取数据来提高准确度。

电子存储器252还存储有关标准具230或光学系统181的信息。例如，电子存储器252可以存储曝光光束112的特性的参考值。在一些实施例中，电子存储器252存储通过使用光谱仪(诸如图8中的光谱仪871)或其他光学仪器在晶片182处测量的曝光光束112的光谱而得出的CBW的实际值或参考值。实际值或参考值可以是直接表示CBW的数值或CBW的指示，例如，表示曝光光束112的测量光谱的FWHM的端点的第一波长和第二波长。

I/O接口253是允许估计系统250与操作员、其他设备和/或在另一个电子设备上运行的自动化过程交换数据和信号的任何类型的接口。例如，在可以编辑存储在电子存储器252上的数据或指令的实施方式中，可以通过I/O接口253进行编辑。在另一个示例中，I/O接口253可以被配置为输出曝光光束112的特性的估计值或这种估计的指示。I/O接口253可以包括一个或多个视觉显示器、键盘和通信接口，诸如并行端口、通用串行总线(USB)连接和/或任何类型的网络接口，诸如例如以太网。I/O接口253还可以允许通过例如IEEE 802.11、蓝牙或近场通信(NFC)连接进行无物理接触的通信。

估计系统250通过数据连接254耦合到测量系统260的各个部件。数据连接254是允许传输数据、信号和/或信息的任何类型的连接。例如，数据连接254可以是物理电缆或其他物理数据管道(例如支持基于IEEE 802.3的传输数据的电缆)、无线数据连接(诸如经由IEEE 802.11或蓝牙提供数据的数据连接)或有线和无线数据连接的组合。

图3是过程300的流程图。过程300用于确定曝光光束112的特性的估计值。过程300可由估计系统250(图2A)来执行。例如，过程300可由处理模块251中的一个或多个电子处理器执行。过程300是针对估计系统250(图2A)进行讨论的。

确定与初始光束116相关的值集合(310)。该值集合基于或根据检测器240产生的数据来确定。例如，检测器240可产生指示入射到有效区域242上的部分116’的波前的测量光强度的数据。该数据可以是二维数据，其提供有效区域242上的光能分布的指示。例如，该数据可包括多个强度值，每个强度值与空间坐标相关联，其中空间坐标指示有效区域242的一部分。该数据可包括由部分116’形成的条纹图案的表示，诸如条纹图案239(图2B)。

该值集合包括与初始光束116相关的两个或更多个值。例如，在根据表示条纹图案239的数据来确定该值集合的实施方式中，该值集合可以包括图案239中的两个或更多个条纹中的每个条纹的宽度。条纹的宽度是空间距离，其表示两个相邻的无光区域之间的条纹范围，诸如图2C的宽度243。宽度可以表示为每个条纹的FWHM，或者每个条纹在条纹的最大强度的预定百分比处的宽度。例如，条纹的宽度可以是最大强度的10％处的宽度，或者最大强度的20％处的宽度。可以使用不同的百分比来确定每个条纹的宽度，或者可以使用相同的百分比来确定部分或全部条纹的宽度。

此外，该值集合中的一个以上的值可以从同一条纹确定。例如，该值集合可以包括两个值，其中第一值是条纹239_1的最大强度的第一百分比处的一阶条纹239_1的宽度，而第二值是条纹239_1的最大强度的第二百分比处的一阶条纹239_1的宽度。第一和第二百分比是不同的百分比。例如，第一百分比可以是10％，而第二百分比可以是90％，或者0％和100％之间不等于90％的任何其他百分比。

用于确定集合中的值的百分比可以存储在电子存储器252上。例如，在使用条纹宽度以确定集合中的值的实施方式中，电子存储器252可以存储预定百分比值的数组或集合，其中一个百分比值与值集合中的每个值相关联。在这些实施方式中，如果值集合包括两个条纹宽度，则预定百分比值可以被存储在与用于每个条纹测量的百分比相对应的两个值的数组中。在一些实施方式中，预定百分比值由用户经由I/O接口253输入。

确定包括该值集合中的两个或更多个值的关系(320)。在一些实施方式中，该关系是非线性的。该非线性关系可以具有针对两个或更多个值中的每一个值的项，诸如等式1所示：

P＝A(V1)+B(V2)²+…+X(Vn)ⁿ+cal 等式(1)，

其中P是曝光光束112的特性；V1、V2、...、Vn中的每一者都是在(310)处确定的值集合中的值；n是等于值集合中的值数目的整数；并且cal、A、B、...X是校准参数。在值集合中的值为条纹宽度的实施方式中，V1、V2、...、Vn中的每一者都是如上所述确定的条纹宽度。例如，继续上述示例，V1可以是条纹239_1的峰值或最大强度的10％处的一阶条纹239_1的宽度，而V2可以是条纹239_1的峰值或最大强度的90％处的一阶条纹239_1的宽度。特性P可以是CBW。cal、A、B、...、X的初始值被存储在电子存储器252中和/或由操作员经由I/O接口253输入。cal、A、B、...、X的数值可以至少部分地表示光学系统181的光学特性。

在一些实施方式中，该关系可以是更广义的非线性关系，诸如等式(1a)所示

P＝A(V1)^k1+B(V2)^k2+…+X(Vn)^kn+cal 等式(1a)，

其中k1，k2，...，kn是用于建模CBW或其他特性P的指数。

在一些实施方式中，该关系是线性关系，诸如等式(2)所示

P＝A(V1)+B(V2)+…+X(Vn)+cal 等式(2)，

其中P是曝光光束112的特性；V1、V2、...、Vn中的每一者为在(310)处确定的值集合中的值；n为与该值集合中的值的数目相等的整数；cal、A、B、...、X为校准参数。

基于关系估计曝光光束112的特性(330)。cal、A、B、...X的初始值与值集合中的值一起用于等式(1)或等式(2)中，以确定特性P的估计值。继续关系为非线性关系的上述示例，并且值集合包括两个条纹宽度值(其中一个条纹宽度值是条纹239_1在最大强度的10％处的宽度，另一个条纹宽度值是条纹239_1在最大强度的90％处的宽度)，CBW基于等式(3)确定

CBW＝A(FW1)+B(FW2)²+cal 等式(3)，

其中FW1是峰值强度为10％处的条纹239_1的宽度；FW2是峰值强度为90％处的条纹239_1的宽度；并且A、B和cal是从电子存储器252和/或经由I/O接口253获得的初始校准值。

曝光光束112的估计特性可由I/O接口253输出。例如，曝光光束112的估计特性可作为数值被输出，该数值可视地呈现在显示器上、远离估计系统250的设备处、和/或作为值存储在电子存储器252中。

在一些实施方式中，在估计特性(330)之后，过程300结束。在一些实施方式中，在估计特性(330)之后，过程300返回到(310)，使得通过估计系统200操作期间的曝光光束112的特性来解释系统200操作期间可能发生的变化。

在一些实施方式中，将估计的特性存储为初始估计值，并且过程300继续至(340)。访问相同特性的参考值(340)。特性的参考值是已知准确的特性的测量值或数学确定值。例如，如果在(330)估计了曝光光束112的CBW，则访问曝光光束112的CBW的参考值。在该示例中，使用被定位在晶片182处的光谱仪来直接测量光谱，并且参考值是根据测量的光谱确定的CBW值。可以从电子存储器252访问估计值和参考值和/或通过I/O接口253接收估计值和参考值。

将曝光光束112的估计特性与参考值进行比较，以确定估计值与参考值的拟合程度(350)。例如，可以确定特性估计值与参考值之间的差值的绝对值，并将其与阈值进行比较。在此示例中，阈值是存储在电子存储器252上和/或通过I/O接口253提供的数值。阈值可以是等于或大于零的任何值。

基于比较来评估所估计的特性的可接受性(360)。如果差值的绝对值小于或等于阈值，则特性的估计值可接受，过程300结束或返回至(310)以继续监测曝光光束112的特性。如果差值的绝对值大于阈值，则特性的估计值不可接受，并且启动最小化和/或优化技术(370)以减少对特性值的估计误差。

在图3的示例中，使用优化或最小化技术(370)来确定使初始估计特性与给定值集合中的值的特性的参考值之间的差值最小化的参数A、B、...、X和cal的值。可以使用任何优化和/或最小化技术来确定使差值最小化的参数的值。例如，在值集合包括两个值并且非线性关系是二阶方程(诸如方程3所示)的实施方式中，可以使用二次优化来确定使特性的估计值与参考值之间的差值最小化的A、B和cal的值。在确定使差值最小化的参数A、B、...、X和cal的值之后，过程300结束或返回到(310)以继续估计曝光光束112的特性。

过程300的各方面还可用于确定应用于来自检测器240的数据以确定(310)中的值集合的预定百分比值。如上所述，该值集合可以是一组条纹宽度，其中每个条纹宽度在条纹的最大强度的特定百分比处被测量。预定百分比值是在执行过程300之前被确定的，并且预定百分比值可以是通过经验分析和/或数学分析已知的那些百分比，以产生最佳或可接受的结果。

例如，预定百分比可以是已知或预期提供CBW的最佳估计值的那些百分比。为了确定预定百分比值，使用等式(1)或等式(2)，使用A、B、...、X和cal的初始值以及基于许多可能百分比值的条纹宽度值(V1、V2、...VN)来估计CBW。确定针对每个可能百分比值的估计CBW与参考CBW之间的误差，并选择产生最小误差的一个或多个百分比并将其存储为预定百分比值。然后使用这些预定百分比值执行过程300，并在(360)处优化A、B、...、X和cal的值。

图4是针对许多不同条纹宽度百分比值的二阶非线性关系(诸如方程(3))的CBW估计误差的一个示例。图4中所示的数据是使用两级主振荡器功率放大器(MOPA)激光器(诸如图10中所示的光产生模块1010)生成的实验数据。改变光产生模块1010的参数以在其整个工作范围内扫描CBW。改变主振荡器(MO)1012_1中的电极的激励定时相对于功率放大器(PA)1012_2中的电极的激励定时、重复率和线窄化模块1095中的棱镜角度以获得整个CBW值的范围。在图4中，y轴为第一条纹宽度百分比值，x轴为第二条纹宽度百分比值，等高线表示作为第一和第二条纹宽度百分比值的函数的CBW估计的最小均方误差。选择与最低CBW误差相对应的条纹宽度百分比值。在所示的示例中，通过将第一条纹宽度百分比值设置为约50％并将第二条纹宽度百分比值设置为约10％来最小化CBW误差。与这些百分比值相对应的点在图4中被标记为490。在选择预定百分比值之后执行过程300。

在执行过程300之前设置预定百分比值的其他方法是可能的。例如，预定百分比值可以是随机的，也可以被设置为某个初始值，诸如50％。在这些实施方式中，通过执行作为过程300一部分的优化(370)来减少初始CBW估计中的误差。

图5是在使用诸如等式(3)所示的二阶关系来估计CBW时的、作为测量的参考CBW(单位为飞米)的函数的CBW估计值误差(单位为飞米)，其中FW1为最靠近条纹环的中心的条纹在10％强度处的条纹宽度，FW2为最靠近条纹环的中心的条纹在40％强度处的条纹宽度。参考CBW是用外部光谱仪测量的。图6是在使用诸如等式(2)所示的线性关系来估计CBW时的作为测量的参考CBW(单位为飞米)的函数的CBW估计值误差(单位为飞米)。与使用线性关系(图6)估计的CBW误差相比，使用二阶关系(图5)估计的CBW误差具有较小的最大值和较小的标准偏差。例如，二阶方法中的CBW误差的最大误差约为4，而线性方法中的最大误差约为6。尽管可以使用线性关系估计CBW，但图5和图6表明二阶关系(图5)提供了更准确的对CBW的估计，而复杂性仅略有增加。通过使用更高阶的多项式(例如，等式1中的n＝3或n＝4)，可以进一步降低CBW估计误差的最大误差和标准偏差(例如，再降低10％或更少)。

图7A至图7C分别显示了针对七种不同曝光工具的、作为估计的光谱带宽度量(以飞米(fm)为单位)的函数的估计CD的模拟数据。图7A显示了作为FWHM度量的函数的CD。图7B显示了作为E95度量的函数的CD。图7C显示了作为CBW的函数的CD。如图7C所示，对于全部七种曝光工具，CBW和CD是线性相关的。此外，当CBW为度量时，对于全部七种曝光工具的线性相关特性(例如，绘制为CBW函数时与CD值拟合的线的斜率)相似。尽管CD与FWHM度量(图7A)和E95度量(图7B)是线性相关的，但不同工具的CD与FWHM和E95度量之间的相关性特性存在差异。图7A至图7C表明，CBW与CD在不同曝光工具之间具有最佳相关性。因此，CBW是一种可靠的度量，可用于监测和/或调整不同机器的性能。

图8和图10是测量系统160或260可以与其一起使用的深紫外(DUV)光学系统的示例。在以下示例中，测量系统260显示为与DUV光学系统一起使用。

参考图8和图9，系统800包括光产生模块810，其向扫描仪装置880提供曝光光束(或输出光束)816，扫描仪装置880包括投影光学系统881。在各种实施方式中，光学系统181的传递函数可以是扫描仪装置880的传递函数，也可以是扫描仪装置的一个或多个部分的传递函数，诸如投影光学系统881。光产生模块810和投影光学系统881分别是光产生模块110和光学系统181的实施方式(图1A)。

系统800还包括光束分离器117、测量系统260和估计系统250。光束分离器117将曝光光束816的一部分引导至用于测量曝光光束816的波长的测量系统260。估计系统250耦合至测量系统260。在图8的示例中，估计系统250还耦合至光产生模块810以及与光产生模块810相关联的各种部件。

光产生模块810包括光学振荡器812。光学振荡器812产生输出光束816。光学振荡器812包括放电室815，其包围阴极813-a和阳极813-b。放电室815还包含气态增益介质819。阴极813-a和阳极813-b之间的电位差在气态增益介质819中形成电场。可以通过控制电压源897向阴极813-a和/或阳极813-b施加电压来产生电位差。电场向增益介质819提供足够的能量以引起粒子数反转并使得能够经由受激发射产生光脉冲。重复产生这种电位差形成一串脉冲，这些脉冲作为光束816被发射。脉冲光束816的重复率由电压被施加到电极813-a和813-b的速率来决定。

通过将电压施加到电极813-a和813-b来泵浦增益介质819。脉冲光束816中的脉冲的持续时间和重复率由向电极813-a和813-b施加电压的持续时间和重复率来决定。脉冲的重复率可以介于例如约500Hz至6000Hz之间。在一些实施方式中，重复率可以大于6000Hz，并且可以例如为12000Hz或更大。从光学振荡器812发射的每个脉冲可以具有例如大约1毫焦耳(mJ)的脉冲能量。

气态增益介质819可以是任何适合产生应用所需的波长、能量和带宽的光束的气体。气态增益介质819可以包括一种以上类型的气体，各种气体被称为气体成分。对于准分子源，气态增益介质819可以包含惰性气体(稀有气体)，诸如例如氩气或氪气；或卤素，诸如例如氟或氯。在卤素作为增益介质的实施例中，增益介质除了缓冲气体(诸如氦)外，还包括痕量氙。

气态增益介质819可以是发射深紫外(DUV)范围内的光的增益介质。DUV光可以包括例如从约100纳米(nm)至约400nm的波长。气态增益介质819的具体示例包括发射波长约为193nm的光的氟化氩(ArF)、发射波长约为248nm的光的氟化氪(KrF)或发射波长约为351nm的光的氯化氙(XeCl)。

谐振器被形成在放电室815的一侧上的光谱调节装置895与放电室815的第二侧上的输出耦合器896之间。光谱调节装置895可以包括衍射光学器件，诸如例如光栅和/或棱镜，用于精细调谐放电室815的光谱输出。衍射光学器件可以是反射的或折射的。在一些实施方式中，光谱调节装置895包括多个衍射光学元件。例如，光谱调节装置895可以包括四个棱镜，其中一些棱镜被配置为控制光束816的中心波长，而另一些棱镜被配置为控制光束816的光谱带宽。

光束816的光谱特性可以通过其他方式进行调节。例如，可以通过控制腔室815的气态增益介质的压力和/或气体浓度来调节光束816的光谱特性(诸如光谱带宽和中心波长)。对于光产生模块810为准分子源的实施方式，可以通过控制腔室815中的氟、氯、氩、氪、氙和/或氦等的压力和/或浓度来调节光束816的光谱特性(例如，光谱带宽或中心波长)。

气态增益介质819的压力和/或浓度可通过气体供应系统890来控制。气体供应系统890经由流体导管889流体耦合到放电室815的内部。流体导管889是能够输送气体或其他流体且流体损失最小或没有损失的任何导管。例如，流体导管889可以是由不与流体导管889中输送的(多种)流体发生反应的材料制成或涂覆的管道。气体供应系统890包括腔室891，腔室891包含和/或被配置为接收增益介质819中使用的(多种)气体的供应。气体供应系统890还包括使气体供应系统890能够从放电室815中去除气体或将气体注入放电室815的设备(诸如泵、阀门和/或流体开关)。气体供应系统890耦合到估计系统250。

光学振荡器812还包括光谱分析装置898。光谱分析装置898是可用于测量或监测光束816的波长的测量系统。在图8所示的示例中，光谱分析装置898接收来自输出耦合器896的光。在一些实施例中，光谱分析装置898是测量系统260的一部分。

光产生模块810可以包括其他部件和系统。例如，光产生模块810可以包括光束准备系统899。光束准备系统899可以包括脉冲展宽器，该脉冲展宽器在时间上展宽与脉冲展宽器相互作用的每个脉冲。光束准备系统还可以包括能够作用于光的其他部件，例如，反射和/或折射光学元件(诸如例如，透镜和反射镜)和/或滤光器。在所示的示例中，光束准备系统899被定位在曝光光束816的路径中。然而，光束准备系统899可以放置在系统800内的其他位置处。

系统800还包括扫描仪装置880。扫描仪装置880使用成形的曝光光束816A来曝光晶片882。成形的曝光光束816A是通过将曝光光束816穿过投影光学系统881形成的。扫描仪装置880可以是液体浸没系统或干式系统。扫描仪装置880包括投影光学系统881以及传感器系统或计量系统870，曝光光束816在到达晶片882之前穿过该投影光学系统881。晶片882被保持或接纳在晶片保持器883上。扫描仪装置880还可以包括例如温度控制设备(诸如空调设备和/或加热设备)和/或用于各种电部件的电源。

计量系统870包括传感器871。传感器871可被配置为测量成形曝光光束816A的特性，诸如例如带宽、能量、脉冲持续时间和/或波长。传感器871可以是例如能够捕获晶片882处成形的曝光光束816A的图像的相机或其他设备，或能够捕获描述晶片882处xy平面中的光能的量的数据的能量检测器。传感器871可以是确定曝光光束816A的光谱的光谱仪。

参见图9，投影光学系统881包括狭缝884、掩模885和投影物镜，该投影物镜包括透镜系统886。透镜系统886包括一个或多个光学元件。曝光光束816进入扫描装置880并撞击在狭缝884上，并且至少一些输出光束816穿过狭缝884以形成成形的曝光光束816A。在图8和图9的示例中，狭缝884为矩形，并将曝光光束816成形为细长的矩形光束，即，成形的曝光光束816A。掩模885包括图案，该图案确定成形的光束的哪些部分被掩模885透射，哪些部分被掩模885阻挡。通过用曝光光束816A曝光晶片882上的辐射敏感光致抗蚀剂材料层，在晶片882上形成微电子特征。掩模上的图案的设计由所需的特定微电子电路特征确定。

图8所示的配置是针对DUV系统的配置的一个示例。其他实施方式也是可能的，并且估计系统250可以与光产生模块810的其他实施方式一起使用。

例如，光产生模块810可以包括并联布置的N个光学振荡器812的实例，其中N是大于1的整数。在这些实施例中，每个光学振荡器812被配置为向光束组合器发射相应的光束，该光束组合器从由N个振荡器中的一个或多个振荡器发射的光束形成曝光光束816。

在另一个示例中，参考图10，光产生模块810可以被配置为多级激光系统。例如，光产生模块810可以是两级激光系统，其包括主振荡器(MO)，主振荡器向功率放大器(PA)提供种子光束，功率放大器(PA)放大种子光束以产生输出光束816。这种激光系统可以称为MOPA激光系统。

图10示出了DUV系统的另一个示例配置。图10是光刻系统1000的框图，其包括光产生模块1010，该光产生模块1010产生脉冲光束1016，该脉冲光束1016被提供给扫描仪装置880。光刻系统1000还包括光束分离器117、测量系统260和估计系统250。估计系统250耦合到测量系统260、光产生模块1010的各个部件和扫描仪装置1080，以控制系统1000的各种操作。在图10的示例中，光束分离器117将输出光束1016的一部分引导到测量系统260。

光产生模块1010是两级激光系统，包括主振荡器(MO)1012_1，其将种子光束1018提供给功率放大器(PA)1012_2。PA 1012_2从MO 1012_1接收种子光束1018，并放大种子光束1018以产生用于扫描仪装置880的光束1016。例如，在一些实施例中，MO 1012_1可以发射脉冲种子光束，其中种子脉冲能量约为每脉冲1毫焦耳(mJ)，并且这些种子脉冲可以由PA1012_2放大到大约10到15mJ，但在其他示例中可以使用其他能量。

MO 1012_1包括具有两个细长电极1013a_1和1013b_1的放电室1015_1、为气体混合物的增益介质1019_1以及用于在电极1013a_1、1013b_1之间循环气体混合物的风扇(未示出)。在放电室1015_1的一侧上的线窄化模块1095与放电室1015_1的第二侧上的输出耦合器1096之间形成谐振器。

放电室1015_1包括第一腔室窗口1063_1和第二腔室窗口1064_1。第一腔室窗口1063_1和第二腔室窗口1064_1位于放电室1015_1的相对侧上。第一腔室窗口1063_1和第二腔室窗口1064_1透射DUV范围内的光并允许DUV光进入和离开放电室1015_1。

线窄化模块1095可以包括一个或多个衍射光学器件，诸如光栅或棱镜，用于精细地调谐放电室1015_1的光谱输出。光产生模块1010还包括线中心分析模块1068和光束耦合光学系统1069，该线中心分析模块1068接收来自输出耦合器1096的输出光束。线中心分析模块1068是可用于测量或监测种子光束1018的波长的测量系统。线中心分析模块1068可以被放置在光产生模块1010中的其他位置处，或者可以被放置在光产生模块1010的输出处。

作为增益介质1019_1的气体混合物可以是任何适合产生应用所需波长和带宽的光束的气体。对于准分子源，气体混合物可以包含稀有气体(惰性气体)(诸如例如氩气或氪气)、卤素(诸如例如，氟或氯以及除缓冲气体(诸如氦)之外的痕量氙)。气体混合物的具体示例包括发射波长约为193nm的光的氟化氩(ArF)、发射波长约为248nm的光的氟化氪(KrF)或发射波长约为351nm的光的氯化氙(XeCl)。因此，在该实施方式中，光束1016和1018包括DUV范围内的波长。通过向细长电极1013a_1、1013b_1施加电压，在高压放电中用短(例如，纳秒)电流脉冲来泵浦准分子增益介质(气体混合物)。

PA 1012_2包括光束耦合光学系统1069，该光束耦合光学系统接收来自MO 1012_1的种子光束1018，并将种子光束1018引导通过放电室1015_2，并到达光束转向光学元件1092，该光束转向光学元件1092修改或改变种子光束1018的方向，使得其被送回放电室1015_2。光束转向光学元件1092和光束耦合光学系统1069形成循环和闭环光路，在该光路中进入到环形放大器的输入与环形放大器的输出在光束耦合光学系统1069处相交。

放电室1015_2包括一对细长电极1013a_2、1013b_2、增益介质1019_2以及用于使增益介质1019_2在电极1013a_2、1013b_2之间循环的风扇(未示出)。形成增益介质1019_2的气体混合物可以与形成增益介质1019_1的气体混合物相同。

放电室1015_2包括第一腔室窗口1063_2和第二腔室窗口1064_2。第一腔室窗口1063_2和第二腔室窗口1064_2位于放电室1015_2的相对侧上。第一腔室窗口1063_2和第二腔室窗口1064_2透射DUV范围内的光并允许DUV光进入和离开放电室1015_2。

当通过分别向电极1013a_1、1013b_1或1013a_2、1013b_2施加电压来泵浦增益介质1019_1或1019_2时，增益介质1019_1和/或1019_2发射光。当以规则的时间间隔向电极施加电压时，光束1016是脉冲的。因此，脉冲光束1016的重复率由向电极施加电压的速率决定。对于各种应用，脉冲的重复率可以在约500Hz到6000Hz之间。在一些实施方式中，重复率可以大于6000Hz，并且可以例如为12000Hz或更大，但在其他实施方式中可以使用其他重复率。附加地，控制器(可以作为估计系统250的一部分来实现)控制向电极1013a_1、1013b_1施加电压相对于向电极1013a_2、1013b_2施加电压的定时，使得增益介质1019_2在适当的时间被激发，从而确保种子光束1018被放大。

输出光束1016在到达扫描仪装置880之前，可被引导通过光束准备系统1099。光束准备系统1099可包括带宽分析模块，其测量光束1016的各种参数(诸如带宽或波长)。光束准备系统1099还可包括脉冲展宽器，其在时间上展宽输出光束1016的每个脉冲。光束准备系统1099还可包括能够作用于光束1016的其他部件，诸如例如反射和/或折射光学元件(诸如例如，透镜和反射镜)、滤光器和光学孔径(包括自动快门)。

DUV光产生模块1010还包括气体管理系统1090，其与DUV光产生模块1010的内部1078流体连通。

可以使用以下条款进一步描述实施方式和/或实施例。

1.一种装置，包括：

估计系统，被配置为：

基于所感测的初始光束的波前来确定与所述初始光束相关的值集合，所述值集合包括第一值和第二值；以及

基于包括所述第一值和所述第二值的非线性关系来确定曝光光束的特性的估计值，其中所述曝光光束是通过使所述初始光束与光学系统相互作用而形成的；以及

通信模块，被耦合到所述估计系统且被配置为输出所述曝光光束的所述特性的所述估计值。

2.根据条款1所述的装置，其中所述曝光光束的所述特性包括卷积带宽度量，所述卷积带宽度量表示所述曝光光束在由所述曝光光束照射的晶片处的光谱的一部分的宽度；并且所述曝光光束的所述光谱包括所述曝光光束的作为波长的函数的强度。

3.根据条款1所述的装置，其中所感测的所述初始光束的所述波前包括从所述初始光束产生的干涉条纹图案；所述条纹图案包括多个条纹；所述第一值包括所述多个条纹中的第一条纹的第一宽度；并且所述第二值包括所述多个条纹中的第二条纹的第二宽度。

4.根据条款3所述的装置，其中所述多个条纹中的所述第一条纹和所述多个条纹中的所述第二条纹是相同的一个条纹。

5.根据条款4所述的装置，其中所述第一宽度是所述一个条纹的在所述一个条纹的峰值强度的第一百分比处的宽度；并且所述第二宽度是所述一个条纹的在所述一个条纹的所述峰值强度的第二百分比处的宽度。

6.根据条款5所述的装置，其中所述第一百分比和所述第二百分比是不同的百分比。

7.根据条款6所述的装置，其中所述多个条纹是以中心点为中心的同心光环，并且由无光区域分开；并且所述一个条纹是最靠近所述中心点的所述条纹。

8.根据条款1所述的装置，其中所述非线性关系包括二阶关系。

9.根据条款8所述的装置，其中所述第一值和所述第二值中的一者是平方的。

10.根据条款1所述的装置，其中所述非线性关系还包括多个校准参数。

11.根据条款10所述的装置，其中所述估计系统还被配置为：

访问所述曝光光束的所述特性的参考值；以及

通过最小化所述特性的所述估计值与所述特性的所述参考值之间的差值来确定所述校准参数中的每一者的值。

12.根据条款11所述的装置，其中所述特性的所述参考值由光谱仪获得。

13.根据条款1所述的装置，还包括所述光学系统。

14.根据条款1所述的装置，其中所述光学系统包括投影透镜和掩模版。

15.根据条款3所述的装置，还包括被配置为产生所述条纹图案的标准具。

16.根据条款1所述的装置，还包括检测器，所述检测器被配置为感测所述波前并将与所感测的所述波前相关的数据提供给所述估计系统。

17.一种系统，包括：

光源，被配置为发射包括深紫外DUV光的光束；

光学测量系统，被配置为基于所述光束产生条纹图案；

投影光学系统，被配置为基于所述光束发射曝光光束；以及

估计系统，被配置为：

从所述条纹图案确定第一值和第二值；以及

基于所述第一值和所述第二值确定所述曝光光束的特性的估计值。

18.根据条款17所述的系统，其中所述投影光学系统包括投影透镜和掩模版。

19.根据条款17所述的系统，其中所述估计系统被配置为基于非线性关系来确定所述特性的所述估计值；并且所述非线性关系包括所述第一值、所述第二值和多个校准常数。

20.根据条款19所述的系统，其中所述估计系统还被配置为：

基于最小化所述特性的所述估计值与所述特性的参考值之间的差值来确定所述多个校准常数中的每一者的值。

21.根据条款17所述的系统，其中所述光学测量系统包括标准具。

22.根据条款17所述的系统，其中所述光源包括主振荡器和功率放大器，所述主振荡器被配置为发射种子光束，并且所述功率放大器被配置为放大所述种子光束以产生包括DUV光的所述光束。

23.一种方法，包括：

感测初始光束的波前；

基于所感测的所述波前来确定初始光束的值集合；

确定包括所述值集合中的至少两个值的关系；以及

基于所述关系确定曝光光束的特性的估计值，其中通过使所述初始光束与光学系统相互作用来产生所述曝光光束。

24.根据条款23所述的方法，其中所述关系是非线性关系。

其它实施方式也属于权利要求的范围内。

Claims (24)

1.一种装置，包括：

估计系统，被配置为：

基于所感测的初始光束的波前来确定与所述初始光束相关的值集合，所述值集合包括第一值和第二值；以及

基于包括所述第一值和所述第二值的非线性关系来确定曝光光束的特性的估计值，其中所述曝光光束是通过使所述初始光束与光学系统相互作用而形成的；以及

通信模块，被耦合到所述估计系统且被配置为输出所述曝光光束的所述特性的所述估计值。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述曝光光束的所述特性包括卷积带宽度量，所述卷积带宽度量表示所述曝光光束在由所述曝光光束照射的晶片处的光谱的一部分的宽度；并且所述曝光光束的所述光谱包括所述曝光光束的作为波长的函数的强度。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所感测的所述初始光束的所述波前包括从所述初始光束产生的干涉条纹图案；所述条纹图案包括多个条纹；所述第一值包括所述多个条纹中的第一条纹的第一宽度；并且所述第二值包括所述多个条纹中的第二条纹的第二宽度。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述多个条纹中的所述第一条纹和所述多个条纹中的所述第二条纹是相同的一个条纹。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一宽度是所述一个条纹的在所述一个条纹的峰值强度的第一百分比处的宽度；并且所述第二宽度是所述一个条纹的在所述一个条纹的所述峰值强度的第二百分比处的宽度。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第一百分比和所述第二百分比是不同的百分比。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述多个条纹是以中心点为中心的同心光环，并且由无光区域分开；并且所述一个条纹是最靠近所述中心点的所述条纹。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述非线性关系包括二阶关系。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述第一值和所述第二值中的一者是平方的。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述非线性关系还包括多个校准参数。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述估计系统还被配置为：

访问所述曝光光束的所述特性的参考值；以及

通过最小化所述特性的所述估计值与所述特性的所述参考值之间的差值来确定所述校准参数中的每一者的值。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述特性的所述参考值由光谱仪获得。

13.根据权利要求1所述的装置，还包括所述光学系统。

14.根据权利要求1所述的装置，其中所述光学系统包括投影透镜和掩模版。

15.根据权利要求3所述的装置，还包括被配置为产生所述条纹图案的标准具。

16.根据权利要求1所述的装置，还包括检测器，所述检测器被配置为感测所述波前并将与所感测的所述波前相关的数据提供给所述估计系统。

17.一种系统，包括：

光源，被配置为发射包括深紫外DUV光的光束；

光学测量系统，被配置为基于所述光束产生条纹图案；

投影光学系统，被配置为基于所述光束发射曝光光束；以及

估计系统，被配置为：

从所述条纹图案确定第一值和第二值；以及

基于所述第一值和所述第二值确定所述曝光光束的特性的估计值。

18.根据权利要求17所述的系统，其中所述投影光学系统包括投影透镜和掩模版。

19.根据权利要求17所述的系统，其中所述估计系统被配置为基于非线性关系来确定所述特性的所述估计值；并且所述非线性关系包括所述第一值、所述第二值和多个校准常数。

20.根据权利要求19所述的系统，其中所述估计系统还被配置为：

基于最小化所述特性的所述估计值与所述特性的参考值之间的差值来确定所述多个校准常数中的每一者的值。

21.根据权利要求17所述的系统，其中所述光学测量系统包括标准具。

22.根据权利要求17所述的系统，其中所述光源包括主振荡器和功率放大器，所述主振荡器被配置为发射种子光束，并且所述功率放大器被配置为放大所述种子光束以产生包括DUV光的所述光束。

23.一种方法，包括：

感测初始光束的波前；

基于所感测的所述波前来确定初始光束的值集合；

确定包括所述值集合中的至少两个值的关系；以及

基于所述关系确定曝光光束的特性的估计值，其中通过使所述初始光束与光学系统相互作用来产生所述曝光光束。

24.根据权利要求23所述的方法，其中所述关系是非线性关系。