CN118299160A - 线圈组件 - Google Patents

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赵泰衍
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Abstract

本公开提供一种线圈组件。所述线圈组件包括：主体，具有第一表面至第六表面，主体具有分别形成在第一表面和第二表面处的第一凹部和第二凹部；线圈，嵌在主体中，线圈包括分别具有延伸到第一凹部和第二凹部的至少一部分的第一引出部和第二引出部；第一外电极和第二外电极，设置在主体的第六表面上且分别延伸到第一凹部和第二凹部以连接到第一引出部和第二引出部；以及第一绝缘层，设置在主体的第一表面至第五表面上且设置在第一外电极和第二外电极的外表面的至少一部分上。主体包括金属磁性颗粒和树脂，金属磁性颗粒的表面的至少一部分上设置有绝缘膜，且金属磁性颗粒的表面的所述至少一部分暴露于主体的第一表面至第五表面中的至少一个表面。

Description

线圈组件
本申请要求于2023年1月5日在韩国知识产权局提交的第10-2023-0001621号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件。
背景技术
电感器(一种线圈组件)是与电阻器和电容器一起用于电子装置中的典型无源电子组件。
随着电子装置的性能逐渐提高和尺寸减小，电子装置中使用的电子组件的数量增加并且尺寸减小。
当通过切割线圈棒形成单个片时，其主体的细/粗粉末可能由于与切割刀片的摩擦而暴露。在主体的细/粗粉末暴露之后，可通过绝缘涂覆来覆盖主体。绝缘涂覆不足可能导致当镀覆外电极时的镀覆扩散(镀覆缺陷)。
发明内容
本公开的一方面在于控制在形成线圈组件的外电极时的镀覆扩散(镀覆缺陷)。
根据本公开的一方面，提供一种线圈组件，所述线圈组件包括：主体，具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面，所述主体具有分别形成在所述第一表面和所述第二表面处的第一凹部和第二凹部；线圈，嵌在所述主体中，所述线圈包括第一引出部和第二引出部，所述第一引出部具有延伸到所述第一凹部的至少一部分，所述第二引出部具有延伸到所述第二凹部的至少一部分；第一外电极和第二外电极，彼此间隔开地设置在主体的所述第六表面上，所述第一外电极延伸到所述第一凹部以连接到所述第一引出部，所述第二外电极延伸到所述第二凹部以连接到所述第二引出部；以及第一绝缘层，设置在所述主体的所述第一表面至所述第五表面上，所述第一绝缘层设置在所述第一外电极和所述第二外电极的外表面的至少一部分上。所述主体可包括金属磁性颗粒和树脂。所述金属磁性颗粒的表面的至少一部分上设置有绝缘膜，并且所述金属磁性颗粒的所述表面的所述至少一部分暴露于所述主体的所述第一表面至所述第五表面中的至少一个表面。
根据本公开的示例实施例，可防止在形成线圈组件的外电极时的镀覆扩散(镀覆缺陷)。
附图说明
通过以下结合附图的具体实施方式，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点，在附图中：
图1是根据本公开的第一示例实施例的线圈组件的示意图；
图2是根据本公开的第一示例实施例的线圈组件(其中省略了线圈组件的一些要素)的仰视图；
图3是沿图1的线I-I'截取的截面图；
图4是沿图1的线II-II'截取的截面图；
图5是线圈的分解图；以及
图6是图3的区域A和图4的区域A'的放大图。
具体实施方式
本文使用的术语仅用于描述特定示例实施例的目的，而不是限制示例实施例。如本文所使用的，除非上下文另有明确说明，否则单数形式旨在也包括复数形式。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任何一个以及任何两个或更多个的任何组合。将进一步理解，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，指定存在所述特征、整数、步骤、操作、要素、组件或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、要素、组件和/或它们的组合。另外，术语“设置在……上”、“位于……上”等可表示要素位于目标部分的上方或下方，并且不一定表示要素相对于重力方向位于目标部分的上方。
术语“结合到”、“连接到”等不仅可表示要素直接地和物理地彼此接触，而且包括其中另一要素介于所述要素之间使得所述要素也与所述另一要素接触的构造。
为了便于描述，任意地表示附图中所示的每个要素的尺寸和厚度，但是本公开不一定限于附图中所示的每个要素的尺寸和厚度。
在附图中，X方向可被定义为第一方向或L方向，Y方向可被定义为第二方向或W方向，并且Z方向可被定义为第三方向或T方向。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的一些实施例的线圈组件。在参照附图的描述中，相同或相应的要素由相同的附图标记表示，并且将省略其重复描述。
在电子装置中可使用各种类型的电子组件，并且可在这些电子组件之间适当地使用各种类型的线圈组件以去除噪声。
也就是说，在电子装置中，线圈组件可用作功率电感器、高频(HF)电感器、通用磁珠、高频磁珠(例如，适用于GHz频段的磁珠)、共模滤波器等。
(第一示例实施例)
图1是根据本公开的第一示例实施例的线圈组件的示意图。图2是根据本公开的第一示例实施例的线圈组件(其中省略了线圈组件的一些要素)的仰视图。图3是沿图1的线I-I'截取的截面图。图4是沿图1的线II-II'截取的截面图。图5是线圈的分解图。图6是图3的区域A和图4的区域A'的放大图。
参照图1至图6，根据本公开的第一示例实施例的线圈组件1000可包括主体100、支撑基板200、线圈300、外电极400和500、绝缘层610以及绝缘膜21，并且还可包括填充部F和第二绝缘层620。
主体100可形成根据本示例实施例的线圈组件1000的外部，并且可包括设置在主体100中的线圈300和支撑基板200。
主体100可具有大体上六面体形状。
相对于图1至图4的方向，主体100可具有在X方向上彼此相对的第一表面101和第二表面102、在Y方向上彼此相对的第三表面103和第四表面104以及在Z方向上彼此相对的第五表面105和第六表面106。主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103和第四表面104可分别对应于主体100的将第五表面105和第六表面106彼此连接的表面。在下文中，主体100的两个端表面(一个端表面和另一端表面)可指主体100的第一表面101和第二表面102，主体100的两个侧表面(一个侧表面和另一侧表面)可指主体100的第三表面103和第四表面104，主体100的一个表面可指主体100的第六表面106，并且主体100的另一表面可指主体100的第五表面105。
例如，主体100可形成为使得根据一些实施例的线圈组件1000(包括下面将描述的外电极400和500以及绝缘层610和620)具有2.0mm的长度、1.2mm的宽度和0.65mm的厚度，但是本公开不限于此。上述数值仅仅是不反映工艺误差等的设计值，因此应当认为：在被公认为工艺误差的范围内的尺寸落入本公开的范围内。
主体100可包括磁性材料和树脂。具体地，主体100可通过层叠一个或更多个磁性复合片来形成，在磁性复合片中，磁性材料分散在树脂中。主体100可包括诸如铁氧体的磁性材料。
磁性材料可包括铁氧体粉末颗粒或金属磁性颗粒。
例如，铁氧体粉末颗粒可包括从由尖晶石型铁氧体粉末颗粒(诸如Mg-Zn基铁氧体粉末颗粒、Mn-Zn基铁氧体粉末颗粒、Mn-Mg基铁氧体粉末颗粒、Cu-Zn基铁氧体粉末颗粒、Mg-Mn-Sr基铁氧体粉末颗粒、Ni-Zn基铁氧体粉末颗粒等)、六方晶系铁氧体粉末颗粒(诸如Ba-Zn基铁氧体粉末颗粒、Ba-Mg基铁氧体粉末颗粒、Ba-Ni基铁氧体粉末颗粒、Ba-Co基铁氧体粉末颗粒、Ba-Ni-Co基铁氧体粉末颗粒等)、石榴石型铁氧体粉末颗粒(诸如Y基铁氧体粉末颗粒等)和Li基铁氧体粉末颗粒组成的组中选择的至少一种。
金属磁性颗粒可包括从由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种。例如，金属磁性颗粒可以是纯铁粉末颗粒、Fe-Si基合金粉末颗粒、Fe-Si-Al基合金粉末颗粒、Fe-Ni基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Mo基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末颗粒、Fe-Co基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Co基合金粉末颗粒、Fe-Cr基合金粉末颗粒、Fe-Cr-Si基合金粉末颗粒、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Cr基合金粉末颗粒和Fe-Cr-Al基合金粉末颗粒中的至少一种。
金属磁性颗粒可以是非晶的或结晶的。例如，金属磁性颗粒可包括Fe-Si-B-Cr基非晶合金粉末颗粒，但是本公开不必限于此。
铁氧体粉末颗粒和金属磁性颗粒中的每者可具有约0.1μm至约30μm的平均直径，但是本公开不限于此。金属磁性颗粒的平均直径可指由D90或D50表示的颗粒的粒度分布。
主体100可包括分散在树脂中的两种或更多种类型的磁性材料。在此，不同类型的磁性材料是指分散在树脂中的磁性材料通过平均直径、组成、结晶度和形状中的至少一种而彼此区分。
树脂可包括单独或组合的环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等，但是本公开不限于此。
主体100可包括金属磁性颗粒20和30以及树脂10，并且可包括绝缘膜21，绝缘膜21形成在金属磁性颗粒20和30的暴露于主体100的侧表面和顶表面的表面上。具体地，绝缘膜可形成在金属磁性颗粒20和30的暴露于主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105中的至少一个表面的表面上。例如，绝缘膜21可设置在金属磁性颗粒20和30的表面的至少一部分上，并且金属磁性颗粒20和30的表面的所述至少一部分可暴露于主体100的第一表面101至第五表面105中的至少一个表面。
金属磁性颗粒20和30可包括从由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种。例如，金属磁性颗粒20和30可包括从由纯铁粉末颗粒、Fe-Si基合金粉末颗粒、Fe-Si-Al基合金粉末颗粒、Fe-Ni基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Mo基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末颗粒、Fe-Co基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Co基合金粉末颗粒、Fe-Cr基合金粉末颗粒、Fe-Cr-Si基合金粉末颗粒、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Cr基合金粉末颗粒和Fe-Cr-Al基合金粉末颗粒组成的组中选择的至少一种。
金属磁性颗粒20和30可以是非晶的或结晶的。例如，金属磁性颗粒20和30可包括Fe-Si-B-Cr基非晶合金粉末颗粒，但是本公开不必限于此。金属磁性颗粒20和30中的每者可具有约0.1μm至约30μm的平均直径，但是本公开不限于此。
金属磁性颗粒可包括第一金属磁性颗粒20和粒径小于第一金属磁性颗粒20的粒径的第二金属磁性颗粒30。如本文所使用的，粒径可指由D90或D50表示的粒度分布。在本公开中，金属磁性颗粒包括第一金属磁性颗粒20和粒径小于第一金属磁性颗粒20的粒径的第二金属磁性颗粒30，使得第二金属磁性颗粒30可分散在第一金属磁性颗粒20之间的空间中。结果，可提高主体100中的磁性材料的填充率。在下面的描述中，为了便于描述，假设主体100的金属磁性颗粒包括具有不同粒径的第一金属磁性颗粒20和第二金属磁性颗粒30，但是本公开不限于此。作为本公开的另一非限制性示例，金属磁性颗粒可包括具有不同粒径的三种类型的金属磁性颗粒。
绝缘膜21可形成在金属磁性颗粒20和30的暴露于主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105中的至少一个表面的表面上。金属磁性颗粒20和30可通过全切割工艺(用于使线圈条个体化)而暴露于主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105。特别地，主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103和第四表面104可对应于全切割工艺中的切割面，因此横跨切割线存在的金属磁性颗粒20和30可被切割，使得金属磁性颗粒20和30的切割面可暴露于主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103和第四表面104。也就是说，在对切割成单个片尺寸的磁性主体进行抛光的工艺中，可暴露细/粗金属磁性颗粒。因此，当在主体100上镀覆外电极时，由于在绝缘涂层被剥离的金属磁性颗粒上形成镀层，因此可能发生镀覆扩散。
因此，在根据一些实施例的线圈组件中，具有优异的电绝缘性的绝缘膜21可形成在金属磁性颗粒20和30的暴露于主体100的第一表面101至第五表面105中的至少一个的表面上，使得可在镀覆外电极400和500时控制镀覆扩散。
可使用绝缘材料作为形成绝缘膜21的材料。例如，绝缘膜21可以是包括从由铁(Fe)、铝(Al)、硅(Si)、钛(Ti)、镁(Mg)、铬(Cr)、锌(Zn)、磷(P)和硼(B)组成的组中选择的至少一种的氧化物绝缘膜。
绝缘膜21可使用浸渍法形成在金属磁性颗粒20和30的暴露于主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105的表面上。
具体地，当绝缘膜21包括氧化物绝缘膜时，可对通过主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105暴露的金属磁性颗粒20和30进行酸处理以形成绝缘膜21。在这种情况下，酸处理溶液可选择性地与暴露的金属磁性颗粒20和30反应以形成绝缘膜21，使得绝缘膜21可包括暴露的金属磁性颗粒20和30的金属成分。绝缘膜21可通过酸处理形成在主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105上，从而与在主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105上形成图案化绝缘层的情况相比减少了工艺数量。
可选地，绝缘膜21可通过使用诸如磷酸锌、磷酸铁、磷酸锰等的磷酸盐涂覆或使用诸如环氧树脂等的有机涂覆形成。具体地，可通过用磷酸盐溶液处理暴露于主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105的金属磁性颗粒20和30来形成绝缘膜21。可将主体100浸入磷酸盐溶液中并干燥，然后可在180℃或更高的温度下对主体100进行热处理。在这种情况下，绝缘膜21可包括磷酸盐基玻璃，并且可包括例如从由磷酸铁盐、磷酸锌盐和磷酸锰盐组成的组中选择的一种或更多种。
由于主体100的树脂10的固化产物的相对多孔的结构，溶液可从主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105渗透到预定深度h1。结果，绝缘膜21不仅可形成在表面暴露于主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105的金属磁性颗粒20和30上，而且可形成在表面不暴露于主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105而是分散在距离主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105的预定深度h1内的金属磁性颗粒20和30的至少一部分上。也就是说，绝缘膜21可形成在设置在距离主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105的预定深度h1内的第一金属磁性颗粒20和第二金属磁性颗粒30的至少一部分上。此外，绝缘膜21的厚度可小于5μm。这里，距离主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105的预定深度h1可被定义为上述第一金属磁性颗粒20的粒径的约0.5倍的深度。
绝缘膜21的厚度可与线圈组件1000的电容以及下面将描述的第一绝缘层610的厚度相关，因此将在描述第一绝缘层610时详细描述。
第一金属磁性颗粒20的粒径可大于第二金属磁性颗粒30的粒径，使得绝缘膜21可形成在第一金属磁性颗粒20的表面上。也就是说，第一金属磁性颗粒20和第二金属磁性颗粒30均可设置在距离主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105的预定深度h1内。然而，当进行酸处理时，由于第二金属磁性颗粒30的相对小的粒径，第二金属磁性颗粒30可溶解在酸处理溶液中。第二金属磁性颗粒30可溶解在酸处理溶液中，以在距离主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105的预定深度h1内的区域中形成空隙V。结果，具有与第二金属磁性颗粒30的体积对应的体积的空隙V可保留在设置在距离主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105的预定深度h1内的树脂10中。如上所述，第二金属磁性颗粒30的粒径可指根据粒径分布D50或D90的粒径，因此第二金属磁性颗粒30的体积也可指体积分布。因此，与第二金属磁性颗粒30的体积对应的空隙V的体积可指空隙V的体积分布与第二金属磁性颗粒30的体积分布基本相同。
当金属磁性颗粒20和30的通过主体100的表面暴露的表面的至少一部分或者设置在距离主体100的表面预定深度h1内的金属磁性颗粒20和30与溶液反应时，可形成绝缘膜21。因此，绝缘膜21可不连续地形成在主体100的表面上。
如图6所示，对于设置在距离主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105的预定深度h1内的一个金属磁性颗粒20或30，绝缘膜21可形成在金属磁性颗粒20或30的整个表面上，或者可仅形成在金属磁性颗粒20或30的表面的一个区域中。
绝缘膜21也可形成在金属磁性颗粒20和30的暴露于第一凹部R1和第二凹部R2的底表面和内壁的一部分的表面上。具体地，绝缘膜21可不形成在金属磁性颗粒20和30的暴露于下面将描述的第一凹部R1和第二凹部R2的底表面和内壁的设置有外电极400和500的区域的表面上。这是在用于使线圈条个体化的全切割工艺之前使用镀覆在第一凹部R1和第二凹部R2的底表面和内壁上形成外电极的连接部411和511的结果。也就是说，由于外电极的第一金属层410和510在全切割工艺之前形成，因此绝缘膜21可不形成在金属磁性颗粒20和30的暴露于第一凹部R1和第二凹部R2的一部分的表面上。
绝缘膜21可不形成在金属磁性颗粒20和30的暴露于主体100的第六表面106的表面上。
主体100可包括芯110，芯110穿过下面将描述的支撑基板200和线圈300中的每个的中央部分。芯110可通过用磁性复合片填充穿过线圈300和支撑基板200中的每个的中央部分的通孔来形成，但是本公开不限于此。
第一凹部R1和第二凹部R2可分别形成在主体100的第一表面101和第二表面102处。具体地，第一凹部R1可位于主体100的第一表面101与第六表面106之间的边缘处，主体100的第二凹部R2可位于第二表面102与第六表面106之间的边缘处。第一凹部R1和第二凹部R2可具有使得下面将描述的线圈300的引出部331和332暴露于第一凹部R1和第二凹部R2的内表面的深度(第一凹部R1和第二凹部R2中的每个在Z方向上的长度)。然而，第一凹部R1和第二凹部R2可不延伸到主体100的第五表面105。也就是说，第一凹部R1和第二凹部R2可不在Z方向上贯穿主体100。换言之，第一凹部R1和第二凹部R2可需要将引出部331和332分别暴露于第一凹部R1和第二凹部R2的内表面，以分别用于下面将要描述的引出部331和332与外电极400和500之间的连接。因此，第一凹部R1和第二凹部R2中的每个的深度的值可大于或等于从主体100的第六表面106到引出部331和332中的每个的距离的值。
第一凹部R1和第二凹部R2可分别在Y方向(第二方向)上延伸到主体100的第三表面103和第四表面104。也就是说，第一凹部R1和第二凹部R2可以是在Y方向(第二方向)上形成的狭缝的形式。第一凹部R1和第二凹部R2可通过沿着用于使每个线圈组件个体化的边界线中的与每个线圈组件的宽度方向对应的边界线在线圈条的一个表面上执行预切割而在线圈条级(在每个线圈组件被个体化之前的状态)下形成。当执行预切割时，可调整第一凹部R1和第二凹部R2的深度，使得引出部331和332分别暴露。
凹部R1和R2的内表面(内壁和底表面)也可形成主体100的表面。然而，如本文所使用的，为了便于描述，凹部R1和R2的内表面可与主体100的表面区分开。此外，图1至图3示出了第一凹部R1和第二凹部R2具有平行于主体100的第一表面101和第二表面102的内壁以及平行于主体100的第五表面105和第六表面106的底表面。然而，这种构造是为了便于描述，并且本示例实施例不限于此。例如，第一凹部R1的内表面可以是相对于根据本示例实施例的线圈组件1000的X方向(第一方向)-Z方向(第三方向)截面(X-Z截面)连接主体的第一表面101和第六表面106的曲线的形式。然而，在下文中，为了便于描述，将描述凹部R1和R2具有内壁和底表面。
支撑基板200可设置在主体100内。支撑基板200可被构造为支撑下面将描述的线圈300。
支撑基板200可利用包括诸如环氧树脂的热固性绝缘树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性绝缘树脂或感光绝缘树脂的绝缘材料形成，或者支撑基板200可利用通过将诸如玻璃纤维或无机填料的增强材料浸渍在绝缘树脂中而获得的绝缘材料形成。例如，支撑基板200可利用诸如半固化片、味之素堆积膜(ABF，Ajinomoto build-up film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、感光电介质(PID)等的绝缘材料形成，或者支撑基板200可使用金属层压板(诸如覆铜层压板(CCL))形成，但是本公开不限于此。
无机填料包括从由二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO4)、滑石、黏土、云母粉末、氢氧化铝(Al(OH)3)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸钙(CaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO3)、钛酸钡(BaTiO3)和锆酸钙(CaZrO3)组成的组中选择的至少一种。
当支撑基板200包括包含增强材料的绝缘材料时，支撑基板200可提供更优异的刚性。当支撑基板200包括不包含玻璃纤维的绝缘材料时，根据一些实施例，减小线圈组件1000的厚度可能是有利的。当支撑基板200包括包含感光绝缘树脂的绝缘材料时，可减少形成线圈300的工艺数量。因此，可有利于降低生产成本，并且可形成精细的过孔321和322。
线圈300可设置在主体100内的支撑基板200上，以表现出线圈组件1000的特性。例如，当根据本公开的一些实施例的线圈组件1000用作功率电感器时，线圈300可用于通过将电场存储为磁场并保持输出电压来稳定电子装置的电力。
线圈300可包括线圈图案311和312、过孔321、322和323、引出部331和332以及辅助引出部341和342。具体地，相对于图1至图4的方向，第一线圈图案311、第一引出部331和第二引出部332可设置在支撑基板200的面向主体100的第六表面106的下表面上，并且第二线圈图案312、第一辅助引出部341和第二辅助引出部342可设置在支撑基板200的上表面(支撑基板200的上表面是支撑基板200的与下表面相对的表面)上。第一线圈图案311可设置在支撑基板200的下表面上以与第一引出部331间隔开并与第二引出部332接触。第二线圈图案312可设置在支撑基板200的上表面上以与第一辅助引出部341接触并且与第二辅助引出部342间隔开。第一过孔321可穿过支撑基板200以连接到第一线圈图案311和第二线圈图案312中的每个的内端。第二过孔322可穿过支撑基板200以连接到第一引出部331和第一辅助引出部341中的每个。第三过孔323可穿过支撑基板200以连接到第二引出部332和第二辅助引出部342中的每个。结果，线圈300可用作单个线圈。
第一线圈图案311和第二线圈图案312中的每个可具有使用芯110作为轴形成至少一匝的平面螺旋形状。例如，第一线圈图案311可使用芯110作为轴在支撑基板200的下表面上形成至少一匝。
第一引出部331和第二引出部332的至少一部分可分别延伸到第一凹部R1和第二凹部R2的内表面并分别与第一凹部R1和第二凹部R2的内表面接触。具体地，第一引出部331的至少一部分可延伸到第一凹部R1的内表面，并且第二引出部的至少一部分可延伸到第二凹部R2的内表面。下面将描述的外电极400和500的连接部411和511可设置在第一凹部R1和第二凹部R2中，使得线圈300与外电极400和500可彼此连接。在下文中，为了便于描述，如图1至图3所示，描述了，第一凹部R1和第二凹部R2分别延伸到引出部331和332的至少一部分中，因此引出部331和332分别延伸到第一凹部R1和第二凹部R2的内壁和底表面。然而，这样的构造仅仅是示例性的，并且本公开不限于此。也就是说，可调节第一凹部R1和第二凹部R2的深度，使得引出部331和332分别仅延伸到第一凹部R1和第二凹部R2的底表面。当引出部331和332延伸到第一凹部R1和第二凹部R2的底表面和内壁两者时，可增大引出部331和332与外电极400和500的连接部411和511之间的接触面积，使得线圈300与外电极400和500之间的结合力可增大。
引出部331和332的分别延伸到第一凹部R1和第二凹部R2的内表面的一个表面的表面粗糙度可高于引出部331和332的不延伸到第一凹部R1和第二凹部R2的内表面的其他表面的表面粗糙度。例如，当通过电镀形成引出部331和332然后形成第一凹部R1和第二凹部R2时，引出部331和332的一部分可在狭缝形成工艺中被去除。结果，由于切割尖端的抛光，引出部331和332的延伸到第一凹部R1和第二凹部R2的内表面的一个表面可形成为表面粗糙度高于引出部331和332的其他表面的表面粗糙度。如下面将描述的，外电极400和500可由薄膜形成，因此可能与线圈300具有相对弱的结合力。外电极400和500可连接到引出部331和332的具有相对高的表面粗糙度的一个表面，因此可提高外电极400和500与引出部331和332之间的结合力。
引出部331和332以及辅助引出部341和342分别延伸到主体100的第一表面101和第二表面102。也就是说，第一引出部331可延伸到主体100的第一表面101，并且第二引出部332可延伸到主体100的第二表面102。第一辅助引出部341可延伸到主体100的第一表面101，并且第二辅助引出部342可延伸到主体100的第二表面102。结果，如图1至图3所示，第一引出部331可连续地延伸到第一凹部R1的内壁、第一凹部R1的底表面和主体100的第一表面101，并且第二引出部332可连续地延伸到第二凹部R2的内壁、第二凹部R2的底表面和主体100的第二表面102。
线圈图案311和312、过孔321、322和323、引出部331和332以及辅助引出部341和342中的至少一个可包括至少一个导电层。
例如，当使用镀覆在支撑基板200的一个表面上形成第二线圈图案312、辅助引出部341和342以及过孔321、322和323时，第二线圈图案312、辅助引出部341和342以及过孔321、322和323中的每个可包括种子层和电镀层。这里，电镀层可具有单层结构或多层结构。具有多层结构的电镀层可形成为具有其中一个电镀层形成在另一电镀层上的共形膜结构，并且可形成为具有其中一个电镀层仅层叠在另一电镀层的一个表面上的形状。可使用无电镀或诸如溅射的气相沉积法来形成种子层。第二线圈图案312的种子层、辅助引出部341和342的种子层以及过孔321、322和323的种子层可彼此一体地形成，使得在它们之间可不形成边界，但是本公开不限于此。第二线圈图案312的电镀层、辅助引出部341和342的电镀层以及过孔321、322和323的电镀层可彼此一体地形成，使得在它们之间可不形成边界，但是本公开不限于此。
作为另一示例，设置在支撑基板200的下表面上的第一线圈图案311以及引出部331和332与设置在支撑基板200的上表面上的第二线圈图案312以及辅助引出部341和342彼此单独地形成，然后共同层叠在支撑基板200上以形成线圈300。过孔321、322和323可包括熔点低于高熔点金属层的熔点的低熔点金属层。这里，低熔点金属层可由包括铅(Pb)和/或锡(Sn)的焊料形成。当共同层叠时，低熔点金属层的至少一部分可由于压力和温度而熔化，因此，例如，可在低熔点金属层和第二线圈图案312之间的边界处形成金属间化合物层(IMC层)。
例如，如图3和图4所示，线圈图案311和312、引出部331和332以及辅助引出部341和342可分别形成为从支撑基板200的下表面和上表面突出。作为另一示例，第一线圈图案311以及引出部331和332可形成为从支撑基板200的下表面突出，并且第二线圈图案312以及辅助引出部341和342可埋设在基板200的上表面中，因此第二线圈图案312以及辅助引出部341和342的上表面可暴露于支撑基板200的上表面。在这种情况下，凹入部可形成在第二线圈图案312的上表面上和/或辅助引出部341和342的上表面上，使得支撑基板200的上表面与第二线圈图案312的上表面和/或辅助引出部341和342的上表面可不位于同一平面上。
线圈图案311和312、过孔321、322和323、引出部331和332以及辅助引出部341和342中的每个可包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料，但是本公开不限于此。
外电极400和500可彼此间隔开地设置在主体的第六表面106上，并且可分别延伸到第一凹部R1和第二凹部R2，以分别与第一引出部331和第二引出部332接触。在本公开的一些实施例中，第一外电极400可包括第一金属层410和第二金属层420，并且第二外电极500可包括第一金属层510和第二金属层520。第一金属层410和510可包括连接部411和511以及延伸部412和512，连接部411和511分别设置在凹部R1和R2中并分别与延伸到凹部R1和R2的内表面的引出部331和332接触，延伸部412和512分别设置在主体100的第六表面106上。第二金属层420和520可设置在第一金属层410和510的延伸部412和512上。具体地，第一外电极400的第一金属层410可包括第一连接部411和第一延伸部412，第一连接部411设置在第一凹部R1的底表面和内壁上以连接到线圈300的第一引出部331，第一延伸部412设置在主体100的第六表面106上，并且第一外电极400的第二金属层420可设置在第一金属层410的第一延伸部412上。第二外电极500的第一金属层510可包括第二连接部511和第二延伸部512，第二连接部511设置在第二凹部R2的底表面和内壁上以连接到线圈300的第二引出部332，第二延伸部512设置在主体100的第六表面106上，并且第二外电极500的第二金属层520可设置在第一金属层510的第二延伸部512上。外电极400和500的延伸部412和512可彼此间隔开地设置在主体100的第六表面106上，并且外电极400和500的第二金属层420和520可彼此间隔开地设置在主体100的第六表面106上。
第一金属层410和510可沿着凹部R1和R2的底表面和内壁以及主体100的第六表面106形成。也就是说，第一金属层410和510可以是与凹部R1和R2的内表面以及主体100的第六表面106共形的膜的形式。
第一金属层410和510可在用于个体化线圈条的全切割工艺之前使用镀覆形成在凹部R1和R2的底表面和内壁上以及主体100的第六表面106上。也就是说，第一金属层410和510可在通过全切割工艺暴露细/粗金属磁性颗粒之前使用镀覆形成，从而控制镀覆扩散。
第一金属层410的连接部411和延伸部412以及第一金属层510的连接部511和延伸部512可使用相同的工艺一起形成，使得第一金属层410的形成在第一凹部R1的内表面上的连接部411以及形成在主体100的第六表面106上的延伸部412可一体形成并且第一金属层510的形成在第二凹部R2的内表面上的连接部511以及形成在主体100的第六表面106上的延伸部512可一体形成。也就是说，在连接部411和511与延伸部412和512之间可不形成边界。
外电极400和500的连接部411和511可分别设置在第一凹部R1和第二凹部R2的中央部分上，以分别与主体100的第三表面103和第四表面104间隔开。也就是说，连接部411和511可分别设置在第一凹部R1和第二凹部R2的内表面的Y方向(第二方向)上的中央部分上。引出部331和332可分别延伸到第一凹部R1和第二凹部R2的内表面的Y方向(第二方向)上的中央部分，使得连接部411和511可仅形成在第一凹部R1和第二凹部R2的内表面的引出部331和332延伸到的区域中。
外电极400和500的延伸部412和512可分别设置在主体100的第六表面106上，并分别与主体100的第三表面103和第四表面104间隔开。在这种情况下，可防止根据本公开的一些实施例的线圈组件1000当安装在安装板等上时与在Y方向(第二方向)上相邻的其他组件短路。
从主体100的第三表面103和第四表面104到延伸部412和512的距离中的至少一个可短于从主体100的第三表面103和第四表面104到连接部411和511的距离中的至少一个。例如，连接部411和511中的每个在Y方向(第二方向)上的长度d1可短于延伸部412和512中的每个在Y方向(第二方向)上的长度d2。当根据本公开的一些实施例的线圈组件1000安装在安装板等上时，主体100的第六表面106可用作安装表面，并且分别设置在外电极400和500的延伸部412和512上的第二金属层420和520可经由安装板的结合构件(诸如连接焊盘、焊料等)与安装板连接。在这种情况下，延伸部412和512中的每个在Y方向(第二方向)上的长度d2可长于连接部411和511中的每个在Y方向(第二方向)上的长度d1，使得与结合构件(诸如连接焊盘、焊料等)接触的第二金属层420和520中的每个在Y方向(第二方向)上的长度可增加。另外，连接部411和511中的每个在Y方向(第二方向)上的长度d1可短于延伸部412和512中的每个在Y方向(第二方向)上的长度d2，从而防止当安装在安装板等上时与在X方向(第一方向)上相邻的其他组件短路。也就是说，在外电极400和500的要素中，在安装期间设置成在X方向(第一方向)上与其他组件最相邻的连接部411和511中的每个可形成为具有小尺寸(在Y方向(第二方向)上的长度)，从而降低与其他组件短路的可能性。
第二金属层420和520可设置在延伸部412和512上。具体地，第一外电极400的第二金属层420可设置在第一延伸部412上，并且第二外电极500的第二金属层520可设置在第二延伸部512上。第二金属层520可在全切割工艺之后形成，并且可在形成下面将描述的绝缘膜21和第一绝缘层610之后使用镀覆形成。第二金属层420和520可具有单层结构或多层结构。例如，第二金属层420和520可使用镀覆在延伸部412和512(延伸部412和512分别包括铜(Cu))上形成。第二金属层420和520中的每个可包括包含镍(Ni)的镍(Ni)镀层和包含锡(Sn)的锡(Sn)镀层，但是本公开不限于此。
外电极400和500可使用诸如溅射等的气相沉积法和/或镀覆法形成，但是本公开不限于此。
外电极400和500可包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、铬(Cr)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料，但是本公开不限于此。
线圈绝缘膜可设置在线圈300和主体100之间以及支撑基板200和主体100之间。线圈绝缘膜可沿着引出部331和332、线圈图案311和312、支撑基板200以及辅助引出部341和342的表面形成，但是本公开不限于此。线圈绝缘膜可用于使线圈300和主体100彼此绝缘，并且可包括诸如聚对二甲苯的已知绝缘材料，但是本公开不限于此。作为另一示例，线圈绝缘层可包括除聚对二甲苯之外的诸如环氧树脂的绝缘材料。线圈绝缘膜可使用气相沉积法形成，但是本公开不限于此。作为另一示例，线圈绝缘膜可通过在支撑基板200的其上形成有线圈300的两个表面上层叠用于形成线圈绝缘膜的绝缘膜并使其固化来形成，并且可通过在支撑基板200的其上形成有线圈300的两个表面上涂覆用于形成线圈绝缘膜的绝缘膏并使其固化来形成。然而，本公开不限于此，在本公开的一些实施例中可省略线圈绝缘膜。也就是说，当主体100在根据本示例实施例的线圈组件1000的设计工作电流和电压下具有足够的电阻时，在本示例实施例中可省略线圈绝缘膜。
第一绝缘层610可设置在主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105上，并且可设置在第一外电极400和第二外电极500的外表面的至少一部分上。第一绝缘层610可设置在第一外电极400和第二外电极500的连接部411和511上，并且第一绝缘层610可使第一外电极400和第二外电极500的延伸部412和512的至少一部分暴露。
第一绝缘层610可直接设置在外电极400和500的连接部411和511上，但是，第一绝缘层610也可设置在下面将要描述的填充部F(填充部F填充第一凹部R1和第二凹部R2中的每个凹部的至少一部分)上，因此，第一绝缘层610可不直接设置在连接部411和511上。然而，在本公开的一些实施例中可省略填充部F，因此，为了方便起见，第一绝缘层610可表述为设置在连接部411和511上。
另外，第一绝缘层610可直接设置在第一凹部R1和第二凹部R2的内表面上，但是，第一绝缘层610也可设置在下面将要描述的填充部F(填充部F填充第一凹部R1和第二凹部R2中的每个凹部的至少一部分)上，因此，第一绝缘层610可不直接设置在第一凹部R1和第二凹部R2的内表面上。然而，在本公开的一些实施例中可省略填充部F，因此，为了方便起见，第一绝缘层610可表述为设置在第一凹部R1和第二凹部R2上。
第一绝缘层610可设置在主体100的第六表面106上。在这种情况下，第一绝缘层610可使第一外电极400和第二外电极500的延伸部412和512的至少一部分暴露。
在镀覆外电极400和500的第二金属层420和520时，第一绝缘层610可与下面将要描述的第二绝缘层620一起用作阻镀剂。因此，在形成外电极400和500的第一金属层410和510之后，第一绝缘层610可形成在主体100上以覆盖连接部411和511并使延伸部412和512暴露，因此可与第二绝缘层620一起限定其中要形成第二金属层420和520的区域。然而，本公开不限于此。
第一绝缘层610可包括热塑性树脂(诸如聚苯乙烯类树脂、乙酸乙烯酯类树脂、聚酯类树脂、聚乙烯类树脂、聚丙烯类树脂、聚酰胺类树脂、橡胶类树脂、丙烯酸类树脂等)、热固性树脂(诸如苯酚类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸酯类树脂、三聚氰胺类树脂、醇酸类树脂等)、感光树脂、聚对二甲苯、SiOx(0<x<2)或SiNx(0<x<2)。
第一绝缘层610可具有粘合功能。例如，当第一绝缘层610通过在绝缘膜上执行层叠工艺来形成时，绝缘膜可包括粘合剂成分以粘附到主体100。在这种情况下，可在第一绝缘层610的一个表面上形成粘合层。然而，与使用B阶段绝缘膜形成第一绝缘层610的情况一样，可不在第一绝缘层610的一个表面上形成粘合层。
第一绝缘层610可通过涂覆液体绝缘树脂、涂覆绝缘膏、层叠绝缘膜或进行气相沉积来形成。可选地，第一绝缘层610可通过以下方式来形成：将用于形成第一绝缘层的材料设置在硅裸片等上，然后在硅裸片上冲压主体100。可使用包括感光绝缘树脂的干膜(DF)、ABF或不包括感光绝缘树脂的聚酰亚胺膜作为绝缘膜。
第一绝缘层610的厚度可以是5μm或更大。当第一绝缘层610的厚度小于5μm时，可能难以保护外部并确保质量(可视性)。也就是说，用于以均匀厚度涂覆线圈组件的表面的第一绝缘层610的厚度可以为约5μm。然而，第一绝缘层610的厚度不必限于此，并且根据本示例实施例的线圈组件1000的第一绝缘层610可具有小于5μm的厚度。
第一绝缘层610和绝缘膜21的厚度之和可以为10μm或更小。当第一绝缘层610和绝缘膜21的厚度之和大于10μm时，线圈组件的总长度、总宽度和总厚度可能增加，这可能不利于厚度减小，并且与具有相同体积的线圈组件相比，磁性材料的有效体积可能减小，导致线圈组件的特性差。也就是说，第一绝缘层610和绝缘膜21的厚度之和可不需要大于10μm(这是仅利用根据现有技术的绝缘层涂覆控制镀覆扩散所需的厚度)，从而确保足够的电容。
绝缘膜21的厚度可小于5μm。也就是说，第一绝缘层610的用于保护外部并确保质量的优选厚度可以是5μm或更大。由于线圈组件的特性，第一绝缘层610和绝缘膜21的厚度之和可能需要为10μm或更小，使得绝缘膜21的厚度可小于5μm。
作为测量绝缘膜21和第一绝缘层610的厚度的方法，可使用微显微镜、光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)等对主体100的切割面进行测量。
具体地，绝缘膜21也可形成在设置在距离主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103、第四表面104和第五表面105的预定深度内的金属磁性颗粒20和30上。在这种情况下，从主体100的外表面到预定深度的距离可被定义为绝缘膜21的厚度。绝缘膜21的厚度可通过以下方式来获得：获取样品的主体100的在X-Z方向上的切割面，并测量从主体的外表面到其上形成有绝缘膜21的金属磁性颗粒20和30的距离。
第一绝缘层610的厚度可通过以下方式来获得：测量不包括第一绝缘层610的主体100的厚度并且测量其上形成有第一绝缘层610的主体100的厚度，然后将厚度彼此比较。
在这种情况下，绝缘膜21和第一绝缘层610的厚度可指一次测量的值，或者可指多次测量的值的算术平均值。
随后，表1示出了根据绝缘膜21的厚度是否满足外部特性和产品厚度特性。
[表1]
根据表1，当没有绝缘膜21(例如，编号1)时，由于外电极镀覆扩散而在外部出现缺陷。当绝缘膜21的厚度为5μm或更大(例如，编号6)时，绝缘膜21和第一绝缘层610的厚度之和可能大于10μm，使得不满足考虑到线圈组件特性的产品厚度。
第二绝缘层620可设置在主体100的第六表面106上，并且可使延伸部412和512暴露，例如，可不设置在延伸部412和512上。第二绝缘层620可设置在延伸部412和512中的每个在Y方向(第二方向)上的两端的外侧，使得延伸部412和512可设置成分别与主体100的第三表面103和第四表面104间隔开。第二绝缘层620可防止根据本示例实施例的线圈组件1000与在Y方向(第二方向)上相邻安装的其他组件短路。另外，当根据本示例实施例的线圈组件1000安装在安装板等上时，第二绝缘层620可防止安装在安装板上的线圈组件1000占据的有效安装面积由于诸如焊料等的结合构件占据的尺寸而增大。
例如，第二绝缘层620可在形成外电极400和500之前形成在主体100的第六表面106上。因此，当在主体100的第六表面106上以及第一凹部R1和第二凹部R2的内表面上选择性地形成外电极400和500的第一金属层410和510时，第二绝缘层620可用作掩模。例如，当使用镀覆法形成外电极400和500的第一金属层410和510时，第二绝缘层620可用作阻镀剂。
第二绝缘层620可在线圈条级(在每个线圈组件被个体化之前的状态)下统一形成在每个线圈组件上。也就是说，形成第二绝缘层620的工艺可在上述预切割工艺和个体化工艺(全切割工艺)之间执行。
第二绝缘层620可利用热塑性树脂(诸如聚苯乙烯类树脂、乙酸乙烯酯类树脂、聚酯类树脂、聚乙烯类树脂、聚丙烯类树脂、聚酰胺类树脂、橡胶类树脂、丙烯酸类树脂等)、热固性树脂(诸如苯酚类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸酯类树脂、三聚氰胺类树脂、醇酸类树脂等)、感光树脂、聚对二甲苯、SiOx(0<x<2)或SiNx(0<x<2)形成，但是本公开不限于此。第二绝缘层620还可包括绝缘填料(诸如无机填料)，但是本公开不限于此。第二绝缘层620可通过将绝缘膜层叠在主体100的第六表面106上、涂覆绝缘膏并使其固化或者气相沉积绝缘材料来形成，但是本公开不限于此。
因此，在根据本示例实施例的线圈组件1000中，可在其中形成凹部R1和R2的主体100中仅形成相对简单的绝缘结构，从而与相同尺寸的线圈组件相比增加磁性材料的有效体积。结果，可改善线圈组件的诸如电感等的特性。
根据本示例实施例的线圈组件1000还可包括填充部F。填充部F可填充凹部R1和R2的至少一部分并覆盖外电极的连接部411和511。也就是说，外电极的连接部411和511可设置在填充部F与凹部R1和R2的内表面之间，并且填充部F可与外电极的连接部411和511接触。即，填充部F可与外电极400和500的至少一部分接触。
另外，在这种情况下，第一绝缘层610可覆盖填充部F，例如，第一绝缘层610可设置在填充部F的外表面的至少一部分上，并且第一绝缘层610可不与外电极的连接部411和511直接接触。
填充部F的表面可设置在与主体100的第一表面101和第二表面102中的每个基本相同的平面上。例如，外电极的第一金属层410和510可在线圈条级下形成，相邻主体之间的空间可利用用于形成填充部的材料填充，然后可执行全切割，使得填充部F的表面可设置在与主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103和第四表面104中的每个基本相同的平面上。
填充部F可包括绝缘树脂。绝缘树脂可包括单独或组合的环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等，但是本公开不限于此。
填充部F还可包括分散在绝缘树脂中的磁性粉末颗粒。磁性粉末颗粒可以是铁氧体粉末颗粒或金属磁性颗粒。
例如，铁氧体粉末颗粒可包括从由尖晶石型铁氧体粉末颗粒(诸如Mg-Zn基铁氧体粉末颗粒、Mn-Zn基铁氧体粉末颗粒、Mn-Mg基铁氧体粉末颗粒、Cu-Zn基铁氧体粉末颗粒、Mg-Mn-Sr基铁氧体粉末颗粒、Ni-Zn基铁氧体粉末颗粒等)、六方晶系铁氧体粉末颗粒(诸如Ba-Zn基铁氧体粉末颗粒、Ba-Mg基铁氧体粉末颗粒、Ba-Ni基铁氧体粉末颗粒、Ba-Co基铁氧体粉末颗粒、Ba-Ni-Co基铁氧体粉末颗粒等)、石榴石型铁氧体粉末颗粒(诸如Y基铁氧体粉末颗粒等)以及Li基铁氧体粉末颗粒组成的组中选择的至少一种。
金属磁性颗粒可包括从由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种。例如，金属磁性颗粒可以是纯铁粉末颗粒、Fe-Si基合金粉末颗粒、Fe-Si-Al基合金粉末颗粒、Fe-Ni基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Mo基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末颗粒、Fe-Co基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Co基合金粉末颗粒、Fe-Cr基合金粉末颗粒、Fe-Cr-Si基合金粉末颗粒、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末颗粒、Fe-Ni-Cr基合金粉末颗粒和Fe-Cr-Al基合金粉末颗粒中的至少一种。
金属磁性颗粒可以是非晶的或结晶的。例如，金属磁性颗粒可包括Fe-Si-B-Cr基非晶合金粉末颗粒，但是本公开不必限于此。
铁氧体粉末颗粒和金属磁性颗粒中的每者可具有约0.1μm至约30μm的平均直径，但是本公开不限于此。
虽然上面已经示出和描述了示例实施例，但是对于本领域技术人员将易于理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可进行修改和变化。

Claims (16)

1.一种线圈组件，包括：
主体，具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面，所述主体具有分别形成在所述第一表面和所述第二表面处的第一凹部和第二凹部；
线圈，嵌在所述主体中，所述线圈包括第一引出部和第二引出部，所述第一引出部具有延伸到所述第一凹部的至少一部分，所述第二引出部具有延伸到所述第二凹部的至少一部分；
第一外电极和第二外电极，彼此间隔开地设置在所述主体的所述第六表面上，所述第一外电极延伸到所述第一凹部并连接到所述第一引出部，所述第二外电极延伸到所述第二凹部并连接到所述第二引出部；以及
第一绝缘层，设置在所述主体的所述第一表面至所述第五表面上，所述第一绝缘层设置在所述第一外电极和所述第二外电极的外表面的至少一部分上，
其中，所述主体包括金属磁性颗粒和树脂，
所述金属磁性颗粒的表面的至少一部分上设置有绝缘膜，并且
所述金属磁性颗粒的所述表面的所述至少一部分暴露于所述主体的所述第一表面至所述第五表面中的至少一个表面。
2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述绝缘膜的厚度小于5μm。
3.根据权利要求2所述的线圈组件，其中，所述绝缘膜和所述第一绝缘层的厚度之和为10μm或更小。
4.根据权利要求3所述的线圈组件，其中，所述第一绝缘层的厚度为5μm或更大。
5.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述绝缘膜包括氧化物绝缘膜。
6.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述绝缘膜包括磷酸盐基玻璃。
7.根据权利要求6所述的线圈组件，其中，所述磷酸盐基玻璃包括从由磷酸铁盐、磷酸锌盐和磷酸锰盐组成的组中选择的一种或更多种。
8.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，
所述第一外电极和所述第二外电极中的每个外电极包括连接部和延伸部，所述连接部分别设置在所述第一凹部和所述第二凹部中并分别与所述第一引出部和所述第二引出部接触，所述延伸部分别设置在所述主体的所述第六表面上，并且
所述第一绝缘层设置在所述连接部上。
9.根据权利要求8所述的线圈组件，其中，所述第一绝缘层使所述延伸部的至少一部分暴露。
10.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述金属磁性颗粒的所述表面的设置有所述绝缘膜的所述至少一部分暴露于所述主体的所述第一表面和所述第二表面，并且还暴露于所述第一凹部和所述第二凹部的内表面的一部分。
11.根据权利要求10所述的线圈组件，其中，所述金属磁性颗粒的所述表面的设置有所述绝缘膜的所述至少一部分还暴露于所述主体的所述第三表面至所述第五表面。
12.根据权利要求8所述的线圈组件，所述线圈组件还包括：
第二绝缘层，设置在所述主体的所述第六表面上并且不设置在所述延伸部上。
13.根据权利要求1所述的线圈组件，所述线圈组件还包括：
填充部，填充所述第一凹部和所述第二凹部中的每个凹部的至少一部分，其中，所述填充部与所述外电极的至少一部分接触。
14.根据权利要求13所述的线圈组件，其中，所述第一绝缘层设置在所述填充部的外表面的至少一部分上。
15.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，在所述主体的距离所述第一表面至所述第五表面预定深度内的金属磁性颗粒的表面的至少一部分上设置有所述绝缘膜。
16.根据权利要求15所述的线圈组件，其中，所述预定深度为所述金属磁性颗粒的粒径的0.5倍。
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