CN118297785A - 检定工具的配方的优化 - Google Patents

Abstract

提供了用于自动地确定沿第一方向和/或沿与所述第一方向正交的第二方向覆盖试样的多个裸片的多个区以供检定系统获取的方法和系统。选择所述区沿所述第一方向的尺寸以使得能够优化由所述检定系统获取的片的总重叠水平以覆盖所述多个区。区沿所述第二方向的尺寸使得所述检定系统用于处理每个区的图像所使用的总并行计算能力能够最大化。

Description

检定工具的配方的优化

技术领域

本公开内容的主题总体上涉及试样的检定的领域。更具体地，涉及使试样的检定自动化。

背景技术

目前对与所制造的器件的超大规模集成相关联的高密度和高性能的需求需要亚微米特征、提高的晶体管和电路速度、和改善的可靠性。这样的需求需要形成具有高精度和高均匀性的器件特征，这继而需要仔细地监视制造工艺，包括在器件仍为半导体晶片形式时对器件进行自动检定。

在半导体制造期间的各个步骤中使用检定工艺来测量试样的尺寸(计量)，和/或检测并且分类试样上的缺陷(例如，自动缺陷分类(ADC)、自动缺陷检查(ADR)等)。

发明内容

根据本公开内容的主题的某些方面，提供了一种包含处理器和存储器电路系统(PMC)的系统，PMC被配置为获得检定系统的照射斑的尺寸W_斑，使得检定系统能够沿扫描方向获取包含多个裸片的半导体试样的片；获得提供半导体试样的多个裸片中的每个裸片的至少一个尺寸D_{裸片_X}的信息的数据，其中沿与扫描方向正交的方向限定所述数据；使用W_斑来沿所述方向确定要在半导体试样中获取的多个区中的每个区的尺寸D_{区_X}，其中尺寸D_{区_X}大于尺寸D_{裸片_X}，其中尺寸D_{区_X}经选择以使得能够生成优化配方，在优化配方中，检定系统对多个区的获取与由检定系统获取的片之间的总重叠水平相关联，所述总重叠水平满足优化标准；并且使用尺寸D_{区_X}以使得能够生成用于检定系统的所述优化配方，由此使得能够由检定系统获取试样的多个区。

根据一些实施方式，每个区覆盖试样的多个裸片和将所述多个裸片中的裸片分离的区域。

根据一些实施方式，尺寸D_{区_X}经选择以使得多个区中的每个区能够覆盖试样的数目N的裸片，其中N是等于或大于二的整数。

根据一些实施方式，试样包含多个延伸裸片，每个延伸裸片包含裸片和将所述裸片与一个或多个其他裸片分离的一个或多个区域，其中尺寸D_{区_X}经选择以使得多个区中的每个区能够覆盖N个延伸裸片，其中N是等于或大于二的整数。

根据一些实施方式，优化标准使得优化配方的片的总重叠水平对检定系统的处理量的影响能够在阈值以下。

根据一些实施方式，对于其中由检定系统获取多个区域的未优化配方，其中多个区域中的每个区域具有沿与扫描方向正交的方向的尺寸D_{裸片_X}，获得由检定系统获取的片的第一总重叠水平，对于其中由检定系统获取多个区的优化配方，其中每个区具有沿与扫描方向正交的方向的尺寸D_{区_X}，获得由检定系统获取的片的第二总重叠水平，并且其中第二总重叠水平小于第一总重叠水平。

根据一些实施方式，所述系统被配置为选择尺寸D_{区_X}，所述尺寸D_{区_X}既使由每个区沿与扫描方向正交的所述方向覆盖的裸片的数目N最小化，同时又使得片的总重叠水平能够满足优化标准。

根据一些实施方式，所述系统被配置为使用数据库，所述数据库针对检定系统的照射斑的尺寸的多个不同的值中的每个值存储指示要在试样中获取的多个区中的每个区的最小尺寸的阈值，所述阈值使得由用于获取所述多个区的检定工具获取的片之间的总重叠水平能够满足优化标准。

根据一些实施方式，针对照射斑的给定尺寸W_{斑_1}和试样的每个裸片的给定尺寸D_{裸片_X_1}，所述系统被配置为执行在给定尺寸D_{裸片_X_1}和在数据库中与给定尺寸W_{斑_1}相关联的阈值D_{区_X_阈值_1}之间的比较，并且执行(i)或(ii)：(i)使用所述比较来确定是否需要确定各自所具有的尺寸大于D_{裸片_X_1}的多个区来生成优化配方，或者(ii)在需要确定各自所具有的尺寸大于D_{裸片_X_1}的多个区来生成优化配方时，使用D_{区_X_阈值_1}来确定多个区中的每个区的尺寸D_{区_X}。

根据一些实施方式，PMC被配置为获得提供存在于试样的裸片中的元件的一个或多个几何性质的信息的输入数据D_{几何_裸片}，并且使用所述数据D_{几何_裸片}来生成提供存在于覆盖至少两个裸片的每个区中的元件的一个或多个几何性质的信息的数据D_{几何_区}。

根据一些实施方式，检定系统是操作的以在获取多个区中的给定区之后执行对所述给定区的图像的处理，以确定提供所述给定区的信息的数据，其中PMC是操作的以向检定系统指示将给定区内的裸片分离的区域的位置。

根据一些实施方式，检定系统是操作的以针对试样的覆盖至少第一裸片和第二裸片的至少一个给定区，确定提供在给定区的参考中的给定区的信息的数据D_{缺陷_区}，其中PMC是操作的以将数据D_{缺陷_区}转换成提供在第一裸片的参考中表示的第一裸片的信息的第一数据D_{缺陷_裸片_1}和提供在第二裸片的参考中表示的第二裸片的信息的第二数据D_{缺陷_裸片_2}。

根据一些实施方式，检定系统是操作的以使用由检定系统选择的总并行计算能力来处理裸片的图像，其中所述系统被配置为获得提供多个裸片中的每个裸片沿所述扫描方向的至少一个尺寸D_{裸片_Y}的信息的数据；使用D_{裸片_Y}和尺寸W_斑来确定要在半导体试样中获取的多个区中的每个区的尺寸D_{区_Y}，其中沿所述扫描方向来确定尺寸D_{区_Y}，并且尺寸D_{区_Y}大于尺寸D_{裸片_Y}，其中尺寸D_{区_Y}经选择以使得能够生成优化配方，对于优化配方，由检定系统获取的多个区中的每个区与检定系统用于处理所述区的图像所使用的总并行计算能力相关联，所述总并行计算能力等于或大于阈值；并且使用尺寸D_{区_Y}以使得能够生成用于检定系统的所述优化配方，由此使得能够由检定系统获取试样的多个区，并且用等于或大于阈值的总并行计算能力来处理多个区中的每个区。

根据本公开内容的主题的某些方面，提供了一种计算机实施的方法，所述方法包含获得检定系统的照射斑的尺寸W_斑，使得检定系统能够沿扫描方向获取包含多个裸片的半导体试样的片；获得提供半导体试样的多个裸片中的每个裸片的至少一个尺寸D_{裸片_X}的信息的数据，其中沿与扫描方向正交的方向限定所述尺寸；使用W_斑来沿所述方向确定要在半导体试样中获取的多个区中的每个区的尺寸D_{区_X}，其中尺寸D_{区_X}大于尺寸D_{裸片_X}，其中尺寸D_{区_X}经选择以使得能够生成优化配方，在优化配方中，检定系统对多个区的获取与由检定系统获取的片之间的总重叠水平相关联，所述总重叠水平满足优化标准；并且使用尺寸D_{区_X}以使得能够生成用于检定系统的所述优化配方，由此使得能够由检定系统获取试样的多个区。

根据一些实施方式，所述方法可以包含如上文关于系统所述的特征中的一者或多者。

根据本公开内容的主题的某些方面，提供了一种方法，所述方法包含由处理器和存储器电路系统(PMC)获得检定系统的照射斑的尺寸W_斑，检定系统是操作的以获取包含多个裸片的半导体试样的图像，其中检定系统是操作的以使用由检定系统选择的总并行计算能力来处理裸片的图像；获得提供多个裸片中的每个裸片沿给定方向的至少一个尺寸D_{裸片_Y}的信息的数据；使用D_{裸片_Y}和尺寸W_斑来确定要在半导体试样中获取的多个区中的每个区的尺寸D_{区_Y}，其中沿所述给定方向来确定尺寸D_{区_Y}，并且尺寸D_{区_Y}大于尺寸D_{裸片_Y}，其中尺寸D_{区_Y}经选择以使得能够生成优化配方，对于优化配方，由检定系统获取的多个区中的每个区与检定系统用于处理所述区的图像所使用的总并行计算能力相关联，所述总并行计算能力等于或大于阈值；并且使用尺寸D_{区_Y}以使得能够生成用于检定系统的所述优化配方，由此使得检定系统能够获取试样的多个区，并且用等于或大于阈值的总并行计算能力来处理多个区中的每个区。

根据一些实施方式，针对给定裸片，检定系统是操作的以使用总并行计算能力来处理给定裸片的图像，取决于给定裸片的尺寸和照射斑的尺寸来选择所述总并行计算能力，其中所述方法包含选择每个区的尺寸D_{区_Y}来覆盖试样的数目N的裸片，这使得检定系统能够用等于或大于阈值的总并行计算能力来处理每个区。

根据一些实施方式，针对给定裸片，检定系统是操作的以使用总并行计算能力来处理覆盖给定裸片的图像的多个像素块，取决于所述裸片的尺寸、检定系统的照射斑的尺寸和每个像素块的尺寸来选择总并行计算能力，其中所述方法包含针对等于或大于所需阈值的像素块的给定尺寸，选择每个区的尺寸D_{区_Y}来覆盖试样的数目N的裸片，这使得检定系统能够针对多个区中的每个给定区，用等于或大于阈值的总并行计算能力来处理覆盖给定区的多个像素块，其中每个像素块具有所述给定尺寸。

根据一些实施方式，当检定系统的并行操作来处理所述区的图像的处理器的数目对应于检定系统所允许的用于处理裸片的图像的处理器的最大数目时，用于处理所述区的图像的总并行计算能力满足阈值。

根据一些实施方式，每个区覆盖第一裸片和第二裸片，其中检定系统的并行操作来处理所述区的图像的处理器的数目大于检定系统会并行使用的用于处理第一裸片的图像的处理器的数目，由此提高检定系统的处理量。

根据一些实施方式，所述方法包含获得提供半导体试样的多个裸片中的每个裸片的至少一个尺寸D_{裸片_X}的信息的数据，其中沿与给定方向正交的方向限定所述尺寸；使用W_斑来沿所述方向确定要在半导体试样中获取的多个区中的每个区的尺寸D_{区_X}，其中尺寸D_{区_X}大于尺寸D_{裸片_X}，其中尺寸D_{区_X}经选择以使得能够生成优化配方，在优化配方中，检定系统对多个区的获取与由检定系统获取的片之间的总重叠水平相关联，所述总重叠水平满足优化标准；并且使用尺寸D_{区_X}以使得能够生成用于检定系统的所述优化配方，由此使得能够由检定系统获取试样的多个区。

根据一些实施方式，所述方法包含使用数据库，所述数据库针对检定系统的照射斑的尺寸的多个不同的值中的每个值存储阈值，所述阈值指示要在试样中获取的多个区中的每个区沿所述给定方向的最小尺寸，所述阈值使得检定系统能够用等于或大于阈值的总并行计算能力来处理每个区的图像。

根据一些实施方式，所述方法包含获得提供存在于试样的裸片中的元件的一个或多个几何性质的信息的输入数据D_{几何_裸片}，并且使用所述数据D_{几何_裸片}来生成提供存在于覆盖至少两个裸片的每个区中的元件的一个或多个几何性质的信息的数据D_{几何_区}。

根据一些实施方式，每个区覆盖试样的多个裸片和将所述多个裸片中的裸片分离的区域。

根据一些实施方式，每个区覆盖试样的多个裸片和将所述多个裸片中的裸片分离的区域，并且所述方法包含向检定系统指示将裸片分离的区域的位置。

根据本公开内容的主题的某些方面，提供了一种包含处理器和存储器电路系统(PMC)的系统，处理器和存储器电路系统(PMC)被配置为获得检定系统的照射斑的尺寸W_斑，检定系统是操作的以获取包含多个裸片的半导体试样的图像，其中检定系统是操作的以使用由检定系统选择的总并行计算能力来处理裸片的图像；获得提供多个裸片中的每个裸片沿给定方向的至少一个尺寸D_{裸片_Y}的信息的数据；使用D_{裸片_Y}和尺寸W_斑来确定要在半导体试样中获取的多个区中的每个区的尺寸D_{区_Y}，其中沿所述给定方向来确定尺寸D_{区_Y}，并且尺寸D_{区_Y}大于尺寸D_{裸片_Y}，其中尺寸D_{区_Y}经选择以使得能够生成优化配方，对于优化配方，由检定系统获取的多个区中的每个区与检定系统用于处理所述区的图像所使用的总并行计算能力相关联，所述总并行计算能力等于或大于阈值；并且使用尺寸D_{区_Y}以使得能够生成用于检定系统的所述优化配方，由此使得能够由检定系统获取试样的多个区，并且用等于或大于阈值的总并行计算能力来处理多个区中的每个区。

根据一些实施方式，所述系统可以实施如上文关于方法所述的特征中的一者或多者。

根据本公开内容的主题的某些方面，提供了一种包含指令的非暂时性计算机可读介质，这些指令在由处理器和存储器电路系统(PMC)执行时，引起PMC执行包含以下步骤的操作：获得检定系统的照射斑的尺寸W_斑，使得检定系统能够沿扫描方向获取包含多个裸片的半导体试样的片；获得提供半导体试样的多个裸片中的每个裸片的至少一个尺寸D_{裸片_X}的信息的数据，其中沿与扫描方向正交的方向限定所述尺寸；使用W_斑来沿所述方向确定要在半导体试样中获取的多个区中的每个区的尺寸D_{区_X}，其中尺寸D_{区_X}大于尺寸D_{裸片_X}，其中尺寸D_{区_X}经选择以使得能够生成优化配方，在优化配方中，检定系统对多个区的获取与由检定系统获取的片之间的总重叠水平相关联，所述总重叠水平满足优化标准；并且使用尺寸D_{区_X}以使得能够生成用于检定系统的所述优化配方，由此使得能够由检定系统获取试样的多个区。

根据本公开内容的主题的某些方面，提供了一种包含指令的非暂时性计算机可读介质，这些指令在由处理器和存储器电路系统(PMC)执行时，引起PMC执行包含以下步骤的操作：获得检定系统的照射斑的尺寸W_斑，检定系统是操作的以获取包含多个裸片的半导体试样的图像，其中检定系统是操作的以使用由检定系统选择的总并行计算能力来处理裸片的图像；获得提供多个裸片中的每个裸片沿给定方向的至少一个尺寸D_{裸片_Y}的信息的数据；使用D_{裸片_Y}和尺寸W_斑来确定要在半导体试样中获取的多个区中的每个区的尺寸D_{区_Y}，其中沿所述给定方向来确定尺寸D_{区_Y}，并且尺寸D_{区_Y}大于尺寸D_{裸片_Y}，其中尺寸D_{区_Y}经选择以使得能够生成优化配方，对于优化配方，由检定系统获取的多个区中的每个区与检定系统用于处理所述区的图像所使用的总并行计算能力相关联，所述总并行计算能力等于或大于阈值；并且使用尺寸D_{区_Y}以使得能够生成用于检定系统的所述优化配方，由此使得能够由检定系统获取试样的多个区，并且用等于或大于阈值的总并行计算能力来处理多个区中的每个区。

根据本公开内容的主题的某些方面，提供了一种包含处理器和存储器电路系统(PMC)的系统，PMC被配置为获得提供半导体试样的多个区中的每个区的尺寸的信息的数据D_区，其中每个区包含试样的多个裸片；获得提供存在于多个裸片中的裸片中的元件的一个或多个几何性质的信息的数据D_{几何_裸片}；使用所述数据D_{几何_裸片}来生成提供存在于多个区中的每个区中的元件的一个或多个几何性质的信息的数据D_{几何_区}；并且使用D_{几何_区}和D_区来生成使得检定系统能够获取多个区中的每个区的配方。

根据一些实施方式，所述系统被配置为使用所述数据D_{几何_裸片}来生成提供存在于多个区中的每个区中的元件的一个或多个几何性质的信息的数据D_{几何_区}，而不需要用户针对由所述区覆盖的多个裸片中的每个裸片提供D_{几何_裸片}。

根据一些实施方式，所述系统被配置为基于针对给定区的单个裸片提供的数据D_{几何_裸片}，使用所述数据D_{几何_裸片}来生成提供存在于多个区中的给定区的元件的一个或多个几何性质的信息的数据D_{几何_区}。

根据一些实施方式，每个区覆盖试样的多个裸片和将所述多个裸片中的裸片分离的区域。

根据一些实施方式，检定系统是操作的以在获取多个区中的给定区之后执行对所述给定区的图像的处理，以确定提供所述给定区的信息的数据，其中PMC是操作的以向检定系统指示在给定区中将裸片分离的区域的位置。

根据一些实施方式，检定系统被配置为确定给定区的不对应于将裸片分离的区域的部分中的缺陷或计量数据。

根据一些实施方式，所述区沿第一方向和与第一方向正交的第二方向覆盖多个裸片。

根据一些实施方式，检定系统是操作的以针对试样的覆盖至少第一裸片和第二裸片的至少一个给定区，确定提供在给定区的参考中的给定区的信息的数据D_{缺陷_区}，其中PMC是操作的以将数据D_{缺陷_区}转换成第一数据D_{缺陷_裸片_1}和第二数据D_{缺陷_裸片_2}，第一数据D_{缺陷_裸片_1}提供在第一裸片的参考中表示的存在于第一裸片中的一个或多个缺陷的信息，第二数据D_{缺陷_裸片_2}提供在第二裸片的参考中表示的第二裸片中的一个或多个缺陷的信息。

根据本公开内容的主题的某些方面，提供了一种计算机实施的方法，所述方法包含获得提供半导体试样的多个区中的每个区的尺寸的信息的数据D_区，其中每个区包含试样的多个裸片；获得提供存在于多个裸片中的裸片中的元件的一个或多个几何性质的信息的数据D_{几何_裸片}；使用所述数据D_{几何_裸片}来生成提供存在于多个区中的每个区中的元件的一个或多个几何性质的信息的数据D_{几何_区}；并且使用D_{几何_区}和D_区来生成使得检定系统能够获取多个区中的每个区的配方。

根据本公开内容的主题的某些方面，提供了一种包含指令的非暂时性计算机可读介质，这些指令在由处理器和存储器电路系统(PMC)执行时，引起PMC执行如上文关于方法所述的操作。

根据一些实施方式，所提出的解决方案生成优化配方，所述优化配方提高了检定系统的处理量。根据一些实施方式，所提出的解决方案提高了检定系统的处理量和效率，同时对用户是透明的。根据一些实施方式，所提出的解决方案提供了向用户提供关于配方的推荐的用户界面。根据一些实施方式，所提出的解决方案使得能够用用户的最低限度地输入来自动地优化检定工具的配方。根据一些实施方式，所提出的解决方案使得能够将用户针对单个裸片提供的数据自动地复制到试样的较大的区，由此减少来自用户的所需要的输入。

附图说明

为了理解本公开内容并且了解如何在实践中执行本公开内容，现在将参照附图仅通过非限制性示例来描述实施方式，在附图中：

图1A图示根据本公开内容的主题的某些实施方式的检定系统的概括框图。

图1B图示可以由图1A的检定系统执行的处理的示例。

图2A图示确定覆盖多个裸片的区的方法的概括流程图，所述方法用于使得能够生成优化配方，所述优化配方使得由检定系统获取的片(slice)的总重叠水平能够满足优化标准。

图2B图示由检定系统获取的片的示例。

图2C图示多个裸片(die)的示例。

图2D图示将一列裸片划分成多个片的示例。

图2E图示由检定系统获取的片之间的重叠的示例。

图2F图示由检定系统获取的片之间的总重叠的示例。

图2G图示覆盖多个裸片的区的示例。

图2H图示使用图2A的方法确定的区的片重叠的总水平的降低。

图3A图示可以用于确定图2A或图3C的方法中的区的尺寸的数据库的示例。

图3B图示将区的尺寸与检定系统的处理量的影响连系(link)起来的函数的示例。

图3C图示确定覆盖多个裸片的区的方法的概括流程图，所述方法用于使得能够生成优化配方。

图3D图示由区域(刻划线)分离的多个裸片的示例。

图4A图示将关于单个裸片表示的几何性质转换成关于覆盖多个裸片的区表示的几何性质的方法的概括流程图。

图4B和图4C图示图4A的方法的示例。

图4D图示将关于单个裸片表示的几何性质转换成关于覆盖多个裸片的区表示的几何性质的方法的概括流程图，其中可以已经使用裸片的自动和/或手动融合来生成所述区。

图5图示使得检定系统能够在处理覆盖多个裸片的区时忽略某些区域(例如，在裸片之间的分离区域)的概括流程图。

图6A提供了图6B的方法的示例。

图6B图示将由检定系统在覆盖多个裸片的区的参考中提供的数据转换在所述区的每个裸片的参考中的方法的概括流程图。

图7A图示确定覆盖多个裸片的区的另一方法的概括流程图，所述方法用于使得能够生成优化配方。

图7B图示由检定系统获取图像的示例。

图7C图示使用图7A的方法获得的覆盖多个裸片的区的示例。

图7D图示可以用于确定图7A或图8的方法中的区的尺寸的数据库的示例。图8图示确定覆盖多个裸片的区的方法的概括流程图，所述方法用于使得能够生成优化配方。

图9图示使用图7A的方法获得的区的示例，所述区覆盖多个裸片和在裸片之间分离的区域。

图10图示将覆盖多个裸片的区的图像划分成多个像素块以用于处理所述图像的示例。

图11图示确定覆盖多个裸片的区的另一方法的概括流程图，所述方法结合了两种不同的方法以用于能够生成优化配方。

图12图示使用图11的方法获得的覆盖多个裸片和将这些裸片分离的区域的区的示例。

具体实施方式

在以下详细描述中，阐述许多具体细节以便充分理解本公开内容。然而，本领域技术人员将理解，可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开内容的主题。在其他情况下，没有详细描述熟知的方法、过程、部件和电路，以免模糊本公开内容的主题。

除非另外特别说明，如从以下讨论而清楚的，应当理解，在整个申请文件中，利用诸如“获得”、“使用”、“发送”、“确定”、“生成”、“更新”、“使得能够”、“重复”或类似术语的讨论是指操纵数据和/或将数据变换成其他数据的计算机的一个或多个动作和/或一个或多个工艺，所述数据表示为物理量，诸如电子量，且/或所述数据表示物理对象。术语“计算机”应被广泛地解释为涵盖具有数据处理能力的任何种类的基于硬件的电子装置，以非限制性示例的方式，计算机包括本申请中公开的系统103及其相应的部分。

本文所使用的术语“非暂时性存储器”和“非暂时性存储介质”应被广泛地解释为涵盖适合于本公开内容的主题的任何易失性或非易失性计算机存储器。

在本申请文件中使用的术语“试样”应被广泛地解释为涵盖用于制造半导体集成电路、磁头、平板显示器和其他半导体制成品的任何种类的晶片、掩模和其他结构、上述项目的组合和/或部分。

在本申请文件中使用的术语“检定(examination)”应被广泛地解释为涵盖任何种类的与计量相关的操作，以及与在试样制造期间检测和/或分类试样中的缺陷相关的操作。在制造待检定的试样期间或之后，通过使用非破坏性检定工具来进行检定。通过非限制性示例的方式，检定工艺可以包括运行时扫描(runtime scanning)(以单次扫描或多次扫描)、采样、检查、测量、分类和/或使用相同或不同的检验工具关于试样或试样的部分进行的其他操作。同样地，可以在制造待检定的试样之前进行检定，并且检定可以包括例如生成一个或多个检定配方和/或其他设置操作。注意，除非另外特别说明，否则本申请文件中使用的术语“检定”或其衍生词不限于检验区域的分辨率或尺寸。

在本申请文件中使用的术语“缺陷”应被广泛地解释为涵盖在试样上或试样内形成的任何种类的异常或不期望的特征。

在本申请文件中使用的术语“设计数据”应被广泛地解释为涵盖指示试样的层次化(hierarchical)物理设计(布局)的任何数据。可以由相应的设计者提供设计数据，且/或可以由物理设计(例如，通过复杂的模拟，简单的几何和布尔运算(Boolean operations)等)导出设计数据。可以以不同的格式提供设计数据，例如，作为非限制性示例的GDSII格式、OASIS格式等。可以以矢量格式、灰度强度图像格式或以其他方式呈现设计数据。

应当理解，除非另外特别说明，否则也可以在单个实施方式中组合地提供在单独的实施方式的上下文中描述的本公开内容的主题的某些特征。反之，也可以单独地或以任何合适的子组合提供在单个实施方式的上下文中描述的本公开内容的主题的各种特征。在以下详细描述中，阐述了许多具体细节以便充分理解方法和设备。

基于此，注意图1，图1图示根据本公开内容的主题的某些实施方式的检定系统的功能框图。在图1中图示的检定系统100可以用于检定试样(例如，晶片和/或晶片的部分)，这是试样制造工艺的一部分。图示的检定系统100包含基于计算机的系统103，系统103能够使用在试样制造期间获得的图像来自动地确定与计量相关的信息和/或与缺陷相关的信息。可以操作地将系统103连接到一个或多个低分辨率检定工具101和/或一个或多个高分辨率检定工具102和/或其他检定工具。检定工具被配置为采集图像和/或检查一个或多个所采集的图像和/或能够实现或提供与一个或多个所采集的图像相关的测量。

系统103包括处理器和存储器电路系统(PMC)104，处理器和存储器电路系统(PMC)104可以包括一个或多个处理器和一个或多个存储器。PMC 104被配置为提供操作系统103所需的所有处理，特别是处理由一个或多个检定工具采集的图像所需的所有处理。

系统103被配置为接收输入数据。输入数据可以包括由检定工具产生的数据121、123(和/或数据121、123的衍生物和/或与数据121、123相关联的元数据)和/或在一个或多个数据存储库(repository)109和/或CAD服务器110和/或另一相关数据存储处(depository)中产生和/或存储的数据。注意，输入数据可以包括图像(例如，所采集的图像、由所采集的图像导出的图像、模拟的图像、合成的图像等)和相关联的数字数据(例如，元数据、手工(hand-crafted)属性等)。还要注意，图像数据可以包括与感兴趣的层和/或与试样的一个或多个其他层相关的数据。

作为非限制性示例，可以通过一个或多个低分辨率检定机器101(例如，光学检验系统、低分辨率SEM等)来检定试样。可以直接或经由一个或多个中间系统将所得到的数据(低分辨率图像数据121)(提供试样的低分辨率图像的信息)传输到系统103。替代地或附加地，可以通过高分辨率机器102(例如，扫描电子显微镜(SEM)和/或原子力显微镜(AFM))来检定试样。可以直接或经由一个或多个中间系统将所得到的数据(高分辨率图像数据122)(提供试样的高分辨率图像的信息)传输到系统103。

根据一些实施方式，PMC 104可以将指令发送到低分辨率检定机器101和/或高分辨率检定机器102。

注意，可以一起接收并且处理图像数据和与图像数据相关联的元数据(例如，像素尺寸、缺陷类型的文本描述、图像采集工艺的参数等)。

在处理输入数据(例如低分辨率图像数据和/或高分辨率图像数据，可选地连同例如设计数据、合成的数据等其他数据)时，系统103可以将结果(例如与指令相关的数据123和/或124)发送到一个或多个检定工具中的任一个，将结果(例如缺陷属性、缺陷分类等)存储在存储系统107中，经由GUI 108呈现结果和/或将结果发送到外部系统(例如发送到YMS)。在半导体制造的背景下，良率管理系统(YMS)是数据管理、分析和工具系统，尤其是在制造升级(ramp up)期间，所述工具系统收集来自制造厂(fab)的数据，并且帮助工程师找到提高良率的方式。YMS帮助半导体制造商和制造厂以更少的工程师管理大量的生产分析。这些系统分析良率数据并且生成报告。IMD(集成装置制造商(Integrated DeviceManufacturers))、制造厂、无厂(fabless)半导体公司和OSAT(外包半导体组装和测试(Outsourced Semiconductor Assembly and Test))使用YMS。

图1B中描绘了可以由系统103执行的处理的非限制性示例。

假设试样160包括多个裸片(参见161、162)。一旦检定工具获取了裸片161的图像和裸片162的图像，检定工具就可以被配置为将裸片160的图像与裸片161的图像进行比较，以便检测可能的缺陷的存在(“裸片对裸片比较”)。注意，此处理示例不是限制性的。

本领域技术人员将容易理解，本公开内容的主题的教导不受图1A中所示的系统的约束；可以以另一种方式合并或划分等效和/或修改的功能，并且可以以软件与固件和/或硬件的任何适当的组合来实现等效和/或修改的功能。

如图1A中所示，基于计算机的系统150操作以与检定系统100通信。根据一些实施方式，系统150可以生成配方(优化配方)，可以将所述配方传输到检定系统100，或者系统150可以将指令发送到检定系统100，这使得检定系统能够生成优化配方。检定工具101和/或102在运行期间(runtime)可以使用此优化配方，以便执行对在检定中的试样的获取。

系统150包括处理器和存储器电路系统(PMC)155。系统150还可以包括用户界面156。用户界面156包含可以由PMC 155执行的计算机可读指令，以便在显示装置157(例如，屏幕)上显示使用户能够输入数据(诸如试样的参数、配方的参数等)的界面。如下文所解释的，PMC 155被配置为使用向系统150提供的数据，以便生成或促进生成优化配方。一个或多个检定工具可以使用此优化配方，以便相应地获取试样的图像。

系统150可以用于执行参照图2A、图3C、图4A、图4D、图5、图6B、图7A、图8和图11描述的方法中的一个或多个方法。

尽管在图1A中将系统150描绘为与检定系统100不同的实体，但是在一些实施方式中，系统150可以是检定系统100的部分。特别地，在一些实施方式中，可以使用检定系统100的PMC 104来实施系统150。

注意，可以在分布式的计算环境中实施图1A中图示的模块，其中图1A中所示的上述功能模块可以分布在若干个本地装置和/或远程装置上，并且可以通过通信网络连系。还要注意，在其他实施方式中，检定工具102、系统107和/或GUI 108中的至少一者可以在检定系统100的外部，并且在与系统103的数据通信中操作。

可以作为与检定工具结合使用的一个或多个独立计算机来实施系统103。替代地，系统的相应的功能可以至少部分地与一个或多个检定工具集成。

现在注意图2A和图2B。

图2A的方法包括获得(操作200)检定系统(参见例如，图1A中描绘的工具101或102)的照射斑211(illumination spot)的尺寸W_斑(参见标记205)。尺寸W_斑可以对应于当斑照射试样213时测量的照射斑211的尺寸(尺寸W_斑也被称为视场的尺寸)。可以例如沿水平轴(X轴208)测量此尺寸。然而，这不是限制性的。当检定系统沿扫描方向(例如，竖直的Y轴209——注意这不是限制性的)移动照射斑211时，这使得检定工具能够获取试样213的片(slice)212。此扫描(在从试样213的上部到试样213的底部的方向216上，或反之)的重复使得检定系统能够一个接一个地获取试样213的接连的(邻近的)片。注意，也可以优化片212沿扫描方向(Y轴209)的尺寸，这将在下文中讨论。注意，为了简单起见，X轴和Y轴分别被定义为试样或图像的水平轴和竖直轴，但这不是限制性的，并且这可以通过旋转试样(或图像)来修改(反转(invert))。

根据一些实施方式，W_斑是可以取决于配方来选择的检定系统的参数。根据一些实施方式，操作者使用用户界面156来提供W_斑。换句话说，对于必须生成的配方，用户指示必须使用照射斑的哪个尺寸。注意，在某些情况下，W_斑也被指定为扫描放大率或视场。

W_斑的值的非限制性实例包括：0.5mm、0.7mm、0.9mm、1.1mm等。

通常，半导体试样(晶片)包括多个裸片，所述多个裸片各自包括相同的元件(重复的图案)。图2A的方法进一步包括获得(操作210)提供半导体试样的每个裸片的至少一个尺寸D_{裸片_X}的信息的数据。

D_{裸片_X}(参见标记215)特别地可以是每个裸片沿与扫描方向正交的方向的尺寸。在非限制性示例中，此尺寸对应于X轴208，X轴208与Y轴209(Y轴对应于扫描方向，检定系统沿所述扫描方向获取每个裸片的片)正交。

根据一些实施方式，可以例如由用户提供D_{裸片_X}(可以从试样的制造商和/或从设计数据获得此信息)。通常，试样的所有(或至少一些)裸片沿此方向(例如，X轴208)具有相同的尺寸D_{裸片_X}，并且针对整个试样用户可以仅提供一次此尺寸。

在非优化配方中，当检定系统100接收数据D_{裸片_X}时，检定系统100被配置为确定完全覆盖此尺寸D_{裸片_X}的片的集合。这使得检定系统100能够针对尺寸D_{裸片_X}的属于给定列(或给定行，如果扫描方向是沿X轴的话)的每个裸片，沿X方向获取整个裸片。注意，在图2D的示例中，检定系统获取片216₁至216₇，片216₁至216₇沿X方向完全覆盖裸片的列216。注意，片沿Y轴的尺寸可以与图2D中表示的尺寸不同。

当检定系统移动到获取裸片的下一列217时，检定系统对裸片的此列217重复相同的片图案(参见图2E)。因此，检定系统获取片217₁至217₇。

如图2E和图2F中可见，此未优化配方在片之间生成重叠221。具体地，对于每列裸片，在最末的片(216₇或217₇)和倒数第二的片(216₆或217₆)之间存在重叠。(此重叠在运行期间对检定系统的处理量具有直接的负面影响。

注意，尺寸D_{裸片_X}越小，试样上存在的裸片的列数越多。结果，尺寸D_{裸片_X}越小，由检定系统获取的片的总重叠水平越高。因此，检定系统的处理量受到很大的影响。总重叠水平可以被定义为在两个不同的片之间存在重叠的实例的总数(根据一些实施方式，总重叠水平的定义考虑最末的片和倒数第二的片之间的重叠的百分比)。在图2F的示例中，总重叠水平是四。替代地，总重叠水平可以被定义为在两个不同的片之间存在重叠的总面积。

在图2F的示例中，总重叠水平对应于四个灰色区域221的总面积。

在现代半导体试样中，趋势是尽可能地减小尺寸D_{裸片_X}(以便增加每个试样的裸片的数目)。例如，D_{裸片_X}可以减小到几毫米，或者在一些情况下小于一毫米(这些值不是限制性的)。因此，片重叠对检定系统的处理量具有重要的影响。

为了提高检定系统的处理量，特别是在每个裸片的尺寸D_{裸片_X}小的配置中，图2A的方法提出生成优化配方。

图2A的方法进一步包括(操作220)确定要在半导体试样中获取的多个区中的每个区的尺寸D_{区_X}，其中尺寸D_{区_X}大于尺寸D_{裸片_X}。每个区具有相同的尺寸D_{融合_裸片_X}(参见图2G的非限制性示例中的标记223)，尺寸D_{融合_裸片_X}大于D_{裸片_X}。根据一些实施方式，每个区沿与扫描方向正交的方向(例如，沿与扫描方向Y正交的X方向)覆盖复数的N个裸片(a plurality ofNdies)，其中N是等于或大于二的整数。换句话说，已经执行了多个裸片沿X方向的融合。

尺寸D_{区_X}经选择以使得能够生成用于检定系统的优化配方，其中对多个区的获取与由检定系统获取的片之间的总重叠水平相关联，所述总重叠水平满足优化标准。换句话说，代替指示检定系统连续地获取一个或多个裸片的每一列(每一列具有尺寸D_{裸片_X})，优化配方指示检定系统连续地获取裸片的区，其中每个区覆盖多个裸片并且具有尺寸D_{区_X}。下文将提供用于选择D_{区_X}的具体实施方式。

在图2G的示例中，指示检定系统100(沿X轴)获取多个区(参见作为区的示例的标记223——在此示例中，每个区覆盖两个裸片)，而不是裸片的列(参见标记215)。

在传统系统中，当检定系统100接收每个裸片的尺寸D_{裸片_X}时，检定系统100将每个裸片(或裸片的列)划分成覆盖尺寸D_{裸片_X}的复数的N₁个片(对于每一列重复此划分成N₁个片)。这产生第一总重叠水平(重叠水平可以被定义为存在片重叠的实例的总数，和/或被定义为试样的存在片重叠的总面积)。

在图2A的方法中，检定系统100接收(代替D_{裸片_X})每个区的尺寸D_{区_X}。因此，检定系统将把每个区划分成覆盖尺寸D_{区_X}的复数的N₂个片(对于每个区重复此划分成N₂个片)。这产生第二总重叠水平，第二总重叠水平小于第一重叠水平。因此，在此优化配方中提高了检定系统的处理量。

换句话说，所述方法使检定系统100“相信”尺寸D_{区_X}的每个区对应于真实的裸片，因此，检定系统将把每个区划分成多个片。通过将尺寸D_{区_X}选为要在优化配方中获取的区的尺寸，这些片(在整个试样上，或在试样的必须获取的区域上)的总重叠水平将满足优化标准。结果，降低了片重叠的总水平。

图2H的示意图图示优化配方的片(参见标记260)的第二总重叠水平(在优化配方中融合的区被划分成片，而不是将单独的裸片划分成片)小于未优化配方的片的第一总重叠水平(未优化配方将每个裸片的尺寸划分成片——参见标记258)。注意，灰色区域259对应于图2H中的片重叠的区域。

通常，即使当如上文解释地生成优化配方时，由检定系统获取的片之间仍然存在重叠。然而，相对于未优化配方的片重叠的总水平，优化配方中的片重叠的总水平降低。因此，提高了检定系统的处理量。

根据一些实施方式，优化标准考虑片的总重叠水平对检定系统的处理量的影响。例如，可以定义当优化配方的片的总重叠水平(使用尺寸D_{区_X}的区获得)对检定工具的处理量的影响在阈值(例如10％)以下时，此总重叠水平满足优化标准。换句话说，当检定系统获取尺寸D_{区_X}的区时，检定系统的处理量将具有10％的最大损失(相对于没有片重叠的“理想的”理论场景)。

如上所述，将裸片融合到尺寸D_{区_X}的区中降低了(在整个试样上确定的)片的总重叠水平。另一方面，针对尺寸D_{区_X}使用大的值会对缺陷检测的准确性产生负面的影响。因此，优化标准可以考虑此约束。特别地，在一些实施方式中，所述系统被配置为选择尺寸D_{区_X}，所述尺寸既使由每个区沿与扫描方向正交的方向覆盖的裸片的数目N最小化，同时又使片的总重叠水平能够满足对检定系统的处理量的所需要的影响。这意味着对每个区的尺寸的选择将使片重叠的总水平降低(以便达到对于检定系统的期望的处理量)，同时使由每个区覆盖的裸片的数目最小化。

一旦确定了多个区中的每个区的尺寸D_{区_X}，就可以使用尺寸D_{区_X}来使得能够生成用于检定系统的优化配方(操作230)。在此优化配方中，指示检定系统获取多个区。因此，操作230可以包括将命令发送到检定系统以获取多个区(如上文所解释的确定了每个区的尺寸)。注意，可以由检定系统100本身来执行将每个区划分成多个片，检定系统100已经能够实施用于针对沿X轴的给定尺寸的裸片执行此任务的计算机化功能：在此情况下，检定系统“相信”尺寸D_{区_X}的区是试样的裸片，并且因此将使用相同的功能将所述区划分成片，但是这次，检定系统将区划分成片，而不是将裸片划分成片。通过智能选择每个区的尺寸(如上文所解释的)，由检定系统获取的片的总重叠水平将满足优化标准。

现在注意图3A。

如参照图2A所解释的，多个裸片沿与扫描方向正交的方向(例如，X方向)的融合降低了由检定系统获取的片的总重叠水平，这继而提高了检定系统的处理量。

在一些实施方式中，数据库300可以用于执行图2A的方法。数据库300可以针对检定工具的照射斑的尺寸的多个不同值中的每个值(参见列305)存储指示多个区中的每个区的最小尺寸的阈值D_{区_X_阈值}(参见列310)，这使得能够实现满足优化标准的片的总重叠水平。

在一些实施方式中，优化标准可以定义片的总重叠水平对检定工具的处理量(例如，平均处理量或最大处理量)的影响在阈值(例如，百分之10——此值不是限制性的)以下。在此情况下，数据库300可以针对检定工具的照射斑的尺寸的多个不同值中的每个值(参见列305)存储指示多个区中的每个区的最小尺寸的阈值D_{区_X_阈值}，以便对检定工具的处理量的影响在阈值以下。

注意，可以使用函数(参见图3B)来确定针对照射斑的尺寸的每个值对D_{区_X_阈值}的确定。每个函数描绘了针对照射斑的给定尺寸，区的尺寸(X轴)与对检定系统的处理量的影响(Y轴)之间的关系。在图3B的示例中，针对照射斑的尺寸的三个不同的值描绘了三个函数(305、306、307)。

可以通过将尺寸X₁的每个区划分成多个片，多个片各自具有的尺寸等于照射斑的尺寸，和计算所有片(针对所有区)之间的总重叠水平，而使用常规的几何运算来计算函数的每个点(X₁，Y₁)。通过将总重叠水平与理想的理论情况(其中没有重叠)进行比较，可以将总重叠水平转换成对检定系统的处理量的影响。此比较提供了对检定系统的处理量的影响(处理量对应于扫描整个晶片所需的时间或每小时可以扫描的晶片的数目)。注意，此方案不是限制性的并且仅作为示例提供。

针对片重叠的总水平对处理量的影响的期望的值350，可以使用每个函数来选择能够实现此期望的值的区的对应的最小尺寸(D_{区_X_阈值})。然后可以将此期望的值存储在数据库300中。

图3C图示使用数据库300的方法。

假设(例如，由用户)指示在配方中要使用的照射斑的尺寸为W_{斑_1}(操作330)。

假设试样的每个裸片的尺寸(沿与扫描方向正交的方向)为D_{裸片_X_1}(操作340)。

所述方法包括(操作350)执行在给定尺寸D_{裸片_X_1}和在数据库300中与给定尺寸W_{斑_1}相关联的阈值D_{区_X_阈值_1}之间的比较。

所述方法进一步包括(操作360)使用所述比较来确定是否需要确定各自所具有的尺寸大于D_{裸片_X_1}的多个区来生成优化配方。换句话说，此比较指示在制备优化配方时是否必须融合裸片，或者这是否不必要。

如果D_{裸片_X_1}小于阈值D_{区_X_阈值_1}，则这指示需要确定融合的区，其中每个区所具有的尺寸至少等于D_{区_X_阈值_1}(或大于D_{区_X_阈值_1})。可以使用D_{区_X_阈值_1}来确定每个区的尺寸(操作370)。将每个区的尺寸选择为等于或大于D_{区_X_阈值_1}。特别地，所述区可以包括多个裸片的融合。

如图3D中可见，裸片通常包括中心区域390(中心区域390包括感兴趣的各种特征，诸如触点、栅极等)和将中心区域与其他(相邻/邻近的)裸片分离的区域391(也被称为刻划线或间隔区域)。刻划线(也被称为切缝(kerf)或框架(frame))是硅晶片中用于在晶片处理结束时将单独的裸片分离的区域。此区域还包含有助于制造工艺但不存在于最终产品中的特征。

在传统的系统中，检定系统100通常接收两个尺寸：中心区域390的尺寸392，和具有中心区域390和区域(刻划线)391的裸片的尺寸393(或刻划线本身的尺寸)。带有这些区域的中心区域可以被指定为延伸(extended)裸片(而裸片可以指定中心区域)。注意，在一些实施方式中，每个延伸裸片沿X轴和沿Y轴的尺寸是相同的(这不是限制性的)。

根据一些实施方式，每个区的尺寸可以被选择为延伸裸片的尺寸(沿X方向)的倍数，以便恰好覆盖数目N的延伸裸片(其中N是等于或大于2的整数)。在此情况下，可以选择每个区的尺寸以满足至少两个条件：(1)等于或大于D_{区_X_阈值_1}，(2)恰好覆盖N个裸片(或恰好覆盖N个延伸裸片)——可以通过将区的尺寸选择为单个延伸裸片的尺寸的倍数来满足此第二条件。

根据一些实施方式，选择区的尺寸以确保片的总重叠水平满足优化标准(这通过选择等于或大于D_{区_X_阈值_1}的区的尺寸来确保)，同时尽可能小。特别地，选择区的尺寸以确保片的总重叠水平满足优化标准，同时恰好(沿X轴)覆盖尽可能最小的数目N(整数)的延伸裸片。因此，操作370可以包括针对每个区的尺寸D_{区_X}选择数目N的延伸裸片(其中N是等于或大于二的整数)，使得D_{区_X}是等于或大于从数据库提取的阈值D_{区_X_阈值_1}的最小值。在图3D的非限制性示例中，区394覆盖三个延伸裸片(N等于三)。

在非限制性示例中，假设用户指示配方必须使用尺寸W_{斑_1}等于1.02mm的照射斑，并且每个裸片的尺寸D_{裸片_X_1}(参见标记392)等于1.6mm。数据库300指示针对此尺寸W_{斑_1}，(要在优化配方中使用的)每个区需要具有等于2.53mm的最小尺寸D_{区_X_阈值_1}，以便具有满足优化标准的片重叠的总水平。由于裸片的实际尺寸(1.6mm)小于2.53mm，所述方法输出必须确定融合的区。这可以在用户界面中输出，以便警告用户需要确定融合的区。可以选择每个融合的区的尺寸以恰好覆盖数目N(整数)的延伸裸片，同时尽可能接近2.53mm的阈值。例如，如果每个延伸裸片的尺寸(沿X轴的带有裸片的刻划线的裸片的尺寸)是1.65mm(参见标记393)，则所述方法输出每个区需要覆盖两个延伸裸片(因为N＝2是确保所述区的尺寸既是1.65mm的倍数又大于2.53mm的最小值)。

一旦确定了区的尺寸，就可以将所述尺寸传送到检定系统。检定系统将使用覆盖区的多个邻近的片的图案(对于每个区通常是相同的)来自动地划分每个区(每个片的尺寸取决于检定系统的照射斑的尺寸)。通常，检定系统被配置为：(1)获取覆盖多个区中的一个区的多个片，其中基于所述区的尺寸D_{区_X}并且基于W_{斑_1}来确定多个片，和(2)重复(1)直到获取了多个区中的每个区。上述方法确保由检定系统获取的片的总重叠水平将必须满足优化标准。

如果操作360的比较指示不需要裸片的融合来生成配方(操作380——这对应于其中每个裸片的尺寸大于D_{区_X_阈值_1}的配置)，则可以将每个裸片(没有融合)的实际尺寸传送到检定系统。因此，优化配方依赖于每个裸片的实际尺寸。检定系统将每个裸片自动地划分成要使用检定系统的照射斑来获取的多个片(沿X方向)，其中片重叠的总水平将自动地满足优化标准。

现在注意图4A。

图4A的方法包括获得(操作400)提供存在于裸片中的元件的一个或多个几何性质的信息的输入数据D_{几何_裸片}。

例如可以由用户和/或由系统来提供D_{几何_裸片}。D_{几何_裸片}包括例如存在于裸片中的具体的元件/特征(触点、栅极等的位置/尺寸)、裸片的每个子区域所需的检定系统的灵敏度水平、裸片中感兴趣的子区域的位置、图案噪声布局、用于提高或降低灵敏度的热点或冷点(hot or cold spots)、屏蔽检验或聚焦跟踪的区域(masked areas from inspection orfocus tracking)、用于不同的照射设置的优先级区、裸片上感兴趣的不同的区域之间的条缝等。

图4B中提供了D_{几何_裸片}(参见标记450)的非限制性示例。在一些实施方式中，可以由用户使用能够表示存在于裸片中的元件的专用软件来绘制D_{几何_裸片}。然而，这不是限制性的。

如上所述，生成优化配方可以包括确定各自覆盖多于一个裸片的区。

然而，用户通常将D_{几何_裸片}限定在单个裸片的参考中，而不是区的参考中。

因此，图4A的方法可以包括使用(操作410)数据D_{几何_裸片}来自动地生成数据D_{几何_区}(参见标记451)，数据D_{几何_区}提供存在于覆盖多个裸片的每个区中的元件的一个或多个几何性质的信息。换句话说，执行从裸片的参考到区的参考的转换。

例如，假设优化配方的每个区覆盖N个裸片。操作410可以包括将D_{几何_裸片}(仅针对一个裸片来表示)自动地复制到由所述区覆盖的所有N个裸片中(参见图4B和图4C)，以便获得D_{几何_区}。注意操作410可以包括将在单个裸片的参考中的D_{几何_裸片}中限定的元件的坐标转换到所述区的参考中。

例如，假设在裸片的参考480中限定D_{几何_裸片}。假设对于每个裸片(参见例如第一裸片482₁、第二裸片482₂和第三裸片482₃)，D_{几何_裸片}存储在裸片的参考480中表示的给定元件481₁的坐标X₁，Y₁。这些坐标X₁，Y₁对于每个裸片的参考480中的此给定元件是相同的。

假设优化配方的每个区覆盖三个裸片(如图4C的下部中所描绘的)。

必须执行D_{几何_裸片}到D_{几何_区}的转换。

首先，如果D_{几何_裸片}存储一次给定元件481，则由于每个区覆盖复数的N个裸片(在此非限制性示例中，N等于三)，D_{几何_区}必须存储N次此给定元件。

其次，所述区的参考485与单个裸片的参考480不同。因此，给定元件481的坐标需要被转换到新的参考485中。

在图4C的示例中，第二裸片482₂的给定元件(被称为481₂)在新的参考485中的坐标现在与所述给定元件的原始的坐标X₁，Y₁不同。相同的结论适用于第三裸片482₃的给定元件(被称为481₃)。

可以通过使用裸片的已知尺寸483、裸片的刻划线的已知尺寸484和所述区的已知尺寸D_{区_X}(参见标记485)来执行所述变换。

注意，每个元件可以与D_{几何_裸片}中的多个坐标的集合(所述集合限定例如元件的形状的不同的末端(extremity))相关联，可以将所述集合从单个裸片的参考转换到覆盖多个裸片的区的参考中。

注意，将元件的几何性质从裸片的参考自动地转换到覆盖多个裸片的区的参考的方法可以用于各种应用中。

在以上示例中，此方法用于图2A的上下文中，其中执行多个裸片的自动融合，这因此需要将几何性质从单个裸片的参考转换到区的参考。然而，这不是限制性的，并且即使由用户手动地执行此融合(用户可以基于启发式或其他考虑来决定融合N个裸片，以便生成用于检定系统的配方)，此方法可以在多个裸片的融合的上下文中以广泛的方式使用。

这在图4D中图示，包括操作490：获得提供半导体试样的多个区中的每个区的尺寸的信息的数据D_区，其中每个区包含试样的多个裸片。注意，所述区可以沿X轴(与扫描方向正交)和/或Y轴(沿扫描方向)覆盖多个裸片。D_区可以包括所述区的尺寸(沿X轴和/或Y轴)。如上所述，可以已经手动地和/或自动地(在此实施方式中)执行多个裸片的融合。所述方法进一步包括获得(操作490——类似于操作400)提供存在于多个裸片中的一个裸片中的元件的一个或多个几何性质的信息的数据D_{几何_裸片}，并且使用(操作491——类似于操作410)所述数据D_{几何_裸片}来(自动地)生成提供存在于多个区中的每个区中的元件的一个或多个几何性质的信息的数据D_{几何_区}。如上所述，操作491可以包括将一个或多个元件的坐标从裸片的参考(自动地)转换到覆盖多个裸片的区的参考。所述方法可以进一步包括(操作492)使用D_{几何_区}和D_区来生成使得检定系统能够获取多个区中的每个区的配方。

根据一些实施方式，根据此配方的图像获取使用D_{几何_区}。实际上，D_{几何_区}可以包括参数，所述参数限定所述获取，所述参数诸如是用于获取所述区的每个元件的灵敏度水平等。

根据一些实施方式，根据此配方的图像获取使用D_区。

根据一些实施方式，图像的处理(例如，区对区比较)可以使用D_{几何_区}和/或D_区。

现在注意图5。

一旦检定系统获取了给定区，检定系统就是操作的来处理给定区的图像以确定提供给定区的信息的数据(操作500)。例如，检定系统可以通过将此给定区的图像与试样的另一区的图像进行比较来检测给定区中的缺陷。

如上所述，在一些实施方式中，每个区覆盖至少两个裸片、和将裸片分离的区域(刻划线)。因此，当检定系统试图检测缺陷(或提取提供所述区的信息的相关数据)时，检定系统不应处理图像的对应于这些区域(刻划线)的部分。

因此，图5的方法包括向检定系统指示(操作510)在所述区内的裸片之间的区域的位置。这使得检定系统能够处理给定区的不对应于所述区域的部分(因此，当执行区对区比较或其他相关的处理时，检定系统忽略刻划线)。

可以使用区的尺寸D_{区_X}、裸片的尺寸D_{裸片_X}和区域(刻划线)的尺寸来确定分离区域(刻划线)在每个区的参考中的位置。

注意，当区沿Y轴覆盖多个裸片时，也可以使用此方法(参见下文提供的方法)。在此情况下，可以使用区的尺寸D_{区_Y}(沿Y轴)、裸片的尺寸D_{裸片_Y}(沿Y轴)和分离区域的尺寸来确定分离区域在每个区的参考中的位置。

现在注意图6A和图6B。

假设给定区600覆盖至少两个裸片(第一裸片605和第二裸片610)并且已经被检定系统获取。

检定系统处理给定区以确定提供给定区的信息的数据D_{缺陷_区}(操作640)。例如，D_{缺陷_区}包括提供存在于给定区中的缺陷的信息的数据。

检定系统在给定区的参考615中确定数据D_{缺陷_区}。例如，将在所述区的参考中，而不是在第一裸片605的参考中或在第二裸片610的参考中表示给定缺陷的位置。这是由于检定系统“相信”所述区对应于试样的裸片。

图6B的方法包括将数据D_{缺陷_区}转换(操作650)成提供在第一裸片605的参考620中表示的第一裸片605的信息的第一数据D_{缺陷_裸片_1}和提供在第二裸片610的参考621中表示的第二裸片610的信息的第二数据D_{缺陷_裸片_2}。

可以通过使用裸片的已知尺寸683、裸片的分离区域的已知尺寸684和所述区的已知尺寸D_{区_X}(参见标记685)来执行此变换。

因此，所述解决方案对于用户是透明的。所述系统自动地确定由(要在优化配方中获取的，参见图2A)每个区覆盖的裸片的数目，并且在图6B的处理之后，返回提供在每个裸片的参考中、而不是在所述区的参考中的所述区的信息的数据(例如缺陷)。

注意，用户界面可以用于使用户能够提供数据(诸如W_斑和D_{裸片_X}、裸片的分离区域的尺寸、存在于裸片中的元件的几何性质等)。用户界面还可以用于向用户输出(例如，显示)感兴趣的数据，诸如被选择以生成优化配方的尺寸D_{区_X}、提供每个裸片的信息的数据等。

注意，当区沿Y轴覆盖多个裸片时，也可以使用此方法(参见下文提供的方法)。在此情况下，在所述区的参考到每个裸片的参考中之间的变换可以使用裸片的已知尺寸(沿Y轴)、裸片的分离区域的已知尺寸和所述区的已知尺寸D_{区_Y}。

现在注意图7A。

检定系统(参见图1A)是操作的以获取包含多个裸片的半导体试样的图像。

假设针对每个裸片，检定系统是操作的以使用由检定系统选择的总并行计算能力来处理裸片的图像。通常由检定系统在预定的范围内选择总并行计算能力。如下文所述，检定系统可以基于下文提到的不同的参数来选择用于处理由检定系统接收的给定图像的总并行计算能力。

预定的范围可以是检定系统的参数(例如，内置(built-in)参数)，所述参数特别地可以包括检定系统所允许的用于处理给定图像的最大总并行计算能力。

在一些实施方式中，由检定系统使用的总并行计算能力对应于检定系统的处理器(在一些示例中也被称为数字信号处理器或DSP)的数目，检定系统可以并行使用这些处理器来处理裸片的给定图像。

因此，最大总并行计算能力可以指示检定系统对于处理裸片的给定图像而允许并行使用多达最大数目的DSP。检定系统所允许的最大数目的DSP的非限制性示例是60个DSP或80个DSP。这些值不是限制性的。

在一些实施方式中，检定系统还可以与最小的总并行计算能力相关联，在最小的总并行计算能力下，检定系统不能(或以过低的准确度)处理裸片的图像。例如，检定系统不能用低于某个值的处理器数目来处理图像。

图7A的方法提出生成优化配方，所述优化配方迫使检定系统获取区的图像，所述区各自具有尺寸，对此，检定系统将使用等于或大于阈值的总并行计算能力来处理每个区。例如，阈值可以对应于检定系统所允许的DSP的最大数目。因此，优化配方提高了检定系统的处理量。

图7A的方法包括获得(操作700)检定系统的照射斑711的尺寸W_斑(参见标记705)。根据一些实施方式，沿扫描方向(参见标记712)测量W_斑，扫描方向可以对应于例如Y方向(这不是限制性的)。Y方向可以对应于竖直方向(列方向)——然而这不是限制性的。

所述方法进一步包括获得(操作710)提供试样的多个裸片中的每个裸片的至少一个尺寸D_{裸片_Y}的信息的数据。

D_{裸片_Y}(参见标记716)特别地可以是每个裸片沿扫描方向的尺寸。在非限制性示例中，此尺寸对应于与X轴708正交的Y轴709。通常，试样的所有(或至少一些)裸片沿此方向(例如，Y轴709)具有相同的尺寸D_{裸片_Y}。

根据一些实施方式，例如可以由用户提供D_{裸片_Y}(可以从试样的制造商和/或从设计数据获得此信息)。

图7A的方法包括(操作720)使用D_{裸片_Y}和尺寸W_斑来确定要在半导体试样中获取的多个区中的每个区的尺寸D_{区_Y}(沿Y方向)，其中尺寸D_{区_Y}大于尺寸D_{裸片_Y}。在一些实施方式中，D_{区_Y}使得每个区能够覆盖N个裸片，其中N是等于或大于二的整数。

尺寸D_{融合_裸片_Y}经选择以使得能够生成优化配方，所述优化配方指示检定系统获取多个区中的每个区。鉴于此优化配方中每个区的特定尺寸，每个区与检定系统用于处理所述区的图像所使用的总并行计算能力相关联，总并行计算能力等于或大于阈值(可以例如由用户限定所述阈值，或者所述阈值可以是预定的约束)。

例如，假设针对尺寸D_{裸片_Y}，并且针对照射斑的给定尺寸，检定系统被配置为使用30个DSP，以便处理具有此尺寸D_{裸片_Y}的裸片的图像。假设检定系统所允许的用于处理裸片的图像的最大数目的DSP是80个DSP。操作720使得能够确定尺寸大于单个裸片的尺寸716的区(参见图7C中的725)，这继而迫使检定系统并行使用更大数目的DSP(特别是最大数目的DSP)来处理所述区的图像。因此，在处理量方面具有明显的增益。在未优化配方中，检定系统将获取第一裸片726并且并行使用30个DSP来处理此第一裸片，然后检定系统将获取第二裸片727并且并行使用30个DSP来处理此第二裸片。在优化配方中，检定系统获取覆盖第一裸片726和第二裸片727的区725，并且并行使用70个DSP来处理所述区。因此，处理区725所需的时间比处理第一裸片726然后处理第二裸片727所需的时间短(因为更多的DSP并行操作)。

在一些实施方式中，尺寸D_{融合_裸片_Y}经选择以使得能够生成优化配方，对于优化配方，每个区的图像处理与检定系统所允许的用于处理给定裸片的图像的最大总并行计算能力DSP_最大相关联。

换句话说，所述方法使检定系统100“相信”尺寸D_{区_Y}的每个区对应于尺寸大于单个裸片的实际尺寸的真实的裸片，针对真实的裸片，检定系统将使用最大总并行计算能力来处理此区(因为检定系统相信此区对应于更大的裸片)。

图7A的方法进一步包括(操作730)使用尺寸D_{区_Y}以使得能够生成用于检定系统的优化配方，由此使得能够由检定系统获取试样的多个区，并且使用等于或大于阈值的总并行计算能力来处理每个区。

特别地，操作730可以包括指示检定系统获取多个区(并且处理多个区中的每个区——在一些实施方式中，检定系统自动地执行此处理，而不需要明确的命令)。鉴于每个区的尺寸，检定系统将自动地选择等于或大于阈值的高的总并行计算能力(参见以下与等式1相关的解释，这些解释指示总并行计算能力取决于已经获取的区的尺寸)。因此，提高了检定系统的处理量。

根据一些实施方式，检定系统是操作的以使用总并行计算能力来处理裸片的图像，取决于裸片的尺寸和检定系统的照射斑的尺寸来选择总并行计算能力。在一些实施方式中，此选择依赖于以下关系(注意，此关系不是限制性的)：

W_斑＝C*像素_大小

等式1

在等式1中，N_DSP是由检定系统使用的总并行计算能力(DSP的数目)。D_{裸片_Y}是以mm为单位表示的每个裸片的尺寸。可以沿扫描方向测量所述尺寸。在非限制性示例中，此尺寸对应于与X轴708正交的Y轴709。K可以是常数(预定的参数)，没有单位。在下文中提供此数目的示例(参见等式2)。W_斑是检定系统的照射斑的尺寸(以mm为单位表示)。像素大小是用此照射斑(照射斑覆盖多个像素)获得的像素的大小(以nm为单位表示)。“C”是能够将像素大小(以nm为单位)转换成照射斑的尺寸W_斑(以mm为单位表示)的常数。此常数取决于检定系统的参数，诸如检定系统的检测器的数目等。此常数对于每个检定系统是已知的。

基于此等式，可以生成数据库，所述数据库针对W_斑的每个值存储提供区的尺寸D_{融合_裸片_Y}的信息的数据，这使得检定系统能够使用满足所需阈值的总并行计算能力。

图7D中提供了此数据库750的非限制性示例。数据库750针对W_斑的每个不同的值751存储所述区的最小尺寸752(沿Y轴——例如扫描方向)，这使得检定系统能够使用满足所需阈值的总并行计算能力来处理所述区的图像(例如，所需阈值可以对应于检定系统所允许的DSP的最大数目，所述数目等于60，并且是非限制性的示例)。注意，图7D的数据库750的值不是限制性的。

图8图示可以使用数据库750的方法。

假设(例如，由用户)指示要在配方中要使用的照射斑的尺寸为W_{斑_1}(操作830)。

假设试样的每个裸片的尺寸(沿与扫描方向平行的方向——例如，对应于列的Y方向)为D_{裸片_Y_1}(操作840)。

所述方法包括(操作850)执行在给定尺寸D_{裸片_Y_1}和在数据库750中与给定尺寸W_{斑_1}(参见数据库750中的列751)相关联的阈值D_{区_Y_阈值_1}(参见数据库750中的列752)之间的比较。

所述方法进一步包括(操作860)使用所述比较来确定是否需要确定各自所具有的尺寸大于D_{裸片_Y_1}的多个区来生成优化配方。换句话说，此比较指示在制备优化配方时是否必须融合裸片(沿Y轴)，或者这是否不必要。

如果D_{裸片_Y_1}小于阈值D_{区_Y_阈值_1}，则这指示需要确定融合的区，其中每个区所具有的尺寸(沿Y轴)至少等于D_{区_Y_阈值_1}。可以使用D_{区_Y_阈值_1}来确定每个区的尺寸(操作870)。每个区的尺寸被选择为等于或大于D_{区_Y_阈值_1}。特别地，所述区可以包括多个裸片沿Y轴的融合。

如上文已经提及的，延伸裸片可以对应于给定裸片(参见图9中的990)，所述给定裸片带有将给定裸片与其他邻近的裸片分离的一个或多个分离区域(991)。

根据一些实施方式，每个区的尺寸可以被选择为延伸裸片的尺寸(沿Y方向)的倍数，以便恰好覆盖数目N的延伸裸片(其中N是等于或大于二的整数)。在此情况下，可以选择每个区的尺寸以满足至少两个条件：(1)等于或大于D_{区_Y_阈值_1}，(2)恰好覆盖N个裸片(或恰好覆盖N个延伸裸片)——可以通过将区的尺寸(沿Y轴)选择为延伸裸片的尺寸的倍数来满足此第二条件。

根据一些实施方式，选择每个区的尺寸以确保检定系统用于处理所述区的图像所使用的总并行计算能力将满足所需阈值(这通过选择等于或大于D_{区_Y_阈值_1}的区沿Y轴的尺寸来确保)，同时尽可能小。特别地，选择每个区的尺寸以确保检定系统用于处理所述区的图像所使用的总并行计算能力将满足所需阈值，同时恰好(沿Y轴)覆盖尽可能最小的数目N(整数)的延伸裸片。因此，操作870可以包括针对每个区的尺寸D_{区_Y}选择数目N的延伸裸片(其中N是等于或大于二的整数)，使得D_{区_Y}是等于或高于从数据库提取的阈值D_{区_Y_阈值_1}的最小值。在图9的非限制性示例中，区925覆盖两个延伸裸片(N等于二)。

此标准的一个原因是检定系统通常执行裸片对裸片比较，以便确定提供试样的信息的数据(例如，缺陷)。当如上述方法中所提出的那样使用融合的区时，检定系统将执行区对区比较。因此，如果使用尺寸太大的区，为了检测缺陷或提取其他感兴趣的数据，所述比较将较不相关(less relevant)。

在非限制性示例中，假设检定系统用于并行处理给定裸片的图像可以使用的最大数目的DSP是60个DSP，所述配方必须使用尺寸W_{斑_1}等于0.765mm的照射斑，并且每个裸片的尺寸D_{裸片_Y_1}等于1.6mm。由于照射斑的尺寸等于0.765mm，则区沿Y轴的最小尺寸等于2.7mm(如图7D的表中所示)，所述最小尺寸使得检定系统在处理此区的图像时能够使用最大数目的DSP。由于裸片的实际尺寸(1.6mm)小于2.7mm，方法输出必须确定融合的区。这可以在用户界面中输出，以便警告用户需要确定融合的区。可以选择每个融合的区的尺寸以恰好覆盖数目N(整数)的延伸裸片(延伸裸片覆盖裸片及裸片的沿Y轴的刻划线)，同时尽可能接近2.7mm的阈值。例如，如果每个延伸裸片沿Y轴的尺寸是1.65nm，则方法输出每个区需要覆盖2个延伸裸片(因为N＝2是确保该区的尺寸既是1.7mm的倍数又大于2.7mm的阈值的最小值)。

一旦确定了区的尺寸，就可以将所述尺寸传送到检定系统。检定系统将获取具有此尺寸的每个区，并且将自动地选择等于或大于所需阈值的总并行计算能力来处理每个区的图像。

如果操作860的比较指示不需要裸片的融合来生成配方(操作880——这对应于其中每个裸片的尺寸大于D_{区_Y_阈值_1}的配置)，则可以将每个裸片(没有融合)的实际尺寸传送到检定系统。因此，优化配方依赖于每个裸片的实际尺寸。检定系统将自动地使用等于或高于阈值的总并行计算能力来处理每个裸片的图像。

根据一些实施方式，针对每个裸片，检定系统是操作的以使用总并行计算能力来处理覆盖裸片的图像的多个像素块1017，取决于裸片的尺寸、检定系统的照射斑的尺寸和每个像素块的尺寸来选择总并行计算能力。这可以由以下等式表示(此等式不是限制性的)：

等式2

在此等式中，D_块对应于每个像素块(块是像素的区域)的尺寸(参见标记1018)。可以以每块的行的数目来测量该尺寸：行的数目越多，像素块的尺寸越大；行的数目越少，像素块的尺寸越小。

D_块可以是检定系统的参数。D_块的值越高，检定系统处理图像的灵敏度越高。D_块的值越小，检定系统处理图像的灵敏度越低。注意，D_块可以属于在D_块__最小值(低于此值，则灵敏度太低而不能执行对图像的处理)和D_块__最大值(检定系统所接受的每个像素块的最大尺寸)之间的预定的范围。

所述方法可以包括选择在阈值以上的像素块的给定尺寸。此阈值确保在处理图像时检定系统的灵敏度水平是足够的。例如，所述阈值等于每块500行(每行具有预定的高度)。可以将此值传送到检定系统，检定系统将自动地将每个区的图像划分成此给定尺寸的像素块。

所述方法可以包括针对像素块的此给定尺寸，选择每个给定区1025的尺寸D_{区_Y}以覆盖试样的数目N的裸片，这使得检定系统能够用大于阈值的总并行计算能力来处理覆盖给定区的多个像素块，其中多个像素块中的每个像素块具有给定尺寸。

这可以包括使用等式2来生成数据库，所述数据库针对照射斑的每个尺寸提供区的最小尺寸，所述最小尺寸确保检定系统所使用的总并行计算能力等于或大于阈值，并且针对所述最小尺寸，覆盖区的图像的多个像素块中的每个像素块具有给定尺寸。

参照图4A至图4D，描述了一种方法，所述方法获得提供存在于裸片中的元件的一个或多个几何性质的信息的数据D_{几何_裸片}，并且使用数据D_{几何_裸片}来自动地生成提供存在于每个区中的元件的一个或多个几何性质的信息的数据D_{几何_区}。注意，在沿Y轴将裸片融合到区中时(如上所述)，可以类似地使用此方法，并且因此不再描述此方法。

参照图5，描述了一种方法，所述方法确定区中的分离区域的位置，并且向检定系统指示此位置(检定系统因此可以在处理区时忽略这些区域)。注意，在沿Y轴将裸片融合到区中时(因为每个区可以沿Y轴覆盖N个延伸裸片，因此区包括一个或多个分离区域)，可以类似地使用此方法，并且因此不再描述此方法。

参照图6A和图6B，描述了一种方法，所述方法由检定系统获取覆盖至少第一裸片和第二裸片的试样的给定区，并且处理给定区以确定提供给定区的参考中的给定区的信息的数据D_{缺陷_区}，并且将数据D_{缺陷_区}转换成提供在第一裸片的参考中表示的第一裸片的信息的第一数据D_{缺陷_裸片_1}和提供在第二裸片的参考中表示的第二裸片的信息的第二数据D_{缺陷_裸片_2}。注意，在沿Y轴将裸片融合到区中时(因为每个区可以沿Y轴覆盖N个裸片)，可以类似地使用此方法，并且因此不再描述此方法。

上文描述了可以用于沿第一方向(例如，X方向)融合多个裸片的各种方法和可以用于沿与第一方向不同的第二方向(例如，Y方向)融合多个裸片的各种方法。

根据一些实施方式，可以组合两种方法(沿X轴和Y轴融合裸片)以提供可以沿X方向和/或Y方向融合裸片的完整的解决方案，以便生成优化配方。这在图11中图示。

图11的方法包括获得(操作1100)检定系统的照射斑的尺寸W_斑。

所述方法进一步包括获得(操作1110)试样的每个裸片沿第一方向X(例如，与扫描方向正交的方向)的尺寸D_{裸片_X}。

所述方法进一步包括获得(操作1120)试样的每个裸片沿与第一方向X正交的第二方向Y(例如，沿扫描方向)的尺寸D_{裸片_Y}。在一些情况下，裸片沿第一方向和第二方向具有相同的尺寸，并且因此不需要获得两个尺寸D_{裸片_X}和D_{裸片_Y}。

所述方法进一步包括使用(操作1130)图2A和/或图3C的一个或多个方法以确定区(可能覆盖多个裸片)沿X轴的尺寸D_{区_X}。所述方法确定是否需要融合多个裸片，以便具有满足优化标准的由检定系统获取的片的总重叠水平。

所述方法进一步包括使用(操作1140)图7A和/或图8的一个或多个方法以确定区(可能覆盖多个裸片)沿Y轴的尺寸D_{区_Y}。所述方法确定是否需要融合多个裸片，以便确保检定系统将用等于或大于阈值的总并行计算能力来处理区的图像。

所述方法进一步包括使用尺寸D_{区_X}和/或尺寸D_{区_Y}来生成用于检定系统的优化配方。在此优化配方中，指示检定系统获取多个区中的每个区，其中每个区具有沿X轴的尺寸D_{区_X}和沿Y轴的尺寸D_{区_Y}。

鉴于选择区的这些尺寸，由检定系统获取的片的总重叠水平满足优化标准，并且由检定系统使用的总并行计算能力等于或大于阈值。

图12中图示沿X方向和Y方向二者融合裸片的区1200的非限制性示例，其中所述区沿X轴覆盖两个裸片(两个延伸裸片)并且沿Y轴覆盖两个裸片(两个延伸裸片)。

如上所述(参见图4A)，所述方法可以自动地将由用户在裸片的参考中提供的几何性质转换到区的参考中。此方法可以类似地用于既在X方向上又在Y方向上覆盖多个裸片的区。此转换可以使用裸片和分离区域的已知尺寸D_{区_X}和D_{区_Y}。

类似地，如上所述(参见图5)，所述方法可以向检定系统指示在每个区内的分离区域(刻划线)的位置。实际上，每个区可以覆盖多个延伸裸片，包括在处理阶段中检定系统可以忽略的分离区域。此方法可以类似地用于既在X方向上又在Y方向上覆盖多个裸片的区。此转换可以使用裸片和分离区域的已知尺寸D_{区_X}和D_{区_Y}。

如上所述(参见图6B)，检定系统提供在区的参考中的数据，可以将该数据自动地转换成在裸片的参考中。此方法可以类似地用于既在X方向上又在Y方向上覆盖多个裸片的区。此转换可以使用裸片和分离区域的已知尺寸D_{区_X}和D_{区_Y}。

应当理解，本发明在本发明的应用中不限于在本文包含的说明中阐述的或在附图中图示的细节。

还应当理解，可以至少部分地在适当编程的计算机上实施根据本发明的系统。同样，本发明设想一种计算机可读的计算机程序以用于执行本发明的方法。本发明进一步设想一种非暂时性计算机可读存储器，所述非暂时性计算机可读存储器有形地包含能由计算机执行的指令的程序，以用于执行本发明的方法。

应当注意，虽然本公开内容涉及被配置为执行各种功能和/或操作的处理器和存储器电路系统104(或155)，但是可以由处理器和存储器电路系统104(或155)中的一个或多个处理器以各种方式来执行这些功能/操作。作为示例，可以由特定的处理器或处理器的组合来执行下文所述的操作。因此，可以由处理器和存储器电路系统104(或155)中的相应的处理器(或处理器组合)来执行下文所述的操作，而可选地，可以由同一处理器来执行这些操作中的至少一些。本公开内容不应限于被解释为总是执行所有操作的一个单个的处理器。

在本公开内容的主题的实施方式中，可以执行比上述方法中示出的更少、更多且/或不同的步骤。在本公开内容的主题的实施方式中，可以以不同的顺序执行上述方法中示出的一个或多个步骤，且/或可以同时执行一组或多组步骤。

本发明能够具有其他实施方式并且能够以各种方式实践和执行。因此，应当理解，本文采用的措辞和术语是出于描述的目的，而不应当被认为是限制性的。照此，本领域技术人员将理解，本公开内容所基于的概念可以容易地用作设计用于实现本公开内容的主题的若干目的的其他结构、方法和系统的基础。

本领域技术人员将容易地理解，在不脱离在所附权利要求中限定并且由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可以对上述本发明的实施方式进行各种修改和改变。

Claims (20)

1.一种包含处理器和存储器电路系统(PMC)的系统，所述PMC被配置为：

-获得检定系统的照射斑的尺寸W_斑，使得所述检定系统能够沿扫描方向获取包含多个裸片的半导体试样的片；

-获得提供所述半导体试样的所述多个裸片中的每个裸片的至少一个尺寸D_{裸片_X}的信息的数据，其中所述尺寸被限定为沿与所述扫描方向正交的方向；

-使用W_斑来沿所述方向确定要在所述半导体试样中获取的多个区中的每个区的尺寸D_{区_X}，其中所述尺寸D_{区_X}大于所述尺寸D_{裸片_X}，其中所述尺寸D_{区_X}经选择以使得能够生成优化配方，在所述优化配方中，所述检定系统对所述多个区的获取与由所述检定系统获取的片之间的总重叠水平相关联，所述总重叠水平满足优化标准；并且

-使用所述尺寸D_{区_X}以使得能够生成用于所述检定系统的所述优化配方，由此使得能够由所述检定系统获取所述试样的所述多个区。

2.如权利要求1所述的系统，其中满足(i)或(ii)或(iii)中的至少一者：

(i)每个区覆盖所述试样的多个裸片和将所述多个裸片中的裸片分离的区域；或者

(i)所述尺寸D_{区_X}经选择以使得所述多个区中的每个区能够覆盖所述试样的数目N的裸片，其中N是等于或大于二的整数；或者

(ii)所述试样包含多个延伸裸片，每个延伸裸片包含裸片和将所述裸片与一个或多个其他裸片分离的一个或多个区域，其中所述尺寸D_{区_X}经选择以使得所述多个区中的每个区能够覆盖N个延伸裸片，其中N是等于或大于二的整数。

3.如权利要求1所述的系统，其中满足(i)或(ii)中的至少一者：

(i)所述优化标准使得所述优化配方的所述片的所述总重叠水平对所述检定系统的处理量的影响在阈值以下；或者

(ii)对于其中由所述检定系统获取多个区域的未优化配方，其中所述多个区域中的每个区域具有沿与所述扫描方向正交的所述方向的尺寸D_{裸片_X}，获得由所述检定系统获取的片的第一总重叠水平，

对于其中由所述检定系统获取多个区的优化配方，其中每个区具有沿与所述扫描方向正交的所述方向的所述尺寸D_{区_X}，获得由所述检定系统获取的片的第二总重叠水平，并且

其中所述第二总重叠水平小于所述第一总重叠水平。

4.如权利要求1所述的系统，被配置为选择尺寸D_{区_X}，所述尺寸D_{区_X}既使由每个区沿与所述扫描方向正交的所述方向覆盖的裸片的数目N最小化，同时又使得所述片的所述总重叠水平能够满足所述优化标准。

5.如权利要求1所述的系统，被配置为使用数据库，针对所述检定系统的照射斑的尺寸的多个不同的值中的每个值，所述数据库存储阈值，所述阈值指示要在所述试样中获取的所述多个区中的每个区的最小尺寸，所述阈值使得由用于获取所述多个区的所述检定工具获取的片之间的总重叠水平能够满足所述优化标准。

6.如权利要求5所述的系统，被配置为：

针对所述照射斑的给定尺寸W_{斑_1}和所述试样的每个裸片的给定尺寸D_{裸片_X_1}，执行在所述给定尺寸D_{裸片_X_1}和在所述数据库中与所述给定尺寸W_{斑_1}相关联的阈值D_{区_X_阈值_1}之间的比较，并且执行(i)或(ii)：

(i)使用所述比较来确定是否需要确定各自所具有的尺寸大于D_{裸片_X_1}的多个区来生成所述优化配方，或者

(ii)在需要确定各自所具有的尺寸大于D_{裸片_X_1}的多个区来生成所述优化配方时，使用D_{区_X_阈值_1}来确定所述多个区中的每个区的尺寸D_{区_X}。

7.如权利要求1所述的系统，其中所述PMC被配置为：

获得输入数据D_{几何_裸片}，所述输入数据D_{几何_裸片}提供存在于所述试样的裸片中的元件的一个或多个几何性质的信息，并且

使用所述数据D_{几何_裸片}来生成数据D_{几何_区}，所述数据D_{几何_区}提供存在于覆盖至少两个裸片的每个区中的元件的一个或多个几何性质的信息。

8.如权利要求1所述的系统，其中所述检定系统是操作的以在获取所述多个区中的给定区之后执行对所述给定区的图像的处理，以确定提供所述给定区的信息的数据，其中所述PMC是操作的以向所述检定系统指示在所述给定区内将裸片分离的区域的位置。

9.如权利要求1所述的系统，其中所述检定系统是操作的以针对所述试样的覆盖至少第一裸片和第二裸片的至少一个给定区，确定提供在所述给定区的参考中的所述给定区的信息的数据D_{缺陷_区}，其中所述PMC是操作的以将数据D_{缺陷_区}转换成第一数据D_{缺陷_裸片_1}和第二数据D_{缺陷_裸片_2}，所述第一数据D_{缺陷_裸片_1}提供在所述第一裸片的参考中表示的所述第一裸片的信息，所述第二数据D_{缺陷_裸片_2}提供在所述第二裸片的参考中表示的所述第二裸片的信息。

10.如权利要求1所述的系统，其中所述检定系统是操作的以使用由所述检定系统选择的总并行计算能力来处理裸片的图像，其中所述系统被配置为：

获得提供所述多个裸片中的每个裸片沿所述扫描方向的至少一个尺寸D_{裸片_Y}的信息的数据；

使用D_{裸片_Y}和所述尺寸W_斑来确定要在所述半导体试样中获取的所述多个区中的每个区的尺寸D_{区_Y}，其中沿所述扫描方向来确定所述尺寸D_{区_Y}，并且所述尺寸D_{区_Y}大于所述尺寸D_{裸片_Y}，其中所述尺寸D_{区_Y}经选择以使得能够生成优化配方，对于所述优化配方，由所述检定系统获取的所述多个区中的每个区与所述检定系统用于处理所述区的图像所使用的总并行计算能力相关联，所述总并行计算能力等于或大于阈值；并且

使用所述尺寸D_{区_Y}以使得能够生成用于所述检定系统的所述优化配方，由此使得能够由所述检定系统获取所述试样的所述多个区，并且用等于或大于所述阈值的总并行计算能力来处理所述多个区中的每个区。

11.一种方法，包含由处理器和存储器电路系统(PMC)：

-获得所述检定系统的照射斑的尺寸W_斑，所述检定系统是操作的以获取包含多个裸片的半导体试样的图像，其中所述检定系统是操作的以使用由所述检定系统选择的总并行计算能力来处理裸片的图像；

-获得提供所述多个裸片中的每个裸片沿给定方向的至少一个尺寸D_{裸片_Y}的信息的数据；

-使用D_{裸片_Y}和所述尺寸W_斑来确定要在所述半导体试样中获取的多个区中的每个区的尺寸D_{区_Y}，其中沿所述给定方向来确定所述尺寸D_{区_Y}，并且所述尺寸D_{区_Y}大于所述尺寸D_{裸片_Y}，

其中所述尺寸D_{区_Y}经选择以使得能够生成优化配方，对于所述优化配方，由所述检定系统获取的所述多个区中的每个区与所述检定系统用于处理所述区的图像所使用的总并行计算能力相关联，所述总并行计算能力等于或大于阈值；和

-使用所述尺寸D_{区_Y}以使得能够生成用于所述检定系统的所述优化配方，由此使得能够由所述检定系统获取所述试样的所述多个区，并且用等于或大于所述阈值的总并行计算能力来处理所述多个区中的每个区。

12.如权利要求11所述的方法，其中针对给定裸片，所述检定系统是操作的以使用总并行计算能力来处理所述给定裸片的图像，取决于所述给定裸片的尺寸和所述照射斑的尺寸来选择所述总并行计算能力，

其中所述方法包含选择每个区的所述尺寸D_{区_Y}来覆盖所述试样的数目N的裸片，这使得所述检定系统能够用等于或大于所述阈值的总并行计算能力来处理每个区。

13.如权利要求11所述的方法，其中针对给定裸片，所述检定系统是操作的以使用总并行计算能力来处理覆盖所述给定裸片的图像的多个像素块，取决于所述裸片的尺寸、所述检定系统的所述照射斑的尺寸和每个像素块的尺寸来选择所述总并行计算能力，

其中所述方法包含针对等于或大于所需阈值的像素块的给定尺寸，选择每个区的所述尺寸D_{区_Y}来覆盖所述试样的数目N的裸片，这使得所述检定系统能够针对所述多个区中的每个给定区，用等于或大于所述阈值的总并行计算能力来处理覆盖所述给定区的多个像素块，其中每个像素块具有所述给定尺寸。

14.如权利要求11所述的方法，其中当所述检定系统的并行操作来处理所述区的所述图像的处理器的数目对应于所述检定系统所允许的用于处理裸片的图像的处理器的最大数目时，用于处理所述区的所述图像的所述总并行计算能力满足所述阈值。

15.如权利要求11所述的方法，其中每个区覆盖第一裸片和第二裸片，其中所述检定系统的并行操作来处理所述区的所述图像的处理器的数目大于所述检定系统会并行使用的用于处理所述第一裸片的图像的处理器的数目，由此提高所述检定系统的处理量。

16.如权利要求11所述的方法，包括：

获得提供所述半导体试样的所述多个裸片中的每个裸片的至少一个尺寸D_{裸片_X}的信息的数据，其中沿与所述给定方向正交的方向限定所述尺寸；

使用W_斑来沿所述方向确定要在所述半导体试样中获取的多个区中的每个区的尺寸D_{区_X}，其中所述尺寸D_{区_X}大于所述尺寸D_{裸片_X}，其中所述尺寸D_{区_X}经选择以使得能够生成优化配方，在所述优化配方中，所述检定系统对所述多个区的获取与由所述检定系统获取的片之间的总重叠水平相关联，所述总重叠水平满足优化标准；和

使用所述尺寸D_{区_X}以使得能够生成用于所述检定系统的所述优化配方，由此使得能够由所述检定系统获取所述试样的所述多个区。

17.如权利要求11所述的方法，包含使用数据库，针对所述检定系统的照射斑的尺寸的多个不同的值中的每个值，所述数据库存储指示要在所述试样中获取的所述多个区中的每个区沿所述给定方向的最小尺寸的阈值，所述阈值使得能够由所述检定系统用等于或大于阈值的总并行计算能力来处理每个区的图像。

18.如权利要求11所述的方法，包含由所述PMC：

获得提供存在于所述试样的裸片中的元件的一个或多个几何性质的信息的输入数据D_{几何_裸片}，并且

使用所述数据D_{几何_裸片}来生成提供存在于覆盖至少两个裸片的每个区中的元件的一个或多个几何性质的信息的数据D_{几何_区}。

19.如权利要求12所述的方法，其中满足(i)或(ii)：

(i)每个区覆盖所述试样的多个裸片和将所述多个裸片中的裸片分离的区域；或者

(i)每个区覆盖所述试样的多个裸片和将所述多个裸片中的裸片分离的区域，并且所述方法包含向所述检定系统指示将所述裸片分离的所述区域的位置。

20.一种包含指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由至少一个计算机执行时，引起所述至少一个计算机执行包含(i)或(ii)中的至少一者的操作：

(i)获得检定系统的照射斑的尺寸W_斑，使得所述检定系统能够沿扫描方向获取包含多个裸片的半导体试样的片，获得提供所述半导体试样的所述多个裸片中的每个裸片的至少一个尺寸D_{裸片_X}的信息的数据，其中沿与所述扫描方向正交的方向限定所述尺寸，使用W_斑来沿所述方向确定要在所述半导体试样中获取的多个区中的每个区的尺寸D_{区_X}，其中所述尺寸D_{区_X}大于所述尺寸D_{裸片_X}，其中所述尺寸D_{区_X}经选择以使得能够生成优化配方，在所述优化配方中，所述检定系统对所述多个区的获取与由所述检定系统获取的片之间的总重叠水平相关联，所述总重叠水平满足优化标准，并且使用所述尺寸D_{区_X}以使得能够生成用于所述检定系统的所述优化配方，由此使得能够由所述检定系统获取所述试样的所述多个区；或者

(ii)获得所述检定系统的照射斑的尺寸W_斑，所述检定系统是操作的以获取包含多个裸片的半导体试样的图像，其中所述检定系统是操作的以使用由所述检定系统选择的总并行计算能力来处理裸片的图像，获得提供所述多个裸片中的每个裸片沿给定方向的至少一个尺寸D_{裸片_Y}的信息的数据，使用D_{裸片_Y}和所述尺寸W_斑来确定要在所述半导体试样中获取的多个区中的每个区的尺寸D_{区_Y}，其中沿所述给定方向来确定所述尺寸D_{区_Y}，并且所述尺寸D_{区_Y}大于所述尺寸D_{裸片_Y}，其中所述尺寸D_{区_Y}经选择以使得能够生成优化配方，对于所述优化配方，由所述检定系统获取的所述多个区中的每个区与所述检定系统用于处理所述区的图像所使用的总并行计算能力相关联，所述总并行计算能力等于或大于阈值，并且使用所述尺寸D_{区_Y}以使得能够生成用于所述检定系统的所述优化配方，由此使得能够由所述检定系统获取所述试样的所述多个区，并且用等于或大于所述阈值的总并行计算能力来处理所述多个区中的每个区。