CN118271769A - 复合材料及其制备方法、光电器件、显示装置 - Google Patents

复合材料及其制备方法、光电器件、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN118271769A
CN118271769A CN202211740061.2A CN202211740061A CN118271769A CN 118271769 A CN118271769 A CN 118271769A CN 202211740061 A CN202211740061 A CN 202211740061A CN 118271769 A CN118271769 A CN 118271769A
Authority
CN
China
Prior art keywords
polymer
layer
electrode
composite material
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211740061.2A
Other languages
English (en)
Inventor
夏思雨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Technology Group Co Ltd
Original Assignee
TCL Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Technology Group Co Ltd filed Critical TCL Technology Group Co Ltd
Priority to CN202211740061.2A priority Critical patent/CN118271769A/zh
Publication of CN118271769A publication Critical patent/CN118271769A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请公开了一种复合材料及其制备方法、光电器件、显示装置。本申请提供的所述复合材料包括第一聚合物修饰的第二聚合物，其中，所述第一聚合物选自导电聚合物，所述第二聚合物包括聚合物铅盐，从而使所述复合材料具备较好的抵抗高能粒子击穿和辐射的性能以及较好的电化学活性和高稳定性。

Description

复合材料及其制备方法、光电器件、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种复合材料及其制备方法、光电器件、显示装置。
背景技术
铅以及铅盐等铅材料由于较好的抗辐射性能，被用作抗辐射防护材料广泛应用于各个领域，比如在医疗领域中用于制作医护防护服、医用防辐射门等。
虽然铅盐等铅材料具有较好的抗辐射性能，但由于其导电性能等电学性能差，影响了其作为抗辐射材料的应用领域。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种复合材料及其制备方法、光电器件、显示装置，旨在提供一种新型的复合材料，具有较好的电学性能。
本申请实施例是这样实现的，提供一种复合材料，所述复合材料包括第一聚合物修饰的第二聚合物，其中，所述第一聚合物包括导电聚合物，所述第二聚合物包括聚合物铅盐。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述复合材料由所述第一聚合物修饰的所述第二聚合物组成。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述聚合物铅盐具有如通式(1)所示的结构：
其中，R1选自H、1～3个碳原子的烷基，R2选自H、1～3个碳原子的烷基，L为连接基团，选自单键、-(CH2)n2-，n1为大于等于2的整数，n2为1～3的整数；和/或所述导电聚合物选自聚苯胺类聚合物、聚噻吩类聚合物、聚吡咯类聚合物、聚(对苯乙撑)类聚合物中的一种或多种；和/或所述第一聚合物与所述第二聚合物的摩尔比为1:3～1:5。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述聚合物铅盐选自聚丙烯酸铅、聚甲基丙烯酸铅、聚丁烯酸铅、聚二甲基丁烯酸铅中的一种或多种；和/或
所述聚苯胺类聚合物具有如通式(II)所示的结构：
其中，R3各自独立选自H、羟基、羧基、氨基、1～3个碳原子的烷基、1～3个碳原子的烷氧基等中的一种或多种，R4各自独立选自H、羟基、羧基、氨基、乙酰基、1～3个碳原子的烷基、1～3个碳原子的烷氧基中的一种或多种，m1为大于等于2的整数，0＜y＜1；和/或
所述聚噻吩类聚合物具有如通式(III)所示的结构：
其中，R5各自独立选自H、羟基、羧基、氨基、1～3个碳原子的烷基等中的一种或多种，m2为大于等于2的整数；和/或
所述聚吡咯类聚合物具有如通式(IV)所示的结构：
其中，R6各自独立选自H、羟基、羧基、氨基、1～3个碳原子的烷基中的一种或多种，R7选自H、羟基、羧基、氨基、乙酰基、1～3个碳原子的烷基、1～3个碳原子的烷氧基中的一种或多种，m3为大于等于2的整数；和/或
所述聚(对苯乙撑)类聚合物具有如通式(V)所示的结构：
其中，R8各自独立选自H、羟基、羧基、氨基、1～3个碳原子的烷基中的一种或多种，m4为大于等于2的整数。
相应的，本申请实施例还提供一种复合材料的制备方法，包括：提供第一溶液和第二溶液，其中，所述第一溶液中包括第一聚合物的单体和酸溶液，所述第二溶液中包括第二聚合物和第一溶剂；将所述第一溶液与所述第二溶液混合，反应得到复合材料；其中，所述复合材料包括第一聚合物修饰的第二聚合物，所述第一聚合物包括导电聚合物，所述第二聚合物包括聚合物铅盐。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述将所述第一溶液与所述第二溶液混合，反应得到复合材料，包括：将所述第一溶液与所述第二溶液混合，得到第三溶液；向所述第三溶液中加入引发剂和去离子水，聚合反应得到所述复合材料。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述聚合物铅盐具有如通式(1)所示的结构：
其中，R1选自H、1～3个碳原子的烷基，R2选自H、1～3个碳原子的烷基，L为连接基团，选自单键、-(CH2)n2-，n1为大于等于2的整数，n2为1～3的整数；和/或所述导电聚合物选自聚苯胺类聚合物、聚噻吩类聚合物、聚吡咯类聚合物、聚(对苯乙撑)类聚合物中的一种或多种；和/或所述酸溶液选自盐酸水溶液、硫酸水溶液和硝酸水溶液中的一种或多种；和/或所述酸溶液的浓度为30～40wt％；和/或所述第一溶液中，每1mmol的所述第一聚合物的单体对应(5～10)mL的所述酸溶液；和/或所述第一溶剂选自氯苯、氯仿、二甲基亚砜、乙腈、四氢呋喃中的一种或多种；和/或所述第二溶液中的所述第二聚合物的浓度为20～30mol/L；和/或所述第三溶液中，所述第一聚合物的单体与所述第二聚合物的摩尔比为1:3～1:5；和/或所述引发剂选自十二烷基硫酸钠、月桂酸钠中的一种或两种；和/或所述引发剂与所述第一聚合物的单体的摩尔比为1:5；和/或每1mmol的所述第一聚合物的单体对应(5～10)mL的所述去离子水
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二聚合物选自聚丙烯酸铅、聚甲基丙烯酸铅、聚丁烯酸铅、聚二甲基丁烯酸铅中的一种或多种；和/或所述聚合反应的温度为5～10℃；和/或所述聚合反应的时间为5～10h。
相应的，本申请实施例还提供一种光电器件，包括相对设置的第一电极和第二电极；至少一功能层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间；界面层，设置在所述功能层与所述第二电极之间且靠近所述第二电极一侧设置；其中，所述界面层包括复合材料，所述复合材料为上述的复合材料，或者，所述复合材料由上述的复合材料的制备方法制得。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述至少一功能层包括发光层和第一载流子功能层，所述第一载流子功能层设置在所述发光层与所述界面层之间；和/或所述界面层的厚度为15～30nm。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述至少一功能层还包括第二载流子功能层，所述第二载流子功能层设置在所述第一电极与所述发光层之间，其中，所述第一载流子功能层与所述第二载流子功能层中的一者为电子功能层，另一者为空穴功能层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一载流子功能层选自电子功能层或空穴功能层；其中，所述电子功能层的材料选自掺杂或非掺杂无机材料、有机材料中的一种或多种；其中，所述非掺杂无机材料选自ZnO、TiO2、SnO2、Al2O3、GaO、Ga2O3、ZrO2、NiO、ZnS、ZnSe、CdS、InP、GaP、BaTiO3、Cs2CO3、Rb2CO3、RbBr、LiF，LiF/Yb、MgP，MgF2中的一种或多种；所述掺杂无机材料中包括所述非掺杂无机材料和掺杂元素，所述掺杂元素选自于Mg、Ca、Li、Ga、Al、Co、Mn、Zr、W、Ti、Y中的一种或多种；所述有机材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇缩丁醛中的一种或两种；和/或所述空穴功能层包括空穴传输层和/或空穴注入层，所述空穴功能层包括空穴传输层和空穴注入层时，所述空穴传输层靠近所述发光层一侧设置，所述空穴注入层靠近所述界面层一侧设置，所述空穴传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4’-二(9-咔唑)联苯、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、Spiro-NPB、Spiro-TPD、掺杂或非掺杂的NiO、MoO3、WO3、V2O5、P型氮化镓、CrO3、CuO、MoS2、MoSe2、WS3、WSe3、CuS、CuSCN中的一种或多种；所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、酞菁铜、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种，所述过渡金属氧化物选自NiO、MoO2、WO3、CuO中的一种或多种，所述金属硫系化合物选自MoS2、MoSe2、WS3、WSe3、CuS中的一种或多种；和/或所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点发光材料；所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种；所述量子点发光材料选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs及InAlPSb中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种；所述钙钛矿型半导体材料选自掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、有机钙钛矿半导体或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的至少一种，X为卤素阴离子，选自Cl-、Br-、I-中的至少一种；所述有机钙钛矿半导体的结构通式为CMX3，其中，C为甲脒基，M为二价金属阳离子，M选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+中的至少一种，X为卤素阴离子，选自Cl-、Br-或I-中的至少一种；所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，选自CH3(CH2)n-2NH3 +或[NH3(CH2)nNH3]2+，其中n≥2，M为二价金属阳离子，选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的至少一种，X为卤素阴离子，选自Cl-、Br-、I-中的至少一种；和/或所述第一电极和所述第二电极独立选自金属电极、碳电极、掺杂或非掺杂金属氧化物电极以及复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS以及ZnS/Al/ZnS中的至少一种。
相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述的光电器件。
本申请提供的所述复合材料包括第一聚合物修饰的第二聚合物，其中，其中，所述第一聚合物包括导电聚合物，所述第二聚合物包括聚合物铅盐，从而使所述复合材料具备较好的抵抗高能粒子击穿和辐射的性能以及较好的电化学活性和高稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请提供的一种复合材料的制备方法一实施例的流程示意图；
图2为本申请提供的光电器件一实施例的结构示意图；
图3是本申请提供的光电器件的制备方法一实施例的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。
在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”具体为附图中的图面方向。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本发明的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所述范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
在本申请中，“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况。其中A，B可以是单数或者复数。
在本申请中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“至少一种”、“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，“a,b,或c中的至少一项(个)”，或，“a,b,和c中的至少一项(个)”，均可以表示：a,b,c,a-b(即a和b),a-c,b-c,或a-b-c，其中a,b,c分别可以是单个，也可以是多个。
本申请提供一种复合材料，所述复合材料包括第一聚合物修饰的第二聚合物，其中，所述第一聚合物包括导电聚合物，所述第二聚合物包括聚合物铅盐。
其中，所述导电聚合物具有共轭电子的大环结构，具有较好的电化学活性和高稳定性。所述聚合物铅盐为有机聚合物的铅盐，又可称为有机酸铅。
本申请提供的所述复合材料，包含导电聚合物修饰的所述第二聚合物，其中，所述第二聚合物具有抗高能粒子击穿和辐射的作用，所述导电聚合物具有共轭电子的大环结构，具有较好的电化学活性和高稳定性，所述复合材料包括所述导电聚合物修饰的所述第二聚合物，则使所述复合材料具备较好的抵抗高能粒子击穿和辐射的性能以及较好的电化学活性和高稳定性。进一步的，在所述复合材料应用到光电器件中时，能够抵抗磁控溅射等带来的膜层的损伤，以保护其他膜层，从而提高所述光电器件的发光效率等性能。
可以理解的，所述复合材料可以仅由所述第一聚合物修饰的所述第二聚合物组成。或者，所述复合材料中除了包括所述第一聚合物修饰的所述第二聚合物之外，还可以包括其他材料，比如所述第二聚合物、所述第一聚合物等。
在一实施例中，所述第二聚合物具有如通式(1)所示的结构：
其中，R1选自H、1～5个碳原子的烷基、1～5个碳原子的烷氧基中的一种或多种；
R2选自H、1～5个碳原子的烷基，1～5个碳原子的烷氧基、羟基中的一种或多种；
L为连接基团，选自单键、-(CH2)n2-、其中，n2为1～3的整数；
n1为大于等于2的整数。
在一具体实施例中，n1为2～10的整数。
进一步的，在一实施例中，所述第二聚合物选自聚丙烯酸铅、聚甲基丙烯酸铅、聚丁烯酸铅、聚二甲基丁烯酸铅中的一种或多种。
在一实施例中，所述导电聚合物选自聚苯胺类聚合物、聚噻吩类聚合物、聚吡咯类聚合物、聚(对苯乙撑)类聚合物中的一种或多种。可以理解的，所述导电聚合物包括单体形成的均聚物和共聚物。其中，均聚物为仅使用一种单体形成聚合物，而共聚物则表示两种及以上的单体形成的聚合物。共聚物又包括交替共聚物、随机共聚物、嵌段共聚物等。交替共聚物为单体交替的共聚物，随机共聚物为单体随机组合的共聚物，嵌段共聚物为单体呈块状附着的共聚物。以聚苯胺类聚合物为例，单体可以选自苯胺及其衍生物中的一种或多种，则所述聚苯胺类聚合物中包括单体为苯胺及其衍生物形成的均聚物以及与其他单体一起形成的共聚物。
其中，所述聚苯胺类聚合物包括取代或未取代的聚苯胺，所述聚噻吩类聚合物包括取代或未取代的聚噻吩，所述聚吡咯类聚合物包括取代或未取代的聚吡咯，所述聚(对苯乙撑)类聚合物包括取代或未取代的聚(对苯乙撑)。
可以理解的，在本申请中，“取代或未取代”表示聚合物中的氢原子可以被取代，也可以不被取代，比如，取代或未取代的聚苯胺，则表示聚苯胺中的氢原子可以被取代，也可以不被取代。具体的，聚合物中的氢原子可以被一个或多个取代基R取代，所述R可以独立的选自但不限于：氘原子、氰基、异氰基、硝基或卤素、含有1-20个C原子的烷基、含有3-20个环原子的杂环基、含有6-20个环原子的芳香基团、含有5-20个环原子的杂芳香基团、-NR’R”、硅烷基、羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、三氟甲基，且上述基团也可以进一步被本领域可接受的取代基取代；可理解的，-NR’R”中R’和R”分别独立选自但不限于：H、氘原子、氰基、异氰基、硝基或卤素、含有1-10个C原子的烷基、含有3-20个环原子的杂环基、含有6-20个环原子的芳香基团、含有5-20个环原子的杂芳香基团。优选地，R选自但不限于：氘原子、氰基、异氰基、硝基或卤素、含有1-10个C原子烷基、含有3-10个环原子的杂环基、含有6-20个环原子的芳香基团、含有5-20个环原子的杂芳香基团、硅烷基、羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、三氟甲基，且上述基团也可以进一步被本领域可接受取代基取代。
在一实施例中，所述聚苯胺类聚合物具有如通式(II)所示的结构：
其中，R3各自独立选自H、羟基、羧基、氨基、1～3个碳原子的烷基、1～3个碳原子的烷氧基等中的一种或多种，R4各自独立选自H、羟基、羧基、氨基、乙酰基、1～3个碳原子的烷基、1～3个碳原子的烷氧基中的一种或多种，m1为大于等于2的整数，0＜y＜1。进一步的，R3和R4的链长≤3。
在一实施例中，所述聚噻吩类聚合物具有如通式(III)所示的结构：
其中，R5各自独立选自H、羟基、羧基、氨基、1～3个碳原子的烷基等中的一种或多种，m2为大于等于2的整数。进一步的，R5的链长≤3。
在一实施例中，所述聚吡咯类聚合物具有如通式(IV)所示的结构：
其中，R6各自独立选自H、羟基、羧基、氨基、1～3个碳原子的烷基中的一种或多种，R7选自H、羟基、羧基、氨基、乙酰基、1～3个碳原子的烷基、1～3个碳原子的烷氧基中的一种或多种，m3为大于等于2的整数。进一步的，R6和R7的链长≤3。
在一实施例中，所述聚(对苯乙撑)类聚合物具有如通式(V)所示的结构：
其中，R8各自独立选自H、羟基、羧基、氨基、1～3个碳原子的烷基中的一种或多种，m4为大于等于2的整数。进一步的，R8的链长≤3。
在一实施例中，所第一聚合物与所述第二聚合物的摩尔比为1:3～1:5，具体可以为1:3～1:3.5、1:3～1:4.5、1:3.5～1:4.5、1:3.5～1:4、1:3.5～1:5、1:4.5～1:5、1:3～1:4、1:4～1:5等。所述摩尔比能够使所述复合材料具有较好的抵抗高能粒子击穿和辐射的性能、较好的电化学活性和高稳定性、较好的电子传输性以及合适的电阻。
在一实施例中，所述第一聚合物修饰的第二聚合物，其中，所述第一聚合物与所述第二聚合物通过化学键连接。
在一具体实施例中，所述复合材料包括第一聚合物修饰的第二聚合物，其中，所述第一聚合物为聚苯胺，所述第二聚合物选自聚丙烯酸铅，所述第一聚合物修饰的所述第二聚合物的结构可以参考式(VI)：
其中，聚苯胺中的胺基在酸作用下质子化带正电荷，从而与聚丙烯酸铅中的CH-相结合，聚苯胺修饰的聚丙烯酸铅具体可能是两者之间的一种电荷吸引实现修饰。
在另一具体实施例中，所述第一聚合物为聚噻吩，所述第二聚合物选自聚丙烯酸铅。在又一具体实施例中，所述第一聚合物为聚吡咯，所述第二聚合物选自聚丙烯酸铅。可以理解的，所述聚噻吩和所述聚吡咯中均含有胺基(-NH-)，同样的，胺基在酸性条件下质子化带正电荷与聚丙烯酸铅CH-相结合。
在又一具体实施例中，所述第一聚合物为聚(对苯乙撑)，所述第二聚合物选自聚丙烯酸铅。
在一实施例中，所述复合材料为薄膜形态。
本申请提供一种复合材料的制备方法，参阅图1，图1为本申请提供的一种复合材料的制备方法一实施例的流程示意图，具体包括如下步骤：
步骤S11：提供第一溶液和第二溶液，其中，所述第一溶液中包括第一聚合物的单体和酸溶液，所述第二溶液中包括第二聚合物和第一溶剂；
步骤S12：将所述第一溶液与所述第二溶液混合，反应得到复合材料。
其中，所述复合材料包括第一聚合物修饰的第二聚合物，所述第一聚合物包括导电聚合物，所述第二聚合物包括聚合物铅盐。
所述步骤S11中：
在一实施例中，所述第二聚合物具有如通式(1)所示的结构：
其中，R1选自H、1～5个碳原子的烷基、1～5个碳原子的烷氧基中的一种或多种；R2选自H、1～5个碳原子的烷基，1～5个碳原子的烷氧基、羟基中的一种或多种；L为连接基团，选自单键、-(CH2)n2-、其中，n2为1～3的整数；n1为大于等于2的整数。
具体的，所述第二聚合物可以选自聚丙烯酸铅、聚甲基丙烯酸铅、聚丁烯酸铅、聚二甲基丁烯酸铅中的一种或多种。其中，所述第二聚合物的相关描述可以参考本申请提供的复合材料中的相关内容，此处不进行赘述。
在一具体实施例中，n1为2～10的整数。
所述导电聚合物可以选自聚苯胺类聚合物、聚噻吩类聚合物、聚吡咯类聚合物、聚(对苯乙撑)类聚合物中的一种或多种。其中，所述导电聚合物的相关描述可以参考本申请提供的复合材料中的相关内容，此处不进行赘述。
所述酸溶液可以选自盐酸水溶液、硫酸水溶液和硝酸水溶液中的一种或多种。
所述酸溶液的浓度可以为30～40wt％，具体可以为30～32wt％、32～40wt％、32～38wt％、35～38wt％、38～40wt％等。
所述第一溶液中，每1mmol的所述第一聚合物的单体对应(5～10)mL的所述酸溶液。此范围的酸溶液，可以提供酸性条件使所述第一聚合物的单体质子化，从而使第一聚合物的单体能够带一定的正电荷，从而支持在后续步骤中与所述第二聚合物结合。
所述第一溶剂选自氯苯、氯仿、二甲基亚砜、乙腈、四氢呋喃中的一种或多种。
所述第二溶液中的所述第二聚合物的浓度为20～30mol/L，具体可以为20～28mol/L、20～22mol/L、22～25mol/L、22～28mol/L、25～28mol/L、28～30mol/L等。
所述步骤S12中：
在一实施例中，所述步骤S12具体包括如下步骤：
步骤S121：将所述第一溶液与所述第二溶液混合得到第三溶液；
步骤S122：向所述第三溶液中加入引发剂和去离子水，聚合反应得到复合材料。
所述第三溶液中，所述第一聚合物的单体与所述第二聚合物的摩尔比为1:3～1:5，具体可以为1:3～1:3.5、1:3～1:4.5、1:3.5～1:4.5、1:3.5～1:4、1:3.5～1:5、1:4.5～1:5、1:3～1:4、1:4～1:5等。所述摩尔比能够使所述复合材料具有较好的抵抗高能粒子击穿和辐射的性能、较好的电化学活性和高稳定性、较好的电子传输性以及合适的电阻。
所述引发剂选自十二烷基硫酸钠、月桂酸钠中的一种或两种。
所述引发剂的加入量可以根据所述第一溶液中所述第一聚合物的单体的量进行确定。具体的，所述引发剂与所述第一聚合物的单体的摩尔比为1:4～1:6，具可以为比如1:4～1:4.5、1:4.5～1:5、1:5.5～1:6、1:5～1:6等。
其中，所述去离子水的加入量可以根据所述第一溶液中所述第一聚合物的单体的量进行确定。具体的，每1mmol的所述第一聚合物的单体对应(5～10)mL的所述去离子水。
在一实施例中，所述聚合反应的温度可以为5～10℃，所述聚合反应的时间可以为4～7h。具体的，所述聚合反应的温度可以为4～5h、5～6h、6～7h等。具体的，所述聚合反应可以在保护气氛中进行，其中，保护气氛可以为氮气气氛、氦气气氛等。
其中，所述聚合反应为乳液聚合反应。具体的，向所述第三溶液中加入引发剂和去离子水，在去离子水存在的情况下，所述引发剂引发所述第一聚合物的单体的进行乳液聚合。
在一实施例中，所述复合材料的制备步骤为：将导电聚合物的单体的盐酸溶液加入聚丙烯酸铅溶液中，并加入引发剂和去离子水进行乳液聚合反应，在冰水浴中(温度为5～10℃)、氮气气氛下剧烈搅拌反应5h，通过乙酸乙酯和正庚烷清洗后溶解于乙醇溶液中，形成浓度为15～30mg/mL的复合材料的溶液备用。
在一实施例中，所述第二聚合物可以通过市售购买得到，也可以通过自制得到。
在一实施例中，所述第二聚合物为聚丙烯酸铅，其制备包括如下步骤：
步骤S21：将丙烯酸、对苯二醌(或邻苯二醌)、铅源混合，室温下反应6～9h，得到单体丙烯酸铅；
步骤S22：将所述单体丙烯酸铅溶于第二溶剂中，得到丙烯酸铅溶液；
步骤S23：向所述丙烯酸铅溶液中加入催化剂，聚合反应得到聚丙烯酸铅。
本实施例中，通过丙烯酸与铅源先反应生成丙烯酸铅的单体，然后在催化剂的催化作用下发生聚合反应，生成聚丙烯酸铅。
所述步骤S21：
所述铅源选自碱式碳酸铅，乙酸铅、碱式硫酸铅、氢氧化铅等在有机酸中溶解性较好的铅盐，更多的所述铅盐能够溶解在反应体系中，从而提高聚丙烯酸铅的产率。
所述丙烯酸与所述铅源的摩尔比为10:1～20:1，具体可以为10:1～18:1、13:1～18:1、13:1～15:1、15:1～18:1、18:1～20:1等。
对苯二醌(或邻苯二醌)与丙烯酸的摩尔比为(3～10)：100，具体可以为(3～5)：100、(3～8)：100、(5～8)：100、(8～10)：100等。
可以理解的，所述步骤S21中还包括对反应混合物进行后处理，比如沉淀、抽滤以及清洗等步骤，得到单体丙烯酸铅。
所述步骤S22中：
所述第二溶剂可以选自氯仿、氯苯、二氯甲烷中的一种或多种。
所述步骤S23中：
所述的催化剂可以为卤化亚铜，具体的，所述的催化剂可以为氯化亚铜、溴化亚铜、碘化亚铜中的一种或多种。所述催化剂与所述丙烯酸的摩尔比为(3～5)：100，具体可以为(3～4)：100、(4～5)：100、(3～3.5)：100、(3.5～4)：100、(4～4.5)：100、(4.5～5)：100等。
所述聚合反应的温度为80～120℃，时间为8～11h。具体的，所述聚合反应的温度可以为80～110℃、90～110℃、90～100℃、110～120℃等，所述时间可以为8～9h、9～10h、10～11h等。
可以理解的，所述步骤S23中还包括对所述聚合反应的混合物进行后处理，比如清洗、沉淀等步骤，得到聚丙烯酸铅。
在一具体实施例中，制备聚丙烯酸铅的步骤为：在圆底烧瓶中按顺序加入丙烯酸、对苯二醌、碱式碳酸铅；丙烯酸与碱式碳酸铅加入量的摩尔比为15:1,对苯二醌的加入量为丙烯酸的摩尔量的5％，室温反应8小时，产物经丙酮中沉淀、抽滤，溶解于氯仿溶液中再加入催化剂(催化剂用量为丙烯酸摩尔量3～5％)在100℃油浴中进行聚合反应10h，然后通过DMF和乙醇清洗沉淀后，溶于氯苯中备用。
本申请还提供一种薄膜，包括本申请提供的复合材料，或者包括本申请的复合材料的制备方法制备得到的复合材料。
本申请还提供一种薄膜的制备方法，包括：
提供基板，在所述基板上设置复合材料溶液，得到薄膜。其中，所述复合材料溶液包括所述复合材料和第三溶剂。
其中，所述复合材料的浓度为15～30mg/mL，具体可以为15～20mg/mL、15～25mg/mL、20～25mg/mL、25～30mg/mL等。
所述第三溶剂可以选自乙醇、丁醇、丙醇等醇类溶剂中的一种或多种。
所述在所述基板上设置复合材料溶液之后，还包括加热处理，得到所述薄膜。所述加热处理的温度可以为80～120℃，时间为20～60min。具体的，所述加热处理的温度可以为80～110℃、90～110℃、90～100℃、80～90℃、90～100℃、100～110℃、110～120℃等。
本申请提供一种光电器件，参阅图2，图2为本申请提供的光电器件一实施例的结构示意图。所述光电器件100包括第一电极10、第二电极20、至少一功能层30以及界面层40。其中，第一电极10和第二电极20相对设置，至少一功能层30设置在第一电极10和第二电极20之间，所述界面层40设置在所述功能层30与所述第二电极20之间且靠近所述第二电极20一侧设置。
其中，所述界面层40包括复合材料，所述复合材料为本申请提供的复合材料，或者，所述复合材料由本申请提供的复合材料的制备方法制得。
本实施例中，通过在所述功能层30与所述第二电极20之间设置所述界面层40，且在包含多个所述功能层30时，所述界面层40靠近所述第二电极20一侧设置，所述界面层40具有较好的抗高能粒子击穿和辐射的作用，从而能够对至少一个所述功能层30进行保护，避免在所述功能层30上进行溅射制备所述第二电极时，对所述功能层30造成损伤，影响所述光电器件100的性能。另外，所述界面层40也具有较好的电化学活性和高稳定性以及一定的电阻性，能够调节载流子的迁移率，促进光电器件100的载流子注入平衡，提高所述光电器件100的发光效率等性能。
在一实施例中，所述界面层40的厚度为15～30nm，具体可以为15～20nm、15～25nm、20～25nm、25～30nm等。所述厚度的界面层能够抵抗高能粒子击穿和辐射，能够对至少一个功能层进行保护，以及具有一定的载流子传输和注入的调节性能。
在一实施例，所述至少一功能层30包括发光层31和第一载流子功能层32，所述第一载流子功能层32设置在所述发光层31与所述界面层40之间，即所述发光层31设置在所述第一电极10与所述第一载流子功能层32之间。换言之，所述至少一功能层30中包含的第一载流子功能层32靠近所述界面层40一侧设置，所述界面层40则设置在所述第一载流子功能层32与所述第二电极之间，从而能够通过所述界面层40的设置，避免由于溅射造成的所述第一载流子功能层32的损伤，从而提高所述光电器件100的性能。
可以理解的，第一电极10和第二电极20为一对电极，当第一电极10为阳极时，第二电极20则为阴极，当第一电极10为阴极时，第二电极20则为阳极。
其中，所述第一载流子功能层32可以为电子功能层或者空穴功能层。
当所述第一载流子功能层32为电子功能层时，相应的，所述第二电极20为阴极。通过在所述电子功能层与所述第二电极20之间设置所述界面层40，避免由于溅射造成的所述电子功能层的损伤，同时，所述界面层40包括所述复合材料，所述复合材料包括所述第一聚合物修饰的所述第二聚合物，其中，所述第一聚合物选自导电聚合物，所述导电聚合物具有共轭电子的大环结构，具有较好的电化学活性和高稳定性，所述界面层40可以一定程度上抑制所述光电器件100中的电子迁移率，对于电子注入过量型的光电器件100，能够提高电子空穴注入相对平衡，从而提升光电器件100的发光效率以及寿命。
当所述第一载流子功能层32为空穴功能层时，相应的，所述第二电极20为阳极。通过在所述空穴功能层与所述第二电极20之间设置所述界面层40，避免由于溅射造成的所述空穴功能层的损伤，同时，所述界面层40包括所述复合材料，所述复合材料包括所述第一聚合物修饰的所述第二聚合物，其中，所述第一聚合物选自导电聚合物，所述导电聚合物具有共轭电子的大环结构，具有较好的电化学活性和高稳定性，且带隙与所述空穴功能层的材料的带隙相差较大，形成较大势垒，因此会降低所述光电器件100的空穴注入能力，因此，所述界面层40可以一定程度上抑制所述光电器件100中的空穴注入性能和空穴迁移率，对于空穴注入过量型的光电器件100，能够提高电子空穴注入相对平衡，从而提升光电器件100的发光效率以及寿命。
进一步的，在一实施例中，所述至少一功能层30还包括第二载流子功能层33，所述第二载流子功能层33设置在所述第一电极10与所述发光层31之间，其中，所述第一载流子功能层32与所述第二载流子功能层33中的一者为电子功能层，另一者为空穴功能层。
在一实施例中，所述电子功能层的材料选自掺杂或非掺杂无机材料、有机材料中的一种或多种；其中，所述非掺杂无机材料选自ZnO、TiO2、SnO2、Al2O3、GaO、Ga2O3、ZrO2、NiO、ZnS、ZnSe、CdS、InP、GaP、BaTiO3、Cs2CO3、Rb2CO3、RbBr、LiF，LiF/Yb、MgP，MgF2中的一种或多种；所述掺杂无机材料中包括所述非掺杂无机材料和掺杂元素，所述掺杂元素选自于Mg、Ca、Li、Ga、Al、Co、Mn、Zr、W、Ti、Y中的一种或多种；所述有机材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇缩丁醛中的一种或两种。
在一实施例中，所述电子功能层可以包括电子传输层和/或电子注入层，在所述电子功能层包括电子传输层和电子注入层两层时，所述电子传输层靠近所述发光层31一侧设置，所述电子注入层靠近所述界面层40设置。可以理解的，所述第一载流子功能层32可以为所述电子传输层和所述电子注入层中的其中一层或两层。
在一实施例中，所述电子传输层的材料可以为本领域已知用于电子传输层的材料。例如，可以选自掺杂或非掺杂无机纳米晶、有机材料中的一种或多种；其中，所述非掺杂无机纳米晶选自ZnO、TiO2、SnO2、Al2O3、GaO、SiO2、Ga2O3、ZrO2、NiO、ZnS、ZnSe、CdS、InP、GaP中的一种或多种；所述掺杂无机纳米晶中包括所述非掺杂无机纳米晶和掺杂元素，所述掺杂元素选自于Mg、Ca、Li、Ga、Al、Co、Mn中的一种或多种；所述有机材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇缩丁醛中的一种或两种。
在一实施例中，所述电子注入层的材料为本领域已知用于电子注入层的材料，例如可以选自但不限于LiF、MgP、MgF2、Al2O3、Ga2O3、LiF/Yb、ZnO、Cs2CO3、RbBr、Rb2CO3中的至少一种。
在一实施例中，所述空穴功能层包括空穴传输层和/或空穴注入层，所述空穴功能层包括空穴传输层和空穴注入层时，所述空穴传输层靠近所述发光层31一侧设置，所述空穴注入层靠近所述界面层40一侧设置。可以理解的，所述第一载流子功能层32可以为所述空穴传输层和所述空穴注入层中的其中一层或两层。
其中，所述空穴传输层的材料可以选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)(poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCATA)、4,4’-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)
(PEDOT:PSS)、Spiro-NPB、Spiro-TPD、TAPC(cas：58473-78-2)、TPH、掺杂或非掺杂的NiO、MoO3、WO3、V2O5、CrO3、CuO、MoS2、MoSe2、WS3、WSe3、CuS、CuSCN中的一种或多种。
所述空穴注入层的材料可以为具有空穴注入能力的材料，可以选自聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HATCN)、酞菁铜(CuPc)、MCC、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种；其中，所述过渡金属氧化物包括NiO、MoO2、WO3、CuO中的一种或多种；所述金属硫系化合物包括MoS2、MoSe2、WS3、WSe3、CuS中的一种或多种。
在一实施例中，所述发光层31的材料选自有机发光材料或量子点发光材料，相应的，所述光电器件100为有机光电器件或量子点光电器件。可以理解的，所述光电器件100可以为包括两个及以上的发光层31，每个发光层31的材料可以分别独立选自有机发光材料或量子点发光材料。
具体的，所述有机发光材料可以选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种。
所述量子点发光材料可以为红色、绿色或蓝色的量子点材料量子点发光材料。所述量子点发光材料可以选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs及InAlPSb中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种。需要说明的是，对于前述单一结构量子点、或者核壳结构量子点的核的材料、或者核壳结构量子点的壳的材料，提供的化学式仅示明了元素组成，并未示明各个元素的含量，例如：CdZnSe仅表示由Cd、Zn和Se三种元素组成，若表示各个元素的含量，则对应为CdxZn1-xSe，0<x<1。
所述钙钛矿型半导体材料选自掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、有机钙钛矿半导体或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2 +、Yb2+、Eu2+中的至少一种，X为卤素阴离子，选自Cl-、Br-、I-中的至少一种；所述有机钙钛矿半导体的结构通式为CMX3，其中，C为甲脒基，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+中的至少一种，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-或I-中的至少一种；所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，包括但不限于是CH3(CH2)n-2NH3 +或[NH3(CH2)nNH3]2+，其中n≥2，M为二价金属阳离子，包括但不限于是Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的至少一种，X为卤素阴离子，选自Cl-、Br-、I-中的至少一种。
在一实施例中，所述第一电极10和所述第二电极20独立选自金属电极、碳电极、掺杂或非掺杂金属氧化物电极以及复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS以及ZnS/Al/ZnS中的至少一种。其中，“/”表示层叠结构，例如复合电极AZO/Ag/AZO表示AZO层、Ag层和AZO层组成的三层层叠设置的复合结构的电极。
在一实施例中，所述第二电极20的厚度可以为80～120nm，比如80～90nm、80～100nm、80～110nm、90～110nm、90～100nm、90～120nm、100～110nm、100～120nm、110～120nm等。在所述第一载流子功能层32和第二电极20之间设置了界面层40，所述界面层40一定程度上可以调控载流子注入和传输，同时也一定程度影响导电性，而所述厚度的第二电极20，则使所述光电器件100具有较好的导电性。
可以理解，所述光电器件100除上述各功能层外，还可以增设一些常规用于光电器件的有助于提升光电器件性能的功能层，例如电子阻挡层、空穴阻挡层等。
可以理解，所述光电器件100的各层的材料以及厚度可以依据光电器件100的发光需求进行相应的设置和调整。
所述光电器件100还包括基板(图未示)。所述基板可以为刚性基板或柔性基板。所述刚性基板可以是陶瓷材料或各类玻璃材料等。所述柔性基板可以由聚酰亚胺薄膜(PI)及其衍生物、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、磷酸烯醇式丙酮酸(PEP)或二亚苯基醚树脂等材料形成的基板。
可以理解，所述光电器件100可以为正置光电器件或倒置光电器件。当所述光电器件100为正置光电器件时，所述基板结合于所述阳极的远离所述发光层31的一侧。当所述光电器件100为倒置光电器件时，所述基板结合于所述阴极的远离所述发光层31的一侧。
本申请还提供一种光电器件的制备方法。参阅图3，图3是本申请提供的光电器件的制备方法一实施例的流程示意图。具体包括如下步骤：
步骤S31：提供预制器件，所述预制器件包括第一电极和至少一功能层；
步骤S32：在所述功能层上设置复合材料，形成界面层；
步骤S33：在所述界面层上形成第二电极。
其中，所述复合材料为本申请提供的复合材料，或者，所述复合材料由本申请提供的复合材料的制备方法制得。
本实施例中，通过在所述预制器件上先设置复合材料，形成界面层，然后在所述界面层上形成所述第二电极，从而避免在所述预制器件的所述至少一功能层上直接形成所述第二电极，对所述至少一功能层的结构造成损坏。具体的，所述界面层具有较好的抗高能粒子击穿和辐射的作用，从而能够对至少一个功能层进行保护，避免在所述功能层上进行溅射制备所述第二电极时，对所述功能层造成损伤，影响所述光电器件的性能。
所述步骤S32中，
在一实施例中，所述在所述功能层上设置复合材料，形成界面层，包括：在所述功能层上设置第四溶液，所述第四溶液中包括所述复合材料和第三溶剂。其中，所述复合材料的浓度为15～30mg/mL，具体可以为15～20mg/mL、15～25mg/mL、20～25mg/mL、25～30mg/mL等。
所述第三溶剂可以选自乙醇、丁醇、丙醇等醇类溶剂中的一种或多种。
所述在所述功能层上设置复合材料之后，还包括加热处理，形成界面层。所述加热处理的温度可以为80～120℃，时间为20～60min。具体的，所述加热处理的温度可以为80～110℃、90～110℃、90～100℃、80～90℃、90～100℃、100～110℃、110～120℃等。
在一实施例中，所述界面层的厚度为15～30nm，具体可以为15～20nm、15～25nm、20～25nm、25～30nm等。所述厚度的界面层能够抵抗高能粒子击穿和辐射，能够对至少一个功能层进行保护。
在一实施例中，所述在所述界面层上形成第二电极的方法为磁控溅射法。磁控溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，被广泛应用与制备阴极或阳极等电极。但磁控溅射制备膜层时产生的能量较高，在溅射过程中会对待溅射的基板上的膜层造成轰击损伤。即在所述预制器件上直接通过磁控溅射法制备所述第二电极时，会对所述预制器件上的所述至少一个功能层造成轰击损伤，影响光电器件的性能，而本实施例中，通过在所述预制器件上先形成界面层，所述界面层能够抵抗高能粒子击穿和辐射，从而对所述至少一个功能层进行保护，避免损伤，从而提高光电器件的性能。
进一步的，在一实施例中，所述至少一功能层包括发光层和第一载流子功能层，所述发光层设置在所述第一电极与所述第一载流子功能层之间。在本实施例中，所述界面层形成于所述第一载流子功能层上。
其中，所述第一载流子功能层可以选自电子功能层或空穴功能层。
当所述第一载流子功能层为电子功能层时，相应的，所述第二电极为阴极。通过在所述电子功能层与所述第二电极之间设置所述界面层，避免由于溅射造成的所述电子功能层的损伤，同时，所述界面层，包括所述复合材料，所述复合材料包括所述第一聚合物修饰的所述第二聚合物，其中，所述第一聚合物选自导电聚合物，所述导电聚合物具有共轭电子的大环结构，具有较好的电化学活性和高稳定性，所述界面层，可以一定程度上抑制所述光电器件，中的电子迁移率，对于电子注入过量型的光电器件，能够提高电子空穴注入相对平衡，从而提升光电器件的发光效率以及寿命。
当所述第一载流子功能层为空穴功能层时，相应的，所述第二电极为阳极。通过在所述空穴功能层与所述第二电极之间设置所述界面层，避免由于溅射造成的所述空穴功能层的损伤，同时，所述界面层包括所述复合材料，所述复合材料包括所述第一聚合物修饰的所述第二聚合物，其中，所述第一聚合物选自导电聚合物，所述导电聚合物具有共轭电子的大环结构，具有较好的电化学活性和高稳定性，所述界面层可以一定程度上抑制所述光电器件中的空穴迁移率，对于空穴注入过量型的光电器件，能够提高电子空穴注入相对平衡，从而提升光电器件的发光效率以及寿命。
在一实施例中，所述至少一功能层还包括第二载流子功能层，所述第二载流子功能层设置在所述第一电极与所述发光层之间，其中，所述第一载流子功能层与所述第二载流子功能层中的一者为电子功能层，另一者为空穴功能层。
其中，所述电子功能层、空穴功能层、发光层、第一电极、第二电极等的相关描述可以参考本申请提供的光电器件100中的相关描述，此处不进行赘述。
可以理解的，本申请提供的所述光电器件中的所述第一电极、第二电极、发光层、第一载流子功能层、第二载流子功能层等膜层均可以可采用本领域常规技术进行制备，例如化学法或物理法。其中，化学法包括化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法。物理法包括物理镀膜法和溶液法，其中，物理镀膜法包括：热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法等；溶液法可以为旋涂法、印刷法、喷墨打印法、刮涂法、打印法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法及条状涂布法等。
所述光电器件在制备上述各膜层后，还涉及到封装处理。所述封装处理可采用常用的机器封装，也可以采用手动封装。在一具体实施例中，所述封装处理的环境中，氧含量和水含量均低于0.1ppm，以保证光电器件的稳定性。
本申请还涉及一种显示装置，所述显示装置包括本申请提供的光电器件。显示装置可以为任何具有显示功能的电子产品，电子产品包括但不限于是智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、数码摄像机、智能可穿戴设备、智能称重电子秤、车载显示器、电视机或电子书阅读器，其中，智能可穿戴设备例如可以是智能手环、智能手表、虚拟现实(Virtual Reality，VR)头盔等。
下面通过具体实施例来对本申请进行具体说明，以下实施例仅是本申请的部分实施例，不是对本申请的限定。
实施例1
本实施例提供一种复合材料及其制备方法，具体包括如下步骤：
聚丙烯酸铅的合成：在圆底烧瓶中按顺序加入30mmol丙烯酸、1.5mmol对苯二琨、2mmol碱式碳酸铅，室温反应8小时，产物经丙酮中沉淀、抽滤，溶解于氯仿溶液中再加入0.9mmol溴化亚铜在100℃油浴中进行聚合反应10h，然后通过DMF和乙醇清洗沉淀后，溶于氯苯中，形成浓度为20mol/L的聚丙烯酸铅溶液备用。
复合材料1的合成：将10mmol苯胺的盐酸水溶液(盐酸水溶液的浓度为30wt％，1mmol苯胺对应10mL盐酸水溶液)加入40mmol的聚丙烯酸铅溶液中，并加入2mmoL的十二烷基硫酸钠和50mL的去离子水进行乳液聚合反应，在冰水浴中氮气氛围下剧烈搅拌5h，通过乙酸乙酯和正庚烷清洗，得到复合材料1，复合材料1中包括聚苯胺修饰的聚丙烯酸铅。将复合材料1溶解于乙醇中形成浓度为20mg/mL的复合材料1溶液备用。
实施例2
本实施例与实施例1基本相同，区别之处仅在于：复合材料2的合成中，加入的聚丙烯酸铅溶液，其中聚丙烯酸铅的摩尔量为30mmol。复合材料2中包括聚苯胺修饰的聚丙烯酸铅。
实施例3
本实施例与实施例1基本相同，区别之处仅在于：复合材料3的合成中，加入的聚丙烯酸铅溶液，其中聚丙烯酸铅的摩尔量为50mmol。复合材料3中包括聚苯胺修饰的聚丙烯酸铅。
实施例4
本实施例与实施例1基本相同，区别之处仅在于：复合材料4的合成中，加入的聚丙烯酸铅溶液，其中聚丙烯酸铅的摩尔量为10mmol。复合材料4中包括聚苯胺修饰的聚丙烯酸铅。
实施例5
本实施例与实施例1基本相同，区别之处仅在于：复合材料5的合成中，加入的聚丙烯酸铅溶液，其中聚丙烯酸铅的摩尔量为70mmol。复合材料5中包括聚苯胺修饰的聚丙烯酸铅。
实施例6
本实施例与实施例1基本相同，区别之处仅在于：复合材料6的合成中，使用的是噻吩的盐酸水溶液替代苯胺的盐酸水溶液，得到复合材料6。复合材料6中包括聚噻吩修饰的聚丙烯酸铅。
实施例7
本实施例与实施例1基本相同，区别之处仅在于：复合材料7的合成中，聚丙烯酸铅的合成中使用的催化剂是氯化亚铜而非溴化亚铜。复合材料7中包括聚苯胺修饰的聚丙烯酸铅。
实施例8
本实施例提供一种复合材料及其制备方法，其中，聚丙烯酸铅的合成与实施例1中的相同。
复合材料8的合成：将8mmol噻吩的盐酸溶液加入40mmol聚丙烯酸铅溶液中，并加入1.6mmol十二烷基硫酸钠溶液和50ml去离子水进行乳液聚合反应，在冰水浴中氮气氛围下剧烈搅拌5h，通过乙酸乙酯和正庚烷清洗后，得到复合材料8。复合材料8中包括聚噻吩修饰的聚丙烯酸铅。将复合材料8溶解于乙醇溶液中备用。
实施例9
本实施例提供一种复合材料及其制备方法，具体包括如下步骤：
聚丁烯酸铅的合成，与实施例1中的聚丙烯酸铅的合成基本相同，区别之处仅在于：使用的丁烯酸而非丙烯酸，制备得到聚丁烯酸铅溶液备用。
复合材料9的合成与实施例1中的复合材料1的合成基本相同，区别之处仅在于：使用聚丁烯酸铅溶液而非聚丙烯酸铅溶液。复合材料9中包括聚苯胺修饰的聚丁烯酸铅。
实施例10
本实施例提供一种复合材料及其制备方法，具体包括如下步骤：
聚甲基丙烯酸铅的合成：与实施例1中的聚丙烯酸铅的合成基本相同，区别之处仅在于：使用的甲基丙烯酸而非丙烯酸，制备得到聚甲基丙烯酸铅溶液备用。
复合材料10的合成与实施例1中的复合材料1的合成基本相同，区别之处仅在于：使用聚甲基丙烯酸铅而非聚丙烯酸铅溶液。复合材料10中包括聚苯胺修饰的聚甲基丙烯酸铅。
实施例11
本实施例提供一种复合材料及其制备方法，具体包括如下步骤：
聚二甲基丁烯酸铅的合成：与实施例1中的聚丙烯酸铅的合成基本相同，区别之处仅在于：使用的二甲基丁烯酸而非丙烯酸，制备得到聚二甲基丁烯酸铅溶液备用。
复合材料11的合成与实施例1中的复合材料1的合成基本相同，区别之处仅在于：使用聚二甲基丁烯酸铅而非聚丙烯酸铅溶液。复合材料11中包括聚苯胺修饰的聚二甲基丁烯酸铅。
器件实施例1
本器件实施例提供一种量子点发光二极管及其制备方法，具体包括如下步骤。
步骤1：将图案化的ITO基板按次序置于丙酮、洗液、去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，以上每一步超声均需持续15分钟左右。待超声完成后将ITO基板放置于洁净烘箱内烘干；待ITO基板烘干后，用紫外-臭氧处理ITO基板表面5分钟，以进一步除去ITO基板表面附着的有机物，并提高ITO的功函数。
步骤2：在氩气气氛中，在阳极上沉积PEDOT：PSS(PEDOT和PSS的摩尔比为1：1)，并置于150℃的加热台上加热30分钟以除去水分，此步需在空气中完成，得到厚度为30nm的空穴注入层。
步骤3：在氮气气氛中，在空穴注入层上沉积TFB，并置于150℃的加热台上加热30分钟以除去溶剂，得到厚度为30nm的空穴传输层。
步骤4：待冷却后，将CdZnSe/ZnS量子点材料沉积在空穴传输层上，并置于100℃的加热台上加热10分钟以除去残留的溶剂，得到厚度为30nm的发光层。
步骤5：在发光层上沉积ZnO，并置于加热板上80℃退火30min，并置于8℃的加热台上退火30分钟以除去残留的溶剂，形成厚度30nm的电子传输层。
步骤6：在电子传输层上沉积复合材料1，100℃下加热处理30min，形成厚度30nm的界面层。
步骤7：采用磁控溅射法在界面层上沉积形成80nm厚的Ag电极。
步骤8：进行紫外固化胶封装，得到量子点发光二极管。
器件实施例2
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤6中，界面层的材料为复合材料2。
器件实施例3
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤6中，界面层的材料为复合材料3。
器件实施例4
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤6中，界面层的材料为复合材料4。
器件实施例5
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤6中，界面层的材料为复合材料5。
器件实施例6
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤6中，界面层的材料为复合材料6。
器件实施例7
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤6中，界面层的材料为复合材料7。
器件实施例8
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤6中，界面层的材料为复合材料8。
器件实施例9
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤6中，界面层的材料为复合材料9。
器件实施例10
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤6中，界面层的厚度为20nm。
器件实施例11
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤6中，界面层的厚度为15nm。
器件实施例12
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤6中，界面层的厚度为5nm。
器件实施例13
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤6中，界面层的厚度为50nm。
器件实施例14
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤7中，Ag电极的厚度为100nm。
器件实施例15
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤7中，Ag电极的厚度为120nm。
器件实施例16
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤6中，界面层的材料为复合材料10。
器件实施例17
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤6中，界面层的材料为复合材料11。
对比例1
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：不进行步骤6，器件中没有界面层。
对比例2
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤6中在电子传输层上沉积的是聚丙烯酸铅，而不是复合材料1。
对比例3
本器件实施例与器件实施例1基本相同，区别之处仅在于：步骤6中在电子传输层上沉积的是聚苯胺，而不是复合材料1。
实验例1
根据器件实施例1-17以及器件对比例1-3的制备方法中的步骤1以及步骤5-8，形成单电子器件1-20。即单电子器件1-20中仅包含不包含空穴注入层、空穴传输层以及发光层。对单电子器件1-20测试获取电流密度(J)-电压(V)曲线图，对关系图中空间电荷限制电流(SCLC)区的进行拟合，然后根据Child,s law公式计算电子迁移率μe，结果见表1。其中，Child,s law公式为：
J＝(9/8)εrε0μeV2/d3
其中，J表示电流密度，单位mAcm-2；εr表示相对介电常数，ε0表示真空介电常数；μe表示电子迁移率，单位cm2V-1s-1；V表示驱动电压，单位V；d表示膜厚度，单位m。
由表1可以看出，相较于未设置包含本申请提供的复合材料的界面层的单电子器件18-20而言，单电子器件1-3、6-11、14-15的电子迁移率均有一定程度的提升，说明采用复合材料形成的界面层具有较好的抵抗高能粒子击穿和辐射的性能，能够在磁控溅射形成阴极时对电子传输层起到保护作用，减小电子传输层的损伤，从而提高电子传输层的电子传输性能。
单电子器件1-5可以看出，单电子器件4的电子迁移率相对较小，可能是界面层中采用的复合材料4中的聚丙烯酸铅的摩尔量较小，抵抗高能粒子击穿和辐射的性能较弱，在磁控溅射形成阴极时对电子传输层起到保护作用相对较弱，从而相对导致了电子传输层的性能产生一定程度的降低。而单电子器件5的电子迁移率相对较小，可能是界面层中采用的复合材料5中的聚丙烯酸铅的含量较大，一定程度上抑制了电子迁移。
单电子器件1以及10-13可以看出，单电子器件12和13的电子迁移率相对较小，可能是界面层厚度相对较薄，导致抵抗高能粒子击穿和辐射的性能较弱，从而相对导致了电子传输层的性能产生一定程度的降低，界面层厚度相对较厚，则对电子迁移会产生一定的抑制作用。
实验例2
对器件实施例1-17及器件对比例1-3的量子点发光二极管进行性能测试，包括外量子效率EQE、1V电压下电流密度J和40mA/cm2电流密度下电压U，测试结果参下表2。
其中，外量子效率EQE采用EQE光学测试仪器测定，反映器件整体的发光效率，外量子效率越大，则器件的整体发光效率越好。1V电压下的电流密度J越大，说明量子点发光二极管可能漏电，可能在电子传输层上磁控溅射法制备Ag电极时导致在电子传输层被击穿。量子点发光二极管在40mA/cm2电流密度下电压U越小，则说明导电性越好。
表2
由表2可以看出，相较于器件实施例1-17，对比例1和对比例3中量子点发光二极管的未设置包含本申请提供的复合材料的界面层，其在1V电压下的电流密度J越大，说明对比例1和对比例3中量子点发光二极管可能漏电，可能在电子传输层上直接通过磁控溅射法制备Ag电极时导致在电子传输层被击穿，由此说明本申请提供的复合材料具有较好的抵抗高能粒子击穿和辐射的性能，作为界面层的材料时，能够保护电子传输层等功能层不被损坏。而相较于对比例1和对比例3，器件实施例1-11以及实施例14-15的外量子效率呈现一定程度的提升，说明采用复合材料形成的界面层能够更好的促进载流子平衡，从而提高量子点发光二极管的发光效率。
相较于对比例1，器件实施例1-17的量子点发光二极管在40mA/cm2电流密度下电压U均呈现不同程度的降低，说明本申请的复合材料形成的界面层，设置在量子点发光二极管中，能够提高导电性能。
器件实施例1、器件实施例10-13可以看出，界面层的厚度为5nm时，量子点发光二极管在1V电压下电流密度J相对较大，外量子效率相对较小，可能在此厚度下，仍然出现电子传输层的部分损伤。而界面层的厚度为50nm时，虽然1V电压下电流密度J显著，但外量子效率相对较小，说明此厚度下对抵抗磁控溅射等的损伤的性能显著，但可能影响了载流子的传输和注入，导致量子点发光二极管的发光效率降低。
相较于对比例2，器件实施例1的量子点发光二极管具有1V电压下电流密度J一定程度上减小，但外量子效率EQE显著提升，说明对比例2中采用聚丙烯酸铅形成界面层，可以更好的抵抗高能粒子击穿和辐射，但器件实施例1中采用复合材料形成的界面层能够更好的促进载流子平衡，从而提高量子点发光二极管的发光效率。
以上对本申请实施例所提供的复合材料及其制备方法、光电器件及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (14)

1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括第一聚合物修饰的第二聚合物，其中，所述第一聚合物包括导电聚合物，所述第二聚合物包括聚合物铅盐。
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料由所述第一聚合物修饰的所述第二聚合物组成。
3.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述聚合物铅盐具有如通式(1)所示的结构：
其中，R1选自H、1～3个碳原子的烷基，R2选自H、1～3个碳原子的烷基，L为连接基团，选自单键、-(CH2)n2-，n1为大于等于2的整数，n2为1～3的整数；和/或
所述导电聚合物选自聚苯胺类聚合物、聚噻吩类聚合物、聚吡咯类聚合物、聚(对苯乙撑)类聚合物中的一种或多种；和/或
所述第一聚合物与所述第二聚合物的摩尔比为1:3～1:5。
4.根据权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述聚合物铅盐选自聚丙烯酸铅、聚甲基丙烯酸铅、聚丁烯酸铅、聚二甲基丁烯酸铅中的一种或多种；和/或
所述聚苯胺类聚合物具有如通式(II)所示的结构：
其中，R3各自独立选自H、羟基、羧基、氨基、1～3个碳原子的烷基、1～3个碳原子的烷氧基等中的一种或多种，R4各自独立选自H、羟基、羧基、氨基、乙酰基、1～3个碳原子的烷基、1～3个碳原子的烷氧基中的一种或多种，m1为大于等于2的整数，0＜y＜1；和/或
所述聚噻吩类聚合物具有如通式(III)所示的结构：
其中，R5各自独立选自H、羟基、羧基、氨基、1～3个碳原子的烷基等中的一种或多种，m2为大于等于2的整数；和/或
所述聚吡咯类聚合物具有如通式(IV)所示的结构：
其中，R6各自独立选自H、羟基、羧基、氨基、1～3个碳原子的烷基中的一种或多种，R7选自H、羟基、羧基、氨基、乙酰基、1～3个碳原子的烷基、1～3个碳原子的烷氧基中的一种或多种，m3为大于等于2的整数；和/或
所述聚(对苯乙撑)类聚合物具有如通式(V)所示的结构：
其中，R8各自独立选自H、羟基、羧基、氨基、1～3个碳原子的烷基中的一种或多种，m4为大于等于2的整数。
5.一种复合材料的制备方法，其特征在于，
提供第一溶液和第二溶液，其中，所述第一溶液中包括第一聚合物的单体和酸溶液，所述第二溶液中包括第二聚合物和第一溶剂；
将所述第一溶液与所述第二溶液混合，反应得到复合材料；
其中，所述复合材料包括第一聚合物修饰的第二聚合物，所述第一聚合物包括导电聚合物，所述第二聚合物包括聚合物铅盐。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述将所述第一溶液与所述第二溶液混合，反应得到复合材料，包括：
将所述第一溶液与所述第二溶液混合，得到第三溶液；
向所述第三溶液中加入引发剂和去离子水，聚合反应得到所述复合材料。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述聚合物铅盐具有如通式(1)所示的结构：
其中，R1选自H、1～3个碳原子的烷基，R2选自H、1～3个碳原子的烷基，L为连接基团，选自单键、-(CH2)n2-，n1为大于等于2的整数，n2为1～3的整数；
和/或所述导电聚合物选自聚苯胺类聚合物、聚噻吩类聚合物、聚吡咯类聚合物、聚(对苯乙撑)类聚合物中的一种或多种；和/或
所述酸溶液选自盐酸水溶液、硫酸水溶液和硝酸水溶液中的一种或多种；和/或
所述酸溶液的浓度为30～40wt％；和/或
所述第一溶液中，每1mmol的所述第一聚合物的单体对应(5～10)mL的所述酸溶液；和/或
所述第一溶剂选自氯苯、氯仿、二甲基亚砜、乙腈、四氢呋喃中的一种或多种；和/或
所述第二溶液中的所述第二聚合物的浓度为20～30mol/L；和/或
所述第三溶液中，所述第一聚合物的单体与所述第二聚合物的摩尔比为1:3～1:5；和/或
所述引发剂选自十二烷基硫酸钠、月桂酸钠中的一种或两种；和/或
所述引发剂与所述第一聚合物的单体的摩尔比为1:5；和/或
每1mmol的所述第一聚合物的单体对应(5～10)mL的所述去离子水。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第二聚合物选自聚丙烯酸铅、聚甲基丙烯酸铅、聚丁烯酸铅、聚二甲基丁烯酸铅中的一种或多种；和/或
所述聚合反应的温度为5～10℃；和/或
所述聚合反应的时间为5～10h。
9.一种薄膜，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的复合材料，或者，包括权利要求5-8任一项所述的复合材料的制备方法制备得到的复合材料。
10.一种光电器件，其特征在于，包括：
相对设置的第一电极和第二电极；
至少一功能层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间；
界面层，设置在所述功能层与所述第二电极之间且靠近所述第二电极一侧设置；
其中，所述界面层为权利要求9所述的薄膜，或者，所述界面层包括复合材料，所述复合材料为权利要求1-4任一项所述的复合材料，或者，所述复合材料由权利要求5-8任一项所述的复合材料的制备方法制得。
11.根据权利要求10所述的光电器件，其特征在于，所述至少一功能层包括发光层和第一载流子功能层，所述第一载流子功能层设置在所述发光层与所述界面层之间；和/或
所述界面层的厚度为15～30nm。
12.根据权利要求11所述的光电器件，其特征在于，所述至少一功能层还包括第二载流子功能层，所述第二载流子功能层设置在所述第一电极与所述发光层之间，其中，所述第一载流子功能层与所述第二载流子功能层中的一者为电子功能层，另一者为空穴功能层。
13.根据权利要求11或12所述的光电器件，其特征在于，
所述第一载流子功能层选自电子功能层或空穴功能层；其中，所述电子功能层的材料选自掺杂或非掺杂无机材料、有机材料中的一种或多种；其中，所述非掺杂无机材料选自ZnO、TiO2、SnO2、Al2O3、GaO、Ga2O3、ZrO2、NiO、ZnS、ZnSe、CdS、InP、GaP、BaTiO3、Cs2CO3、Rb2CO3、RbBr、LiF，LiF/Yb、MgP，MgF2中的一种或多种；所述掺杂无机材料中包括所述非掺杂无机材料和掺杂元素，所述掺杂元素选自于Mg、Ca、Li、Ga、Al、Co、Mn、Zr、W、Ti、Y中的一种或多种；所述有机材料选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇缩丁醛中的一种或两种；和/或
所述空穴功能层包括空穴传输层和/或空穴注入层，所述空穴功能层包括空穴传输层和空穴注入层时，所述空穴传输层靠近所述发光层一侧设置，所述空穴注入层靠近所述界面层一侧设置，所述空穴传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4’-二(9-咔唑)联苯、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、Spiro-NPB、Spiro-TPD、掺杂或非掺杂的NiO、MoO3、WO3、V2O5、P型氮化镓、CrO3、CuO、MoS2、MoSe2、WS3、WSe3、CuS、CuSCN中的一种或多种；所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、酞菁铜、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种，所述过渡金属氧化物选自NiO、MoO2、WO3、CuO中的一种或多种，所述金属硫系化合物选自MoS2、MoSe2、WS3、WSe3、CuS中的一种或多种；和/或
所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点发光材料；所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种；所述量子点发光材料选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs及InAlPSb中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种；所述钙钛矿型半导体材料选自掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、有机钙钛矿半导体或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，选自Pb2 +、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的至少一种，X为卤素阴离子，选自Cl-、Br-、I-中的至少一种；所述有机钙钛矿半导体的结构通式为CMX3，其中，C为甲脒基，M为二价金属阳离子，M选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+或Eu2+中的至少一种，X为卤素阴离子，选自Cl-、Br-或I-中的至少一种；所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，选自CH3(CH2)n-2NH3 +或[NH3(CH2)nNH3]2+，其中n≥2，M为二价金属阳离子，选自Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2 +、Eu2+中的至少一种，X为卤素阴离子，选自Cl-、Br-、I-中的至少一种；和/或
所述第一电极和所述第二电极独立选自金属电极、碳电极、掺杂或非掺杂金属氧化物电极以及复合电极；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS以及ZnS/Al/ZnS中的至少一种。
14.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求10-13任意一项所述的光电器件。
CN202211740061.2A 2022-12-30 2022-12-30 复合材料及其制备方法、光电器件、显示装置 Pending CN118271769A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211740061.2A CN118271769A (zh) 2022-12-30 2022-12-30 复合材料及其制备方法、光电器件、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211740061.2A CN118271769A (zh) 2022-12-30 2022-12-30 复合材料及其制备方法、光电器件、显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN118271769A true CN118271769A (zh) 2024-07-02

Family

ID=91643849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211740061.2A Pending CN118271769A (zh) 2022-12-30 2022-12-30 复合材料及其制备方法、光电器件、显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN118271769A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109817772B (zh) 量子点器件和电子设备
EP3537492B1 (en) Quantum dot device and electronic device
WO2024139715A1 (zh) 氧化锌镁的制备方法以及包含氧化锌镁的发光器件
CN118102747A (zh) 薄膜及其制备方法、光电器件和显示装置
CN118271769A (zh) 复合材料及其制备方法、光电器件、显示装置
CN113809246B (zh) 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN114068828A (zh) 复合膜层及其制备方法和发光二极管
WO2024139580A1 (zh) 一种复合材料及其制备方法、以及发光器件的制备方法
WO2024139714A1 (zh) 掺杂金属氧化物的制备方法以及包含掺杂金属氧化物的发光器件
WO2024139487A1 (zh) 复合材料、发光器件及其制备方法
WO2023116207A1 (zh) 组合物、组合物的制备方法及发光器件
WO2024120060A1 (zh) 复合材料、发光器件及其制备方法
WO2023082964A1 (zh) 复合物、复合物的制备方法及电致发光器件
WO2024109341A1 (zh) 复合电极及其制备方法、发光器件
WO2023056838A1 (zh) 薄膜及其制备方法、光电器件
CN118265323A (zh) 发光器件及显示装置
CN118284077A (zh) 一种发光器件及其制备方法、显示装置
CN117769341A (zh) 一种光电器件及其制备方法、显示装置
CN117794343A (zh) 复合材料及其制备方法、光电器件及显示装置
CN117998949A (zh) 复合材料及包含其的发光器件与显示设备
CN118076134A (zh) 一种发光器件及其制备方法、显示装置
CN117015291A (zh) 复合材料及其制备方法、发光器件及显示装置
CN118272088A (zh) 一种复合材料及其制备方法、光电器件及显示装置
CN116425711A (zh) 化合物、发光器件及其制备方法与显示装置
CN118678715A (zh) 发光器件及其制备方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication