CN1182701C - 显示驱动装置 - Google Patents

Abstract

一种在高压视频放大器的输出端和显象管阴极之间耦合的射随放大器，以用于降低呈现给视频放大器的可归因于显象管阴极、管座、放电器和相关杂散电容的有效电容。通过把射随器输出晶体管的集电极-射极间的电压调整为一个恒定值并且进而改进诸如总视频显示系统的转换速率和带宽的参数，不希望出现的视频放大器的次级电容负载可以被有效地降低。跟随电路中的非线性电路便于精确的AKB电流检测并且提供简化的调压电路。白色限制电路包括在视频放大器中以用于降低引起有害污点的过白色驱动峰值。包括在该视频放大器中的黑色限制电路也用于防止推挽跟随器输出晶体管的集电极-发射极间电压的减弱。视频放大器输出晶体管的散热片电容通过自举而被筛分。

Description

显示驱动装置

技术领域

本发明一般涉及放大器，并且特别涉及一种对驱动显象管阴极的视频信号进行放大的装置。

背景技术

在采用直观或投影显象管作为显示器件的电视装置中，驱动显象管阴极的放大器最好能提供具有宽频带和高转换速率的较高电压的驱动信号。通常，驱动电压为200伏量级或更高，并且在某些应用中，例如在既需要传统的TV观看又需要数据显示的时候，带宽实际上高于传统的电视标准。在要求以大于两倍的标准TV行频进行扫描的视频应用中可能需要更宽的频带。

为了便于高压操作，通常采用一种共射输入级驱动共基输出级的共射-共基放大器组态。这种组态只需要一个高压晶体管(输出级)，并且由于其以共基极组态的形式连接，所以密勒效应被抑制并且非常宽的频带操作因此而成为可能。实际上，在共射-共基放大器中的实际带宽和转换速率在很大程度上根据呈现给输出级的有效负载电容和可获得的输出电流确定。

通常，我们可以通过增加放大器的工作电流或者降低有效负载电容来使放大器的带宽和转换速率达到最大。但是，由于增加电流必然会增加放大器的功率耗散，所以最好采用降低有效负载电容而非提高工作功率的方式来提高性能。

在显象管驱动器的应用中，呈现给放大器的“有效”负载电容主要是显象管阴极的有效负载电容以及与管座、放电器、接线器等有关的杂散电容。降低有效电容负载的一种有效方法是通过推挽互补射随器把放大器与阴极耦合。这种放大器有效地“隔离”约与晶体管电流增益的倒数(“β”)成比例的负载电容。由该推挽互补射随器提供的附加电流保证负载电容的快速充电和放电，并且因此而增加转换速率和带宽。为了避免事实上增加静态功率耗散，通常是以“乙类”模式操作跟随放大器，其中向推挽式晶体管施加偏压以避免同时导电。

经推挽互补射随器把共射-共基放大器的负载与显象管阴极耦合以用于减少负载电容的显象管驱动放大器的实例在1989年8月22日发布的John H.Furrey的题为“视频显示驱动装置”的US专利4,860,107中进行了描述。有益地是，在Furrey装置中使用推挽互补射随器显著地减少显示的有效负载电容(显象管的负载和杂散电容)，从而提高正极性和负极性视频信号的瞬态响应。

在1997年10月21日发布的题为“显象管驱动装置”的美国专利5,680,173中，White等人已经认识到在具有推挽互补射随输出耦合级的显象管驱动放大器中可进行有效的进一步改进。具体来说，在White等人的装置中，推挽互补射随器在高压放大器的输出端和显象管阴极之间耦合以用于降低呈现给驱动放大器的有效电容，该有效电容可归因于显象管阴极、管座、放电器和相关杂散电容。通过把各推挽互补射随器输出晶体管的集电极-射极电压调整为各自恒定的值并且因此而提高诸如视频显示系统的总转换速率和带宽的参数，可有效地减少可归因于推挽互补射随器的集电极-基极电容的不希望得到的放大器的次级电容负载。

在上面所讨论的已有技术中，通过使用射随器负载隔离(Furrey)可以实现所希望的负载电容的降低，并且通过调整跟随晶体管(White等人)的集电极-射极电压可进一步降低负载电容。

由此可以认识到需要对采用正反馈以用于在也希望提供诸如自动显象管偏压(以下为“AKB”)控制的显象管阴极电流的精确检测应用中降低射随器电容的显象管驱动放大器进行进一步的改进。本发明的第一方案满足了该需要。

发明内容

本发明提供一种显示驱动器，包括：一个与视频信号源耦合的高压放大器；一个隔离装置，包括第一和第二晶体管并且具有一个与所述高压放大器耦合的输入端和一个与显象管阴极耦合的输出端；第一和第二反馈电路，分别与所述第一和第二晶体管耦合，以及一个电流检测电路，与所述隔离装置耦合以用于在所述视频信号的消隐部分期间检测所述显象管阴极的电流，所述电流检测电路与自动显象管偏压电路耦合，其特征在于：一个置于所述第一晶体管和所述隔离装置的所述输出端之间的阈值导通装置，用于在该视频信号的视频节目信息部分期间把所述第一晶体管与所述输出端耦合，并且在所述视频信号的所述消隐部分期间把所述第一晶体管与所述输出端去耦。

根据本发明，推挽互补射随器的输出端经阈值导通开关装置与第一输出晶体管的射极耦合，并且经电阻器件与第二输出晶体管的射极耦合。

根据本发明的另一个特征，该反馈电路具有一个与阈值导通开关装置和第一输出晶体管射极的结点连接的输入端。

根据本发明的又一个特征，电容器与阈值导通开关装置并联在第一输出晶体管的射极和推挽互补射随器的输出端之间。

附图说明

附图表示本发明的前述及其它特征，其中相同的元件以相同的参考数字表示，并且其中：

图1所示的部分为框图形式的示意图表示已有技术的具有推挽互补射随器阴极隔离和AKB电流检测的显象管驱动装置；

图2所示的部分为框图形式的示意图表示已有技术的显象管驱动装置的另一个实施例；

图3所示的部分为框图形式的示意图表示体现本发明的显象管驱动装置；以及

图4和5所示的部分为框图形式的示意图表示结合图3所示装置的使负载电容降低的本发明的另一个特征。

具体实施方式

首先考虑作为White等人的上述美国专利5,680,173中的显象管驱动装置的实施例的图1，并且考虑使用传统的推挽互补射随器把显象管阴极电容与显象管驱动放大器的输出隔离所带来的问题将有助于理解本发明。正如上面所解释的，推挽互补射随器有效地降低了呈现给高压视频驱动放大器的可归因于阴极(和相关杂散电容)的电容。但是推挽互补射随器本身可能会对驱动放大器产生电容负载效应，并且往往会限制总系统的性能。

White等人指出，在使用推挽射随器的显象管驱动系统中，不希望得到的电容负载效应的主要根源可归因于跟随器输出晶体管的集电极-基极电容。通常，与直观耦合系统相比，这些电容小于显象管阴极电容，并且通过推挽互补射随器隔离阴极可降低整体的电容并且提高转换速率和带宽。但是，为了最大限度地利用射随器的隔离作用，最好能够降低射随放大器本身的有效电容。

为了有效降低White等人的装置中的跟随器电容，反馈的使用方式是以降低动态信号条件下的跟随晶体管的集电极-基极电容中的电流来进行的。这可以通过应用反馈以保持跟随晶体管的集电极-基极间电压基本恒定来实现。这样就保持了恒定的集电极-基极电压。因此，在动态信号的情况下，在信号电压改变时集电极-基极电容很少进行或不进行充电或放电。

可归因于晶体管集电极-基极电容的跟随器输入电容的有效降低是用于调整集电极-射极间电压的反馈率的函数。例如，如果所选的反馈率使得集电极-射极间电压变化降低百分之五十，则对跟随晶体管的集电极-基极电容进行充电和放电的无功电流也降低百分之五十，并且“有效”电容负载将减半。随着反馈率提高至接近一，跟随器的电容可以被更多地减少。为了电路的稳定性所采取的措施是确保反馈增益不等于或超过一。这是通过连接电压或“射极”跟随器组态的反馈路径中的所有“有源”半导体器件来实现的。

在这里，图1示出了White等人的装置的一个实施例，它包括AKB控制的阴极电流检测，并且在此描述以作为本发明进行改进的基础。图1所示为一种电视显示系统，包括把视频信号提供到显象管阴极16以用于显示的视频信号源10。为了简化该图没有示出显象管和信号源的细节。可以理解的是，对于一个彩色系统来说应当具有三个驱动放大器。

概括来说，系统包括一个共射-共基类的高压放大器20(虚线示出)，为的是把视频信号放大至阴极16所要求的高压电平。为了把高压放大器20的输出端和显象管阴极16的电容隔离，高压放大器20的输出端(晶体管Q3的集电极)经推挽互补射随器30(虚线示出)与阴极16耦合。为了保护显示驱动设备免受显象管电弧，跟随器的输出端15通过显象管电弧保护电阻器R15和电感线圈L1与阴极16连接。为了进行自动显象管偏压(AKB)操作配备了阴极电流检测电路40(“I_K检测”，以虚线示出)，它检测推挽互补射随器30中的PNP晶体管(Q7)的集电极电流以在输出端18产生与显象管阴极16的阴极电流I_K成比例的AKB输出信号。这个特征是可以任选的并且可以忽略。

最后，为了降低呈现给高压放大器20的可归因于推挽互补射随器30的集电极-基极电容的有效电容，系统包括一个反馈控制电路50(以虚线示出)，它使推挽互补射随器30的NPN晶体管Q4的集电极-射极间电压保持基本恒定，并且该系统还包括另外一个反馈控制电路60(以虚线示出)，它使推挽互补射随器30的PNP晶体管Q7的集电极-射极间电压保持基本恒定。以恒定集电极-射极间电压进行的跟随晶体管的操作使得集电极-基极间的电压接近常数，从而减少了跟随晶体管的集电极-基极电容的充电和放电电流量。该结果的有益之处在于，由于高压放大器20不必向这些“寄生”电容提供充电和放电电流，所以提高了整体的转换速率、带宽和瞬态响应特性。

用于高压放大器20和反馈或调整电路50和60的操作的高压电源(例如200伏等)由高压(H.V.)电源200终端提供。高压电源200终端的去耦由去耦网络或包括电阻器R20和电容器C20的低通滤波器提供。低压(L.V.)电源终端21提供较低的电压(例如12伏等)，用于把高压放大器20的输入和共射-共基级偏压。此电源输入也通过包括电阻器R21和电容器C20的RC网络去耦。

高压放大器20包括与共基极连接的NPN输出晶体管Q3共射-共基连接的NPN共射极连接的输入晶体管Q2。共射-共基输出晶体管Q3的固定偏压由低压(例如+12伏)去耦网络(R21，C21)提供。输入晶体管Q2的射极负载电阻器R6较低的工作电势由包括在晶体管Q3和地之间耦合的电阻器R5和齐纳二极管CR1的齐纳二极管调整器提供。如图所示，齐纳电压可以是5或6伏，它创建共射-共基输入晶体管的负载电阻器R6的DC参考以及AKB检测放大器40的DC参考。输入晶体管Q2的发射极经包括串接的电阻器R7和电容器C2的高频峰化网络接地。

源10提供的要被放大的视频输入信号经射随器输入级应用到共射-共基输入晶体管的基极，其中该射随器输入级包括集电极接地并且基极经输入电阻器R3与视频输入端12耦合的PNP晶体管Q1。晶体管Q1的射极与晶体管Q2的基极耦合并且经射极电阻器R4与低压电源21耦合。其它的高频峰化由包括与输入电阻器R3并联的串接电阻器R1和电容器C1的其它峰化网络提供。

高压放大器20的集电极负载由把高压电源200耦合到共射-共基输出晶体管Q3的集电极的电阻器R8提供。二极管CR2内置于负载电阻器R8和晶体管Q3的集电极之间以提供用于减少推挽互补射随器30的交扰失真的小偏压。

在高压放大器20工作期间，开环增益与负载电阻器R8的值成正比并且与前面所讨论的射极网络R6、C2和R7的阻抗成反比。开环增益、带宽和转换速率也是高压放大器20的输出的电容负载(即呈现给晶体管Q3的集电极的电容)的函数。通过以恒定的集电极-射极间电压操作推挽互补射随器30的推挽晶体管可降低这种电容。假定开环增益是充分的，则闭环增益与反馈电阻器R2的值成正比并且与输入网络R1、R3和C1的阻抗成反比。

推挽互补射随器30包括基极与高压放大器20的输出(Q3的集电极)耦合并且射极经各自的射极电阻器R9和R12与输出端15耦合的一对互补晶体管Q4和Q7。正如前面所指出的，推挽互补射随器30的输出端15经包括串联的感应线圈L1和电阻器R15的显象管电弧抑制网络与阴极16耦合。跟随晶体管Q4和Q7的电源电压(集电极电势)由各自的反馈电路50和60提供。

电路50把跟随晶体管Q4的集电极-射极间电压调整为一个固定值并且包括一个集电极与高压电源200耦合并且射极与晶体管Q4的集电极耦合的调压晶体管Q6。调压晶体管Q6的输入端(基极)经与作为阈值导通装置的齐纳二极管CR3并联的电容器C3与跟随晶体管Q4的射极耦合。这个正反馈路径创建了一个等于齐纳电压的基本恒定的跟随晶体管Q4的集电极-射极偏离电压。为了提供该齐纳二极管的工作电流，阴极经电阻器R11与高压电源200耦合。为了使晶体管Q4的射极电路的负载最小，该射极经射随晶体管Q5与电容器C3和齐纳二极管CR3耦合。具体来说，晶体管Q5是一个基极经电阻器R10与跟随晶体管Q4的射极耦合的PNP晶体管。跟随晶体管Q5的集电极-射极路径把电容器C3和齐纳二极管CR3的连结点接地。

电路60类似于电路50并且它把跟随晶体管Q7的集电极-射极间电压调整为一个固定值。电路60包括一个集电极与I_K检测放大器40的电源输入端耦合并且射极与晶体管Q7的集电极耦合的调压晶体管Q9。调压晶体管Q9的输入端经与作为阈值导通装置的齐纳二极管CR4并联的电容器C4与跟随晶体管Q7的射极耦合。这个反馈路径把跟随晶体管Q7的集电极-射极间电压调整为齐纳电压。为了提供该齐纳二极管的工作电流，其阳极经电阻器R14接地。为了使晶体管Q7的射极电路的负载最小，该射极经射随晶体管Q8与电容器C4和齐纳二极管CR4耦合。具体来说，晶体管Q8是一个基极经电阻器R13与跟随晶体管Q7的射极耦合的NPN晶体管。跟随晶体管Q8的集电极-射极路径耦合于电容器C4和齐纳二极管CR4的连结点与高压电源200之间。

I_K检测放大器40在体现自动显象管偏压(AKB)电路的特征并且因此而需要检测显象管阴极电流“I_K”的视频显示系统中使用。检测放大器40包括一个射极与调压晶体管Q9的集电极耦合的阴极电流检测晶体管Q10。晶体管Q10基极的参考电势由齐纳二极管CR1提供。与二极管CR1并联的电容器C5过滤所调整的齐纳电压。与阴极电流I_K成比例的输出电压通过耦合于晶体管Q10的集电极和地面之间的负载电阻器R16而在输出端18产生。在不需要AKB操作的应用中可以省去该检测放大器。如果省去了该检测放大器，则调压晶体管Q9的集电极接地或者与另一个适当的低压参考电势耦合。

为了概括上述的操作，高压放大器20如上所述放大源10提供的视频信号。为了最小化可归因于与显象管16和它的管座和放电器(未示出)相关的电容以及其它杂散电容的负载电阻器R8上的电容负载，高压放大器20的输出端(晶体管Q3的集电极)经推挽互补射随器30与显象管阴极耦合。这种特定的跟随放大器是“并行”式的，其中各基极并联以用于接收放大的视频信号并且各射极并联以用于驱动阴极。

推挽互补射随器30所包含的器件把呈现给高压放大器20的阴极电容降低，但是也会产生次级电容效应。换言之就是跟随晶体管Q4和Q7的集电极-基极电容。为了有效地降低这些不希望得到的电容值，可降低提供给这些电容的无功充电和放电电流。此特征由两个正反馈调整器50和60提供，它们把跟随晶体管的集电极-射极间电压保持为常数。

例如，如果高压放大器20的输出电压升高，则跟随晶体管Q4的射极电压也将升高，但齐纳二极管CR3和调压晶体管Q6将增加跟随晶体管Q4的集电极电压。类似地，如果降低高压放大器20的输出电压，则跟随晶体管Q4的射极电压也将降低，并且齐纳二极管CR3和调压晶体管Q6将降低跟随晶体管Q4的集电极电压。如图所示，如果齐纳电压为10伏，则晶体管Q4的集电极-射极间电压等于齐纳电压。如果假定齐纳电压是10伏，则所产生的晶体管Q4的集电极-射极间电压将约为10伏。

因此，无论跟随器输入电压增加还是减少，该跟随器的集电极-射极两端的电压保持恒定。由于输入信号经过拐点，所以基极电压相对于跟随晶体管偏压导通或偏压截止(推挽操作)时的发射极将变化几百毫伏。但是可以看出基极-射极间电压的变化与所调整的集电极-射极电压(例如10伏的齐纳电压等)相比较微小。因此，我们可以认为集电极-基极间电压的变化“基本”为常数，并且在动态信号条件下基本上很少有集电极-基极电容的充电和放电。由于这个无功电流被抑制，所以跟随放大器的有效集电极-基极电容被降低。

如上所述，用于调整跟随晶体管的集电极-射极间电压的反馈接近百分之百但不可能等于一，这是因为如果那样的话则需要无限的晶体管Q5和Q6的电流增益。换言之，晶体管Q5和Q6均作为射随器连接，并且增益接近但又小于一。相应地，即使反馈为正，该电路也是稳定的。在一个给定的应用中，如果需要的话可以使用诸如50％的更少反馈量。值得注意的是，实际的齐纳电压不是该电路的关键参数。齐纳旁路电容器(C3或C4)提供所希望的调压器AC阻抗的降低，进而便于宽带操作。

图2示出了由White等人公开的显象管驱动器的第二实施例。在这个实施例中，如图所示，通过去除晶体管Q5和Q6以及电阻器R10和R13并且把反馈控制电路50B和60B与推挽互补射随器30连接可减少总部件数。但是，此实施例并不完全适合与上述的AKB检测一起使用，这是因为把AKB检测电路添加到第二实施例中会使得不希望的电流在AKB间隔期间流经该AKB检测电路，从而不利地影响AKB控制的精确度。在其它情况中的这种影响将在下述的本发明中进行描述。

图3所示为根据本发明对上述White等人的装置所进行的改进。本发明的显象管驱动器使用射随器把视频放大器与显象管耦合并且使用降低该射随器电容的正反馈和AKB电流检测。尽管White装置的输出级射随放大器需要六个有源元件(Q4-Q9)，但本发明只需要四个有源元件(Q4、Q6、Q7和Q9)。根据本发明的其它改进包括改进的AKB检测操作，改进的输出级的AC操作，差分参考输入级的添加，视频放大器级中的白和黑限制电路的添加，以及散热片电容自举。

如图3所示，本发明的AKB检测电路包括一个射随晶体管，它的基极输入端与低压电源端21连接，其集电极与分压网络(R16A和R16B)连接并且其射极与晶体管Q9的集电极连接。电容器C5并联于Q10的基极/射极的结点两端，以用于提供缓冲作用。

对于大于VCC2(R14/(R14+R11))左右的DC输出电压进行改进的AKB检测操作。到达阈值导通装置(齐纳二极管)CR3和CR4的净电流为正并且由晶体管Q4和Q6提供。对于电阻器R14等于电阻器R11的情况来说，到达二极管CR3和CR4的正净电流在DC输出电压约大于终端上的高压电源200的电压(例如VCC2)的一半时发生。这样则提供了绰绰有余的AKB检测截止测定的范围。对于DC的情况来说，CR2A和CR2B的输出偏压二极管网络使得二极管CR2C两端的电压约为零，因此CR2C不导通。在这些情况下，由于二极管CR2C偏压截止，所以DC阴极电流须流经晶体管Q7的发射极，因而，晶体管Q9的集电极电流表示经过传感线圈L1和电阻器R16的CRT阴极电流，所具有的误差等于晶体管Q7和Q9的β的倒数之和。

AKB检测晶体管Q10和电容器C5的缓冲作用在晶体管Q9的集电极提供DC和AC低阻抗，并且提供与CRT阴极电流成比例的“I_K检测”电压的必要限制。晶体管Q9集电极的DC和AC低阻抗是保持CRT驱动器级的频率响应所需要的。因为阴极峰值电流可达到数十个mA，同时AKB截止电流为数十个uA，所以该限制作用正是我们所需要的。对于较高的阴极电流来说，晶体管Q10饱和并且它的集电极电压限制为VCC1+Vbe(晶体管Q10的基极/射极电压)。电阻分压网络R16A和R16B进一步衰减峰值I_K检测电压。在截止时，晶体管Q10在其作为共基极级的线性区域中进行操作并且I_K的电压基本上等于CRT阴极电流乘以电阻器R16B(假定为高阻抗检测)。

自举输出级的AC操作基本上与White等人的装置中的操作相同。也就是说，通过到达频率远远小于Q4和Q7的F_T的所述装置集电极的接近一的正电压反馈可消除晶体管Q4和Q7的集电极-基极输入电容C_cb。有益的是，通过在每个反馈电路中使用比White等人所要求的少一个的有源元件(晶体管)可实现接近一的反馈。而且，电容器C200在阈值导通装置(二极管)CR2C的两端提供，以用于减少驱动CRT阴极的信号的小信号AC的核化(coring)。

参考输入电路(206)和射随晶体管(Q1B)级的增加使得流经晶体管Q2和Q3的集电极电流与“视频IN”和“Ref IN”输入端(分别为终端12A和12B)之间的电压差值成正比，从而在TV或显示的小信号部分和大信号CRT驱动器级之间提供良好的接地差值抑制。(正因如此，视频信号源10提供视频信号S1给输入端12A，并且提供视频信号参考电压S2给高压放大器20的输入端12B。)缺乏充分的接地信号抑制可能会导致“重放”，跳动、以及额外的噪声和人为干扰(artifact pickup)。通过使“视频IN”(12A)和“Ref IN”(12B)的输入端均为高阻抗，来自信号或接地电流的信号幅射被降低。

白色限制电路2000(以虚线示出)包括晶体管Q1、二极管D1以及电阻器R20和R21。这是合乎要求的，因为由过峰值白色驱动引起的晶体管Q3、Q4或Q7的饱和可能使瞬时过驱动变成有害的污点。晶体管Q1以及电阻器R20和R21的作用足以提供限制，但加入二极管D1可平稳并且产生更加令人愉悦的限制作用。另外，二极管D1产生约为净值零Vbe的差分输入(Ref IN)12B的温度补偿。

可以理解的是，所示电阻器R12接地的一边可以与参考输入晶体管Q2的射极连接而不再接地。这必然将提供相同的限制作用，但所参考的是“Ref IN”信号而非地面。

尽管后果的严重性小于过白色峰值，但过“黑外”峰值可使晶体管Q3的集电极-射极间电压Vce减弱，并且使得这些过大的黑色瞬态变得更大，更可见。通过在晶体管Q3的射极和地之间添加电阻器R202可消除这种情况。从共基晶体管Q3流经电阻器R202的DC电流被选择来防止晶体管Q4的电压减弱，即使是在没有电流流经晶体管Q4的发射极时。

CRT驱动器的频率响应和它的限制转换速率首先由晶体管Q3(视频放大器的输出端)的集电极的净电容(Cc)和电阻器R8的值确定。选定电容C2以使(R8)(Cc)的乘积等于(R7)(C2)的乘积。这用于补偿由晶体管Q3的净电容Cc和电阻器R8引起的小信号的滚降(roll off)。但是，在大的变黑瞬态期间，这种补偿不起作用，这是因为晶体管Q3和Q2的集电极电流不能变为负。

最好能够尽可能地降低Cc的有效值，以产生设置晶体管Q3的功率耗散的给定值的电阻器R8的最大信号响应。晶体管Q3的净电容Cc的源包括晶体管Q4和Q7的输入电容，晶体管Q3的集电极-基极电容Ccb，接线电容以及晶体管Q3的散热片电容。

通过自举晶体管Q4和Q7的集电极并且将它们作为射随器进行操作，事实上晶体管Q4和Q7的输入电容被消除。

晶体管Q3的散热片电容体现为从晶体管Q3的集电极到作为典型金属组件的实际散热片的电容器。通过把晶体管Q3的散热片或者与输出端15或者与晶体管Q4或Q7的发射极的信号电连接，由晶体管Q3的散热片增加的电容可被筛分或自举。晶体管Q4和Q7的射极电压跟随晶体管Q3的集电极电压并且具有一个略小于一的正增益。

图4示出了通过正反馈降低散热片有效电容的装置。此处，晶体管Q4或Q7发射极的输出或者输出端15的输出通过DC或AC耦合提供到晶体管Q3的散热片500。晶体管Q3与散热片500热耦合。对于DC屏蔽来说，晶体管Q4或Q7或者输出端15的输出经终端502直接应用到散热片500，或者经电容器506和AC耦合端508进行AC耦合。在其中的任意一种情况下，有利的是高压放大器20的有效负载电容净减少，并且带宽和转换速率因此而增加。

正如图5所示，散热片也可以接地(优点是安全)，其中通过直流连接(DC耦合端602)或者通过AC耦合(电容器610和AC耦合端608)到晶体管Q4的发射极、晶体管Q7的发射极或输出终端15，正反馈施加到筛选导体606。此方法很少能获得热和电的高效率，但却具有某些安全优点，例如避免散热片上的危险电势。

反馈电压与散热片或与屏幕的AC耦合的实例有益于减少散热片的安全隐患，同时与经终端502或602的DC耦合一样有效。

如附图所示，在本发明的所有实施例中的晶体管可以是双极型晶体管。

扼要重述，其中本发明描述了一种显示驱动器，包括：一个与视频信号源耦合的高压放大器；一个隔离装置，包括第一和第二晶体管并且具有一个与所述高压放大器耦合的输入端和一个与显象管阴极耦合的输出端；第一和第二反馈电路，分别与所述第一和第二晶体管耦合，以及一个电流检测电路，与所述隔离装置耦合以用于在所述视频信号的消隐部分期间检测所述显象管阴极的电流，所述电流检测电路与自动显象管偏压电路耦合，其特征在于：一个置于所述第一晶体管和所述隔离装置的所述输出端之间的阈值导通装置，用于在该视频信号的视频节目信息部分期间把所述第一晶体管与所述输出端耦合，并且在所述视频信号的所述消隐部分期间把所述第一晶体管与所述输出端去耦。本发明的另一个方面是上述的显示驱动器，其特征在于：所述隔离装置是一个互补射随器。另一个特性是显示驱动器，其特征在于：所述第一反馈电路与所述阈值导通开关装置的结点和所述第一晶体管的所述发射极耦合。并且上述显示驱动器，其特征在于：一个电容器在所述第一晶体管的所述发射极和所述隔离装置的所述输出端之间与所述阈值导通开关装置并联。在上述的实施例中，显示驱动器，其特征在于：所述第一和第二晶体管根据所述隔离装置的所述输出以推挽组态的形式配置。其中所述第一晶体管为第一种导电类型并且所述第二晶体管为与所述第一晶体管相反的第二种导电类型。这些晶体管可以是双极晶体管，并且各自的输出电极是发射电极。在上述的每一个实施例中，阈值导通开关装置可以是一个二极管。上述电流检测电路可以与包含在所述隔离装置中的第二晶体管耦合以用于在所述消隐间隔期间检测所述显象管阴极的电流。

Claims (9)

1.一种显示驱动器，包括：

一个与视频信号源(10)耦合的高压放大器(20B)；

一个隔离装置(30A)，包括第一和第二晶体管(Q4，Q7)并且具有一个与所述高压放大器耦合的输入端和一个与显象管阴极(16)耦合的输出端(15)；

第一和第二反馈电路(50B，60B)，分别与所述第一和第二晶体管(Q4，Q7)耦合，以及

一个电流检测电路(40A)，与所述隔离装置(30A)耦合以用于在所述视频信号的消隐部分期间检测所述显象管阴极的电流，所述电流检测电路与自动显象管偏压电路耦合，其特征在于：

一个置于所述第一晶体管(Q4)和所述隔离装置(30A)的所述输出端(15)之间的阈值导通装置(CR2C)，用于在该视频信号的视频节目信息部分期间把所述第一晶体管(Q4)与所述输出端耦合，并且在所述视频信号的所述消隐部分期间把所述第一晶体管与所述输出端去耦。

2.根据权利要求1所述的显示驱动器，其特征在于：所述隔离装置(30A)是一个互补射随器。

3.根据权利要求1所述的显示驱动器，其特征在于：所述第一反馈电路与所述阈值导通装置(CR2C)的结点(230)和所述第一晶体管的所述发射极耦合。

4.根据权利要求1所述的显示驱动器，其特征在于：一个电容器(C200)在所述第一晶体管的所述发射极和所述隔离装置的所述输出端之间与所述阈值导通开关装置并联。

5.根据权利要求2所述的显示驱动器，其特征在于：所述第一和第二晶体管根据所述隔离装置的所述输出以推挽组态的形式配置。

6.根据权利要求5所述的显示驱动器，其特征在于：所述第一晶体管为第一种导电类型并且所述第二晶体管为与所述第一晶体管相反的第二种导电类型。

7.根据权利要求6所述的显示驱动器，其特征在于：所述第一和第二晶体管(Q4，Q7)是双极晶体管，并且各自的输出电极是发射电极。

8.根据权利要求6或7所述的显示驱动器，其特征在于：所述阈值导通装置(CR2C)是一个二极管。

9.根据权利要求2所述的显示驱动器，其特征在于：所述电流检测电路与包含在所述隔离装置(30A)中的所述第二晶体管(Q7)耦合以用于在所述消隐间隔期间检测所述显象管阴极的电流。

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