CN118251982A - 显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种显示面板和显示装置，该显示面板包括基板以及位于基板上的隔离结构、显示功能层和第一封装层。隔离结构位于基板上且具有第一端部和第二端部，第二端部位于第一端部的远离基板的一侧，第一端部在基板上的正投影位于第二端部在基板上的正投影之内，隔离结构限定出多个第一开口。显示功能层包括位于第一开口内的发光器件。第一封装层位于显示功能层的远离基板的一侧。发光器件的至少部分膜层的边缘部分的一部分在基板上的正投影位于第二端部在基板上的正投影之内。该设计可以减小隔离结构在相邻的第一开口之间的部分宽度。
Description
本公开要求于2023年07月13日递交的中国专利申请第202310855866.X号、2023年03月31日递交的中国专利申请第202310356240.4号、2023年09月28日递交的中国专利申请第202311275756.2号、2023年04月09日递交的中国专利申请第202310392090.2号的优先权、2023年06月26日递交的中国专利申请第202310759370.2号的优先权、2023年04月09日递交的中国专利申请第202310369642.8号的优先权、2023年07月12日递交的中国专利申请第202310854721.8号的优先权、2023年04月09日递交的中国专利申请第202310369659.3号的优先权、2023年07月12日递交的中国专利申请第202310853873.6号的优先权，在此全文引用上述中国专利申请公开的内容以作为本申请的一部分。
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体地，涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED，Organic Light-Emitting Diode)是一种有机薄膜电致发光器件，其因具有功耗小、亮度高、视角宽、对比度高及可实现柔性显示等优点，而受到人们极大的关注并在电子显示产品中得到广泛应用。
然而，当前的电子显示产品限于自身结构的设计，面临进一步提高像素密度的需求。
发明内容
本公开第一方面提供一种显示面板，该显示面板包括基板、显示功能层和隔离结构。显示功能层包括多个发光器件，每个发光器件包括在基板上依次叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，发光功能层包括有效功能区，且发光功能层包括第一功能层。隔离结构位于基板上且环绕发光功能层。隔离结构包括隔断部，隔断部包括面向基板的第一端部及背离基板的第二端部，有效功能区在基板上的正投影位于隔离结构的第二端部在基板上的正投影之外，第一功能层的边缘在基板上的正投影，位于第一端部在基板上的正投影之外，且位于第二端部在基板上的正投影之内。在与基板垂直的截面上，且在隔离结构的同一侧，第一功能层的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基板所在面构成的锐角为第二倾角，有效功能区的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基板所在面构成的锐角的正切值，不大于第二倾角的正切值，且第一端部的边缘和第二端部的边缘在沿与基板所在面垂直方向上的高度差，第一端部的边缘和第二端部的边缘在沿与基板所在面平行方向上的间距的比值，不大于第二倾角的正切值。例如，第一功能层的位于有效功能区中的部分的膜厚均匀。
在上述方案中，通过有效功能区的边界以及第二端部(其边缘)的高度确定第一蒸镀角，并且根据第一蒸镀角以及第二端部的高度确定第一功能层的边缘的延伸位置，基于第一功能层被隔断部隔断的原则可以推断出该延伸位置与第二端部的间距，以推断出第二端部的边缘位置的可选范围，如此，可以构建有效功能区的边缘、第一功能层的边缘、隔离结构的宽度(第一端部和第二端部的边缘位置)和高度(第一端部和第二端部的边缘的高度差)、蒸镀角这些参数之间的联系，并结合第一端部的宽度尺寸的可选范围(存在下限值)，可以反推出有效功能区的可选宽度范围，并推断出主要发光区的可选宽度范围(包括最大宽度)，从而可以在特定的像素密度设计要求下，获得主要发光区的最大设计宽度，以保证主要发光区在实际工艺下的设计面积(该面积下的宽度可以等于最大设计宽度，也可以略小于最大设计宽度)，如此，可以在维持第一功能层被隔断部隔断的同时，提高发光器件的排布密度。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中，隔离结构限定有多个第一开口，发光功能层和第二电极位于第一开口中，隔断部包括导电部分，且第二电极与隔断部的导电部分连接，隔断部的面向基板的第一端部在基板上的正投影，位于隔断部的背离基板的第二端部在基板上的正投影之内。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中，在与基板垂直的截面上，且在隔离结构的同一侧，第二电极的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基板所在面构成的锐角为第一倾角，第一倾角小于第二倾角，有效功能区的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基板所在面构成的锐角小于或等于第一倾角。例如，第二电极的位于有效功能区中的部分的膜厚均匀。
在上述方案中，可以保证第二电极以及发光功能层中的所有膜层在有效功能区的膜厚均匀分布的情况下，获得有效功能区的边缘和第二端部的边缘在横向上的间距的最小可设计尺寸，据此可以获得相邻有效功能区域之间的最小间距，从而维持第一功能层被隔断部隔断的同时，提高发光器件的排布密度(相当于像素密度)。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中，在与基板垂直的截面上，且在隔离结构的同一侧，第一端部的边缘(例如朝向基板的表面的边缘)和第二端部的边缘所确定的直线，与基板所在面构成的锐角不小于第一倾角且不大于第二倾角。
在上述方案中，可以获得第一端部的边缘和第二端部的边缘在横向上的间距的最小可设计尺寸，据此进一步获得相邻有效功能区域之间的最小间距，从而维持第一功能层被隔断部隔断的同时，提高发光器件的排布密度(相当于像素密度)。
例如，第一端部的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基板所在面构成的锐角大于第一倾角，以使得第二电极与第一端部的侧表面的至少部分重叠且接触。
在上述方案中，可以保证第二电极与隔离结构的第一端部的搭接，且使得第二电极的与隔离结构的搭接部分具有相对较大的厚度以免接触不良或者搭接处的电阻过大。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中，有效功能区的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基板所在面构成的锐角等于第一倾角，第一端部的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基板所在面构成的锐角等于第二倾角。
在上述方案中，在保证发光器件的各个膜层在有效功能区中膜厚均匀的情况下，将有效功能区的边缘和第二端部的边缘在横向上的间距、第一端部的边缘和第二端部的边缘在横向上的间距都设计为了最小尺寸，从而最大化减小相邻有效功能区域之间的间距，从而维持第一功能层被隔断部隔断的同时，使得发光器件的排布密度(相当于像素密度)最大化。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中，隔离结构为一体化结构。例如，进一步地，沿与基板垂直的方向，隔断部位于相邻两个子像素之间的部分的截面形状为倒梯形，倒梯形的顶边位于基板和倒梯形的底边之间，第一端部的面向基板的表面的边缘为第一端部的边缘，第二端部的背离基板的表面的边缘为第二端部的边缘。
在本公开第一方面的另一个具体实施方式中，隔断部包括在基板上依次叠置的支撑部和阻挡部，支撑部构成第一端部，阻挡部构成第二端部。例如，进一步地，沿与基板垂直的方向，支撑部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓形状为正梯形，且隔离结构位于支撑部的顶边，支撑部的面向基板的表面的边缘为第一端部的边缘。例如，更进一步地，沿与基板垂直的方向，阻挡部位于相邻两个子像素之间的部分的截面形状为正梯形，阻挡部的面向支撑部的表面的边缘，为第二端部的边缘。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中，发光功能层还包括发光层和第二功能层，第一功能层、发光层和第二功能层位于第一电极和第二电极之间，且在第一电极上依次叠置，发光层和第二共通层第二功能层中任一方的边缘在基板上的正投影，位于第一共通层第一功能层的边缘在基板上的正投影和第二电极的边缘在基板上的正投影之间。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中，显示面板还可以包括像素界定层，该像素界定层位于隔离结构和第一电极所在层之间，且覆盖相邻的第一电极之间的间隙。像素界定层界定有第二开口，发光功能层覆盖第二开口，第二开口与第一开口分别对应且彼此连通，第二开口在基板上的正投影位于对应的第一开口在基板上的正投影之内。
在上述方案中，通过设计像素界定层，可以消除第一电极与相邻的隔离结构(例如其中导电的第一端部)搭接的风险，从而使得第一电极具备较大的设计尺寸，以保证有效功能区的设计面积。
例如，像素界定层位于相邻两个子像素之间的部分沿与基板垂直的截面形状为正梯形，且在隔离结构的同一侧，像素界定层的背离基板的表面的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基板所在面构成的锐角等于第二倾角。
在上述方案中，可以使得第二电极在像素界定层的侧壁(具有坡度)上具备相对较大的膜厚，以避免第二电极因段差导致膜层的延续性不良。
例如，像素界定层位于相邻两个子像素之间的部分沿与基板垂直的截面形状为正梯形，且在隔离结构的同一侧，像素界定层的面向基板的表面的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基板所在面构成的锐角等于第一倾角。
在上述方案中，像素界定层的第二开口的边界与有效功能区的边界重合，从而使得发光器件的发光区与有效功能区重合，以使得发光区的发光部分都能具备最大的发光效率，从而改善出光均匀度；相应地，该设计可以在保证发光器件最大发光效率的同时，获得像素界定层的边界可延伸的范围，以获得像素界定层的最大设计宽度(两个相邻的第一开口之间的部分的宽度)，从而有利于规划像素间隙(相邻发光器件的发光区域的间隙)的宽度。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中，相邻第一电极的间隙在基板上的正投影，与第一端部的面向基板的表面在基板上的正投影重合。如此，可以获得隔离结构的第一端部的最小可设计宽度，据此可以获得相邻有效功能区域之间的最小间距，从而维持第一功能层被隔断部隔断的同时，提高发光器件的排布密度(相当于像素密度)。
在本公开第一方面的另一个具体实施方式中，相邻第一电极的间隙在基板上的正投影，位于第一端部的面向基板的表面在基板上的正投影之内。如此，可以保证隔离结构的第一端部可以完全覆盖因第一电极之间的间隙导致存在于像素界定层表面的凹槽，以保证隔离结构的制备良率。
在本公开第一方面的一个具体实施方式中，像素界定层的覆盖第一电极的间隙的部分与第一电极的间隙共形，且像素界定层为无机材料膜层。如此，像素界定层具有较小的厚度，可以保证第二电极在像素界定层的开口处的连续性，而且可以避免因像素界定层厚度过大而导致隔离结构的高度过高(影响有效功能区的间隙尺寸)，从而进一步提高显示面板的像素密度或者有效功能区的设计面积(关系像素的出光面积、开口率等)。
本公开第二方面提供一种显示面板，该显示面板包括基板以及位于基板上的隔离结构、显示功能层和第一封装层。隔离结构位于基板上且具有第一端部和第二端部，第二端部位于第一端部的远离基板的一侧，第一端部在基板上的正投影位于第二端部在基板上的正投影之内，隔离结构限定出多个第一开口。显示功能层位于基板上且包括多个位于对应的第一开口内的发光器件，发光器件包括在基板上叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，第一开口限位对应的发光器件。第一封装层位于显示功能层的远离基板的一侧。发光器件的至少部分膜层的边缘部分的一部分在基板上的正投影位于第二端部在基板上的正投影之内。
可选地，沿发光器件中部到对应边缘的方向，发光器件的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小。
在上述方案中，发光器件的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小，代表该些膜层是通过隔离结构进行蒸镀形成的，且发光器件在第二端部的边缘处的厚度是小于其中间部分的厚度的，据此可以设计隔离结构的高度，以在保证第一封装层的封装效果的同时，使得隔离结构具有相对较小的高度，以进一步减小隔离结构在相邻的第一开口之间的部分宽度，从而提高显示面板的开口率、像素密度等。
可选地，显示面板包括有多个子像素，子像素包括有两个相对的长边和两个相对的短边，部分子像素仅短边处具有沿发光器件中部到对应边缘的方向厚度逐渐减小的边缘部分，而长边处不具有沿发光器件中部到对应边缘的方向厚度逐渐减小的边缘部分。
在本公开第二方面的一个具体实施方式中，沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘至第一端部的边缘的距离为第一高度；在发光器件的正截面内，第一封装层的面向基板的表面的位于经过第二端部的边缘并垂直于基板所在面的直线上的位置，与第一端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离为隔断关联高度，第一高度与隔断关联高度的差值不小于封装安全余量。
沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘至第一端部的边缘的距离为第一高度，且在发光器件的中间位置，第一封装层和第一电极之间的间距为第二高度。第二高度与第一厚度系数的乘积为第一数值，第一高度与第一数值的差值不小于封装安全余量。
在上述方案中，通过调整第一高度和第一数值的差值与封装安全余量的差值，可以控制第一封装层的封装程度，以保证第一封装层具有基本的封装效果的同时，平衡第一封装层的封装效果和隔离结构的高度的关系，从而在满足不同封装要求的情况下，可以获得隔离结构在相邻的第一开口之间的部分的最小宽度，以进一步提高显示面板的开口率、像素密度等。
可选地，第一厚度系数大于等于M并小于1，M等于0.5±0.2；
可选地，第一厚度系数等于M。
可选地，M为隔断关联高度与第二高度的比值。
可选地，第一厚度系数大于等于0.5并小于1。
在本公开第二方面的一个具体实施方式中，在发光器件的中间位置，第一封装层具有第二厚度，第一封装层覆盖发光器件以及部分第二端部的侧面，封装安全余量等于第二厚度与第二厚度系数的乘积。封装安全余量基于对发光器件等相关膜层的保护需求进行设定，从而可以保证第一封装层的基本封装效果。
可选地，第一封装层在隔离结构侧面形成有闭合腔室，第二厚度系数为0.2-2。
可选地，第二厚度系数为0.25-1.2；进一步可选地，第二厚度系数为0.3-0.8。
可选地，显示面板包括有多个子像素，子像素包括有两个相对的长边和两个相对的短边，部分子像素仅短边处具有沿发光器件中部到对应边缘的方向厚度逐渐减小的边缘部分，而长边处不具有沿发光器件中部到对应边缘的方向厚度逐渐减小的边缘部分。
在本公开第二方面的一个具体实施方式中，第二端部的边缘在基板所在面上的正投影和第一端部的边缘在基板所在面上的正投影的间距为第一宽度，在发光器件的正截面内，经由第二电极的边缘与第二端部边缘的直线，与基板所在面相交构成的锐角为第一倾角，第一宽度小于第一高度与第一倾角的余切值的乘积。上述第一倾角可以代表第二电极在蒸镀形成时的蒸镀角，通过控制第一宽度、第一高度与该蒸镀角的数值关系，可以保证第二电极的边缘可以搭接在隔离结构(例如其第一端部)上，从而保证发光器件的第二电极通过隔离结构与外部电路(例如公共电极线或者其它像素驱动电路)连接。
可选地，第二电极具有搭接在第一端部的侧表面的翘尾部。
可选地，在发光器件的正截面内，发光功能层的边缘与第二端部边缘的直线，与基板所在面相交构成的锐角为发光功能层倾角，发光功能层倾角大于第一倾角。
可选地，第一宽度大于第一高度与发光功能层倾角的余切值的乘积。
可选地，发光功能层包括第一功能层，在发光器件的正截面内，经由第一功能层的边缘与第二端部边缘的直线，与基板所在面相交构成的锐角为第二倾角，第二倾角大于发光功能层倾角在该设计下，相较于整个发光功能层的边缘，第一功能层的边缘和隔离结构的间距更大，从而可以避免第一功能层通过隔离结构连接在一起，从而避免电流泄漏导致显示面板发光效率降低问题。
可选地，发光功能层还包括发光层和第二功能层，发光层和第二功能层覆盖第一功能层的边缘。该设计可以避免第一功能层越过发光层和第二功能层而直接与第二电极连接，以保证发光器件的发光效果。
可选地，在发光器件的正截面内，第二电极在经过第一电极的边缘并垂直于基板所在面位置的厚度，小于第二电极对应于发光器件的中间位置的部分的厚度。
在本公开第二方面的一个具体实施方式中，第二端部的边缘在基板上的正投影，位于第一电极的边缘在基板上的正投影和第一端部的边缘在基板上的正投影之间。该设计可以使得第一电极的边缘不会延伸至第二端部的边缘处，从而不会因设置第一电极而增加发光器件的表面在该边缘处的高度，以为第一封装层预留足够的空间而具备良好的封装效果，相应地，隔离结构的整体设计高度可以允许降低，从而进一步减小隔离结构在相邻的第一开口之间的部分宽度。
可选地，在发光器件的正截面上，第一电极的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离，小于：发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积。
在上述方案中，可以保证第一电极具有足够大的面积，在发光功能层的膜厚均匀的区域(例如上述的有效功能区)，都会存在第一电极，从而提高发光器件的均匀发光区域(其中的发光功能层的膜厚均匀)的面积，以增加显示面板的开口率；此外，该方案为第一电极和隔离结构的对位精度提供足够的余量，即便在第一电极和隔离结构的位置存在偏移的情况下，也可以保证发光器件的均匀发光区域的面积和位置不受影响。
可选地，在发光器件的正截面上，发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积，小于或者等于：第一电极的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离。
在上述方案中，在发光器件的分布有第一电极的区域，发光功能层的膜厚都是均匀的，从而可以保证发光器件的发光区域出射的光线的波长比较一致，以消除发光器件中存在颜色不同的杂光的问题。
在本公开第二方面的一个具体实施方式中，显示面板还可以包括像素界定层，像素界定层位于第一电极上并位于隔断部的面向基板的一侧且界定有第二开口，第一电极从第二开口露出，且第一端部的边缘位于像素界定层上表面内。
在上述方案中，通过设置像素界定层可以使得第一电极可以存在较大的面积，从而不需要考虑第一电极和隔离结构在制备工艺中的对位精度问题。
可选地，在发光器件的正截面上，第一电极从第二开口露出部分的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离，小于：发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积。
在上述方案中，在发光功能层的膜厚均匀的区域(例如上述的有效功能区)，都会存在第一电极，从而提高发光器件的均匀发光区域(其中的发光功能层的膜厚均匀)的面积，以增加显示面板的开口率。
可选地，在发光器件的正截面上，发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积，小于或等于第一电极从第二开口露出部分的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离。
在上述方案中，在发光器件的分布有第一电极的区域，发光功能层的膜厚都是均匀的，从而可以保证发光器件的发光区域出射的光线的波长比较一致，以消除发光器件中存在颜色不同的杂光的问题。
可选地，像素界定层为无机层，像素界定层的覆盖相邻的第一电极的间隙的部分具有与间隙共形的凹槽，第一端部的朝向基板的表面覆盖凹槽。
在上述方案中，无机的像素界定层可以具有较小的厚度，从而像素界定层的边缘处存在较小的段差，以提高第二电极在该边缘处的连续性；此外，该方案可以降低因设置像素界定层而导致隔离结构的高度增加的程度；另外，第一端部完全覆盖凹槽，从而消除凹槽对隔离结构的影响，以保证第一端部的边缘各处的高度相同。
可选地，发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离等于：第一高度与像素界定层的厚度之和。
在本公开第二方面的一个具体实施方式中，显示面板还可以包括保护层，保护层为绝缘层，保护层包括多个保护单元，保护单元位于第一电极与第一端部之间。
在上述方案中，在制备隔离结构的过程中，通过保护层可以对第一电极进行保护，以避免第一电极出现侧蚀，从而提高发光器件的良率。
可选地，保护单元覆盖第一电极的侧壁并与隔离结构的第一端部具有间隔；或者，保护单元覆盖第一电极的侧壁和第一端部的侧壁。
在上述方案中，保护单元与基板的结合强度更高，且第一电极夹设在保护单元与基板之间，从而进一步降低第一电极从基板上脱落的风险。
可选地，与基板所在面垂直且经过第二端部的边缘的直线经过保护单元。
可选地，保护单元与隔离结构的第一端部具有间隔，沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘与第一端部的边缘在垂直于基板所在面方向的距离为第一高度，在发光器件的正截面内，第一封装层的面向基板的表面的位于经过第二端部的边缘并垂直于基板所在面的直线上的位置，与第一端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离为隔断关联高度，第一高度与隔断关联高度的差值不小于封装安全余量；或者，
沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘至第一端部的边缘的距离为第一高度，且在发光器件的中间位置，第一封装层和第一电极之间的间距为第二高度，第二高度与第一厚度系数的乘积为第一数值，第一数值与保护单元的厚度的和为第二数值，第一高度与第二数值的差值不小于封装安全余量；可选地，第一厚度系数大于等于M并小于1，M等于0.5±0.2，进一步可选地，M为隔断关联高度与第二高度的比值，进一步可选地，第一厚度系数等于M；或者，
保护层覆盖第一电极的侧壁和第一端部的部分侧壁，沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘与第一端部的边缘在垂直于基板所在面方向的距离为第一高度，在发光器件的正截面内，第一封装层的面向基板的表面的位于经过第二端部的边缘并垂直于基板所在面的直线上的位置，与第一端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离为隔断关联高度，第一高度与隔断关联高度的差值不小于封装安全余量；或者，
沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘至第一端部的边缘的距离为第一高度，且在发光器件的中间位置，第一封装层和第一电极之间的间距为第二高度，第二高度与第一厚度系数的乘积为第一数值，第一高度与第一数值的差值不小于封装安全余量；可选地，第一厚度系数大于等于M并小于1，M等于0.5±0.2，进一步可选地，M为隔断关联高度与第二高度的比值，进一步可选地，第一厚度系数等于M。
可选地，在发光器件的正截面上，第一电极从保护层露出部分的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离，小于：发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积。
在上述方案中，通过调节保护层的保护单元对第一电极的覆盖面积，可以使得发光功能层的膜厚均匀的区域(例如上述的有效功能区)都会存在第一电极，从而提高发光器件的均匀发光区域(其中的发光功能层的膜厚均匀)的面积，以增加显示面板的开口率；此外，该方案为第一电极和隔离结构的对位精度提供足够的余量，即便在第一电极和隔离结构的位置存在偏移的情况下，也可以保证发光器件的均匀发光区域的面积和位置不受影响。
可选地，在发光器件的正截面上，发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积，小于或等于第一电极从保护层露出部分的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离。
在上述方案中，通过调节保护层的保护单元对第一电极的覆盖面积，可以在发光器件的分布有第一电极的区域，使得发光功能层的膜厚都是均匀的，从而可以保证发光器件的发光区域出射的光线的波长比较一致，以消除发光器件中存在颜色不同的杂光的问题。
可选地，第一端部包括面向基板一侧的连接部，连接部和第一电极同层且同材料。在该方案中，可以在制备第一电极的过程中同步制备连接部，以降低隔离结构的厚度要求；此外，通过连接部来连接隔离结构和基板，从而降低隔离结构从基板上脱落的风险。
可选地，保护单元与隔离结构的第一端部具有间隔，基板包括面向隔离结构的一侧的第一平坦层和第二平坦层，第二平坦层位于第一平坦层和隔离结构之间，且位于第一平坦层和第一电极之间，第一平坦层为有机层，第二平坦层为无机层。在该方案中，第二平坦层为无机层，可以增加基板和隔离结构以及第一电极的结合强度，从而降低第一电极、隔离结构从基板上脱落的风险。
在本公开第二方面的一个具体实施方式中，显示面板还可以包括至少一个光学功能层，光学功能层位于发光功能层远离基板的一侧，且包括多个光学功能单元。
可选地，在发光器件的正截面上，光学功能单元的边缘至第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角，大于或者等于发光功能层的边缘至第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角。
在上述方案中，光学功能单元的厚度均匀的部分会覆盖发光功能层的厚度均匀的部分，以使得发光器件出射的光尽可能多的经过光学功能单元的厚度均匀的部分，以提高显示面板的显示效果。
可选地，光学功能单元位于发光功能层和第一封装层之间，至少部分第一开口内设置有光学功能单元，且光学功能单元的边缘部分的一部分在基板上的正投影位于第二端部在基板上的正投影之内，且沿发光器件中部到对应边缘的方向，光学功能单元的边缘部分的厚度逐渐减小。
在上述方案中，光学功能单元的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小，代表该些膜层是通过隔离结构进行蒸镀形成的，且光学功能单元在第二端部的边缘处的厚度是小于其中间部分的厚度的，据此可以设计隔离结构的高度，以在保证第一封装层的封装效果的同时，使得隔离结构具有相对较小的高度，以进一步减小隔离结构在相邻的第一开口之间的部分宽度，从而提高显示面板的开口率、像素密度等。
可选地，所述光学功能单元设置为包括至少一种，光学功能单元为颜色转换单元、光取出单元、光调控单元、填充单元和滤光单元中的一种；或者，光学功能单元设置为包括至少两种，至少两种光学功能单元为颜色转换单元、光取出单元、光调控单元、填充单元和滤光单元中的不同种。
在上述方案中，在光学功能单元包括颜色转换单元的情况下，显示面板的发光器件可以设置为发出相同颜色的光线，以使得各个发光器件可以同步制备，以简化显示面板的制备工艺流程。
在本公开第二方面的一个具体实施方式中，隔断部包括在基板上叠置的支撑部和阻挡部，支撑部构成第一端部，阻挡部构成第二端部。
可选地，第一封装层和阻挡部的表面接触，第一封装层和阻挡部的材料相同。
在本公开第二方面的一个具体实施方式中，支撑部中设置有网格状的分割孔，分割孔将支撑部分割为多个子支撑部，阻挡部覆盖并填充分割孔，支撑部为导电结构，阻挡部为绝缘结构，第二电极与对应的子支撑部连接。
在上述方案中，通过分割孔以将隔断部的导电部分分割为子支撑部，从而使得发光器件的第二电极彼此独立，从而使得每个发光器件的第二电极可以被独立驱动。
在本公开第二方面的一个具体实施方式中，在隔断部包括在基板上叠置的支撑部和阻挡部的情况下，在发光器件的正截面上，阻挡部具有倾斜的侧壁，第二电极的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角，和阻挡部的侧壁与基板所在面相交的锐角的差值不小于预设角度。
在本公开第二方面的一个具体实施方式中，隔离结构的第一端部和第二端部为一体结构，且在与基板所在面垂直的方向，隔断部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓为倒梯形，倒梯形的底的边缘为第二端部的边缘，倒梯形的顶的边缘为第一端部的边缘。
在本公开第二方面的一个具体实施方式中，相邻的发光器件的第一电极与对应发光功能层相接触部分的边缘之间的间距为像素间距，像素间距为2000-18000纳米，显示面板的像素密度为90PPI至7400PPI。
本公开第三方面提供一种显示面板，该显示面板包括基板以及位于基板上的隔离结构、显示功能层、第一封装层和至少一个光学功能层。隔离结构位于基板上且具有第一端部和第二端部，第二端部位于第一端部的远离基板的一侧，第一端部在基板上的正投影位于第二端部在基板上的正投影之内，隔离结构限定出多个第一开口。显示功能层位于基板上且包括多个位于对应的第一开口内的发光器件，发光器件包括在基板上叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，第一开口限位对应的发光器件。第一封装层位于显示功能层的远离基板的一侧。光学功能层位于发光功能层远离基板的一侧，且包括多个光学功能单元。发光器件的至少部分膜层的边缘部分的一部分在基板上的正投影位于第二端部在基板上的正投影之内。
可选地，沿发光器件中部到对应边缘的方向，发光器件的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，光学功能单元位于发光功能层和第一封装层之间，至少部分第一开口内设置有光学功能单元。
可选地，光学功能单元位于发光功能层和第一封装层之间，光学功能单元的边缘部分的一部分在基板上的正投影位于第二端部在基板上的正投影之内，且沿发光器件中部到对应边缘的方向，光学功能单元的边缘部分的厚度逐渐减小。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘至第一端部的边缘的距离为第一高度；在发光器件的正截面内，第一封装层的面向基板的表面的位于经过第二端部的边缘并垂直于基板所在面的直线上的位置，与第一端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离为隔断关联高度，第一高度与隔断关联高度的差值不小于封装安全余量。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘至第一端部的边缘的距离为第一高度，且在发光器件的中间位置，第一封装层和第一电极之间的间距为第二高度。第二高度与第一厚度系数的乘积为第一数值，第一高度与第一数值的差值不小于封装安全余量。
可选地，第一厚度系数大于等于M并小于1，M等于0.5±0.2，进一步可选地，M为隔断关联高度与第二高度的比值，进一步可选地，第一厚度系数等于M。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，在发光器件的中间位置，第一封装层具有第二厚度，第一封装层覆盖发光器件以及部分第二端部的侧面，封装安全余量等于第二厚度与第二厚度系数的乘积。
可选地，第一封装层在隔离结构侧面形成有闭合腔室，第二厚度系数为0.2-2。
可选地，第二厚度系数为0.25-1.2，进一步可选地，第二厚度系数为0.3-0.8。
可选地，显示面板包括有多个子像素，子像素包括有两个相对的长边和两个相对的短边，部分子像素仅短边处具有沿发光器件中部到对应边缘的方向厚度逐渐减小的边缘部分，而长边处不具有沿发光器件中部到对应边缘的方向厚度逐渐减小的边缘部分。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，第二端部的边缘在基板所在面上的正投影和第一端部的边缘在基板所在面上的正投影的间距为第一宽度。在发光器件的正截面内，经由第二电极的边缘与第二端部边缘的直线，与基板所在面相交构成的锐角为第一倾角，第一宽度小于第一高度与第一倾角的余切值的乘积。
可选地，第二电极具有搭接在第一端部的侧表面的翘尾部。
可选地，在发光器件的正截面内，发光功能层的边缘与第二端部边缘的直线，与基板所在面相交构成的锐角为发光功能层倾角，发光功能层倾角大于第一倾角。
可选地，第一宽度大于第一高度与发光功能层倾角的余切值的乘积。
可选地，发光功能层包括第一功能层，在发光器件的正截面内，经由第一功能层的边缘与第二端部边缘的直线，与基板所在面相交构成的锐角为第二倾角，第二倾角大于发光功能层倾角。
可选地，发光功能层还包括发光层和第二功能层，发光层和第二功能层覆盖第一功能层的边缘。
可选地，在发光器件的正截面内，第二电极在经过第一电极的边缘并垂直于基板所在面位置的厚度，小于第二电极对应于发光器件的中间位置的部分的厚度。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，第二端部的边缘在基板上的正投影，位于第一电极的边缘在基板上的正投影和第一端部的边缘在基板上的正投影之间。
可选地，在发光器件的正截面上，第一电极的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离，小于：发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积。
可选地，在发光器件的正截面上，发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积，小于或者等于：第一电极的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，显示面板还可以包括像素界定层，像素界定层位于第一电极上并位于隔断部的面向基板的一侧且界定有第二开口，第一电极从第二开口露出，且第一端部的边缘位于像素界定层上表面内。
可选地，在发光器件的正截面上，第一电极从第二开口露出部分的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离，小于：发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积。
可选地，在发光器件的正截面上，发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积，小于或等于第一电极从第二开口露出部分的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离。
可选地，像素界定层为无机层，像素界定层的覆盖相邻的第一电极的间隙的部分具有与间隙共形的凹槽，第一端部的朝向基板的表面覆盖凹槽。
可选地，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离等于：第一高度与像素界定层的厚度之和。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，显示面板还可以包括保护层，保护层为绝缘层，保护层包括多个保护单元，保护单元位于第一电极与第一端部之间；
可选地，保护单元覆盖第一电极的侧壁并与隔离结构的第一端部具有间隔。或者，保护单元覆盖第一电极的侧壁和第一端部的侧壁。
可选地，与基板所在面垂直且经过第二端部的边缘的直线经过保护单元。
可选地，所述保护单元与隔离结构的第一端部具有间隔，沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘与第一端部的边缘在垂直于基板所在面方向的距离为第一高度，在发光器件的正截面内，第一封装层的面向基板的表面的位于经过第二端部的边缘并垂直于基板所在面的直线上的位置，与第一端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离为隔断关联高度，第一高度与隔断关联高度的差值不小于封装安全余量；或者，
沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘至第一端部的边缘的距离为第一高度，且在发光器件的中间位置，第一封装层和第一电极之间的间距为第二高度，第二高度与第一厚度系数的乘积为第一数值，第一数值与保护单元的厚度的和为第二数值，第一高度与第二数值的差值不小于封装安全余量；可选地，第一厚度系数大于等于M并小于1，M等于0.5±0.2，进一步可选地，M为隔断关联高度与第二高度的比值，进一步可选地，第一厚度系数等于M；或者，
所述保护层覆盖第一电极的侧壁和第一端部的部分侧壁，沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘与第一端部的边缘在垂直于基板所在面方向的距离为第一高度，在发光器件的正截面内，第一封装层的面向基板的表面的位于经过第二端部的边缘并垂直于基板所在面的直线上的位置，与第一端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离为隔断关联高度，第一高度与隔断关联高度的差值不小于封装安全余量；或者，
沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘至第一端部的边缘的距离为第一高度，且在发光器件的中间位置，第一封装层和第一电极之间的间距为第二高度，第二高度与第一厚度系数的乘积为第一数值，第一高度与第一数值的差值不小于封装安全余量；可选地，第一厚度系数大于等于M并小于1，M等于0.5±0.2，进一步可选地，M为隔断关联高度与第二高度的比值，进一步可选地，第一厚度系数等于M。
可选地，在发光器件的正截面上，第一电极从保护层露出部分的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离，小于：发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积。
可选地，在发光器件的正截面上，发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积，小于或等于第一电极从保护层露出部分的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离。
可选地，第一端部包括面向基板一侧的连接部，连接部和第一电极同层且同材料。
可选地，保护单元与隔离结构的第一端部具有间隔，基板包括面向隔离结构的一侧的第一平坦层和第二平坦层，第二平坦层位于第一平坦层和隔离结构之间，且位于第一平坦层和第一电极之间，第一平坦层为有机层，第二平坦层为无机层。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，光学功能单元位于第二电极与第一封装层之间，第二高度包括光学功能单元的与发光器件的中间位置对应的部分的厚度。
可选地，在发光器件的正截面上，光学功能单元的边缘至第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角，大于或者等于发光功能层的边缘至第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角。
可选地，显示面板还包括像素界定层，像素界定层位于第一电极上并位于隔断部的面向基板的一侧且界定有第二开口，第一电极从第二开口露出，且第一端部的边缘位于像素界定层上表面内，在发光器件的正截面上，光学功能单元的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与光学功能单元下表面的中间部分在垂直于基板所在面方向上与第二端部的边缘的距离的乘积，小于或者等于第一电极的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离。
可选地，光学功能单元下表面的中间部分在垂直于基板所在面方向上与第二端部的边缘的距离等于：第一高度与像素界定层的厚度之和，与光学功能单元的下表面的中间部分和第一电极的中间部分在垂直于基板所在面方向上的距离之差。
可选地，光学功能单元设置为至少一种，光学功能单元为颜色转换单元、光取出单元、光调控单元、填充单元和滤光单元中的一种。或者，光学功能单元设置为至少两种，至少两种光学功能单元为颜色转换单元、光取出单元、光调控单元、填充单元和滤光单元中的不同种。
可选地，光学功能单元设置为包括颜色转换单元、光取出单元、光调控单元、填充单元和滤光单元，其中，颜色转换单元与填充单元对应于不同的发光器件且并列排布，滤光单元位于对应的颜色转换单元或填充单元的远离基板的一侧，光调控单元位于对应的光取出单元的远离基板的一侧，颜色转换单元位于对应的光取出单元的靠近基板的一侧或者位于对应的光调控单元的远离基板的一侧。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，光学功能单元位于第一封装层的远离基板的一侧。
可选地，显示面板还包括位于第一封装层远离基板一侧的第二封装层，第二封装层为有机封装层且包括复用为颜色转换单元的复用单元。
可选地，所述显示面板还包括位于第一封装层远离基板一侧的第二封装层，第二封装层为有机封装层，颜色转换单元位于第一封装层和第二封装层之间。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，发光器件的发光功能层都设置为出射第一颜色光线。光学功能单元包括颜色转换单元，颜色转换单元包括第一颜色转换单元和/或第二颜色转换单元，第一颜色转换单元配置为将第一颜色光线转换为第二颜色光线，第二颜色转换单元配置为将第一颜色光线转换为第三颜色光线，第一颜色光线、第二颜色光线和第三颜色光线的波长依次增加。
可选地，第一颜色光线、第二颜色光线和第三颜色光线分别出射蓝光、绿光和红光，第一颜色转换单元的材料包括G-量子点材料，第二颜色转换单元的材料包括R-量子点材料。
可选地，发光功能层为叠层结构。
可选地，发光功能层的发光类型为荧光或者磷光。
可选地，颜色转换单元位于第二电极远离基板的一侧。
可选地，颜色转换单元的边缘与隔离结构之间有间隔。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，发光器件的发光功能层包括至少两个发光层，至少一个发光层设置为出射第一颜色光线，且至少一个发光层设置为出射第二颜色光线，颜色转换单元包括第一颜色转换单元和/或第二颜色转换单元，第一颜色转换单元配置为将第一颜色光线转换为第二颜色光线，第二颜色转换单元配置为将第一颜色光线转换为第三颜色光线。第一颜色光线、第二颜色光线和第三颜色光线的波长依次增加，或者，第一颜色光线、第三颜色光线和第二颜色光线的波长依次增加。
可选地，第一颜色光线、第二颜色光线和第三颜色光线分别为蓝光、绿光和红光，第一颜色转换单元的材料包括G-量子点材料，第二颜色转换单元的材料包括R-量子点材料。
可选地，第一颜色光线、第二颜色光线和第三颜色光线分别出射蓝光、红光和绿光，第一颜色转换单元的材料包括R-量子点材料，第二颜色转换单元的材料包括G-量子点材料。
可选地，发光功能层的发光类型为荧光或者磷光。
可选地，量子点材料包括钙钛矿量子点和/或Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点；可选地，钙钛矿量子点包括CsPbX3和CH3NH3PbX3中的至少一个，其中，X为卤素原子。
进一步可选地，卤素原子包括F、Cl、Br和I中的至少一种。
进一步可选地，Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点包括CdSe/ZnS、ZnCdSe/ZnSe/ZnS、CdZnSe/CdZnS/ZnS、CdSe/CdZnSe/ZnS、CdZnSe/ZnS、InP@ZnSeS、ZnSe/ZnS、InP/ZnSe/ZnS、ZnSeTe/ZnSe/ZnSeS/ZnS、ZnSeTe/ZnSe/ZnS和ZnSe/ZnS中的至少一种。
可选地，颜色转换单元的膜层厚度为500-10000纳米，进一步可选地，颜色转换单元的膜层厚度为600-3000纳米，再进一步可选地，颜色转换单元的膜层厚度为800-1200纳米。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，光学功能单元设置为至少包括填充单元和颜色转换单元，其中，颜色转换单元内包括设置于出射红色光线的发光器件的发光功能层远离基板一侧的红颜色转换单元、设置于出射绿色光线的发光器件的发光功能层远离基板一侧的绿颜色转换单元，填充单元设置于出射蓝色光线的发光器件的发光功能层远离基板的一侧。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，光学功能单元设置为至少包括光取出单元，位于对应的发光器件与对应的颜色转换单元之间或者位于颜色转换单元远离基板的一侧。
可选地，光取出单元包括第一取出子层。或者，光取出单元包括第一取出子层、位于第一取出子层朝向基板一侧的第二取出子层和位于第一取出子层背向基板的第三取出子层，第二取出子层和第三取出子层的折射率均小于第一取出子层的折射率。
可选地，第一取出子层的折射率为2.0-2.3，进一步可选地，第一取出子层的折射率为2.1-2.2。
可选地，第一取出子层的厚度为45-75纳米，进一步可选地，第一取出子层的厚度为55-65纳米。
可选地，第二取出子层和/或第三取出子层的折射率为1.4-1.8，进一步可选地，第二取出子层和/或第三取出子层的折射率为1.5-1.6。
可选地，第二取出子层和/或第三取出子层的厚度为7-30纳米，进一步可选地，第二取出子层和/或第三取出子层的厚度为10-20纳米。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，光学功能单元设置为至少包括光调控单元，位于对应的光取出单元远离基板的一侧。
可选地，光调控单元位于对应的光取出单元与对应的颜色转换单元之间。
可选地，光调控单元的材料包括LiF材料。
可选地，光调控单元的厚度为65-100纳米，进一步可选地，光调控单元的厚度为75-85纳米。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，隔断部包括在基板上叠置的支撑部和阻挡部，支撑部构成第一端部，阻挡部构成第二端部。
可选地，第一封装层和阻挡部的表面接触，第一封装层和阻挡部的材料相同。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，支撑部中设置有网格状的分割孔，分割孔将支撑部分割为多个子支撑部，阻挡部覆盖并填充分割孔，支撑部为导电结构，阻挡部为绝缘结构，第二电极与对应的子支撑部连接。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，隔断部包括在基板上叠置的支撑部和阻挡部，在发光器件的正截面上，阻挡部具有倾斜的侧壁，第二电极的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角，和阻挡部的侧壁与基板所在面相交的锐角的差值不小于预设角度。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，隔离结构的第一端部和第二端部为一体结构，且在与基板所在面垂直的方向，隔断部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓为倒梯形，倒梯形的底的边缘为第二端部的边缘，倒梯形的顶的边缘为第一端部的边缘。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，光学功能单元设置为至少包括滤光单元和颜色转换单元，滤光单元位于对应的颜色转换单元远离基板的一侧，相邻的滤光单元之间设置有遮挡部。
可选地，滤光单元位于对应的颜色转换单元与第一封装层之间，部分隔离结构复用为遮挡部。
在本公开第三方面的一个具体实施方式中，相邻的发光器件的第一电极与对应发光功能层相接触部分的边缘之间的间距为像素间距，像素间距为2000-18000纳米，显示面板的像素密度为90PPI至7400PPI。
本公开第四方面提供一种显示面板，该显示面板包括基板以及位于基板上的隔离结构、显示功能层和第一封装层。隔离结构位于基板上且具有第一端部和第二端部，第二端部位于第一端部的远离基板的一侧，第一端部在基板上的正投影位于第二端部在基板上的正投影之内，隔离结构限定出多个第一开口。显示功能层位于基板上且包括多个位于对应的第一开口内的发光器件，发光器件包括在基板上叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，第一开口限位对应的发光器件。第一封装层位于显示功能层的远离基板的一侧；沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘至第一端部的边缘的距离为第一高度；在发光器件的正截面内，第一封装层的面向基板的表面的位于经过第二端部的边缘并垂直于基板所在面的直线上的位置，与第一端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离为隔断关联高度，第一高度与隔断关联高度的差值不小于封装安全余量。
在本公开第四方面的一个具体实施方式中，在发光器件的中间位置，第一封装层和第一电极之间的间距为第二高度，第二高度与第一厚度系数的乘积为第一数值，第一高度与第一数值的差值不小于封装安全余量。可选地，第一厚度系数大于等于M并小于1，M等于0.5±0.2，进一步可选地，M为隔断关联高度与第二高度的比值，进一步可选地，第一厚度系数等于M。。
在本公开第四方面的一个具体实施方式中，在发光器件的中间位置，第一封装层具有第二厚度。第一封装层覆盖发光器件以及部分第二端部的侧面，封装安全余量等于第二厚度与第二厚度系数的乘积。
可选地，第二厚度系数为0.2-2。进一步可选地，第二厚度系数为0.25-1.2。再进一步可选地，第二厚度系数为0.3-0.8。
在本公开第四方面的一个具体实施方式中，第二端部的边缘在基板所在面上的正投影和第一端部的边缘在基板所在面上的正投影的间距为第一宽度，在发光器件的正截面内，经由第二电极的边缘与第二端部边缘的直线，与基板所在面相交构成的锐角为第一倾角，第一宽度小于第一高度与第一倾角的余切值的乘积。
可选地，在发光器件的正截面内，发光功能层的边缘与第二端部边缘的直线，与基板所在面相交构成的锐角为发光功能层倾角，发光功能层倾角大于第一倾角。
可选地，第一宽度大于第一高度与发光功能层倾角的余切值的乘积。
可选地，发光功能层包括第一功能层，在发光器件的正截面内，经由第一功能层的边缘与第二端部边缘的直线，与基板所在面相交构成的锐角为第二倾角，第二倾角大于发光功能层倾角。
可选地，发光功能层还包括发光层和第二功能层，发光层和第二功能层覆盖第一功能层的边缘。
可选地，在发光器件的正截面内，第二电极在经过第一电极的边缘并垂直于基板所在面位置的厚度，小于第二电极对应于发光器件的中间位置的部分的厚度。
在本公开第四方面的一个具体实施方式中，第二端部的边缘在基板上的正投影，位于第一电极的边缘在基板上的正投影和第一端部的边缘在基板上的正投影之间。
可选地，在发光器件的正截面上，第一电极的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离，小于：发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积。
可选地，在发光器件的正截面上，发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积，小于或者等于：第一电极的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离。
在本公开第四方面的一个具体实施方式中，显示面板还可以包括像素界定层，像素界定层位于第一电极上并位于隔断部的面向基板的一侧且界定有第二开口，第一电极从第二开口露出，且第一端部的边缘位于像素界定层上表面内。
可选地，在发光器件的正截面上，第一电极从第二开口露出部分的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离，小于：发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积。
可选地，在发光器件的正截面上，发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积，小于或等于第一电极从第二开口露出部分的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离。
可选地，像素界定层为无机层，像素界定层的覆盖相邻的第一电极的间隙的部分具有与间隙共形的凹槽，第一端部的朝向基板的表面覆盖凹槽。
可选地，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离等于：第一高度与像素界定层的厚度之和。
在本公开第四方面的一个具体实施方式中，隔断部包括在基板上叠置的支撑部和阻挡部，支撑部构成第一端部，阻挡部构成第二端部。
可选地，第一封装层和阻挡部的表面接触，第一封装层和阻挡部的材料相同。
在本公开第四方面的一个具体实施方式中，支撑部中设置有网格状的分割孔，分割孔将支撑部分割为多个子支撑部，阻挡部覆盖并填充分割孔，支撑部为导电结构，阻挡部为绝缘结构，第二电极与对应的子支撑部连接。
在本公开第四方面的一个具体实施方式中，隔断部包括在基板上叠置的支撑部和阻挡部，在发光器件的正截面上，阻挡部具有倾斜的侧壁，第二电极的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角，和阻挡部的侧壁与基板所在面相交的锐角的差值不小于预设角度。
在本公开第四方面的一个具体实施方式中，隔离结构的第一端部和第二端部为一体结构，且在与基板所在面垂直的方向，隔断部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓为倒梯形，倒梯形的底的边缘为第二端部的边缘，倒梯形的顶的边缘为第一端部的边缘。
在本公开第四方面的一个具体实施方式中，相邻的发光器件的第一电极与对应发光功能层相接触部分的边缘之间的间距为像素间距，像素间距为2000-18000纳米，显示面板的像素密度为90PPI至7400PPI。
本公开第五方面一种显示面板，其特征在于，包括基板以及位于基板上的隔离结构和显示功能层，其中，隔离结构具有第一端部和第二端部，第二端部位于第一端部的远离基板的一侧，隔离结构限定出多个第一开口，显示功能层包括多个位于对应的第一开口内的发光器件，发光器件包括在基板上叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，发光功能层在基板上的正投影位于第一端部在基板上的正投影之外，且位于第二端部在基板上的正投影之内，相邻的发光器件的第一电极与对应发光功能层相接触部分的边缘之间的间距为像素间距，像素间距为2000-18000纳米。
在本公开第五方面的一个具体实施方式中，在发光器件的正截面上隔断部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓为倒梯形，倒梯形的底的边缘为第二端部的边缘，倒梯形的顶的边缘为第一端部的边缘，其中，倒梯形的顶的宽度为1500-16000纳米。
在本公开第五方面的另一个具体实施方式中，隔断部包括在基板上叠置的支撑部和阻挡部，支撑部构成第一端部，阻挡部构成第二端部，在发光器件的正截面上，支撑部和阻挡部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓均为正梯形，第二端部的边缘为阻挡部的面向基板的表面的边缘，第一端部的边缘为支撑部的面向基板的表面的边缘，其中，支撑部对应的正梯形的底的宽度为1258-17000纳米，且支撑部对应的正梯形的顶的宽度为880-15000纳米。
在本公开第五方面的一个具体实施方式中，显示面板可以包括多个像素，且每个像素包括出射不同波长光线的多个子像素，多个像素的多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素、第二子像素和第三子像素分别包括不同的发光器件。
可选地，第一子像素、第二子像素和第三子像素的数量比为1:1:1。
可选地，每个像素中按第一子像素、第二子像素和第三子像素并列的第一种像素排布方式排布；或者，每个像素中按第二子像素和第三子像素排成一列/行并与第一子像素并列的第二种像素排布方式排布。
可选地，像素密度越大，像素间距越小和/或子像素的平均宽度越小。
在本公开第五方面的一个具体实施方式中，隔离结构的隔断部与基板直接接触，第一间距的边缘为第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘，第二端部的边缘在基板所在面上的正投影和第一端部的边缘在基板所在面上的正投影的间距为第一宽度，第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘与第二端部的边缘在基板所在面上的正投影之间的距离为第一间距。在此情况下，像素间距为2000-2200纳米，第一间距为0-1017纳米，第一宽度为148-417纳米；或者，像素间距为2200-2500纳米，第一间距为0-1050纳米，第一宽度为166-450纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一间距为0-1090纳米，第一宽度为185-490纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一间距为0-1130纳米，第一宽度为203-530纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一间距为0-1170纳米，第一宽度为221-570纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一间距为0-1210纳米，第一宽度为240-610纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一间距为0-1300纳米，第一宽度为259-700纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一间距为0-1410纳米，第一宽度为277-810纳米。
例如，在发光器件的正截面上，发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积，小于或者等于第一电极的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离。例如，像素间距为2000-2200纳米，第一间距为148-567纳米；或者，像素间距为2200-2500纳米，第一间距为166-650纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一间距为185-740纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一间距为203-830纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一间距为221-920纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一间距为240-1010纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一间距为259-1150纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一间距为277-1310纳米。
例如进一步地，沿与基板所面垂直的方向，第二端部的边缘至第一端部的边缘的距离为第一高度，第一高度为400-2200纳米。可选地，像素间距为2000-2200纳米，第一高度为400-800纳米；或者，像素间距为2200-2500纳米，第一高度为450-850纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一高度为500-900纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一高度为550-950纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一高度为600-1000纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一高度为650-1100纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一高度为700-1200纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一高度为750-2200纳米。
例如，在发光器件的正截面上，第一电极的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离，小于：发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积。在此情况下，像素间距为2000-2200纳米，第一间距为0-415纳米，第一宽度为148-417纳米；或者，像素间距为2200-2500纳米，第一间距为0-446纳米，第一宽度为166-450纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一间距为0-484纳米，第一宽度为185-490纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一间距为0-522纳米，第一宽度为203-530纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一间距为0-560纳米，第一宽度为221-570纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一间距为0-598纳米，第一宽度为240-610纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一间距为0-685纳米，第一宽度为259-700纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一间距为0-790纳米，第一宽度为277-810纳米。
可选地，显示面板还可以包括至少一个光学功能层，该光学功能层位于发光功能层的远离基板的一侧，且包括多个位于第一开口内的光学功能单元，光学功能单元的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小，对于每相邻的两个第一电极，第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘之间的像素间距为2074-18000纳米。
在本公开第五方面的一个具体实施方式中，显示面板还可以包括像素界定层，像素界定层位于第一电极上并位于隔断部的面向基板的一侧且界定有第二开口，像素界定层覆盖第一电极的边缘，第二开口暴露第一电极，第二开口的边缘与第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘重合，其中，第二端部的边缘在基板所在面上的正投影和第一端部的边缘在基板所在面上的正投影的间距为第一宽度，第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘与第二端部的边缘在基板所在面上的正投影之间的距离为第一间距。例如，像素间距为2200-2500纳米，第一间距为0-1050纳米，第一宽度为148-450纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一间距为0-1090纳米，第一宽度为185-490纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一间距为0-1130纳米，第一宽度为203-530纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一间距为0-1170纳米，第一宽度为221-570纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一间距为0-1210纳米，第一宽度为240-610纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一间距为0-1300纳米，第一宽度为259-700纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一间距为0-1410纳米，第一宽度为277-810纳米。
可选地，在发光器件的正截面上，发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积，小于或等于第一电极从第二开口露出部分的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离。例如，像素间距为2200-2500纳米，第一间距为148-650纳米，第一宽度为148-450纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一间距为185-740纳米，第一宽度为185-490纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一间距为203-830纳米，第一宽度为203-530纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一间距为221-920纳米，第一宽度为221-570纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一间距为240-1010纳米，第一宽度为240-610纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一间距为259-1150纳米，第一宽度为259-700纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一间距为277-1310纳米，第一宽度为277-810纳米。
例如，在沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘至第一端部的边缘的距离为第一高度，第一高度为400-2200纳米。可选地，像素间距为2200-2500纳米，第一高度为400-850纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一高度为500-900纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一高度为550-950纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一高度为600-1000纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一高度为650-1100纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一高度为700-1200纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一高度为750-2200纳米。
可选地，在发光器件的正截面上，第一电极从第二开口露出部分的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离，小于：发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积。例如，像素间距为2200-2500纳米，第一间距为0-446纳米，第一宽度为148-450纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一间距为0-484纳米，第一宽度为185-490纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一间距为0-522纳米，第一宽度为203-530纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一间距为0-560纳米，第一宽度为221-570纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一间距为0-598纳米，第一宽度为240-610纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一间距为0-685纳米，第一宽度为259-700纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一间距为0-790纳米，第一宽度为277-810纳米。
在本公开第五方面的一个具体实施方式中，显示面板还可以包括至少一个光学功能层，光学功能层位于发光功能层的远离基板的一侧，且包括多个位于第一开口内的光学功能单元，光学功能单元的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小，对于每相邻的两个第一电极，第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘之间的像素间距为2274-18000纳米。
本公开第六方面提供一种显示面板，该显示面板包括基板以及位于基板上的隔离结构和显示功能层，其中，隔离结构具有第一端部和第二端部，第二端部位于第一端部的远离基板的一侧，隔离结构限定出多个第一开口，显示功能层包括多个位于对应的第一开口内的发光器件，发光器件包括在基板上叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，发光功能层在基板上的正投影位于第一端部在基板上的正投影之外，且位于第二端部在基板上的正投影之内，显示面板的像素密度为90PPI至7400PPI。
在本公开第六方面的一个具体实施方式中，沿发光器件中部到对应边缘的方向，发光器件的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小。
在本公开第六方面的一个具体实施方式中，相邻的发光器件的第一电极与对应发光功能层相接触部分的边缘之间的像素间距为2000-18000纳米。
在本公开第六方面的一个具体实施方式中，在发光器件的正截面上，隔断部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓为倒梯形，倒梯形的底的边缘为第二端部的边缘，倒梯形的顶的边缘为第一端部的边缘。
在本公开第六方面的另一个具体实施方式中，隔断部包括在基板上叠置的支撑部和阻挡部，支撑部构成第一端部，阻挡部构成第二端部，在发光器件的正截面上，支撑部和阻挡部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓均为正梯形，第二端部的边缘为阻挡部的面向基板的表面的边缘，第一端部的边缘为支撑部的面向基板的表面的边缘。
在本公开第六方面的一个具体实施方式中，显示面板包括多个像素，且每个像素包括出射不同波长光线的多个子像素，多个像素的多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素、第二子像素和第三子像素分别包括不同的发光器件。
可选地，第一子像素、第二子像素和第三子像素的数量比为1:1:1。
可选地，每个像素中按第一子像素、第二子像素和第三子像素并列的第一种像素排布方式排布；或者，每个像素中按第二子像素和第三子像素排成一列/行并与第一子像素并列的第二种像素排布方式排布。
在本公开第六方面的一个具体实施方式中，显示面板的像素密度为90-5200PPI。可选地，像素间距为2000-2200纳米，显示面板的像素密度为117-5200PPI；或者，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度为117-4792PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度为115-4305PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度为115-3479PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度111-2854PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度为107-1969PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度102-1344PPI；或者，像素间距为13000-18000纳米，显示面板的像素密度为90-944PPI。
在本公开第六方面的一个具体实施方式中，像素中的子像素为第一种像素排布方式，且显示面板的像素密度为170-3456PPI。可选地，像素间距为2000-2200纳米，显示面板的像素密度为2545-3456PPI；或者，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度为2171-3143PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度为1577-2765PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度为1063-2160PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度为529-1728PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度为353-1152PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度244-768PPI；或者，像素间距为13000-18000纳米，显示面板的像素密度为170-531PPI。
在本公开第六方面的一个具体实施方式中，像素中的子像素为第二种像素排布方式，且显示面板的像素密度为260-5200PPI。可选地，像素间距为2000-2200纳米，显示面板的像素密度为3818-5200PPI；或者，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度为3256-4714PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度为2366-4147PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度为1594-3240PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度为794-2592PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度为529-1728PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度为366-1152PPI；或者，像素间距为13000-18000纳米，显示面板的像素密度为260-797PPI。
在本公开第六方面的一个具体实施方式中，显示面板还包括至少一个光学功能层，其中，光学功能层位于发光功能层的远离基板的一侧，且包括多个位于第一开口内的光学功能单元，光学功能单元的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小，对于每相邻的两个第一电极，第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘之间的像素间距为2074-18000纳米，显示面板的像素密度为90-5000PPI。
在本公开第六方面的一个具体实施方式中，显示面板还可以包括像素界定层，像素界定层位于第一电极上并位于隔断部的面向基板的一侧且界定有第二开口，像素界定层覆盖第一电极的边缘，第二开口暴露第一电极，第二开口的边缘与第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘重合，第二端部的边缘在基板所在面上的正投影和第一端部的边缘在基板所在面上的正投影的间距为第一宽度，第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘与第二端部的边缘在基板所在面上的正投影之间的距离为第一间距，像素中的子像素为第一种像素排布方式，且显示面板的像素密度为170-3143PPI。例如，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度为2171-3143PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度为1577-2765PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度为1063-2160PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度为529-1728PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度为353-1152PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度为244-768PPI；或者，像素间距为13000-18000纳米，显示面板的像素密度为170-531PPI。
在本公开第六方面的一个具体实施方式中，显示面板还可以包括像素界定层，像素界定层位于第一电极上并位于隔断部的面向基板的一侧且界定有第二开口，像素界定层覆盖第一电极的边缘，第二开口暴露第一电极，第二开口的边缘与第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘重合，第二端部的边缘在基板所在面上的正投影和第一端部的边缘在基板所在面上的正投影的间距为第一宽度，第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘与第二端部的边缘在基板所在面上的正投影之间的距离为第一间距，像素中的子像素为第二种像素排布方式，且显示面板的像素密度为260-4714PPI。例如，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度为3256-4714PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度为2366-4147PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度为1594-3240PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度为794-2592PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度为529-1728PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度为366-1152PPI；或者，像素间距为13000-18000纳米，显示面板的像素密度为260-797PPI。
例如，像素间距为2000-2200纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为450-1326纳米；或者，像素间距为2200-2500纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为494-1700纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为563-2868纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为720-4767纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为900-11995纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为1350-18008纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为2025-25699纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为4050-35846纳米。
可选地，基于上述的数据，显示面板的开口率为6-60％。
在本公开第六方面的一个具体实施方式中，显示面板还可以包括至少一个光学功能层，光学功能层位于发光功能层的远离基板的一侧，且包括多个位于第一开口内的光学功能单元，光学功能单元的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小，对于每相邻的两个第一电极，第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘之间的像素间距为2274-18000纳米，显示面板的像素密度为90-4560PPI。
在本公开第六方面的一个具体实施方式中，显示面板包括多个像素，每个像素包括出射光线的波长依次减小的第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素、第二子像素和第三子像素分别包括不同的发光器件且排布为多行和多列，第一子像素和第三子像素排布在同行和同列中，且与第二子像素位于不同行和不同列，在排布有第一子像素和第三子像素的行和列中，第一子像素和第三子像素交替排布，排布有第一子像素的行和排布有第二子像素的行交替排布，排布有第一子像素的列和排布有第二子像素的列交替排布，每个第二子像素由两个第一子像素和两个第三子像素环绕，环绕同一个第二子像素的两个第一子像素和两个第三子像素的形心相连形成的四边形至少有连个对边平行。可选地，显示面板的像素密度为200-7400PPI。可选地，像素间距为2000-2200纳米，显示面板的像素密度为249-7400PPI；或者，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度为248-6778PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度为245-6088PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度为243-4921PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度236-4036PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度为227-2785PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度216-1901PPI；或者，像素间距为13000-16500纳米，显示面板的像素密度208-1335PPI；或者，像素间距为16500-18000纳米，显示面板的像素密度为200-1060PPI。
在本公开第六方面的一个具体实施方式中，被环绕的第二子像素的形心与对应的四边形两对角线的交点错开，或者，被环绕的第二子像素的形心与四边形两对角线的交点重合。可选地，像素间距为2000-2200纳米，显示面板的像素密度为1600～3000PPI；或者，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度为1400～2700PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度为1200～2400PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度为1000～2100PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度为800～1800PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度为600～1500PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度400～1200PPI；或者，像素间距为13000-16500纳米，显示面板的像素密度300～900PPI；或者，像素间距为16500-18000纳米，显示面板的像素密度为200～800PPI。
本公开第七方面提供一种显示装置，该显示装置可以包括上述第一方面至第六方面中任一具体实施方式提及的显示面板。
附图说明
图1所示为本公开一实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图。
图2为图1所示显示面板的S区域的局部放大示意图。
图3为图1和图2所示显示面板在一种设计下的一个子像素所在区域的部分结构的截面图，其可以是对应图2沿M1-N1的截面。
图4为图1和图2所示显示面板在另一种设计下的一个子像素所在区域的部分结构的截面图，其可以对应图2沿M1-N1的截面。
图5为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图6为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图7为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图8A为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图8B为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图9为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图10至图13为图9所示显示面板的制造工艺的过程图。
图14为本公开一实施例提供的显示面板的部分结构的放大示意图，其沿着M2-N2的截面示意图可以如图3或图4。
图15为本公开一实施例提供的显示面板的部分结构的放大示意图，其沿着M3-N3的截面示意图可以如图3或图4。
图16为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图17为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图18为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图19为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图20为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图21A为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图21B为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图21C为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图22为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图23A为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图23B为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图23C为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图24为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图25为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图26A为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图26B为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图27为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图28A为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图28B为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图29为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图30为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图31为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图32为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图33为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图34A为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图34B为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图35A为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图35B为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图36为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图37为本公开一实施例提供的显示面板的一个像素的部分结构的放大图。
图38为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图39为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图40为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图41为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图42为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图43为本公开一实施例提供的显示面板的部分区域的部分结构的截面图。
图44为本公开一实施例提供的一种像素排布形式的显示面板中的像素密度和像素间距的关系示意图。
图45为本公开一实施例提供的另一种像素排布形式的显示面板中的像素密度和像素间距的关系示意图。
图46为本公开一实施例提供的显示面板的另一种像素的部分结构的放大图，其沿着M4-N4的示意图可以如图3或图4。
图47为图46所示像素排布形式的显示面板中的像素密度和像素间距的关系示意图。
图48为本公开一实施例提供的一种显示面板中的基板的截面图，其示出了像素驱动电路所包括的第一类型的薄膜晶体管在一种形态下的截面图。
图49为本公开一实施例提供的一种显示面板中的基板的截面图，其示出了像素驱动电路所包括的第一类型的薄膜晶体管和第二类型的薄膜晶体管的截面图。
图50为本公开一实施例提供的一种显示面板中的基板的截面图，其示出了像素驱动电路所包括的第一类型的薄膜晶体管在另一种形态下的截面图。
图51为图1所示显示面板在一种像素排布下的S区域的局部放大示意图。
图52为图51所示显示面板沿着M5-N5的截面图。
图53为图1所示显示面板在另一种像素排布下的S区域的局部放大示意图。
图54为图53所示显示面板在一种结构设计下沿着M6-N6的截面图。
图55为图53所示显示面板在另一种结构设计下沿着M6-N6的截面图。
附图标记说明：
100-基板；200-发光器件；210-第一电极；220-发光功能层；221-第一功能层；222-发光层；223-第二功能层；202-有效功能区；230-第二电极；300-隔离结构；301-第一开口；302-第二开口；310-第一端部(支撑部)；311-子支撑部；320-第二端部(阻挡部)；330-像素界定层；340-连接部；400-颜色转换层；410-颜色转换单元；510-第一封装层；520-第二封装层；530-第三封装层；500-光刻胶图案；600-填充层；710-光取出层；711-光取出单元；720-光调控层；721-光调控单元；810-遮挡部；820-滤光单元；910-保护层；911-保护单元。
具体实施方式
下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
在显示产品中，发光器件中的一些功能膜层会通过蒸镀的方式形成，而每个发光器件中的功能膜层有多种，且出射不同光线的发光器件中的一些功能膜层(例如发光层)的材料不同，因此，在通过掩膜板(例如精细掩膜板，FMM，Fine Metal Mask)蒸镀该些功能膜层时，需要进行多次对位，为了解决对位精度误差引起的位置偏移问题，不同发光器件之间需要预留足够的空间(和对位误差相关的安全余量)，以保证发光器件的实际发光区域的位置能够和设计位置(设计面积)有一定的重叠率，这相当于压缩了发光器件的发光区域的设计面积，不仅使得发光器件的发光面积有限，也使得发光器件(对应于子像素)的排布密度不能进一步增加，从而难以进一步提升显示面板的像素密度。
在本公开中，通过在发光器件的间隙处设置隔离结构，以对相邻发光器件的功能膜层进行隔断，如此，在多个功能膜层的蒸镀工艺中，只需要在显示面板上进行整面蒸镀，而不用借助掩膜板对发光器件所在区域进行蒸镀以形成功能膜层，因此，使用隔离结构进行蒸镀的工艺不需要考虑蒸镀时的对位精度问题，从而可以使得发光器件的间隙设计为更小的尺寸，以增加像素密度(其原理可以参见下述与图10至图13相关的实施例中的相关说明)。
在上述设计中，隔离结构环绕发光器件，而在蒸镀工艺中，鉴于用于蒸镀功能膜层的蒸镀源存在蒸镀角，因此，隔离结构的高度、宽度等会对蒸镀膜层的分布产生影响。发光器件的发光区的发光效率与该些功能膜层的蒸镀质量有关，因为蒸镀时的蒸镀角的存在以及隔离结构对蒸镀材料会进行遮挡，在功能膜层(如第一功能层、发光层、第二发光层、第二电极)的边缘区域，功能膜层的厚度会逐渐减小，从而影响发光效率。因此，会将功能膜层的厚度均匀的部分尽量分布在发光区中，以保证发光器件的发光区的任意位置都具备较高的发光效率，以使得发光区整体上出光均匀，因此，实际上，功能膜层的厚度均匀的部分(下述的有效功能区)限制了发光区的设计边界(不一定重合)，即，可以先获取有效功能区的边界，以进一步确定发光区的主要发光区域(发光效率均匀，可以发出品质较好光)的边界。
需要说明的是，有效功能区的范围是受发光功能层限制的，而显示器件的发光区域和主要发光区域要受发光功能层以及第一电极共同限制。例如，以发光功能层来界定有效功能区为例，发光功能层的厚度均匀的部分所在的区域为有效功能区；发光器件中的第一电极和发光功能层所接触的区域对应于发光器件的发光区域；发光器件中的第一电极和有效功能区重叠且相接触的区域，为发光器件的主要发光区域(该区域出光均匀)。
在对发光器件和隔离结构的尺寸进行设计时，如何基于蒸镀角、功能膜层的分布位置等来规划隔离结构的高度、宽度等参数，以在维持发光器件具备良好发光效率的同时，使得发光器件之间具备相对更小的间距以增加PPI，成为显示面板结构设计中需要研究的重要课题。
此外，针对不同显示模式的显示面板以及显示面板中的特定功能需求，会对隔离结构进行改造或者基于隔离结构设置其它的功能结构(例如下述实施例中的颜色转换层等)，在此情况下，需要对隔离结构的高度、参数等进行调整，以在借助隔离结构形成这些功能结构时，能够降低制造成本，减少相关误差，提升产品的像素密度。
本公开的实施例提供一种显示面板，以至少解决部分上述技术问题。该显示面板包括基板、显示功能层和隔离结构。显示功能层包括多个发光器件，每个发光器件包括在基板上依次叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，发光功能层包括有效功能区，第一功能层的位于有效功能区中的部分的膜厚均匀。隔离结构包括隔断部，隔断部位于基板上且环绕发光功能层。隔断部包括面向基板的第一端部及背离基板的第二端部，有效功能区在基板上的正投影位于隔离结构的第二端部在基板上的正投影之外，第一功能层的边缘在基板上的正投影，位于第一端部在基板上的正投影之外，且位于第二端部在基板上的正投影之内。在与基板垂直的截面上，且在隔离结构的同一侧，第一功能层的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基板所在面构成的锐角为第二倾角，有效功能区的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基板所在面构成的锐角的正切值，不大于第二倾角的正切值，且第一端部的边缘和第二端部的边缘在沿与基板所在面垂直方向上的高度差，第一端部的边缘和第二端部的边缘在沿与基板所在面平行方向上的间距的比值，不大于第二倾角的正切值。
在面对特定的像素密度设计要求时，可以直接计算出发光器件的主要发光区的宽度(简称为子像素宽度)与相邻主要发光区的间隙之和，其中，主要发光区的宽度可以基于有效功能区确定，即，如果可以界定有效功能区的边界位置的可选范围，即可推断出主要发光区的边界位置的可选范围。基于本公开上述实施例中的设计，通过有效功能区的边界以及第二端部(其边缘)的高度确定第一蒸镀角，并且根据第一蒸镀角以及第二端部的高度确定第一功能层的边缘的延伸位置，基于第一功能层被隔断部隔断的原则可以推断出该延伸位置与第二端部的间距，以推断出第二端部的边缘位置的可选范围，如此，可以构建有效功能区的边缘、第一功能层的边缘、隔离结构的宽度(第一端部和第二端部的边缘位置)和高度(第一端部和第二端部的边缘的高度差)、蒸镀角这些参数之间的联系，并结合第一端部的宽度尺寸的可选范围(存在下限值)，可以反推出有效功能区的可选宽度范围，并推断出主要发光区的可选宽度范围(包括最大宽度)，从而可以在特定的像素密度设计要求下，获得主要发光区的最大设计宽度，以保证主要发光区在实际工艺下的设计面积(该面积下的宽度可以等于最大设计宽度，也可以略小于最大设计宽度)。
需要说明的是，因为在制备隔离结构的过程中，可能需要考虑对位精度问题，因此，主要发光区的设计宽度可以选择为略小于上述方式计算出来的最大设计宽度，以为隔离结构的对位精度误差提供安全余量；此外，根据上述设计也可以得出，有效功能区的边界由隔离结构的设计参数以及蒸镀角决定，在隔离结构位置固定的情况下，该边界位置不会受蒸镀时的对位精度的影响。
下面，结合附图对根据本公开至少一个实施例中的显示面板的结构进行详细的说明。此外，在该些附图中，以基板为基准建立空间直角坐标系，以更加直观呈现显示面板中的相关结构的位置关系，在该空间直角坐标系中，X轴和Y轴与基板所在面平行，Z轴与基板所在面垂直。需要说明的是，可以基于基板确定“上”和“下”的方位，例如，以基板的面向显示侧(例如发光器件的背离基板的一侧)的方向代表“上”的方向，而基板的背离显示侧的方向代表“下”的方向。例如，如果第一对象位于第二对象和基板之间，那么第二对象位于第一对象之上，第一对象位于第二对象之下。
如图1至图3所示，显示面板10的平面区域可以划分为显示区11和环绕显示区11的边框区12，显示区11中可以排布有子像素(可称为亚像素等)例如R、G、B，该子像素的实体结构可以为发光器件，相邻且出射光线颜色不同的子像素可以构成一个像素P(可称为像素单元、大像素等)，该像素P在显示区11中的排布密度即代表像素密度。需要说明的是，在本公开一些实施例中，边框区12中的部分走线可以排布至显示区11中，从而使得边框区12可以设计为单侧边框。
至少在显示区11中，显示面板10的实体结构可以包括基板100以及位于基板100上的显示功能层和隔离结构300，显示功能层包括多个发光器件200。发光器件200包括在基板100上叠置的第一电极210、发光功能层220和第二电极230，发光功能层220包括有效功能区202，且发光功能层220包括第一功能层221。
例如，发光功能层还可以包括发光层222和第二功能层223，第一功能层221、发光层222和第二功能层223依次叠置在第一电极210上。第一功能层221可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层等。第二功能层223可以包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层等。
在本公开的实施例中，在不考虑第二电极230的膜厚对发光层的发光效率以及发光均匀度构成影响的情况下，“有效功能区”为发光功能层的至少部分膜层的厚度均匀的区域，该“至少部分膜层”的类型可以根据实际工艺的需求进行选择。例如，该“至少部分膜层”可以为第一功能层221、发光层222和第二功能层223中任一个或者组合。具体地，只有第一功能层221在有效功能区中的厚度均匀，或者，第一功能层221和发光层222在有效功能区中的厚度是均匀的，或者，第一功能层221、发光层222和第二功能层223在有效功能区中的厚度都是均匀的。
例如，在本公开至少一个实施例中，第一电极可以设置为阳极，第二电极可以设置为阴极。
隔离结构300包括位于基板100上的隔断部，隔断部限定有多个第一开口301，发光功能层220和第二电极230位于第一开口301中，隔断部包括导电部分，且第二电极230与隔断部的导电部分连接。如此，隔断部的整体结构会呈现为网格状，第一开口301即为网格的网孔。需要说明的是，第一开口301为隔断部所围设的空间，第一开口301的边缘可以根据所指定的高度位置(至基板100的不同距离)而定，例如，在第一端部310的宽度小于第二端部320的宽度的情况下，第一开口301在第一端部310的边缘处的边缘所限定的开口宽度大于在第二端部320的边缘处的边缘所限定的开口宽度。
隔断部整体呈现为上宽下窄，以使得第一功能层221在蒸镀过程中会由于隔离结构的遮挡而与形成于隔断部上的其他部分断开。例如，隔断部的面向基板的第一端部310在基板100上的正投影，位于隔断部的背离基板100的第二端部320在基板100上的正投影之内，如此，第一功能层221的边缘在基板100上的正投影，位于第一端部310在基板100上的正投影之外，且位于第二端部320在基板100上的正投影之内，即，蒸镀形成的第一功能层221不会与隔离结构300的导电部分(例如第一端部310)连接。在与基板100垂直的截面上，且在隔离结构的同一侧，第二端部320的边缘和第一功能层221的边缘所确定的直线P1，与基板100所在面(与直线P0平行)构成的锐角为第二倾角Θ2。在以第一功能层221的膜厚均匀部分的边缘来界定有效功能区202的边界的情况下，第一功能层221的膜厚均匀部分的边缘与第二端部320的边缘所确定的直线P2与直线P0确定的锐角等于第二倾角Θ2，相应地，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面构成的锐角也为第二倾角Θ2。
需要说明的是，基板所在面为虚拟平面，对应于可承载基板的平面结构的表面。本说明书附图中，有些角度是借助于平面或直线的平行平面或平行直线标注的大小相等的角度，如第二倾角是借助与基板所在面的平行平面对应的直线P0示出的。
有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线，与基板100所在面构成的锐角的正切值，不大于第二倾角Θ2的正切值，在该关系下，可以保障第一功能层221在有效功能区202中的膜厚均匀，其中，在“等于”的关系下，相当于第一功能区221的边缘界定了有效功能区202的边界。
例如，第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在沿与基板100所在面垂直方向上的高度差h1，与第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在沿与基板所在面平行方向上的第一宽度L2的比值，不大于第二倾角Θ2的正切值tanΘ2，即，L2≥h1/tanΘ2。如此，在实际工艺中，可以保障隔离结构对第一功能层221的隔断效果，且能保证第一功能层221的位于有效功能区202的部分的膜厚均匀。例如，在以第一功能层221的膜厚均匀部分的边缘来界定有效功能区202的边界的情况下，如果L2＝h1/tanΘ2，那么第一功能层221的边界刚好延伸至第一端部310的边缘，此处随着膜层厚度的逐渐减小，第一功能层221的膜厚已经无限接近于零(电阻无限大)；如果L2＞h1/tanΘ2，那么第一功能层221和第一端部310不接触且两者之间存在间隙，相应地，隔离结构完全隔断第一功能层221。
例如，该第二倾角Θ2实际为蒸镀第一功能层221时的蒸镀角，且因为第一功能层221需要与隔离结构间隔，因此需要相对较小的设计尺寸，且鉴于在蒸镀角越大的情况下，第一功能层221的边缘与隔离结构间隔的距离越大，以使得第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在横向(例如平行X轴的方向)上的第一宽度L2具有相对较小的设计尺寸，从而减小发光器件200的间距，因此，在一些实施方式中，该第二倾角Θ2可以对应蒸镀源尽可能大的蒸镀角。
需要说明的是，“蒸镀角”为对应于蒸镀源的材料辐射范围的边界的直线与基板所在平面形成的锐角，换句话说，可以认为以某个蒸镀角进行蒸镀时，因为隔离结构的阻挡，蒸镀材料达到的范围不会超过对应蒸镀角的边界。
在本公开的实施例中，有效功能区202在基板100上的正投影位于第二端部320在基板100上的正投影之外，且有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面(平行于线P0)构成的锐角，小于或等于第二倾角Θ2。图3中示出了等于的情况，即，设第一端部310的外边缘和第二端部320的外边缘的高度差为h1，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在横向上的间距(基于下述实施例的方案，此处记为第二间距)为L1，线P1和P2确定蒸镀源在不同位置时在第二端部320阻挡下的蒸镀材料的分布边界，在满足L1＝h1/tanΘ1的情况下，P3与P0的夹角等于Θ1。
需要说明的是，第一端部310的外边缘也可称为第一端部310的边缘，第二端部320的外边缘也可称为第二端部320的边缘。
需要说明的是，“H”为第二端部320的外边缘和目标膜层的厚度均匀部分的边界在Z轴方向上的间距，例如，对于如图3所示的结构(例如下述实施例中的像素界定层)，如果忽略第一电极210的厚度，那么隔离结构的底部和第一功能层221的外边缘大致同层，则上述公式L1＝h1/tanΘ1可以替换为L1＝H/tanΘ1。如果计算第一电极210的厚度，那么上述公式L1＝H/tanΘ1中的“H”需要再减去第一电极210的厚度。
需要说明的是，在L1＝h1/tanΘ1的情况下，在蒸镀第一功能层221时，即便蒸镀源与隔离结构300正对(线P2确定的蒸镀角以及蒸镀边界)，蒸镀的材料仍然可以落在有效功能区202中，因此，有效功能区202中的第一功能层221在任意位置都能被蒸镀而膜厚均匀，该情形下，第二间距L1的宽度为可以保证第一功能层221在有效功能区202中膜厚均匀的最小设计宽度，基于该最小设计宽度设计发光器件200的间隙时，可以使得子像素之间具备较小的间隙。
需要说明的是，在本公开的实施例中，膜层在某个区域的蒸镀呈现为“均匀”，是属于宏观上的表现，具体可以是相对应的膜层下表面的部分区域及上表面部分区域都平行于基板所在面的平面，相应地在这部分区域内膜层的厚度一致；可以是膜层蒸镀在平行于基板所在面的区域且在整个蒸镀过程中不会存在其它结构对蒸镀源造成遮挡，从而使得该区域的膜层厚度一致；未特别说明的情况下提及的某膜层的厚度是指这类区域内膜层的厚度。
而对于第一功能层而言，如果将有效功能区的边界作为第一功能层的膜厚均匀度发生改变的边界，那么在有效功能区中，第一功能层的蒸镀自始至终不会受到隔断部的阻挡，而在有效功能区之外，第一功能层的蒸镀在某个时间段(蒸镀源与显示面板相对位置改变)会被隔断部遮挡，而距离有效功能区越远的位置，第一功能层在蒸镀过程中被遮挡的时间越长，从而最终蒸镀获得的膜厚越小。如此，本公开的实施例中提及的膜层的“均匀”忽略膜层本身蒸镀在微观上存在的不均，该微观上的不均是受蒸镀工艺条件的限制，在整个膜层上普遍存在的。
此外，需要说明的是，在上述的实施例中，如果仅考虑有效功能区中第一功能层的厚度均一性，可以将第一功能层的膜厚均匀部分的边缘作为有效功能区的边界，相应地，主要发光区的最大边界也为第一功能层的膜厚均匀部分的边缘。
需要说明的是，在本公开的实施例中，在保证隔断部上宽下窄的情况下，对隔离结构的设置方式不做限制，下面，通过实施例对隔离结构的几种设置方式进行简述。
在本公开一些实施例中，如图3所示，隔离结构为一体化结构，即，该一体化结构可以为独立的膜层，且该膜层中不存在物理界面，隔离结构中的至少第一端部310和第二端部320为该一体化结构中的两部分。例如，进一步地，沿与基板100垂直的方向，隔断部位于相邻两个子像素之间的部分的截面形状为倒梯形，倒梯形的顶边朝向基板100，即，倒梯形的顶边位于基板100和倒梯形的底边之间，如此，第一端部310的面向基板100的表面的边缘为第一端部310的边缘，第二端部320的背离基板100的表面的边缘为第二端部320的边缘。该设计下，隔离结构的侧壁为内切结构，从而增加隔离结构的隔断效果。
在本公开另一些实施例中，如图4所示，隔断部包括在基板100上依次叠置的支撑部和阻挡部，支撑部构成第一端部310，阻挡部构成第二端部320。例如，进一步地，沿与基板100垂直的方向，支撑部310位于相邻两个子像素之间的部分的截面形状为正梯形，且阻挡部320位于支撑部310的顶边，在此情况下，支撑部310的面向基板100的表面的边缘为第一端部310的边缘。在此情况下，可以便于第二电极230的蒸镀材料在支撑部310的侧壁上沉积，以提高第二电极230和支撑部310的搭接良率。例如，更进一步地，沿与基板100垂直的方向，阻挡部320位于相邻两个子像素之间的部分的截面形状为正梯形，阻挡部320的面向支撑部310的表面的边缘，为第二端部320的边缘。
需要说明的是，本公开的实施例中，所提及的正梯形和倒梯形可以是严格的正梯形和倒梯形；或者，可以是大致呈现的形状，例如，其顶和底平行或者共形(一侧表面随另一侧表面大致同时升高和下降)，且底的尺寸大于顶的尺寸，其两侧的边缘形状大致轴对称；例如其顶、底和侧边的形状可以不限于为平面。
在本公开的实施例中，蒸镀第二电极230时的蒸镀角一般是小于上述第二倾角Θ2的，从而保证第二电极230与第一端部310搭接。在此情形下，如果保证第二电极230在有效功能区202的膜厚均匀，需要对第二间距L1的最小尺寸进行界定。
例如，如图5所示，在与基板100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第二电极230的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P4，与基板100所在面构成的锐角为第一倾角Θ1，第一倾角Θ1小于第二倾角Θ2，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角小于或等于第一倾角Θ1，在此情形下，P3与P0构成的锐角已经小于第二倾角Θ2，即，在图5中的L2和图4中的L2大致相等的情况下，图5中的第二间距L1会大于图4中的第二间距L1。
第一倾角Θ1实际为蒸镀第二电极230时的蒸镀角，在蒸镀角越小的情况下，第二电极230的边缘与隔离结构的接触面积越大，相应地，第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在横向(例如平行X轴的方向)上的第一宽度L2可以允许为相对较小的尺寸，从而减小相邻发光器件200之间的间距，因此，在一些实施方式中，该第一倾角Θ1可以对应蒸镀源的最小蒸镀角。线P5与线P0的夹角为第一倾角Θ1，即，线P5与第二电极230相交的位置，即为第二电极230的厚度是否开始出现厚度不均的临界位置，在线P3与线P0构成的锐角小于或等于第一倾角Θ1的情况下，该厚度不均的临界位置会与线P3与第二电极230相交的位置重合，或者位于线P3与第二电极230相交的位置和隔离结构之间，从而可以保证第二电极230以及发光功能层220中的所有膜层在有效功能区202的膜厚均匀分布的情况下，以尽量获得有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在横向上的第二间距L1的最小可设计小尺寸，据此可以尽量获得相邻有效功能区域202之间的最小间距L，从而维持第一功能层221被隔离结构300隔断的同时，提高像素密度。
在本公开一些实施例中，在不考虑发光功能层与阳极接触面积的情况下(例如阳极的尺寸设计为和发光功能层有足够的接触面积)，可以仅通过发光功能层中相关膜层(例如第一功能层或者所有的膜层)的厚度均匀部分的边界，来界定有效功能区的范围。第二电极只要保证可以向发光功能层提供载流子(例如电子)即可，在厚度足够的情况下，即便第二电极出现厚度不均，也可以认为该厚度不均的部分对发光器件的出光效率是否均匀分布不会造成影响。
在本公开另一些实施例中，鉴于第二电极透光率提高的要求，其厚度有限，从而在一些方案中，需要尽量使第二电极的位于主要发光区域部分的厚度尽量均匀。例如，如果要使得第二电极中和有效功能区重叠的部分的膜厚均匀，可以通过第二电极的膜厚均匀部分的边缘进一步限定有效功能区的边界，此情况下，有效功能区的面积会比发光功能层中膜厚均匀部分的面积(例如发光层的膜厚均匀部分的面积以及第一功能层的膜厚均匀部分的面积)小，在此情况下，有效功能区中，发光功能层以及第二电极的厚度都是均匀的，相应地，主要发光区的最大边界也为第二电极的膜厚均匀部分的边缘。
在本公开至少一个实施例中，位于第一功能层221上的膜层例如发光层、第二功能层223等的蒸镀角一般会小于或等于第一功能层221的蒸镀角，以使得该些膜层可以覆盖第一功能层221，以免第一功能层221直接与第二电极230连接。在此情况下，以发光层的对应的蒸镀角小于第一功能层221的蒸镀角为例，如果第二间距L1的宽度可以保证发光层在有效功能区202中膜厚均匀，那么第一功能层221是可以在有效功能区202中具有均匀的膜厚的；此外，以第二功能层223的边缘对应的倾角小于发光功能层中其它膜层的边缘对应的倾角为例，如果第二间距L1的宽度可以保证第二功能层223在有效功能区202中膜厚均匀，那么第一功能层221、发光层等其它膜层是可以在有效功能区202中具有均匀的膜厚的。
需要说明的是，在本公开的实施例中，膜层的边缘对应的倾角为膜层的边缘与第二端部的边缘的连线和基板所在面相交的锐角。
需要说明的是，发光层为发光功能层中进行激发光的主要膜层，为发光功能层的基本功能层，因此与其它膜层相比，发光层的成膜质量对发光器件的发光效率的影响相对较大。因此，在实际工艺中，需要至少保证发光层在有效功能区中的膜厚均匀，即，可以将发光层的膜厚均匀部分的边缘作为有效功能区的边界。在此情况下，有效功能区的面积会不大于第一功能层221的膜厚均匀部分的面积。
需要说明的是，在发光层的对应的蒸镀角小于或等于第一功能层221的蒸镀角的情况下，发光层的边界最小极限(最小面积)为第一功能层221的边界处，即，有效功能区的最大面积对应的边界仍可以为第一功能区221的膜厚均匀部分的边界，因此，至少在计算像素密度的极限值时，仍可以通过第一功能层221的膜厚均匀部分的边缘的位置来界定有效功能区的位置。
需要说明的是，在本公开的实施例中，可以将发光层的膜厚均匀部分的边界，作为发光器件的主要发光区的边界。例如，在发光层的对应的蒸镀角等于第一功能层221的蒸镀角的情况下，主要发光区的边界、有效功能区的边界、发光层的膜厚均匀部分的边界、第一功能层221的膜厚均匀部分的边界重合；或者，在发光层的对应的蒸镀角小于第一功能层221的蒸镀角的情况下，发光层的膜厚均匀部分的边界为发光器件的主要发光区的边界，第一功能层221的膜厚均匀部分的边界为有效功能区的边界。
在本公开至少一个实施例中，发光层222、第二功能层223等不需要与隔离结构有良好的接触或者应避免接触隔离结构，因此，发光层222、第二功能层223等的蒸镀角一般会大于第二电极230的蒸镀角。在此情况下，如果第二间距L1的宽度可以保证第二电极230在有效功能区202中膜厚均匀，那么第一功能层221和第二电极230之间的发光层222、第二功能层223等功能层都可以在有效功能区202中具有均匀的膜厚，即，如果将第二电极230的膜厚均匀部分的边缘来界定有效功能区的边界，那么发光功能层中的各个膜层在有效功能区的膜厚是均匀的。
在本公开至少一个实施例中，如图5所示，在与基板100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第一端部310的朝向基板100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线，与基板100所在面(或者线P0)构成的锐角不小于第一倾角Θ1且不大于第二倾角Θ2，即，h1/tanΘ1≤L2≤h1/tanΘ2。如此，可以尽可能获得第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在横向上的第一宽度L2的最小可设计小尺寸，据此进一步获得相邻有效功能区域202之间的最小间距，从而维持第一功能层221被隔离结构300隔断的同时，进一步提高发光器件的排布密度(相当于像素密度)。
例如，在本公开的一些实施例中，如图5所示，第一端部310的朝向基板100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线，与基板100所在面(或者P0)构成的锐角等于第一倾角Θ1，以使得第二电极230刚好与第一端部310接触，此情况下可以认为第二电极230与第一端部310已经存在电性连接。
例如，在本公开的另一些实施例中，如图6所示，第一端部310的朝向基板100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基板100所在面(或者P0)构成的锐角大于第一倾角Θ1，以使得第二电极230可以攀爬至第一端部310的侧表面，即，第二电极230与第一端部310的侧表面的至少部分重叠且接触，例如图6中示出了攀爬高度为h0。如此，可以保证第二电极230与隔离结构300的第一端部310的搭接，且使得第二电极230的与隔离结构300的搭接部分具有相对较大的厚度以免接触不良或者搭接处的电阻过大。需要说明的是，在此情况下，L2的尺寸为：L2＝(h1-h0)/tanΘ2。
在本公开一些实施例中，可以综合考虑L1和L2的临界范围的情况下，获取L1+L2的最小值，以进一步减小子像素间隙的可选最小尺寸。例如，可重新参见图5，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角等于第一倾角Θ1，第一端部310的朝向基板100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基板100所在面构成的锐角等于第二倾角Θ2，即，L1＝h1/tanΘ2，且L2＝h1/tanΘ1。如此，在保证发光器件的各个膜层在有效功能区202中膜厚均匀的情况下，将有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在横向上的第二间距L1、第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在横向上的第一宽度L2都为最小尺寸，从而尽可能减小相邻有效功能区域202之间的间距，从而维持第一功能层221被隔离结构300隔断的同时，使得发光器件200的排布密度(相当于像素密度)最大化。需要说明的是，在该方案中，第一功能层221的边缘会刚好与隔离结构(例如其包括的第一端部310)接触，但是在接触位置，第一功能层221的厚度理论上会无限接近于零，从而使得接触位置的电阻无限大，电流不会经过第一功能层221进入隔离结构300中，即，因此隔离结构300实际仍然将相邻的第一功能层221进行了电隔离，从而可避免电流泄漏导致显示面板发光效率降低。
需要说明的是，在如图5所示的实施例中，公式L1＝h1/tanΘ2中忽略了第一电极210和发光功能层220中各个膜层的厚度，且公式L1＝h1/tanΘ1可以替换为L1＝H/tanΘ1。如果计算第一电极210和发光功能层220的厚度，那么上述公式L1＝H/tanΘ1中的“H”需要再减去第一电极210和发光功能层220的厚度。
在本公开一些实施例中，如图6所示，隔离结构300可以直接设置在基板100上，此情况下边，第一电极210的尺寸需要避免与隔离结构300重叠，以避免漏电和降低发光效率，在此情况下，第一电极210限定有效功能区202的边界，即，有效功能区202与第一电极210重合。
在本公开另一些实施例中，如图7所示，显示面板包括像素界定层330，该像素界定层330位于隔离结构(例如支撑部310)和第一电极210所在层之间，以覆盖相邻的第一电极210之间的间隙(区域L4)。像素界定层330界定有第二开口302，发光功能层220覆盖第二开口302，第二开口302与第一开口301分别对应且彼此连通，第二开口302在基板100上的正投影位于对应的第一开口301在基板100上的正投影之内。通过设计像素界定层330，可以消除第一电极210与相邻的隔离结构(例如其中导电的第一端部310)搭接的风险，从而使得第一电极210具备较大的设计尺寸，以保证有效功能区202的设计面积。
像素界定层330界定了第一电极210的暴露面积(用于与发光功能层220接触的部分的面积)，从而界定了发光器件200的发光区的边界。需要说明的是，在发光区中，如果发光功能层220的各个膜层厚度不均匀，会导致发光区的出光效率不均匀，因此，可以将发光器件的发光区设计在发光功能层220的有效功能区之内或者与有效功能区重合，从而保证整个发光区都可以均匀出光。
需要说明的是，在设计显示面板的像素密度时，可以在确定有效功能区(或者进一步为主要发光区)的尺寸时同步确定出上述的L1、L2和h1(H)等参数，在此基础上再确定像素界定层330的边界的具体位置，例如，像素界定层330的第二开口302的最小边界(第二开口302的最小尺寸)为有效功能区的边界。在该情况下，在对显示面板PPI进行设计时，在完成有效功能区的尺寸和位置之前，可以不需要考虑像素界定层330的具体位置(尺寸)，从而减少设计时涉及的结构数量，以降低显示面板的设计成本。
需要说明的是，在本公开一些实施例中，基于在像素界定层中形成第二开口的工艺精度(例如掩膜对位精度)的考虑，可以将第二开口的面积设计为略大于有效功能区的面积，即，有效功能区在基板上的正投影位于第二开口在基板上的正投影之内，以设置足够的对位安全余量，从而保证发光功能层的位于有效功能区的部分都可以与第一电极接触；或者，可以将第二开口的面积设计为小于有效功能区的面积，从而可以使得发光功能层在第二开口中的部分的厚度均匀，以使得发光器件的发光区都可以均匀出光。
在本公开一些实施例中，如图8A所示，像素界定层330的侧壁可以设置为具备一定坡度的斜面，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区的边界由第二电极230的膜厚均匀部分的边界确定，即，可以是像素界定层330的面向基板100的表面的边缘与有效功能区的边界基本重合，即，像素界定层330的面向基板100的表面的边缘与第二端部320的夹角等于第一倾角Θ1。此外，可以进一步设计为将像素界定层330的背离基板100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线，与基板100所在面构成的锐角等于第二倾角Θ2，即，第一功能层221在像素界定层330的背离基板100的表面的边缘处开始出现厚度不均。基于透光率的需求，第二电极230的整体厚度是比较小的，这使得第二电极230在坡度较大的区域容易出现膜厚过低、断裂、延续性不良等问题。本公开上述的设计可以使得第二间距L1具备相对较小尺寸的同时，使得像素界定层330的侧壁具有相对较小的坡度，以使得第二电极230在像素界定层330的侧壁上更容易沉积而具备相对较大的膜厚，以避免第二电极230因段差导致膜层的延续性不良甚至断裂。
例如，在本公开另一些实施例中，可以对图8A所示结构进行改造以得到图8B，具体地，如图8B所示，有效功能区的边界由发光层的膜厚均匀部分的边界确定，那么可以将像素界定层330的面向基板100的表面的边缘设计为与有效功能区的边界基本重合，即，像素界定层330的面向基板100的表面的边缘与第二端部320的夹角(界定于第二倾角Θ2和第一倾角Θ1之间)，等于发光层的边缘与第二端部320所确定的直线P3和基板100所在面的夹角，在此情况下，第一功能层221的膜厚均匀部分的边界与像素界定层330的面向基板100的表面的边缘重合(此情况下，第一功能层221和发光层对应的蒸镀角相等)，或者位于像素界定层330的侧表面或者背离基板100的表面上(此情况下，第一功能层221对应的蒸镀角大于发光层对应的蒸镀角)。此外，可以进一步设计为将像素界定层330的背离基板100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线，与基板100所在面构成的锐角等于第二倾角Θ2，即，第一功能层221在像素界定层330的背离基板100的表面的边缘处开始出现厚度不均。基于透光率的需求，第二电极230的整体厚度是比较小的，这使得第二电极230在坡度较大的区域容易出现膜厚过低、断裂、延续性不良等问题。本公开上述的设计可以使得第二间距L1具备相对较小尺寸的同时，使得像素界定层330的侧壁具有相对较小的坡度，以使得第二电极230在像素界定层330的侧壁上更容易沉积而具备相对较大的膜厚，以避免第二电极230因段差导致膜层的延续性不良甚至断裂。
例如，在本公开至少一个实施方式中，如图8A所示，像素界定层330位于相邻两个子像素之间的部分沿与基板100垂直的截面形状为正梯形，且在隔离结构300的同一侧，像素界定层330的面向基板100的表面的边缘和第二端部的边缘所确定的直线，与基板100所在面构成的锐角等于第一倾角Θ1。像素界定层330的第二开口302的边界与有效功能区的边界重合，从而使得发光器件200的发光区与有效功能区重合，以使得发光区的发光部分都能具备最大的发光效率，从而改善出光均匀度；相应地，该设计可以在保证发光器件200最大发光效率的同时，获得像素界定层330的边界可延伸的范围，以获得像素界定层330的最大设计宽度(两个相邻的第一开口301之间的部分的宽度)，从而有利于规划像素间隙(相邻发光器件200的发光区域的间隙)的宽度。
在本公开的实施例中，像素界定层330主要用于间隔第一电极210和隔离结构300的隔断部，并不需要对发光功能层220进行限位，从而可以将像素界定层330设计为具有较小的设计厚度，这不仅降低像素界定层330的边界处的段差(过大会导致成膜质量变差)，还有利于显示面板的轻薄化设计。然而，厚度较小的像素界定层330会在相邻第一电极210的间隙处形成共形的凹槽，该凹槽可能会对后续膜层的质量构成影响。
例如，如图7所示，像素界定层330的覆盖第一电极210的间隙(配合基板100呈现为凹槽形状)的部分与第一电极210的间隙共形以形成凹槽。例如，该像素界定层330为无机材料膜层，以使得像素界定层330具备较薄厚度的同时具备较高的绝缘性。例如，该像素界定层330的材料可以为氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等。采用有机材料成膜的工艺残留的小分子物质极易产生杂气，数据表现为杂气排放(out gas)数值升高，而无机材料形成的像素界定层330的化学性质更加稳定，因此本实施例的像素界定层330能提高显示面板的稳定性。
例如，像素界定层330的厚度可以为1000埃至5000埃。
需要说明的是，像素界定层330的厚度为其位于相邻的第一电极210之间的部分的厚度，或者是其覆盖第一电极210的部分(不考虑像素界定层330的侧壁部分)的厚度。
在本公开一些实施例中，如图7所示，相邻第一电极210在基板100上的正投影的间隙，位于第一端部310的面向基板100的表面在基板100上的正投影之内，即，第一电极210的间隙的宽度L4小于第一端部310的宽度L3，以使得隔离结构的第一端部310可以将像素界定层330上的凹槽覆盖。
在本公开另一些实施例中，如图8A所示，相邻第一电极210在基板100上的正投影的间隙，与第一端部310的面向基板100的表面在基板100上的正投影重合，即，第一电极210的间隙的宽度L4与第一端部310的宽度L3相等。如此，可以减小隔离结构300的第一端部310的最小可设计宽度，据此可以减小相邻有效功能区域202之间的最小间距，从而维持第一功能层221被隔离结构300隔断的同时，提高发光器件200的排布密度(相当于像素密度)。
例如，基板100可以包括衬底以及位于衬底上的驱动电路层，驱动电路层包括位于显示区中的多个像素驱动电路，显示功能层位于该驱动电路层上。例如，像素驱动电路可以包括多个晶体管TFT、电容等，例如形成为2T1C(即2个晶体管(TFT)和1个电容(C))、3T1C或者7T1C等多种形式。像素驱动电路与发光器件200连接，以控制发光器件200的开关状态以及发光亮度。
在本公开至少一个实施例中，如图9所示，显示面板还可以包括第一封装层510，该第一封装层510至少覆盖发光器件200以在显示面板的制备工艺过程中对发光器件200的膜层进行保护。需要说明的是，出射光不同的发光器件200是独立制作的，但是每个发光器件200中的膜层(蒸镀膜层例如发光功能层等)在蒸镀时是在显示面板上整面蒸镀的。例如，发光器件200分类为分别出射红光(R)、绿光(G)和蓝光(B)的发光器件，在制备过程中，发光器件R、G、B依次制备，在制备发光器件R时，每个第一开口301中都形成发光器件R，在显示面板上制备第一封装层510以覆盖发光器件R，然后将部分第一开口301(最终产品中用于形成发光器件G、B)中的第一封装层510以及发光器件R的第二电极和发光功能层去除，在此过程中，第一封装层510用于保护其它第一开口301中的发光器件R，基于该方式再依次制备发光器件G、B，最终形成如图9所示的第一封装层510。下面，结合图10至图13对图9所示的显示面板的制备过程进行描述。
需要说明的是，第一封装层510对于发光器件来说已经起到了封装的效果，因此也可以称为封装层(仅设置一个膜层)或者封装层(多个封装膜层时)中的一个膜层。
如图10所示，提供基板100并在基板100上形成阵列排布的第一电极210；在形成有第一电极210的基板100上沉积绝缘材料膜层(例如无机材料膜层)；在显示面板上形成支撑部310和阻挡部320；对绝缘材料膜层进行构图工艺以形成像素界定层330(平面形状为网格状)，像素界定层330覆盖相邻第一电极210的间隙，如此，像素界定层330的平面形状为网格状。
在本公开的实施例中，构图工艺可以为光刻构图工艺，例如可以包括：在需要被构图的结构层上涂覆光刻胶，使用掩模板对光刻胶进行曝光，对曝光的光刻胶进行显影以得到光刻胶图案，使用光刻胶图案对结构层进行蚀刻(可选湿刻或者干刻)，然后可选地去除光刻胶图案。需要说明的是，在结构层(例如下述的光刻胶图案500)的材料包括光刻胶的情况下，可以通过掩模板对该结构层直接曝光以形成所需要的图案。
如图11所示，在基板100上蒸镀发光功能层和第二电极，其中，蒸镀源以第一蒸镀角(第二倾角)进行蒸镀以形成第一功能层221，以第二蒸镀角(第一倾角)进行蒸镀以形成第二电极230，以在隔离结构300的每个第一开口301中都形成发光器件200，该过程中的蒸镀未采用掩膜板，因此蒸镀的材料也会在阻挡部320上沉积；然后沉积形成第一封装层510以覆盖发光器件200。例如，蒸镀的发光功能层220中的发光层可以对应为出射红光，即，在该阶段，隔离结构300的每个第一开口301中都形成有对应出射红光的发光器件200。
如图12所示，在形成有第一封装层510的基板100上形成(例如涂覆等)光刻胶，然后对其进行构图工艺以形成光刻胶图案500，光刻胶图案500仅覆盖一部分第一开口301。
如图13所示，对显示面板的表面进行刻蚀，去除未被光刻胶图案500覆盖的第一封装层510、第二电极230和发光功能层220；然后去除残留的光刻胶图案500。
重复上述图11至图13的步骤，以在其它第一开口301中分别形成出射绿光的发光器件200和出射蓝光的发光器件200，并形成如图9所示的显示面板。
需要说明的是，在本公开的一些实施例中，发光功能层中的部分膜层，例如发光层，可以使用非蒸镀的方式例如喷墨打印来制备，具体可以根据该些膜层的材料来选择，例如，在该些膜层为高分子材料而不适用蒸镀的情况下，可以使用喷墨打印来制备。
在当前的OLED显示面板设计中，发光器件中膜层的蒸镀需要利用掩膜板(例如，FMM掩膜板)单独制备，限于多次对位的精度要求，需要预留较大的子像素间隙(相邻发光器件之间的间隙，对应于像素间距)；此外，当前的OLED需要通过厚度较大的像素界定层来对发光器件进行限位(本公开下述的实施例不限于必须通过像素界定层对发光器件进行限位)，发光器件是完全容纳在该像素界定层的开口中的，在此情况下，因为像素界定层的厚度过大，且为了增加且使得像素界定层的开口的侧壁具备较大的坡度，所有像素界定层的侧壁占据的空间比较大，这更进一步增加了子像素的间隙；另外，受对位精度的限制，发光器件本身的尺寸也难以进一步缩小。当前的OLED显示面板，基于FMM技术上的像素密度难以超过403PPI，因为其子像素的宽度难以做到4微米以下，更重要的是子像素的间隙最小仅能达到17微米，且做到20微米也相对较难。
下面，对如何将显示面板中的像素密度提升至大于403PPI以及该情况下的显示面板的具体结构，进行详细地说明。
在本公开一些实施例中，显示面板包括基板以及位于基板上的隔离结构和多个像素。隔离结构具有多个第一开口，每个像素包括出射不同波长光线的多个子像素(指每个子像素出射一种光线，不同子像素出射光线的波长不同)，子像素包括依次层叠设置于基板上的第一电极、发光功能层及第二电极，子像素的发光层设于第一开口内，且第二电极与隔离结构连接。通过设置隔离结构，可以使得像素的排布密度的范围为90至7400PPI。在上述方案中，对于子像素的蒸镀膜层而言，通过设置隔离结构，可以不再需要通过掩膜板进行蒸镀，从而不需要考虑蒸镀时的对位精度问题，从而可以使得相邻子像素的间距可以减小，以使得显示面板具备较高的像素密度；根据具体应用场景的需求不同，具体可设置为404-2000PPI、2000-7400PPI范围范围的不同具体数值，当然也可以根据实际需求设置为90-403PPI范围的数值。显示面板的平面结构以及提高PPI的原理，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不做赘述。
在本公开的实施例中，可以选择减小子像素宽度、或者减小子像素的间距、或者同时缩小子像素的宽度以及缩小子像素的间距等方式来提高像素密度，下面，通过不同的实施例，针对上述不同选择下的显示面板的结构进行详细地说明。
在本公开一些实施例中，可以通过仅缩小子像素的间距的方式来提高像素密度。例如，可以将子像素的平均宽度设计为不小于4微米，子像素的间隙设计为不小于8微米且不大于17微米，如此，可以使得像素的排布密度为404PPI至1058PPI，其中，在子像素的平均宽度设计为4微米且子像素的间隙设计为8微米的情况下，像素的排布密度大致为706PPI或者1058PPI。
例如，显示功能层包括与子像素对应的多个发光器件。发光器件中各个膜层的类型、位置关系以及与隔离结构的位置关系可以参见前述关于图1至图3相关的实施例中的相关说明，在此不作赘述。此外，在本实施例中，可重新参见图4，第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在垂直于基板100的方向上的距离h1不小于0.6微米，第一端部310的宽度不小于2微米，第二端部320的宽度不小于4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基板100上的正投影的第二间距L1不小于2微米，以使得子像素的间隙不小于8微米。例如，进一步地，第二倾角为40度至70度。
例如，可重新参见图5，在与基板100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第二电极230的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P4，与基板100所在面构成的锐角为第一倾角Θ1，第一倾角Θ1小于第二倾角Θ2，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面(例如线P0)构成的锐角小于或等于第一倾角Θ1。在该情形下，第一倾角Θ1可以设计为20度至70度。
例如，可重新参见图5，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角等于第一倾角Θ1，第一端部310的朝向基板100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基板100所在面构成的锐角等于第二倾角Θ2，即，L1＝H/tanΘ2(该公式中H的计算忽略第一电极和发光功能层的膜厚)，且L2＝h1/tanΘ1。例如，第一端部310的宽度(L3)为2微米，第二端部320的宽度(2L2+L3)为4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基板100上的正投影的第二间距L1为2微米，以使得子像素的间隙为8微米。例如，更进一步地，在每个像素中，子像素的平均宽度为4微米，以使得像素的排布密度为706PPI或者1058PPI。
需要说明的是，“子像素的平均宽度”为每个像素中的多个子像素的宽度之和与子像素个数的比值。例如，可重新参见图2，每个像素P包括出射光线波长依次增加的第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R分别出射蓝光、绿光、红光。本实施方式中的显示面板中的第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的数量比为1:1:1。
例如，在一些设计中，可重新参见图2，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度都为4微米。
例如，在一些设计中，如图14所示，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R排布为多行，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度的方向与行的方向(例如X轴的方向)相同，每个像素中的第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R沿行的方向依次排布，第一子像素B的宽度a1、第二子像素G的宽度a2和第三子像素R的宽度a3依次减小，第一子像素B的宽度a1大于4微米，第三子像素R的宽度a3小于4微米，以使得第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的平均宽度(a1+a2+a3)/3为4微米。
在上述设计下，每个像素(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch＝a1+a2+a3+3b)为36微米，以使得像素的排布密度为706PPI，其中，b＝2L1+2L2+L3。
例如，在另一些设计中，如图15所示，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R排布为多列，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度的方向与列的方向垂直，第二子像素G和第三子像素R所在列与第一子像素B所在列不同，在第二子像素G和第三子像素R所在列中，第二子像素G和第三子像素R，第一子像素B所在的列和第二子像素G所在的列交替排布，第二子像素G和第三子像素R的数量相等。
例如，如图15所示，第二子像素G和第三子像素R的宽度都为4微米；或者，第二子像素G和第三子像素R的宽度依次减小，第一子像素的宽度大于4微米，第二子像素和第三子像素的宽度相等且小于4微米。在上述设计下，每个像素P(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch＝2a+2b)为24微米，以使得像素的排布密度为1058PPI，其中，b＝2L1+2L2+L3。
在本公开的实施例中，PPI的计算方式可以为25.4毫米与pitch的比值，例如，在如图14所示的像素排布下，如果pitch为36微米，PPI大致为706；如图在pitch为24微米的情况下，PPI大致为1058。
在本公开一些实施例中，可以通过仅缩小子像素的宽度的方式来提高像素密度。例如，可以将子像素的平均宽度设计为不小于2微米，将子像素的间隙设计为不小于17微米，如此，可以使得像素的排布密度为404PPI至668PPI，其中，在子像素的平均宽度设计为2微米且子像素的间隙设计为17微米的情况下，像素的排布密度大致为446PPI或者668PPI。
例如，显示面板还可以包括基板以及位于基板上的显示功能层，显示功能层包括与子像素对应的多个发光器件。发光器件中各个膜层的类型、位置关系以及与隔离结构的位置关系可以参见前述关于图1至图3相关的实施例中的相关说明，在此不作赘述。此外，在本实施例中，可重新参见图4，第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在垂直于基板100的方向上的距离h1不小于0.6微米，第一端部310的宽度不小于2微米，第二端部320的宽度不小于4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基板100上的正投影的第二间距L1不小于6.5微米，以使得子像素的间隙不小于17微米。例如，进一步地，第二倾角为40度至70度。
例如，可重新参见图5，在与基板100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第二电极230的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P4，与基板100所在面构成的锐角为第一倾角Θ1，第一倾角Θ1小于第二倾角Θ2，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面(例如线P0)构成的锐角小于或等于第一倾角Θ1。在该情形下，第一倾角Θ1可以设计为20度至70度。
例如，可重新参见图5，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角等于第一倾角Θ1，第一端部310的朝向基板100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基板100所在面构成的锐角等于第二倾角Θ2，即，L1＝H/tanΘ2(该公式中H的计算忽略第一电极和发光功能层的膜厚)，且L2＝h1/tanΘ1。例如，第一端部310的宽度为2微米，第二端部320的宽度为4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基板100上的正投影的第二间距L1为6.5微米，以使得子像素的间隙为17微米。例如，在每个像素中，子像素的平均宽度为2微米，以使得像素的排布密度为446PPI或者668PPI。例如，在如图2和图14所示的像素排布结构中，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度都为2微米；或者，第一子像素B的宽度大于2微米，第三子像素R的宽度小于2微米，以使得第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的平均宽度为2微米。在上述设计下，每个像素(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为57微米，以使得像素的排布密度为446PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
例如，在如图15所示的像素排布结构中，第二子像素G和第三子像素R的宽度都为2微米；或者，第二子像素G和第三子像素R的宽度依次减小，第一子像素的宽度大于2微米，第二子像素和第三子像素的宽度相等且小于2微米。在上述设计下，每个像素P(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为38微米，以使得像素的排布密度为668PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
在本公开一些实施例中，可以通过缩小子像素的间距且缩小子像素的宽度的方式来提高像素密度。例如，可以将子像素的平均宽度设计为不小于2微米，将子像素的间隙设计为不小于8微米且不大于17微米，以使得像素的排布密度为404PPI至1270PPI，其中，在子像素的平均宽度设计为2微米且子像素的间隙设计为8微米的情况下，像素的排布密度大致为847PPI或者1270PPI。
例如，显示面板还可以包括基板以及位于基板上的显示功能层，显示功能层包括与子像素对应的多个发光器件。发光器件中各个膜层的类型、位置关系以及与隔离结构的位置关系可以参见前述关于图1至图3相关的实施例中的相关说明，在此不作赘述。此外，在本实施例中，可重新参见图4，第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在垂直于基板100的方向上的距离不小于0.6微米，第一端部310的宽度不小于2微米，第二端部320的宽度不小于4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基板100上的正投影的间距不小于2微米，以使得子像素的间隙不小于8微米。例如，进一步地，第二倾角为40度至70度。
例如，可重新参见图5，在与基板100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第二电极230的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P4，与基板100所在面构成的锐角为第一倾角Θ1，第一倾角Θ1小于第二倾角Θ2，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面(例如线P0)构成的锐角小于或等于第一倾角Θ1。在该情形下，第一倾角Θ1可以设计为20度至70度。
例如，可重新参见图5，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角等于第一倾角Θ1，第一端部310的朝向基板100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基板100所在面构成的锐角等于第二倾角Θ2，即，L1＝H/tanΘ2(该公式中H的计算忽略第一电极和发光功能层的膜厚)，且L2＝h1/tanΘ1。例如，第一端部310的宽度为2微米，第二端部320的宽度为4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基板100上的正投影的间距为2微米，以使得子像素的间隙为8微米。例如，更进一步地，在每个像素中，子像素的平均宽度为2微米，以使得像素的排布密度为847PPI或者1270PPI。
例如，在如图2和图14所示的像素排布结构中，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度都为2微米；或者，第一子像素B的宽度大于2微米，第三子像素R的宽度小于2微米，以使得第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的平均宽度为2微米。在上述设计下，每个像素(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为30微米，以使得像素的排布密度为847PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
例如，在如图15所示的像素排布结构中，第二子像素G和第三子像素R的宽度都为2微米；或者，第二子像素G和第三子像素R的宽度依次减小，第一子像素的宽度大于2微米，第二子像素和第三子像素的宽度相等且小于2微米。在上述设计下，每个像素P(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为20微米，以使得像素的排布密度为1270PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
在本公开一些实施例中，可以通过缩小子像素的间距且缩小子像素的宽度的方式来提高像素密度。例如，可以将子像素的平均宽度设计为不小于1.5微米，将子像素的间隙设计为不小于7微米且不大于17微米，以使得像素的排布密度为404PPI至1500PPI，其中，在子像素的平均宽度设计为1.5微米且子像素的间隙设计为7微米的情况下，像素的排布密度大致为1000PPI或者1500PPI。
例如，显示面板还可以包括基板以及位于基板上的显示功能层，显示功能层包括与子像素对应的多个发光器件。发光器件中各个膜层的类型、位置关系以及与隔离结构的位置关系可以参见前述关于图1至图3相关的实施例中的相关说明，在此不作赘述。此外，在本实施例中，可重新参见图4，第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在垂直于基板100的方向上的距离不小于0.6微米，第一端部310的宽度不小于2微米，第二端部320的宽度不小于4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基板100上的正投影的第二间距L1不小于1.5微米，以使得子像素的间隙不小于7微米。例如，进一步地，第二倾角为40度至70度。
例如，可重新参见图5，在与基板100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第二电极230的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P4，与基板100所在面构成的锐角为第一倾角Θ1，第一倾角Θ1小于第二倾角Θ2，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面(例如线P0)构成的锐角小于或等于第一倾角Θ1。在该情形下，第一倾角Θ1可以设计为20度至70度。
例如，可重新参见图5，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角等于第一倾角Θ1，第一端部310的朝向基板100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基板100所在面构成的锐角等于第二倾角Θ2，即，L1＝H/tanΘ2(该公式中H的计算忽略第一电极和发光功能层的膜厚)，且L2＝h1/tanΘ1。例如，第一端部310的宽度为2微米，第二端部320的宽度为4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基板100上的正投影的第二间距L1为1.5微米，以使得子像素的间隙为7微米。例如，更进一步地，在每个像素中，子像素的平均宽度为1.5微米，以使得像素的排布密度为1000PPI或者1500PPI。
例如，在如图2和图14所示的像素排布结构中，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度都为1.5微米；或者，第一子像素B的宽度大于1.5微米，第三子像素R的宽度小于1.5微米，以使得第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的平均宽度为1.5微米。在上述设计下，每个像素(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为25.5微米，以使得像素的排布密度为1000PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
例如，在如图15所示的像素排布结构中，第二子像素G和第三子像素R的宽度都为1.5微米；或者，第二子像素G和第三子像素R的宽度依次减小，第一子像素的宽度大于1.5微米，第二子像素和第三子像素的宽度相等且小于1.5微米。在上述设计下，每个像素P(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为17微米，以使得像素的排布密度为1500PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
例如，在如图2和图14所示的像素排布结构中，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度都为2微米；或者，第一子像素B的宽度大于2微米，第三子像素R的宽度小于2微米，以使得第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的平均宽度为2微米。在上述设计下，每个像素(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为27微米，以使得像素的排布密度为941PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
例如，在如图15所示的像素排布结构中，第二子像素G和第三子像素R的宽度都为2微米；或者，第二子像素G和第三子像素R的宽度依次减小，第一子像素的宽度大于2微米，第二子像素和第三子像素的宽度相等且小于2微米。在上述设计下，每个像素P(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为18微米，以使得像素的排布密度为1411PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
在本公开一些实施例中，可以通过缩小子像素的间距且缩小子像素的宽度的方式来提高像素密度。例如，可以将子像素的平均宽度设计为不小于1.35微米，将子像素的间隙设计为不小于5微米且不大于17微米，以使得像素的排布密度为404PPI至2000PPI，其中，在子像素的平均宽度设计为1.35微米且子像素的间隙设计为5微米的情况下，像素的排布密度大致为1333PPI或者2000PPI。
例如，显示面板还可以包括基板以及位于基板上的显示功能层，显示功能层包括与子像素对应的多个发光器件。发光器件中各个膜层的类型、位置关系以及与隔离结构的位置关系可以参见前述关于图1至图3相关的实施例中的相关说明，在此不作赘述。此外，在本实施例中，可重新参见图4，第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在垂直于基板100的方向上的距离不小于0.6微米，第二端部320的宽度不小于3.5微米，第一端部310的宽度不小于2微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基板100上的正投影的第二间距L1不小于0.75微米，以使得子像素的间隙不小于5微米。例如，进一步地，第二倾角为40度至70度。
例如，可重新参见图5，在与基板100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第二电极230的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P4，与基板100所在面构成的锐角为第一倾角Θ1，第一倾角Θ1小于第二倾角Θ2，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面(例如线P0)构成的锐角小于或等于第一倾角Θ1。在该情形下，第一倾角Θ1可以设计为20度至70度。
例如，可重新参见图5，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角等于第一倾角Θ1，第一端部310的朝向基板100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基板100所在面构成的锐角等于第二倾角Θ2，即，L1＝H/tanΘ2(该公式中H的计算忽略第一电极和发光功能层的膜厚)，且L2＝h1/tanΘ1。例如，第二端部320的宽度为3.5微米，第一端部310的宽度为2微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基板100上的正投影的第二间距L1为0.75微米，以使得子像素的间隙为5微米。例如，更进一步地，在每个像素中，子像素的平均宽度为1.35微米，以使得像素的排布密度为1333PPI或者2000PPI。
例如，在如图2和图14所示的像素排布结构中，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度都为1.35微米；或者，第一子像素B的宽度大于1.35微米，第三子像素R的宽度小于1.35微米，以使得第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的平均宽度为1.35微米。在上述设计下，每个像素(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为19.05微米，以使得像素的排布密度为1333PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
例如，在如图15所示的像素排布结构中，第二子像素G和第三子像素R的宽度都为1.35微米；或者，第二子像素G和第三子像素R的宽度依次减小，第一子像素的宽度大于1.35微米，第二子像素和第三子像素的宽度相等且小于1.35微米。在上述设计下，每个像素P(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为12.7微米，以使得像素的排布密度为2000PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
在本公开一些实施例中，可以通过缩小子像素的间距且极小子像素的宽度的方式来提高像素密度。例如，可以将子像素的平均宽度设计为不小于4.8微米，将子像素的间隙设计为不小于12微米且不大于17微米，以使得像素的排布密度为404PPI至756PPI，其中，在子像素的平均宽度设计为4.8微米且子像素的间隙设计为7微米的情况下，像素的排布密度大致为504PPI或者756PPI。
例如，显示面板还可以包括基板以及位于基板上的显示功能层，显示功能层包括与子像素对应的多个发光器件。发光器件中各个膜层的类型、位置关系以及与隔离结构的位置关系可以参见前述关于图1至图3相关的实施例中的相关说明，在此不作赘述。此外，在本实施例中，可重新参见图4，第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在垂直于基板100的方向上的距离不小于0.6微米，第一端部310的宽度不小于2微米，第二端部320的宽度不小于4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基板100上的正投影的第二间距L1不小于4微米，以使得子像素的间隙不小于12微米。例如，进一步地，第二倾角为40度至70度。
例如，可重新参见图5，在与基板100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第二电极230的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P4，与基板100所在面构成的锐角为第一倾角Θ1，第一倾角Θ1小于第二倾角Θ2，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面(例如线P0)构成的锐角小于或等于第一倾角Θ1。在该情形下，第一倾角Θ1可以设计为20度至70度。
例如，可重新参见图5，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角等于第一倾角Θ1，第一端部310的朝向基板100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基板100所在面构成的锐角等于第二倾角Θ2，即，L1＝H/tanΘ2(该公式中H的计算忽略第一电极和发光功能层的膜厚)，且L2＝h1/tanΘ1。例如，第一端部310的宽度为2微米，第二端部320的宽度为4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基板100上的正投影的第二间距L1为4微米，以使得子像素的间隙为12微米。例如，更进一步地，在每个像素中，子像素的平均宽度为4.8微米，以使得像素的排布密度为504PPI或者756PPI。
例如，在如图2和图14所示的像素排布结构中，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度都为4.8微米；或者，第一子像素B的宽度大于4.8微米，第三子像素R的宽度小于4.8微米，以使得第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的平均宽度为4.8微米。在上述设计下，每个像素(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为50.4微米，以使得像素的排布密度为504PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
例如，在如图15所示的像素排布结构中，第二子像素G和第三子像素R的宽度都为4.8微米；或者，第二子像素G和第三子像素R的宽度依次减小，第一子像素的宽度大于4.8微米，第二子像素和第三子像素的宽度相等且小于4.8微米。在上述设计下，每个像素P(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为33.6微米，以使得像素的排布密度为756PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
在本公开一些实施例中，可以通过缩小子像素的间距且缩小子像素的宽度的方式来提高像素密度。例如，可以将子像素的平均宽度设计为不小于2.8微米，将子像素的间隙设计为不小于10微米且不大于17微米，以使得像素的排布密度为404PPI至756PPI，其中，在子像素的平均宽度设计为2.8微米且子像素的间隙设计为7微米的情况下，像素的排布密度大致为661PPI或者992PPI。
例如，显示面板还可以包括基板以及位于基板上的显示功能层，显示功能层包括与子像素对应的多个发光器件。发光器件中各个膜层的类型、位置关系以及与隔离结构的位置关系可以参见前述关于图1至图3相关的实施例中的相关说明，在此不作赘述。此外，在本实施例中，可重新参见图4，第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在垂直于基板100的方向上的距离不小于0.6微米，第一端部310的宽度不小于2微米，第二端部320的宽度不小于4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基板100上的正投影的第二间距L1不小于3微米，以使得子像素的间隙不小于10微米。例如，进一步地，第二倾角为40度至70度。
例如，可重新参见图5，在与基板100垂直的截面上，且在隔离结构300的同一侧，第二电极230的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P4，与基板100所在面构成的锐角为第一倾角Θ1，第一倾角Θ1小于第二倾角Θ2，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面(例如线P0)构成的锐角小于或等于第一倾角Θ1。在该情形下，第一倾角Θ1可以设计为20度至70度。
例如，可重新参见图5，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P3，与基板100所在面(例如其包括的线P0)构成的锐角等于第一倾角Θ1，第一端部310的朝向基板100的表面的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线P6，与基板100所在面构成的锐角等于第二倾角Θ2，即，L1＝H/tanΘ2(该公式中H的计算忽略第一电极和发光功能层的膜厚)，且L2＝h1/tanΘ1。例如，第一端部310的宽度为2微米，第二端部320的宽度为4微米，且在隔离结构300的同一侧，有效功能区202的边缘和第二端部320的边缘在基板100上的正投影的第二间距L1为3微米，以使得子像素的间隙为10微米。例如，更进一步地，在每个像素中，子像素的平均宽度为2.8微米，以使得像素的排布密度为661PPI或者992PPI。
例如，在如图2和图14所示的像素排布结构中，第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的宽度都为2.8微米；或者，第一子像素B的宽度大于2.8微米，第三子像素R的宽度小于2.8微米，以使得第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R的平均宽度为2.8微米。在上述设计下，每个像素(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为38.4微米，以使得像素的排布密度为661PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
例如，在如图15所示的像素排布结构中，第二子像素G和第三子像素R的宽度都为2.8微米；或者，第二子像素G和第三子像素R的宽度依次减小，第一子像素的宽度大于2.8微米，第二子像素和第三子像素的宽度相等且小于2.8微米。在上述设计下，每个像素P(包括第一子像素B、第二子像素G和第三子像素R)的宽度(可称为pitch)为25.6微米，以使得像素的排布密度为992PPI。关于子像素的平均宽度的设计，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
需要说明的是，在本公开的实施例中，像素密度提升是以当前存在的制备工艺条件为前提的，即，在当前制备工艺条件例如光刻精度、对位精度(例如光刻的对位精度)等未改变的情况下，进一步提升PPI，随着技术的发展，上述工艺条件可能会进一步提升，在此情况下，本公开的实施例中提及的像素密度也可以进一步提升，例如，第一电极的间隙、支撑部的宽度可以进一步降低，子像素(或者有效功能区)的宽度可以进一步降低。
例如，在本公开的实施例中，显示面板可以包括覆盖显示功能层的封装层，该封装层可以隔绝显示功能层中的发光器件，并且具有平坦化功能，以便于在封装层上设置触控功能层、偏光片、透镜层、盖板等功能结构。例如，该封装层可以包括依次叠置在显示功能层上的第一封装层(前述实施例已经提及)、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层都为无机膜层，无机膜层的致密性高以隔绝水氧等，第二封装层为有机封装层从而具有较大的厚度，且具有平坦化功能。
以上，对带有隔离结构的一些基本设计以及其可以增加显示面板的像素密度(PPI)的原理进行了概括性说明。但是，在实际应用中，在设置有隔离结构的情况下，隔离结构可能存在不同的设计形状，且显示面板中可能存在其它设计，例如上述的第一封装层以及下述的光学功能单元、保护层等。因此，在考虑显示面板在不同的具体设计的情况下，可以在保证所涉及的具体结构的功能的情况下，对显示面板子像素之间的宽度(与隔离结构在两个第一开口之间的宽度相关)的最小尺寸进行探索，以获得如何得到显示面板在不同设计下的尽可能大像素密度的设计方法，具体如下。
本公开至少一个实施例提供一种显示面板，如图16和图17所示，该显示面板包括基板100以及位于基板100上的隔离结构300、显示功能层和第一封装层510。隔离结构300位于基板100上且具有第一端部310和第二端部320，第二端部320位于第一端部310的远离基板100的一侧，第一端部310在基板100上的正投影位于第二端部320在基板100上的正投影之内，隔离结构限定出多个第一开口301。显示功能层位于基板100上且包括多个位于对应的第一开口301内的发光器件200，发光器件200包括在基板100上叠置的第一电极210、发光功能层220和第二电极230，第一开口301限位对应的发光器件200。第一封装层510位于显示功能层的远离基板100的一侧。发光器件200的至少部分膜层的边缘部分的一部分在基板100上的正投影位于第二端部320在基板100上的正投影之内。显示面板所涉及的各个结构之间的关系以及所起到的功能，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
需要说明的是，发光器件200的至少部分膜层可以包括前述实施例所提及的发光功能层，或者，可以包括前述实施例所提及的发光功能层和第二电极。该至少部分膜层的边缘部分可以指膜层中厚度分布不均匀的部分，例如，在膜层的整个蒸镀工艺过程中，用于形成不同膜层的边缘部分时从蒸镀设备喷出的蒸镀材料都会受到隔离结构不同程度的遮挡；不同膜层的边缘部分的尺寸大小会因蒸镀角和膜层位置不同而不同。
例如，如图16和图17所示，沿发光器件200中部到对应边缘的方向，发光器件200的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小。如此，发光器件中的一些膜层例如发光功能层220和第二电极230是通过隔离结构300进行辅助蒸镀形成的，隔离结构会限制蒸镀材料的蒸镀范围，因此，在该些膜层的边缘，随着距离隔离结构越近，膜层的厚度会越来越小，相应地，发光器件200在第二端部320的边缘处的厚度是小于其中间部分的厚度的，据此可以设计隔离结构300的高度(例如下述的第一高度)，以在保证第一封装层510的封装效果的同时，使得隔离结构300具有相对较小的高度，以进一步减小隔离结构300在相邻的第一开口301之间的部分宽度，从而提高显示面板的开口率、像素密度等。
请参考图14和图15所示，显示面板包括有多个子像素，子像素包括有两个相对的长边Lc和两个相对的短边Sh；部分子像素可以仅短边Sh处具有沿发光器件中部到对应边缘的方向厚度逐渐减小的边缘部分，而长边Lc处不具有沿发光器件中部到对应边缘的方向厚度逐渐减小的边缘部分。这样可进一步提高显示面板的开口率。另外，根据需要，也可以部分子像素仅长边Lc处具有沿发光器件中部到对应边缘的方向厚度逐渐减小的边缘部分，而短边Sh处不具有沿发光器件中部到对应边缘的方向厚度逐渐减小的边缘部分。
在本公开至少一个实施例中，如图16和图17所示，沿与基板100所在面垂直的方向，第二端部320的边缘至第一端部310的边缘的距离为第一高度h1，且在发光器件200的中间位置，第一封装层510和第一电极210之间的间距为第二高度h2。第二高度h2与第一厚度系数k的乘积为第一数值，第一高度h1与第一数值的差值不小于封装安全余量。基于上述的计算关系，在对显示面板进行设计时，可以根据发光器件的第一电极210以及第一封装层510之间要设置的膜层结构确定两者之间的距离，获得第一高度h1的较小数值，从而有利于找到此条件下隔离结构300在相邻的第一开口301之间可设计的较小宽度，以提高显示面板的开口率和PPI。
在本公开至少一个实施例中，在发光器件的正截面内，第一封装层510的面向基板100的表面的位于经过第二端部320的边缘并垂直于基板100所在面的直线上的位置，与第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离为隔断关联高度h3(可以称作第三高度)，第二端部320的边缘与第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向的距离为第一高度h1，第一高度h1与隔断关联高度(第三高度)h3的差值不小于封装安全余量。
可选地，M为隔断关联高度与第二高度的比值。可选地，第一厚度系数大于等于M并小于1，M等于0.5±0.2。可选地，第一厚度系数等于M。可选地，第一厚度系数大于等于0.5并小于1。
需要说明的是，M的理论值为0.5，因在借助隔离结构蒸镀相关膜层的过程中，会受静电、采用的材料的吸附性能、相关材料强度等因素影响，导致隔断关联高度h3跟理论值可能发生偏差；相应地，根据实际情况，M的取值可能在0.5±0.2数值范围内变动，具体取值可通过试验或参考经验获得。
可选地，第一厚度系数等于0.5。这样有利于第一高度h1取到小值，进而有利于提升显示面板的像素密度。
需要说明的是，封装安全余量是形成能够满足功能要求的第一封装层所需要的、对应于经过第二端部的边缘并垂直于基板所在面的直线上的第一封装层的下表面与第二端部的边缘的间距；就是说借助满足封装安全余量对应的空间在隔离结构的表面形成的第一封装层能够满足要求的功能作用，如在后面的工序及产品使用过程中满足要求，封装安全余量根据相关结构、材料等情况的不同而可能不同，可依照具体情况通过试验或通过经验获得。在确定封装安全余量时，在已确定对应于经过第二端部的边缘并垂直于基板所在面的直线上的第二端部的边缘与第一封装层的下表面的间距X值满足功能要求而没有确定有比X值更小的值满足要求的情况下，应认定X值为封装安全余量；在确定的满足功能要求的多个值中可以最小值作为封装安全余量。
例如，在发光器件出射光颜色不同的情况下，可以选择厚度最大的发光器件作为参考，来设计第一高度h1等参数。例如，该厚度最大的发光器件可以为出射红光的发光器件。
需要说明的是，第一封装层510可以通过化学气相沉积、原子层沉积等方式形成，如果第一高度h1过小而导致在隔离结构的侧壁处形成的第一封装层510的膜层厚度过小，会导致无法对对应的发光器件等结构形成有效的保护。
需要说明的是，如图16所示，如果发光器件200制备完成之后，直接在发光器件200上形成第一封装层510，那么发光器件200中的蒸镀膜层(例如发光功能层220和第二电极230)的设计厚度之和k1等于第二高度h2。发光功能层220和第二电极230的设计厚度可以为其在设计时预期蒸镀的厚度，例如，在发光器件200的中间位置，在整个蒸镀过程中，隔离结构300都不会对该位置的蒸镀造成遮挡，因此该位置的蒸镀膜层的厚度是最大的，该位置的膜层厚度即为膜层的设计厚度。
在本公开至少一个实施例中，如图17所示，在发光器件200的中间位置，第一封装层510具有第二厚度k2，第二厚度k2为第一封装层510的覆盖发光器件的中间部分的厚度。第一封装层510覆盖发光器件200以及部分第二端部320的侧面，封装安全余量等于第二厚度k2与第二厚度系数n的乘积。
在一个示例中，如图17所示，在隔离结构300的侧壁处，对应于隔离结构的具体结构、第二厚度系数n的选择以及第二厚度k2可能使得第一封装层510会围设出一封闭的腔室(S2位置处)。
例如，在另一个示例中，如图18所示，在隔离结构300的侧壁处，对应于隔离结构的具体结构、第二厚度系数n的选择以及第二厚度k2可以使得第一封装层510的腔室的开口刚好闭合。
例如，在另一个示例中，如图19所示，在隔离结构300的侧壁处，对应于隔离结构的具体结构、第二厚度系数n的选择以及第二厚度k2可以使得第一封装层510会围设出具有开口的腔室。在保证封装效果的前提下，封装安全余量取值小，隔离结构300可以具备较小的高度，从而使得相邻第一开口之间的宽度(参见图5中的L)较小，以提高显示面板的像素密度。
例如，第二厚度系数n可以取值为0.2-2的数值；一般地，在第二厚度系数n可以取值为小于2时，对应于一些结构的隔离结构(如图16中示出结构的隔离结构)，在隔离结构300侧面会形成有闭合腔室。
例如，第二厚度系数n为0.25-1.2。例如，进一步地，第二厚度系数n为0.3-0.8。对一些结构形式(如图16中示出结构的隔离结构)的隔离结构第二厚度系数n取值大可更有利于保证封装效果，但会不增大像素之间的尺寸；基于此第二厚度系数n选择0.3-0.8范围内数值可能得到较好的综合效果。
在本公开至少一个实施例中，如图20所示，第二端部320的边缘在基板100所在面上的正投影和第一端部310的边缘在基板100所在面上的正投影的间距为第一宽度L2，在发光器件200的正截面内，经由第二电极230的边缘与第二端部320的边缘的直线，与基板100所在面相交构成的锐角为第一倾角Θ1，第一宽度L2小于第一高度h1与第一倾角Θ1的余切值的乘积，即，L2＜h1*cotΘ1。上述第一倾角Θ1可以对应第二电极230在蒸镀形成时的蒸镀角，通过控制第一宽度L2、第一高度h1与该蒸镀角Θ1的数值关系，可以保证第二电极230的边缘可以搭接在隔离结构300(例如其第一端部310)上，从而保证发光器件200的第二电极230通过隔离结构300与外部电路(例如公共电极线或者其它像素驱动电路)连接。
需要说明的是，如果上述的小于关系替换为等于关系即L2＝h1*cotΘ1，那么第二电极230会刚好与隔断部的侧壁接触，而在上述小于的关系下，第二电极230在隔断部的侧表面上可以存在一定的攀爬高度(例如下述的翘尾部)。
需要说明的是，在本公开的实施例中，第一端部的边缘为在制备发光功能层之时第一端部的暴露部分中的距离基板最近的外侧的边缘，或者说，第一端部的边缘为第一端部在去除所有发光功能层后的暴露部分中的距离基板最近的外侧的边缘。第二端部的边缘为第二端部外侧的边缘。
“发光器件的正截面”可以为与基板所在面垂直，且与从一个第一开口至相邻的另一个第一开口的方向平行的截面，可以是与基板所在面垂直的、第二端部的边缘线的法平面。
例如，如图21A所示，第二电极230具有搭接在第一端部310的侧表面的翘尾部，即，在发光器件200的正截面内，经由第二电极230的边缘与第二端部320边缘的直线，与基板100所在面相交构成的锐角，要小于经由第一端部310的边缘和第二端部320的边缘的直线，与基板100所在面相交构成的锐角。如此，在蒸镀导电材料以形成第二电极230的过程中，可以在第一端部310的侧壁上蒸镀导电材料以形成翘尾部。
例如，在图21A所示的结构中，可以基于尺寸L7来设计翘尾部的大小，即：在发光器件的正截面上，第二电极230的边缘和第二端部320的边缘所确定的直线与基板100所在面相交的锐角Θ1的余切值，与第一高度h1的乘积，与第一端部310的边缘和第二端部320的边缘在平行于基板100所在面的方向上的第一宽度L2的差值L7。尺寸L7不小于安全尺寸，该安全尺寸可以为预设值，用于保证第二电极230和隔离结构300具有足够的接触面积，以免二者之间接触电阻太大。例如，该安全尺寸与第二电极230的材料、需要承载的电流大小等因素相关，具体可以通过试验测得或通过经验获得。
例如，如图21A所示，在发光器件200的正截面内，经过发光功能层220的边缘与第二端部320边缘的直线，与基板100所在面相交构成的锐角为发光功能层倾角，发光功能层倾角大于第一倾角Θ1，如此，可以使得第二电极230可以完全覆盖发光功能层220，以使得第二电极230的边缘可以与隔离结构300连接。
例如，第一宽度L2大于第一高度h1与发光功能层倾角的余切值的乘积，如此，可以使得发光功能层220的边缘不会延伸至隔离结构300的侧壁上，从而避免从发光功能层220下侧到隔离结构300之间漏电，以提高发光效率。
例如，参见图16至图21A，发光功能层220包括第一功能层221，在发光器件200的正截面内，经由第一功能层221的边缘与第二端部320边缘的直线，与基板100所在面相交构成的锐角为第二倾角Θ2，第二倾角Θ2大于发光功能层倾角。在发光器件200中，第一功能层221会被发光功能层220中的其它膜层(例如下述的发光层、第二功能层等)覆盖，如此，第一功能层221不会直接与第二电极230连接；此外，相较于整个发光功能层220的边缘，第一功能层221的边缘和隔离结构300的间距更大，从而可以避免第一功能层221通过隔离结构300连接在一起，从而避免第一功能层221与隔离结构300之间漏电以提高发光效率。
例如，参见图16至图21A，发光功能层220还包括发光层222和第二功能层223，发光层222和第二功能层223覆盖第一功能层221的边缘。该设计可以避免第一功能层221越过发光层222和第二功能层223而直接与第二电极230连接，以保证发光器件200的发光效果。
在本公开至少一个实施例中，参见图16至图21A，第二电极230利用隔离结构300形成，因此，在第二电极230的边缘部分，越靠近隔离结构300，第二电极230的厚度越小。
在发光器件200的正截面内，第二电极230在经过第一电极210的边缘并垂直于基板100所在面的位置的厚度，小于第二电极230对应于发光器件200的中间位置的部分的厚度。这样可采用较小的第一倾角Θ1实现第二电极230与隔离结构300的更好搭接。
在本公开至少一个实施例中，如图20和图21A所示，第二端部320的边缘在基板100上的正投影，位于第一电极210的边缘在基板100上的正投影和第一端部310的边缘在基板100上的正投影之间。该设计可以使得第一电极210的边缘不会延伸至第二端部320下，从而不会因设置第一电极210而增加发光器件200的表面在该边缘处的高度，以为第一封装层510预留足够的空间而使得第一封装层510具备良好的封装效果，相应地，隔离结构300的整体设计高度可以允许降低，从而进一步减小隔离结构300在相邻的第一开口301之间的部分宽度，且实现较好的发光品质。
例如，在一些设计中，如图21B所示，可以对图20和图21A所示的第一电极210进行改造，以使得第一电极210的分布延伸至第二间距L1内，即，第一电极210的边缘在基板100上的正投影位于第二端部320的边缘在基板100上的正投影和第一端部310的边缘在基板100上的正投影之间。如此，在发光器件200的正截面上，第一电极210的边缘在基板100上的正投影与第二端部320的边缘在基板100上的正投影之间的第一间距L0，小于：发光功能层220的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角(设为Θ)的余切值，与发光功能层220朝向基板100的下表面的中间部分与第二端部320的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离L1的乘积，即，第一电极210的边缘延伸至第二间距L1范围之内，而在第二间距L1范围之内，发光功能层220的厚度是不均匀的(逐渐减薄)。如此，可以保证第一电极210具有较大的面积，可更好保证在发光功能层220的膜厚均匀的区域(例如上述的有效功能区202)，都会存在第一电极210，从而提高发光器件200的均匀发光区域(其中的发光功能层220的膜厚均匀)的面积，以增加显示面板的开口率；此外，该设计为第一电极210和隔离结构300的对位精度提供足够的余量，即便在第一电极210和隔离结构300的位置存在偏移的情况下，也可以保证发光器件200的均匀发光区域的面积和位置不受影响。
例如，在另一些设计中，如图21A和图21C所示，在发光器件200的正截面上，发光功能层220的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角(设为Θ)的余切值，与发光功能层220下表面的中间部分与第二端部320的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离的乘积L1，小于或者等于：第一电极210的边缘在基板100上的正投影与第二端部320的边缘在基板100上的正投影之间的距离L0。如此，在发光器件200的分布有第一电极210的区域，发光功能层220的膜厚都是均匀的，从而可以保证发光器件200的发光区域出射的光线的波长比较一致，以消除发光器件200中存在颜色不同的杂光的问题。
在本公开的实施例中，隔离结构300的隔断部可以为如图21A所示，包括支撑部310和阻挡部320，或者可以如图22和图23A所示，位于相邻两个子像素之间的部分为截面大致呈现为倒梯形，该两种形态下的隔离结构300的具体设计可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
例如，如图20和图21A所示，在隔离结构300的隔断部设计为包括支撑部310和阻挡部320的情况下，在相邻的两个第一开口之间，支撑部310的朝向阻挡部320的表面的宽度L5不小于安全宽度。沿任一第一开口至相邻的另一第一开口的方向，隔离结构300的宽度不小于第一宽度L2的两倍、支撑部310的顶面的边缘在基板上的正投影和支撑部310的底面的边缘在基板上的正投影的间距(L6与L2的差值)的两倍以及安全宽度(L5的最小值)之和。需要说明的是，L6与L2的差值可以根据支撑部310的侧壁的倾斜程度而定，L6与L2的差值越大，越便于第二电极320的边缘在支撑部310侧壁上的附着；此外，L6与L2的差值越小，隔离结构300在两个第一开口之间的宽度越小，越有助于提高显示面板的像素密度。安全宽度是指满足功能要求的支撑部310的朝向阻挡部320的表面的宽度，该安全宽度可以根据试验测试获得。在确定安全宽度时，在已确定Z值满足功能要求而没有确定有比Z值更小的值满足要求的情况下，应认定Z值为安全宽度；在确定的满足功能要求的多个值中可以最小值作为安全宽度。
例如，如图21A所示，隔离结构300的隔断部包括在基板100上叠置的支撑部310和阻挡部320，在发光器件的正截面上，阻挡部320具有倾斜的侧壁321，第二电极230的边缘与阻挡部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ1，和阻挡部320的侧壁与基板100所在面相交的锐角A的差值不小于预设角度；即，阻挡部320的侧壁所在面与基板100所在面相交的锐角A，小于第二电极230的边缘与阻挡部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ1，从而在蒸镀工艺过程中，避免阻挡部320的背离基板100的表面对蒸镀材料造成不希望的多余遮挡。例如，阻挡部320的侧壁为其面向支撑部310的表面的边缘与其背离支撑部310的表面的边缘所确定的面。进一步地，本公开的实施例中，预设角度应能够满足：在完成所有蒸镀层的蒸镀过程中，不因在有在前的蒸镀材料附着在侧壁上而相对更多的阻挡正常的蒸镀材料达到相应的位置，在上述条件下，对预设角度的具体数值范围不作进一步限制。
例如，如图22和图23A所示，在隔断部位于相邻两个子像素之间的部分大致呈现为倒梯形的情况下，在相邻的两个第一开口之间，第一端部310的朝向基板100的表面的宽度L5可以设计为不小于安全宽度，沿任一第一开口至相邻的另一第一开口的方向，隔离结构300的宽度不小于第一宽度L2的两倍与该安全宽度之和。该安全宽度的最小值可以根据制备隔离结构300的工艺方式(例如光刻等工艺的精度)进行设计。类似地，安全宽度是指满足功能要求的宽度，该安全宽度可以根据试验测试或经验获得。在确定安全宽度时，在已确定Z值满足功能要求而没有确定有比Z值更小的值满足要求的情况下，应认定Z值为安全宽度；在确定的满足功能要求的多个值中可以最小值作为安全宽度。
在本公开的实施例中，隔离结构300的隔断部可以如图21A和图22所示直接设置在基板100上，或者，可以如图23A所示隔离结构300的隔断部与基板100被其它结构(例如像素界定层)间隔，在不同的设计下，隔离结构300在两个第一开口之间的宽度的计算方式有所不同，具体如下。
在本公开一些实施例中，如图21A至图21C和图22所示，隔离结构300的隔断部可以直接设置在基板100上，即，隔离结构300的隔断部与基板100直接接触。
例如，在一个具体的示例中，如图21B所示，在隔离结构300的隔断部与基板100直接接触(例如未设置像素界定层)的情况下，在发光器件的正截面上，第一电极的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离，小于：发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积，即，第一间距L0与第二间距L1并不重合，第一间距L0的尺寸会小于第二间距L1的尺寸。具体地，第一电极210的边缘在基板100上的正投影与第二端部320的边缘在基板100上的正投影之间的第一间距L0，小于：发光功能层220的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值，与第一高度h1和第一电极的厚度之差的乘积。
例如，在另一个具体的示例中，如图21A和图21C所示，在隔离结构300的隔断部与基板100直接接触的情况下，在发光器件的正截面上，发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积，小于或者等于：第一电极的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离。需要说明的是，在等于的关系下，第一间距L0与第二间距L1为如图21A或者图22所示的彼此重合；相应地，在小于的关系下，第一间距L0与第二间距L1并不重合，第一间距L0的尺寸会大于第二间距L1的尺寸。
具体地，在上述的等于关系下(第一间距L0与第二间距L1重合)，第一电极210的边缘在基板100上的正投影与第二端部320的边缘在基板100上的正投影之间的第一间距L0，等于：发光功能层220的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值，与第一高度h1和第一电极的厚度之差的乘积。
具体地，在上述的小于关系下(第一间距L0的尺寸大于第二间距L1的尺寸)，发光功能层220的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值，与第一高度h1的乘积，小于：第一电极210的边缘在基板100上的正投影与第二端部320的边缘在基板100上的正投影之间的第一间距L0。
在本公开另一些实施例中，如图23A所示，显示面板还可以包括像素界定层330，像素界定层330位于第一电极210上并位于隔断部的面向基板100的一侧且界定有第二开口302，第一电极210从第二开口302露出，且第一端部310的边缘位于像素界定层330的背离基板100的上表面内。
例如，如图23B所示，在发光器件200的正截面上，第一电极210从第二开口302露出部分的边缘在基板100上的正投影与第二端部320的边缘在基板100上的正投影之间的距离L0，小于：发光功能层220的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ的余切值，与发光功能层220下表面的中间部分与第二端部320的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离的乘积L1。如此，在发光功能层220的膜厚均匀的区域(例如上述的有效功能区202)，都会存在第一电极210，从而提高发光器件200的均匀发光区域(其中的发光功能层220的膜厚均匀)的面积，以增加显示面板的开口率。
对于上述关系，在显示面板设置有像素界定层330的情况下，第一电极210可以延伸至隔离结构300的下方，相应地，隔离结构300设置为覆盖相邻第一电极210之间的间隙。在此情况下，第一端部310的边缘的位置被第一电极210和像素界定层330加高，如此，发光功能层220下表面的中间部分与第二端部320的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离，等于第一高度h1与像素界定层330的厚度之和，即，在发光器件200的正截面上，第一电极210从第二开口302露出部分的边缘在基板100上的正投影与第二端部320的边缘在基板100上的正投影之间的距离L0，小于：发光功能层220的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ的余切值，与第一高度h1与像素界定层330的厚度之和的乘积L1。
例如，如图23A和图23C所示，在发光器件200的正截面上，发光功能层220的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ的余切值，与发光功能层220下表面的中间部分与第二端部320的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离的乘积L1，小于或等于第一电极210从第二开口302露出部分的边缘在基板100上的正投影与第二端部320的边缘在基板100上的正投影之间的距离L0。如此，在发光器件200的分布有第一电极210的区域，发光功能层220的膜厚都是均匀的，从而可以保证发光器件200的发光区域出射的光线的波长比较一致，以消除发光器件200中存在颜色不同的杂光的问题。
对于上述关系，在显示面板设置有像素界定层330的情况下，第一电极210可以延伸至隔离结构300的下方，相应地，隔离结构300设置为覆盖相邻第一电极210之间的间隙。在此情况下，第一端部310的边缘的位置被第一电极210和像素界定层330加高，如此，发光功能层220的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ的余切值，与第一高度h1与像素界定层330的厚度之和的乘积L1，小于或等于第一电极210从第二开口302露出部分的边缘在基板100上的正投影与第二端部320的边缘在基板100上的正投影之间的距离L0。
例如，像素界定层330为无机层，像素界定层330的覆盖相邻的第一电极210的间隙的部分具有与间隙共形的凹槽，第一端部310的朝向基板100的表面覆盖凹槽。无机的像素界定层330可以具有较小的厚度设计，从而像素界定层330的边缘处存在较小的段差，以提高第二电极230在该边缘处的连续性；此外，该设计可以降低因设置像素界定层330而导致隔离结构300的高度增加的程度；另外，第一端部310完全覆盖凹槽，从而消除凹槽对隔离结构300的影响，以保证第一端部310的边缘各处的高度相同。
例如，发光功能层220下表面的中间部分与第二端部320的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离，等于第一高度h1与像素界定层330的厚度之和。
在本公开的实施例中，隔离结构的具体形状以及是否设置像素界定层可以根据具体情况进行选择。
例如，在一些示例中，可重新参见图22，隔离结构300的隔断部位于相邻两个子像素之间的部分为倒梯形，其可以直接设置在基板100上从而与基板100直接接触，其中，关于隔离结构与第一电极、发光功能层的位置关系的计算方式，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
例如，在另一些示例中，如图23A至图23C所示，隔离结构300的隔断部位于相邻两个子像素之间的部分为倒梯形，显示面板包括像素界定层330，隔离结构300的隔断部设置在像素界定层330上，其中，关于的隔断部与第一电极、发光功能层、像素界定层的位置关系的计算方式，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
例如，在另一些示例中，如图24所示，隔离结构300的隔断部设计为包括支撑部310和阻挡部320，隔离结构300的隔断部可以直接设置在基板100上(即隔断部与基板之间不设置像素界定层)从而与基板100直接接触，其中，关于隔断部与第一电极、发光功能层的位置关系的计算方式，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
例如，在另一些示例中，如图25所示，隔离结构300的隔断部设计为包括支撑部310和阻挡部320，显示面板包括像素界定层330，隔离结构300的隔断部设置在像素界定层330上，其中，关于隔离结构与第一电极、发光功能层、像素界定层的位置关系的计算方式，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
如上介绍了与隔离结构在相邻的第一开口之间的宽度的计算方式，在该计算方式中会同步计算第一间距L0，因此，两个子像素之间的间距即有效功能区之间的间距可以获得，结合具体的像素排布以及每个像素中的子像素的宽度，可以计算出显示面板的像素密度，具体如下。
例如，在一示例中，显示面板包括多个像素，每个像素包括出射光线波长依次增加的第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素、第二子像素和第三子像素分别包括不同的发光器件，第一子像素、第二子像素和第三子像素排布为多行和多列，在每个像素中，第一子像素、第二子像素和第三子像素沿着行的方向依次排布，且第一子像素、第二子像素和第三子像素的宽度的方向都与列的方向垂直，第一子像素、第二子像素和第三子像素的数量相等。换句话说，显示面板可以包括多个像素，且每个像素包括出射不同波长光线的多个子像素，多个像素的多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素、第二子像素和第三子像素分别包括不同的发光器件；第一子像素、第二子像素和第三子像素的数量比为1:1:1；每个像素中按第一子像素、第二子像素和第三子像素并列；这种像素排布方式可称为第一种像素排布方式。该设计下的显示面板的像素的排布方式，可以参见前述关于图14的实施例中的相关说明，在此不作赘述。需要说明的是，针对隔离结构的结构参数的调整，隔离结构在相邻第一开口之间的宽度(参见图5中的L)的数值范围有所变化，而不限于与图14相关的说明完全相同，具体可以参见下述实施例中所列出的显示面板的像素密度以及对应的隔离结构的宽度的计算方式的相关说明。
例如，在另一示例中，显示面板包括多个像素，每个像素包括出射光线波长依次增加的第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素、第二子像素和第三子像素分别包括不同的发光器件，第一子像素、第二子像素和第三子像素排布为多列，第一子像素、第二子像素和第三子像素的宽度的方向都与列的方向垂直，第二子像素和第三子像素所在列与第一子像素所在列不同，在第二子像素和第三子像素所在列中，第二子像素和第三子像素交替排布，第一子像素所在的列和第二子像素所在的列交替排布，第一子像素、第二子像素和第三子像素的数量相等。换句话说，显示面板可以包括多个像素，且每个像素包括出射不同波长光线的多个子像素，多个像素的多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素、第二子像素和第三子像素分别包括不同的发光器件；第一子像素、第二子像素和第三子像素的数量比为1:1:1；每个像素中按第二子像素和第三子像素排成一列/行并与第一子像素并列；这种像素排布方式可称为第二种像素排布方式。该设计下的显示面板的像素的排布方式，可以参见前述关于图15的实施例中的相关说明，在此不作赘述。需要说明的是，针对隔离结构的结构参数的调整，隔离结构在相邻第一开口之间的宽度(参见图5中的L)的数值范围有所变化，而不限于与图15相关的说明完全相同，具体可以参见下述实施例中所列出的显示面板的像素密度以及对应的隔离结构的宽度的计算方式的相关说明。
此外，针对不同显示模式的显示面板以及显示面板中的特定功能需求，会对隔离结构进行改造或者基于隔离结构设置其它的功能结构(例如下述实施例中的光学功能层等)，在此情况下，需要对隔离结构的高度、参数等进行调整，以在借助隔离结构形成这些功能结构时，能够降低制造成本，减少相关误差，提升产品的像素密度I。
在本公开至少一个实施例中，如图26A所示，显示面板还可以包括至少一个光学功能层(包括标记400对应的膜层)，光学功能层位于发光功能层220远离基板100的一侧，且包括多个光学功能单元。
例如，如图26A和图26B所示，在发光器件的正截面上，光学功能单元的边缘至第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ3，大于或者等于发光功能层的边缘至第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ，其中，图26A示出了等于关系下光学功能单元和发光功能层的位置关系，图26B示出了大于关系下光学功能单元和发光功能层的位置关系。如此，光学功能单元的厚度均匀的部分会覆盖发光功能层的厚度均匀的部分，以使得发光器件出射的光尽可能多的经过光学功能单元的厚度均匀的部分，以提高显示面板的显示效果。需要说明的是，即便与是在上述“等于”的关系下(Θ3等于Θ)，如图26A所示，因为光学功能单元位于发光功能层的上方的原因，光学功能层的厚度均匀的部分的面积也是要大于发光功能层的厚度均匀的部分的面积的，即，发光功能层的厚度均匀的部分在基板100上的正投影，会位于光学功能单元的厚度均匀的部分在基板100上的正投影之内，具体地，在图26A所示的结构中，发光功能层的厚度均匀的部分的边界与第一电极的边缘重合，而光学功能单元的厚度均匀的部分的边界位于位置S3处。
在光学功能层位于第一封装层之下的情况下，其厚度k3会对第一封装层的封装造成影响，即，在计算隔离结构的具体参数时，需要加入光学功能层的厚度k3。
例如，光学功能单元位于发光功能层220和第一封装层510之间，至少部分第一开口301内设置有光学功能单元，且光学功能单元的边缘部分的一部分在基板100上的正投影位于第二端部320在基板100上的正投影之内。例如，沿发光器件200中部到对应边缘的方向，光学功能单元的边缘部分的厚度逐渐减小。如此，光学功能单元的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小，相应地该些膜层可以是通过隔离结构300进行蒸镀形成的，隔离结构300会限制蒸镀材料的蒸镀范围，因此，在该些膜层的边缘，随着距离隔离结构越近，膜层的厚度会越来越小，相应地，光学功能单元在第二端部320的边缘处的厚度是小于其中间部分的厚度的，据此可以设计隔离结构300的高度(例如下述的第一高度)，以在保证第一封装层510的封装效果的同时，使得隔离结构300具有相对较小的高度，以进一步减小隔离结构300在相邻的第一开口301之间的部分宽度，从而提高显示面板的开口率、像素密度等。
例如，在本公开一些实施例中，在发光器件的正截面上，光学功能单元的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与光学功能单元下表面的中间部分在垂直于基板所在面方向上与第二端部的边缘的距离的乘积，小于或者等于第一电极的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离。该方案下的光学功能单元的设置方式可以参见下述实施例(例如介绍颜色转换单元的实施例)中的相关说明，在此不作赘述。
例如，在本公开另一些实施例中，显示面板还包括像素界定层，像素界定层位于第一电极上并位于隔断部的面向基板的一侧且界定有第二开口，第一电极从第二开口露出，且第一端部的边缘位于像素界定层上表面内，上述的光学功能单元下表面的中间部分在垂直于基板所在面方向上与第二端部的边缘的距离等于：第一高度与像素界定层的厚度之和，与光学功能单元的下表面的中间部分和第一电极的中间部分在垂直于基板所在面方向上的距离之差。该方案下的光学功能单元的设置方式可以参见下述实施例(例如介绍颜色转换单元的实施例)中的相关说明，在此不作赘述。
在本公开的实施例中，对光学功能单元的类型不做限制，可以根据实际需要进行设计，下面，对光学功能单元的几种设计选择进行说明。
例如，在本公开至少一个实施例中，如图26A所示，光学功能层可以为包括颜色转换层400，光学功能单元可以包括颜色转换单元410。在将显示面板的发光器件设置为同一颜色光线(可以是单基色光、也可以是混光)的情况下，在显示面板中设置颜色转换层400，以使得显示面板具备颜色转换功能以显示彩色图像，在该设计下，显示面板的发光品质可以更高。
例如，在本公开至少一个实施例中，如图27所示，光学功能层还可以包括光取出层710，光取出层710包括分别位于第一开口中的多个光取出单元711，且在设置有颜色转换单元410的第一开口中，光取出单元位于发光功能层和颜色转换单元410之间，通过设置光取出单元711，可以提高发光器件的出光效率，以提高显示面板的显示图像的亮度。
光取出层可以通过抑制内部反射和吸收等光学损失，提高光的取出效率。在显示面板中，发光器件和颜色转换层中的光会反射和被吸收，从而影响光的取出效率。通过在发光器件的第二电极(例如为阴极)上设置光取出层，可以减少这些损失，提高光的取出效率，从而增加显示面板的亮度和出光效率。此外，光取出层还可以通过选择适当的材料和结构，来提高显示面板的色纯度。在应用量子点进行激发光的结构中，光的偏振状态会影响光的取出效率和色纯度，通过选择适当的光取出层材料和结构，可以调节光的偏振状态，并提高色纯度。
示例性的，光取出层可以采用低分子有机材料或高分子材料，例如聚乙烯二甲酸乙二醇酯(PEDOT:PSS)、聚苯胺(PANI)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)、聚(3,4-乙烯基氧噻吩-2,5-二甲氧基苯基)(PProDOT-MeO2)等。这些材料具有良好的导电性和透明性，并且可以在第二电极表面形成均匀的薄膜。此外，还可以使用高分子材料作为光取出层，例如聚丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)等。这些高分子材料可以形成光学透明的薄膜，并且具有较高的光学折射率和表面粗糙度，可以帮助减少光的反射和散射，提高光的取出效率。
例如，光取出单元711包括第一取出子层以为单层结构，或者，光取出单元711可以为多层结构，即，光取出单元711包括第一取出子层、位于第一取出子层朝向基板100一侧的第二取出子层和位于第一取出子层背向基板100的第三取出子层，第二取出子层和第三取出子层的折射率均小于第一取出子层的折射率。
例如，第一取出子层的折射率为2.0-2.3，进一步例如，第一取出子层的折射率为2.1-2.2。
例如，第一取出子层的厚度为45-75纳米，进一步例如，第一取出子层的厚度为55-65纳米。
例如，第二取出子层和/或第三取出子层的折射率为1.4-1.8，进一步例如，第二取出子层和/或第三取出子层的折射率为1.5-1.6。
例如，第二取出子层和/或第三取出子层的厚度为7-30纳米，进一步例如，第二取出子层和/或第三取出子层的厚度为10-20纳米。
例如，在本公开至少一个实施例中，如图28A所示，光学功能层还可以包括光调控层720，光调控层720包括分别位于第一开口中的多个光调控单元721，且在设置有颜色转换单元410的第一开口中，光调控单元721位于发光功能层和光取出单元711之间。例如，光调控单元721可以为氟化锂单元，即光调控单元721包括氟化锂材料，以调节相邻膜层的折射率，从而使得发光器件出射的光线更容易被导出。
例如，光调控单元721的厚度为65-100纳米，进一步例如，光调控单元721的厚度为75-85纳米。
需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，光学功能单元设置为包括至少一种，光学功能单元为颜色转换单元410、光取出单元711、光调控单元721、填充单元和滤光单元(参见相关实施例中的相关说明)中的一种；或者，光学功能单元设置为包括至少两种，至少两种光学功能单元为颜色转换单元410、光取出单元711、光调控单元721、填充单元和滤光单元820中的不同种。如此，在光学功能单元包括颜色转换单元410的情况下，显示面板的发光器件200可以设置为发出相同颜色的光线，以使得各个发光器件200可以同步制备，而且可以提升显示面板的整体发光品质。
下面，结合光学功能单元的几种设计组合，对隔离结构、发光器件和光学功能单元的结构参数之间的计算方式进行说明，其中需要说明的是，颜色转换单元只要位于发光功能层的出光侧即可，其具体位置可以根据实际工艺的需求进行设计，具体如下。
在本公开至少一个实施例中，参见图26A，在光学功能层包括颜色转换层的情况下，颜色转换单元410的边缘部分的一部分在基板100上的正投影位于第二端部320在基板100上的正投影之内，且沿发光器件中部到对应边缘的方向，颜色转换单元410的边缘部分的厚度逐渐减小。颜色转换单元410可以通过借助隔离结构300进行蒸镀形成，因此，颜色转换单元410的膜层厚度变化规律与发光功能层的膜层厚度变化规律大致相同，其对第一封装层的封装效果的影响，可以参见前述实施例中关于发光功能层的膜层厚度变化对第一封装层的封装效果的影响的相关说明，在此不作赘述。
例如，在隔离结构300直接设置在基板100上的情况下，如图26A至图28A所示，隔离结构300的隔断部与基板100的表面直接接触，颜色转换单元410的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ3的余切值，和第一高度h1与颜色转换单元410的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差的乘积，等于或者小于(图中示出了小于的关系)：发光功能层的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ的余切值，与第一高度h1与发光功能层的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差的乘积L1。如此，可以保证在发光器件的均匀发光的区域，颜色转换单元410的膜厚均匀。
例如，如图28B所示，在显示面板上设置有像素界定层330的情况下，第一高度h1与像素界定层330的厚度之和，与颜色转换单元410的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差为设计数值，且颜色转换单元410的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ3的余切值与设计数值的乘积，等于或者小于：发光功能层的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ的余切值，与第一高度h1与发光功能层的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差的乘积L1。如此，可以保证在发光器件的均匀发光的区域，颜色转换单元410的膜厚均匀。
例如，像素界定层的厚度可以为其覆盖第一电极的部分的厚度。
下面，针对光学功能层与发光器件的几种不同位置关系，对显示面板的结构以及隔离结构、发光器件和光学功能单元的结构参数之间的计算方式进行说明，具体如下。
在本公开一些实施例中，如图26A至图28A所示，颜色转换层400位于发光器件的第二电极230之上，即位于第二电极230的背离基板100的一侧，在该情况下，第二高度h2包括颜色转换单元410与发光器件的中间位置对应的部分的厚度。
例如，颜色转换单元410的边缘与隔离结构300之间有间隔，从而使得发光器件的出光区域，颜色转换单元410的膜厚是均匀的；此外，还可以避免颜色转换单元410的边缘延伸至隔离结构的侧壁而对第一封装层的封装造成影响。
例如，如图28A和图28B所示，光学功能层包括光取出层710，光取出层710包括与发光器件分别对应的多个光取出单元711，且光取出单元711位于第一开口中，在该情况下，第二高度h2包括光取出单元711与发光器件的中间位置对应的部分的厚度。例如，光取出单元711位于发光器件和颜色转换单元410之间。
例如，如图28A所示，在隔离结构300直接设置在基板100上的情况下，光取出单元711的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ3的余切值，和第一高度h1与光取出单元711的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差的乘积，等于或者小于：发光功能层的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ的余切值，与第一高度h1与发光功能层的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差的乘积L1。如此，可以保证在发光器件的均匀发光的区域，光取出单元711的膜厚均匀。
例如，如图28B所示，在显示面板上设置有像素界定层330的情况下，第一高度h1与像素界定层330的厚度之和，与光取出单元711的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差为设计数值，且光取出单元711的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ3的余切值与设计数值的乘积，等于或者小于：发光功能层的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ的余切值，与第一高度h1与发光功能层的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差的乘积L1。如此，可以保证在发光器件的均匀发光的区域，光取出单元711的膜厚均匀。
例如，如图28A和图28B所示，光学功能层包括光调控层720，光调控层720包括多个光调控单元721，且光调控单元721位于光取出单元711和发光器件之间，第二高度h2包括光取出单元711和光调控单元721与发光器件的中间位置对应的部分的厚度。例如，光调控单元721为氟化锂单元。
例如，如图28A所示，在隔离结构300直接设置在基板100上的情况下，光调控单元721的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ3的余切值，和第一高度h1与光调控单元721的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差的乘积，等于或者小于：发光功能层的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ的余切值，与第一高度h1与发光功能层的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差的乘积L1。如此，可以保证在发光器件的均匀发光的区域，光调控单元721的膜厚均匀。
例如，如图28B所示，在显示面板上设置有像素界定层330的情况下，第一高度h1与像素界定层330的厚度之和，与光调控单元721的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差为设计数值，且光调控单元721的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ3的余切值与设计数值的乘积，等于或者小于：发光功能层的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角Θ的余切值，与第一高度h1与发光功能层的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差的乘积L1。如此，可以保证在发光器件的均匀发光的区域，光调控单元721的膜厚均匀。
在本公开另一些实施例中，如图29至图31所示，颜色转换单元410位于第二电极230和发光功能层之间，第二高度h2包括颜色转换单元410与发光器件的中间位置对应的部分的厚度。
例如，如图30所示，光学功能层包括光取出层，光取出层包括与发光器件分别对应的多个光取出单元711，且光取出单元711位于第一开口中，第二高度h2包括光取出单元711与发光器件的中间位置对应的部分的厚度。例如，光取出单元711位于发光器件和颜色转换单元之间。
例如，在隔离结构300直接设置在基板100上的情况下，光取出单元711的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值，和第一高度h1与光取出单元711的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差的乘积，等于或者小于：发光功能层的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值，与第一高度h1与发光功能层的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差的乘积。如此，可以保证在发光器件的均匀发光的区域，光取出单元711的膜厚均匀。
例如，在显示面板上设置有像素界定层的情况下，第一高度h1与像素界定层的厚度之和，与光取出单元711的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差为设计数值，且光取出单元711的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值与设计数值的乘积，等于或者小于：发光功能层的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值，与第一高度h1与发光功能层的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差的乘积。如此，可以保证在发光器件的均匀发光的区域，光取出单元711的膜厚均匀。
例如，如图31所示，光学功能层包括光调控层，光调控层包括多个光调控单元721，且光调控单元721位于光取出单元711和发光器件之间。第二高度h2包括光取出单元711和氟化锂单元与发光器件的中间位置对应的部分的厚度。例如，光调控单元721为氟化锂单元。
例如，在隔离结构300直接设置在基板100上的情况下，光调控单元721的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值，和第一高度h1与光调控单元721的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差的乘积，等于或者小于：发光功能层的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值，与第一高度h1与发光功能层的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差的乘积。如此，可以保证在发光器件的均匀发光的区域，光调控单元721的膜厚均匀。
例如，在显示面板上设置有像素界定层的情况下，第一高度h1与像素界定层的厚度之和，与光调控单元721的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差为设计数值，且光调控单元721的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值与设计数值的乘积，等于或者小于：发光功能层的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值，与第一高度h1与发光功能层的面向基板100的表面的中间部分和第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离之差的乘积。如此，可以保证在发光器件的均匀发光的区域，光调控单元721的膜厚均匀。
例如，在上述实施例中，如图32所示，光学功能单元可以位于第一封装层510之下，在该设计下，第一高度的设计，需要考虑光学功能单元的厚度，即，第一封装层和第一电极之间的距离包括发光功能层、第二电极以及光学功能单元的厚度。
在本公开另一些实施例中，如图33所示，颜色转换层400可以位于第一封装层510之上，即，颜色转换层位于第一封装层510的背离基板100的一侧。如此，可以消除因设置颜色转换层导致隔离结构高度增加的问题。需要说明的是，在该设计下，光学功能层都可以设置在第一封装层(或者标识510至530所代表的整个封装层)的背离基板100的一侧。
在本公开的实施例中，在颜色转换层位于第一封装层的背离基板的一侧的情况下，对其它光学功能单元例如光调控层、光取出层等的设置位置不作限制。例如，在一些实施例中，如图34A所示，颜色转换层400可以位于第一封装层510背离基板100的一侧，光调控层720、光取出层710位于第一封装层510和发光器件之间，以用于提高发光器件的出光效率，该情况下的相关设计可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
例如，在本公开另一些的实施例中，位于第一封装层510之上的一些结构可以设计为包括颜色转换材料，以复用为颜色转换单元。例如，如图34B所示，在第一封装层510之上设置第二封装层520(参见下述实施例中的相关说明，可以为有机膜层)的情况下，该第二封装层520可以设计为包括多个复用单元，该复用单元包括颜色转换材料以充当颜色转换单元410，从而便于显示面板的轻薄化设计。
例如，在本公开另一些的实施例中，显示面板包括位于第一封装层510远离基板一侧的第二封装层520，第二封装层520为有机封装层，颜色转换单元可以为位于第一封装层510和第二封装层520之间的结构。
在本公开至少一个实施例中，如图35A所示，在设置有颜色转换层400的情况下，发光器件的出射光线的颜色相同，颜色转换单元410配置为将发光器件的出射光线转换为目标颜色光线，目标颜色光线的波长大于发光器件的出射光线的波长。
例如，在一种设计中，发光器件的发光功能层包括至少一个发光层，发光层都设置为出射第一颜色光线，颜色转换单元至少分为第一颜色转换单元和第二颜色转换单元，第一颜色转换单元配置为将第一颜色光线转换为第二颜色光线，第二颜色转换单元配置为将第一颜色光线转换为第三颜色光线，第一颜色光线、第二颜色光线和第三颜色光线的波长依次增加。例如，第一颜色光线、第二颜色光线和第三颜色光线依次为蓝光、绿光和红光。
例如，在另一种设计中，发光器件的发光功能层包括至少两个发光层，至少一个发光层设置为出射第一颜色光线，且至少一个发光层设置为出射第二颜色光线，颜色转换单元410至少分为第一颜色转换单元和第二颜色转换单元，第一颜色转换单元配置为将第一颜色光线转换为第二颜色光线，第二颜色转换单元配置为将第一颜色光线转换为第三颜色光线，其中，第一颜色光线、第二颜色光线和第三颜色光线的波长依次增加，例如，第一颜色光线、第二颜色光线和第三颜色光线依次为蓝光、绿光和红光；或者，第一颜色光线、第三颜色光线和第二颜色光线的波长依次增加。例如，第一颜色光线、第二颜色光线和第三颜色光线依次为蓝光、红光和绿光。
例如，颜色转换单元410包括量子点材料。例如，量子点材料可以吸收蓝光以激发出红光(可称为R-量子点材料)或者绿光(可称为G-量子点材料)。例如，量子点材料包括钙钛矿量子点和/或Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点；可选地，钙钛矿量子点包括CsPbX3和CH3NH3PbX3中的至少一个，其中，X为卤素原子，进一步可选地，卤素原子包括F、Cl、Br和I中的至少一种；可选地，Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点包括CdSe/ZnS、ZnCdSe/ZnSe/ZnS、CdZnSe/CdZnS/ZnS、CdSe/CdZnSe/ZnS、CdZnSe/ZnS、InP@ZnSeS、ZnSe/ZnS、InP/ZnSe/ZnS、ZnSeTe/ZnSe/ZnSeS/ZnS、ZnSeTe/ZnSe/ZnS和ZnSe/ZnS中的至少一种
例如，颜色转换单元410的膜层厚度为500-10000纳米，例如，进一步地，颜色转换单元410的膜层厚度为600-3000纳米，例如，再进一步地，颜色转换单元410的膜层厚度可以为800-1200纳米。
例如，如图35A和图35B所示，显示面板还包括填充层600，填充层600包括多个填充单元，填充单元位于未设置有颜色转换单元410的第一开口中。例如，在子像素R和G对应的第一开口中设置颜色转换单元，而在子像素B对应的第一开口中是不需要设置颜色转换单元的，这会使得子像素B对应的第一开口中存在较大的段差，在形成诸如第一封装层510等结构时，该段差会增加第一封装层510出现断裂的几率，即，在上述设计中，通过设置填充层600可以减小未设置有颜色转换单元410的第一开口处的段差，以降低第一封装层510断裂的风险，从而提高第一封装层510的封装效果。
在本公开至少一个实施例中，隔离结构300的第一端部310和第二端部320为一体结构，且在与基板100所在面垂直的方向，隔断部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓为倒梯形，倒梯形的底的边缘为第二端部320的边缘，倒梯形的顶的边缘为第一端部310的边缘。
在本公开至少一个实施例中，光学功能单元设置为至少包括滤光单元820和颜色转换单元410，滤光单元820位于对应的颜色转换单元410远离基板100的一侧，相邻的滤光单元820之间设置有遮挡部810。
例如，滤光单元820位于对应的颜色转换单元410与第一封装层510之间，部分隔离结构300复用为遮挡部810。在本公开至少一个实施例中，如图34A所示，显示面板还可以包括滤光层，滤光层位于隔离结构300和颜色转换层400的背离基板100的一侧，且包括遮挡部810和与发光器件分别对应的多个滤光单元820。遮挡部810限定有多个滤光开口，滤光单元820位于滤光开口中，且遮挡部810在基板100上的正投影位于隔离结构在基板100上的正投影之内。滤光单元820可以滤除未被颜色转换单元转化的光线，且可以过滤部分环境光线，滤除杂光，从而提高显示图像的显示效果。
在本公开的实施例中，隔离结构的阻挡部可以设计为导电结构，以降低驱动第二电极时的阻抗以及压降导致的电压分布不均匀等问题；或者，隔离结构的阻挡部可以设计为无机膜层等可以与第一封装层具有良好结合强度的膜层，具体如下。
在本公开至少一个实施例中，如图36所示，第一封装层510和阻挡部的表面接触，第一封装层510和阻挡部320的材料相同。如此，可以保证第一封装层510和阻挡部320直接存在可靠的结合强度，以降低第一封装层510脱落以及出现裂纹而导致封装失效的风险。
例如，在公开一些实施例中，如图36所示，第一封装层510由分别覆盖第一开口的多个第一封装单元构成，第一封装层510与第一开口共形的部分形成封装凹槽511，显示面板还包括第二封装层520和第三封装层530，第二封装层520位于第一封装层510的背离基板的一侧且包括多个第二封装单元，第二封装单元填充封装凹槽511，且第二封装单元的背离基板的表面至基板的距离，不大于阻挡部320的背离基板的表面的至基板的距离，第三封装层530位于第二封装层520的背离基板的一侧，且覆盖第一开口和隔离结构。例如，第二封装层520为有机层，第三封装层530为无机层。
例如，在公开另一些实施例中，可以对图36所示的结构进行改造，其中，第一封装层510由分别覆盖第一开口的多个第一封装单元构成，第一封装层510与第一开口共形的部分形成封装凹槽511，显示面板还包括第二封装层520和第三封装层530。第二封装层520位于第一封装层510的背离基板的一侧且包括多个第二封装单元，第二封装单元填充封装凹槽511，且第二封装单元的背离基板的表面至基板的距离，小于阻挡部320的背离基板的表面的至基板的距离。第三封装层530位于第二封装层520的背离基板的一侧，且包括多个第三封装单元，第三封装单元填充封装凹槽511，且第三封装单元的背离基板的表面至基板的距离，不大于阻挡部320的背离基板的表面的至基板的距离。例如，第二封装层520为有机层，第三封装层530为无机层。
例如，在公开再一些实施例中，如图37所示，第一封装层510由分别覆盖第一开口的多个第一封装单元构成，第一封装层510与第一开口共形的部分形成封装凹槽511，显示面板还包括第二封装层520和第三封装层530。第二封装层520位于第一封装层510的背离基板的一侧且覆盖第一开口和隔离结构。第三封装层530位于第二封装层520的背离基板的一侧且覆盖第一开口和隔离结构。例如，第二封装层520为有机层，第三封装层530为无机层。
例如，第一封装层510和第三封装层530为无机层的情况下，其材料可以为氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等。
例如，在本公开的实施例中，第一封装单元可以如图36所示完全位于第一开口中，或者如图37所示，有一部分延伸至第一开口之外，该情形下的的第一封装单元的形成方式可以参见前述实施例中对显示面板的制备方法的相关说明。
需要说明的是，在本公开的实施例中，如果显示面板中设置有颜色转换层，那么发光器件可以不需要分批制备，即，第一封装层可以形成为整层的连续结构。
在本公开至少一个实施例中，如图38所示，支撑部310中设置有网格状的分割孔，分割孔将支撑部310分割为多个子支撑部311，绝缘的阻挡部320(例如为无机层)覆盖并填充分割孔，支撑部为导电结构，阻挡部为绝缘结构，第二电极230与对应的子支撑部311连接。如此，通过分割孔以将隔断部的导电部分分割为子支撑部，从而使得发光器件200的第二电极230彼此独立，从而使得每个发光器件200的第二电极可以被独立驱动。例如，第二电极230可以通过导电的子支撑部311连接至基板100中的驱动电路。
需要说明的是，在第一端部310设计为包括间隔的子支撑部311的情况下，需要考虑第一端部310中形成的分割孔的宽度以及子支撑部311的最小宽度，以确定当前设计下支撑部的面向基板的一端的最小宽度(上述提及的L3的最小值)。例如，在第一端部310未设置分割孔的情况下，如果L3的最小设计宽度为2微米，那么在第一端部310设置为包括分割孔之后，子支撑部311的最小宽度也可以设置为2微米。
在本公开中，隔离结构的设置会对发光器件倾斜出射的部分光线(例如大视角下的光线)进行遮挡，从而降低显示面板的视角；此外，在隔离结构设计过高的情况下，不利于缩小发光器件的间隙(例如前述的L3)的最小设计宽度，不利于提高显示面板的像素密度。
在本公开至少一个实施例中，通过取消像素界定层，以减小隔离结构的整体高度，且在此情形下，通过设置保护层以对第一电极的侧壁进行保护，以解决上述技术问题。下面结合具体的实施例对该设计进行详细地说明。
在本公开至少一个实施例中，如图39所示，显示面板还可以包括保护层910，保护层910为绝缘层，保护层910包括多个保护单元911，保护单元911位于第一电极210与第一端部310之间以至少覆盖第一一电极210的侧壁。如此，在制备隔离结构300的过程中，通过保护层910可以对第一电极210的侧壁进行保护，以避免第一电极210出现侧蚀，从而提高发光器件200的良率。
需要说明的是，在保证保护单元911可以覆盖第一电极210的侧壁的基础上，可以根据实际工艺的需要，对保护单元911的形状以及与其它结构之间的位置关系等进行进一步设计，本公开的实施例对此不做限制。例如，保护单元911的几种具体设计，示例如下。
例如，在一个具体的示例中，如图39所示，保护单元911覆盖第一电极210的侧壁并覆盖第一电极210的上表面的边缘部分，且与隔离结构300的第一端部310具有间隔，即，保护单元911限定有多个暴露第一电极210的部分上表面的开口，第一电极210的边缘在基板100上的正投影位于保护单元911在基板100上的正投影之内。
例如，在另一个具体的示例中，如图40所示，保护单元911与第一电极210同层以只覆盖第一电极210的侧壁，即，保护单元911在基板100上的正投影位于第一电极210在基板100上的正投影之外，且与第一电极210在基板100上的正投影邻接。在此情况下，保护单元911可以如图40所示与隔离结构300间隔，或者，也可以与隔离结构300邻接，即，保护单元911填充第一电极210和隔离结构300的第一端部310之间的间隙。
例如，在再一个具体的示例中，如图41所示，保护单元911覆盖第一电极210的侧壁和第一端部310的侧壁。如此，保护单元911与基板100的结合强度更高，且第一电极210夹设在保护单元911与基板100之间，从而进一步降低第一电极210从基板100上脱落的风险。
例如，第一端部310包括面向基板100一侧的连接部340，连接部340和第一电极210同层且同材料。在该设计中，可以在制备第一电极210的过程中同步制备连接部340，以降低隔离结构的厚度要求；此外，通过连接部340设置于隔离结构和基板100之间，能够降低隔离结构300从基板100上脱落的风险。
例如，与基板100所在面垂直且经过第二端部320的边缘的直线经过保护单元911。如此，在设计第一高度h1以及第一封装层的厚度时，需要考虑保护单元911的厚度带来的影响，具体如下。
在本公开一些实施例中，如图39和图40所示，在保护单元911与隔离结构300的第一端部310具有间隔的情况下，沿与基板100所在面垂直的方向，第二端部320的边缘至第一端部310的边缘的距离为第一高度h1，且在发光器件的中间位置，第一封装层和第一电极210之间的间距为第二高度h2，第二高度h2与第一厚度系数的乘积为第一数值，第一数值与保护单元911的厚度的和为第二数值，第一高度h1与第二数值的差值不小于封装安全余量。
在本公开另一些实施例中，如图41所示，在保护层910(其包括的保护单元911)覆盖第一电极210的侧壁和第一端部310的部分侧壁，沿与基板100所在面垂直的方向，第二端部320的边缘至第一端部310的边缘的距离为第一高度h1。在发光器件的正截面内，第一封装层510的面向基板100的表面的位于经过第二端部320的边缘并垂直于基板100所在面的直线上的位置，与第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离为隔断关联高度，第一高度h1与第一数值的差值不小于封装安全余量。
在发光器件的中间位置，第一封装层和第一电极210之间的间距为第二高度，第二高度与第一厚度系数的乘积为第一数值(隔断关联高度等于第一数值)，第二端部320的边缘与第一端部310的边缘在垂直于基板100所在面方向的距离为第一高度h1，第一高度h1与第一数值的差值不小于封装安全余量。
可选地，第一厚度系数大于等于M并小于1，M等于0.5±0.2，进一步可选地，M为隔断关联高度与第二高度h2的比值，进一步可选地，第一厚度系数等于M。
需要说明的是，M的理论值为0.5，因在借助隔离结构蒸镀相关膜层的过程中，会受静电、采用的材料的吸附性能、相关材料强度等因素影响，导致隔断关联高度h3跟理论值可能发生偏差；相应地，根据实际情况，M的取值可能在0.5±0.2数值范围内变动，具体取值可通过试验或参考经验获得。
例如，第一厚度系数可以等于0.5，以有利于第一高度h1取到小值，进而有利于提升显示面板的像素密度。
例如，保护单元911的厚度可以为其位于第一电极210和隔离结构300之间的部分的厚度。
例如，在一种设计下，在发光器件200的正截面上，第一电极210从保护层910露出部分的边缘在基板100上的正投影与第二端部320的边缘在基板100上的正投影之间的距离，小于：发光功能层的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部320的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离的乘积。如此，通过调节保护层910的保护单元911对第一电极210的覆盖面积，可以使得发光功能层的膜厚均匀的区域(例如上述的有效功能区202)都会存在第一电极210，从而提高发光器件200的均匀发光区域(其中的发光功能层的膜厚均匀)的面积，以增加显示面板的开口率；此外，该设计为第一电极210和隔离结构300的对位精度提供足够的余量，即便在第一电极210和隔离结构300的位置存在偏移的情况下，也可以保证发光器件200的均匀发光区域的面积和位置不受影响。
对于上述关系，在如图39所示保护单元911与隔离结构300间隔的情况下，还可以结合第一高度h1进行限定，即，第一电极210从保护层910露出部分的边缘在基板100上的正投影与第二端部320的边缘在基板100上的正投影之间的距离，小于：发光功能层的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值，与第一高度h1和第一电极210的厚度之差的乘积。
对于上述关系，在如图41所示保护单元911覆盖隔离结构300和第一电极210之间的间隙的情况下，还可以结合第一高度h1进行限定，即，第一电极210从保护层910露出部分的边缘在基板100上的正投影与第二端部320的边缘在基板100上的正投影之间的距离，小于：发光功能层的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值，与第一高度h1和保护单元911的厚度之和的乘积。
例如，在另一种设计下，在发光器件200的正截面上，发光功能层的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部320的边缘在垂直于基板100所在面方向上的距离的乘积，小于或等于第一电极210从保护层910露出部分的边缘在基板100上的正投影与第二端部320的边缘在基板100上的正投影之间的距离。如此，通过调节保护层910的保护单元911对第一电极210的覆盖面积，可以在发光器件200的分布有第一电极210的区域，使得发光功能层的膜厚都是均匀的，从而可以保证发光器件200的发光区域出射的光线的波长比较一致，以消除发光器件200中存在颜色不同的杂光的问题。
对于上述关系，在如图39所示保护单元911与隔离结构300间隔的情况下，还可以结合第一高度h1进行限定，即，第一电极210从保护层910露出部分的边缘在基板100上的正投影与第二端部320的边缘在基板100上的正投影之间的距离，大于或者等于：发光功能层的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值，与第一高度h1和第一电极210、保护单元911的厚度之差的乘积。
对于上述关系，在如图41所示保护单元911覆盖隔离结构300和第一电极210之间的间隙的情况下，还可以结合第一高度h1进行限定，即，第一电极210从保护层910露出部分的边缘在基板100上的正投影与第二端部320的边缘在基板100上的正投影之间的距离，大于或者等于：发光功能层的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值，与第一高度h1的乘积。
对于上述关系，如果对图41所示结构进行改造以去除连接部，那么在保护单元911覆盖隔离结构300和第一电极210之间的间隙的情况下，还可以结合第一高度h1进行限定，即，第一电极210从保护层910露出部分的边缘在基板100上的正投影与第二端部320的边缘在基板100上的正投影之间的距离，大于或者等于：发光功能层的边缘与第二端部320的边缘的连线与基板100所在面相交的锐角的余切值，与第一高度h1和第一电极210的厚度之差的乘积。
例如，基板100包括面向隔离结构300的一侧的平坦层110，平坦层110包括第一平坦层111和第二平坦层112，第二平坦层112位于第一平坦层111和隔离结构300之间，且位于第一平坦层111和第一电极210之间，第一平坦层111为有机层，第二平坦层112为无机层。在该设计中，通过将第二平坦层112设计为无机层，可以增加基板100和隔离结构300以及第一电极210的结合强度，从而降低第一电极210、隔离结构300从基板100上脱落的风险。
需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，如图42所示，显示面板在设置有保护单元911的情况下，还可以包括光学功能单元，关于光学功能单元的类型以及具体设置方式，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
需要说明的是，结合上述有关对应于不同具体结构的隔离结构的第一端部的边缘和第二端部的边缘的描述可以理解，第一端部的边缘对应于借助隔离结构形成的蒸镀层与第一端部接触位置的最下侧的边缘，是在形成蒸镀层前第一端部的外漏的最下侧的边缘；例如，请参考图43所示，第一端部310包括面向基板100一侧的搭接部315，搭接部315的边缘相对第一端部310的位于搭接部315上面的部分向外伸出，以便于第二电极230更好地与支撑部310电连接；第二端部320的材料可以包括钛，第一端部310的位于搭接部315上面的部分的材料可以包括铝；搭接部315的材料可以包括钼。这种结构中，搭接部315的边缘为第一端部的边缘。第二端部的边缘是对应于第二端部的最外侧的轮廓边缘，对应于第二端部在形成蒸镀层时对蒸镀材料产生遮挡作用的最外侧位置。
下面，针对上面所提及的显示面板的具体设计，对各发光器件之间的像素间距、不同像素间距下隔离结构的各部分的宽度参数以及在不同间距要求下显示面板中的各个结构的具体设计参数，进行说明。需要说明的是，像素间距为每相邻的两个发光器件中，一个发光器件的第一电极与对应发光功能层相接触部分的边缘，与相邻的另一个发光器件的第一电极与对应发光功能层相接触部分的边缘之间的间距。
本公开至少一个实施例提供一种显示面板，该显示面板包括基板以及位于基板上的隔离结构和显示功能层，隔离结构具有第一端部和第二端部，第二端部位于第一端部的远离基板的一侧，隔离结构限定出多个第一开口，显示功能层包括多个位于对应的第一开口内的发光器件，发光器件包括在基板上叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，发光功能层在基板上的正投影位于第一端部在基板上的正投影之外，且位于第二端部在基板上的正投影之内，相邻的发光器件的第一电极与对应发光功能层相接触部分的边缘之间的间距为像素间距，像素间距为2000-18000纳米。
需要说明的是，此情况下，像素间距并非如图5所示的以第二间距L1计算，而是如图35A和图35B所示以第一间距L0代替第二间距L1进行计算，其中，需要注意的是，第一间距L0和第二间距L1存在重合的情况，具体可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
在本公开一些实施例中中，在发光器件的正截面上，隔断部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓为倒梯形，倒梯形的底的边缘为第二端部的边缘，倒梯形的顶的边缘为第一端部的边缘，其中，倒梯形的顶的宽度为1500-16000纳米。隔断部在该情形下的具体设计可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
在本公开另一些实施例中，隔断部包括在基板上叠置的支撑部和阻挡部，支撑部构成第一端部，阻挡部构成第二端部，在发光器件的正截面上，支撑部和阻挡部的截面轮廓均为正梯形，第二端部的边缘为阻挡部的面向基板的表面的边缘，第一端部的边缘为支撑部的面向基板的表面的边缘，其中，支撑部对应的正梯形的底的宽度为1258-17000纳米，且支撑部对应的正梯形的顶的宽度为880-15000纳米。隔断部在该情形下的具体设计可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
在本公开至少一个实施例中，显示面板可以包括多个像素，且每个像素包括出射不同波长光线的多个子像素，多个像素的多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素、第二子像素和第三子像素分别包括不同的发光器件。
可选地，第一子像素、第二子像素和第三子像素的数量比为1:1:1。
可选地，每个像素中按第一子像素、第二子像素和第三子像素并列的第一种像素排布方式排布；或者，每个像素中按第二子像素和第三子像素排成一列/行并与第一子像素并列的第二种像素排布方式排布。该两种像素排布方式，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
可选地，像素密度越大，像素间距越小和/或子像素的平均宽度越小。
在本公开一些实施例中，隔离结构的隔断部与基板直接接触，第一间距的边缘为第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘，第二端部的边缘在基板所在面上的正投影和第一端部的边缘在基板所在面上的正投影的间距为第一宽度，第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘与第二端部的边缘在基板所在面上的正投影之间的距离为第一间距。在此情况下，像素间距为2000-2200纳米，第一间距为0-1017纳米，第一宽度为148-417纳米；或者，像素间距为2200-2500纳米，第一间距为0-1050纳米，第一宽度为166-450纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一间距为0-1090纳米，第一宽度为185-490纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一间距为0-1130纳米，第一宽度为203-530纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一间距为0-1170纳米，第一宽度为221-570纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一间距为0-1210纳米，第一宽度为240-610纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一间距为0-1300纳米，第一宽度为259-700纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一间距为0-1410纳米，第一宽度为277-810纳米。
例如，在隔断部与基板直接接触的第一种情形下，在发光器件的正截面上，发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积，小于或者等于第一电极的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离。例如，像素间距为2000-2200纳米，第一间距为148-567纳米；或者，像素间距为2200-2500纳米，第一间距为166-650纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一间距为185-740纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一间距为203-830纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一间距为221-920纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一间距为240-1010纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一间距为259-1150纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一间距为277-1310纳米。
可选地，对于上述隔断部与基板直接接触的第一种情形，在沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘至第一端部的边缘的距离为第一高度，第一高度为400-2200纳米。可选地，像素间距为2000-2200纳米，第一高度为400-800纳米；或者，像素间距为2200-2500纳米，第一高度为450-850纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一高度为500-900纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一高度为550-950纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一高度为600-1000纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一高度为650-1100纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一高度为700-1200纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一高度为750-2200纳米。
例如，在隔断部与基板直接接触的第二种情形下，在发光器件的正截面上，第一电极的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离，小于：发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积。在此情况下，像素间距为2000-2200纳米，第一间距为0-415纳米，第一宽度为148-417纳米；或者，像素间距为2200-2500纳米，第一间距为0-446纳米，第一宽度为166-450纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一间距为0-484纳米，第一宽度为185-490纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一间距为0-522纳米，第一宽度为203-530纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一间距为0-560纳米，第一宽度为221-570纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一间距为0-598纳米，第一宽度为240-610纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一间距为0-685纳米，第一宽度为259-700纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一间距为0-790纳米，第一宽度为277-810纳米。
例如，在隔断部与基板直接接触的情形下，显示面板还可以包括至少一个光学功能层，该光学功能层位于发光功能层的远离基板的一侧，且包括多个位于第一开口内的光学功能单元，光学功能单元的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小。例如，对于每相邻的两个第一电极，第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘之间的像素间距为2074-18000纳米。关于光学功能层的具体类型以及设置方式，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
在本公开另一些实施例中，显示面板还可以包括像素界定层，像素界定层位于第一电极上并位于隔断部的面向基板的一侧且界定有第二开口，像素界定层覆盖第一电极的边缘，第二开口暴露第一电极，第二开口的边缘与第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘重合，其中，第二端部的边缘在基板所在面上的正投影和第一端部的边缘在基板所在面上的正投影的间距为第一宽度，第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘与第二端部的边缘在基板所在面上的正投影之间的距离为第一间距。例如，像素间距为2200-2500纳米，第一间距为0-1050纳米，第一宽度为148-450纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一间距为0-1090纳米，第一宽度为185-490纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一间距为0-1130纳米，第一宽度为203-530纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一间距为0-1170纳米，第一宽度为221-570纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一间距为0-1210纳米，第一宽度为240-610纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一间距为0-1300纳米，第一宽度为259-700纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一间距为0-1410纳米，第一宽度为277-810纳米。
例如，在显示面板包括像素界定层的第三种情形下，在发光器件的正截面上，发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积，小于或等于第一电极从第二开口露出部分的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离。例如，像素间距为2200-2500纳米，第一间距为148-650纳米，第一宽度为148-450纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一间距为185-740纳米，第一宽度为185-490纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一间距为203-830纳米，第一宽度为203-530纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一间距为221-920纳米，第一宽度为221-570纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一间距为240-1010纳米，第一宽度为240-610纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一间距为259-1150纳米，第一宽度为259-700纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一间距为277-1310纳米，第一宽度为277-810纳米。
可选地，对于上述显示面板包括像素界定层的第三种情形，在沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘至第一端部的边缘的距离为第一高度，第一高度为400-2200纳米。可选地，像素间距为2200-2500纳米，第一高度为400-850纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一高度为500-900纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一高度为550-950纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一高度为600-1000纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一高度为650-1100纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一高度为700-1200纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一高度为750-2200纳米。
例如，在显示面板包括像素界定层的第四种情形下，在发光器件的正截面上，第一电极从第二开口露出部分的边缘在基板上的正投影与第二端部的边缘在基板上的正投影之间的距离，小于：发光功能层的边缘与第二端部的边缘的连线与基板所在面相交的锐角的余切值，与发光功能层下表面的中间部分与第二端部的边缘在垂直于基板所在面方向上的距离的乘积。例如，像素间距为2200-2500纳米，第一间距为0-446纳米，第一宽度为148-450纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一间距为0-484纳米，第一宽度为185-490纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一间距为0-522纳米，第一宽度为203-530纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一间距为0-560纳米，第一宽度为221-570纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一间距为0-598纳米，第一宽度为240-610纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一间距为0-685纳米，第一宽度为259-700纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一间距为0-790纳米，第一宽度为277-810纳米。
例如，在显示面板包括像素界定层的情形下，显示面板还可以包括至少一个光学功能层，光学功能层位于发光功能层的远离基板的一侧，且包括多个位于第一开口内的光学功能单元，光学功能单元的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小，对于每相邻的两个第一电极，第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘之间的像素间距为2274-18000纳米。关于光学功能层的具体类型以及设置方式，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
以上对显示面板在不同结构下的像素间距进行说明，下面，结合显示面板的不同结构以及对应的像素间距，对显示面板的像素密度进行说明。
本公开至少一个实施例提供一种显示面板，该显示面板包括基板以及位于基板上的隔离结构和显示功能层，其中，隔离结构具有第一端部和第二端部，第二端部位于第一端部的远离基板的一侧，隔离结构限定出多个第一开口，显示功能层包括多个位于对应的第一开口内的发光器件，发光器件包括在基板上叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，发光功能层在基板上的正投影位于第一端部在基板上的正投影之外，且位于第二端部在基板上的正投影之内，显示面板的像素密度为90PPI至7400PPI。关于该显示面板的具体结构，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
在本公开至少一个实施例中，沿发光器件中部到对应边缘的方向，发光器件的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小。关于该发光器件的形成方式以及具体设置方式，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
在本公开至少一个实施例中，相邻的发光器件的第一电极与对应发光功能层相接触部分的边缘之间的像素间距为2000-18000纳米。
在本公开至少一个实施例中，在发光器件的正截面上，隔断部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓为倒梯形，倒梯形的底的边缘为第二端部的边缘，倒梯形的顶的边缘为第一端部的边缘。隔断部在该情形下的具体设计可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
在本公开至少一个实施例中，隔断部包括在基板上叠置的支撑部和阻挡部，支撑部构成第一端部，阻挡部构成第二端部，在发光器件的正截面上，支撑部和阻挡部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓均为正梯形，第二端部的边缘为阻挡部的面向基板的表面的边缘，第一端部的边缘为支撑部的面向基板的表面的边缘。隔断部在该情形下的具体设计可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
在本公开至少一个实施例中，显示面板包括多个像素，且每个像素包括出射不同波长光线的多个子像素，多个像素的多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素、第二子像素和第三子像素分别包括不同的发光器件。
可选地，第一子像素、第二子像素和第三子像素的数量比为1:1:1。
可选地，每个像素中按第一子像素、第二子像素和第三子像素并列的第一种像素排布方式排布；或者，每个像素中按第二子像素和第三子像素排成一列/行并与第一子像素并列的第二种像素排布方式排布。该两种像素排布方式，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
在本公开一些实施例中，显示面板的像素密度为90-5200PPI。可选地，像素间距为2000-2200纳米，显示面板的像素密度为117-5200PPI；或者，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度为117-4792PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度为115-4305PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度为115-3479PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度111-2854PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度为107-1969PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度102-1344PPI；或者，像素间距为13000-18000纳米，显示面板的像素密度为90-944PPI。
在本公开一些实施例中，像素中的子像素为第一种像素排布方式，且显示面板的像素密度为170-3456PPI。可选地，像素间距为2000-2200纳米，显示面板的像素密度为2545-3456PPI；或者，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度为2171-3143PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度为1577-2765PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度为1063-2160PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度为529-1728PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度为353-1152PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度244-768PPI；或者，像素间距为13000-18000纳米，显示面板的像素密度为170-531PPI。
在本公开一些实施例中，在第一种像素排布方式下，像素间距为2000-2200纳米，显示面板的像素密度可以为2600PPI、2800PPI、3000PPI或者3200PPI；或者，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度可以为2200PPI、2600PPI或者3000PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度可以为1600PPI、1800PPI、2100PPI、2200PPI或者2600PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度可以为1200PPI、1500PPI、1600PPI、1700PPI、1800PPI或者2100PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度可以为600PPI、700PPI、847PPI、941PPI、1000PPI、1150PPI、1200PPI、1500PPI、1700PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度可以为400PPI、550PPI、600PPI、661PPI、700PPI、706PPI、847PPI、941PPI、1000PPI、1150PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度可以为300PPI、400PPI、446PPI、504PPI、550PPI、661PPI、706PPI；或者，像素间距为13000-18000纳米，显示面板的像素密度可以为200PPI、300PPI、370PPI、400PPI。
对应于第一种像素排布形式，像素间距和像素密度的参数变化规律可参考如图44所示，可以看出，总体上随像素间距减小，对应的像素密度越大；图中，两条虚线表示不同的像素间距对应像素密度设计的上限和下限，而两条实线之间的区域表示像素间距和像素密度之间更适宜的选择范围。例如，在该选择范围下，如果像素间距设计为2000纳米，像素密度的适合选择范围为2800-3456PPI；如果像素间距设计为18000纳米，像素密度的适合选择范围可以为170-384PPI。此外，在该图44中，根据下方的虚线，在像素间距2000纳米时，像素密度的下限为117PPI，在像素间距2000纳米时，像素密度的下限为90PPI；根据上方的虚线，在像素间距2000纳米时，像素密度的上限为3456PPI；在像素间距18000纳米时，像素密度的上限为459PPI。
在本公开另一些实施例中，像素中的子像素为第二种像素排布方式，且显示面板的像素密度为260-5200PPI。可选地，像素间距为2000-2200纳米，显示面板的像素密度为3818-5200PPI；或者，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度为3256-4714PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度为2366-4147PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度为1594-3240PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度为794-2592PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度为529-1728PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度为366-1152PPI；或者，像素间距为13000-18000纳米，显示面板的像素密度为260-797PPI。
在本公开一些实施例中，在第二种像素排布方式下，像素间距为2000-2200纳米，显示面板的像素密度可以为4000PPI、4600PPI、4800PPI、或者5000PPI；或者，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度可以为3300PPI、3500PPI、4000PPI或者4600PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度可以为2600PPI、2800PPI、3000PPI、3200PPI、3300PPI、3500PPI或者4000PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度可以为1600PPI、1800PPI、2200PPI、2500PPI、2600PPI、2800PPI、3000PPI或者3200PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度可以为850PPI、992PPI、1000PPI、1025PPI、1270PPI、1300PPI、1411PPI、1500PPI、1600PPI、1800PPI、2200PPI或者2500PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度可以为550PPI、668PPI、756PPI、800PPI、850PPI、992PPI、1000PPI、1025PPI、1270PPI、1300PPI、1411PPI或者1500PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度可以为404PPI、550PPI、668PPI、706PPI、756PPI、800PPI、850PPI、992PPI、1000PPI或者1025PPI；或者，像素间距为13000-18000纳米，显示面板的像素密度可以为404PPI、460PPI、500PPI、668PPI、706PPI或者756PPI。
根据第二种像素排布形式，像素间距和像素密度的参数变化规律可以如图45所示，可以看出，总体上随像素间距减小，对应的像素密度越大；图45中，两条虚线表示不同的像素间距对应像素密度设计的上限和下限，而两条实线之间的区域表示像素间距和像素密度之间更适宜的选择范围。例如，在该选择范围下，如果像素间距设计为2000纳米，像素密度的适合选择范围为4200-5200PPI；如果像素间距设计为18000纳米，像素密度的适合选择范围可以为260-576PPI。此外，在该图45中，根据下方的虚线，在像素间距2000纳米时，像素密度的下限为176PPI，在像素间距2000纳米时，像素密度的下限为144PPI；根据上方的虚线，在像素间距2000纳米时，像素密度的上限为5200PPI；在像素间距18000纳米时，像素密度的上限为688PPI。
在本公开一些实施例中，显示面板还可以包括像素界定层，像素界定层位于第一电极上并位于隔断部的面向基板的一侧且界定有第二开口，像素界定层覆盖第一电极的边缘，第二开口暴露第一电极，第二开口的边缘与第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘重合，第二端部的边缘在基板所在面上的正投影和第一端部的边缘在基板所在面上的正投影的间距为第一宽度，第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘与第二端部的边缘在基板所在面上的正投影之间的距离为第一间距，像素中的子像素为第一种像素排布方式，且所述显示面板的像素密度为170-3143PPI。例如，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度为2171-3143PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度为1577-2765PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度为1063-2160PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度为529-1728PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度为353-1152PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度为244-768PPI；或者，像素间距为13000-18000纳米，显示面板的像素密度为170-531PPI。在本公开一些实施例中，在第一种像素排布方式下，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度可以为2200PPI、2600PPI或者3000PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度可以为1600PPI、1800PPI、2100PPI、2200PPI或者2600PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度可以为1200PPI、1500PPI、1600PPI、1700PPI、1800PPI或者2100PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度可以为600PPI、700PPI、847PPI、941PPI、1000PPI、1150PPI、1200PPI、1500PPI、1700PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度可以为400PPI、550PPI、600PPI、661PPI、700PPI、706PPI、847PPI、941PPI、1000PPI、1150PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度可以为300PPI、400PPI、446PPI、504PPI、550PPI、661PPI、706PPI；或者，像素间距为13000-18000纳米，显示面板的像素密度可以为200PPI、300PPI、370PPI、400PPI。
在本公开另一些实施例中，显示面板还可以包括像素界定层，像素界定层位于第一电极上并位于隔断部的面向基板的一侧且界定有第二开口，像素界定层覆盖第一电极的边缘，第二开口暴露第一电极，第二开口的边缘与第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘重合，第二端部的边缘在基板所在面上的正投影和第一端部的边缘在基板所在面上的正投影的间距为第一宽度，第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘与第二端部的边缘在基板所在面上的正投影之间的距离为第一间距，像素中的子像素为第二种像素排布方式。例如，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度为3256-4714PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度为2366-4147PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度为1594-3240PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度为794-2592PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度为529-1728PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度为366-1152PPI；或者，像素间距为13000-18000纳米，显示面板的像素密度为260-797PPI。
在本公开一些实施例中，在第二种像素排布方式下，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度可以为3300PPI、3500PPI、4000PPI或者4600PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度可以为2600PPI、2800PPI、3000PPI、3200PPI、3300PPI、3500PPI或者4000PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度可以为1600PPI、1800PPI、2200PPI、2500PPI、2600PPI、2800PPI、3000PPI或者3200PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度可以为850PPI、992PPI、1000PPI、1025PPI、1270PPI、1300PPI、1411PPI、1500PPI、1600PPI、1800PPI、2200PPI或者2500PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度可以为550PPI、668PPI、756PPI、800PPI、850PPI、992PPI、1000PPI、1025PPI、1270PPI、1300PPI、1411PPI或者1500PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度可以为404PPI、550PPI、668PPI、706PPI、756PPI、800PPI、850PPI、992PPI、1000PPI或者1025PPI；或者，像素间距为13000-18000纳米，显示面板的像素密度可以为404PPI、460PPI、500PPI、668PPI、706PPI或者756PPI。
在本公开一些实施例中，可以不包括像素界定层，像素间距为2000-2200纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为450-1326纳米；或者，像素间距为2200-2500纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为494-1700纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为563-2868纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为720-4767纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为900-11995纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为1350-18008纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为2025-25699纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为4050-35846纳米。
可选地，可以包括像素界定层，像素间距为2200-2500纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为494-1700纳米；或者，像素间距为2500-3200纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为563-2868纳米；或者，像素间距为3200-4000纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为720-4767纳米；或者，像素间距为4000-6000纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为900-11995纳米；或者，像素间距为6000-9000纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为1350-18008纳米；或者，像素间距为9000-13000纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为2025-25699纳米；或者，像素间距为13000-18000纳米，第一子像素的宽度、第二子像素的宽度和第三子像素的宽度中的平均值为4050-35846纳米。
可选地，基于上述的数据，显示面板的开口率可以为6-60％。
例如，显示面板还可以包括至少包括至少一个光学功能层，其中，光学功能层位于发光功能层的远离基板的一侧，且包括多个位于第一开口内的光学功能单元，光学功能单元的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小。
在本公开至少一个实施例中，显示面板还可以包括至少一个光学功能层，光学功能层位于发光功能层的远离基板的一侧，且包括多个位于第一开口内的光学功能单元，光学功能单元的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小。对应于显示面板不包括像素界定层的实施例，对于每相邻的两个第一电极，第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘之间的像素间距为2074-18000纳米，显示面板的像素密度为90-5000PPI。具体地，对应于按第一种像素排布方式排布实施例，像素间距为2074-18000纳米，显示面板的像素密度可以为90-3333PPI；对应于按第二种像素排布方式排布实施例，像素间距为2074-18000纳米，显示面板的像素密度可以为135-5000PPI。
在本公开至少一个实施例中，显示面板还可以包括至少一个光学功能层，光学功能层位于发光功能层的远离基板的一侧，且包括多个位于第一开口内的光学功能单元，光学功能单元的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小。在显示面板包括的像素界定层的情况下，对于每相邻的两个第一电极，第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边缘之间的像素间距为2274-18000纳米，显示面板的像素密度为90-4560PPI。具体地，对应于按第一种像素排布方式排布实施例，像素间距为2274-18000纳米，所述显示面板的像素密度可以为90-3040PPI；对应于按第二种像素排布方式排布实施例，像素间距为2274-18000纳米，所述显示面板的像素密度可以为135-4560PPI。
需要说明的是，关于光学功能层的具体类型以及设置方式，可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
在本公开一些实施例中，在显示面板设置有光学功能层的一种设计下，隔离结构与基板直接接触，第一电极的边缘为第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边界。
可选地，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为2225-2700纳米，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为181-520纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为148-477纳米。其中，在一种实施例中，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为181纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为148纳米。
可选地，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为2296-3600纳米，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为199-483纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为166-450纳米。
可选地，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为2372-4985纳米，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为218-533纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为185-500纳米。
可选地，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为2516-7623纳米，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为254-633纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为221-600纳米。
可选地，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为3092-12960纳米，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为273-683纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为240-650纳米。
可选地，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为3168-18000纳米，显第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为292-843纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为259-810纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的情况下，在沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘至第一端部的边缘的距离为第一高度，第一高度为400-2200纳米。可选地，在像素间距为2225-2700纳米，第一高度为400-800纳米；或者，在像素间距为2296-3600纳米，第一高度为450-850纳米；或者，在像素间距为2372-4985纳米，第一高度为500-900纳米；或者，在像素间距为2516-7623纳米，第一高度为600-1000纳米；或者，在像素间距为3092-12960纳米，第一高度为650-1200纳米；或者，在像素间距为3168-18000纳米，第一高度为700-2200纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为2225-2700纳米的情形下，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为181-520纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为148-477纳米，第一高度为400-800纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为2296-3600的情形下，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为199-483纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为166-450纳米，第一高度为450-850纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为2372-4985纳米的情形下，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为218-533纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为185-500纳米，第一高度为500-900纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为2516-7623纳米的情形下，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为254-633纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为221-600纳米，第一高度为600-1000纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为3092-12960纳米的情形下，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为273-683纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为240-650纳米，第一高度为650-1200纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为3168-18000纳米的情形下，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为292-843纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为259-810纳米，第一高度为700-2200纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为2225-2700纳米的情形下，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为181-520纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为148-477纳米，第一高度为400-800纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为2296-3600的情形下，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为199-483纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为166-450纳米，第一高度为450-850纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为2372-4985纳米的情形下，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为218-533纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为185-500纳米，第一高度为500-900纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为2516-7623纳米的情形下，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为254-633纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为221-600纳米，第一高度为600-1000纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为3092-12960纳米的情形下，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为273-683纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为240-650纳米，第一高度为650-1200纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且隔离结构与基板直接接触的方案中，在像素间距为3168-18000纳米的情形下，第一电极的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为292-843纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为259-810纳米，第一高度为700-2200纳米。
在本公开另一些实施例中，在显示面板设置有光学功能层的另一种设计下，显示面板还包括像素界定层，像素界定层位于第一电极上并位于隔断部的面向基板的一侧且界定有第二开口，像素界定层覆盖第一电极的边缘，第二开口暴露第一电极，第二开口的边缘与第一电极与同一发光器件中的发光功能层相接触的部分的边界重合。
可选地，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，像素间距为2576-2700纳米，第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为292-659纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为181-510纳米。
可选地，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，像素间距为2517-3600纳米，第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为309-688纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为199-483纳米。
可选地，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，像素间距为2592-4985纳米，第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为328-718纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为218-533纳米。
可选地，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，像素间距为3736-7623纳米，第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为364-818纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为254-633纳米。
可选地，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，像素间距为3312-12960纳米，第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为383-858纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为273-683纳米。
可选地，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，像素间距为3388-18000纳米，第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为403-1028纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为292-843纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且显示面板包括像素界定层的情况下，在沿与基板所在面垂直的方向，第二端部的边缘至第一端部的边缘的距离为第一高度，第一高度为400-2200纳米。可选地，在像素间距为2299-2700纳米，第一高度为450-800纳米；或者，在像素间距为2370-3600纳米，第一高度为500-850纳米；或者，在像素间距为2446-4985纳米，第一高度为550-900纳米；或者，在像素间距为2649-7623纳米，第一高度为690-1000纳米；或者，在像素间距为3270-12960纳米，第一高度为770-1200纳米；或者，在像素间距为3390-18000纳米，第一高度为850-2200纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，在像素间距为2299-2700纳米的情形下，第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为200-460纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为167-417纳米的情形下。
例如，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，在像素间距为2370-3600纳米的情形下，第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为218-483纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为185-450纳米，第一高度为500-850纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，在像素间距为2446-4985纳米的情形下，第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为237-533纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为204-500纳米，第一高度为550-900纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，在像素间距为2649-7623纳米的情形下，第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为287-633纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为254-600纳米，第一高度为690-1000纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，在像素间距为3270-12960纳米的情形下，第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为317-683纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为284-650纳米，第一高度为770-1200纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，在像素间距为3390-18000纳米的情形下，第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为348-843纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为315-810纳米，第一高度为850-2200纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，在像素间距为2299-2700纳米的情形下，第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为200-460纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为167-417纳米，第一高度为450-800纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，在像素间距为2370-3600纳米的情形下，第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为218-483纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为185-450纳米，第一高度为500-850纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，在像素间距为2446-4985纳米的情形下，第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为237-533纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为204-500纳米，第一高度为550-900纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，在像素间距为2649-7623纳米的情形下，第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为287-633纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为254-600纳米，第一高度为690-1000纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，在像素间距为3270-12960纳米的情形下，显第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为317-683纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为284-650纳米，第一高度为770-1200纳米。
例如，在显示面板设置有光学功能层且显示面板还包括像素界定层的方案中，在像素间距为3390-18000纳米的情形下，第二开口的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为348-843纳米，第一端部的边缘在基板上的正投影至第二端部的边缘在基板上的正投影之间的间距为315-810纳米，第一高度为850-2200纳米。
本公开至少一个实施例提供一种显示面板，该显示面板包括基板以及位于基板上的隔离结构和显示功能层，隔离结构包括隔断部，隔离结构限定出多个第一开口，显示功能层包括多个位于对应的第一开口内的发光器件，发光器件包括在基板上叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，显示面板的像素密度为200PPI至7400PPI。
可选地，相邻的发光器件的第一电极与对应发光功能层相接触部分的边缘之间的像素间距为2000-18000纳米。
可选地，显示面板的像素密度为200-7400PPI。可选地，像素间距为2000-2200纳米，显示面板的像素密度为249-7400PPI；或者，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度为248-6778PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度为245-6088PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度为243-4921PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度236-4036PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度为227-2785PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度216-1901PPI；或者，像素间距为13000-16500纳米，显示面板的像素密度208-1335PPI；或者，像素间距为16500-18000纳米，显示面板的像素密度为200-1060PPI。
可选地，如图46所示，每两个像素构成一个重复单元A，多个重复单元A排布为多行和多列以完成所有子像素的排布。在每个重复单元A中，存在一个第一子像素R、两个第二子像素G和一个第三子像素B，两个第二子像素G分别属于两个像素，该两个像素共用第一子像素R和一个第三子像素B。
对应于如图46所示的像素排布形式，像素间距和像素密度的参数变化规律可参考如图47所示，可以看出，总体上随像素间距减小，对应的像素密度越大；图47中，两条虚线表示不同的像素间距对应像素密度设计的上限和下限，而两条实线之间的区域表示像素间距和像素密度之间更适宜的选择范围。例如，在该选择范围下，如果像素间距设计为2000纳米，像素密度的适合选择范围为1700-3000PPI；如果像素间距设计为18000纳米，像素密度的适合选择范围可以为200-750PPI。此外，在该图47中，根据下方的虚线，在像素间距2000纳米时，像素密度的下限为249PPI，在像素间距2000纳米时，像素密度的下限为249PPI；根据上方的虚线，在像素间距18000纳米时，像素密度的上限为7400PPI；在像素间距18000纳米时，像素密度的上限为973PPI。
可选地，对于如图46所示的像素排布方式，像素间距为2000-2200纳米，显示面板的像素密度为1600～3000PPI；或者，像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度为1400～2700PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度为1200～2400PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度为1000～2100PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度为800～1800PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度为600～1500PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度400～1200PPI；或者，像素间距为13000-16500纳米，显示面板的像素密度300～900PPI；或者，像素间距为16500-18000纳米，显示面板的像素密度为200～800PPI。
在本公开一些实施例中，在如图46所示的像素排布方式，像素间距为2000-2000纳米，显示面板的像素密度可以为1600PPI、2000PPI、2500PPI或者3000PPI；或者像素间距为2200-2500纳米，显示面板的像素密度可以为1500PPI、1800PPI、2200PPI或者2700PPI；或者，像素间距为2500-3200纳米，显示面板的像素密度可以为1200PPI、1800PPI或者2400PPI；或者，像素间距为3200-4000纳米，显示面板的像素密度可以为1000PPI、1800PPI或者2100PPI；或者，像素间距为4000-6000纳米，显示面板的像素密度可以为850PPI、1000PPI、1300PPI、1500PPI、1600PPI或者1800PPI；或者，像素间距为6000-9000纳米，显示面板的像素密度可以为600PPI、800PPI、850PPI、1000PPI、1200PPI或者1500PPI；或者，像素间距为9000-13000纳米，显示面板的像素密度可以为404PPI、550PPI、668PPI、706PPI、756PPI、800PPI、850PPI、992PPI、1000PPI或者1200PPI；或者，像素间距为13000-16500纳米，显示面板的像素密度可以为404PPI、460PPI、500PPI、668PPI、706PPI或者900PPI；或者，像素间距为16500-18000纳米，显示面板的像素密度可以为200PPI、300PPI、500PPI、668PPI、706PPI或者900PPI。
在本公开的上述实施例中可知，基于隔离结构，可以减小像素间距以增加显示面板的像素密度。此外，在显示面板中，每个子像素都需要基板上有对应位置设置像素驱动电路用以驱动发光，在像素驱动电路比较复杂而需求较大面积的情况下，可能会导致显示面板需要具备较大的尺寸从而对像素密度的提升造成限制。
例如，在本公开一些实施例中，可以使像素驱动电路中各薄膜晶体管在平面上的所占面积减小，以减小排布像素驱动电路所需要的面积，例如，将像素驱动电路中的至少部分薄膜晶体管在平面上的所占面积减小。如果仅是缩小薄膜晶体管的体积，会使得显示面板存在显示异常的情形，导致该异常主要原因是像素灰阶不易切换所致，而像素灰阶切换和薄膜晶体管的亚阈值斜率(SS)值密切相关，SS值越大像素的灰阶越易切换，其中，SS值又称亚阈值摆幅，其定义为亚阈值区漏极电流增加一个数量级所需要增大的栅极电压，反映了电流从关态到开态的转换陡直度。而SS值与薄膜晶体管的沟道长度正相关，若要增大SS值需要增大沟道长度，增加薄膜晶体管在平面上所占面积，不利于显示面板像素密度的提升。
在本公开一些实施例中，对于像素驱动电路中的至少部分薄膜晶体管，可以将其沟道设计为非直线形，以在减小其所占用面积(例如其在基板上的正投影的面积)的同时，不改变甚至增加其总长度，例如，沟道可以设置为包括凸起部分，该凸起部分朝着远离基板的防线突出，从而使得沟道的整体形成呈现为诸如弯折形、弧形等非直线形状。
例如，如图48所示，显示面板的像素驱动电路包括第一类型薄膜晶体管TFT-1，该第一类型薄膜晶体管TFT-1包括在衬底101上设置的第一栅电极102a、第一半导体层103a、第一源电极104a和第一漏电极105a。第一半导体层103a位于第一栅电极102a的背离衬底101的一侧，第一半导体层103a和第一栅电极102a之间设置有栅绝缘层106，受第一栅电极102a的厚度限制，栅绝缘层106的覆盖第一栅电极102a的部分会与第一栅电极102a共形以形成凸面，该凸面包括背离衬底101的顶面(与第一栅电极102a的背离衬底101的表面共形)以及与该顶面连接的侧面(与第一栅电极102a的侧壁共形)。第一半导体层103a覆盖该凸面从而与该凸面共形以形成凸起部，该凸起部可以在不改变第一半导体层103a所占用的平面面积的情况下增加第一半导体层103a的整体长度，相应地，也可以在增加或者不改变第一半导体层103a的整体长度的情况下，减小第一半导体层103a所占用的平面面积，从而减小第一类型薄膜晶体管TFT-1的平面面积。
需要说明的是，“平面面积”可以为目标对象在基板或者衬底所在面上的正投影的面积。
如图48所示，第一半导体层103a包括第一源极区、第一漏极区以及位于第一源极区和第一漏极区之间的第一沟道区，第一半导体层103a的第一源极区用于与第一源电极104a连接，第一半导体层103a的第一漏极区用于与第一漏电极105a连接，而第一源极区(或者第一源电极104a)在衬底101上的正投影和第一漏极区(或者第一漏电极105a)在衬底101上的正投影，位于第一栅电极102a在衬底101上的正投影之外，且第一栅电极102a在衬底101上的正投影，位于第一源极区(或者第一源电极104a)在衬底101上的正投影和第一漏极区(或者第一漏电极105a)在衬底101上的正投影之间。
需要说明的是，在本公开的实施例中，可以选择将像素驱动电路的所有薄膜晶体管都设置为上述的第一类型薄膜晶体管TFT-1，或者，可以选择将像素驱动电路的一部分薄膜晶体管都设置为上述的第一类型薄膜晶体管TFT-1，而其它部分薄膜晶体管设计为其它类型的薄膜晶体管(记为第二类型薄膜晶体管)。
例如，在本公开一些实施例中，如图49所示，第二类型薄膜晶体管TFT-2包括在衬底101上设置的第二栅电极102b、第二半导体层103b、第二源电极104b和第二漏电极105b。第二半导体层103b位于第二栅电极102b的背离衬底101的一侧，第二半导体层103b和第二栅电极102b之间设置有栅绝缘层106，受第二栅电极102b的厚度限制，栅绝缘层106的覆盖第二栅电极102b的部分会与第二栅电极102b共形以形成凸面，该凸面包括背离衬底101的顶面(与第二栅电极102b的背离衬底101的表面共形)以及与该顶面连接的侧面(与第二栅电极102b的侧壁共形)，第二半导体层103b位于该顶面上。第二半导体层103b包括第二源极区、第二漏极区以及位于第二源极区和第二漏极区之间的第二沟道区，第二半导体层103b的第二源极区用于与第二源电极104b连接，第二半导体层103b的第二漏极区用于与第二漏电极105b连接，而第二源极区(或者第二源电极104b)在衬底101上的正投影和第二漏极区(或者第二漏电极105b)在衬底101上的正投影，位于第二栅电极102b在衬底101上的正投影之内，且第二半导体层103b在衬底101上的正投影与第二栅电极102b在衬底101上的正投影重合，或者，位于第二栅电极102b在衬底101上的正投影之内。
如图49所示，通过对比第一类型薄膜晶体管TFT-1和第二类型薄膜晶体管TFT-2，可见，如果第一类型薄膜晶体管TFT-1中的第一沟道和第二类型薄膜晶体管TFT-2中的第二沟道的长度相等，那么第一类型薄膜晶体管TFT-1中的第一源极区和第一漏极区沿与衬底101所在面平行的方向上的间距，要小于第二类型薄膜晶体管TFT-2中的第二源极区和第二漏极区沿与衬底101所在面平行的方向上的间距，即，第一类型薄膜晶体管TFT-1在衬底101上的正投影的面积，要小于第二类型薄膜晶体管TFT-2在衬底101上的正投影的面积。
需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，第二类型的薄膜晶体管TFT-2可以设计为如图49所示的底栅型薄膜晶体管，或者，可以将第二栅电极的位置移动至第二半导体层的上方以形成顶栅型薄膜晶体管。
在本公开至少一个实施例中，在像素驱动电路同时包括第一类型薄膜晶体管和第二类型的薄膜晶体管，且第二类型的薄膜晶体管中的第二栅电极位于第二半导体层和衬底之前的情况下时，第一类型薄膜晶体管和第二类型的薄膜晶体管所分别包括的至少部分膜层可以同层且同材料制备形成。例如，第一栅电极102a和第二栅电极102b同层且同材料；和/或，第一半导体层103a和第二半导体层103b同层且同材料；和/或，第一源电极104a和第二源电极104b同层且同材料；第一漏电极105a和第二漏电极105b同层且同材料。
需要说明的是，第一半导体层的沟道区的形状受第一栅电极的形状影响，而在本公开的实施例中，对第一栅电极的形状不做限制，可以根据实际工艺的需求进行设计。例如，在本公开一些实施例中，在与基板100所在面垂直且沿着第一半导体层103a的延伸方向(例如从第一源电极104a至第一漏电极105a的方向)上，第一栅电极102a的截面形状为矩形。例如，在本公开另一些实施例中，如图50所示，在与基板100所在面垂直且沿着第一半导体层103a的延伸方向(例如从第一源电极104a至第一漏电极105a的方向)上，第一栅电极102a的截面形状为正梯形，该正梯形的顶边朝向衬底101，如此，栅绝缘层106的覆盖第一栅电极102a的侧边(正梯形的腰)的部分可以具有一定的坡度，从而有利于第一半导体层103a在该区域的延续性。
在本公开的实施例中，对像素中的子像素的类型、各类型子像素的数量以及具体的排布不做限制，而显示面板的像素密度可以根据上述不同的选择进行计算。
在本公开一些实施例中，每个像素可以包括三种子像素例如上述实施例提及的子像素R、G、B，该情况下的子像素的类型以及像素排布方式可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
在本公开另一些实施例中，至少部分像素可以包括四种子像素，其中一种子像素用于补偿整个像素的亮度。例如，如图51和图52所示，像素包括分别出射红光(R)、绿光(G)、蓝光(B)、白光(W)的子像素，子像素W出射的白光可以用于补偿整个像素的亮度，以提高显示面板的显示效果。需要说明的是，在该些实施例中，子像素W可以替换为出射其它混合光线(非基色光线)，例如其可以设置为出射绿光和蓝光的组合光线、绿光和红光的组合光线，或者红光和蓝光的组合光线等。
子像素的发光器件所包括的发光层用于激发光，发光层的类型决定出光颜色。在用于补偿的子像素W中，可以设置为具有一个发白光的发光层，也可以设置多个不同类型的发光层以用于分别激发不同颜色的光线。例如，在如图52所示的显示面板中，用于补偿的子像素W对应的发光器件200a包括在基板100上依次叠置的第一电极210a、发光功能层220a和第二电极230a，发光功能层220a与子像素R、G、B所分别对应的发光器件200的发光功能层220不同，发光功能层220a中的发光层有三种，其分别与子像素R、G、B所包括的发光层222相同，以使得发光功能层220a可以发出白光。
在显示面板的像素包括用于补偿亮度的子像素的情况下，对显示面板的像素排布不做限制，可以根据实际的显示需求进行设计。例如，其可以为如图51所示，每个像素P中的四种子像素依次排布成一行，该行的方向可以与像素P排布的行的方向相同。
需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，显示面板可能会设置具有传感功能，而针对一些特殊需求的传感功能，需要在像素中设置用于感应信号例如光信号的传感器，该传感器可以与子像素的发光器件位于同层，例如，传感器的电极可以与发光器件的第一电极和第二电极同层制备。
在本公开的实施例中，传感器的类型与所需求的传感功能相关，因此对传感器的类型不作限制，可以根据实际工艺的需求进行选择。下面，针对几种不同的传感需求，对具有不同类型的传感器的显示面板的结构进行示例性说明。
在本公开至少一个实施例中，如图53和图54所示，显示面板的至少部分像素中设置有光传感单元O，该光传感单元O对应的光传感器200b包括在基板100上依次叠置的第一传感电极210b、光传感层220b和第二传感电极230b。第一传感电极210b和第二传感电极230b可以分别与第一电极210和第二电极230同层，如此，光传感器200b可以与发光器件200一样利用隔离结构300进行制备。
例如，光传感层220b的材料由供体(Donor，D)和受体(Acceptor，A)组成。可选的，第一光传感器112a的材料为DMQA(D)/DCV3T(A)，或DMQA(D)/SubPc(A)，或SubPC(D)/C60(A)。
在本公开一些实施例中，光传感单元O可以用于检测可见光，如此，光传感单元O可以用于进行实现生物认证或生物信号监测等，例如，可以进行指纹识别。例如，该可见光可以为发光器件200出射的光线，该光线出射后经过指纹的反射进入光传感单元O中，以进行指纹检测。
在本公开另一些实施例中，如图53和图55所示，显示面板中的光传感单元O可以检测非可视光线，在此基础上，光传感器200b的背离基板100的一侧可以设置应力发光材料层830，应力发光材料层830可以在受到应力的情况下出射不可见光。例如，该应力可以是输入对象(例如，电子设备的使用者、输入笔)按压显示面板的力，也可以是对显示面板的性能进行检测的检测设备按压显示面板的力。发光器件200发出的光能够激发应力发光材料层830，维持应力发光材料层830的发光强度，有利于显示面板压感功能稳定性的提升和使用寿命的提升。
例如，应力发光材料层830包括透明光学胶和分散于透明光学胶内的应力发光粒子。通过将应力发光粒子分散在透明光学胶中，应力发光粒子的分布更分散，在实现触控输入功能和压力检测功能的同时不影响显示面板整体的轻薄化。例如，应力发光粒子的粒径为0.1μm-1μm；和/或，应力发光粒子在应力发光材料层830中的质量百分比为1％-20％；和/或，应力发光粒子的材料包括Sr3Sn2O7:Nd3+；和/或，应力发光材料层830的厚度为10μm-250μm。
例如，应力发光材料层830可以为封装层(例如第三封装层530)的背离基板100的一侧，以保证应力发光层材料层830的平坦度。
例如，在应力发光材料层830的面向基板100的一侧可以设置遮光部810和滤光单元820，与光传感单元O对应的滤光单元820设置为阻挡可见光且透过不可见光，以避免可见光对光传感单元O造成干扰。关于遮光部810和滤光单元820的其它设置方式可以参见前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。
需要说明的是，在本公开的实施例中，显示面板可以只包括用于检测可见光线的光传感单元O；或者，可以只包括用于检测不可见光线的光传感单元O；或者，可以同时包括用于检测可见光线和不可见光线的两种光传感单元O。此外，在本公开的实施例中，可以在每个像素P中都设置光传感单元O，或者，可以在一部分像素P中都设置光传感单元O。
例如，本公开至少一个实施例提供一种显示装置，该显示装置可以包括上述任一实施例中的显示面板，该显示装置可以为电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。
如上所述，本公开至少一个实施例方案，一方面不必受高成本的FMM掩膜板限制，基于本公开的实施例方案，可以依据自身方案的结构特点及其本身的规律，进一步缩小子像素的宽度和/或相邻子像素之间的间隙，从而可以将像素密度提高至大于403PPI，以突破当前OLED显示面板中像素密度难以进一步提升的限制，例如，根据本公开的相关方案利用目前已有设备，即可将适合制造产品的像素密度范围达成为404PPI至7400PPI；如此，不仅可以使显示面板和显示装置的适用于电视机、笔记本电脑等场景；特别是，可以将适合制造产品的像素密度范围达成为较高PPI(如2000-7400PPI)，从而可以使产品适用于微显类产品(如AR、VR等)的使用场景。另一方面，基于本公开的实施例方案，本公开方案也适合制造低像素密度较低(如90-403PPI，具体如117PPI、144PPI、176PPI、260PPI等)的产品，并避免先前技术需要反复对掩膜板进行张网固定、掩膜板中间下垂等因素带来的产品品质不良、掩膜板使用成本过高的问题。
以上仅为本公开的较佳实施例而已，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (77)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
隔离结构，位于所述基板上且包括隔断部，其中，所述隔断部包括第一端部和第二端部，所述第二端部位于所述第一端部的远离所述基板的一侧，所述第一端部在所述基板上的正投影位于所述第二端部在所述基板上的正投影之内，所述隔离结构限定出多个第一开口；
显示功能层，位于所述基板上且包括多个位于对应的所述第一开口内的发光器件，所述发光器件包括在所述基板上叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，所述第一开口限位对应的所述发光器件；以及
第一封装层，位于所述显示功能层的远离所述基板的一侧；
其中，所述发光器件的至少部分膜层的边缘部分的一部分在所述基板上的正投影位于所述第二端部在所述基板上的正投影之内。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿所述发光器件中部到对应边缘的方向，所述发光器件的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小；
优选地，沿与所述基板所在面垂直的方向，所述第二端部的边缘至所述第一端部的边缘的距离为第一高度；在所述发光器件的正截面内，所述第一封装层的面向所述基板的表面的位于经过所述第二端部的边缘并垂直于所述基板所在面的直线上的位置，与所述第一端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离为隔断关联高度，所述第一高度与所述隔断关联高度的差值不小于封装安全余量；
优选地，沿与所述基板所在面垂直的方向，所述第二端部的边缘至所述第一端部的边缘的距离为第一高度，且在所述发光器件的中间位置，所述第一封装层和所述第一电极之间的间距为第二高度，所述第二高度与第一厚度系数的乘积为第一数值，所述第一高度与所述第一数值的差值不小于封装安全余量；
优选地，所述第一厚度系数大于等于M并小于1，M等于0.5±0.2；
优选地，M为所述隔断关联高度与所述第二高度的比值；
进一步优选地，所述第一厚度系数等于M。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在所述发光器件的中间位置，所述第一封装层具有第二厚度；
其中，所述第一封装层覆盖所述发光器件以及部分所述第二端部的侧面，所述封装安全余量等于所述第二厚度与第二厚度系数的乘积；
优选地，所述第一封装层在所述隔离结构侧面形成有闭合腔室，所述第二厚度系数为0.2-2；
优选地，所述第二厚度系数为0.25-1.2，进一步优选地，所述第二厚度系数为0.3-0.8；
优选地，所述显示面板包括有多个子像素，所述子像素包括有两个相对的长边和两个相对的短边，部分所述子像素仅所述短边处具有所述沿所述发光器件中部到对应边缘的方向厚度逐渐减小的边缘部分，而所述长边处不具有沿所述发光器件中部到对应边缘的方向厚度逐渐减小的边缘部分。
4.根据权利要求2或3所述的显示面板，其特征在于，所述第二端部的边缘在所述基板所在面上的正投影和所述第一端部的边缘在所述基板所在面上的正投影的间距为第一宽度，以及
在所述发光器件的正截面内，经由所述第二电极的边缘与所述第二端部边缘的直线，与所述基板所在面相交构成的锐角为第一倾角，所述第一宽度小于所述第一高度与所述第一倾角的余切值的乘积；
优选地，所述第二电极具有搭接在所述第一端部的侧表面的翘尾部；
优选地，在所述发光器件的正截面内，所述发光功能层的边缘与所述第二端部边缘的直线，与所述基板所在面相交构成的锐角为发光功能层倾角，所述发光功能层倾角大于所述第一倾角；
优选地，所述第一宽度大于所述第一高度与所述发光功能层倾角的余切值的乘积；
优选地，所述发光功能层包括第一功能层，在所述发光器件的正截面内，经由所述第一功能层的边缘与所述第二端部边缘的直线，与所述基板所在面相交构成的锐角为第二倾角，所述第二倾角大于所述发光功能层倾角；
优选地，所述发光功能层还包括发光层和第二功能层，所述发光层和所述第二功能层覆盖所述第一功能层的边缘；
优选地，在所述发光器件的正截面内，所述第二电极在经过所述第一电极的边缘并垂直于所述基板所在面位置的厚度，小于所述第二电极对应于所述发光器件的中间位置的部分的厚度。
5.根据权利要求2至4中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影，位于所述第一电极的边缘在所述基板上的正投影和所述第一端部的边缘在所述基板上的正投影之间；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述第一电极的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离，小于：所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积；或者
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积，小于或者等于：所述第一电极的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离。
6.根据权利要求2至4中任意一项所述的显示面板，其特征在于，还包括像素界定层，所述像素界定层位于所述第一电极上并位于所述隔断部的面向所述基板的一侧且界定有第二开口，所述第一电极从所述第二开口露出，且所述第一端部的边缘位于所述像素界定层上表面内；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述第一电极从所述第二开口露出部分的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离，小于：所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积，小于或等于所述第一电极从所述第二开口露出部分的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离；
优选地，所述像素界定层为无机层，所述像素界定层的覆盖相邻的所述第一电极的间隙的部分具有与所述间隙共形的凹槽，所述第一端部的朝向所述基板的表面覆盖所述凹槽；
优选地，所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离等于：所述第一高度与所述像素界定层的厚度之和。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括保护层，其中，所述保护层为绝缘层，所述保护层包括多个保护单元，所述保护单元位于所述第一电极与所述第一端部之间；
优选地，所述保护单元覆盖所述第一电极的侧壁并与所述隔离结构的所述第一端部具有间隔；或者，所述保护单元覆盖所述第一电极的侧壁和所述第一端部的侧壁；
优选地，与所述基板所在面垂直且经过所述第二端部的边缘的直线经过所述保护单元；
优选地，
所述保护单元与所述隔离结构的所述第一端部具有间隔，沿与所述基板所在面垂直的方向，所述第二端部的边缘与所述第一端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向的距离为第一高度，在所述发光器件的正截面内，所述第一封装层的面向所述基板的表面的位于经过所述第二端部的边缘并垂直于所述基板所在面的直线上的位置，与所述第一端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离为隔断关联高度，所述第一高度与所述隔断关联高度的差值不小于封装安全余量；或者，
沿与所述基板所在面垂直的方向，所述第二端部的边缘至所述第一端部的边缘的距离为第一高度，且在所述发光器件的中间位置，所述第一封装层和所述第一电极之间的间距为第二高度，所述第二高度与第一厚度系数的乘积为第一数值，所述第一数值与所述保护单元的厚度的和为第二数值，所述第一高度与所述第二数值的差值不小于封装安全余量；
进一步优选地，所述第一厚度系数大于等于M并小于1，M等于0.5±0.2，进一步优选地，M为所述隔断关联高度与所述第二高度的比值，进一步优选地，所述第一厚度系数等于M；
或者，
所述保护层覆盖所述第一电极的侧壁和所述第一端部的部分侧壁，沿与所述基板所在面垂直的方向，所述第二端部的边缘与所述第一端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向的距离为第一高度，在所述发光器件的正截面内，所述第一封装层的面向所述基板的表面的位于经过所述第二端部的边缘并垂直于所述基板所在面的直线上的位置，与所述第一端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离为隔断关联高度，所述第一高度与所述隔断关联高度的差值不小于封装安全余量；或者，
沿与所述基板所在面垂直的方向，所述第二端部的边缘至所述第一端部的边缘的距离为第一高度，且在所述发光器件的中间位置，所述第一封装层和所述第一电极之间的间距为第二高度，所述第二高度与第一厚度系数的乘积为第一数值，所述第一高度与所述第一数值的差值不小于封装安全余量；
进一步优选地，所述第一厚度系数大于等于M并小于1，M等于0.5±0.2，进一步优选地，M为所述隔断关联高度与所述第二高度的比值，进一步优选地，所述第一厚度系数等于M；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述第一电极从所述保护层露出部分的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离，小于：所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积，小于或等于所述第一电极从所述保护层露出部分的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离；
优选地，所述第一端部包括面向所述基板一侧的连接部，所述连接部和所述第一电极同层且同材料；
优选地，所述保护单元与所述隔离结构的所述第一端部具有间隔，所述基板包括面向所述隔离结构的一侧的第一平坦层和第二平坦层，所述第二平坦层位于所述第一平坦层和所述隔离结构之间，且位于所述第一平坦层和所述第一电极之间，所述第一平坦层为有机层，所述第二平坦层为无机层。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的显示面板，其特征在于，还包括至少一个光学功能层，其中，所述光学功能层位于所述发光功能层远离基板的一侧，且包括多个光学功能单元；
优选地，所述光学功能单元设置为包括至少一种，所述光学功能单元为颜色转换单元、光取出单元、光调控单元、填充单元和滤光单元中的一种；或者，所述光学功能单元设置为包括至少两种，至少两种所述光学功能单元为所述颜色转换单元、所述光取出单元、所述光调控单元、所述填充单元和所述滤光单元中的不同种；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述光学功能单元的边缘至所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角，大于或者等于所述发光功能层的边缘至所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角；
优选地，所述光学功能单元位于所述发光功能层和所述第一封装层之间，至少部分所述第一开口内设置有所述光学功能单元，且所述光学功能单元的边缘部分的一部分在所述基板上的正投影位于所述第二端部在所述基板上的正投影之内，且沿所述发光器件中部到对应边缘的方向，所述光学功能单元的边缘部分的厚度逐渐减小。
9.根据权利要求1至8中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述隔断部包括在所述基板上叠置的支撑部和阻挡部，所述支撑部构成所述第一端部，所述阻挡部构成所述第二端部；
优选地，所述第一封装层和所述阻挡部的表面接触，所述第一封装层和所述阻挡部的材料相同。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述支撑部中设置有网格状的分割孔，所述分割孔将所述支撑部分割为多个子支撑部，所述阻挡部覆盖并填充所述分割孔，所述支撑部为导电结构，所述阻挡部为绝缘结构，所述第二电极与对应的所述子支撑部连接。
11.根据权利要求1至8中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述隔断部包括在所述基板上叠置的支撑部和阻挡部，在所述发光器件的正截面上，所述阻挡部具有倾斜的侧壁，所述第二电极的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角，和所述阻挡部的侧壁与所述基板所在面相交的锐角的差值不小于预设角度。
12.根据权利要求1至8中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述隔断部的所述第一端部和所述第二端部为一体结构，且在与所述基板所在面垂直的方向，所述隔断部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓为倒梯形，所述倒梯形的底的边缘为所述第二端部的边缘，所述倒梯形的顶的边缘为所述第一端部的边缘。
13.根据权利要求1至12中任意一项所述的显示面板，其特征在于，相邻的所述发光器件的所述第一电极与对应所述发光功能层相接触部分的边缘之间的间距为像素间距，所述像素间距为2000-18000纳米，所述显示面板的像素密度为90PPI至7400PPI。
14.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
隔离结构，位于所述基板上且包括隔断部，其中，所述隔断部包括第一端部和第二端部，所述第二端部位于所述第一端部的远离所述基板的一侧，所述第一端部在所述基板上的正投影位于所述第二端部在所述基板上的正投影之内，所述隔离结构限定出多个第一开口；
显示功能层，位于所述基板上且包括多个位于对应的所述第一开口内的发光器件，所述发光器件包括在所述基板上叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，所述第一开口限位对应的所述发光器件；
第一封装层，位于所述显示功能层的远离所述基板的一侧；以及
至少一个光学功能层，位于所述发光功能层远离基板的一侧，且包括多个光学功能单元；
其中，所述发光器件的至少部分膜层的边缘部分的一部分在所述基板上的正投影位于所述第二端部在所述基板上的正投影之内。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，沿所述发光器件中部到对应边缘的方向，所述发光器件的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小；
优选地，所述光学功能单元位于所述发光功能层和所述第一封装层之间，至少部分所述第一开口内设置有所述光学功能单元；
优选地，所述光学功能单元位于所述发光功能层和所述第一封装层之间，所述光学功能单元的边缘部分的一部分在所述基板上的正投影位于所述第二端部在所述基板上的正投影之内，且沿所述发光器件中部到对应边缘的方向，所述光学功能单元的边缘部分的厚度逐渐减小。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，
沿与所述基板所在面垂直的方向，所述第二端部的边缘至所述第一端部的边缘的距离为第一高度；在所述发光器件的正截面内，所述第一封装层的面向所述基板的表面的位于经过所述第二端部的边缘并垂直于所述基板所在面的直线上的位置，与所述第一端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离为隔断关联高度，所述第一高度与所述隔断关联高度的差值不小于封装安全余量；或者，
沿与所述基板所在面垂直的方向，所述第二端部的边缘至所述第一端部的边缘的距离为第一高度，且在所述发光器件的中间位置，所述第一封装层和所述第一电极之间的间距为第二高度，所述第二高度与第一厚度系数的乘积为第一数值，所述第一高度与所述第一数值的差值不小于封装安全余量；进一步优选地，所述第一厚度系数大于等于M并小于1，M等于0.5±0.2，进一步优选地，M为所述隔断关联高度与所述第二高度的比值，进一步优选地，所述第一厚度系数等于M。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，在所述发光器件的中间位置，所述第一封装层具有第二厚度；
其中，所述第一封装层覆盖所述发光器件以及部分所述第二端部的侧面，所述封装安全余量等于所述第二厚度与第二厚度系数的乘积；
优选地，所述第一封装层在所述隔离结构侧面形成有闭合腔室，所述第二厚度系数为0.2-2；
优选地，所述第二厚度系数为0.25-1.2，进一步优选地，所述第二厚度系数为0.3-0.8；
优选地，所述显示面板包括有多个子像素，所述子像素包括有两个相对的长边和两个相对的短边，部分所述子像素仅所述短边处具有所述沿所述发光器件中部到对应边缘的方向厚度逐渐减小的边缘部分，而所述长边处不具有沿所述发光器件中部到对应边缘的方向厚度逐渐减小的边缘部分。
18.根据权利要求16或17所述的显示面板，其特征在于，所述第二端部的边缘在所述基板所在面上的正投影和所述第一端部的边缘在所述基板所在面上的正投影的间距为第一宽度，以及
在所述发光器件的正截面内，经由所述第二电极的边缘与所述第二端部边缘的直线，与所述基板所在面相交构成的锐角为第一倾角，所述第一宽度小于所述第一高度与所述第一倾角的余切值的乘积；
优选地，所述第二电极具有搭接在所述第一端部的侧表面的翘尾部；
优选地，在所述发光器件的正截面内，所述发光功能层的边缘与所述第二端部边缘的直线，与所述基板所在面相交构成的锐角为发光功能层倾角，所述发光功能层倾角大于所述第一倾角；
优选地，所述第一宽度大于所述第一高度与所述发光功能层倾角的余切值的乘积；
优选地，所述发光功能层包括第一功能层，在所述发光器件的正截面内，经由所述第一功能层的边缘与所述第二端部边缘的直线，与所述基板所在面相交构成的锐角为第二倾角，所述第二倾角大于所述发光功能层倾角；
优选地，所述发光功能层还包括发光层和第二功能层，所述发光层和所述第二功能层覆盖所述第一功能层的边缘；
优选地，在所述发光器件的正截面内，所述第二电极在经过所述第一电极的边缘并垂直于所述基板所在面位置的厚度，小于所述第二电极对应于所述发光器件的中间位置的部分的厚度。
19.根据权利要求16至18中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影，位于所述第一电极的边缘在所述基板上的正投影和所述第一端部的边缘在所述基板上的正投影之间；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述第一电极的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离，小于：所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积，小于或者等于：所述第一电极的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离。
20.根据权利要求16至18中任意一项所述的显示面板，其特征在于，还包括像素界定层，所述像素界定层位于所述第一电极上并位于所述隔断部的面向所述基板的一侧且界定有第二开口，所述第一电极从所述第二开口露出，且所述第一端部的边缘位于所述像素界定层上表面内；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述第一电极从所述第二开口露出部分的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离，小于：所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积，小于或等于所述第一电极从所述第二开口露出部分的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离；
优选地，所述像素界定层为无机层，所述像素界定层的覆盖相邻的所述第一电极的间隙的部分具有与所述间隙共形的凹槽，所述第一端部的朝向所述基板的表面覆盖所述凹槽；
优选地，所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离等于：所述第一高度与所述像素界定层的厚度之和。
21.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，还包括保护层，其中，所述保护层为绝缘层，所述保护层包括多个保护单元，所述保护单元位于所述第一电极与所述第一端部之间；
优选地，所述保护单元覆盖所述第一电极的侧壁并与所述隔离结构的所述第一端部具有间隔；或者，所述保护单元覆盖所述第一电极的侧壁和所述第一端部的侧壁；
优选地，与所述基板所在面垂直且经过所述第二端部的边缘的直线经过所述保护单元；
优选地，
所述保护单元与所述隔离结构的所述第一端部具有间隔，沿与所述基板所在面垂直的方向，所述第二端部的边缘与所述第一端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向的距离为第一高度，在所述发光器件的正截面内，所述第一封装层的面向所述基板的表面的位于经过所述第二端部的边缘并垂直于所述基板所在面的直线上的位置，与所述第一端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离为隔断关联高度，所述第一高度与所述隔断关联高度的差值不小于封装安全余量；或者，
沿与所述基板所在面垂直的方向，所述第二端部的边缘至所述第一端部的边缘的距离为第一高度，且在所述发光器件的中间位置，所述第一封装层和所述第一电极之间的间距为第二高度，所述第二高度与第一厚度系数的乘积为第一数值，所述第一数值与所述保护单元的厚度的和为第二数值，所述第一高度与所述第二数值的差值不小于封装安全余量；
进一步优选地，所述第一厚度系数大于等于M并小于1，M等于0.5±0.2，进一步优选地，M为所述隔断关联高度与所述第二高度的比值，进一步优选地，所述第一厚度系数等于M；
或者，
所述保护层覆盖所述第一电极的侧壁和所述第一端部的部分侧壁，沿与所述基板所在面垂直的方向，所述第二端部的边缘与所述第一端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向的距离为第一高度，在所述发光器件的正截面内，所述第一封装层的面向所述基板的表面的位于经过所述第二端部的边缘并垂直于所述基板所在面的直线上的位置，与所述第一端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离为隔断关联高度，所述第一高度与所述隔断关联高度的差值不小于封装安全余量；或者，
沿与所述基板所在面垂直的方向，所述第二端部的边缘至所述第一端部的边缘的距离为第一高度，且在所述发光器件的中间位置，所述第一封装层和所述第一电极之间的间距为第二高度，所述第二高度与第一厚度系数的乘积为第一数值，所述第一高度与所述第一数值的差值不小于封装安全余量；
进一步优选地，所述第一厚度系数大于等于M并小于1，M等于0.5±0.2，进一步优选地，M为所述隔断关联高度与所述第二高度的比值，进一步优选地，所述第一厚度系数等于M；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述第一电极从所述保护层露出部分的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离，小于：所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积，小于或等于所述第一电极从所述保护层露出部分的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离；
优选地，所述第一端部包括面向所述基板一侧的连接部，所述连接部和所述第一电极同层且同材料；
优选地，所述保护单元与所述隔离结构的所述第一端部具有间隔，所述基板包括面向所述隔离结构的一侧的第一平坦层和第二平坦层，所述第二平坦层位于所述第一平坦层和所述隔离结构之间，且位于所述第一平坦层和所述第一电极之间，所述第一平坦层为有机层，所述第二平坦层为无机层。
22.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，所述光学功能单元位于所述第二电极与所述第一封装层之间，所述第二高度包括所述光学功能单元的与所述发光器件的中间位置对应的部分的厚度；
优选地，所述光学功能单元设置为至少一种，所述光学功能单元为颜色转换单元、光取出单元、光调控单元、填充单元和滤光单元中的一种；或者，所述光学功能单元设置为至少两种，至少两种所述光学功能单元为所述颜色转换单元、所述光取出单元、所述光调控单元、所述填充单元和所述滤光单元中的不同种；
进一步优选地，所述光学功能单元设置为包括所述颜色转换单元、所述光取出单元、所述光调控单元、所述填充单元和所述滤光单元，其中，所述颜色转换单元与所述填充单元对应于不同的所述发光器件且并列排布，所述滤光单元位于对应的所述颜色转换单元或所述填充单元的远离所述基板的一侧，所述光调控单元位于对应的所述光取出单元的远离所述基板的一侧，所述颜色转换单元位于对应的所述光取出单元的靠近所述基板的一侧或者位于对应的所述光调控单元的远离所述基板的一侧；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述光学功能单元的边缘至所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角，大于或者等于所述发光功能层的边缘至所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述光学功能单元的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述光学功能单元下表面的中间部分在垂直于所述基板所在面方向上与所述第二端部的边缘的距离的乘积，小于或者等于所述第一电极的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离；
优选地，所述显示面板还包括像素界定层，所述像素界定层位于所述第一电极上并位于所述隔断部的面向所述基板的一侧且界定有第二开口，所述第一电极从所述第二开口露出，且所述第一端部的边缘位于所述像素界定层上表面内，所述光学功能单元下表面的中间部分在垂直于所述基板所在面方向上与所述第二端部的边缘的距离等于：所述第一高度与所述像素界定层的厚度之和，与所述光学功能单元的下表面的中间部分和所述第一电极的中间部分在垂直于所述基板所在面方向上的距离之差。
23.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述光学功能单元位于所述第一封装层的远离所述基板的一侧；
优选地，所述显示面板还包括位于所述第一封装层远离所述基板一侧的第二封装层，所述第二封装层为有机封装层且包括复用为颜色转换单元的复用单元；或者，
优选地，所述显示面板还包括位于所述第一封装层远离所述基板一侧的第二封装层，所述第二封装层为有机封装层，所述颜色转换单元位于所述第一封装层和所述第二封装层之间。
24.根据权利要求22或23中所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件的所述发光功能层都设置为出射第一颜色光线；所述光学功能单元包括所述颜色转换单元，所述颜色转换单元包括第一颜色转换单元和/或第二颜色转换单元，所述第一颜色转换单元配置为将所述第一颜色光线转换为第二颜色光线，所述第二颜色转换单元配置为将所述第一颜色光线转换为第三颜色光线，所述第一颜色光线、所述第二颜色光线和所述第三颜色光线的波长依次增加；
优选地，所述第一颜色光线、所述第二颜色光线和所述第三颜色光线分别出射蓝光、绿光和红光，所述第一颜色转换单元的材料包括G-量子点材料，所述第二颜色转换单元的材料包括R-量子点材料；
优选地，所述述发光功能层为叠层结构；
优选地，所述发光功能层的发光类型为荧光或者磷光；
优选地，所述颜色转换单元位于所述第二电极远离所述基板的一侧；
优选地，所述颜色转换单元的边缘与所述隔离结构之间有间隔。
25.根据权利要求22或23所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件的所述发光功能层包括至少两个发光层，至少一个所述发光层设置为出射第一颜色光线，且至少一个所述发光层设置为出射第二颜色光线，所述颜色转换单元包括第一颜色转换单元和/或第二颜色转换单元，所述第一颜色转换单元配置为将所述第一颜色光线转换为第二颜色光线，所述第二颜色转换单元配置为将所述第一颜色光线转换为第三颜色光线，其中，所述第一颜色光线、所述第二颜色光线和所述第三颜色光线的波长依次增加，或者，所述第一颜色光线、所述第三颜色光线和所述第二颜色光线的波长依次增加；
优选地，所述第一颜色光线、所述第二颜色光线和所述第三颜色光线分别为蓝光、绿光和红光，所述第一颜色转换单元的材料包括G-量子点材料，所述第二颜色转换单元的材料包括R-量子点材料；或者
优选地，所述第一颜色光线、所述第二颜色光线和所述第三颜色光线分别出射蓝光、红光和绿光，所述第一颜色转换单元的材料包括R-量子点材料，所述第二颜色转换单元的材料包括G-量子点材料；
优选地，所述发光功能层的发光类型为荧光或者磷光。
26.根据权利要求24或23所述的显示面板，其特征在于，所述量子点材料包括钙钛矿量子点和/或Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点；
优选地，所述钙钛矿量子点包括CsPbX3和CH3NH3PbX3中的至少一个，其中，X为卤素原子，进一步优选地，所述卤素原子包括F、Cl、Br和I中的至少一种；
优选地，所述Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点包括CdSe/ZnS、ZnCdSe/ZnSe/ZnS、CdZnSe/CdZnS/ZnS、CdSe/CdZnSe/ZnS、CdZnSe/ZnS、InP@ZnSeS、ZnSe/ZnS、InP/ZnSe/ZnS、ZnSeTe/ZnSe/ZnSeS/ZnS、ZnSeTe/ZnSe/ZnS和ZnSe/ZnS中的至少一种
优选地，所述颜色转换单元的膜层厚度为500-10000纳米，进一步优选地，所述颜色转换单元的膜层厚度为600-3000纳米，再进一步优选地，所述颜色转换单元的膜层厚度为800-1200纳米。
27.根据权利要求22至26中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述光学功能单元设置为至少包括所述填充单元和所述颜色转换单元，其中，所述颜色转换单元内包括设置于出射红色光线的所述发光器件的所述发光功能层远离所述基板一侧的红颜色转换单元、设置于出射绿色光线的所述发光器件的所述发光功能层远离所述基板一侧的绿颜色转换单元，所述填充单元设置于出射蓝色光线的所述发光器件的所述发光功能层远离所述基板的一侧。
28.根据权利要求22至27中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述光学功能单元设置为至少包括所述光取出单元，位于对应的所述发光器件与对应的所述颜色转换单元之间或者位于所述颜色转换单元远离所述基板的一侧；
优选地，所述光取出单元包括第一取出子层；或者，所述光取出单元包括第一取出子层、位于所述第一取出子层朝向所述基板一侧的第二取出子层和位于所述第一取出子层背向所述基板的第三取出子层，所述第二取出子层和所述第三取出子层的折射率均小于所述第一取出子层的折射率；
优选地，所述第一取出子层的折射率为2.0-2.3，进一步优选地，所述第一取出子层的折射率为2.1-2.2；
优选地，所述第一取出子层的厚度为45-75纳米，进一步优选地，所述第一取出子层的厚度为55-65纳米；
优选地，所述第二取出子层和/或所述第三取出子层的折射率为1.4-1.8，进一步优选地，所述第二取出子层和/或所述第三取出子层的折射率为1.5-1.6；
优选地，所述第二取出子层和/或所述第三取出子层的厚度为7-30纳米，进一步优选地，所述第二取出子层和/或所述第三取出子层的厚度为10-20纳米。
29.根据权利要求22至28中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述光学功能单元设置为至少包括光调控单元，位于对应的所述光取出单元远离所述基板的一侧；
优选地，所述光调控单元位于对应的所述光取出单元与对应的所述颜色转换单元之间；
优选地，所述光调控单元的材料包括LiF材料；
优选地，所述光调控单元的厚度为65-100纳米，进一步优选地，所述光调控单元的厚度为75-85纳米。
30.根据权利要求14至29中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述隔断部包括在所述基板上叠置的支撑部和阻挡部，所述支撑部构成所述第一端部，所述阻挡部构成所述第二端部；
优选地，所述第一封装层和所述阻挡部的表面接触，所述第一封装层和所述阻挡部的材料相同。
31.根据权利要求30所述的显示面板，其特征在于，所述支撑部中设置有网格状的分割孔，所述分割孔将所述支撑部分割为多个子支撑部，所述阻挡部覆盖并填充所述分割孔，所述支撑部为导电结构，所述阻挡部为绝缘结构，所述第二电极与对应的所述子支撑部连接。
32.根据权利要求14至29中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述隔断部包括在所述基板上叠置的支撑部和阻挡部，在所述发光器件的正截面上，所述阻挡部具有倾斜的侧壁，所述第二电极的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角，和所述阻挡部的侧壁与所述基板所在面相交的锐角的差值不小于预设角度。
33.根据权利要求14至29中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述隔断部的所述第一端部和所述第二端部为一体结构，且在与所述基板所在面垂直的方向，所述隔断部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓为倒梯形，所述倒梯形的底的边缘为所述第二端部的边缘，所述倒梯形的顶的边缘为所述第一端部的边缘。
34.根据权利要求22至33中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述光学功能单元设置为至少包括所述滤光单元和所述颜色转换单元，所述滤光单元位于对应的所述颜色转换单元远离基板的一侧，相邻的所述滤光单元之间设置有遮挡部；
优选地，所述滤光单元位于对应的所述颜色转换单元与所述第一封装层之间，部分所述隔离结构复用为所述遮挡部。
35.根据权利要求14至34中任意一项所述的显示面板，其特征在于，相邻的所述发光器件的所述第一电极与对应所述发光功能层相接触部分的边缘之间的间距为像素间距，所述像素间距为2000-18000纳米，所述显示面板的像素密度为90PPI至7400PPI。
36.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
隔离结构，位于所述基板上且包括隔断部，其中，所述隔断部包括第一端部和第二端部，所述第二端部位于所述第一端部的远离所述基板的一侧，所述第一端部在所述基板上的正投影位于所述第二端部在所述基板上的正投影之内，所述隔离结构限定出多个第一开口；
显示功能层，位于所述基板上且包括多个位于对应的所述第一开口内的发光器件，所述发光器件包括在所述基板上叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，所述第一开口限位对应的所述发光器件；以及
第一封装层，位于所述显示功能层的远离所述基板的一侧；沿与所述基板所在面垂直的方向，所述第二端部的边缘至所述第一端部的边缘的距离为第一高度；在所述发光器件的正截面内，所述第一封装层的面向所述基板的表面的位于经过所述第二端部的边缘并垂直于所述基板所在面的直线上的位置，与所述第一端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离为隔断关联高度，所述第一高度与所述隔断关联高度的差值不小于封装安全余量。
37.根据权利要求36所述的显示面板，其特征在于，在所述发光器件的中间位置，所述第一封装层和所述第一电极之间的间距为第二高度，所述第二高度与第一厚度系数的乘积为第一数值，所述第一高度与所述第一数值的差值不小于封装安全余量；所述第一厚度系数大于等于M并小于1，M等于0.5±0.2，进一步优选地，M为所述隔断关联高度与所述第二高度的比值，进一步优选地，所述第一厚度系数等于M。
38.根据权利要求36所述的显示面板，其特征在于，
在所述发光器件的中间位置，所述第一封装层具有第二厚度；
其中，所述第一封装层覆盖所述发光器件以及部分所述第二端部的侧面，所述封装安全余量等于所述第二厚度与第二厚度系数的乘积；
优选地，所述第二厚度系数为0.2-2，进一步优选地，所述第二厚度系数为0.25-1.2，再进一步优选地，所述第二厚度系数为0.3-0.8。
39.根据权利要求36至38中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述第二端部的边缘在所述基板所在面上的正投影和所述第一端部的边缘在所述基板所在面上的正投影的间距为第一宽度，以及
在所述发光器件的正截面内，经由所述第二电极的边缘与所述第二端部边缘的直线，与所述基板所在面相交构成的锐角为第一倾角，所述第一宽度小于所述第一高度与所述第一倾角的余切值的乘积；
优选地，在所述发光器件的正截面内，所述发光功能层的边缘与所述第二端部边缘的直线，与所述基板所在面相交构成的锐角为发光功能层倾角，所述发光功能层倾角大于所述第一倾角；
优选地，所述第一宽度大于所述第一高度与所述发光功能层倾角的余切值的乘积；
优选地，所述发光功能层包括第一功能层，在所述发光器件的正截面内，经由所述第一功能层的边缘与所述第二端部边缘的直线，与所述基板所在面相交构成的锐角为第二倾角，所述第二倾角大于所述发光功能层倾角；
优选地，所述发光功能层还包括发光层和第二功能层，所述发光层和所述第二功能层覆盖所述第一功能层的边缘。
40.根据权利要求36至39中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影，位于所述第一电极的边缘在所述基板上的正投影和所述第一端部的边缘在所述基板上的正投影之间；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述第一电极的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离，小于：所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积，小于或者等于：所述第一电极的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离。
41.根据权利要求36至40中任意一项所述的显示面板，其特征在于，还包括像素界定层，所述像素界定层位于所述第一电极上并位于所述隔断部的面向所述基板的一侧且界定有第二开口，所述第一电极从所述第二开口露出，且所述第一端部的边缘位于所述像素界定层上表面内；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述第一电极从所述第二开口露出部分的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离，小于：所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积；
优选地，在所述发光器件的正截面上，所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积，小于或等于所述第一电极从所述第二开口露出部分的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离；
优选地，所述像素界定层为无机层，所述像素界定层的覆盖相邻的所述第一电极的间隙的部分具有与所述间隙共形的凹槽，所述第一端部的朝向所述基板的表面覆盖所述凹槽；
优选地，所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离等于：所述第一高度与所述像素界定层的厚度之和。
42.根据权利要求36至41中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述隔断部包括在所述基板上叠置的支撑部和阻挡部，所述支撑部构成所述第一端部，所述阻挡部构成所述第二端部；
优选地，所述第一封装层和所述阻挡部的表面接触，所述第一封装层和所述阻挡部的材料相同。
43.根据权利要求42所述的显示面板，其特征在于，所述支撑部中设置有网格状的分割孔，所述分割孔将所述支撑部分割为多个子支撑部，所述阻挡部覆盖并填充所述分割孔，所述支撑部为导电结构，所述阻挡部为绝缘结构，所述第二电极与对应的所述子支撑部连接。
44.根据权利要求36至41中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述隔断部包括在所述基板上叠置的支撑部和阻挡部，在所述发光器件的正截面上，所述阻挡部具有倾斜的侧壁，所述第二电极的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角，和所述阻挡部的侧壁与所述基板所在面相交的锐角的差值不小于预设角度。
45.根据权利要求36至41中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述隔断部的所述第一端部和所述第二端部为一体结构，且在与所述基板所在面垂直的方向，所述隔断部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓为倒梯形，所述倒梯形的底的边缘为所述第二端部的边缘，所述倒梯形的顶的边缘为所述第一端部的边缘。
46.根据权利要求36至45中任意一项所述的显示面板，其特征在于，相邻的所述发光器件的所述第一电极与对应所述发光功能层相接触部分的边缘之间的间距为像素间距，所述像素间距为2000-18000纳米，所述显示面板的像素密度为90PPI至7400PPI。
47.一种显示面板，其特征在于，包括基板以及位于所述基板上的隔离结构和显示功能层，其中，所述隔离结构包括隔断部，所述隔离结构限定出多个第一开口，所述显示功能层包括多个位于对应的所述第一开口内的发光器件，所述发光器件包括在所述基板上叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，相邻的所述发光器件的所述第一电极与对应所述发光功能层相接触部分的边缘之间的间距为像素间距，所述像素间距为2000-18000纳米。
48.根据权利要求47所述的显示面板，其特征在于，
沿所述发光器件中部到对应边缘的方向，所述发光器件的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小；
在所述发光器件的正截面上，所述隔断部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓为倒梯形，其中，所述倒梯形的顶的宽度为1258-16000纳米；或者
所述隔断部包括在所述基板上叠置的支撑部和阻挡部，所述支撑部构成所述第一端部，所述阻挡部构成所述第二端部，在所述发光器件的正截面上，所述支撑部和所述阻挡部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓均为正梯形，所述第二端部的边缘为所述阻挡部的面向所述基板的表面的边缘，所述第一端部的边缘为所述支撑部的面向所述基板的表面的边缘，其中，所述支撑部对应的正梯形的底的宽度为1258-17000纳米，且所述支撑部对应的正梯形的顶的宽度为880-15000纳米。
49.根据权利要求47或48所述的显示面板，其特征在于，包括多个像素，且每个所述像素包括出射不同波长光线的多个子像素，所述多个像素的多个所述子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素分别包括不同的所述发光器件；
优选地，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的数量比为1:1:1；
优选地，每个所述像素中按所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素并列的第一种像素排布方式排布；或者，每个所述像素中按所述第二子像素和所述第三子像素排成一列/行并与所述第一子像素并列的第二种像素排布方式排布。
50.根据权利要求49所述的显示面板，其特征在于，所述隔离结构的隔断部与所述基板直接接触，所述第二端部的边缘在所述基板所在面上的正投影和所述第一端部的边缘在所述基板所在面上的正投影的间距为第一宽度，所述第一电极与同一所述发光器件中的所述发光功能层相接触的部分的边缘与所述第二端部的边缘在所述基板所在面上的正投影之间的距离为第一间距，所述第一间距的边缘为所述第一电极与同一所述发光器件中的所述发光功能层相接触的部分的边缘，以及
所述像素间距为2000-2200纳米，所述第一间距为0-1017纳米，所述第一宽度为148-417纳米；或者
所述像素间距为2200-2500纳米，所述第一间距为0-1050纳米，所述第一宽度为166-450纳米；或者
所述像素间距为2500-3200纳米，所述第一间距为0-1090纳米，所述第一宽度为185-490纳米；或者
所述像素间距为3200-4000纳米，所述第一间距为0-1130纳米，所述第一宽度为203-530纳米；或者
所述像素间距为4000-6000纳米，所述第一间距为0-1170纳米，所述第一宽度为221-570纳米；或者
所述像素间距为6000-9000纳米，所述第一间距为0-1210纳米，所述第一宽度为240-610纳米；或者
所述像素间距为9000-13000纳米，所述第一间距为0-1300纳米，所述第一宽度为259-700纳米；或者
所述像素间距为13000-18000纳米，所述第一间距为0-1410纳米，所述第一宽度为277-810纳米。
51.根据权利要求50所述的显示面板，其特征在于，在所述发光器件的正截面上，所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积，小于或者等于所述第一电极的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离，以及
所述像素间距为2000-2200纳米，所述第一间距为148-567纳米；或者
所述像素间距为2200-2500纳米，所述第一间距为166-650纳米；或者
所述像素间距为2500-3200纳米，所述第一间距为185-740纳米；或者
所述像素间距为3200-4000纳米，所述第一间距为203-830纳米；或者
所述像素间距为4000-6000纳米，所述第一间距为221-920纳米；或者
所述像素间距为6000-9000纳米，所述第一间距为240-1010纳米；或者
所述像素间距为9000-13000纳米，所述第一间距为259-1150纳米；或者
所述像素间距为13000-18000纳米，所述第一间距为277-1310纳米。
52.根据权利要求51所述的显示面板，其特征在于，在沿与所述基板所在面垂直的方向，所述第二端部的边缘至所述第一端部的边缘的距离为第一高度，所述第一高度为400-2200纳米；
优选地，
所述像素间距为2000-2200纳米，所述第一高度为400-800纳米；或者
所述像素间距为2200-2500纳米，所述第一高度为450-850纳米；或者
所述像素间距为2500-3200纳米，所述第一高度为500-900纳米；或者
所述像素间距为3200-4000纳米，所述第一高度为550-950纳米；或者
所述像素间距为4000-6000纳米，所述第一高度为600-1000纳米；或者
所述像素间距为6000-9000纳米，所述第一高度为650-1100纳米；或者
所述像素间距为9000-13000纳米，所述第一高度为700-1200纳米；或者
所述像素间距为13000-18000纳米，所述第一高度为750-2200纳米。
53.根据权利要求50所述的显示面板，其特征在于，在所述发光器件的正截面上，所述第一电极的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离，小于：所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积，以及
所述像素间距为2000-2200纳米，所述第一间距为0-415纳米，所述第一宽度为148-417纳米；或者
所述像素间距为2200-2500纳米，所述第一间距为0-446纳米，所述第一宽度为166-450纳米；或者
所述像素间距为2500-3200纳米，所述第一间距为0-484纳米，所述第一宽度为185-490纳米；或者
所述像素间距为3200-4000纳米，所述第一间距为0-522纳米，所述第一宽度为203-530纳米；或者
所述像素间距为4000-6000纳米，所述第一间距为0-560纳米，所述第一宽度为221-570纳米；或者
所述像素间距为6000-9000纳米，所述第一间距为0-598纳米，所述第一宽度为240-610纳米；或者
所述像素间距为9000-13000纳米，所述第一间距为0-685纳米，所述第一宽度为259-700纳米；或者
所述像素间距为13000-18000纳米，所述第一间距为0-790纳米，所述第一宽度为277-810纳米。
54.根据权利要求50至53中任意一项所述的显示面板，其特征在于，还包括至少一个光学功能层，其中，所述光学功能层位于所述发光功能层的远离所述基板的一侧，且包括多个位于所述第一开口内的光学功能单元，所述光学功能单元的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小，以及
对于每相邻的两个所述第一电极，所述第一电极与同一所述发光器件中的所述发光功能层相接触的部分的边缘之间的像素间距为2074-18000纳米。
55.根据权利要求49所述的显示面板，其特征在于，还包括像素界定层，所述像素界定层位于所述第一电极上并位于所述隔断部的面向所述基板的一侧且界定有第二开口，所述像素界定层覆盖所述第一电极的边缘，所述第二开口暴露所述第一电极，所述第二开口的边缘与所述第一电极与同一所述发光器件中的所述发光功能层相接触的部分的边缘重合，所述第二端部的边缘在所述基板所在面上的正投影和所述第一端部的边缘在所述基板所在面上的正投影的间距为第一宽度，所述第一电极与同一所述发光器件中的所述发光功能层相接触的部分的边缘与所述第二端部的边缘在所述基板所在面上的正投影之间的距离为第一间距，以及
所述像素间距为2200-2500纳米，所述第一间距为0-1050纳米，所述第一宽度为148-450纳米；或者
所述像素间距为2500-3200纳米，所述第一间距为0-1090纳米，所述第一宽度为185-490纳米；或者
所述像素间距为3200-4000纳米，所述第一间距为0-1130纳米，所述第一宽度为203-530纳米；或者
所述像素间距为4000-6000纳米，所述第一间距为0-1170纳米，所述第一宽度为221-570纳米；或者
所述像素间距为6000-9000纳米，所述第一间距为0-1210纳米，所述第一宽度为240-610纳米；或者
所述像素间距为9000-13000纳米，所述第一间距为0-1300纳米，所述第一宽度为259-700纳米；或者
所述像素间距为13000-18000纳米，所述第一间距为0-1410纳米，所述第一宽度为277-810纳米。
56.根据权利要求55所述的显示面板，其特征在于，在所述发光器件的正截面上，所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积，小于或等于所述第一电极从所述第二开口露出部分的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离，以及
所述像素间距为2200-2500纳米，所述第一间距为148-650纳米，所述第一宽度为148-450纳米；或者
所述像素间距为2500-3200纳米，所述第一间距为185-740纳米，所述第一宽度为185-490纳米；或者
所述像素间距为3200-4000纳米，所述第一间距为203-830纳米，所述第一宽度为203-530纳米；或者
所述像素间距为4000-6000纳米，所述第一间距为221-920纳米，所述第一宽度为221-570纳米；或者
所述像素间距为6000-9000纳米，所述第一间距为240-1010纳米，所述第一宽度为240-610纳米；或者
所述像素间距为9000-13000纳米，所述第一间距为259-1150纳米，所述第一宽度为259-700纳米；或者
所述像素间距为13000-18000纳米，所述第一间距为277-1310纳米，所述第一宽度为277-810纳米。
57.根据权利要求56所述的显示面板，其特征在于，在沿与所述基板所在面垂直的方向，所述第二端部的边缘至所述第一端部的边缘的距离为第一高度，所述第一高度为400-2200纳米；
优选地，所述像素间距为2200-2500纳米，所述第一高度为400-850纳米；或者
所述像素间距为2500-3200纳米，所述第一高度为500-900纳米；或者
所述像素间距为3200-4000纳米，所述第一高度为550-950纳米；或者
所述像素间距为4000-6000纳米，所述第一高度为600-1000纳米；或者
所述像素间距为6000-9000纳米，所述第一高度为650-1100纳米；或者
所述像素间距为9000-13000纳米，所述第一高度为700-1200纳米；或者
所述像素间距为13000-18000纳米，所述第一高度为750-2200纳米。
58.根据权利要求55所述的显示面板，其特征在于，在所述发光器件的正截面上，所述第一电极从所述第二开口露出部分的边缘在所述基板上的正投影与所述第二端部的边缘在所述基板上的正投影之间的距离，小于：所述发光功能层的边缘与所述第二端部的边缘的连线与所述基板所在面相交的锐角的余切值，与所述发光功能层下表面的中间部分与所述第二端部的边缘在垂直于所述基板所在面方向上的距离的乘积，以及
所述像素间距为2200-2500纳米，所述第一间距为0-446纳米，所述第一宽度为148-450纳米；或者
所述像素间距为2500-3200纳米，所述第一间距为0-484纳米，所述第一宽度为185-490纳米；或者
所述像素间距为3200-4000纳米，所述第一间距为0-522纳米，所述第一宽度为203-530纳米；或者
所述像素间距为4000-6000纳米，所述第一间距为0-560纳米，所述第一宽度为221-570纳米；或者
所述像素间距为6000-9000纳米，所述第一间距为0-598纳米，所述第一宽度为240-610纳米；或者
所述像素间距为9000-13000纳米，所述第一间距为0-685纳米，所述第一宽度为259-700纳米；或者
所述像素间距为13000-18000纳米，所述第一间距为0-790纳米，所述第一宽度为277-810纳米。
59.根据权利要求55至58中任意一项所述的显示面板，其特征在于，还包括至少一个光学功能层，其中，所述光学功能层位于所述发光功能层的远离所述基板的一侧，且包括多个位于所述第一开口内的光学功能单元，所述光学功能单元的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小，以及
对于每相邻的两个所述第一电极，所述第一电极与同一所述发光器件中的所述发光功能层相接触的部分的边缘之间的像素间距为2274-18000纳米。
60.一种显示面板，其特征在于，包括基板以及位于所述基板上的隔离结构和显示功能层，其中，所述隔离结构包括隔断部，所述隔离结构限定出多个第一开口，所述显示功能层包括多个位于对应的所述第一开口内的发光器件，所述发光器件包括在所述基板上叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，以及
所述显示面板的像素密度为90PPI至7400PPI。
61.根据权利要求60所述的显示面板，其特征在于，沿所述发光器件中部到对应边缘的方向，所述发光器件的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小。
62.根据权利要求60或61所述的显示面板，其特征在于，相邻的所述发光器件的所述第一电极与对应所述发光功能层相接触部分的边缘之间的像素间距为2000-18000纳米。
63.根据权利要求60所述的显示面板，其特征在于，
在所述发光器件的正截面上，所述隔断部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓为倒梯形，所述倒梯形的底的边缘为所述第二端部的边缘，所述倒梯形的顶的边缘为所述第一端部的边缘；或者
所述隔断部包括在所述基板上叠置的支撑部和阻挡部，所述支撑部构成所述第一端部，所述阻挡部构成所述第二端部，在所述发光器件的正截面上，所述支撑部和所述阻挡部位于相邻两个子像素之间的部分的截面轮廓均为正梯形，所述第二端部的边缘为所述阻挡部的面向所述基板的表面的边缘，所述第一端部的边缘为所述支撑部的面向所述基板的表面的边缘。
64.根据权利要求60至63中任意一项所述的显示面板，其特征在于，包括多个像素，且每个所述像素包括出射不同波长光线的多个子像素，所述多个像素的多个所述子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素分别包括不同的所述发光器件；
优选地，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的数量比为1:1:1；
优选地，每个所述像素中按所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素并列的第一种像素排布方式排布；或者，每个所述像素中按所述第二子像素和所述第三子像素排成一列/行并与所述第一子像素并列的第二种像素排布方式排布。
65.根据权利要求64所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板的像素密度为90-5200PPI；
优选地，
所述像素间距为2000-2200纳米，所述显示面板的像素密度为117-5200PPI；或者
所述像素间距为2200-2500纳米，所述显示面板的像素密度为117-4792PPI；或者
所述像素间距为2500-3200纳米，所述显示面板的像素密度为115-4305PPI；或者
所述像素间距为3200-4000纳米，所述显示面板的像素密度为115-3479PPI；或者
所述像素间距为4000-6000纳米，所述显示面板的像素密度111-2854PPI；或者
所述像素间距为6000-9000纳米，所述显示面板的像素密度为107-1969PPI；或者
所述像素间距为9000-13000纳米，所述显示面板的像素密度102-1344PPI；或者
所述像素间距为13000-18000纳米，所述显示面板的像素密度为90-944PPI。
66.根据权利要求65所述的显示面板，其特征在于，所述像素中的所述子像素为第一种像素排布方式，且所述显示面板的像素密度为170-3456PPI；
优选地，
所述像素间距为2000-2200纳米，所述显示面板的像素密度为2545-3456PPI；或者
所述像素间距为2200-2500纳米，所述显示面板的像素密度为2171-3143PPI；或者
所述像素间距为2500-3200纳米，所述显示面板的像素密度为1577-2765PPI；或者
所述像素间距为3200-4000纳米，所述显示面板的像素密度为1063-2160PPI；或者
所述像素间距为4000-6000纳米，所述显示面板的像素密度为529-1728PPI；或者
所述像素间距为6000-9000纳米，所述显示面板的像素密度为353-1152PPI；或者
所述像素间距为9000-13000纳米，所述显示面板的像素密度244-768PPI；或者
所述像素间距为13000-18000纳米，所述显示面板的像素密度为170-531PPI。
67.根据权利要求65所述的显示面板，其特征在于，所述像素中的所述子像素为第二种像素排布方式，且所述显示面板的像素密度为260-5200PPI；
优选地，
所述像素间距为2000-2200纳米，所述显示面板的像素密度为3818-5200PPI；或者
所述像素间距为2200-2500纳米，所述显示面板的像素密度为3256-4714PPI；或者
所述像素间距为2500-3200纳米，所述显示面板的像素密度为2366-4147PPI；或者
所述像素间距为3200-4000纳米，所述显示面板的像素密度为1594-3240PPI；或者
所述像素间距为4000-6000纳米，所述显示面板的像素密度为794-2592PPI；或者
所述像素间距为6000-9000纳米，所述显示面板的像素密度为529-1728PPI；或者
所述像素间距为9000-13000纳米，所述显示面板的像素密度为366-1152PPI；或者
所述像素间距为13000-18000纳米，所述显示面板的像素密度为260-797PPI。
68.根据权利要求60至67中任一项所述的显示面板，其特征在于，其特征在于，还包括至少一个光学功能层，其中，所述光学功能层位于所述发光功能层的远离所述基板的一侧，且包括多个位于所述第一开口内的光学功能单元，所述光学功能单元的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小，以及
对于每相邻的两个所述第一电极，所述第一电极与同一所述发光器件中的所述发光功能层相接触的部分的边缘之间的像素间距为2074-18000纳米，所述显示面板的像素密度为90-5000PPI。
69.根据权利要求65所述的显示面板，其特征在于，还包括像素界定层，所述像素界定层位于所述第一电极上并位于所述隔断部的面向所述基板的一侧且界定有第二开口，所述像素界定层覆盖所述第一电极的边缘，所述第二开口暴露所述第一电极，所述第二开口的边缘与所述第一电极与同一所述发光器件中的所述发光功能层相接触的部分的边缘重合，所述第二端部的边缘在所述基板所在面上的正投影和所述第一端部的边缘在所述基板所在面上的正投影的间距为第一宽度，所述第一电极与同一所述发光器件中的所述发光功能层相接触的部分的边缘与所述第二端部的边缘在所述基板所在面上的正投影之间的距离为第一间距，所述像素中的所述子像素为第一种像素排布方式，且所述显示面板的像素密度为170-3143PPI；
优选地，
所述像素间距为2200-2500纳米，所述显示面板的像素密度为2171-3143PPI；或者
所述像素间距为2500-3200纳米，所述显示面板的像素密度为1577-2765PPI；或者
所述像素间距为3200-4000纳米，所述显示面板的像素密度为1063-2160PPI；或者
所述像素间距为4000-6000纳米，所述显示面板的像素密度为529-1728PPI；或者
所述像素间距为6000-9000纳米，所述显示面板的像素密度为353-1152PPI；或者
所述像素间距为9000-13000纳米，所述显示面板的像素密度为244-768PPI；或者
所述像素间距为13000-18000纳米，所述显示面板的像素密度为170-531PPI。
70.根据权利要求65所述的显示面板，其特征在于，还包括像素界定层，所述像素界定层位于所述第一电极上并位于所述隔断部的面向所述基板的一侧且界定有第二开口，所述像素界定层覆盖所述第一电极的边缘，所述第二开口暴露所述第一电极，所述第二开口的边缘与所述第一电极与同一所述发光器件中的所述发光功能层相接触的部分的边缘重合，所述第二端部的边缘在所述基板所在面上的正投影和所述第一端部的边缘在所述基板所在面上的正投影的间距为第一宽度，所述第一电极与同一所述发光器件中的所述发光功能层相接触的部分的边缘与所述第二端部的边缘在所述基板所在面上的正投影之间的距离为第一间距，所述像素中的所述子像素为第二种像素排布方式，且所述显示面板的像素密度为260-4714PPI；
优选地，
所述像素间距为2200-2500纳米，所述显示面板的像素密度为3256-4714PPI；或者
所述像素间距为2500-3200纳米，所述显示面板的像素密度为2366-4147PPI；或者
所述像素间距为3200-4000纳米，所述显示面板的像素密度为1594-3240PPI；或者
所述像素间距为4000-6000纳米，所述显示面板的像素密度为794-2592PPI；或者
所述像素间距为6000-9000纳米，所述显示面板的像素密度为529-1728PPI；或者
所述像素间距为9000-13000纳米，所述显示面板的像素密度为366-1152PPI；或者
所述像素间距为13000-18000纳米，所述显示面板的像素密度为260-797PPI。
71.根据权利要求64-70中任意一项所述的显示面板，其特征在于，
所述像素间距为2000-2200纳米，所述第一子像素的宽度、所述第二子像素的宽度和所述第三子像素的宽度中的平均值为450-1326纳米；或者
所述像素间距为2200-2500纳米，所述第一子像素的宽度、所述第二子像素的宽度和所述第三子像素的宽度中的平均值为494-1700纳米；或者
所述像素间距为2500-3200纳米，所述第一子像素的宽度、所述第二子像素的宽度和所述第三子像素的宽度中的平均值为563-2868纳米；或者
所述像素间距为3200-4000纳米，所述第一子像素的宽度、所述第二子像素的宽度和所述第三子像素的宽度中的平均值为720-4767纳米；或者
所述像素间距为4000-6000纳米，所述第一子像素的宽度、所述第二子像素的宽度和所述第三子像素的宽度中的平均值为900-11995纳米；或者
所述像素间距为6000-9000纳米，所述第一子像素的宽度、所述第二子像素的宽度和所述第三子像素的宽度中的平均值为1350-18008纳米；或者
所述像素间距为9000-13000纳米，所述第一子像素的宽度、所述第二子像素的宽度和所述第三子像素的宽度中的平均值为2025-25699纳米；或者
所述像素间距为13000-18000纳米，所述第一子像素的宽度、所述第二子像素的宽度和所述第三子像素的宽度中的平均值为4050-35846纳米。
72.根据权利要求64-70中任意一项所述的显示面板，其特征在于，开口率为6-60％。
73.根据权利要求60至72中任意一项所述的显示面板，其特征在于，还包括至少一个光学功能层，其中，所述光学功能层位于所述发光功能层的远离所述基板的一侧，且包括多个位于所述第一开口内的光学功能单元，所述光学功能单元的至少部分膜层的边缘部分厚度逐渐减小，以及
对于每相邻的两个所述第一电极，所述第一电极与同一所述发光器件中的所述发光功能层相接触的部分的边缘之间的像素间距为2274-18000纳米，所述显示面板的像素密度为90-4560PPI。
74.根据权利要求64所述的显示面板，其特征在于，包括多个像素，其中，每个所述像素包括出射光线的波长依次减小的第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素分别包括不同的所述发光器件且排布为多行和多列，所述第一子像素和所述第三子像素排布在同行和同列中，且与所述第二子像素位于不同行和不同列，在排布有所述第一子像素和所述第三子像素的行和列中，所述第一子像素和所述第三子像素交替排布，排布有所述第一子像素的行和排布有所述第二子像素的行交替排布，排布有所述第一子像素的列和排布有所述第二子像素的列交替排布，每个所述第二子像素由两个所述第一子像素和两个所述第三子像素环绕，环绕同一个所述所述第二子像素的两个所述第一子像素和两个所述第三子像素的形心相连形成的四边形至少有连个对边平行，所述显示面板的像素密度为200-7400PPI；
优选地，
所述像素间距为2000-2200纳米，所述显示面板的像素密度为249-7400PPI；或者
所述像素间距为2200-2500纳米，所述显示面板的像素密度为248-6778PPI；或者
所述像素间距为2500-3200纳米，所述显示面板的像素密度为245-6088PPI；或者
所述像素间距为3200-4000纳米，所述显示面板的像素密度为243-4921PPI；或者
所述像素间距为4000-6000纳米，所述显示面板的像素密度236-4036PPI；或者
所述像素间距为6000-9000纳米，所述显示面板的像素密度为227-2785PPI；或者
所述像素间距为9000-13000纳米，所述显示面板的像素密度216-1901PPI；或者
所述像素间距为13000-16500纳米，所述显示面板的像素密度208-1335PPI；或者
所述像素间距为16500-18000纳米，所述显示面板的像素密度为200-1060PPI。
75.根据权利要求74所述的显示面板，其特征在于，被环绕的所述第二子像素的形心与对应的所述四边形两对角线的交点错开，或者，被环绕的所述第二子像素的形心与所述四边形两对角线的交点重合优选地，
所述像素间距为2000-2200纳米，所述显示面板的像素密度为1600～3000PPI；或者
所述像素间距为2200-2500纳米，所述显示面板的像素密度为1400～2700PPI；或者
所述像素间距为2500-3200纳米，所述显示面板的像素密度为1200～2400PPI；或者
所述像素间距为3200-4000纳米，所述显示面板的像素密度为1000～2100PPI；或者
所述像素间距为4000-6000纳米，所述显示面板的像素密度为800～1800PPI；或者
所述像素间距为6000-9000纳米，所述显示面板的像素密度为600～1500PPI；或者
所述像素间距为9000-13000纳米，所述显示面板的像素密度400～1200PPI；或者
所述像素间距为13000-16500纳米，所述显示面板的像素密度300～900PPI；或者
所述像素间距为16500-18000纳米，所述显示面板的像素密度为200～800PPI。
76.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
显示功能层，包括多个发光器件，每个发光器件包括在所述基板上依次叠置的第一电极、发光功能层和第二电极，所述发光功能层包括有效功能区，且所述发光功能层包括第一功能层；
隔离结构，位于所述基板上且环绕所述发光功能层；
其中，所述隔离结构包括隔断部，所述隔断部包括面向所述基板的第一端部以及背离所述基板的第二端部，所述发光功能层的所述有效功能区在所述基板上的正投影位于所述隔离结构的所述第二端部在所述基板上的正投影之外，所述第一功能层的边缘在所述基板上的正投影，位于所述第一端部在所述基板上的正投影之外，且位于所述第二端部在所述基板上的正投影之内，
在与所述基板垂直的截面上，且在所述隔离结构的同一侧，所述第一功能层的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基板所在面构成的锐角为第二倾角，以及
所述有效功能区的边缘和所述第二端部的边缘所确定的直线，与所述基板所在面构成的锐角的正切值，不大于所述第二倾角的正切值，且所述第一端部的边缘和所述第二端部的边缘在沿与所述基板所在面垂直方向上的高度差，所述第一端部的边缘和所述第二端部的边缘在沿与所述基板所在面平行方向上的间距的比值，不大于所述第二倾角的正切值。
77.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至76中任意一项所述的显示面板。
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