CN118251749A

CN118251749A - 质量分析装置及其控制方法

Info

Publication number: CN118251749A
Application number: CN202280074046.0A
Authority: CN
Inventors: 藤田辽; 松下知义
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 2021-11-16
Filing date: 2022-08-26
Publication date: 2024-06-25
Also published as: WO2023089895A1; JPWO2023089895A1

Abstract

在第一对象离子的检测中从气体供给部(19)向碰撞池(11)供给气体的情况下，控制器(22)在第一对象离子的检测前，对在离子的行进方向上位于比碰撞池(11)更靠下游侧的位置的电极，施加对与第一对象离子对应的第一检测用电压值加上调整值而得的第一调整用电压值的电压，并在第一对象离子的检测中，对在离子的行进方向上位于比碰撞池(11)更靠下游侧的位置的电极施加第一检测用电压值的电压。调整值是表示出与第一对象离子的极性相反极性的值。

Description

质量分析装置及其控制方法

技术领域

本发明涉及一种电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)质量分析装置。

背景技术

ICP质量分析装置利用等离子体使液体试样中所含的检测对象的元素离子化，并对作为其结果而产生的离子利用检测器进行检测(例如，参照日本专利特开平10-241625号公报(专利文献1))。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本专利特开平10-241625号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

在ICP质量分析装置中，引入真空中的离子被取入维持为真空环境的腔室内。所取入的离子利用由引出电极形成的电场而被加速，经由会聚透镜而导入至碰撞池(collisioncell)内。在腔室内，除了作为观测目标的成分(元素)的离子之外，也会导入因各种因素而产生的干扰离子。干扰离子有起因于ICP离子源中用于等离子体生成的氩等气体的离子、起因于液体试样中所含的夹杂物或液体试样中所添加的添加物(硝酸或盐酸等)的离子等。为了将这些干扰离子与目标离子分离，在ICP质量分析装置中设置有碰撞池。

分析时，有时会向碰撞池中导入气体(惰性气体等碰撞气体、或者氢或氨等反应气体)。导入至碰撞池内的各种离子在碰撞池内与气体反复接触。每次接触时，离子所具有的动能都会减少。干扰离子一般为多原子离子，与具有相同质量的作为观测目标的元素离子相比，碰撞剖面积大。因此，干扰离子与观测目标元素离子相比与气体接触的次数多，因此，在碰撞池中，干扰离子的动能比观测目标成分的离子的动能小。

在碰撞池的出口形成有势垒，以仅使动能为规定值以上的离子通过，并将动能小于规定值的离子阻断。由此，干扰离子与观测目标成分的离子分离并被去除。

分析时，也有时不向碰撞池导入气体。在此种情况下，无法期待通过与气体的接触来去除干扰离子。因此，干扰离子到达质量过滤器，成为构成质量过滤器的电极的荷电(charge up)的原因。

即，在ICP质量分析装置中，在分析中不向碰撞池导入气体的情况下，与不导入气体的情况相比，向质量过滤器导入了更多的干扰离子。因此，在不向碰撞池导入气体的情况下，与导入气体的情况相比，构成质量过滤器的电极的荷电增大。因此，在不向碰撞池导入气体的情况与导入气体的情况之间，在分析条件上产生了大的差异。

本发明是鉴于以上实际情况而研究出的发明，其目的在于提供一种用于减小在ICP质量分析装置的分析中不向碰撞池导入气体的情况、与不导入气体的情况之间的分析条件的差异的技术。

[解决问题的技术手段]

依照本公开的某一方面的质量分析装置包括：等离子体离子源，利用等离子体离子对试样进行离子化；质量过滤器，选择性地使经离子化的试样中的具有特定的质荷比的对象离子通过；检测器，检测对象离子；碰撞池，设置于等离子体离子源与质量过滤器之间；气体供给部，向碰撞池供给气体；以及控制器，控制对电极施加的电压的值，在第一对象离子的检测中从气体供给部向碰撞池供给气体的情况下，控制器在第一对象离子的检测前，对在离子的行进方向上位于比碰撞池更靠下游侧的位置的电极，施加对与第一对象离子对应的第一检测用电压值加上调整值而得的第一调整用电压值的电压，并在第一对象离子的检测中，对在离子的行进方向上位于比碰撞池更靠下游侧的位置的电极施加第一检测用电压值的电压，调整值是表示出与第一对象离子的极性相反极性的值。

在依照本公开的某一方面的质量分析装置的控制方法中，质量分析装置包括：等离子体离子源，利用等离子体离子对试样进行离子化；质量过滤器，选择性地使经离子化的试样中的具有特定的质荷比的对象离子通过；检测器，检测对象离子；以及碰撞池，设置于等离子体离子源与质量过滤器之间。质量分析装置的控制方法包括如下步骤：判断在第一对象离子的检测中是否向碰撞池供给气体；在判断为在第一对象离子的检测中向碰撞池供给气体的情况下，在第一对象离子的检测前，对质量分析装置中的在离子的行进方向上位于比碰撞池更靠下游侧的位置的电极，施加对与第一对象离子对应的第一检测用电压值加上调整值而得的第一调整用电压值的电压；以及在第一对象离子的检测中，对电极施加第一检测用电压值的电压，调整值是表示出与第一对象离子的极性相反极性的值。

[发明的效果]

若依照本公开的某一方面，则在ICP质量分析装置的分析中不向碰撞池导入气体的情况、与不导入气体的情况之间的分析条件的差异变小。

附图说明

图1是概略地表示本实施形态的质量分析装置的结构的图。

图2是将质量分析装置100的一部分加以放大表示的图。

图3是表示无气体分析中的各电极的设定值集合的一例的图。

图4表示在使离子检测器17检测作为分析对象的离子的期间所利用的设定值集合的一例。

图5表示在使离子检测器17检测作为分析对象的离子的期间以外的期间用作调整用途的设定值集合的一例。

图6是在质量分析装置100中为了分析试样而实施的处理的流程图。

图7是示意性地表示图6处理中的调整用电压值的电压的施加时机的图。

图8是用于说明省略施加调整用电压值的电压的图。

图9是表示在比较例的质量分析装置的给定试样的分析中氩离子的检测量的变化的图。

图10是表示有气体分析及无气体分析各自中的作为分析对象的离子的检测结果的图。

图11是表示有气体分析及无气体分析各自中的作为分析对象的离子的检测结果的图。

图12是针对图11所示的检测强度来表示检测开始时的最大变化的比例的图。

图13是图6的处理的变形例的流程图。

具体实施方式

以下，参照附图对本公开的实施形态进行详细说明。此外，对图中相同或相当的部分附注相同的符号且不重复进行其说明。

[质量分析装置的结构]

图1是概略地表示本实施形态的质量分析装置的结构的图。图1所示的质量分析装置100为ICP质量分析装置。

质量分析装置100包括电离室1、第一真空室2、第二真空室3及第三真空室4。电离室1为大致大气压且经电接地。第一真空室2构成为从电离室1侧起真空度依次变高。第一真空室2内利用旋转泵进行真空排气。第二真空室3及第三真空室4内利用旋转泵及涡轮分子泵进行真空排气。

在电离室1的内部配设有ICP离子源5。此外，图1所示的ICP离子源5的结构仅为一例，且能够进行各种变形。

ICP离子源5包括等离子体炬51。等离子体炬51包括：试样管，流通有利用雾化气体(nebulize gas)而雾化的液体试样；等离子体气体管，形成于所述试样管的外周；以及冷却气体管，形成于所述等离子体气体管的外周。

在等离子体炬51的试样管的入口端，设置有将液体试样导入至等离子体炬51的自动采样器52。除此之外，虽未图示，但在试样管连接有供给雾化气体的雾化气体供给源，在等离子体气体管连接有供给等离子体气体(例如Ar气体)的等离子体气体供给源，在冷却气体管连接有供给冷却气体的冷却气体供给源。

第一真空室2形成于大致为圆锥形状的采样锥6与同样大致为圆锥形状的截取锥7之间。采样锥6及截取锥7均在其顶部具有离子通过孔。截取锥7例如由Cu或Ni等金属构成。第一真空室2作为如下接口发挥功能：所述接口用于将从ICP离子源5供给的离子向后段输送并且排出溶媒气体等。

在图1所示的三个轴(X、Y、Z)中，X轴表示离子的行进方向。

在第二真空室3内，从截取锥7侧(离子入射侧)起依次配置有引入电极8、用于使离子会聚的离子透镜10、以及碰撞池11。离子透镜10包括前侧电极10A及后侧电极10B。引入电极8及离子透镜10均为形成有用于使离子通过的大致圆形形状的开口的圆盘状的电极。引入电极8的开口在图2中表示为开口81。

在碰撞池11的入口侧配置有入口电极12，在碰撞池11的出口侧配置有出口电极13，所述入口电极12形成有离子通过开口121，所述出口电极13形成有离子通过开口131。在碰撞池11的内部配设有多极(例如八极)型的离子导向件14，所述离子导向件14包含与离子光轴18平行地配置的多根杆电极。出口电极13也作为用于形成能垒的电极发挥功能。

在出口电极13的后段配置有轴弯曲电极15及轴弯曲出口电极19A。轴弯曲电极15及轴弯曲出口电极19A的各者均为形成有用于使离子通过的大致圆形形状的开口的圆盘状的电极。轴弯曲电极15及轴弯曲出口电极19A中的开口的位置以随着靠近第三真空室4而位于Y轴方向上的上方的方式变化。由此，利用轴弯曲电极15及轴弯曲出口电极19A而使离子光轴18弯曲。即，在碰撞池11中存在离子光轴18的场所相对于在第三真空室4内的四极质量过滤器16中存在离子光轴18的场所而言在Y轴方向上不同(位于图1的上方)。

在第三真空室4内配置有四极质量过滤器16以及离子检测器17。四极质量过滤器16包含前杆电极16A以及主杆电极16B。在离子检测器17与主杆电极16B之间配置有入口电极19B。入口电极19B是形成有用于使离子通过的大致圆形形状的开口的圆盘状的电极。

气体供给部19通过气体供给管向碰撞池11的内部供给碰撞气体或反应气体。碰撞气体为He(或其他惰性气体)，反应气体为氢、氨等反应性气体。

电压产生部20产生对质量分析装置100内的各部施加的电压，但在图1中，为了避免附图变得繁杂，仅描绘了一部分电压供给线路。此外，电压产生部20包含产生规定电压的直流电压的多个直流电压产生部、以及产生为规定振幅及规定频率的高频电压的多个高频电压产生部。

电压控制器21在控制器22的控制下，控制从电压产生部20向各部施加的电压的大小以及施加的时机。

控制器22对质量分析装置100内的各部进行统一控制以执行分析。控制器22也具有经由输入部23或显示部24等的用户介面的功能。数据处理部25包含对由离子检测器17获得的检测信号进行数字化的模拟数字(analog-digital，AD)转换器，并执行对收集到的数据进行处理而生成质谱等处理。

在一个实现例中，控制器22、电压控制器21及数据处理部25由包含中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)及外部存储装置等的个人计算机来实现。在一个实现例中，质量分析装置100的控制可通过CPU执行预先安装的规定程序来实现。

[质量分析装置的分析动作的一例]

图2是将质量分析装置100的一部分加以放大表示的图。以下，对质量分析装置100的分析动作的一例进行说明。在以下的说明中，在质量分析装置100中作为检测对象的离子设为正离子。此外可明确，即使作为检测对象的离子为负离子，也能够通过适当地变更对各部施加的电压的极性等而进行与以下说明中的分析相同的分析。

另外，在本说明书中，对各电极施加的电压值的正负与作为检测对象的离子的极性相关联。更具体而言，在作为检测对象的离子为正离子的情况下，正电压值(例如，+1.0V)是表示出与作为检测对象的离子的极性相同极性的电压值，负电压值(例如，-1.0V)是表示出与作为检测对象的离子的极性相反极性的电压值。另一方面，在作为检测对象的离子为负离子的情况下，正电压值是表示出与作为检测对象的离子的极性相反极性的电压值，负电压值是表示出与作为检测对象的离子的极性相同极性的电压值。

在分析开始前的等待状态下，第一真空室2、第二真空室3及第三真空室4分别为经真空排气的状态。当经由输入部23而从用户作出开始分析的指示时、或者依照预先设定的自动分析程序而自动地指示开始分析时，控制器22开始进行分析准备作业。

在分析准备作业中，控制器22使气体供给部19运行，开始向碰撞池11内连续地或间歇地供给规定气体。所供给的气体的种类根据分析模式而不同，在碰撞模式下例如为He气体，在反应模式下例如为H₂气体。

质量分析装置100即使开始向碰撞池11内供给气体，到所述气体充满碰撞池11内并稳定为止也需要某一程度的时间，在此之前无法进行实质性的分析。此期间为分析准备期间。

收到来自控制器22的指示后，电压控制器21在此时控制电压产生部20对引入电极8施加规定电压值的正的直流电压，以便在截取锥7与引入电极8之间形成比ICP离子源5所生成的不期望的离子所具有的初始能量高的势垒。所谓“不期望的离子”主要是源自ICP离子源5中使用的等离子体气体的离子，在等离子体气体为Ar的情况下，为Ar⁺、Ar²⁺等。由于所述“不期望的离子”所具有的初始能量并不太大，因此对引入电极8施加的电压一般为+数伏特左右。

另外，电压控制器21在控制器22的指示下对电压产生部20进行控制，以对碰撞池11的入口电极12施加规定电压值的正的直流电压。此时对入口电极12施加的电压例如为+数十伏特～二百伏特左右。

另外，电压控制器21在控制器22的指示下对电压产生部20进行控制，以对碰撞池11内的离子导向件14施加振幅值比通常分析时大的高频电压。

电压控制器21进而对电压产生部20进行控制，以对碰撞池11的出口电极13连续地或以脉冲方式施加比通常分析时大的规定电压值的负的直流电压。此时，对离子导向件14施加的高频电压的振幅值例如为50V以上，对出口电极13施加的直流电压例如为-100V左右(在通常分析时为-十伏特～-十几伏特左右)。

利用以上述方式对引入电极8施加的直流电压，在引入电极8的附近形成由与离子相同极性的电场形成的势垒。来源于如下等离子体气体、即由ICP离子源5生成并经由采样锥6的离子通过口(开口61)及截取锥7的离子通过口(开口71)而进入至第二真空室3的等离子体气体等的离子被所述势垒拦截。因此，离子滞留于截取锥7与引入电极8之间的区域31中，离子的密度变高。

从ICP离子源5，不仅是如上所述的离子，源自等离子体气体的反应性中性粒子或等离子体气体分子也欲侵入真空区域中。但区域31的离子密度高，因此通过了截取锥7的开口71的反应性中性粒子或气体分子容易与离子接触。与离子接触后的反应性中性粒子或气体分子改变其轨道，与周围的电极等碰撞而消失或从第二真空室3内向外部排出。因此，反应性中性粒子或气体分子难以到达碰撞池11的入口，可减少挤入碰撞池11内部的反应性中性粒子或气体分子的量。

如上所述，利用对碰撞池11的入口电极12施加的电压，在离子透镜10与入口电极12之间的区域32形成与来源于等离子体气体等的离子相同极性的电场。因此，从ICP离子源5经由第一真空室2导入至第二真空室3并通过了区域32的离子在入口电极12的近前处被推回。由此，可进一步减少来源于等离子体气体等的不期望的离子侵入碰撞池11内。

此外，由于反应性中性粒子或分子不具有电荷，因此在区域32中形成的电场的作用下不会被去除，但如上所述，反应性中性粒子或分子不易通过区域31，因此挤入碰撞池11内部的反应性中性粒子或气体分子的量可减少。

源自等离子体气体等的离子的一部分有时通过区域31及区域32两者而挤入碰撞池11内。另外，源自等离子体气体等的反应性中性粒子或分子的一部分有时通过所述两个区域进入碰撞池11内，并在碰撞池11内与气体接触而成为不期望的离子。从外部挤入的离子及在碰撞池11内产生的离子与存在于碰撞池11内的气体接触而能量减少，被由离子导向件14形成的高频电场捕捉。此时的高频电场比通常的分析时强，因此离子会聚于离子光轴18附近的比较窄的区域33。

如上所述，对碰撞池11的出口电极13施加有与所捕捉的离子相反极性的比较高的电压。因此，滞留于区域33的离子被出口电极13中的施加电压所产生的强电场吸引，经由出口电极13的离子通过开口131而从碰撞池11排出。

即，在执行分析前的分析准备期间中，在ICP离子源5与碰撞池11之间，不期望的离子及不期望的反应性中性粒子向所述碰撞池11的侵入得到抑制。另一方面，已进入碰撞池11的不期望的离子及碰撞池11内已生成的不期望的离子被迅速排出至碰撞池11的外部。这样，在质量分析装置100中，在分析准备期间中，离子变得不易滞留于碰撞池11内。

控制器22等待直至经过以使从气体供给部19供给的气体充分充满碰撞池11内的方式预定的规定等待时间。导入至碰撞池11内的气体从入口电极12及出口电极13各自的开口(离子通过开口121、离子通过开口131)漏出。因此，为了成为气体分子以尽可能均匀的密度充满碰撞池11内的状态，等待时间宜较长。作为一例，可将从气体导入开始起的等待时间设为40秒以上。

经过规定的等待时间后，电压控制器21对电压产生部20进行控制，以对引入电极8施加如将离子引入那样的、规定电压值的负的直流电压。另外，电压控制器21对电压产生部20进行控制，以对碰撞池11的入口电极12也施加为规定电压值的负的直流电压。另外，电压控制器21对电压产生部20进行控制，以对碰撞池11内的离子导向件14施加与作为分析对象的成分(目标成分)对应的规定振幅值的高频电压。另外，电压控制器21对电压产生部20进行控制，以对碰撞池11的出口电极13施加势垒形成用的规定电压。

然后，在质量分析装置100中实施分析。在一个实现例中，电压控制器21设定对四极质量过滤器16的施加电压，以使来源于目标成分的离子通过。然后，在质量分析装置100中，在经过了对各部施加的电压进行静定所需的时间(例如数毫秒(msec)左右)之后，检测作为目标的试样成分的离子的强度。

例如，在碰撞模式下，由ICP离子源5生成的源自试样成分的离子与源自等离子体气体的不期望的离子一起被导入至充满了碰撞气体的碰撞池11内。所导入的离子与碰撞气体反复碰撞，其能量衰减。碰撞剖面积越大的离子与碰撞池的碰撞机会越多，能量衰减越大。通常，源自等离子体气体的离子的碰撞剖面积大于源自目标成分的离子的碰撞剖面积，因此源自等离子体气体的离子的动能变得更小。因此，源自等离子体气体的离子难以越过在碰撞池11的出口形成的势垒。这样，可通过动能辨别法将源自等离子体气体等的不需要的离子去除，从而主要将作为试样成分的离子送入四极质量过滤器16中进行分析。

如上所述，在分析开始前的分析准备期间中，在碰撞池11内成为几乎不存在离子的状态，因此在开始对源自目标成分的离子进行分析的时间点，几乎不具有滞留于碰撞池11内部的离子的空间电荷效应。因此，在分析时，源自目标成分的离子(被导入至碰撞池11内)的轨道不受所述空间电荷效应的影响。由此，所述离子依照正常的轨道通过碰撞池11而导入至四极质量过滤器16中。由此，最终到达离子检测器17的源自目标成分的离子的量增加，可实现高的分析灵敏度。另外，由于源自试样成分的离子的轨道不受所述空间电荷效应的影响，因此也可减轻离子强度的漂移，进而还可减轻因试样成分的种类引起的漂移的偏差。

此外，在上述说明中，在从开始向碰撞池11内供给气体至气体充分充满碰撞池11内并开始进行分析为止的分析准备期间中的整个期间，以离子不会滞留于碰撞池11内的方式设定了对各部的施加电压。然而，并非必须在分析准备期间中的整个期间内持续进行此种电压设定。此外，在并非碰撞模式而是反应模式下，基本的动作也可与上述同样地进行。

在对象离子为正离子的情况下，对四极质量过滤器16(前杆电极16A及主杆电极16B的各者)施加负的电压值。所施加的电压值的具体例将参照图3～图5在之后叙述。

[所施加的电压值的具体例]

(无气体分析)

图3是表示无气体分析中的各电极的设定值集合的一例的图。在质量分析装置100中，所谓无气体分析是指不向碰撞池11供给气体而实施的分析。在一个实现例中，图3所示的设定值集合被保存于控制器22的存储器中。

在图3中示出了作为离子检测对象的三种元素名称(Be、In、Bi)。在各元素名称中附记有质荷比。

在图3中，针对下面所示的16种电极，分别示出了每个作为检测对象的离子(元素)的设定值的组合。各设定值的单位为V(伏特)。图3所记载的EX等16种符号分别表示对以下电极施加的电压值。

EX：引入电极8

L1：离子透镜10的前侧电极10A

L2：离子透镜10的后侧电极10B

L3：碰撞池11的入口电极12

CCBIAS：与离子导向件14的杆电极对应的偏压电极

CCRF：与离子导向件14的杆电极对应的参考电极

L4：碰撞池11的出口电极13

AC1：轴弯曲电极15(1)

DEF1：轴弯曲电极15(2)

DEF2：轴弯曲电极15(3)

AC2：轴弯曲电极15(4)

AP_P：轴弯曲出口电极19A

PREBIAS：四极质量过滤器16的前杆电极16A

MAINBIA：四极质量过滤器16的主杆电极16B

AP_D：(离子检测器17与主杆电极16B之间)入口电极20B

OFFSET：四极质量过滤器16的偏压电极

此外，所述16种中的“轴弯曲电极15(1)”、“轴弯曲电极15(2)”、“轴弯曲电极15(3)”及“轴弯曲电极15(4)”是指构成轴弯曲电极15的四个部分。从电离室1侧观察，它们在X轴方向上按照“轴弯曲电极15(1)”、“轴弯曲电极15(2)”、“轴弯曲电极15(3)”、“轴弯曲电极15(4)”的顺序配置。即，“轴弯曲电极15(1)”位于碰撞池11与“轴弯曲电极15(2)”之间。另外，“轴弯曲电极15(4)”位于“轴弯曲电极15(3)”与轴弯曲出口电极19A之间。

在图3的例子中，对于至少一部分电极，示出了在每个作为检测对象的离子中不同的设定值。

(有气体分析)

图4及图5分别是表示有气体分析中的各电极的设定值集合的一例的图。在质量分析装置100中，所谓有气体分析是指在向碰撞池11供给气体的状态下实施的分析。各设定值的单位为V(伏特)。在一个实现例中，图4及图5分别所示的设定值集合被保存于控制器22的存储器中。

此外，图4表示在使离子检测器17检测作为分析对象的离子的期间所利用的设定值集合的一例。图5表示在使离子检测器17检测作为分析对象的离子的期间以外的期间用作调整用途的设定值集合的一例。在图4及图5中，也与图3同样地，对于至少一部分电极，示出了在每个作为检测对象的离子中不同的设定值。

在图4与图5中，对上段的6种电极(“EX”、“L1”、“L2”、“L3”、“CCBIAS”、“CCRF”)及下段的1种电极(“OFFSET”)的设定值的组合为共通的，但对下段的9种电极(“L4”、“AC1”、“DEF1”、“DEF2”、“AC2”、“AP_P”、“PREBIAS”、“MAINBIA”、“AP_D”)的设定值的组合不同。更具体而言，图5所示的各设定值的绝对值大于图4所示的各设定值的绝对值。

在图3～图5所示的例子中，作为检测对象的3种离子均为正离子(Be⁺、In⁺、Bi⁺)。由此，图4及图5所示的下段的9种电极的设定值全部为负的电压值。而且，关于下段的9种电极的设定值的绝对值，与图4所示的值相比，图5所示的值更大。这意味着，关于下段的9种电极的设定值，图5所示的值是对图4所示的值加上了表示出与作为检测对象的对象离子的极性相反极性的值(负值)而得。在图5所示的值中，被加到图4所示的值上的值在本说明书中也称为“调整值”。

在图4及图5所示的例子中，下段的9种电极的电压值的全部调整值为“-7.0(V)”。

例如，关于元素Be的“L4”，图4所示的设定值为“-47.7(V)”，图5所示的设定值为“-54.7(V)”。后者是对前者加上“-7.0(V)”而得的值。

另外，关于元素Be的“MAINBIA”，图4所示的设定值为“-27.9(V)”，图5所示的设定值为“-34.9(V)”。后者是对前者加上“-7.0(V)”而得的值。

[处理的流程]

图6是在质量分析装置100中为了分析试样而实施的处理的流程图。图6所示的处理例如通过CPU执行给定的程序来实施。以下，对图6所示的处理的内容进行说明。

参照图6，在步骤S100中，质量分析装置100获取分析的指示。在一个实现例中，用户向输入部23输入分析的指示。质量分析装置100可经由输入部23来获取分析的指示。

在步骤S102中，质量分析装置100判断所指示的分析是否为有气体分析。在一个实现例中，用户输入至输入部23的分析的指示也可包含对有气体分析或无气体分析的指定。质量分析装置100经由输入部23而获取对有气体分析或无气体分析的指定。

质量分析装置100在所指示的分析包含对有气体分析的指定的情况下(在步骤S102中为“是(YES)”)，使控制进入步骤S114，若并非如此(在步骤S102中为“否(NO)”)，则使控制进入步骤S104。即，在所指示的分析包含对无气体分析的指定的情况下，使控制进入步骤S104。

在步骤S104中，质量分析装置100获取分析中的作为检测对象的离子的各电极的设定值。

在试样的分析中，质量分析装置100使离子检测器17获取一种以上的离子的各自的检测信号。在图6的处理中，按照作为检测对象的离子的种类来实施步骤S104～步骤S108的控制。在实施两种以上的离子的检测的情况下，重复进行所要检测离子的种类的数量的步骤S104～步骤S108的控制。

在一个实现例中，质量分析装置100针对作为检测对象的离子，获取图3所示的16种电极的设定值。

在步骤S106中，质量分析装置100实现在步骤S104中获取的设定值。即，质量分析装置100对各电极施加所获取的各设定值的电压。

在步骤S108中，质量分析装置100对质量分析装置100内的各构件进行控制，以使离子检测器17获取作为检测对象的离子的检测信号，由此，实施检测对象的利用离子检测器17进行的检测。

在步骤S110中，质量分析装置100针对作为分析对象的试样，判断是否留有其他设定下的检测。更具体而言，质量分析装置100判断在正在执行的分析中实施两种以上的离子的检测的情况下所述两种以上的离子中是否存在尚未作为检测对象的离子。质量分析装置100在存在尚未作为检测对象的离子的情况下，判断为留有其他设定下的检测。

质量分析装置100若判断为留有其他设定下的检测(在步骤S110中为“是”)，则使控制返回步骤S104，若并非如此，则结束图6的处理。

另一方面，在步骤S114中，质量分析装置100使气体供给部19向碰撞池11供给气体。

在步骤S116中，质量分析装置100判断从开始向碰撞池11供给气体起是否经过了所述“分析准备期间”。质量分析装置100重复进行步骤S116中的判断(步骤S116中为“否”)，直至判断为经过了分析准备期间，且若判断为经过了分析准备期间(步骤S116中为“是”)，则使控制进入步骤S118。

在步骤S118中，质量分析装置100针对作为检测对象的离子，获取图5所示的16种电极的调整用电压值。在有气体分析中，与无气体分析同样地，质量分析装置100也使离子检测器17获取一种以上的离子的各自的检测信号。在实施两种以上的离子的检测的情况下，重复进行所要检测离子的种类的数量的步骤S118～步骤S128的控制。在步骤S118中，获取针对在此时间点下成为检测对象的离子的调整用电压值。

在步骤S120中，质量分析装置100实现在步骤S118中获取的调整用电压值。即，质量分析装置100对各电极施加所获取的各调整用电压值的电压。

在步骤S122中，质量分析装置100判断从步骤S118中实现了调整用电压值起是否经过了以将调整用电压值的电压施加至各电极的方式设定的时间(调整时间)。质量分析装置100重复进行步骤S122中的判断(在步骤S122中为“否”)，直至判断为经过了调整时间，且若判断为经过了调整时间(在步骤S122中为“是”)，则使控制进入步骤S124。

在步骤S124中，质量分析装置100针对作为检测对象的离子，获取图4所示的16种电极的检测用设定值。

在步骤S126中，质量分析装置100实现在步骤S124中获取的检测用设定值。即，质量分析装置100对各电极施加所获取的各检测用设定值的电压。

在步骤S128中，质量分析装置100对质量分析装置100内的各构件进行控制，以使离子检测器17获取作为检测对象的离子的检测信号，由此，实施检测对象的利用离子检测器17进行的检测。

在步骤S130中，质量分析装置100与步骤S110同样地，针对作为分析对象的试样判断是否留有其他设定下的检测。质量分析装置100若判断为留有其他设定下的检测(在步骤S130中为“是”)，则使控制返回步骤S118，若并非如此，则结束图6的处理。

[调整用电压值]

在以上所说明的本实施形态中，质量分析装置100接受对作为试样的分析方法的有气体分析或无气体分析的指定。在接受到对有气体分析的指定的情况下，质量分析装置100在使用了离子检测器17的对象离子的检测(步骤S128)之前，在步骤S120中实现“调整用电压值”。在利用离子检测器17检测对象离子时在各电极中实现的电压值被称为“检测用电压值”。

如参照图4及图5所说明的那样，关于16种电极中的、在离子的行进方向上位于比碰撞池11更靠下游侧的位置的9种电极(“L4”、“AC1”、“DEF1”、“DEF2”、“AC2”、“AP_P”、“PREBIAS”、“MAINBIA”、“AP_D”)的各者，当对象离子为“Be”(Be⁺)时的“调整用电压值”是相对于“检测用电压值”加上“-7.0(V)”而得的值。

此处，“-7.0(V)”为调整值的一例。调整值是表示出与对象离子的极性相反极性的值。例如，在对象离子为正离子的情况下，调整值具有负值。此外，在对象离子为负离子的情况下，调整值具有正值。

所述9种电极包含四极质量过滤器16的前杆电极16A(PREBIAS)及主杆电极16B(MAINBIA)。在此意义上，前杆电极16A及主杆电极16B分别是被施加调整用电压值的电压的电极的一例。

所述9种电极包含设置于碰撞池11与四极质量过滤器16之间的碰撞池11的出口电极13。在此意义上，出口电极13是被施加调整用电压值的电压的电极的一例。

所述9种电极包含设置于四极质量过滤器16与离子检测器17之间的入口电极20B(AP_D)。在此意义上，入口电极20B是被施加调整用电压值的电压的电极的一例。

所述9种电极包含设置于碰撞池11与四极质量过滤器16之间、且用于使碰撞池11中的离子光轴与四极质量过滤器16中的离子光轴在给定方向(Y轴方向)上连接的轴弯曲电极15(AC1、DEF1、DEF2、AC2)及轴弯曲出口电极19A(AP_P)。在此意义上，轴弯曲电极15及出口电极19A分别是被施加调整用电压值的电压的电极的一例。

如参照图4及图5所说明的那样，关于各电极，针对每个对象离子设定了“检测用电压值”及“调整用电压值”。

例如，关于碰撞池11的出口电极13(L4)，对三种对象离子的每一种设定了检测用电压值及调整用电压值。更具体而言，对于Be离子，作为检测用电压值而设定为-47.7(V)，作为调整用电压值而设定为-54.7(V)。对于In离子，作为检测用电压值而设定为-56.6(V)，作为调整用电压值而设定为-63.6(V)。对于Bi离子，作为检测用电压值而设定为-64.4(V)，作为调整用电压值而设定为-71.4(V)。

关于碰撞池11的出口电极13(L4)，针对所述三种对象离子中的任一种，检测用电压值均是对调整用电压值加上“-7.0(V)”而得的值。即，对于多种对象离子，调整值也可为共通的。

但是，图4及图5所示的例子仅为一例。作为调整值，也可针对对象离子的每个种类和/或每个电极设定不同的电压值。

[开始实现调整用电压值的时机]

在图6所示的处理中，质量分析装置100在步骤S114中开始向碰撞池11供给气体，在步骤S116中等待经过分析准备期间之后，在步骤S120中对各电极施加调整用电压值的电压。

实施调整用电压值的电压的施加是为了减小有气体分析与无气体分析之间的分析条件的差异。更具体而言，在有气体分析中，干扰离子的动能因在碰撞池11中与气体接触而降低，由此，与无气体分析相比，在四极质量过滤器16等中不易产生由干扰离子引起的荷电。因此，在有气体分析中，为了使荷电产生量接近无气体分析，在对象离子的检测之前，实施调整用电压值的电压的施加。如上所述，在开始向碰撞池11供给气体之后，开始进行调整用电压值的电压的施加，由此，以必要最小限度实施所述电压的施加。

但是，对各电极的调整用电压值的电压的施加也可不等待经过分析准备期间便开始，或者在开始向碰撞池11供给气体之前开始。

[调整用电压值的实现频率]

在图6所示的处理中，在有气体分析中，每当在步骤S128中实施对象离子的检测时，在此之前，在步骤S120中对各电极施加调整用电压值的电压。即，图6处理中的调整用电压值的电压的施加时机示于图7中。图7是示意性地表示图6处理中的调整用电压值的电压的施加时机的图。

在图7的例子中，在时刻T11～时刻T12的期间，实施第一次对象离子的分析之前的、对各电压的调整用电压值的电压的施加。在时刻T12～时刻T13的期间，实施第一次对象离子的分析。在时刻T13～时刻T14的期间，实施第二次对象离子的分析之前的、对各电压的调整用电压值的电压的施加。在时刻T14～时刻T15的期间，实施第二次对象离子的分析。在时刻T15～时刻T16的期间，实施第三次对象离子的分析之前的、对各电压的调整用电压值的电压的施加。在时刻T16～时刻T17的期间，实施第三次对象离子的分析。

例如，在某一试样的分析中，在第一次检测中实施Be离子的检测，在第二次检测中实施In离子的检测，然后在第三次检测中实施Bi离子的检测。第一次检测至第三次检测是作为有气体分析来实施。

此外，在有气体分析中连续实施多次检测的情况下，也可省略检测间隙的调整用电压值的电压的施加。图8是用于说明省略施加调整用电压值的电压的图。

在图8的例子中，在时刻T21～时刻T22的期间，实施第一次对象离子的分析之前的、对各电压的调整用电压值的电压的施加。在时刻T22～时刻T23的期间，实施第一次对象离子的分析。在时刻T23～时刻T24的期间，实施第二次对象离子的分析。在时刻T24～时刻T25的期间，实施第三次对象离子的分析。

[有气体分析与无气体分析中的荷电产生量的差异]

参照图9～图12，对有气体分析与无气体分析中的荷电产生量的差异进行说明。

(氩离子的检测量)

图9是表示在比较例的质量分析装置的给定试样的分析中氩离子的检测量的变化的图。图9所示的变化视为比较例。

在图9的曲线图中，纵轴表示离子检测器17中的氩离子(质荷比(m/z)＝38)的检测信号的强度。横轴表示以质量分析装置100中的16种电极(参照图3等)的电压的设定值为对象的质荷比。

如参照图3及图4所说明的那样，各电极的电压的设定值随着作为质量分析装置100的检测对象的离子的质荷比而变化。例如，关于无气体分析(图3)中的电极PREBIAS，在作为检测对象的离子的质荷比为“9”(Be)的情况下，设定值为“-14(V)”，在作为检测对象的离子的质荷比为“115”(In)的情况下，设定值为“-4(V)”，在作为检测对象的离子的质荷比为“209”(Bi)的情况下，设定值为“-12(V)”。

图9的曲线图表示伴随对各电极施加的电压的设定值的变化的、导入至碰撞池11中的氩离子到达离子检测器17的量的变化。在图9中，线L11表示无气体分析的结果。线L12表示有气体分析的结果。此外，图9中的有气体分析不包括调整用电压值的施加(步骤S120)。

在图9中，即使设定对象的质荷比变化，线L12所示的强度也没有大幅变化。即，在有气体分析中，可以说：即使对各电极施加的电压的设定值变化，到达离子检测器17的氩离子的量也不会大幅变化。

另一方面，线L11所示的强度在设定对象的质荷比为209的附近具有与线L12所示的强度接近的值，但在质荷比为115以下的区域，具有相对于线L12所示的强度大3位数左右的值。即可以说，在作为检测对象的离子的质荷比为115以下的情况下，在无气体分析中，比有气体分析多3位数左右的氩离子到达了比碰撞池11更靠下游侧处。

(检测结果的漂移)

图10是表示有气体分析及无气体分析各自中的作为分析对象的离子的检测结果的图。图10的检测结果视为比较例。

在图10中，对4种作为分析对象的离子(As、Bi、Co、In)分别表示有气体分析及无气体分析的结果。图10所示的有气体分析的结果是关于紧接在另行实施的无气体分析之后实施的有气体分析的结果。图10所示的无气体分析的结果是关于紧接在图10所示的有气体分析之后实施的有气体分析的结果。此外，图10中的有气体分析不包括调整用电压值的施加(步骤S120)。

在图10所示的有气体分析中，在作为检测对象的离子为“Bi”的情况下，即使经过时间，检测强度的变化也小。然而，在作为检测对象的离子为“In”的情况下，检测强度随着时间的经过而增加。进而，在作为检测对象的离子为“As”的情况与为“Co”的情况下，检测强度随着时间的经过而大幅增加，从检测开始至检测结束，检测强度上升了15％左右。

在图10所示的无气体分析中，也与有气体分析同样地，在作为检测对象的离子为“Bi”的情况下，即使经过时间，检测强度的变化也小。然而，在作为检测对象的离子为“In”的情况下，随着时间的经过而检测强度发生了漂移。进而，在作为检测对象的离子为“As”的情况与为“Co”的情况下，随着时间的经过而检测强度发生漂移，相对于检测开始时的强度而检测强度变化了最大15％左右。

(检测结果的改善)

图11是表示有气体分析及无气体分析各自中的作为分析对象的离子的检测结果的图。图11的检测结果依照本实施形态。

在图11中示出针对9种作为分析对象的离子(As、Bi、Cd、Ce、Co、In、Mn、Pb、Y)分别连续实施无气体分析、有气体分析及无气体分析时的结果。第一次无气体分析被示为“无气体分析(1)”，第二次无气体分析被示为“无气体分析(2)”。即，实施的顺序为无气体分析(1)、有气体分析、然后是无气体分析(2)。图11中的有气体分析包括调整用电压值的施加(步骤S120)。

图12是针对图11所示的检测强度来表示检测开始时的最大变化的比例的图。此外，在图12中，关于图11中未示出数据的离子(Be)，也示出了值。此外，作为Be离子的有气体分析的值而示出了“*”，此意味着关于Be离子，在有气体分析中，离子检测器17无法检测出离子。

在图12所示的比例中，最大值为关于Co离子的无气体分析(2)中的结果“1.4％”。即，若依照本实施形态，则相对于参照图9～图11所说明的比较例，即使在质量分析装置100中反复进行了有气体分析与无气体分析的情况下，在离子的检测强度中，伴随从检测开始起的时间经过而结果发生漂移的情况也得到了抑制。

在本实施形态中，质量分析装置100在有气体分析中，在检测前对各电极施加调整用电压值的电压，由此，有意地产生了荷电。由此可抑制如下情况：在有气体分析中对作为检测对象的离子进行检测的期间发生荷电，因此在检测结果中产生漂移。进而，在有气体分析中，与无气体分析同样地在发生了荷电的状态下也可实施作为检测对象的离子的检测，因此可减小有气体分析与无气体分析之间的分析条件的差异。

[利用期间与电压的施加]

在质量分析装置100中，质量分析装置100的利用期间越长，越容易发生四极质量过滤器16(前杆电极16A与主杆电极16B)等中的荷电。因此，质量分析装置100的利用期间越长，调整时间(步骤S122)可越短。另外，质量分析装置100的利用期间越长，调整用电压值的绝对值可越小。

在一个实现例中，质量分析装置100的利用期间被写入控制器22的存储器中。另外，在存储器中保存有与两个以上的利用期间的各者对应的各电极的调整用电压值。例如，关于各电极，在存储器中保存有利用期间小于5年时的调整用电压值、以及利用期间为5年以上时的调整用电压值。利用期间越长，调整用电压值的绝对值可越小。

图13是图6的处理的变形例的流程图。与图6的处理相比，图13的处理在步骤S116之后还包括步骤S117。

若在步骤S116中判断为经过了分析准备期间、或者在步骤S130中判断为留有其他设定下的检测，则质量分析装置100使控制进入步骤S117。

在步骤S117中，质量分析装置100从控制器22的存储器中读出所述质量分析装置100的利用期间。

在步骤S118中，质量分析装置100读出与在步骤S117中读出的利用期间对应的调整用电压值。

在其他实现例中，在存储器中保存有与两个以上的利用期间的各者分别对应的“调整时间”。利用期间越长，调整时间可越短。此情况下，质量分析装置100在步骤S122中判断是否经过了与在步骤S117中读出的利用期间对应的调整时间。然后，质量分析装置100若在步骤S122中判断为经过了所述调整时间，则使控制进入步骤S124。

[形态]

本领域技术人员可理解，上文所述的多个示例性的实施形态为以下形态的具体例。

(第一项)一个形态的质量分析装置可为，包括：等离子体离子源，利用等离子体离子对试样进行离子化；质量过滤器，选择性地使经离子化的试样中的具有特定的质荷比的对象离子通过；检测器，检测所述对象离子；碰撞池，设置于所述等离子体离子源与所述质量过滤器之间；气体供给部，向所述碰撞池供给气体；以及控制器，控制对电极施加的电压的值，在第一对象离子的检测中从所述气体供给部向所述碰撞池供给气体的情况下，所述控制器在所述第一对象离子的检测前，对在离子的行进方向上位于比所述碰撞池更靠下游侧的位置的电极，施加对与所述第一对象离子对应的第一检测用电压值加上调整值而得的第一调整用电压值的电压，并在所述第一对象离子的检测中，对在离子的行进方向上位于比所述碰撞池更靠下游侧的位置的电极施加所述第一检测用电压值的电压，所述调整值是表示出与所述第一对象离子的极性相反极性的值。

根据第一项所述的质量分析装置，在质量分析装置的分析中不向碰撞池导入气体的情况、与不导入气体的情况之间的分析条件的差异变小。

(第二项)在第一项所述的质量分析装置中，可为，在离子的行进方向上位于比所述碰撞池更靠下游侧的位置的所述电极包含所述质量过滤器的杆电极。

根据第二项所述的质量分析装置，就质量过滤器的杆电极中的荷电而言，分析条件的差异变小。

(第三项)第一项或第二项所述的质量分析装置可为，还包括设置于所述碰撞池与所述质量过滤器之间的出口电极，在离子的行进方向上位于比所述碰撞池更靠下游侧的位置的所述电极包含所述出口电极。

根据第三项所述的质量分析装置，就设置于碰撞池与质量过滤器之间的出口电极中的荷电而言，分析条件的差异变小。

(第四项)第一项至第三项中任一项所述的质量分析装置可为，还包括设置于所述质量过滤器与所述检测器之间的入口电极，在离子的行进方向上位于比所述碰撞池更靠下游侧的位置的所述电极包含所述入口电极。

根据第四项所述的质量分析装置，就设置于质量过滤器与检测器之间的出口电极的荷电而言，分析条件的差异变小。

(第五项)在第一项至第四项中任一项所述的质量分析装置中，可为，所述质量过滤器中的离子光轴位于在给定方向上与所述碰撞池中的离子光轴不同的场所，质量分析装置还包括弯曲电极，所述弯曲电极设置于所述碰撞池与所述质量过滤器之间，用于使所述碰撞池中的离子光轴与所述质量过滤器中的离子光轴在所述给定方向上连接，在离子的行进方向上位于比所述碰撞池更靠下游侧的位置的所述电极包含所述弯曲电极。

根据第五项所述的质量分析装置，就所述弯曲电极中的荷电而言，分析条件的差异变小。

(第六项)在第一项至第五项中任一项所述的质量分析装置中，可为，所述质量分析装置的利用期间越长，所述调整值的绝对值越小。

根据第六项所述的质量分析装置，将用于减小分析条件的差异的最低限度的电压值设定为调整用电压值。

(第七项)在第一项至第六项中任一项所述的质量分析装置中，可为，所述质量分析装置的利用期间越长，对所述杆电极施加所述第一调整用电压值的电压的时间的长度越短。

根据第七项所述的质量分析装置，以用于减小分析条件的差异的最低限度的时间长度来施加调整用电压值的电压。

(第八项)在第一项至第七项中任一项所述的质量分析装置中，可为，所述调整值对于多种对象离子而言为共通的。

根据第八项所述的质量分析装置，调整值的设定变得容易。

(第九项)在第一项至第八项中任一项所述的质量分析装置中，可为，在开始向所述碰撞池供给气体之后，开始进行所述第一调整用电压值的电压的施加。

根据第九项所述的质量分析装置，在必要最小限度的期间内实施调整用电压值的电压的施加。

(第十项)在第一项至第九项中任一项所述的质量分析装置中，可为，所述控制器在所述第一对象离子的检测之后实施第二对象离子的检测的情况下，在所述第二对象离子的检测中向所述碰撞池供给气体时，在所述第一对象离子的检测后且所述第二对象离子的检测前进一步实施所述第一调整用电压值的电压的施加。

根据第十项所述的质量分析装置，每当实施有气体分析中的检测时，可更可靠地产生会在无气体分析中产生的荷电。

(第十一项)在第一项至第九项中任一项所述的质量分析装置中，可为，所述控制器在所述第一对象离子的检测之后实施第二对象离子的检测的情况下，即使在所述第二对象离子的检测中向所述碰撞池供给气体时，也不在所述第一对象离子的检测后实施所述第一调整用电压值的电压的施加，而是实施所述第二对象离子的检测。

根据第十一项所述的质量分析装置，在必要最小限度内实施调整用电压值的电压的施加。

(第十二项)在一个形态的质量分析装置的控制方法中，可为，所述质量分析装置包括：等离子体离子源，利用等离子体离子对试样进行离子化；质量过滤器，选择性地使经离子化的试样中的具有特定的质荷比的对象离子通过；检测器，检测所述对象离子；以及碰撞池，设置于所述等离子体离子源与所述质量过滤器之间，控制方法包括如下步骤：判断在第一对象离子的检测中是否向所述碰撞池供给气体；在判断为在所述第一对象离子的检测中向所述碰撞池供给气体的情况下，在所述第一对象离子的检测前，对所述质量分析装置中的在离子的行进方向上位于比所述碰撞池更靠下游侧的位置的电极，施加对与所述第一对象离子对应的第一检测用电压值加上调整值而得的第一调整用电压值的电压；以及在所述第一对象离子的检测中，对所述电极施加所述第一检测用电压值的电压，所述调整值是表示出与所述第一对象离子的极性相反极性的值。

根据第十二项所述的质量分析装置的控制方法，在质量分析装置的分析中不向碰撞池导入气体的情况、与不导入气体的情况之间的分析条件的差异变小。

应认为，本次公开的实施形态在所有方面均为例示而非限制性的。本公开的范围由权利要求书而非上文所述的实施形态的说明来表示，且意图包含与权利要求书均等的含义及范围内的所有变更。另外，对实施形态中的各技术意图可单独实施，另外也可根据需要尽可能地与实施形态中的其他技术组合来实施。

[符号的说明]

1：电离室

2：第一真空室

3：第二真空室

4：第三真空室

5：离子源

6：采样锥

7：截取锥

8：引入电极

10：离子透镜

10A：前侧电极

10B：后侧电极

11：碰撞池

12、19B、20B：入口电极

13：出口电极

14：离子导向件

15：轴弯曲电极

16：质量过滤器

16A：前杆电极

16B：主杆电极

17：离子检测器

18：离子光轴

19A：轴弯曲出口电极

100：质量分析装置。

Claims

1.一种质量分析装置，包括：

等离子体离子源，利用等离子体离子对试样进行离子化；

质量过滤器，选择性地使经离子化的试样中的具有特定的质荷比的对象离子通过；

检测器，检测所述对象离子；

碰撞池，设置于所述等离子体离子源与所述质量过滤器之间；

气体供给部，向所述碰撞池供给气体；以及

控制器，控制对电极施加的电压的值，

在第一对象离子的检测中从所述气体供给部向所述碰撞池供给气体的情况下，所述控制器：

在所述第一对象离子的检测前，对在离子的行进方向上位于比所述碰撞池更靠下游侧的位置的电极，施加对与所述第一对象离子对应的第一检测用电压值加上调整值而得的第一调整用电压值的电压，并

在所述第一对象离子的检测中，对在离子的行进方向上位于比所述碰撞池更靠下游侧的位置的电极，施加所述第一检测用电压值的电压，

所述调整值是表示出与所述第一对象离子的极性相反的极性的值。

2.根据权利要求1所述的质量分析装置，其中，在离子的行进方向上位于比所述碰撞池更靠下游侧的位置的所述电极包含所述质量过滤器的杆电极。

3.根据权利要求1所述的质量分析装置，还包括：

出口电极，设置于所述碰撞池与所述质量过滤器之间，

在离子的行进方向上位于比所述碰撞池更靠下游侧的位置的所述电极包含所述出口电极。

4.根据权利要求1所述的质量分析装置，还包括：

入口电极，设置于所述质量过滤器与所述检测器之间，

在离子的行进方向上位于比所述碰撞池更靠下游侧的位置的所述电极包含所述入口电极。

5.根据权利要求1所述的质量分析装置，其中，所述质量过滤器中的离子光轴位于在给定方向上与所述碰撞池中的离子光轴不同的场所，

所述质量分析装置还包括：

弯曲电极，设置于所述碰撞池与所述质量过滤器之间，用于使所述碰撞池中的离子光轴与所述质量过滤器中的离子光轴在所述给定方向上连接，

在离子的行进方向上位于比所述碰撞池更靠下游侧的位置的所述电极包含所述弯曲电极。

6.根据权利要求1所述的质量分析装置，其中，所述质量分析装置的利用期间越长，所述调整值的绝对值越小。

7.根据权利要求2所述的质量分析装置，其中，所述质量分析装置的利用期间越长，对所述杆电极施加所述第一调整用电压值的电压的时间的长度越短。

8.根据权利要求1所述的质量分析装置，其中，所述调整值对于多种对象离子而言为共通的。

9.根据权利要求1所述的质量分析装置，其中，在开始向所述碰撞池供给气体之后，开始进行所述第一调整用电压值的电压的施加。

10.根据权利要求1所述的质量分析装置，其中，所述控制器在所述第一对象离子的检测之后实施第二对象离子的检测的情况下，在所述第二对象离子的检测中向所述碰撞池供给气体时，在所述第一对象离子的检测后且所述第二对象离子的检测前进一步实施所述第一调整用电压值的电压的施加。

11.根据权利要求1所述的质量分析装置，其中，所述控制器在所述第一对象离子的检测之后实施第二对象离子的检测的情况下，即使在所述第二对象离子的检测中向所述碰撞池供给气体时，也不在所述第一对象离子的检测后实施所述第一调整用电压值的电压的施加，而是实施所述第二对象离子的检测。

12.一种质量分析装置的控制方法，其中

所述质量分析装置包括：

等离子体离子源，利用等离子体离子对试样进行离子化；

检测器，检测所述对象离子；以及

碰撞池，设置于所述等离子体离子源与所述质量过滤器之间，

所述质量分析装置的控制方法包括如下步骤：

判断在第一对象离子的检测中是否向所述碰撞池供给气体；

在判断为在所述第一对象离子的检测中向所述碰撞池供给气体的情况下，在所述第一对象离子的检测前，对所述质量分析装置中的在离子的行进方向上位于比所述碰撞池更靠下游侧的位置的电极，施加对与所述第一对象离子对应的第一检测用电压值加上调整值而得的第一调整用电压值的电压；以及

在所述第一对象离子的检测中，对所述电极施加所述第一检测用电压值的电压，