CN118159098A - 发光显示装置 - Google Patents

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electrode
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transistor
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崔忠硕
高裕敏
金善浩
朴注燦
李弼锡
洪性珍
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Abstract

发光显示装置包括第一显示区域和布置在第一显示区域的外侧的第二显示区域。第二显示区域包括像素驱动器、电连接到像素驱动器的主发光器件以及电连接到主发光器件的附加发光器件。附加发光器件与外围驱动器重叠，外围驱动器产生用于提供给像素驱动器的信号。主发光器件和附加发光器件各自包括第一电极、发射层和第二电极。像素驱动器电连接到主发光器件的第二电极和附加发光器件的第二电极。附加发光器件的第二电极和主发光器件的第二电极在平面图中被隔离件围绕。

Description

发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年12月7日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0169696号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及将发光器件布置在非显示区域中以显示图像。
背景技术
显示装置可以包括用于显示图像的显示区域和不显示图像的非显示区域。像素可以在显示区域中在行方向和列方向上布置。诸如晶体管或电容器的各种元件和用于将信号供应到各种元件的各种布线可以布置在各个像素中。各种外围驱动器(扫描信号生成器、数据驱动器、时序控制器等)和用于传输用于驱动像素的电信号的布线可以布置在非显示区域中。
关于一些显示装置，可以在显示区域中布置相机或传感器，并且在显示区域的预定或选定的区中可能存在不显示图像的部分。这种显示装置具有减小非显示区域的优点，但是具有在显示区域中布置不显示图像的非显示区域的缺点。
本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对本公开的背景技术的理解，并且因此其可以包含不形成本领域普通技术人员在该国已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开致力于提供一种用于增大显示区域或减小由非显示区域所占据的面积的发光显示装置。
本公开致力于提供一种通过使用隔离件将非显示区域改变为显示区域的发光显示装置。
本公开的实施例提供一种发光显示装置，该发光显示装置可以包括第一显示区域和布置在第一显示区域的外侧的第二显示区域。第二显示区域可以包括像素驱动器、电连接到像素驱动器的主发光器件以及电连接到主发光器件的附加发光器件。附加发光器件可以与外围驱动器重叠，外围驱动器产生用于提供给像素驱动器的信号。主发光器件和附加发光器件各自可以包括第一电极、发射层和第二电极。像素驱动器可以电连接到主发光器件的第二电极和附加发光器件的第二电极。附加发光器件的第二电极和主发光器件的第二电极可以在平面图中被隔离件围绕。
彼此电连接的附加发光器件的第二电极和主发光器件的第二电极可以是彼此一体的。
第二电极可以包括在平面图中与主发光器件的发射层重叠的第一部分、在平面图中与附加发光器件的发射层重叠的第二部分以及将第一部分和第二部分连接的连接件。
连接件的宽度可以比第一部分的宽度和第二部分的宽度窄。
主发光器件的第一电极和附加发光器件的第一电极可以电连接到第一驱动电压线。
发光显示装置可以进一步包括：阴极连接线，将主发光器件的第二电极和像素驱动器电连接。
阴极连接线可以具有三层结构，并且主发光器件的第二电极可以与阴极连接线侧面接触。
发光显示装置可以进一步包括布置在彼此侧面接触的主发光器件的第二电极与阴极连接线之间的辅助连接电极，其中辅助连接电极、主发光器件的第一电极和附加发光器件的第一电极可以由相同的材料制成。
将阴极连接线和辅助连接电极连接的三个接触孔可以在一方向上相邻布置。
隔离件可以在平面图中布置在三个接触孔之间，并且隔离件可以在三个接触孔周围弯曲。
本公开的另一实施例提供一种发光显示装置，该发光显示装置可以包括第一显示区域以及由第一显示区域围绕并布置在相机的前侧的部件区域，相机布置在部件区域的后侧。部件区域可以包括像素驱动器以及电连接到像素驱动器的主发光器件和附加发光器件。部件区域可以进一步包括将光透射到相机的透光区域。主发光器件和附加发光器件各自可以包括第一电极、发射层和第二电极。像素驱动器可以电连接到主发光器件的第二电极和附加发光器件的第二电极。附加发光器件的第二电极和主发光器件的第二电极可以在平面图中被隔离件围绕。
彼此电连接的附加发光器件的第二电极和主发光器件的第二电极可以是彼此一体的。
第二电极可以包括在平面图中与主发光器件的发射层重叠的第一部分、在平面图中与附加发光器件的发射层重叠的第二部分以及将第一部分和第二部分连接的连接件。
连接件的宽度可以比第一部分的宽度和第二部分的宽度窄。
主发光器件的第一电极和附加发光器件的第一电极可以电连接到第一驱动电压线。
发光显示装置可以进一步包括：阴极连接线，将主发光器件的第二电极和像素驱动器电连接。
阴极连接线可以包括三层结构，并且主发光器件的第二电极可以与阴极连接线侧面接触。
发光显示装置可以进一步包括布置在彼此侧面接触的主发光器件的第二电极与阴极连接线之间的辅助连接电极，其中辅助连接电极、主发光器件的第一电极和附加发光器件的第一电极可以由相同的材料制成。
将阴极连接线和辅助连接电极连接的三个接触孔可以在一方向上相邻布置。
隔离件可以在平面图中布置在三个接触孔之间，并且隔离件可以在三个接触孔周围弯曲。
根据实施例，发光器件可以布置在其中布置有相机的区上部在外围驱动器上部或后侧上，因此可以增大显示区域或者可以减小由非显示区域所占据的面积。
根据实施例，布置在其中布置有相机的区上部的发光器件的阴极以及布置在像素驱动器上部的发光器件的阴极可以通过使用隔离件来划分，并且可以在外围驱动器上部或后侧彼此连接，从而形成容易彼此连接的两个发光器件。
附图说明
图1是根据实施例的发光显示装置的示意性俯视图。
图2是图1的一部分的示意性截面图。
图3是根据实施例的发光显示装置中包括的像素的等效电路的示意图。
图4是施加到图3的像素的信号的示意性波形图。
图5是根据另一实施例的发光显示装置中包括的像素的等效电路的示意图。
图6是根据实施例的像素驱动器与发光器件之间的连接的示意性俯视图。
图7是根据图6的实施例的发光器件的连接的示意性截面图。
图8是根据另一实施例的发光显示装置的示意性俯视图。
图9是根据实施例的像素驱动器与发光器件之间的连接的示意性俯视图。
图10是根据图9的实施例的发光器件的连接的示意性截面图。
图11是根据另一实施例的发光显示装置的示意性俯视图。
图12是图11的一部分的示意性截面图。
图13是根据实施例的像素驱动器与发光器件之间的连接的示意性俯视图。
图14是根据图13的实施例的发光器件的连接的示意性截面图。
具体实施方式
在下文中将参考其中示出实施例的附图更全面地描述本公开。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，所有这些都不脱离本公开的精神或范围。
附图和描述在本质上被认为是说明性的而不是限制性的，并且在整个说明书中，相同的附图标记指定相同的元件。
为了更好地理解和便于描述，可以任意地示出附图中所示的每种配置的尺寸和厚度，但是本公开不限于此。
如本文所使用的，单数形式“一”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以被理解为意指包括“A、B或者A和B”的任何组合。术语“和”和“或”可以在连接或分离的意义上使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。
为了本公开的目的，短语“A和B中的至少一个”可以被解释为仅A、仅B或者A和B的任何组合。此外，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。
将理解，当诸如层、膜、区或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时，其可以直接在该另一元件上，或者也可以存在居间的元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，可以不存在居间的元件。词语“上”或“上方”意指位于对象部分上或下方，并且不一定意指位于对象部分的基于重力方向的上侧的“上”或“上方”。
当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”、“具有”及其变体指明所述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
短语“在平面图中”意指从顶部观看对象部分，并且短语“在截面上”意指从侧面观看垂直切割对象部分的截面。
将理解，当元件(或区、层或部分等)在说明书中被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，其可以直接布置在上述另一元件上、直接连接到或直接联接到上述另一元件，或者可以在它们之间布置居间的元件。此外，两个部分可以是彼此一体的并且是“连接的”。
将理解，术语“连接到”或“联接到”可以包括物理和/或电气的连接或联接。
当诸如布线、层、膜、区、板或组成元件的部分被描述为在“第一方向”或“第二方向”上延伸时，这不仅表示在对应方向上直线延伸的直线形状，而且包括大致在第一方向或第二方向上延伸的结构、在预定或选定的部分上弯曲的结构、之字形结构或者包括弯曲结构并在一方向上延伸的结构。
术语“重叠”或“重叠的”意指第一对象可以在第二对象的上方或下方或者在第二对象的一侧，反之亦然。另外，术语“重叠”可以包括分层、堆叠、面向或面对、在……之上延伸、覆盖或部分覆盖或者本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。
当元件被描述为与另一元件“不重叠”时，这可以包括元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此分开或者本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。
除非本文另外定义或暗示，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。将进一步理解，术语(诸如在常用词典中定义的那些术语)应被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文明确如此定义。
包括说明书中描述的显示装置和显示面板的电子装置(例如，移动电话、电视、监视器、膝上型计算机等)或包括通过说明书中描述的制造方法制造的显示装置和显示面板的电子装置并未排除在本公开的范围之外。
现在将参考图1和图2描述根据实施例的发光显示装置的示意性结构。
图1是根据实施例的发光显示装置的示意性俯视图，并且图2是图1的一部分的示意性截面图。
参考图1，发光显示装置1000可以包括其中可以布置像素P并且显示图像的显示区域DA以及布置在显示区域DA附近的非显示区域PA。非显示区域PA可以不显示图像。
显示区域DA可以具有四边形形状，并且根据实施例，如图1中所示，显示区域DA的各个拐角DA-C可以具有圆弧形状。非显示区域PA可以围绕显示区域DA。然而，不限于此，显示区域DA和非显示区域PA可以具有各种形状。
显示区域DA可以包括第一显示区域DA1以及布置在第一显示区域DA1与非显示区域PA之间的第二显示区域DA2。
第一显示区域DA1可以布置在显示区域DA的中心，并且第二显示区域DA2可以布置在第一显示区域DA1的各个侧，例如右侧和左侧。参考图1，第二显示区域DA2可以布置在第一显示区域DA1的在第一方向DR1上的各个侧，并且也可以布置在第一显示区域DA1的在第二方向DR2上的各个侧，例如上侧和下侧。然而，这是示例，并且第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的位置可以以多种方式改变。例如，第一显示区域DA1可以基本上具有四边形形状，并且第二显示区域DA2可以布置在第一显示区域DA1的至少两侧和拐角。
非显示区域PA可以围绕显示区域DA。非显示区域PA可以不显示图像，并且可以布置在发光显示装置1000的外侧。发光显示装置1000的至少一部分可以是包括弯曲部分的柔性显示装置。例如，发光显示装置1000的中心可以是平坦的，并且其边缘可以是弯曲的。在该情形中，第二显示区域DA2的至少一部分可以布置在弯曲部分处，因此第二显示区域DA2的至少一部分可以弯曲。
发光显示装置1000的用于显示图像的面可以平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的面。用于显示图像的面的法线方向，例如发光显示装置1000的厚度方向由第三方向DR3指示。各个构件的前侧(或上侧)和后侧(或下侧)可以由第三方向DR3区分。然而，由第一方向至第三方向DR1、DR2和DR3指示的方向是相对概念，并且它们可以改变为其他方向。
发光显示装置1000可以进一步包括在上侧的触摸单元和/或覆盖窗。
发光显示装置1000可以是平面刚性显示装置，或者可以是柔性显示装置，但不限于此。发光显示装置1000可以包括有机或无机发射层，并且可以包括包含量子点的颜色转换层和/或滤色器。
参考图2，发光显示装置1000的第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和非显示区域PA的截面结构被示出。
发光显示装置1000可以包括基板110、布置在基板110上的像素驱动器PC1和PC2以及用于从像素驱动器PC1和PC2接收发光电流的发光器件ED1和ED2。
发光器件ED1和ED2可以发射预定的光以显示亮度或者除亮度之外显示颜色。在此，可显示的颜色可以是红色、绿色、蓝色和白色。发光显示装置1000可以通过由发光器件ED1和ED2发射的光来显示图像。
发光器件ED1和ED2可以包括第一发光器件ED1和第二发光器件ED2。发光器件ED1和ED2可以布置在显示区域DA中。
第一发光器件ED1可以布置在第一显示区域DA1中，并且第二发光器件ED2可以布置在第二显示区域DA2中。参考图2，第二发光器件ED2的一部分可以布置在外围驱动器DR上部。发光显示装置1000可以包括第一发光器件ED1和第二发光器件ED2。第一发光器件ED1可以在第一显示区域DA1中在第一方向DR1和第二方向DR2上布置，并且第二发光器件ED2可以在第二显示区域DA2中在第一方向DR1和第二方向DR2上布置。第一发光器件ED1的尺寸可以与第二发光器件ED2的尺寸相同/不同。例如，第二发光器件ED2可以大于第一发光器件ED1。每单位面积的第一发光器件ED1的数量可以与每单位面积的第二发光器件ED2的数量相同/不同。例如，每单位面积的第二发光器件ED2的数量可以小于每单位面积的第一发光器件ED1的数量。第一显示区域DA1的分辨率可以等于/不同于第二显示区域DA2的分辨率。例如，第一显示区域DA1的分辨率可以高于第二显示区域DA2的分辨率。第一发光器件ED1和第二发光器件ED2的布置和尺寸以及第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的分辨率不限于此，并且可以以多种方式修改。
关于发光显示装置1000，布置在基板110上的像素驱动器PC1和PC2可以包括第一像素驱动器PC1和第二像素驱动器PC2。参考图2，第一显示区域DA1表示多个第一像素驱动器PC1可以基本上在第一方向DR1和第二方向DR2上布置在其中的区，并且第二显示区域DA2表示多个第二像素驱动器PC2可以基本上在第一方向DR1和第二方向DR2上布置在其中的区。像素驱动器PC1和PC2的布置不受限制，并且它们可以以多种方式设置。第一像素驱动器PC1可以布置在第一显示区域DA1中，并且第二像素驱动器PC2可以布置在第二显示区域DA2中。像素驱动器PC1和PC2可以连接到发光器件ED1和ED2中的至少一个。一个第一像素驱动器PC1可以连接到一个第一发光器件ED1，并且一个第二像素驱动器PC2可以连接到至少两个第二发光器件ED2。一个第一像素驱动器PC1的尺寸可以与一个第二像素驱动器PC2的尺寸相同/不同。例如，一个第二像素驱动器PC2可以大于一个第一像素驱动器PC1。
参考图2，发光显示装置1000可以进一步包括布置在基板110上的外围驱动器DR。外围驱动器DR可以产生用于操作第一像素驱动器PC1和第二像素驱动器PC2的信号并传输所述信号，并且可以电连接到第一像素驱动器PC1和第二像素驱动器PC2。外围驱动器DR可以例如包括诸如扫描信号生成器或发光信号生成器的信号生成器以及与信号生成器连接的信号传输布线。外围驱动器DR可以包括用于产生将参考图3和图4描述的第一扫描信号GW、第二扫描信号GC、第三扫描信号GR、第四扫描信号GI和第一发光信号EM1的生成器。外围驱动器DR可以进一步包括数据驱动器或用于传输电压的布线(驱动电压供应线、公共电压供应线等)。外围驱动器DR的至少一部分可以布置在第二显示区域DA2中，并且根据实施例，外围驱动器DR的一部分可以布置在非显示区域PA中。
第一显示区域DA1可以通过第一发光器件ED1发光。第一像素驱动器PC1和用于从第一像素驱动器PC1接收发光电流的第一发光器件ED1可以形成在第一显示区域DA1中。在该情形中，第一发光器件ED1的至少一部分可以与电连接到第一发光器件ED1的第一像素驱动器PC1重叠。形成在第一显示区域DA1中的第一像素驱动器PC1与用于从第一像素驱动器PC1接收发光电流的第一发光器件ED1的组合将被称为第一显示区域DA1的第一像素或正常像素。第一像素驱动器PC1和第一发光器件ED1可以分别被称为正常像素驱动器和正常发光器件。
第二显示区域DA2可以通过第二发光器件ED2发光，并且可以被区分为第二-1显示区域DA2-1和第二-2显示区域DA2-2。第二像素驱动器PC2可以布置在第二-1显示区域DA2-1中，并且外围驱动器DR可以布置在第二-2显示区域DA2-2中。用于从第二像素驱动器PC2接收发光电流的第二发光器件ED2可以布置在第二-1显示区域DA2-1和第二-2显示区域DA2-2中。第二发光器件ED2可以被区分为布置在第二像素驱动器PC2上部的第二发光器件ED2以及布置在外围驱动器DR上部的第二发光器件ED2。布置在外围驱动器DR上的第二发光器件ED2可以构成第二-2显示区域DA2-2，并且从布置在第二-1显示区域DA2-1中的第二像素驱动器PC2的至少一部分接收发光电流。第二像素驱动器PC2可以被区分为用于将输出电流传输到构成第二-1显示区域DA2-1的第二发光器件ED2的第二像素驱动器PC2以及用于将输出电流传输到构成第二-2显示区域DA2-2的第二发光器件ED2的第二像素驱动器PC2。一个第二像素驱动器PC2将输出电流传输到第二发光器件ED2，并且第二发光器件ED2中的至少一个可以布置在第二-2显示区域DA2-2中且可以布置在外围驱动器DR上。
关于根据比较示例的发光显示装置，像素驱动器和发光器件可以布置在显示区域中，并且发光器件可以不布置在其中布置有外围驱动器的区中。因此，其中布置有外围驱动器的非显示区域可以不显示图像，并且可以形成死区(例如，没有图像的区域)。相反，在根据实施例的发光显示装置1000中，第二发光器件ED2的一部分布置在其中布置有外围驱动器DR的部分上，因此发光显示装置1000可以显示图像并且可以增大显示面积。例如，由于第二发光器件ED2布置在外围驱动器DR上，因此可以减小死区，并且可以减小不显示图像的区。
现在将参考图3至图5描述发光器件ED1和ED2以及像素驱动器PC1和PC2(也称为PC)的电路结构。
现在将参考图3和图4详细描述根据实施例的像素和施加到像素的信号以及像素的操作。
图3是根据实施例的发光显示装置中包括的像素的等效电路图的示意图。
参考图3，像素可以包括发光器件LED和用于驱动发光器件LED的像素驱动器PC。像素驱动器PC可以包括图3中的除发光器件LED之外的所有元件，并且根据图3的实施例的像素的像素驱动器PC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8、第一电容器C1和第二电容器C2。
像素驱动器PC可以连接到用于施加第一扫描信号GW的第一扫描线161、用于施加第二扫描信号GC的第二扫描线162、用于施加第三扫描信号GR的第三扫描线163、用于施加第四扫描信号GI的第四扫描线166、用于施加第一发光信号EM1的第一发光信号线164以及用于施加数据电压VDATA的数据线171。像素可以连接到用于施加驱动电压ELVDD(也称为第一驱动电压)的第一驱动电压线172、用于施加低驱动电压ELVSS(也称为第二驱动电压)的第二驱动电压线179、用于施加参考电压Vref的参考电压线173、用于施加第一初始化电压Vint的第一初始化电压线177以及用于施加第二初始化电压Vcint的第二初始化电压线176。
现在将着重于包括在像素中的各个元件(包括晶体管、电容器和发光器件)来描述像素的电路结构。
第一晶体管T1(也称为驱动晶体管)可以包括：栅电极，连接到第一电容器C1的第一电极、第二晶体管T2的第二电极和第四晶体管T4的第二电极；第一电极(输入侧电极)，连接到第三晶体管T3的第二电极和第五晶体管T5的第二电极；以及第二电极(输出侧电极)，连接到第六晶体管T6的第一电极、第八晶体管T8的第二电极、第一电容器C1的第二电极和第二电容器C2的第二电极。
可以根据栅电极处的电压来设置第一晶体管T1的导通程度，并且可以根据导通程度来设置从第一晶体管T1的第一电极流到第二电极的电流的大小。从第一晶体管T1的第一电极流到第二电极的电流可以等于在发光区段中流到发光器件LED的电流，因此其也可以被称为发光电流。在此，第一晶体管T1可以是n型晶体管，并且随着栅电极的电压增大，更大的发光电流可以流动。在发光电流增大的情况下，发光器件LED可以显示高亮度。
第二晶体管T2(也称为数据输入晶体管)可以包括：栅电极，连接到用于施加第一扫描信号GW的第一扫描线161；第一电极(输入侧电极)，连接到用于施加数据电压VDATA的数据线171；以及第二电极(输出侧电极)，连接到第一电容器C1的第一电极、第一晶体管T1的栅电极和第四晶体管T4的第二电极。第二晶体管T2可以根据第一扫描信号GW将数据电压VDATA输入到像素中以将数据电压VDATA传输到第一晶体管T1的栅电极，并且可以将数据电压VDATA存储在第一电容器C1的第一电极中。
第三晶体管T3(也称为第一电压传输晶体管或第二初始化电压传输晶体管)可以包括：栅电极，连接到用于施加第二扫描信号GC的第二扫描线162；第一电极(输入侧电极)，连接到用于施加第二初始化电压Vcint的第二初始化电压线176；以及第二电极(输出侧电极)，连接到第一晶体管T1的第一电极和第五晶体管T5的第二电极。第三晶体管T3可以将第二初始化电压Vcint不通过发光器件LED而传输到第一晶体管T1。在此，第二初始化电压Vcint可以以与第一驱动电压ELVDD类似的方式具有正电压值。根据实施例，可以不施加第二初始化电压Vcint而是施加第一驱动电压ELVDD或偏置电压(Vbias)。在电流流到发光器件LED的情况下，发光器件LED可能不必要地发光，因此第三晶体管T3可以在单独的路径上将第二初始化电压Vcint传输到第一晶体管T1。因此，第三晶体管T3可以在发光区段中不导通，并且其可以在其他区段中导通。
第四晶体管T4(也称为参考电压传输晶体管)可以包括：栅电极，连接到用于施加第三扫描信号GR的第三扫描线163；第一电极，连接到用于施加参考电压Vref的参考电压线173；以及第二电极，连接到第一电容器C1的第一电极、第一晶体管T1的栅电极和第二晶体管T2的第二电极。第四晶体管T4可以将参考电压Vref传输到第一电容器C1的第一电极和第一晶体管T1的栅电极以初始化第一电容器C1的第一电极和第一晶体管T1的栅电极。
第五晶体管T5(也称为阴极连接晶体管)可以包括：栅电极，连接到用于施加第一发光信号EM1的第一发光信号线164；第一电极，连接到发光器件LED的阴极和第七晶体管T7的第二电极；以及第二电极，连接到第一晶体管T1的第一电极和第三晶体管T3的第二电极。第五晶体管T5可以基于第一发光信号EM1而将第一晶体管T1的第一电极和发光器件LED连接以形成电流路径并允许发光器件LED发光。
第六晶体管T6(也称为低驱动电压施加晶体管)可以包括：栅电极，连接到用于施加第一发光信号EM1的第一发光信号线164；第一电极，连接到第一晶体管T1的第二电极、第八晶体管T8的第二电极、第一电容器C1的第二电极和第二电容器C2的第二电极；以及第二电极，用于接收第二驱动电压ELVSS。第六晶体管T6可以基于第一发光信号EM1将第二驱动电压ELVSS传输到第一晶体管T1的第二电极，或者可以阻断第二驱动电压ELVSS。
第七晶体管T7(也称为第二初始化电压传输晶体管)可以包括：栅电极，连接到用于施加第二扫描信号GC的第二扫描线162；第一电极(输入侧电极)，连接到第二初始化电压线176；以及第二电极(输出侧电极)，连接到发光器件LED的阴极和第五晶体管T5的第一电极。第七晶体管T7可以将第二初始化电压Vcint传输到阴极，并且将阴极的电压电平改变为第二初始化电压Vcint，以消除由于在阴极处剩余的电荷而无法显示黑色的问题，并且从而精确地显示黑色。在此，第二初始化电压Vcint可以以与第一驱动电压ELVDD类似的方式具有正电压值。根据实施例，可以不施加第二初始化电压Vcint，而是施加第一驱动电压ELVDD或偏置电压(Vbias)。
第八晶体管T8(也称为第一初始化电压传输晶体管)可以包括：栅电极，连接到用于施加第四扫描信号GI的第四扫描线166；第一电极(输入侧电极)，连接到第一初始化电压线177；以及第二电极(输出侧电极)，连接到第一晶体管T1的第二电极、第六晶体管T6的第一电极、第一电容器C1的第二电极和第二电容器C2的第二电极。第八晶体管T8可以将第一初始化电压Vint传输到第一晶体管T1的第二电极、第六晶体管T6的第一电极、第一电容器C1的第二电极以及第二电容器C2的第二电极以初始化第一晶体管T1的第二电极、第六晶体管T6的第一电极、第一电容器C1的第二电极以及第二电容器C2的第二电极。
关于图3的实施例，所有晶体管可以由n型晶体管形成，并且这些晶体管可以在栅电极处的电压是高电平电压的情况下导通，并且它们可以在栅电极处的电压是低电平电压的情况下截止。各个晶体管中包括的半导体层可以使用多晶硅半导体或氧化物半导体，并且可以另外使用非晶半导体或单晶半导体。
根据实施例，各个晶体管中包括的半导体层可以进一步包括重叠层(或附加栅电极)，并且可以通过将电压施加到重叠层(或附加栅电极)以改变晶体管的特性来提高像素的显示质量。
第一电容器C1可以包括：第一电极，连接到第一晶体管T1的栅电极、第二晶体管T2的第二电极和第四晶体管T4的第二电极；以及第二电极，连接到第一晶体管T1的第二电极、第六晶体管T6的第一电极、第八晶体管T8的第二电极和第二电容器C2的第二电极。第一电容器C1的第一电极可以从第二晶体管T2接收数据电压VDATA并存储数据电压VDATA。
第二电容器C2可以包括：第一电极，连接到第二驱动电压线179；以及第二电极，连接到第一晶体管T1的第二电极、第六晶体管T6的第一电极、第八晶体管T8的第二电极和第一电容器C1的第二电极。第二电容器C2可以保持在第一晶体管T1的第二电极和第一电容器C1的第二电极处的电压。根据实施例，第二电容器C2的第一电极可以连接到第一驱动电压线172，或者可以省略第二电容器C2。
发光器件LED可以包括：阳极，连接到第一驱动电压线172并接收第一驱动电压ELVDD；以及阴极，连接到第五晶体管T5的第一电极和第七晶体管T7的第二电极。发光器件LED的阴极可以经由第五晶体管T5连接到第一晶体管T1。发光器件LED可以布置在像素驱动器PC与第一驱动电压线172之间，与可流到像素驱动器PC的第一晶体管T1的电流相同的电流流动，并且发射亮度可以根据对应电流的大小而确定。发光器件LED可以包括在阳极与阴极之间的发射层，该发射层包括有机发光材料和无机发光材料中的至少一种。根据实施例的发光器件LED的详细堆叠结构可以与图7中所示的堆叠结构类似。
根据图3的实施例的像素可以执行用于感测第一晶体管T1的特性(阈值电压)的改变的补偿操作，并且可以显示恒定的显示亮度，而与第一晶体管T1的特性的改变无关。
参考图3，发光器件LED可以布置在第一晶体管T1的第一电极与第一驱动电压线172之间。像素也可以被称为反转像素，以将其与发光器件LED布置在第一晶体管T1与第二驱动电压线179之间的像素区分开。发光器件LED可以根据在从第一驱动电压线172通过第一晶体管T1连接到第二驱动电压线179的电流路径上流动的电流的大小来显示亮度，并且所显示的亮度可以随着电流增大而增大。关于图3的反转像素结构，第一晶体管T1的第一电极可以连接到发光器件LED并且可以与第一晶体管T1的第二电极(源电极)隔离，因此在像素驱动器PC的各个部分处的电压改变的情况下，第一晶体管T1的第二电极(源电极)处的电压可以不改变。具体地，在第六晶体管T6导通的情况下，第一电容器C1的第二电极处的电压可能减小并且第一电容器C1的第一电极处的电压可能减小，因此由第一晶体管T1供应的输出电流可能减小，但是在实施例中可以消除第一晶体管T1的输出电流减小的问题。这将在描述图3的像素的操作的同时详细描述。
图3的实施例描述一个像素P包括八个晶体管T1至T8以及两个电容器(第一电容器C1和第二电容器C2)，并且不限于此，根据实施例，一个像素P可以包括更多的电容器或晶体管，或者可以省略一些电容器或晶体管。
已经参考图3描述根据实施例的像素的电路结构。
现在将参考图4描述施加到图3的像素的信号的波形以及对应的像素操作。
图4是施加到图3的像素的信号的示意性波形图。
参考图4，施加到像素的信号可以包括初始化区段、补偿区段、写入区段和发光区段。
在发光区段中，发光器件LED可以发光，并且具有栅导通电压(高电平电压)的第一发光信号EM1可以被施加，并且第五晶体管T5和第六晶体管T6可以导通。第一扫描信号GW、第二扫描信号GC、第三扫描信号GR和第四扫描信号GI可以应用栅截止电压(低电平电压)。作为结果，可以形成按第一驱动电压ELVDD、发光器件LED、第五晶体管T5、第一晶体管T1、第六晶体管T6和第二驱动电压ELVSS的顺序的电流路径。在电流路径上流动的电流的大小可以根据第一晶体管T1的沟道的导通程度来确定，并且第一晶体管T1的沟道的导通程度由第一晶体管T1的栅电极(或第一电容器C1的第一电极)处的电压来确定。因此，随着根据第一晶体管T1的栅电极处的电压产生的输出电流沿着包括发光器件LED的电流路径流动，发光器件LED可以发光。图4示出作为短暂出现的其中发光信号应用栅导通电压(高电平电压)的发光区段，但是实际上，发光区段具有最长的时间。然而，发光区段执行如上所述的简单操作，因此在图4中简单地示出。
随着第一发光信号EM1可以改变为栅截止电压(低电平电压)，发光区段结束并且初始化区段可以开始。
参考图4，在初始化区段中，第三扫描信号GR可以改变为栅导通电压(高电平电压)，并且第四扫描信号GI可以改变为栅导通电压(高电平电压)。在此，第一扫描信号GW、第二扫描信号GC和第一发光信号EM1可以应用栅截止电压(低电平电压)。
连接到被施加改变为栅导通电压(高电平电压)的第三扫描信号GR的第三扫描线163的第四晶体管T4可以被导通，并且参考电压Vref可以被传输到第一晶体管T1的栅电极和第一电容器C1的第一电极以进行初始化。在此，参考电压Vref可以具有用于导通第一晶体管T1的电压值。
第四扫描信号GI可以改变为栅导通电压(高电平电压)，并且可以施加第四扫描信号GI以导通第八晶体管T8，并且作为结果，可以用第一初始化电压Vint初始化第一晶体管T1的第二电极、第六晶体管T6的第一电极、第一电容器C1的第二电极和第二电容器C2的第二电极。
第四扫描信号GI可以改变为栅截止电压(低电平电压)，初始化区段可以结束，并且补偿区段可以开始。
参考图4，在补偿区段中，第三扫描信号GR可以保持栅导通电压(高电平电压)，并且第二扫描信号GC可以改变为栅导通电压(高电平电压)。在该情形中，第一扫描信号GW、第四扫描信号GI和第一发光信号EM1可以应用栅截止电压(低电平电压)。
随着参考电压Vref可以通过导通的第四晶体管T4连续地传输到第一晶体管T1的栅电极和第一电容器C1的第一电极，第三晶体管T3和第七晶体管T7可以通过另外施加的栅导通电压(高电平电压)的第二扫描信号GC导通，并且第二初始化电压Vcint可以传输到第一晶体管T1的第一电极和发光器件LED的阴极。在该情形中，第一晶体管T1可以通过参考电压Vref而具有导通状态，并且第一晶体管T1的值(Vgs)可以等于第一晶体管T1的阈值电压(Vth)值。在此，可以通过从第一晶体管T1的栅电极处的电压减去第二电极(源电极)处的电压来获得该值(Vgs)，因此第一晶体管T1的第二电极(源电极)处的电压值具有比栅电极处的电压低第一晶体管T1的阈值电压(Vth)的电压值(Vref-Vth)。导通的第七晶体管T7可以将阴极的电压电平改变为第二初始化电压Vcint以用第二初始化电压Vcint初始化阴极处的电压，并且去除阴极处剩余的电荷以消除不能显示黑色的问题。
参考图4，第二扫描信号GC可以改变为栅截止电压(低电平电压)，第三扫描信号GR可以改变为栅截止电压(低电平电压)，并且写入区段可以开始。
在写入区段中，第一扫描信号GW可以应用栅导通电压(高电平电压)。在此，用于将第一扫描信号GW保持在栅导通电压的区段可以是区段(1H)。区段(1H)表示一个水平周期，并且该一个水平周期可以对应于一个水平同步信号(Hsync)。区段(1H)可以表示在将栅导通电压施加到扫描线之后将栅导通电压施加到下一行中的扫描线的时间。在写入区段中，第二扫描信号GC、第三扫描信号GR、第四扫描信号GI和第一发光信号EM1可以应用栅截止电压(低电平电压)。
在写入区段中，被施加栅导通电压(高电平电压)的第二晶体管T2可以导通，并且其他晶体管可以截止。作为结果，数据电压VDATA可以输入像素，并且可以施加到第一晶体管T1的栅电极和第一电容器C1的第一电极。第一晶体管T1的第二电极处的电压值以与补偿区段类似的方式具有比栅电极处的电压低第一晶体管T1的阈值电压(Vth)的电压值(Vref-Vth)。
第三晶体管T3和第五晶体管T5可以截止，因此第一晶体管T1的第一电极可以与第一驱动电压线172和发光器件LED电隔离。
参考图4，第一发光信号EM1可以改变为栅导通电压(高电平电压)，并且发光区段可以开始。在此，第一扫描信号GW、第二扫描信号GC、第三扫描信号GR和第四扫描信号GI可以应用栅截止电压(低电平电压)。
第五晶体管T5和第六晶体管T6可以通过第一发光信号EM1导通，并且可以按第一驱动电压ELVDD、发光器件LED、第五晶体管T5、第一晶体管T1、第六晶体管T6和第二驱动电压ELVSS的顺序形成电流路径。在该电流路径上流动的电流的大小可以由第一晶体管T1的导通程度确定，并且第一晶体管T1的导通程度可以根据施加到栅电极的数据电压VDATA的大小来确定。发光器件LED可以根据在该电流路径上流动的电流(IOLED)的大小来显示不同的亮度。
在发光区段开始并且第六晶体管T6可以导通的情况下，第一电容器C1的第二电极和第一晶体管T1的第二电极处的电压可以改变为第二驱动电压ELVSS。在第一电容器C1的第二电极处的电压值改变的情况下，第一电容器C1的第一电极处的电压值可以改变。第一电容器C1的第一电极处的电压变化值可以等于第一电容器C1的第二电极处的电压变化值。
在写入区段中，第一晶体管T1的第二电极和第一电容器C1的第二电极处的电压值可以具有通过从参考电压值(Vref)中减去第一晶体管T1的阈值电压(Vth)而获得的值(Vref-Vth)，因此在写入区段改变为发光区段的情况下，第一电容器C1的第二电极处的电压的变化和第一电容器C1的第一电极处的电压的变化(ΔV)在等式1中给出：
[等式1]
ΔV＝VELVSS-(Vref-Vth)
在此，Vref可以是参考电压Vref的电压值，Vth可以是第一晶体管T1的阈值电压值，并且VELVSS可以是第二驱动电压ELVSS的电压值。
在该情形中，在发光区段中流到发光器件LED的电流(IOLED)可以如等式2中所示获得：
[等式2]
IOLED＝k/2×(Vgs-Vth)2
＝k/2×[(Vdata+ΔV-VELVSS)-Vth]2
＝k/2×[(Vdata+(VELVSS-Vref+Vth)-VELVSS)-Vth]2
＝k/2×(Vdata-Vref)2
在此，k可以是常数，Vdata可以是数据电压VDATA的电压值，Vref可以是参考电压Vref的电压值，Vth可以是第一晶体管T1的阈值电压值，VELVSS可以是第二驱动电压ELVSS的电压值，Vgs可以是第一晶体管T1的栅电极与第二电极之间的电压差，并且ΔV使用等式1的值。
因此，流到发光器件LED的电流(IOLED)的值可以由数据电压VDATA的值和参考电压Vref的值确定，并且可以具有与第一晶体管T1的阈值电压(Vth)没有联系的值，因此具有在第一晶体管T1的特性改变的情况下产生恒定输出电流(IOLED)的优点。
在发光区段中，可以施加第二驱动电压ELVSS，并且可以消除如等式1中所表达的在栅电极处产生的电压变化(ΔV)，因此不需要考虑电压变化(ΔV)，而是考虑数据电压VDATA和参考电压Vref的值，并且作为优点，电流不根据第一晶体管T1的特性而改变。
第一驱动电压ELVDD的电压值被设置为大于通过从参考电压Vref的电压值中减去第一晶体管T1的阈值电压值而获得的值，并且第二驱动电压ELVSS的电压值可以被设置为小于通过从参考电压Vref的电压值中减去第一晶体管T1的阈值电压值而获得的值。
上面已经描述图3的像素和该像素根据图4的波形的操作。现在将参考图5描述根据另一实施例的发光器件ED1和ED2以及像素驱动器PC1和PC2的电路结构。
图5是根据另一实施例的发光显示装置中包括的像素的等效电路的示意图。
参考图5，像素可以包括发光器件LED和用于驱动发光器件LED的像素驱动器PC。像素驱动器PC可以包括除发光器件LED之外的所有元件，并且像素驱动器PC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和第一电容器C1。
像素驱动器PC可以连接到用于施加第一扫描信号GW的第一扫描线161和用于施加数据电压VDATA的数据线171。像素可以连接到用于施加驱动电压ELVDD(第一驱动电压)的第一驱动电压线172和用于施加低驱动电压ELVSS(第二驱动电压)的第二驱动电压线179。
现在将着重于像素中包括的各个元件(晶体管、电容器和发光器件)来描述像素的电路结构。
第一晶体管T1(或驱动晶体管)可以包括：栅电极，连接到第一电容器C1的第一电极和第二晶体管T2的第二电极；第一电极(输入侧电极)，连接到发光器件LED的阴极；以及第二电极(输出侧电极)，用于接收第二驱动电压ELVSS。
第一晶体管T1的导通程度可以根据栅电极处的电压来确定，并且从第一晶体管T1的第一电极流到第二电极的电流的大小可以根据导通程度来确定。从第一晶体管T1的第一电极流到第二电极的电流可以等于流到发光器件LED的电流，并且其也可以被称为发光电流。在此，第一晶体管T1可以是n型晶体管，并且随着栅电极的电压增大，更大的发光电流可以流动。在发光电流大的情况下，发光器件LED可以显示高亮度。
第二晶体管T2(数据输入晶体管)可以包括：栅电极，连接到用于施加第一扫描信号GW的第一扫描线161；第一电极(输入侧电极)，连接到用于施加数据电压VDATA的数据线171；以及第二电极(输出侧电极)，连接到第一电容器C1的第一电极和第一晶体管T1的栅电极。第二晶体管T2可以根据第一扫描信号GW将数据电压VDATA输入到像素，以将数据电压VDATA传输到第一晶体管T1的栅电极并将数据电压VDATA存储在第一电容器C1的第一电极中。
所有晶体管可以是n型晶体管，并且在栅电极处的电压是高电平电压的情况下，晶体管可以导通，并且在栅电极处的电压是低电平电压的情况下，晶体管可以截止。各个晶体管中包括的半导体层可以使用多晶硅半导体或氧化物半导体，并且可以另外使用非晶半导体或单晶半导体。
根据实施例，各个晶体管中包括的半导体层可以进一步包括与半导体层重叠的重叠层(或附加栅电极)，并且可以通过将电压施加到重叠层来改变晶体管的特性并且可以提高像素的显示质量。
第一电容器C1可以包括：第一电极，连接到第一晶体管T1的栅电极和第二晶体管T2的第二电极；以及第二电极，用于接收第二驱动电压ELVSS。第一电容器C1的第一电极可以从第二晶体管T2接收数据电压VDATA并存储数据电压VDATA。根据实施例，第一电容器C1的第二电极可以接收第一驱动电压ELVDD。
发光器件LED可以包括：阳极，连接到第一驱动电压线172并接收第一驱动电压ELVDD；以及阴极，连接到第一晶体管T1的第一电极。发光器件LED可以布置在像素驱动器PC与第一驱动电压线172之间，与流到像素驱动器PC的第一晶体管T1的电流相同的电流流动，并且发射亮度可以根据对应电流的大小而确定。发光器件LED可以包括在阳极与阴极之间的发射层，该发射层包括有机发光材料和无机发光材料中的至少一种。根据实施例的发光器件LED的详细堆叠结构可以与图7中所示的堆叠结构相同。
参考图5，发光器件LED可以布置在第一晶体管T1的第一电极与第一驱动电压线172之间。像素也可以被称为反转像素，以将其与发光器件LED布置在第一晶体管T1和第二驱动电压线179之间的像素区分开。发光器件LED可以根据在从第一驱动电压线172通过第一晶体管T1连接到第二驱动电压线179的电流路径上流动的电流的大小来显示亮度，并且所显示的亮度可以随着电流增大而增大。
图5示出根据实施例的一个像素P可以包括两个晶体管T1和T2以及一个电容器(第一电容器C1)，并且不限于此，根据实施例，像素P可以包括附加的电容器或晶体管。
在下文中，可以在第二显示区域DA2中形成多个第二像素，并且现在将参考图6描述根据实施例的多个发光器件与第二像素驱动器之间的连接关系。
图6是根据实施例的像素驱动器与发光器件之间的连接的示意性俯视图。
图6示出第二显示区域DA2的一部分，并且第二-1显示区域DA2-1和第二-2显示区域DA2-2可以相对于第二方向DR2彼此区分。图6中所示的第二显示区域DA2可以是图1中布置在第一显示区域DA1的第二方向DR2的相反方向上(例如，在第一显示区域DA1的下侧)的第二显示区域DA2，并且第一显示区域DA1可以在图6中布置在第二方向DR2上的上侧。
例如，参考图6，第二显示区域DA2可以由虚线划分为两个区，并且第二像素驱动器PC2可以布置在布置于在第二方向DR2上的上侧的第二-1显示区域DA2-1中，并且第二发光器件ED2和第二像素驱动器PC2可以在平面图中在第二-1显示区域DA2-1中彼此重叠。并非第二像素驱动器PC2而是图2的外围驱动器DR(未示出)可以布置在布置于在第二方向DR2上的下侧的第二-2显示区域DA2-2中。第二发光器件ED2和第二像素驱动器PC2可以在平面图中在第二-2显示区域DA2-2中彼此不重叠。在此，第二发光器件ED2可以对应于布置在图7的像素限定层380的图7的开口OPed和OPedc中的图7的发射层EML2r和EMLc。因此，第二像素驱动器PC2和布置在图7的像素限定层380的图7的开口OPedc中的图7的发射层EMLc可以在平面图中在第二-2显示区域DA2-2中彼此不重叠。第二像素驱动器PC2和布置在图7的像素限定层380的图7的开口OPed中的图7的发射层EML2r可以在平面图中在第二-1显示区域DA2-1中彼此重叠。第一像素驱动器PC1和布置在图7的像素限定层380的开口中的发射层可以在平面图中在第一显示区域DA1中彼此重叠。
由图6的第二显示区域DA2中的第二发光器件ED2发光，并且第二像素驱动器PC2、第二发光器件ED2和外围驱动器DR可以布置在第二显示区域DA2中。第二像素驱动器PC2可以电连接到第二发光器件ED2，并且第二像素驱动器PC2可以将电流供应到第二发光器件ED2。由第二发光器件ED2发光的区可以对应于第二显示区域DA2。布置在第二显示区域DA2中的第二发光器件ED2可以被分成布置在第二像素驱动器PC2上的第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b(也称为主发光器件或第二主发光器件)以及布置在诸如扫描信号生成器的外围驱动器DR上的第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb(也称为附加发光器件)。
具体地，图6的第二显示区域DA2可以包括布置在第二-1显示区域DA2-1中的第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b以及第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b，并且可以进一步包括布置在第二-2显示区域DA2-2中的第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb。在此，r、g和b可以表示红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，并且显示相同颜色的第二像素驱动器、第二主发光器件以及附加发光器件也可以彼此电连接。
图6用虚线示出第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b，并且它们可以具有如图3或图5中所示的电路结构。第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b可以通过接触孔OPt连接到阴极连接线CL1r、CL1g和CL1b的至少一侧，并且阴极连接线CL1r、CL1g和CL1b的另一侧可以通过接触孔PCo电连接到第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b。
参考图6，将第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b与阴极连接线CL1r、CL1g和CL1b连接的接触孔OPt可以在第一方向DR1上设置。将阴极连接线CL1r、CL1g和CL1b与阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b连接的接触孔PCo，并且具体是通过图7的辅助连接电极Anode-co而将阴极连接线CL1r、CL1g和CL1b与阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b连接的接触孔PCo，可以布置成在第一方向DR1上彼此相邻。
第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b(也称为主阴极)可分别由隔离件SEP区分，并延伸到第二-2显示区域DA2-2，因此它们可以用作第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb的阴极。彼此隔离的各个阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b可以区分为布置在第二-1显示区域DA2-1中的部分、布置在第二-2显示区域DA2-2中的部分以及将这两个部分连接的部分。具体地，一体形成的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b可以包括在平面图中与第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b的发射层重叠的第一部分、在平面图中与第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb的发射层重叠的第二部分以及将第一部分和第二部分连接的连接件。在此，与其他部分相比，连接件可以具有相对窄的宽度，并且连接件的宽度可以是与从第一部分到第二部分的方向垂直的方向(例如，图6的第一方向DR1)的宽度。阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b的各个部分可以被一个隔离件SEP围绕，并且阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b的各个部分中的至少一个部分可以在平面图中与隔离件SEP重叠。
作为结果，由第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b输出的电流可以传输到第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b以及第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b，使得第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b以及第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb可以发光。
参考图6，隔离件SEP可以在三个接触孔PCo在第一方向DR1上相邻的部分上在三个接触孔PCo之间穿过，使得通过三个接触孔PCo进行连接的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b可以电隔离。隔离件SEP可以在接触孔PCo周围弯曲。
参考图6，各个发光器件ED2r、ED2g、ED2b、ED2cr、ED2cg和ED2cb被示出，并且对应的位置可以与其中布置有包括在各个发光器件ED2r、ED2g、ED2b、ED2cr、ED2cg和ED2cb中的发射层(例如，图7的发射层EML2r和EMLc)的区对应，或者它们可以与图7的像素限定层380的开口(例如，图7的开口OPed和OPedc)或各个发光区对应。
各个阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b可以彼此电隔离，并且可以通过隔离件SEP隔离。隔离件SEP可以对应于用灰色标记的部分。隔离件SEP可以具有围绕各个阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b的平面形状，并且可以隔离相邻的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b。如图7中所示，各个隔离件SEP可以向上突出并且可以是倒锥形的。例如，具有倒锥形侧壁并布置在隔离件SEP的各个侧的阴极可以彼此电隔离。
根据上述结构，第二发光器件ED2可以布置在其中形成有外围驱动器DR的区中，因此可以形成具有扩展面积的显示区域DA。根据实施例，一个像素驱动器可以连接到至少一条扫描线，以便产生精确的电流并将其提供给发光器件，并且在该情形中，扫描信号生成器的面积可能增大。然而，在根据本公开的实施例中，第二发光器件ED2可以布置在诸如扫描信号生成器的外围驱动器DR上以便第二发光器件ED2包括在显示区域DA中并防止显示区域DA减小，并且从而允许更大的显示区域DA。
在图6的实施例中，第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb中的一个可以连接到第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b中的一个，并且根据实施例，两个或更多个第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb可以连接到第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b中的一个。
图6中所示的第二显示区域DA2可以是布置在第一显示区域DA1的第二方向DR2的相反方向上(例如，在图1中的下侧)的第二显示区域DA2。然而，与图6具有类似结构的第二显示区域DA2可以布置在图1中所示的另一个第二显示区域DA2中。在该情形中，第二-2显示区域DA2-2可以布置在第二-1显示区域DA2-1的外侧，并且它们的连接关系可以与图6中所示的连接关系相同。
现在将结合图7的截面结构详细描述图6的平面结构。
图7是根据图6的实施例的发光器件的连接的示意性截面图。
图7总体上示出红色的第二-1发光器件ED2r和第二-2发光器件ED2cr，并且下部的第二像素驱动器可以是红色的第二像素驱动器PC2r。
图7示出布置在平坦化层181和182下部的第二像素驱动器PC2r中包括的晶体管。在此，参考图6描述的发光器件可以对应于布置在像素限定层380的开口中的发射层的平面结构，并且发光器件可以进一步包括布置在发射层上部和下部的阳极和阴极。阳极可以布置在发射层下部或上部，并且阴极可以布置在阳极的相反侧。因此，阳极和阴极可以被称为第一电极和第二电极。在截面图中，第一电极、像素限定层、中间层(包括发射层)和第二电极可以被称为发光器件层，并且布置在发光器件层下部并构成晶体管和电容器的导电层、半导体层和绝缘层可以被称为驱动元件层。
现在将描述从基板110到平坦化层181和182的结构，例如驱动元件层的结构。
基板110可以包括刚性且不弯曲的诸如玻璃的材料，或者可以包括弯曲的诸如塑料或聚酰亚胺的柔性材料。柔性基板可以具有其中重复形成聚酰亚胺和由无机绝缘材料制成的阻挡层的结构。
包括金属的下屏蔽层BML1和BML2可以布置在基板110上。下屏蔽层BML1可以与晶体管的沟道重叠，并且下屏蔽层BML2可以与电容器重叠。
基板110以及下屏蔽层BML1和BML2可以被缓冲层111覆盖。缓冲层111可以防止杂质渗透到第一半导体层ACT1中，并且可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)的无机绝缘层。
由氧化物半导体或多晶半导体制成的第一半导体层ACT1可以布置在缓冲层111上。第一半导体层ACT1可以包括包含驱动晶体管的多晶硅晶体管的沟道以及布置在沟道的各个侧的第一区和第二区。多晶硅晶体管可以是驱动晶体管和其他开关晶体管。第一半导体层ACT1的沟道的各个侧可以具有通过等离子体处理或掺杂而具有导电层的特性的区，并且可以用作晶体管的第一电极和第二电极。
第一栅绝缘层141可以布置在第一半导体层ACT1上。第一栅绝缘层141可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)的无机绝缘层。
包括多晶硅晶体管的栅电极GE1和是第一电容器C1的一个电极的第一存储电极CE1的第一栅导电层可以布置在第一栅绝缘层141上。根据实施例，第一存储电极CE1可以与驱动晶体管的栅电极GE1一体形成。除了多晶硅晶体管的栅电极GE1之外，扫描线或发光信号线可以由第一栅导电层形成。第一栅导电层可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属和/或其金属合金，并且可以被配置为单层或多层。
通过形成第一栅导电层并执行等离子体处理或掺杂工艺，可以将第一半导体层ACT1的暴露区制成导体。例如，可以不将被栅电极GE1覆盖的第一半导体层ACT1制成导体，并且第一半导体层ACT1的不被栅电极GE1覆盖的部分可以与导电层具有相同的特性。
第二栅绝缘层142可以布置在第一栅导电层和第一栅绝缘层141上。第二栅绝缘层142可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)的无机绝缘层。
包括是第一电容器C1的一个电极的第二存储电极CE2的第二栅导电层可以布置在第二栅绝缘层142上。第二栅导电层可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属和/或其金属合金，并且可以被配置为单层或多层。
第一层间绝缘层151可以布置在第二栅导电层上。第一层间绝缘层151可以包括包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)的无机绝缘层，并且根据实施例，无机绝缘材料可以制造为厚的。
包括连接电极SE1和DE1的第一数据导电层可以布置在第一层间绝缘层151上，连接电极SE1和DE1可以分别连接到多晶硅晶体管的第一半导体层ACT1的第一区和第二区。参考图7，连接电极SE1可以连接到第一半导体层ACT1的第一区，并且可以连接到下屏蔽层BML1。第一数据导电层可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属和/或其金属合金，并且可以被配置为单层或多层。
第一平坦化层181可以布置在第一数据导电层上。第一平坦化层181可以是包括有机材料的有机绝缘体，并且有机材料可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中的至少一种材料。接触孔OPt可以布置在第一平坦化层181中，并且连接电极DE1可以由接触孔OPt暴露。接触孔OPt可以在平面图中与连接电极DE1的一部分重叠。
包括阴极连接线CL1r的第二数据导电层可以布置在第一平坦化层181上。第二数据导电层可以包括数据线或第一驱动电压线。第二数据导电层可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属和/或其金属合金，并且可以被配置为单层或多层。阴极连接线CL1r通过布置在第一平坦化层181中的接触孔OPt连接到连接电极DE1。参考图7，阴极连接线CL1r和第二数据导电层可以具有三层结构，并且该三层结构可以具有包括钛(Ti)的下层和上层以及在下层与上层之间的包括铝(Al)的中间层。
第二平坦化层182可以布置在第二数据导电层上，并且第二平坦化层182可以是有机绝缘体，并且可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中的至少一种材料。接触孔PCo可以布置在第二平坦化层182中，并且阴极连接线CL1r可以通过接触孔PCo暴露。在平面图中，接触孔PCo可以与阴极连接线CL1r的一部分重叠。
可以在第二平坦化层182上形成发光器件ED2r和ED2cr的相应阳极Anode2r和Anode2cr以及辅助连接电极Anode-co。在此，辅助连接电极Anode-co可以由与阳极Anode2r和Anode2cr的材料相同的材料制成。
第二-1发光器件ED2r的阳极Anode2r(也称为第二主阳极或主阳极)和第二-2发光器件ED2cr的阳极Anode2cr(也称为附加阳极)可以电连接到第一驱动电压线172并接收第一驱动电压ELVDD。
辅助连接电极Anode-co可以布置在接触孔PCo附近，并且可以支持阴极Cathode2r和阴极连接线CL1r通过接触孔PCo电连接。在执行湿法蚀刻以形成阳极的情况下，银(Ag)颗粒可能在包括暴露的铝(Al)的第二数据导电层周围还原/析出，并且在接下来的工艺中可能产生缺陷，因此通过在对应部分上形成是阳极材料的辅助连接电极Anode-co，可以不产生银颗粒并且可以去除缺陷。没有这种缺陷的实施例可以在电连接阴极Cathode2r和阴极连接线CL1r没有问题的情况下省略辅助连接电极Anode-co。
具有用于暴露阳极Anode2r和Anode2cr以及辅助连接电极Anode-co的开口OPed、OPedc和OPco并且覆盖阳极Anode2r和Anode2cr以及辅助连接电极Anode-co的至少一部分的像素限定层380可以布置在阳极Anode2r和Anode2cr以及辅助连接电极Anode-co上。像素限定层380可以是由黑色有机材料制成并且防止外部光反射到外部的黑色像素限定层，并且根据实施例，像素限定层380可以由透明有机材料制成。像素限定层380中用于暴露阳极Anode2r和Anode2cr的开口OPed和OPedc可以在平面图中对应于发光器件ED2r和ED2cr，并且像素限定层380的开口的边界可以对应于发光器件ED2r、ED2g、ED2b、ED2cr、ED2cg和ED2cb和/或各个发光区的边界。
隔离件SEP可以布置在像素限定层380上。隔离件SEP可以具有倒锥形侧壁，使得布置在隔离件SEP上部的层可以在隔离件SEP附近断开。例如，布置在隔离件SEP上部的功能层FL和阴极Cathode2r可以在倒锥形侧壁上电隔离，如图7中所示。隔离件SEP可以由与像素限定层380的材料相同的材料制成，或者可以根据另一工艺由与像素限定层380的材料不同的材料制成。
第一功能层FL-1可以布置在像素限定层380和隔离件SEP上，并且第一功能层FL-1可以在隔离件SEP附近断开。
发射层EML2r和EMLc布置在第一功能层FL-1上，并且也分别布置在由像素限定层380的开口OPed和OPedc暴露的阳极Anode2r和Anode2cr上。
第二功能层FL-2可以布置在第一功能层FL-1以及发射层EML2r和EMLc上，并且第二功能层FL-2可以在隔离件SEP附近断开。
第一功能层FL-1和第二功能层FL-2可以在其中没有布置发射层EML2r和EMLc的区附近彼此接触。
阴极Cathode2r可以布置在第二功能层FL-2上，并且各个阴极Cathode2r可以相对于隔离件SEP彼此隔离。阴极Cathode2r之中与发射层EML2r重叠的部分(也称为主阴极)可以构成第二-1发光器件ED2r的阴极，并且阴极Cathode2r之中与发射层EMLc重叠的部分(也称为附加阴极)可以构成第二-2发光器件ED2cr的阴极。例如，如图7中所示，第二-1发光器件ED2r的阴极和第二-2发光器件ED2cr的阴极一体地形成为一个阴极Cathode2r。
功能层FL和发射层EML2r或EMLc的组合可以被称为中间层。功能层FL可以包括诸如电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层的辅助层中的至少一个，布置在发射层EML2r和EMLc下部的第一功能层FL-1可以包括空穴注入层和/或空穴传输层，并且布置在发射层EML2r和EMLc上部的第二功能层FL-2可以包括电子传输层和/或电子注入层。
第二-1发光器件ED2r可以包括阳极Anode2r、发射层EML2r和是阴极Cathode2r的一部分的主阴极，并且可以进一步包括布置在阳极Anode2r与发射层EML2r之间的第一功能层FL-1以及布置在发射层EML2r与主阴极之间的第二功能层FL-2。
第二-2发光器件ED2cr可以包括阳极Anode2cr、发射层EMLc和是阴极Cathode2r的另一部分的附加阴极，并且可以进一步包括布置在阳极Anode2cr与发射层EMLc之间的第一功能层FL-1以及布置在发射层EMLc与附加阴极之间的第二功能层FL-2。
第二-1发光器件ED2r的是阴极Cathode2r的一部分的主阴极的端部以及布置在该端部下方的功能层FL的至少一部分可以与辅助连接电极Anode-co重叠，并且可以通过接触孔PCo电连接到阴极连接线CL1r。具体地，在图7的实施例中，阴极连接线CL1r和阴极Cathode2r的一部分可以通过侧面接触方法电连接。例如，在阴极连接线CL1r的三层结构中，包括铝(Al)的中间层可以比包括钛(Ti)的下层和上层更多地被蚀刻，并且阴极Cathode2r的一部分和阴极连接线CL1r的中间层可以利用它们之间的辅助连接电极Anode-co彼此接触并且可以彼此电连接。在该情形中，辅助连接电极Anode-co可以连接到阴极连接线CL1r的下层。图7的侧面接触方法表示根据实施例的电连接方法之一，因此根据实施例，许多其他电连接方法是可允许的。
阴极连接线CL1r可以连接到一体形成的阴极Cathode2r，并且可以电连接到第二-1发光器件ED2r的主阴极和第二-2发光器件ED2cr的附加阴极。
根据实施例，可以在像素限定层380上进一步形成间隔件(未示出)，并且间隔件可以具有锥形侧壁以防止阴极断开。
图7未示出布置在阴极上的结构，但是根据实施例，可以在阴极上布置封装层。封装层可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜，并且可以具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。封装层可以保护发射层EML2r和EMLc免受可能从外部输入的湿气或氧气的影响。根据实施例，封装层可以包括其中无机层和有机层依次进一步堆叠的结构。
根据实施例，感测绝缘层和感测电极可以布置在封装层上以感测触摸。
根据实施例，可以将包括偏振器的膜附接到封装层以减少外部光的反射，或者可以在其上进一步形成滤色器或颜色转换层以提高颜色质量。可以在滤色器与颜色转换层之间布置遮光层。根据实施例，可以进一步包括其上形成有用于吸收外部光之中具有预定或选定的波长的光的材料(在下文中，反射调节材料)的层。根据实施例，可以通过用附加平坦化层(或平坦化层)覆盖来使发光显示装置的前侧平坦。
已经描述具有参考图1描述的结构的发光显示装置，并且在图1的实施例中，第二显示区域DA2可以沿着第一显示区域DA1的外侧布置。
然而，第二显示区域DA2可以形成在与图1中所示的位置不同的位置处，并且现在将参考图8描述其实施例。
图8是根据另一实施例的发光显示装置的示意性俯视图。
根据图8的实施例的发光显示装置1000与图1的实施例的不同之处可以至少在于，第二显示区域DA2可以布置在四个拐角DA-C及其外围区域处。例如，第二显示区域DA2可以布置在与第一显示区域DA1的拐角对应的部分处。
图8具有通过减小形成在发光显示装置1000的拐角DA-C处的非显示区域并将非显示区域改变为第二显示区域DA2而具有更宽的显示区域DA的优点。
图2至图7的实施例可以应用于根据图8的实施例的发光显示装置1000。例如，图8的第二显示区域DA2的布置在拐角DA-C周围的部分可以与如图2中所示的外围驱动器DR重叠。图3至图7的实施例可以应用于发光显示装置1000。
第二显示区域DA2的拐角DA-C可以具有弯曲形状，并且在放大的情况下，该部分可以具有如图9中所示的发光器件的布局。
现在将参考图9和图10描述具有弯曲边界的第二显示区域DA2的平面和截面结构。
图9是根据实施例的像素驱动器与发光器件之间的连接的示意性俯视图，并且图10是根据图9的实施例的发光器件的连接的示意性截面图。
图9示出第二显示区域DA2和非显示区域的边界部分，并且据发现，第二-1显示区域DA2-1与第二-2显示区域DA2-2之间的用虚线标记的边界可以具有弯曲的直线形状，以便与第二显示区域DA2的曲线形状的边界对应。图9中所示的第二显示区域DA2可以布置在图8的拐角DA-C之中布置在左下方的拐角DA-C处。
图9示出在右上方的第一显示区域DA1，并且在图9左侧和底部的空白部分表示非显示区域。参考图9，在第二显示区域DA2中在一行中可以形成一组第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b、一组第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b以及一组第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb。形成在第二显示区域DA2中的第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b、第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b以及第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb的数量可以根据布置在第二-2显示区域DA2-2中的图2的外围驱动器DR(未示出)的尺寸而是多个。
具体地，图9的第二显示区域DA2可以包括布置在第二-1显示区域DA2-1中的第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b以及第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b，并且另外可以包括布置在第二-2显示区域DA2-2中的第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb。
第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b用虚线标记，并且可以具有图3或图5中所示的电路结构。第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b可以通过接触孔OPt分别连接到阴极连接线CL1r、CL1g和CL1b的一侧，并且阴极连接线CL1r、CL1g和CL1b的另一侧可以通过接触孔PCo电连接到第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b。
将第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b与阴极连接线CL1r、CL1g和CL1b连接的接触孔OPt可以在第一方向DR1上设置。将阴极连接线CL1r、CL1g和CL1b与阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b连接的接触孔PCo，具体是通过图10的辅助连接电极Anode-co将阴极连接线CL1r、CL1g和CL1b与阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b连接的三个接触孔PCo，可以在第一方向DR1上相邻地布置。
第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b(也称为主阴极)可以通过隔离件SEP区分，并且可以延伸到第二-2显示区域DA2-2，因此用作第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb的阴极。各个隔离的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b可以区分为布置在第二-1显示区域DA2-1中的部分、布置在第二-2显示区域DA2-2中的部分以及将这两个部分连接的部分。具体地，一体形成的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b可以包括在平面图中与第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b的发射层重叠的第一部分、在平面图中与第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb的发射层重叠的第二部分以及将第一部分和第二部分连接的连接件。在此，连接件可以具有比其他部分相对小的宽度，并且连接件的宽度可以是与从第一部分到第二部分的方向垂直的方向(例如，图9的第一方向DR1)的宽度。阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b的各个部分可以被隔离件SEP围绕，并且阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b的各个部分中的至少一个部分可以在平面图中与隔离件SEP重叠。
作为结果，由第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b输出的电流可以传输到第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b以及第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b，使得第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b以及第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb可以发光。
隔离件SEP可以在三个接触孔PCo在第一方向DR1上相邻的部分上在三个接触孔PCo之间穿过，以电隔离通过三个接触孔PCo进行连接的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b。隔离件SEP可以在接触孔PCo附近弯曲。
相邻的第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b可以布置在不同的行中。例如，在第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b在第一方向DR1上移动一列的情况下，可以有在第二方向DR2的相反方向上布置在下面一行的第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b。在第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b以及第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb在第一方向DR1上移动一列的情况下，可以有在与第二方向DR2相反的方向上布置在下面一行的发光器件。
各个阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b可以通过用灰色标记的隔离件SEP电隔离。隔离件SEP可以在平面图中围绕阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b，并且可以隔离相邻的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b。如图10中所示，各个隔离件SEP可以向上突出并且可以是倒锥形的。例如，它们可以具有倒锥形侧壁，因此布置在隔离件SEP的各个侧面上的阴极可以彼此电隔离。
根据上述结构，由于第二发光器件ED2可以布置在其中形成有外围驱动器DR的区中，因此可以形成具有增大面积的显示区域DA。由于图9的平面结构，第二显示区域DA2的边界可以具有图8中所示的弯曲形状。例如，在图8的拐角DA-C的边界部分被放大的情况下，第二显示区域DA2的边界可以具有如图9中所示的替代形状。
参考图9，第一显示区域DA1可以包括用虚线标记的第一像素驱动器PC1r、PC1g和PC1b以及第一发光器件ED1r、ED1g和ED1b。第一发光器件ED1r、ED1g和ED1b包括通过隔离件SEP隔离的阴极Cathode1r、Cathode1g和Cathode1b。第一像素驱动器PC1r、PC1g和PC1b可以通过接触孔OPt连接到阴极连接线CLr、CLg和CLb的一侧，并且阴极连接线CLr、CLg和CLb的另一侧可以通过接触孔PCo电连接到第一发光器件ED1r、ED1g和ED1b的阴极Cathode1r、Cathode1g和Cathode1b。
参考图9，布置在第一显示区域DA1中的三个接触孔PCo可以在第一方向DR1上相邻地布置，并且隔离件SEP在三个接触孔PCo之间穿过，使得通过三个接触孔PCo进行连接的阴极Cathode1r、Cathode1g和Cathode1b可以电隔离。隔离件SEP可以在接触孔PCo周围弯曲。在布置在图9中所示的第一显示区域DA1的第二方向DR2上的另一个第一显示区域DA1中，三个附加的接触孔PCo可以在三个所示的接触孔PCo附近在第一方向DR1上延伸。作为结果，可以聚集并形成六个接触孔PCo。
在图9的实施例中，第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb中的一个可以连接到第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b中的一个，并且根据实施例，两个或更多个第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb可以连接到第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b中的一个。
上述图9的平面结构可以具有图10的截面结构。
图10总体上示出红色的第二-1发光器件ED2r和第二-2发光器件ED2cr，并且下部的第二像素驱动器可以是红色的第二像素驱动器PC2r。
布置在图10中的平坦化层181和182下部的结构可以对应于图7中所示的结构。现在将在图10中着重于不同于图7的部分而描述根据图9的实施例的截面结构。
参考图10，阴极Cathode2r可以布置在像素限定层380和隔离件SEP上并且布置在第二功能层FL-2上。各个阴极Cathode2r可以相对于隔离件SEP隔离。阴极Cathode2r的与发射层EML2r重叠的部分(在下文中，主阴极)可以构成第二-1发光器件ED2r的阴极，并且阴极Cathode2r的与发射层EMLc重叠的部分(在下文中，附加阴极)可以构成第二-2发光器件ED2cr的阴极。例如，第二-1发光器件ED2r的阴极和第二-2发光器件ED2cr的阴极可以一体地形成，并且在图10中示出为一个阴极Cathode2r。
第二-1发光器件ED2r可以包括阳极Anode2r、发射层EML2r和主阴极(例如阴极Cathode2r的一部分)，并且可以进一步包括布置在阳极Anode2r与发射层EML2r之间的第一功能层FL-1以及布置在发射层EML2r与主阴极之间的第二功能层FL-2。
第二-2发光器件ED2cr可以包括阳极Anode2cr、发射层EMLc和是阴极Cathode2r的另一部分的附加阴极，并且可以进一步包括布置在阳极Anode2cr与发射层EMLc之间的第一功能层FL-1以及布置在发射层EMLc与附加阴极之间的第二功能层FL-2。
阴极连接线CL1r可以连接到一体形成的阴极Cathode2r，并且可以电连接到第二-1发光器件ED2r的主阴极和第二-2发光器件ED2cr的附加阴极。
根据实施例，可以在像素限定层380上进一步形成间隔件(未示出)，并且间隔件可以具有锥形侧壁以防止阴极断开。
图10示出在阴极上没有结构，并且根据实施例，可以在阴极上布置封装层。封装层可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜，并且可以具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。封装层可以保护发射层EML2r和EMLc免受可能从外部输入的湿气或氧气的影响。根据实施例，封装层可以包括其中无机层和有机层依次进一步堆叠的结构。
已经描述一实施例，在该实施例中可以将其中附加发光器件可以布置在显示区域附近的非显示区域改变为显示区域，并且可以增加显示区域，并且附加发光器件可以布置在用于产生用于操作像素的信号的外围驱动器上部。然而，附加发光器件可以布置在显示区域的外侧、外围驱动器上部等上。现在将参考图11至图14描述用于将附加发光器件布置在部件区域DA2-UPC中的实施例，部件区域DA2-UPC与布置在后侧的相机相对应。部件区域可以被称为包括透光区域的第二显示区域，包括透光区域的第二显示区域可以被第一显示区域围绕，并且透光区域可以向相机提供光。
参考图11和图12描述发光显示装置的示意性结构。
图11是根据另一实施例的发光显示装置的示意性俯视图，并且图12是图11的一部分的示意性截面图。
发光显示装置1000可以包括布置在第一显示区域DA1中并被第一显示区域DA1围绕的部件区域DA2-UPC。
发光显示装置1000可以包括发光显示面板，并且相机(未示出)可以布置在发光显示面板的部件区域DA2-UPC的后侧。根据实施例，可以在部件区域DA2-UPC的后侧布置传感器而不是相机。
部件区域DA2-UPC可以包括由用于透射光的透明层组成的区(也称为透光区域(参考图14的TA-UPC))和用于显示图像的像素(也称为第二部件像素)。在透光区域中可以不布置不透明导电层或半导体层，并且透光区域可以在包括遮光材料的层(例如像素限定层和/或遮光层)包括与对应于部件区域DA2-UPC的位置重叠的开口的情况下不阻挡光。透光区域可以具有透明导电层，并且可以根据实施例包括阴极，并且功能层可以布置在阴极下方。
第一显示区域DA1的结构可以与图2中所示的结构相同，因此现在将参考图12描述部件区域DA2-UPC的结构。
部件区域DA2-UPC可以包括第二发光器件ED2和第二像素驱动器PC2。
部件区域DA2-UPC可以具有透光区域，可以由第二发光器件ED2发光，并且可以被分成第二-1部件区域DA2-UPC1和第二-2部件区域DA2-UPC2。第二像素驱动器PC2可以布置在第二-1部件区域DA2-UPC1中，并且其中布置有透明绝缘层TILs的透光区域可以布置在第二-2部件区域DA2-UPC2中。在此，透明绝缘层TILs可以不包括半导体层或导电层，而是可以由透明绝缘材料制成，因此透明绝缘层TILs可以不阻挡光。根据实施例，透光区域还可以布置在除第二-1部件区域DA2-UPC1和第二-2部件区域DA2-UPC2之外的其他区中。
在图12的实施例中，用于从第二像素驱动器PC2接收发光电流的第二发光器件ED2可以布置在第二-1部件区域DA2-UPC1和第二-2部件区域DA2-UPC2中。第二发光器件ED2可以被区分为布置在第二像素驱动器PC2上部的第二发光器件ED2以及布置在透明绝缘层TILs上部的第二发光器件ED2。布置在透明绝缘层TILs上的第二发光器件ED2可以构成第二-2部件区域DA2-UPC2，并且从布置在第二-1部件区域DA2-UPC1中的第二像素驱动器PC2的至少一部分接收发光电流。例如，第二像素驱动器PC2可以被区分为用于将输出传输到构成第二-1部件区域DA2-UPC1的第二发光器件ED2的第二像素驱动器PC2以及用于将输出传输到构成第二-2部件区域DA2-UPC2的第二发光器件ED2的第二像素驱动器PC2。一个第二像素驱动器PC2可以将输出电流传输到第二发光器件ED2，并且第二发光器件ED2中的至少一个可以布置在第二-2部件区域DA2-UPC2中并且可以布置在透明绝缘层TILs上部。第二-2部件区域DA2-UPC2中除了布置在透明绝缘层TILs上的第二发光器件ED2布置在其上的部分之外的剩余部分可以对应于透光区域。
根据实施例，每单位面积的第二部件像素的数量可以小于第一显示区域DA1中包括的每单位面积的正常像素的数量。作为结果，第二部件像素的分辨率可以低于正常像素的分辨率。一个第一像素驱动器PC1可以连接到一个第一发光器件ED1，并且一个第二像素驱动器PC2可以连接到至少两个第二发光器件ED2。第一像素驱动器PC1的尺寸可以等于/不同于第二像素驱动器PC2的尺寸。例如，第二像素驱动器PC2可以大于第一像素驱动器PC1。
关于根据比较示例的发光显示装置，在显示区域中布置有相机的区中可以不形成附加的像素或发光器件，因此非显示区域可以布置在显示区域中，这是一个缺点。然而，在图12的实施例中，可以通过将像素或发光器件布置在部件区域DA2-UPC中来显示图像，因此非显示区域不布置在显示区域中，这是一个优点。
根据图12的实施例的发光显示装置的像素可以具有图3或图5中所示的电路结构。
现在将根据图13和图14的实施例描述部件区域DA2-UPC的详细结构。
现在将参考图13描述部件区域DA2-UPC的平面结构。
图13是根据实施例的像素驱动器与发光器件之间的连接的示意性俯视图。
在图13的实施例中，形成在第二-1部件区域DA2-UPC1中的第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b和第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b以及形成在第二-2部件区域DA2-UPC2中的第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb可以与第一显示区域DA1一起示出，并且透光区域TA-UPC可以形成在第二-2部件区域DA2-UPC2中其中未布置第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb的部分中。
参考图13，可以使透光区域TA-UPC透明，并且布置在后侧的相机可以通过透光区域TA-UPC拍摄/感测发光显示装置1000的前侧。
第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b以及电连接到第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b的第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b和第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb可以形成在部件区域DA2-UPC中不是透光区域TA-UPC的区中。
第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b用虚线示出，并且可以具有图3或图5中所示的电路结构。第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b可以通过接触孔OPt连接到阴极连接线CL1r、CL1g和CL1b的一侧，并且阴极连接线CL1r、CL1g和CL1b的另一侧可以通过接触孔PCo电连接到第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b。
参考图13，将第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b与阴极连接线CL1r、CL1g和CL1b连接的接触孔OPt可以在第一方向DR1上设置。将阴极连接线CL1r、CL1g和CL1b与阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b连接的接触孔PCo，具体是通过图14的辅助连接电极Anode-co将阴极连接线CL1r、CL1g和CL1b与阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b连接的三个接触孔PCo，可以在第一方向DR1上相邻布置。
第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b(在下文中，主阴极)可以通过隔离件SEP隔离，它们可以延伸到第二-2部件区域DA2-UPC2，并且它们可以用作第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb的阴极。隔离的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b可以被区分为布置在第二-1部件区域DA2-UPC1中的部分、布置在第二-2部件区域DA2-UPC2中的部分以及将这两个部分连接的部分。具体地，一体形成的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b可以包括在平面图中与第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b的发射层重叠的第一部分、在平面图中与第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb的发射层重叠的第二部分以及将第一部分与第二部分连接的连接件。在此，与其他部分相比，连接件可以具有相对窄的宽度，并且连接件的宽度可以是与从第一部分到第二部分的方向垂直的方向(例如，图13的第一方向DR1)的宽度。阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b的各个部分可以被一个隔离件SEP围绕，并且阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b的各个部分中的至少一个部分可以在平面图中与隔离件SEP重叠。
作为结果，由第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b输出的电流可以传输到第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b以及第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b，使得第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b以及第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb可以发光。
参考图13，隔离件SEP可以在三个接触孔PCo在第一方向DR1上相邻的部分上在三个接触孔PCo之间穿过，使得通过三个接触孔PCo进行连接的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b可以电隔离。隔离件SEP可以在接触孔PCo周围弯曲。
布置在图13的第一显示区域DA1中的三个接触孔PCo可以在第一方向DR1上相邻地布置，隔离件SEP可以在三个接触孔PCo之间穿过，使得通过三个接触孔PCo进行连接的阴极Cathode1r、Cathode1g和Cathode1b可以电隔离。隔离件SEP可以在接触孔PCo周围弯曲。
参考图13，各个发光器件ED2r、ED2g、ED2b、ED2cr、ED2cg和ED2cb被示出，并且对应的位置可以与其中布置有包括在各个发光器件ED2r、ED2g、ED2b、ED2cr、ED2cg和ED2cb中的发射层(例如，图14的发射层EML2r和EMLc)的区对应，或者它们可以与图14的像素限定层380的开口(例如，图14的开口OPed和OPedc)或各个发光区对应。
各个阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b可以彼此电隔离，并且可以通过隔离件SEP隔离。隔离件SEP可以对应于用灰色标记的部分。隔离件SEP可以具有围绕各个阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b的平面形状，并且可以隔离相邻的阴极Cathode2r、Cathode2g和Cathode2b。如图14中所示，各个隔离件SEP可以向上突出并且可以是倒锥形的。例如，布置在具有倒锥形侧壁的隔离件SEP的各个侧的阴极可以彼此电隔离。
根据上述结构，部件区域DA2-UPC可以具有透光区域TA-UPC，可以减少第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b的数量，可以增加与其连接的发光器件ED2r、ED2g、ED2b、ED2cr、ED2cg和ED2cb的数量，因此形成宽的透光区域TA-UPC，并且可以将其他区全部形成为用于显示图像的显示区域。
在图13的实施例中，第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb中的一个可以连接到第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b中的一个，并且根据实施例，至少两个第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb可以连接到第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b中的一个。
第二-1部件区域DA2-UPC1和第二-2部件区域DA2-UPC2可以相对于一列交替布置。例如，在第二-1部件区域DA2-UPC1中形成的第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b以及第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b可以在第二方向DR2上布置在第二-2部件区域DA2-UPC2中形成的第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb的下方。因此，其中布置有透光区域TA-UPC的第二-2部件区域DA2-UPC2可以稀疏地布置。
参考图13，相邻的第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b可以布置在不同的行中。例如，在第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b在第一方向DR1上移动一列的情况下，可以有在第二方向DR2的相反方向上布置在下面一行的第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b。在第二-1发光器件ED2r、ED2g和ED2b以及第二-2发光器件ED2cr、ED2cg和ED2cb在第一方向DR1上移动一列的情况下，可以有在第二方向DR2的相反方向上布置在下面一行的发光器件。
根据上述结构，部件区域DA2-UPC的端部处的边界可以是弯曲的直线。作为结果，以与图8的拐角DA-C类似的方式，部件区域DA2-UPC可以具有弯曲的边界。
第一显示区域DA1被示出为在图13的右上方。第一显示区域DA1的结构可以等同于图9中所示的结构，因此将不给出附加的描述。
图14是图13的实施例的示意性截面结构。
图14示出根据图13的实施例的发光器件的连接的截面图。
如图7和图10中所示，图14总体上示出红色的第二-1发光器件ED2r和第二-2发光器件ED2cr，并且下部的第二像素驱动器可以是红色的第二像素驱动器PC2r。
参考图14，布置在平坦化层181和182下部的结构可以等同于图7和图10中所示的结构。现在将着重于图14中与图7和图10不同的部分而描述根据图14的实施例的截面结构。
参考图14，阴极Cathode2r可以布置在像素限定层380和隔离件SEP上，并且也布置在第二功能层FL-2上。各个阴极Cathode2r可以相对于隔离件SEP隔离。阴极Cathode2r之中与发射层EML2r重叠的部分(也称为主阴极)可以构成第二-1发光器件ED2r的阴极，并且阴极Cathode2r之中与发射层EMLc重叠的部分(也称为附加阴极)可以构成第二-2发光器件ED2cr的阴极。例如，如图14中所示，第二-1发光器件ED2r的阴极和第二-2发光器件ED2cr的阴极可以一体形成为一个阴极Cathode2r。
第二-1发光器件ED2r可以包括阳极Anode2r、发射层EML2r和是阴极Cathode2r的一部分的主阴极，并且可以进一步包括布置在阳极Anode2r与发射层EML2r之间的第一功能层FL-1以及布置在发射层EML2r与主阴极之间的第二功能层FL-2。
第二-2发光器件ED2cr可以包括阳极Anode2cr、发射层EMLc和是阴极Cathode2r的另一部分的附加阴极，并且可以进一步包括布置在阳极Anode2cr与发射层EMLc之间的第一功能层FL-1以及布置在发射层EMLc与附加阴极之间的第二功能层FL-2。
参考图14，透光区域TA-UPC可以布置在第二-1发光器件ED2r与第二-2发光器件ED2cr之间。透光区域TA-UPC可以不与第二像素驱动器PC2r、PC2g和PC2b重叠，其中可以不布置不透明导电层或半导体层，并且可以包括透明绝缘层。透光区域TA-UPC可以与是透明导电层的阴极Cathode2r重叠，并且可以与布置在阴极Cathode2r下方的功能层FL重叠。透光区域TA-UPC可以通过在包括遮光材料的层(例如，像素限定层380)和/或遮光层(未示出)的对应于部件区域DA2-UPC的位置中包括开口而不阻挡光。
阴极连接线CL1r可以连接到一体形成的阴极Cathode2r，并且可以电连接到第二-1发光器件ED2r的主阴极和第二-2发光器件ED2cr的附加阴极。
根据实施例，可以在像素限定层380上进一步形成间隔件(未示出)，并且间隔件可以具有锥形侧壁以防止阴极断开。
图14未示出布置在阴极上的结构，但是根据实施例，可以在阴极上布置封装层。封装层可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜，并且可以具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。封装层可以保护发射层EML2r和EMLc免受可能从外部输入的湿气或氧气的影响。根据实施例，封装层可以包括其中无机层和有机层依次进一步堆叠的结构。
根据实施例，可以将包括偏振器的膜附接到封装层以减少外部光的反射，或者可以在其上进一步形成滤色器或颜色转换层以提高颜色质量。可以在滤色器与颜色转换层之间布置遮光层。根据实施例，可以进一步包括其上形成有用于吸收外部光之中具有预定或选定的波长的光的材料(在下文中，反射调节材料)的层。根据实施例，可以通过用附加平坦化层(或平坦化层)覆盖来使发光显示装置的前侧平坦。
根据上述结构，布置在部件区域DA2-UPC的后侧的相机可以通过透光区域TA-UPC拍摄发光显示装置1000的前侧，并且可以由布置在部件区域DA2-UPC中的第二-1发光器件ED2r和第二-2发光器件ED2cr显示图像，因此增大显示区域DA。
部件区域DA2-UPC的结构可以不同于图13和图14中所示的结构。例如，可以在部件区域DA2-UPC中划分出透光区域TA-UPC，可以在部件区域DA2-UPC中布置由金属制成的下屏蔽层(未示出)，并且可以在下屏蔽层上布置第二发光器件或像素驱动器。
虽然已经结合被认为是实际的实施例描述本公开，但是应当理解，本公开不限于所公开的实施例，而是相反，旨在覆盖包括在本公开的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (20)

1.一种发光显示装置，包括：
第一显示区域；以及
第二显示区域，布置在所述第一显示区域的外侧，其中
所述第二显示区域包括：
像素驱动器；
主发光器件，电连接到所述像素驱动器；以及
附加发光器件，电连接到所述主发光器件，
所述附加发光器件与外围驱动器重叠，所述外围驱动器产生用于提供给所述像素驱动器的信号，
所述主发光器件和所述附加发光器件各自包括第一电极、发射层和第二电极，所述像素驱动器电连接到所述主发光器件的所述第二电极和所述附加发光器件的所述第二电极，并且
所述附加发光器件的所述第二电极和所述主发光器件的所述第二电极在平面图中被隔离件围绕。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，彼此电连接的所述附加发光器件的所述第二电极和所述主发光器件的所述第二电极是彼此一体的。
3.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，所述第二电极包括：
第一部分，在所述平面图中与所述主发光器件的所述发射层重叠；
第二部分，在所述平面图中与所述附加发光器件的所述发射层重叠；以及
连接件，将所述第一部分和所述第二部分连接。
4.根据权利要求3所述的发光显示装置，其中，所述连接件的宽度比所述第一部分的宽度和所述第二部分的宽度窄。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的发光显示装置，其中，所述主发光器件的所述第一电极和所述附加发光器件的所述第一电极电连接到第一驱动电压线。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的发光显示装置，进一步包括：
阴极连接线，将所述主发光器件的所述第二电极和所述像素驱动器电连接。
7.根据权利要求6所述的发光显示装置，其中，
所述阴极连接线具有三层结构，并且
所述主发光器件的所述第二电极与所述阴极连接线侧面接触。
8.根据权利要求6所述的发光显示装置，进一步包括：
辅助连接电极，布置在彼此侧面接触的所述主发光器件的所述第二电极与所述阴极连接线之间，
其中所述辅助连接电极、所述主发光器件的所述第一电极和所述附加发光器件的所述第一电极由相同的材料制成。
9.根据权利要求8所述的发光显示装置，其中，将所述阴极连接线和所述辅助连接电极连接的三个接触孔在一方向上相邻布置。
10.根据权利要求9所述的发光显示装置，其中，
所述隔离件在所述平面图中布置在所述三个接触孔之间，并且
所述隔离件在所述三个接触孔周围弯曲。
11.一种发光显示装置，包括：
第一显示区域；以及
部件区域，由所述第一显示区域围绕并且布置在相机的前侧，所述相机布置在所述部件区域的后侧，其中
所述部件区域包括像素驱动器以及电连接到所述像素驱动器的主发光器件和附加发光器件，
所述部件区域进一步包括将光透射到所述相机的透光区域，
所述主发光器件和所述附加发光器件各自包括第一电极、发射层和第二电极，
所述像素驱动器电连接到所述主发光器件的所述第二电极和所述附加发光器件的所述第二电极，并且
所述附加发光器件的所述第二电极和所述主发光器件的所述第二电极在平面图中被隔离件围绕。
12.根据权利要求11所述的发光显示装置，其中，彼此电连接的所述附加发光器件的所述第二电极和所述主发光器件的所述第二电极是彼此一体的。
13.根据权利要求12所述的发光显示装置，其中，所述第二电极包括：
第一部分，在所述平面图中与所述主发光器件的所述发射层重叠；
第二部分，在所述平面图中与所述附加发光器件的所述发射层重叠；以及
连接件，将所述第一部分和所述第二部分连接。
14.根据权利要求13所述的发光显示装置，其中，所述连接件的宽度比所述第一部分的宽度和所述第二部分的宽度窄。
15.根据权利要求11-14中任一项所述的发光显示装置，其中，所述主发光器件的所述第一电极和所述附加发光器件的所述第一电极电连接到第一驱动电压线。
16.根据权利要求11-14中任一项所述的发光显示装置，进一步包括：
阴极连接线，将所述主发光器件的所述第二电极和所述像素驱动器电连接。
17.根据权利要求16所述的发光显示装置，其中，
所述阴极连接线具有三层结构，并且
所述主发光器件的所述第二电极与所述阴极连接线侧面接触。
18.根据权利要求16所述的发光显示装置，进一步包括：
辅助连接电极，布置在彼此侧面接触的所述主发光器件的所述第二电极与所述阴极连接线之间，
其中所述辅助连接电极、所述主发光器件的所述第一电极和所述附加发光器件的所述第一电极由相同的材料制成。
19.根据权利要求18所述的发光显示装置，其中，将所述阴极连接线和所述辅助连接电极连接的三个接触孔在一方向上相邻布置。
20.根据权利要求19所述的发光显示装置，其中，
所述隔离件在所述平面图中布置在所述三个接触孔之间，并且
所述隔离件在所述三个接触孔周围弯曲。
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