CN118156382A - 阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板及显示装置。其中，阵列基板的制备方法通过结合阻挡层，选择性区域生长将三色外延结构集成在同一衬底上，从而在衬底上形成阵列排布的三色子像素。本公开的技术方案，解决了现有技术中通过巨量转移技术实现全彩化显示导致发光单元的优良率降低的问题，以及避免了利用色转换技术制备全彩化显示面板导致显示面板的发光效率较低的问题。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
微米级发光二极管（Micro Light Emitting Diodes，Micro LED）技术被认为是下一代显示技术的重要发展方向之一，具有高亮度、高对比度、低功耗和快速响应等优势。然而，Micro LED技术目前仍面临一些挑战，包括制造成本高、尺寸缩小困难、集成度低等问题。单片集成是指将多个Micro LED芯片集成在一个单一基板上，以实现更高的像素密度和更高的分辨率，是目前实现全彩色高分辨率显示器最有前景的方法。
在现有Micro LED全彩化显色技术中，主要通过巨量转移技术将不同颜色的发光单元组装到驱动面板上，或者利用量子点色转换技术在驱动面板上形成不同颜色的发光单元。其中，巨量转移技术包括精准抓取、自组装、选择性释放和转印技术。巨量转移技术需将晶圆上的发光单元转移至发光面板上，而Micro LED单颗发光单元只有2-20um，一个发光面板上有几十万到几百万颗发光单元，一片晶圆上有几亿-几十亿颗发光单元，如果全部切割下来，时间很长，且切割到最小仅可以做到25-35um，切割时很容易伤到发光单元，降低发光单元的优良率。而量子点色转换技术是在单色例如蓝光LED发光芯片上添加色转换层，导致制备的发光面板的发光效率较低。
发明内容
为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板及显示装置，解决了现有技术中通过巨量转移技术实现全彩化显示导致发光单元的优良率降低的问题，以及避免了利用色转换技术制备全彩化显示面板导致显示面板的发光效率较低的问题。
第一方面，本公开提供了一种阵列基板的制备方法，包括：
在衬底的一侧覆盖阻挡层，并在所述阻挡层的第一预设区域形成贯穿至所述衬底的第一凹槽；
在所述第一凹槽生长第一外延结构；
在所述衬底形成有所述第一外延结构的一侧覆盖阻挡层，并在所述阻挡层的第二预设区域形成贯穿至所述衬底的第二凹槽；
在所述第二凹槽生长第二外延结构；
在所述衬底形成有所述第二外延结构的一侧覆盖阻挡层，并在所述阻挡层的第三预设区域形成贯穿至所述衬底的第三凹槽；
在所述第三凹槽生长第三外延结构；
去除所述阻挡层；
刻蚀各所述外延结构以形成阵列排布的三色子像素；
其中，各所述外延结构包括依次层叠的电子传输层、发光层和空穴传输层，且各所述外延结构的发光层的发光颜色不同。
在一些实施例中，所述刻蚀各所述外延结构以形成阵列排布的三色子像素，包括：
刻蚀各所述外延结构，在各所述外延结构的电子传输层上形成第一凸起结构；
在所述第一凸起结构的表面形成保护层；
刻蚀位于所述第一凸起结构顶端的部分所述保护层，形成贯穿至所述空穴传输层的第四凹槽；
在所述第四凹槽内形成阳极，以及围绕所述保护层在所述电子传输层上形成阴极。
在一些实施例中，在刻蚀各所述外延结构以形成阵列排布的三色子像素之前，阵列基板的制备方法还包括：
在各所述外延结构远离所述衬底的一侧覆盖电流扩散层；
所述刻蚀各所述外延结构以形成阵列排布的三色子像素，包括：
刻蚀各所述外延结构以及所述电流扩散层，在各所述外延结构的电子传输层上形成第二凸起结构；
在所述第二凸起结构的表面形成保护层；
刻蚀位于所述第二凸起结构顶端的部分所述保护层，形成贯穿至所述电流扩散层的第五凹槽；
在所述第五凹槽内形成阳极，以及围绕所述保护层在所述电子传输层上形成阴极。
在一些实施例中，在所述阻挡层的第一预设区域形成贯穿至所述衬底的第一凹槽，包括：
在所述阻挡层上覆盖光刻胶层；
通过曝光显影去除所述第一预设区域的光刻胶层；
去除未覆盖所述光刻胶层的阻挡层；
去除所述光刻胶层。
在一些实施例中，形成所述保护层的材料包括二氧化硅、绝缘树脂以及陶瓷中的任一种。
第二方面，本公开还提供了一种阵列基板，采用如第一方面所述的制备方法形成。
在一些实施例中，所述阵列基板包括：
衬底以及衬底上阵列排布的三色子像素，各所述子像素包括依次层叠的电子传输层、发光层和空穴传输层；所述空穴传输层和所述发光层在所述电子传输层上形成第一凸起结构；
保护层，所述保护层包覆所述第一凸起结构的表面；所述保护层设置有第四凹槽，所述第四凹槽位于所述第一凸起结构的顶端以露出部分所述空穴传输层；
各所述子像素的阳极对应所述第四凹槽设置；各所述子像素的阴极呈环状，且围绕所述保护层设置在所述电子传输层上。
在一些实施例中，所述阵列基板包括：
衬底以及衬底上阵列排布的三色子像素，各所述子像素包括依次层叠在所述衬底上的电子传输层、发光层和空穴传输层；
电流扩散层，所述电流扩散层位于所述空穴传输层上，所述发光层、空穴传输层和所述电流扩散层在所述电子传输层上形成第二凸起结构；
保护层，所述保护层包覆所述第二凸起结构的表面；所述保护层设置有第五凹槽，所述第五凹槽位于所述第二凸起结构的顶端以露出部分所述电流扩散层；
各所述子像素的阳极对应所述第五凹槽设置，各所述子像素的阴极呈环状，且围绕所述保护层设置在所述电子传输层上。
第三方面，本公开还提供了一种显示面板，包括如第二方面所述的阵列基板。
第四方面，本公开还提供了一种显示装置，包括如第三方面所述的显示面板。
本公开实施例提供的阵列基板的制备方法，通过在衬底的一侧覆盖阻挡层，并在阻挡层的第一预设区域形成贯穿至衬底的第一凹槽；在第一凹槽生长第一外延结构；在衬底形成有第一外延结构的一侧覆盖阻挡层，并在阻挡层的第二预设区域形成贯穿至衬底的第二凹槽；在第二凹槽生长第二外延结构；在衬底形成有第二外延结构的一侧覆盖阻挡层，并在阻挡层的第三预设区域形成贯穿至衬底的第三凹槽；在第三凹槽生长第三外延结构；去除阻挡层；刻蚀各外延结构以形成阵列排布的三色子像素；其中，各外延结构的发光层的发光颜色不同，从而实现三色子像素，进而实现全彩化显示。由此，通过本公开实施例制备的三色子像素解决了现有技术中通过巨量转移技术，将晶圆上的发光单元全部切割下来，时间很长，且切割时很容易伤到发光单元，从而导致发光单元的优良率降低的问题，以及避免了利用量子点色转换技术制备全彩化显示面板导致显示面板的发光效率较低的问题。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；
图2为本公开实施例提供的一种阵列基板的具体工艺制备图；
图3为本公开实施例提供的一种工艺制备图；
图4为本公开实施例提供的一种在衬底形成有第一外延结构的一侧覆盖阻挡层的示意图；
图5为本公开实施例提供的一种在衬底形成有第二外延结构的一侧覆盖阻挡层的示意图；
图6为本公开实施例提供的另一种阵列基板的具体工艺制备图；
图7为本公开实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图8为本公开实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本公开的上述目的、特征和优点，下面将对本公开的方案进行进一步描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开，但本公开还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施；显然，说明书中的实施例只是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。
本公开实施例提供的阵列基板的制备方法，解决了现有技术中通过巨量转移技术，将晶圆上的发光单元全部切割下来，时间很长，且切割时很容易伤到发光单元，从而导致发光单元的优良率降低的问题，以及避免了利用量子点色转换技术制备全彩化显示面板导致显示面板的发光效率较低的问题。
下面结合附图，对本公开实施例提供的阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板及显示装置进行示例性说明。
图1为本公开实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图。如图1所示，该阵列基板的制备方法包括以下步骤：
S101、在衬底的一侧覆盖阻挡层，并在阻挡层的第一预设区域形成贯穿至衬底的第一凹槽。
具体地，图2为本公开实施例提供的一种阵列基板的具体工艺制备图。在本步骤中，如图2中的S201所示，在衬底11的一侧覆盖阻挡层12，并在阻挡层12的第一预设区域131形成贯穿至衬底11的第一凹槽141。
其中，形成衬底11的材料可为蓝宝石、硅、氮化硅和氮化镓等等。氮化镓衬底为像素外延结构生长最为理想的衬底，同质外延的生长有利于减少晶格失配，具有缺陷密度低，外延质量好的优势。其中，阻挡层12例如可为二氧化硅薄膜形成。
在一些实施例中，图3为本公开实施例提供的一种工艺制备图。结合图1和图3，S101中的在阻挡层的第一预设区域形成贯穿至衬底的第一凹槽，包括：
S301、在阻挡层上覆盖光刻胶层；
S302、通过曝光显影去除第一预设区域的光刻胶层；
S303、去除未覆盖光刻胶层的阻挡层；
S304、去除光刻胶层。
具体地，如图3所示，在S301中向阻挡层12上覆盖光刻胶层23；下一步，在S302中通过对光刻胶层23进行曝光显影处理，去除第一预设区域131的光刻胶层23，保留第一预设区域131以外的光刻胶层23；下一步，在S303中去除未覆盖光刻胶层23的阻挡层12，形成贯穿至衬底11的第一凹槽141；下一步，在S304中去除阻挡层12上的光刻胶层23。由此，通过图3所示的工艺制备步骤在阻挡层12的第一预设区域131形成贯穿至衬底11的第一凹槽141。
S102、在第一凹槽生长第一外延结构。
具体地，如图2中的S202所示，在第一凹槽141内生长第一外延结构151。其中，第一外延结构151包括依次层叠在衬底11上的电子传输层01、发光层02和空穴传输层03。
示例性地，第一外延结构151的发光层02发蓝光，第一外延结构151可为蓝色外延结构。具体地，通过改变发光层中InGaN合金中的In组成，从而实现第一外延结构151的发光层02发蓝光。
S103、在衬底形成有第一外延结构的一侧覆盖阻挡层，并在阻挡层的第二预设区域形成贯穿至衬底的第二凹槽。
具体地，如图2中的S203所示，在衬底11形成有第一外延结构151的一侧覆盖阻挡层12（图2中的S203未示出）。示例性地，图4为本公开实施例提供的一种在衬底形成有第一外延结构的一侧覆盖阻挡层的示意图。结合图4和如图2中的S203，在衬底11形成有第一外延结构151的一侧覆盖阻挡层12之后，在阻挡层12的第二预设区域132形成贯穿至衬底11的第二凹槽142。
其中，具体如何在阻挡层12的第二预设区域132形成贯穿至衬底11的第二凹槽142，可参照图3所示的制备工艺进行制备，在此不赘述。
S104、在第二凹槽生长第二外延结构。
具体地，如图2中的S204所示，在第二凹槽142内生长第二外延结构152。其中，第二外延结构152包括依次层叠在衬底11上的电子传输层01、发光层02和空穴传输层03。
示例性地，第二外延结构152的发光层02发绿光，第二外延结构152可为绿色外延结构。具体地，通过改变发光层02中InGaN合金中的In组成，从而实现第二外延结构152的发光层02发绿光。
S105、在衬底形成有第二外延结构的一侧覆盖阻挡层，并在阻挡层的第三预设区域形成贯穿至衬底的第三凹槽。
具体地，如图2中的S205所示，在衬底11形成有第二外延结构152的一侧覆盖阻挡层12（图2中的S205未示出）。示例性地，图5为本公开实施例提供的一种在衬底形成有第二外延结构的一侧覆盖阻挡层的示意图。结合图5和图2中的S205，在衬底11形成有第二外延结构152的一侧覆盖阻挡层12之后，在阻挡层12的第三预设区域133形成贯穿至衬底11的第三凹槽143。
其中，具体如何在阻挡层12的第三预设区域133形成贯穿至衬底11的第三凹槽143同样可参照图3所示的制备工艺进行制备，在此不赘述。
S106、在第三凹槽生长第三外延结构。
具体地，如图2中的S206所示，在第三凹槽143内生长第三外延结构153。其中，第三外延结构153包括依次层叠在衬底11上的电子传输层01、发光层02和空穴传输层03。
示例性地，第三外延结构153的发光层02发红光，第三外延结构153可为红色外延结构。具体地，通过改变发光层03中InGaN合金中的In组成，从而实现第三外延结构153的发光层03发红光。
S107、去除阻挡层。
具体地，如图2中的S207所示，将第一外延结构151、第二外延结构152、第三外延结构153以及衬底11上覆盖的阻挡层12去除，从而在衬底11上形成阵列排布的第一外延结构151、第二外延结构152和第三外延结构153。
需要说明的是，由于蓝色外延结构以及绿色外延结构的生长温度高于红色外延结构的生长温度，因此在衬底11上按照蓝、绿、红的生长顺序依次形成第一外延结构151（蓝色外延结构），第二外延结构152（绿色外延结构），以及第三外延结构153（红色外延结构）。
S108、刻蚀各外延结构以形成阵列排布的三色子像素。
示例性地，如图2中的S208所示，刻蚀各外延结构以形成阵列排布的三色子像素，包括：
S2081、刻蚀各外延结构，在各外延结构的电子传输层上形成第一凸起结构；
S2082、在第一凸起结构的表面形成保护层；
S2083、刻蚀位于第一凸起结构顶端的部分保护层，形成贯穿至空穴传输层的第四凹槽；
S2084、在第四凹槽内形成阳极，以及围绕保护层在电子传输层上形成阴极。
具体地，在S2081中选择性刻蚀各外延结构，并在各外延结构的电子传输层01上形成第一凸起结构161；下一步，在S2082中向第一凸起结构161表面覆盖保护层17；下一步，在S2083中刻蚀部分保护层17，形成贯穿至空穴传输层03的第四凹槽181，以露出部分空穴传输层03；下一步，在S2084中对应第四凹槽181形成阳极19，以及围绕保护层17在电子传输层01上形成阴极20。
由此，可实现在衬底11上形成阵列排布的子像素21例如包括蓝色子像素211、绿色子像素212和红色子像素213。
由此，通过本公开实施例例如图2所示的制备工艺形成的三色子像素，解决了现有技术中通过巨量转移技术，将晶圆上的发光单元全部切割下来，时间很长，且切割时很容易伤到发光单元，从而导致发光单元的优良率降低的问题，以及避免了利用量子点色转换技术制备全彩化显示面板导致显示面板的发光效率较低的问题。
其中，形成保护层17的材料可包括二氧化硅、绝缘树脂以及陶瓷中的任一种。
其中，通过在第一凸起结构161的表面设置保护层17，有利于实现阴极20和发光层以及空穴传输层之间的电学隔离。通过设置阴极20为环状，且围绕保护层17，可对子像素21的发光活性区域即发光层进行包覆，实现了相邻子像素21之间的光学隔离，避免了相邻子像素21之间产生光串扰的现象。另外，阴极20可作为反射层，可提高子像素21的光线利用率，从而有利于提高阵列基板的发光效率。
示例性地，如图7所示，子像素21中的光线出射至阴极20时，光线在阴极20上发生反射至出光侧，从而有利于提高阵列基板的发光效率。
由此，通过本公开实施例制备的三色子像素解决了现有技术中通过巨量转移技术，将晶圆上的发光单元全部切割下来，时间很长，且切割时很容易伤到发光单元，从而导致发光单元的优良率降低的问题，以及避免了利用量子点色转换技术制备全彩化显示面板导致显示面板的发光效率较低的问题。
在一些实施例中，图6为本公开实施例提供的另一种阵列基板的具体工艺制备图。如2和图6所示，图6中的S601-S607与图2中的S201-S207分别对应相同，在此不赘述。
图2与图6的区别在于：如图6所示，在S607与S608之间进行S6070。具体地，如S6070所示，在各外延结构远离衬底11的一侧覆盖电流扩散层22；如S608所示，刻蚀各外延结构以形成阵列排布的三色子像素21。
其中，S608中的刻蚀各外延结构以形成阵列排布的三色子像素，包括：
S6081、刻蚀各外延结构以及电流扩散层，在各外延结构的电子传输层上形成第二凸起结构；
S6082、在第二凸起结构的表面形成保护层；
S6083、刻蚀位于第二凸起结构顶端的部分保护层，形成贯穿至电流扩散层的第五凹槽；
S6084、在第五凹槽内形成阳极，以及围绕保护层在电子传输层上形成阴极。
具体地，在S6081中选择性刻蚀各外延结构和电流扩散层22，并在各外延结构的电子传输层01上形成第二凸起结构162；下一步，在S6082中向第二凸起结构162的表面覆盖保护层17；下一步，在S6083中刻蚀部分保护层17，形成贯穿至电流扩散层22的第五凹槽182，以露出部分电流扩散层22；下一步，在S6084中对应第五凹槽182形成阳极19，以及围绕保护层17在电子传输层01上形成阴极20。由此，可实现在衬底11上形成阵列排布的子像素21例如包括蓝色子像素211、绿色子像素212和红色子像素213。
其中，通过设置电流扩散层22，阳极19通过电流扩散层22与空穴传输层03电连接，有利于形成欧姆接触，改善电流扩散。示例性地，形成电流扩散层22的材料可为氧化铟锡（ITO）。
由此，通过本公开实施例例如图6所述的制备工艺形成的三色子像素，解决了现有技术中通过巨量转移技术，将晶圆上的发光单元全部切割下来，时间很长，且切割时很容易伤到发光单元，从而导致发光单元的优良率降低的问题，以及避免了利用量子点色转换技术制备全彩化显示面板导致显示面板的发光效率较低的问题。
在上述实施例基础上，本公开实施例提供了一种阵列基板，采用上述实施例所述的阵列基板的制备方法形成。本公开实施例通过选择性区域生长将三色外延结构集成在同一衬底上，无需借助色转换层和巨量转移技术即可实现单片全彩发光，以及各子像素的阴极沉积为环状，对各子像素的发光活性区域进行包覆，实现了光学隔离，不会产生光串扰，并且阴极为金属材料，金属的镜面反射有利于提高发光效率。另外，每个子像素可单独连接金属引线，能实现独立控制。
在一些实施例中，图7为本公开实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。如图7所示，阵列基板包括：衬底11以及衬底11上阵列排布的三色子像素21，各子像素21包括依次层叠的电子传输层01、发光层02和空穴传输层03；空穴传输层03和发光层02在电子传输层01上形成第一凸起结构161；保护层17，保护层17包覆第一凸起结构161的表面；保护层17设置有第四凹槽181，第四凹槽181位于第一凸起结构161的顶端以露出部分空穴传输层03；各子像素21的阳极19对应第四凹槽181设置；各子像素21的阴极20呈环状，且围绕保护层17设置在电子传输层01上。
其中，子像素21可包括蓝色子像素211、绿色子像素212和红色子像素213。通过在第一凸起结构161的表面设置保护层17，有利于实现阴极20和发光层02以及空穴传输层03之间的电学隔离。通过设置阴极20为环状，且围绕保护层17，可对子像素21的发光活性区域即发光层02进行包覆，可实现相邻子像素21之间的光学隔离，避免了相邻子像素21之间产生光串扰的现象。
另外，子像素21的阴极20为金属材料可作为反射层，可提高子像素21的光线利用率，从而有利于提高阵列基板的发光效率。具体地，如图7所示，子像素21中的光线出射至阴极20时，光线在阴极20上发生反射至出光侧，从而有利于提高阵列基板的发光效率。
在一些实施例中，图8为本公开实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。如图8所示，阵列基板包括：衬底11以及衬底11上阵列排布的三色子像素21，各子像素21包括依次层叠在衬底11上的电子传输层01、发光层02和空穴传输层03；电流扩散层22，电流扩散层22位于空穴传输层03上，发光层02、空穴传输层03和电流扩散层22在电子传输层01上形成第二凸起结构162；保护层17，保护层17包覆第二凸起结构162的表面；保护层17设置有第五凹槽182，第五凹槽182位于第二凸起结构162的顶端以露出部分电流扩散层22；各子像素21的阳极19对应第五凹槽182设置，各子像素21的阴极20呈环状，且围绕保护层17设置在电子传输层01上。
具体地，图8所示的阵列基板与图7所示的阵列基板的区别在于：
图8中通过设置电流扩散层22，阳极19通过电流扩散层22与空穴传输层03电连接，有利于形成欧姆接触，从而改善电流扩散。
在上述实施例的基础上，本公开还提供了一种显示面板，包括如上述实施例所述的阵列基板，因此具有相同或相似的有益效果，在此不赘述。
本公开还提供了一种显示装置，包括如上述实施例所述的显示面板，因此具有相同或相似的有益效果，在此不赘述。
需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上仅是本公开的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本公开。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本公开将不会被限制于本文的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底的一侧覆盖阻挡层，并在所述阻挡层的第一预设区域形成贯穿至所述衬底的第一凹槽；
在所述第一凹槽生长第一外延结构；
在所述衬底形成有所述第一外延结构的一侧覆盖阻挡层，并在所述阻挡层的第二预设区域形成贯穿至所述衬底的第二凹槽；
在所述第二凹槽生长第二外延结构；
在所述衬底形成有所述第二外延结构的一侧覆盖阻挡层，并在所述阻挡层的第三预设区域形成贯穿至所述衬底的第三凹槽；
在所述第三凹槽生长第三外延结构；
去除所述阻挡层；
刻蚀各所述外延结构以形成阵列排布的三色子像素；
其中，各所述外延结构包括依次层叠的电子传输层、发光层和空穴传输层，且各所述外延结构的发光层的发光颜色不同。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述刻蚀各所述外延结构以形成阵列排布的三色子像素，包括：
刻蚀各所述外延结构，在各所述外延结构的电子传输层上形成第一凸起结构；
在所述第一凸起结构的表面形成保护层；
刻蚀位于所述第一凸起结构顶端的部分所述保护层，形成贯穿至所述空穴传输层的第四凹槽；
在所述第四凹槽内形成阳极，以及围绕所述保护层在所述电子传输层上形成阴极。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在刻蚀各所述外延结构以形成阵列排布的三色子像素之前，还包括：
在各所述外延结构远离所述衬底的一侧覆盖电流扩散层；
所述刻蚀各所述外延结构以形成阵列排布的三色子像素，包括：
刻蚀各所述外延结构以及所述电流扩散层，在各所述外延结构的电子传输层上形成第二凸起结构；
在所述第二凸起结构的表面形成保护层；
刻蚀位于所述第二凸起结构顶端的部分所述保护层，形成贯穿至所述电流扩散层的第五凹槽；
在所述第五凹槽内形成阳极，以及围绕所述保护层在所述电子传输层上形成阴极。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述阻挡层的第一预设区域形成贯穿至所述衬底的第一凹槽，包括：
在所述阻挡层上覆盖光刻胶层；
通过曝光显影去除所述第一预设区域的光刻胶层；
去除未覆盖所述光刻胶层的阻挡层；
去除所述光刻胶层。
5.根据权利要求2或3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，形成所述保护层的材料包括二氧化硅、绝缘树脂以及陶瓷中的任一种。
6.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-5任一项所述的制备方法形成。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底以及衬底上阵列排布的三色子像素，各所述子像素包括依次层叠的电子传输层、发光层和空穴传输层；所述空穴传输层和所述发光层在所述电子传输层上形成第一凸起结构；
保护层，所述保护层包覆所述第一凸起结构的表面；所述保护层设置有第四凹槽，所述第四凹槽位于所述第一凸起结构的顶端以露出部分所述空穴传输层；
各所述子像素的阳极对应所述第四凹槽设置；各所述子像素的阴极呈环状，且围绕所述保护层设置在所述电子传输层上。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底以及衬底上阵列排布的三色子像素，各所述子像素包括依次层叠在所述衬底上的电子传输层、发光层和空穴传输层；
电流扩散层，所述电流扩散层位于所述空穴传输层上，所述发光层、空穴传输层和所述电流扩散层在所述电子传输层上形成第二凸起结构；
保护层，所述保护层包覆所述第二凸起结构的表面；所述保护层设置有第五凹槽，所述第五凹槽位于所述第二凸起结构的顶端以露出部分所述电流扩散层；
各所述子像素的阳极对应所述第五凹槽设置，各所述子像素的阴极呈环状，且围绕所述保护层设置在所述电子传输层上。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求6-8任一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107946417A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-04-20 | 北京工业大学 | 一种全色微型led阵列垂直外延制备方法 |
| CN109285947A (zh) * | 2017-07-20 | 2019-01-29 | Tcl集团股份有限公司 | 印刷用led薄膜led衬底、led薄膜led器件及其制备方法 |
| CN110416249A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-11-05 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种半导体发光器件及其制作方法 |
| CN111883572A (zh) * | 2020-08-06 | 2020-11-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 |
| CN116364817A (zh) * | 2023-05-31 | 2023-06-30 | 季华实验室 | 全彩化显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置 |
-
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109285947A (zh) * | 2017-07-20 | 2019-01-29 | Tcl集团股份有限公司 | 印刷用led薄膜led衬底、led薄膜led器件及其制备方法 |
| CN107946417A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-04-20 | 北京工业大学 | 一种全色微型led阵列垂直外延制备方法 |
| CN110416249A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-11-05 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种半导体发光器件及其制作方法 |
| CN111883572A (zh) * | 2020-08-06 | 2020-11-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 |
| CN116364817A (zh) * | 2023-05-31 | 2023-06-30 | 季华实验室 | 全彩化显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置 |
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