CN118119616A - 新型化合物及包含其的有机发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供新型化合物及包含其的有机发光器件。
Description
技术领域
与相关申请的相互引用
本申请主张基于2022年4月22日的韩国专利申请第10-2022-0050326号的优先权,包含该韩国专利申请的文献中公开的全部内容作为本说明书的一部分。
本发明涉及新型化合物及包含其的有机发光器件。
背景技术
通常情况下,有机发光现象是指利用有机物质将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件具有宽视角、优异的对比度、快速响应时间,亮度、驱动电压和响应速度特性优异,因此正在进行大量的研究。
有机发光器件通常具有包括阳极和阴极以及位于上述阳极与阴极之间的有机物层的结构。为了提高有机发光器件的效率和稳定性,上述有机物层大多情况下由分别利用不同的物质构成的多层结构形成,例如,可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。对于这样的有机发光器件的结构而言,如果在两电极之间施加电压,则空穴从阳极注入有机物层,电子从阴极注入有机物层,当所注入的空穴和电子相遇时会形成激子(exciton),该激子重新跃迁至基态时就会发出光。
对用于如上所述的有机发光器件的有机物,持续要求开发新的材料。
另一方面,近年来,为了节约工序费用,正在开发代替现有的蒸镀工序而利用溶液工序、特别是喷墨工序的有机发光器件。在初创期,试图将全部的有机发光器件层通过溶液工序进行涂布来开发有机发光器件,但现有技术存在局限性,因此,正在研究在正常结构形态中仅将HIL、HTL、EML通过溶液工序进行,而后续工序利用现有的蒸镀工序的混合(hybrid)工序。
因此,本发明提供一种新型的有机发光器件的材料,该材料可以用于有机发光器件,同时也可以用于溶液工序。
现有技术文献
专利文献
(专利文献0001)韩国专利公开号第10-2000-0051826号
发明内容
技术课题
本发明涉及新型化合物及包含其的有机发光器件。
课题的解决方法
本发明提供由下述化学式1表示的化合物:
[化学式1]
在上述化学式1中,
X1和X2中的一个为N,另一个为O或S,
R1至R8中的一个为由下述化学式2表示的取代基,其余为氢;氘;取代或未取代的C6-60芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60杂芳基,
R9为氢;氘;取代或未取代的C6-60芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60杂芳基,但是,R9中不包括取代或未取代的三嗪基,
[化学式2]
在上述化学式2中,
L1为直接键合;取代或未取代的C6-60亚芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60亚杂芳基,L1中不包括亚吲哚并咔唑基,
L2为直接键合;取代或未取代的C6-60亚芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60亚杂芳基,
L3为直接键合;取代或未取代的C6-60亚芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60亚杂芳基,
Ar1为取代或未取代的C6-60芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60杂芳基,
Ar2为取代或未取代的C6-60芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60杂芳基。
另外,本发明提供一种有机发光器件,其中,包括:第一电极、与上述第一电极对置而设置的第二电极、以及设置在上述第一电极与上述第二电极之间的有机物层,上述有机物层包含由上述化学式1表示的化合物。具体而言,包含上述化合物的有机物层可以为发光层。
发明效果
由上述的化学式1表示的化合物可以用作有机发光器件的有机物层的材料,在有机发光器件中可以实现效率的提高、较低的驱动电压和/或寿命特性的提高。特别是,由上述的化学式1表示的化合物可以用作空穴注入、空穴传输、空穴注入和传输、电子抑制、发光、电子传输、或者电子注入的材料。
附图说明
图1图示了由基板1、阳极2、发光层3、阴极4构成的有机发光器件的例子。
图2图示了由基板1、阳极2、空穴注入层5、空穴传输层6、电子阻挡层3、发光层3、电子注入和传输层8、以及阴极4构成的有机发光器件的例子。
具体实施方式
下面,为了帮助理解本发明而更详细地进行说明。
(用语的定义)
在本说明书中,或表示与其它取代基连接的键,用语“D”是指氘。
在本说明书中,“取代或未取代的”这一用语是指被选自氘;卤素基团;氰基;硝基;羟基;羰基;酯基;酰亚胺基;氨基;氧化膦基;烷氧基;芳氧基;烷基硫基芳基硫基/> 烷基磺酰基芳基磺酰基/>甲硅烷基;硼基;烷基;环烷基;烯基;芳基;芳烷基;芳烯基;烷基芳基;烷基胺基;芳烷基胺基;杂芳基胺基;芳基胺基;芳基膦基;或者包含N、O和S原子中的1个以上的杂芳基中的1个以上的取代基取代或未被取代,或者被上述例示的取代基中的2个以上的取代基连接而成的取代基取代或未被取代。例如,“2个以上的取代基连接而成的取代基”可以为联苯基。即,联苯基可以为芳基,也可以被解释为2个苯基连接而成的取代基。
在本说明书中,羰基的碳原子数没有特别限定,但优选碳原子数为1至40。具体而言,可以为如下结构的化合物,但并不限定于此。
在本说明书中,酯基中,酯基的氧可以被碳原子数1至25的直链、支链或环状的烷基;或者碳原子数6至25的芳基取代。具体而言,可以为下述结构式的化合物,但并不限定于此。
在本说明书中,酰亚胺基的碳原子数没有特别限定,但优选碳原子数为1至25。具体而言,可以为如下结构的化合物,但并不限定于此。
在本说明书中,甲硅烷基具体有三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等,但并不限定于此。
在本说明书中,硼基具体有三甲基硼基、三乙基硼基、叔丁基二甲基硼基、三苯基硼基、苯基硼基等,但并不限定于此。
在本说明书中,作为卤素基团的例子,有氟、氯、溴或碘。
在本说明书中,上述烷基可以为直链或支链,碳原子数没有特别限定,但优选为1至40。根据一实施方式,上述烷基的碳原子数为1至20。根据另一实施方式,上述烷基的碳原子数为1至10。根据另一实施方式,上述烷基的碳原子数为1至6。作为烷基的具体例,有甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、异己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基等,但并不限定于此。
在本说明书中,上述烯基可以为直链或支链,碳原子数没有特别限定,但优选为2至40。根据一实施方式,上述烯基的碳原子数为2至20。根据另一实施方式,上述烯基的碳原子数为2至10。根据另一实施方式,上述烯基的碳原子数为2至6。作为具体例,有乙烯基、1-丙烯基、异丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、3-甲基-1-丁烯基、1,3-丁二烯基、烯丙基、1-苯基乙烯-1-基、2-苯基乙烯-1-基、2,2-二苯基乙烯-1-基、2-苯基-2-(萘-1-基)乙烯-1-基、2,2-双(二苯-1-基)乙烯-1-基、茋基、苯乙烯基等,但并不限定于此。
在本说明书中,环烷基没有特别限定,但优选为碳原子数3至60的环烷基,根据一实施方式,上述环烷基的碳原子数为3至30。根据另一实施方式,上述环烷基的碳原子数为3至20。根据另一实施方式,上述环烷基的碳原子数为3至6。具体而言,有环丙基、环丁基、环戊基、3-甲基环戊基、2,3-二甲基环戊基、环己基、3-甲基环己基、4-甲基环己基、2,3-二甲基环己基、3,4,5-三甲基环己基、4-叔丁基环己基、环庚基、环辛基等,但并不限定于此。
在本说明书中,芳基没有特别限定,但优选为碳原子数6至60的芳基,可以为单环芳基或多环芳基。根据一实施方式,上述芳基的碳原子数为6至30。根据一实施方式,上述芳基的碳原子数为6至20。关于上述芳基,作为单环芳基,可以为苯基、联苯基、三联苯基等,但并不限定于此。作为上述多环芳基,可以为萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、基、芴基等,但并不限定于此。
在本说明书中,芴基可以被取代,2个取代基可以彼此结合而形成螺结构。在上述芴基被取代的情况下,可以为等。但并不限定于此。
在本说明书中,杂芳基是包含O、N、Si和S中的1个以上作为杂元素的杂芳基,碳原子数没有特别限定,但优选碳原子数为2至60。作为杂芳基的例子,有呫吨(xanthene)、噻吨(thioxanthen)、噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、唑基、/>二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并/>唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基(phenanthroline)、异/>唑基、噻二唑基、吩噻嗪基和二苯并呋喃基等,但不仅限于此。
在本说明书中,芳烷基、芳烯基、烷基芳基、芳基胺基、芳基甲硅烷基中的芳基与上述的芳基的例示相同。在本说明书中,芳烷基、烷基芳基、烷基胺基中的烷基与上述的烷基的例示相同。在本说明书中,杂芳基胺中的杂芳基可以适用上述的关于杂芳基的说明。在本说明书中,芳烯基中的烯基与上述的烯基的例示相同。在本说明书中,亚芳基为2价基团,除此以外,可以适用上述的关于芳基的说明。在本说明书中,亚杂芳基为2价基团,除此以外,可以适用上述的关于杂芳基的说明。在本说明书中,烃环不是1价基团,而是2个取代基结合而成,除此以外,可以适用上述的关于芳基或环烷基的说明。在本说明书中,杂环不是1价基团,而是2个取代基结合而成,除此以外,可以适用上述的关于杂芳基的说明。
在本说明书中,“氘化的或被氘取代”的含义是指化合物、2价的连接基团或1价的取代基内可取代的氢中的至少一个被取代为氘。
另外,“未被取代或被氘取代”的含义是指“未被取代或可取代的氢中的1个至最多个被取代为氘”。作为一个例子,“未被取代或被氘取代的菲基”这一用语在考虑菲基结构内可被取代为氘的氢的最大个数为9个这一点时,可以理解为“未被取代或被1个至9个氘取代的菲基”这样的含义。
另外,“氘化的结构”的含义是指包括至少一个氢被取代为氘的所有结构的化合物、2价的连接基团或1价的取代基。作为一个例子,苯基的氘化的结构如下所示可以被理解为指苯基内可取代的至少一个氢被取代为氘的所有结构的1价的取代基。
另外,化合物的“氘取代率”或“氘化度”是指将化合物内取代的氘的个数与可以存在的氢的总个数(化合物内可被取代为氘的氢的个数和取代的氘的个数的总和)的比率以百分比进行计算。因此,化合物的“氘取代率”或“氘化度”为“K%”是指化合物内可被取代为氘的氢中的K%被取代为氘。
这时,上述“氘取代率”或“氘化度”可以利用MALDI-TOF MS(基质辅助激光解析法/电离飞行时间质谱法,Matrix-Assisted Laser Desorption/Ionization Time-of-FlightMass Spectrometer)、核磁共振波谱法(1H NMR)、TLC/MS(薄层色谱法/质谱法,Thin-LayerChromatography/Mass Spectrometry)、或GC/MS(气相色谱法/质谱法,GasChromatography/Mass Spectrometry)等并根据通常已知的方法进行测定。更具体而言,利用MALDI-TOF MS时,上述“氘取代率”或“氘化度”可以通过MALDI-TOF MS分析而求出化合物内取代的氘的个数,然后将化合物内取代的氘的个数与可存在的氢的总个数的比率以百分率进行计算而求出。
(化合物)
本发明提供由上述化学式1表示的化合物。
具体而言,上述化合物具有在菲并唑或菲并噻唑的母核结构上取代有由化学式2表示的三嗪基的结构。特别是,具有由上述化学式2表示的三嗪基不结合在R9位置即上述母核结构的2号位置的特征。具有这种结构的由上述化学式1表示的化合物与具有不同结构的化合物相比,有助于激子的稳定化的同时,向掺杂剂的能量传递能力优异,因此用作主体物质是合适的。
在上述化学式1中,X1和X2中的一个为N,另一个为O或S。
另一方面,在上述化学式1中,虚线是指可以存在或不存在键,更具体而言,在上述化学式1中,虚线是指在X1和X2中为N的原子与被R9取代的碳原子之间的键为双键,在X1和X2中为O或S的原子与被R9取代的碳原子之间的键为单键。
更具体而言,由上述化学式1表示的化合物可以由下述化学式1-1或1-2表示:
[化学式1-1]
[化学式1-2]
在上述化学式1-1和1-2中,
X为O或S,
R1至R8与上述化学式1中的定义相同。
在上述化学式1中,R1至R8中的一个为由下述化学式2表示的取代基,其余各自独立地可以为氢;氘;取代或未取代的C6-60芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60杂芳基。
具体而言,上述化学式1的R4至R6中的任一个可以为由上述化学式2表示的取代基。
具体而言,上述化学式1的R1至R8中不是由上述化学式2表示的取代基的其余可以为氢或氘。
在上述化学式1中,R9可以为氢;氘;取代或未取代的C6-60芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60杂芳基。但是,R9中不包括取代或未取代的三嗪基。
具体而言,R9可以为未被取代或被1个以上的氘取代的苯基。
在上述化学式2中,L1可以为直接键合;取代或未取代的C6-60亚芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60亚杂芳基,L1中不包括亚吲哚并咔唑基。
具体而言,L1可以为直接键合。
在上述化学式2中,L2可以为直接键合;取代或未取代的C6-60亚芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60亚杂芳基。
具体而言,L2可以为直接键合、或者未被取代或被1以上时的氘取代的亚苯基。
在上述化学式2中,L3可以为直接键合;取代或未取代的C6-60亚芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60亚杂芳基。
具体而言,L3可以为直接键合、或者未被取代或被1以上时的氘取代的亚苯基。
在上述化学式2中,Ar1可以为取代或未取代的C6-60芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60杂芳基。
具体而言,Ar1可以为苯基、萘基或联苯基,Ar1可以未被取代或被1个以上的氘取代。
在上述化学式3中,Ar2可以为取代或未取代的C6-60芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60杂芳基。
具体而言,Ar2可以为苯基、萘基或联苯基,Ar2可以未被取代或被1个以上的氘取代。
由上述化学式1表示的化合物的代表性的例子如下所示:
另外,上述化合物可以不包含氘、或者可以包含1个以上的氘。
上述化合物包含氘时,化合物的氘取代率可以为1%至100%。具体而言,上述化合物的氘取代率可以为5%以上、10%以上、20%以上、25%以上、30%以上、40%以上、或50%以上,且100%以下、90%以下、80%以下或70%以下。
作为一个例子,上述化合物可以不包含氘、或者可以包含1个至30个氘。具体而言,上述化合物包含氘时,上述化合物可以包含1个以上、3个以上、5个以上、7个以上、10个以上、12个以上、或15个以上、并且30个以下、28个以下、26个以下、24个以下、22个以下、20个以下、18个以下、或16个以下的氘。
另一方面,作为本发明的一个例子,提供如下述反应式1所示的由上述化学式1表示的化合物的制造方法。
[反应式1]
上述反应式1为化学式2位于化学式1的R4上时的反应式,如果将化学式2作为其它位置上的取代基时,可以应用上述反应式1。
在上述反应式1中,L1至L3、Ar1、Ar2、R1至R9和X1、X2的定义与上述化学式1相同。此外,在反应式1中,Z为卤素,优选为氯。
(有机发光器件)
另外,本发明提供包含由上述化学式1表示的化合物的有机发光器件。作为一个例子,本发明提供一种有机发光器件,其中,包括:第一电极、与上述第一电极对置而设置的第二电极、以及设置在上述第一电极与上述第二电极之间的1层以上的有机物层,上述有机物层中的1层以上包含由上述化学式1表示的化合物。
本发明的有机发光器件的有机物层可以由单层结构形成,也可以由层叠有2层以上的有机物层的多层结构形成。例如,本发明的有机发光器件可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等作为有机物层的结构。但是,有机发光器件的结构并不限定于此,可以包括更少数量的有机层。
另外,上述有机物层可以包括空穴注入层、空穴传输层、或者同时进行空穴注入和传输的层,上述空穴注入层、空穴传输层、或者同时进行空穴注入和传输的层可以包含由上述化学式1表示的化合物。
另外,上述有机物层可以包括发光层,上述发光层可以包含由上述化学式1表示的化合物。
另外,上述有机物层可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、或者同时进行电子传输和电子注入的层,上述空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、或者同时进行电子传输和电子注入的层可以包含由上述化学式1表示的化合物。
另外,上述有机物层可以包括发光层、以及电子注入和传输层,上述电子注入和传输层可以包含由上述化学式1表示的化合物。
另外,根据本发明的有机发光器件可以是在基板上依次层叠有阳极、1层以上的有机物层和阴极的结构(正常型(normal type))的有机发光器件。此外,根据本发明的有机发光器件可以是在基板上依次层叠有阴极、1层以上的有机物层和阳极的逆向结构(倒置型(inverted type))的有机发光器件。例如,根据本发明的一实施例的有机发光器件的结构例示于图1和2中。
图1图示了由基板1、阳极2、发光层3、阴极4构成的有机发光器件的例子。
图2图示了由基板1、阳极2、空穴注入层5、空穴传输层6、电子阻挡层3、发光层3、电子注入和传输层8、以及阴极4构成的有机发光器件的例子。在如上所述的结构中,由上述化学式1表示的化合物可以包含在上述发光层中。
根据本发明的有机发光器件除了上述有机物层中的1层以上包含由上述化学式1表示的化合物以外,可以利用本技术领域中已知的材料和方法进行制造。此外,上述有机发光器件包括复数个有机物层时,上述有机物层可以由相同的物质或不同的物质形成。
例如,根据本发明的有机发光器件可以通过在基板上依次层叠阳极、有机物层和阴极而制造。这时可以如下制造:利用溅射法(sputtering)或电子束蒸发法(e-beamevaporation)之类的PVD(physical Vapor Deposition:物理气相沉积)方法,在基板上蒸镀金属或具有导电性的金属氧化物或它们的合金而形成阳极,然后在该阳极上形成包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机物层,之后在该有机物层上蒸镀可用作阴极的物质而制造。除了这种方法以外,也可以在基板上依次蒸镀阴极物质、有机物层、阳极物质而制造有机发光器件。
另外,由上述化学式1表示的化合物在制造有机发光器件时不仅可以利用真空蒸镀法,还可以利用溶液涂布法来形成有机物层。在这里,所谓溶液涂布法是指旋涂法、浸涂法、刮涂法、喷墨印刷法、丝网印刷法、喷雾法、辊涂法等,但不仅限于此。
除了这些方法以外,还可以在基板上依次蒸镀阴极物质、有机物层、阳极物质而制造有机发光器件(WO 2003/012890)。但是,制造方法并不限定于此。
作为一个例子,上述第一电极为阳极,上述第二电极为阴极,或者上述第一电极为阴极,上述第二电极为阳极。
作为上述阳极物质,通常为了使空穴能够顺利地向有机物层注入,优选为功函数大的物质。作为上述阳极物质的具体例,有钒、铬、铜、锌、金等金属或它们的合金;氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等金属氧化物;ZnO:Al或SnO2:Sb等金属与氧化物的组合;聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧)噻吩](PEDOT)、聚吡咯和聚苯胺等导电性化合物等,但不仅限于此。
作为上述阴极物质,通常为了使电子容易地向有机物层注入,优选为功函数小的物质。作为上述阴极物质的具体例,有镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅等金属或它们的合金;LiF/Al或LiO2/Al等多层结构物质等,但不仅限于此。
上述空穴注入层是注入来自电极的空穴的层,作为空穴注入物质,优选为如下化合物:具有传输空穴的能力,具有注入来自阳极的空穴的效果,具有对于发光层或发光材料的优异的空穴注入效果,防止发光层中生成的激子向电子注入层或电子注入材料迁移,而且薄膜形成能力优异的化合物。优选空穴注入物质的HOMO(最高占有分子轨道,highestoccupied molecular orbital)介于阳极物质的功函数与周围有机物层的HOMO之间。作为空穴注入物质的具体例,有金属卟啉(porphyrin)、低聚噻吩、芳基胺系有机物、六腈六氮杂苯并菲系有机物、喹吖啶酮(quinacridone)系有机物、苝(perylene)系有机物、蒽醌及聚苯胺和聚噻吩系的导电性化合物等,但不仅限于此。
上述空穴传输层是接收来自空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的层,空穴传输物质是能够从阳极或空穴注入层接收空穴并将其转移至发光层的物质,对空穴的迁移率大的物质是合适的。作为具体例,有芳基胺系有机物、导电性化合物、以及同时存在共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等,但不仅限于此。
上述发光物质是能够从空穴传输层和电子传输层分别接收空穴和电子并使它们结合而发出可见光区域的光的物质,优选为对于荧光或磷光的量子效率高的物质。作为具体例,有8-羟基喹啉铝配合物(Alq3);咔唑系化合物;二聚苯乙烯基(dimerized styryl)化合物;BAlq;10-羟基苯并喹啉-金属化合物;苯并唑、苯并噻唑及苯并咪唑系化合物;聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)系高分子;螺环(spiro)化合物;聚芴、红荧烯等,但不仅限于此。
上述电子抑制层是为了防止从阴极注入的电子不在发光层中再结合而转移至空穴传输层,从而置于空穴传输层与发光层之间的层,也称为电子阻挡层。电子抑制层优选使用与电子传输层相比亲电子能力较小的物质。优选地,可以包含由上述化学式1表示的化合物作为电子抑制层的物质。
上述发光层可以包含主体材料和掺杂剂材料。作为主体材料,可以使用由上述的化学式1表示的化合物。此外,作为可以进一步使用的主体材料,可以使用芳香族稠环衍生物或含杂环化合物等。具体而言,作为芳香族稠环衍生物,有蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等,作为含杂环化合物,有咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、梯型呋喃化合物嘧啶衍生物等,但并不限定于此。
作为掺杂剂材料,有芳香族胺衍生物、苯乙烯基胺化合物、硼配合物、荧蒽化合物、金属配合物等。具体而言,芳香族胺衍生物是具有取代或未取代的芳基氨基的芳香族稠环衍生物,有具有芳基氨基的芘、蒽、二茚并芘等,苯乙烯基胺化合物是在取代或未取代的芳基胺上取代有至少1个芳基乙烯基的化合物,被选自芳基、甲硅烷基、烷基、环烷基和芳基氨基中的1个或2个以上的取代基取代或未被取代。具体而言,有苯乙烯基胺、苯乙烯基二胺、苯乙烯基三胺、苯乙烯基四胺等,但并不限定于此。此外,作为金属配合物,有铱配合物、铂配合物等,但并不限定于此。
上述电子传输层是从电子注入层接收电子并将电子传输至发光层的层,电子传输物质是能够从阴极良好地接收电子并将其转移至发光层的物质,对电子的迁移率大的物质是合适的。作为具体例,有8-羟基喹啉的Al配合物、包含Alq3的配合物、有机自由基化合物、羟基黄酮-金属配合物等,但不仅限于此。电子传输层可以如现有技术中所使用的那样与任意期望的阴极物质一同使用。特别是,合适的阴极物质的例子是具有低功函数且伴有铝层或银层的通常的物质。具体而言,为铯、钡、钙、镱和钐,在各情况下均伴有铝层或银层。
上述电子注入层是注入来自电极的电子的层,优选使用如下化合物:具有传输电子的能力,具有注入来自阴极的电子的效果,具有对于发光层或发光材料的优异的电子注入效果,防止发光层中所生成的激子向空穴注入层迁移,而且薄膜形成能力优异的化合物。具体而言,有芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、唑、/>二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等和它们的衍生物、金属配位化合物、以及含氮五元环衍生物等,但并不限定于此。
作为上述金属配位化合物,有8-羟基喹啉锂、双(8-羟基喹啉)锌、双(8-羟基喹啉)铜、双(8-羟基喹啉)锰、三(8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2-甲基-8-喹啉)氯化镓、双(2-甲基-8-喹啉)(邻甲酚)镓、双(2-甲基-8-喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-喹啉)(2-萘酚)镓等,但并不限定于此。
另一方面,在本发明中,“电子注入和传输层”是既起到上述电子注入层的作用又起到上述电子传输层的作用的层,可以单独或混合使用起到上述各层的作用的物质,但并不限定于此。优选地,可以包含由上述化学式1表示的化合物作为电子注入和传输层的物质。
根据本发明的有机发光器件可以为底部发光(Bottom emission)器件、顶部发光(Top emission)器件、或双向发光器件,特别是,可以是要求相对较高的发光效率的底部发光器件。
另外,根据本发明的化合物除了包含在有机发光器件中以外,还可以包含在有机太阳能电池或有机晶体管中。
由上述化学式1表示的化合物及包含其的有机发光器件的制造在下面的实施例中具体地进行说明。但是,下述实施例用于例示本发明,本发明的范围并不限定于此。
[制造例]
制造例1:化合物1的制造
将A-1(40g,125.9mmol)和B-1(55.7g,132.2mmol)加入到THF(600ml)中,搅拌及回流。然后,将碳酸钾(potassium carbonate)(52.2g,377.6mmol)溶解于水(261ml)而投入,充分搅拌后,投入Pd(dppf)Cl2(0.5g,0.6mmol)。反应3小时后,冷却至常温,进行过滤。将其再次溶解于二氯苯,用水洗涤2次后,分离有机层,加入无水硫酸镁,搅拌后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物重结晶,从而制造了化合物1(55.2g,收率:76%)。
MS:[M+H]+=578
制造例2:化合物2的制造
在制造例1中,使用化合物A-2代替化合物A-1,除此以外,通过使用与制造例1相同的方法制造了化合物2。
MS:[M+H]+=617
制造例3:化合物3的制造
将A-2(40g,116.3mmol)和B-2(51.5g,122.2mmol)加入到THF(600ml)中,搅拌及回流。然后,将碳酸钾(48.2g,349mmol)溶解于水(241ml)而投入,充分搅拌后,投入Pd(dppf)Cl2(0.4g,0.6mmol)。反应1小时后,冷却至常温,进行过滤。将其再次溶解于二氯苯,用水洗涤2次后,分离有机层,加入无水硫酸镁,搅拌后过滤,将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物重结晶,从而制造了化合物3(55.4g,收率:79%)。
MS:[M+H]+=604
[实施例]
实施例1
将ITO(氧化铟锡,Indium Tin Oxide)以1400埃(angstrom)的厚度被涂布成薄膜的玻璃基板放入溶解有洗涤剂的蒸馏水中,利用超声波进行洗涤。这时,洗涤剂使用菲希尔公司(Fischer Co.)的DeconTMCON705制品,蒸馏水使用了利用密理博公司(MilliporeCo.)制造的0.22μm无菌过滤器(sterilizing filter)过滤两次的蒸馏水。将ITO洗涤30分钟后,用蒸馏水重复两次而进行10分钟超声波洗涤。在蒸馏水洗涤结束后,用异丙醇、丙酮和甲醇的溶剂分别进行10分钟超声波洗涤并干燥后,输送至等离子体清洗机。此外,利用氧等离子体,将上述基板清洗5分钟后,将基板输送至真空蒸镀机。
在这样准备的ITO透明电极上,依次将下述化合物HI-A和化合物LG-101分别以的厚度进行热真空蒸镀而形成空穴注入层。在上述空穴注入层上,作为空穴传输层,将下述化合物HT-A以/>的厚度进行真空蒸镀后,作为电子阻挡层,将下述化合物EB-A以/>的厚度进行热真空蒸镀。
接着,在上述EB-A蒸镀膜上,将下述化合物pRH-1和上述制造例1中制造的化合物1以1:1的重量比混合的混合物用作发光层主体、将下述化合物RD-A用作掺杂剂,将主体和掺杂剂以98:2的重量比并以的厚度进行真空蒸镀,从而形成红色发光层。
接着,作为电子注入和传输层,将下述化合物ET-A和化合物Liq以1:1的比例并以的厚度进行热真空蒸镀,接着,将下述化合物Liq以/>的厚度进行真空蒸镀。在上述电子注入和传输层上,依次将镁和银以10:1的比例并以/>的厚度进行蒸镀,将铝以的厚度进行蒸镀,从而形成阴极。/>
在上述过程中,有机物的蒸镀速度维持至/>阴极的氟化锂维持的蒸镀速度,铝维持/>的蒸镀速度,在蒸镀时,真空度维持2x10-7至5x10-6托,从而制作了有机发光器件。
实施例2至6
在上述实施例1中,使用下述表1中记载的化合物代替制造例1的化合物1和pRH-1,除此以外,通过与上述实施例1相同的方法制造了有机发光器件。这时,pRH-2的化合物结构如下所示。
比较例1至6
在上述实施例1中,使用下述表1中记载的化合物代替制造例1的化合物1和pRH-1,除此以外,通过与上述实施例1相同的方法制造了有机发光器件。这时,比较化合物nRH-1、nRH-2和nRH-3的结构如下所示。
实验例
对上述实施例1至实施例6和比较例1至比较例6中制作的有机发光器件施加电流,从而测定电压、效率、寿命,将其结果示于下述表1。这时,电压、效率是施加10mA/cm2的电流密度而测定的,LT97是指在20mA/cm2的电流密度下初始亮度(6000尼特)减少至97%时的时间(hr)。
[表1]
从上述表1的结果可以确认,将具有化学式1的结构的化合物适用于有机电致发光器件的发光层时,可以得到具有高效率、长寿命的特性的器件。
[符号说明]
1:基板2:阳极
3:发光层4:阴极
5:空穴注入层6:空穴传输层
7:电子阻挡层8:电子注入和传输层。
Claims (13)
1.一种由下述化学式1表示的化合物:
[化学式1]
在所述化学式1中,
X1和X2中的一个为N,另一个为O或S,
R1至R8中的一个为由下述化学式2表示的取代基,其余各自独立地为氢;氘;取代或未取代的C6-60芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60杂芳基,
R9为氢;氘;取代或未取代的C6-60芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60杂芳基,但是,R9中不包括取代或未取代的三嗪基,
[化学式2]
在所述化学式2中,
L1为直接键合;取代或未取代的C6-60亚芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60亚杂芳基,但是,L1中不包括亚吲哚并咔唑基,
L2为直接键合;取代或未取代的C6-60亚芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60亚杂芳基,
L3为直接键合、取代或未取代的C6-60亚芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60亚杂芳基,
Ar1为取代或未取代的C6-60芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60杂芳基,
Ar2为取代或未取代的C6-60芳基;或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C2-60杂芳基。
2.根据权利要求1所述的化合物,其中,所述化合物由下述化学式1-1或1-2表示:
[化学式1-1]
[化学式1-2]
在所述化学式1-1和1-2中,
X为O或S,
R1至R8与权利要求1中的定义相同。
3.根据权利要求1所述的化合物,其中,所述R4至R6中的任一个为由所述化学式2表示的取代基。
4.根据权利要求1所述的化合物,其中,所述R1至R8中不是由所述化学式2表示的取代基的其余为氢或氘。
5.根据权利要求1所述的化合物,其中,所述R9为未被取代或被1个以上的氘取代的苯基。
6.根据权利要求1所述的化合物,其中,所述L1为直接键合。
7.根据权利要求1所述的化合物,其中,所述L2为直接键合、或者未被取代或被1个以上的氘取代的亚苯基。
8.根据权利要求1所述的化合物,其中,所述L3为直接键合、或者未被取代或被1个以上的氘取代的亚苯基。
9.根据权利要求1所述的化合物,其中,所述Ar1为苯基、萘基或联苯基,
所述Ar1未被取代或被1个以上的氘取代。
10.根据权利要求1所述的化合物,其中,所述Ar2为苯基、萘基或联苯基,
所述Ar2未被取代或被1个以上的氘取代。
11.根据权利要求1所述的化合物,其中,由所述化学式1表示的化合物为选自由下述组成的组中的任一个:
12.一种有机发光器件,其中,包括:第一电极、与所述第一电极对置而设置的第二电极、以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的有机物层,所述有机物层包含权利要求1至11中任一项所述的化合物。
13.根据权利要求12所述的有机发光器件,其中,包含所述化合物的有机物层为发光层。
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