CN118074632B - 低噪声放大器及无线通信系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种低噪声放大器及无线通信系统，低噪声放大器包括晶体管、第一电容、第二电容、变压器负反馈模块、电阻负反馈模块及漏极偏置模块；晶体管的栅极连接栅极电压，源极连接参考地，漏极通过漏极偏置模块连接漏极供电端口；变压器负反馈模块通过第一电容及第二电容分别连接晶体管的栅极及漏极，用于在晶体管的栅、漏间形成第一负反馈环路；电阻负反馈模块连接于晶体管的栅极及漏极之间，用于在晶体管的栅、漏间形成第二负反馈环路；其中，通过第一负反馈环路及第二负反馈环路的配合，降低低噪声放大器的低频增益以提高阻塞容限。通过本发明解决了现有低噪声放大器因低阻塞容限易达到输出功率临界状态，出现噪声、增益及线性度恶化的问题。

Description

低噪声放大器及无线通信系统

技术领域

本发明涉及射频技术领域，特别是涉及一种低噪声放大器及无线通信系统。

背景技术

低噪声放大器常应用于无线通信系统，作为射频接收端的第一级放大器件，其噪声、增益等指标会直接影响射频接收端的整体性能。随着无线通信技术的大范围使用，为了避免无线通信之间的相互干扰，不同应用在设计之初便确立了各自的通信频段，但实际上依然会存在相同或不同应用在同一时刻进行通信的情况，此时非目标信号便成为干扰阻塞信号，因此，如何在存在干扰阻塞信号的环境下实现目标通信便是需要关注的设计难点。

目前，常见的低噪声放大器一般拥有较高的增益和相对较低P1dB（1dB压缩点），这是因为射频接收端一般工作在低输入信号环境下，高增益指标可有效降低整体系统噪声；但高增益和低P1dB（低阻塞容限）标志着低噪声放大器在干扰阻塞信号稍大的环境下便达到输出功率临界状态，这将导致低噪声放大器出现噪声、增益及线性度恶化，极大地影响射频接收端正常运作。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本发明的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本发明的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种低噪声放大器及无线通信系统，用于解决现有低噪声放大器因低阻塞容限易达到输出功率临界状态，出现噪声、增益及线性度恶化的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种低噪声放大器，所述低噪声放大器包括：

晶体管、第一电容、第二电容、变压器负反馈模块、电阻负反馈模块及漏极偏置模块；

所述晶体管的栅极连接栅极电压，源极连接参考地，漏极通过所述漏极偏置模块连接漏极供电端口；

所述变压器负反馈模块通过所述第一电容及所述第二电容分别连接所述晶体管的栅极及漏极，用于在所述晶体管的栅极及漏极之间形成第一负反馈环路；

所述电阻负反馈模块连接于所述晶体管的栅极及漏极之间，用于在所述晶体管的栅极及漏极之间形成第二负反馈环路；

其中，通过所述第一负反馈环路及所述第二负反馈环路的配合，降低所述低噪声放大器的低频增益以提高阻塞容限。

可选地，所述变压器负反馈模块包括第一变压器及第二变压器；

所述第一变压器包括第一绕组及第二绕组，所述第一绕组的正端连接射频输入端口，负端通过所述第一电容连接所述晶体管的栅极，所述第二绕组的正端连接参考地，负端通过所述第二电容连接所述晶体管的漏极；

所述第二变压器包括第三绕组及第四绕组，所述第三绕组的正端通过所述第一电容连接所述晶体管的栅极，负端连接参考地，所述第四绕组的正端通过所述第二电容连接所述晶体管的漏极，负端连接射频输出端口。

可选地，所述电阻负反馈模块包括第一电阻及第三电容，所述第一电阻的第一端连接所述晶体管的栅极，第二端连接所述第三电容的第一端，所述第三电容的第二端连接所述晶体管的漏极；或者，所述电阻负反馈模块还包括第二电阻，第一端连接所述第三电容的第二端，第二端连接所述晶体管的漏极。

可选地，所述电阻负反馈模块还包括第一电感，连接于所述第三电容的第二端及所述晶体管的漏极之间，或者，连接于所述第三电容的第二端及所述第二电阻的第一端之间。

可选地，所述漏极偏置模块包括第三电阻、第二电感及至少一个第四电容；所述第三电阻的第一端连接所述晶体管的漏极，第二端连接所述第二电感的第一端，所述第二电感的第二端连接所述漏极供电端口，所述第四电容连接于所述第二电感的第二端及参考地之间；其中，在所述电阻负反馈模块包括所述第二电阻时，使用所述第二电阻替代所述第三电阻。

可选地，所述低噪声放大器还包括源极负反馈模块及/或高频增益补偿模块；

所述源极负反馈模块连接于所述晶体管的源极及参考地之间，用于在所述晶体管的栅极及源极之间形成第三负反馈环路，与所述第一负反馈环路及所述第二负反馈环路配合使用；

所述高频增益补偿模块连接于所述晶体管的漏极及所述电阻负反馈模块之间，用于提升所述低噪声放大器的高频增益。

可选地，在所述低噪声放大器包括源极负反馈模块时，所述源极负反馈模块包括第三电感及第四电阻，二者串联于所述晶体管的源极及参考地之间。

可选地，所述第三电感采用金属线实现。

可选地，在所述低噪声放大器包括高频增益补偿模块时，所述高频增益补偿模块包括第四电感，第一端连接所述晶体管的漏极，第二端连接所述电阻负反馈模块；或者，所述高频增益补偿模块还包括第五电阻及第五电容，所述第五电容的第一端连接所述第四电感的第一端，第二端通过所述第五电阻连接参考地。

本发明还提供一种无线通信系统，所述无线通信系统包括射频接收端，所述射频接收端包括如上所述的低噪声放大器。

如上所述，本发明的低噪声放大器及无线通信系统，通过变压器负反馈模块、电阻负反馈模块、甚至源极负反馈模块的结构优势互补，在基本不影响其他指标性能的情况下，有效降低放大器的低频增益，提升放大器的阻塞容限，即，在对低频噪声、线性度、输入输出回波损耗影响较小的情况下大幅降低放大器的低频增益以提升阻塞容限；通过高频增益补偿模块的设计，有效提升放大器的高频增益，改善增益平坦度，实现宽带匹配。本发明所具有的低增益高1dB压缩点特性，显著提升放大器的阻塞容限，使其可应用于有抗阻塞需求的无线通信系统中。

附图说明

图1显示为本发明实施例一中低噪声放大器的一种结构示意图。

图2显示为本发明实施例一中低噪声放大器的另一种结构示意图。

图3显示为本发明实施例二中低噪声放大器的一种结构示意图。

图4显示为本发明实施例二中低噪声放大器的另一种结构示意图。

图5显示为本发明实施例三中低噪声放大器的一种结构示意图。

图6显示为本发明实施例三中低噪声放大器的另一种结构示意图。

图7显示为本发明实施例四中低噪声放大器的一种结构示意图。

图8显示为本发明实施例四中低噪声放大器的另一种结构示意图。

图9显示为本发明低噪声放大器的示例性结构示意图。

图10显示为图9低噪声放大器的输入输出回波损耗及增益随频率变化的曲线图。

图11显示为图9低噪声放大器的噪声系数随频率变化的曲线图。

图12显示为图9低噪声放大器的1dB压缩点及三阶交调点随频率变化的曲线图。

图13显示为本发明实施例五中无线通信系统的结构示意图。

元件标号说明：10无线通信系统，100射频接收端，110低噪声放大器，111变压器负反馈模块，112电阻负反馈模块，113漏极偏置模块，114栅极偏置模块，115源极负反馈模块，116高频增益补偿模块，200射频发射端。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图13。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。

实施例一

如图1和图2所示，本实施例提供一种低噪声放大器110，包括晶体管M1、第一电容C1、第二电容C2、变压器负反馈模块111、电阻负反馈模块112及漏极偏置模块113；进一步的，还包括栅极偏置模块114。

晶体管M1作为低噪声放大器110的放大管使用；其中，晶体管M1的栅极连接栅极电压Vg，晶体管M1的源极连接参考地，晶体管M1的漏极通过漏极偏置模块113连接漏极供电端口以接入漏极电压Vd。

第一电容C1及第二电容C2作为隔直电容使用；其中，第一电容C1用于隔离栅极电压Vg，以避免栅极电压Vg通过变压器负反馈模块111中第二变压器T2的第三绕组N3接至参考地造成供电短路，第二电容C2用于隔离漏极电压Vd，以避免漏极电压Vd通过变压器负反馈模块111中第一变压器T1的第二绕组N2接至参考地造成供电短路。

变压器负反馈模块111通过第一电容C1及第二电容C2分别连接晶体管M1的栅极及漏极，用于在晶体管M1的栅极及漏极之间形成第一负反馈环路。

在一种实施方式中，变压器负反馈模块111包括第一变压器T1及第二变压器T2，其中，第一变压器T1具有第一匝数比k₁，第二变压器T2具有第二匝数比k₂，如图1和图2所示。

第一变压器T1包括第一绕组N1及第二绕组N2；第一绕组N1的正端连接射频输入端口以接入射频输入信号RF_IN，第一绕组N1的负端通过第一电容C1连接晶体管M1的栅极，第二绕组N2的正端连接参考地，第二绕组N2的负端通过第二电容C2连接晶体管M1的漏极，其中，第一绕组N1与第二绕组N2的匝数比为k₁。

第二变压器T2包括第三绕组N3及第四绕组N4；第三绕组N3的正端通过第一电容C1连接晶体管M1的栅极，第三绕组N3的负端连接参考地，第四绕组N4的正端通过第二电容C2连接晶体管M1的漏极，第四绕组N4的负端连接射频输出端口以输出射频输出信号RF_OUT，其中，第三绕组N3与第四绕组N4的匝数比为k₂。

电阻负反馈模块112连接于晶体管M1的栅极及漏极之间，用于在晶体管M1的栅极及漏极之间形成第二负反馈环路。

在一种实施方式中，电阻负反馈模块112包括第一电阻R1及第三电容C3，进一步的，还包括第一电感L1，如图1所示。

第一电阻R1的第一端连接晶体管M1的栅极，第一电阻R1的第二端连接第三电容C3的第一端，第三电容C3的第二端连接晶体管M1的漏极。若还包括第一电感L1，则第一电感L1连接于第三电容C3的第二端及晶体管M1的漏极之间，即，第一电感L1的第一端连接第三电容C3的第二端，第一电感L1的第二端连接晶体管M1的漏极。

在另一种实施方式中，电阻负反馈模块112包括第一电阻R1、第二电阻R2及第三电容C3，进一步的，还包括第一电感L1，如图2所示。

第一电阻R1的第一端连接晶体管M1的栅极，第一电阻R1的第二端连接第三电容C3的第一端，第三电容C3的第二端连接第二电阻R1的第一端，第二电阻R1的第二端连接晶体管M1的漏极。若还包括第一电感L1，则第一电感L1连接于第三电容C3的第二端及第二电阻R2的第一端之间，即，第一电感L1的第一端连接第三电容C3的第二端，第一电感L1的第二端连接第二电阻R2的第一端。

漏极偏置模块113用于隔离射频信号，避免射频信号流到漏极供电端口，同时，还用于滤除电源纹波，提高低噪声放大器110的低频稳定性。

在一种实施方式中，若电阻负反馈模块112未包括第二电阻R2，则漏极偏置模块113包括第三电阻R3、第二电感L2及至少一个第四电容，如图1所示。

第三电阻R3的第一端连接晶体管M1的漏极，第三电阻R3的第二端连接第二电感L2的第一端，第二电感L2的第二端连接漏极供电端口以接入漏极电压Vd，第四电容连接于第二电感L2的第二端及参考地之间。实际应用中，第四电容的数量通常为两个或三个；作为一种可选方案，第四电容的数量为三个，包括C41~C43，三者并联。

在另一种实施方式中，若电阻负反馈模块112包括第二电阻R2，则漏极偏置模块113中，使用第二电阻R2替代第三电阻R3，此时，电阻负反馈模块112及漏极偏置模块113共用第二电阻R2，如图2所示。

栅极偏置模块114用于提供栅极电压Vg。在一种实施方式中，栅极偏置模块114包括电压生成单元及温度补偿单元（图中未示出），电压生成单元用于生成栅极电压Vg，温度补偿单元用于对栅极电压Vg进行高低温下的增益波动补偿。

本实施例的低噪声放大器110，通过第一负反馈环路及第二负反馈环路的配合，在基本不影响其他指标性能的情况下，降低该低噪声放大器110的低频增益以提高阻塞容限。

具体分析如下：变压器负反馈模块111可以在不影响噪声和线性度的情况下降低 放大器的低频增益，其增益降低比例可近似满足公式：；其中，A_vr为引 入变压器负反馈模块111后的低频增益，A_vr1为未引入变压器负反馈模块111的低频增益，k₁ 为第一变压器T1的第一匝数比，k₂为第二变压器T2的第二匝数比，g_m为晶体管M1的跨导，Z_L 为理想输出阻抗。

由上述公式可以看出，通过调节第一变压器T1的第一匝数比k₁、第二变压器T2的第二匝数比k₂及晶体管M1的跨导g_m，可以大幅降低放大器的低频增益，提高阻塞容限；另外，由于变压器负反馈模块111的低损耗阻抗特性，可以有效改善输入输出回波损耗及线性度，减少对噪声的恶化。

电阻负反馈模块112中，第三电容C3起到隔直作用，在射频信号分析中可以等效为短路，第一电阻R1将射频输出信号经过衰减后反馈至晶体管M1的栅极，由于经过晶体管M1后信号会产生相位差，实际反馈为负反馈，因此该结构可以降低放大器的低频增益，提高低频稳定性；在电阻负反馈模块112包括第二电阻R2时，第二负反馈环路的反馈电阻实际为第一电阻R1及第二电阻R2之和。而在电阻负反馈模块112包括第一电感L1时，第一电感L1能够补偿放大器的高频增益，改善放大器的增益平坦度。

漏极偏置模块113中，第二电感L2作为射频隔离电感使用，对射频信号起到隔离作用，避免射频信号流到漏极供电端口；第四电容作为耦合电容使用，与第三电阻R3或第二电阻R2配合起到滤除电源纹波的作用，提高放大器的低频稳定性。

实施例二

如图3和图4所示，本实施例提供一种低噪声放大器110，与实施例一的区别在于，本实施例的低噪声放大器110还包括源极负反馈模块115。

源极负反馈模块115连接于晶体管M1的源极及参考地之间，用于在晶体管M1的栅极及源极之间形成第三负反馈环路。

在一种实施方式中，源极负反馈模块115包括第三电感L3及第四电阻R4，二者串联于晶体管M1的源极及参考地之间，即，第三电感L3的第一端连接晶体管M1的源极，第三电感L3的第二端连接第四电阻R4的第一端，第四电阻R4的第二端连接参考地。

实际应用中，由于第三电感L3的感值很小，不易通过器件选型获得相应感值，因此可以通过金属线实现，如，低噪声放大器电路中连接晶体管M1源极及第四电阻R4第一端的金属线，其中该金属线可以为金线。

本实施例中，第三负反馈环路与第一负反馈环路及第二负反馈环路配合使用，通过增设第三负反馈环路，能够进一步降低放大器的低频增益，改善输入回波损耗，改善低频稳定性。

具体分析如下：源极负反馈模块115中，第三电感L3作为源极退化电感使用，能够改善输入回波损耗，改善放大器的低频稳定性；第四电阻R4直接影响看向晶体管M1的阻抗和射频输出信号的摆幅，因此能够改善输入回波损耗，降低放大器的低频增益。

实施例三

如图5和图6所示，本实施例提供一种低噪声放大器110，与实施例一的区别在于，本实施例的低噪声放大器110还包括高频增益补偿模块116。

高频增益补偿模块116连接于晶体管M1的漏极及电阻负反馈模块112之间，用于提升低噪声放大器110的高频增益，改善放大器的增益平坦度。

在一种实施方式中，高频增益补偿模块116包括第四电感L4，进一步的，还包括第五电阻R5及第五电容C5。

第四电感L4的第一端连接晶体管M1的漏极，第四电感L4第二端连接电阻负反馈模块112。若还包括第五电阻R5及第五电容C5，则第五电容C5的第一端连接第四电感L1的第一端，第五电容C5的第二端通过第五电阻R5连接参考地。

本实施例的高频增益补偿模块116中，第四电感L4作为电阻负反馈模块112的正反馈电感使用，起到提升带内高频增益的作用，改善放大器的增益平坦度；由于第四电感L4的正反馈作用，易导致系统不稳定，通过引入并联接地的RC结构，可以在一定程度上吸收高频不稳定信号，降低高频带外增益，提升高频稳定性，对于正反馈电感所引起的特定频段不稳定也有一定的缓解作用。需要注意的是，由于高频增益补偿模块116在一定程度上可以替代电阻负反馈模块112中的第一电感L1在补偿高频增益方面的作用，因此，在低噪声放大器110包括高频增益补偿模块116时，可不设置第一电感L1。

实施例四

如图7和图8所示，本实施例提供一种低噪声放大器110，与实施例一的区别在于，本实施例的低噪声放大器110还包括源极负反馈模块115及高频增益补偿模块116。

其中，源极负反馈模块115的相关描述可详见实施例二，高频增益补偿模块116的相关描述可详见实施例三，本实施例不再赘述。

下面，以图9所示结构为例，结合图10至图12，对本发明低噪声放大器110的性能进行说明。

对图9所示低噪声放大器进行输入输出回波损耗及增益测试，测试结果如图10所示；从图10可以看出，该低噪声放大器110在30MHz~1GHz范围内实现了13.4dB~14.4dB的增益水平，三种负反馈结构（即，变压器负反馈模块111、电阻负反馈模块112及源极负反馈模块115）联合使用成功降低了约7dB的低频增益，高频增益补偿模块116有效缓解了增益滚降以改善增益平坦度，成功将输入输出回波损耗降低至-15dB以下。

对图9所示低噪声放大器进行噪声系数测试，测试结果如图11所示；从图11可以看出，三种负反馈结构结合的方式能够减少常规结构对噪声的恶化效果，在30MHz~1GHz范围内实现了小于1.05dB的噪声系数，且带内噪声系数均值仅为0.87dB。

对图9所示低噪声放大器进行1dB压缩点及三阶交调点测试，测试结果如图12所示；从图12可以看出，变压器负反馈模块111的低损耗特性有效改善了放大器的线性度，放大器的P1dB（1dB压缩点）指标为19.1dBm~21.6dBm，在每通道输出功率为5dBm时OIP3（三阶交调点）指标为32.7dBm~38.9dBm。

实施例五

如图13所示，本实施例提供一种无线通信系统10，包括射频接收端100，进一步的，还包括射频发射端200。

射频接收端100用于从天线端接收射频信号并进行信号处理得到基带信号发送至基带端。在一种实施方式中，射频接收端100包括低噪声放大器110，其中，低噪声放大器110采用实施例一、实施例二、实施例三或实施例四中记载的电路结构实现；当然，射频接收端100还可以包括其他器件，如，射频滤波器、混频器、中频放大器等。

射频发射端200用于将基带端发送的基带信号进行信号处理得到射频信号并通过天线端发出。在一种实施方式中，射频发射端200包括中频放大器、射频滤波器、混频器及功率放大器，当然，射频发射端200也可以有其他实施方式，这对本实施例没有实质影响。

综上所述，本发明的一种低噪声放大器及无线通信系统，通过变压器负反馈模块、电阻负反馈模块、甚至源极负反馈模块的结构优势互补，在基本不影响其他指标性能的情况下，有效降低放大器的低频增益，提升放大器的阻塞容限，即，在对低频噪声、线性度、输入输出回波损耗影响较小的情况下大幅降低放大器的低频增益以提升阻塞容限；通过高频增益补偿模块的设计，有效提升放大器的高频增益，改善增益平坦度，实现宽带匹配。本发明所具有的低增益高1dB压缩点特性，显著提升放大器的阻塞容限，使其可应用于有抗阻塞需求的无线通信系统中。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (8)

1.一种低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器包括：

晶体管、第一电容、第二电容、变压器负反馈模块、电阻负反馈模块及漏极偏置模块；

所述晶体管的栅极连接栅极电压，源极连接参考地，漏极通过所述漏极偏置模块连接漏极供电端口；

所述变压器负反馈模块通过所述第一电容连接所述晶体管的栅极并通过所述第二电容连接所述晶体管的漏极，用于在所述晶体管的栅极及漏极之间形成第一负反馈环路；

所述电阻负反馈模块连接于所述晶体管的栅极及漏极之间，用于在所述晶体管的栅极及漏极之间形成第二负反馈环路；

其中，通过所述第一负反馈环路及所述第二负反馈环路的配合，降低所述低噪声放大器的低频增益以提高阻塞容限；

所述变压器负反馈模块包括第一变压器及第二变压器；所述第一变压器包括第一绕组及第二绕组，所述第一绕组的正端连接射频输入端口，负端通过所述第一电容连接所述晶体管的栅极，所述第二绕组的正端连接参考地，负端通过所述第二电容连接所述晶体管的漏极；所述第二变压器包括第三绕组及第四绕组，所述第三绕组的正端通过所述第一电容连接所述晶体管的栅极，负端连接参考地，所述第四绕组的正端通过所述第二电容连接所述晶体管的漏极，负端连接射频输出端口；

所述电阻负反馈模块包括第一电阻及第三电容，所述第一电阻的第一端连接所述晶体管的栅极，第二端连接所述第三电容的第一端，所述第三电容的第二端连接所述晶体管的漏极；或者，所述电阻负反馈模块还包括第二电阻，第一端连接所述第三电容的第二端，第二端连接所述晶体管的漏极。

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述电阻负反馈模块还包括第一电感，连接于所述第三电容的第二端及所述晶体管的漏极之间，或者，连接于所述第三电容的第二端及所述第二电阻的第一端之间。

3.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述漏极偏置模块包括第三电阻、第二电感及至少一个第四电容；所述第三电阻的第一端连接所述晶体管的漏极，第二端连接所述第二电感的第一端，所述第二电感的第二端连接所述漏极供电端口，所述第四电容连接于所述第二电感的第二端及参考地之间；其中，在所述电阻负反馈模块包括所述第二电阻时，使用所述第二电阻替代所述第三电阻。

4.根据权利要求1~3任意一项所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括源极负反馈模块及/或高频增益补偿模块；

所述源极负反馈模块连接于所述晶体管的源极及参考地之间，用于在所述晶体管的栅极及源极之间形成第三负反馈环路，与所述第一负反馈环路及所述第二负反馈环路配合使用；

所述高频增益补偿模块连接于所述晶体管的漏极及所述电阻负反馈模块之间，用于提升所述低噪声放大器的高频增益。

5.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，在所述低噪声放大器包括源极负反馈模块时，所述源极负反馈模块包括第三电感及第四电阻，二者串联于所述晶体管的源极及参考地之间。

6.根据权利要求5所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第三电感采用金属线实现。

7.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，在所述低噪声放大器包括高频增益补偿模块时，所述高频增益补偿模块包括第四电感，第一端连接所述晶体管的漏极，第二端连接所述电阻负反馈模块；或者，所述高频增益补偿模块还包括第五电阻及第五电容，所述第五电容的第一端连接所述第四电感的第一端，第二端通过所述第五电阻连接参考地。

8.一种无线通信系统，其特征在于，所述无线通信系统包括：

射频接收端，所述射频接收端包括如权利要求1~7任意一项所述的低噪声放大器。