CN118040475A - 高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构及其制作方法。该激光器管芯结构包括依次层叠的第一电极接触层、第一光学限制层、第一波导层、发光有源区、第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层，第二电极接触层、第二光学限制层和部分的第二波导层配合形成激光器的脊型结构，第一、第二电极接触层分别与第一、第二电极分别与电连接，并且激光器管芯结构还包括高阻区，高阻区至少形成于第二波导层内，并分布在脊型结构两侧，且与脊型结构邻近设置；第二电极至少连续覆设于脊型结构表面，且与脊型结构表面直接接触。本申请的技术方案能够有效提高激光器的基膜激光输出功率，并明显改善其热特性。
Description
技术领域
本申请涉及一种半导体激光器，具体涉及一种高功率基膜氮化镓(GaN)基激光器管芯结构及其制作方法，属于半导体技术领域。
背景技术
基于III-V族半导体化合物及其量子阱结构的激光器，特别是GaN基激光器在激光显示、激光照明、激光加工、激光通信及激光存储等领域有着广泛的应用前景。例如其中的蓝绿光基模激光器在AR/VR投影显示、激光存储、激光通信及生物医疗等领域具有明确的产业应用需求。同时由于基膜激光器光束质量更好、光纤的耦合效率更高，前景更为广阔。
现有的基膜氮化镓基激光器管芯主要是通过如下方法制作，即：制备窄脊型宽度的激光器，提高高阶模的阈值电流密度，在一定的工作电流范围内不让高阶模激射，只有基膜激光的输出。对于GaN激光器，要实现基膜激光输出，激光器的脊型宽度一般要做到2μm左右，这使得激光器基膜输出的工作电流受到限制，因而输出功率也受到限制，很难实现高功率基膜激光的输出。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构及其制作方法，以克服现有技术中存在的上述问题。
为了达到前述发明目的，本申请采用了以下方案：
本申请的一个方面提供了一种高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构，包括外延结构、第一电极和第二电极，所述外延结构包括依次层叠设置的第一电极接触层、第一光学限制层、第一波导层、发光有源区、第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层，所述第一电极接触层、第一光学限制层和第一波导层是第一导电类型的，所述第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层是第二导电类型的，所述第一电极、第二电极分别与第一电极接触层、第二电极接触层电连接，并且所述第二电极接触层、第二光学限制层和部分的第二波导层配合形成所述激光器管芯结构的脊型结构；
并且，所述激光器管芯结构还包括高阻区；所述高阻区至少形成于所述第二波导层内，并分布在所述脊型结构两侧，且与所述脊型结构邻近设置；以及，所述第二电极至少连续覆设于所述脊型结构表面，且与所述脊型结构表面直接接触。
本申请的另一个方面提供了一种高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构的制作方法，其包括：
提供外延片，所述外延片包括沿指定方向依次层叠设置的第一电极接触层、第一光学限制层、第一波导层、发光有源区、第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层，所述第一电极接触层、第一光学限制层和第一波导层是第一导电类型的，所述第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层是第二导电类型的；
将所述第二电极接触层、第二光学限制层及第二波导层均部分去除，从而在所述外延片上形成激光器的脊型结构，所述脊型结构的高度小于所述第二电极接触层和第二光学限制层及第二波导层的厚度之和；
至少对所述第二波导层的局部区域进行离子注入处理，以在所述脊型结构两侧形成高阻区，且使所述高阻区与所述脊型结构邻近设置；
制作第二电极，并使所述第二电极至少连续覆设在所述脊型结构表面，且与所述脊型结构表面直接接触；
制作第一电极，并使所述第一电极与第一电极接触层电连接；
沿预设的管芯分割道对具有所述脊型结构的外延片进行分割，形成单个激光器管芯结构。
与现有技术相比，本申请至少具有下列优点：
(1)实现了一种高功率基膜GaN基激光器管芯，其中通过在脊型附近形成高阻区，可以利用高阻区和覆设在脊型表面的电极金属层对光场的吸收，增加高阶模的激射阈值，从而可以在较大脊型宽度下实现基膜激光输出，增加基膜激光输出的工作电流，提高激光器的基膜激光输出功率。
(2)提供的高功率基膜GaN基激光器管芯结构中，电极金属层直接与脊型表面连续接触，而省略了隔离介质膜，可以有效提升激光器的散热效果，改善激光器的散热特性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是实施例1中一种GaN基激光器的外延片的示意图；
图2是基于图1所示外延片加工形成的激光器的脊型结构的示意图；
图3是对图2所示脊型结构进行离子注入形成高阻区的示意图；
图4是在图3所示器件结构上设置第二电极及加厚电极的示意图；
图5是在图4所示器件结构设置第一电极的示意图；
附图标记说明：10、氮化镓衬底；11、N型GaN电极接触层；12、N型AlGaN光限制层；13、N型GaN波导层；14、发光有源区；15、P型GaN波导层；16、P型AlGaN光限制层；17、P型GaN电极接触层；20、脊型结构；30、高阻区；40、P型电极；50、加厚电极；60、N型电极。
具体实施方式
针对现有技术的缺陷，本申请人经过大量研究和实践，得以提出本申请的技术方案，如下将予以详细解释说明。
本申请的一些实施例提供的一种高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构包括外延结构、第一电极和第二电极，所述外延结构包括依次层叠设置的第一电极接触层、第一光学限制层、第一波导层、发光有源区、第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层，所述第一电极接触层、第一光学限制层和第一波导层是第一导电类型的，所述第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层是第二导电类型的，所述第一电极、第二电极分别与第一电极接触层、第二电极接触层电连接，并且所述第二电极接触层、第二光学限制层和部分的第二波导层配合形成所述激光器管芯结构的脊型结构；以及，所述激光器管芯结构还包括高阻区，所述高阻区至少形成于所述第二波导层内，并分布在所述脊型结构两侧，且与所述脊型结构邻近设置；所述第二电极至少连续覆设于所述脊型结构表面，且与所述脊型结构表面直接接触。
在一个实施例中，所述高阻区至少是通过对所述第二波导层的局部区域进行离子注入处理后形成。
在一个实施例中，所述高阻区是通过对所述第二波导层及发光有源区内的局部区域进行离子注入处理后形成。优选的，所述离子注入处理的离子注入深度小于与所述高阻区相应位置处的第二波导层及发光有源区的厚度之和。
在一个实施例中，所述离子注入处理采用的离子包括H+、He+、B+、N+、Ar+中的一种或多种，且不限于此。这些离子在被注入第二波导层及发光有源区后，能与其中的半导体材料等结合，将之转变为高阻材料，相应的反应机理是本领域已知的，此处不再详细解释。
在一个实施例中，所述脊型结构的高度小于所述第二波导层与第二光限制层以及第二电极接触层的厚度之和。
在一个实施例中，所述脊型结构的宽度在3μm以上，例如可以为3～5μm。而现有基膜氮化镓基激光器的脊型结构宽度通常在2μm以下。换言之，本申请基膜氮化镓基激光器的脊型结构宽度是现有基膜氮化镓基激光器的脊型结构宽度的1.5倍以上。
在一个实施例中，所述第二电极与所述脊型结构的顶端面形成欧姆接触，而与所述脊型结构的侧壁形成肖特基接触。
在一个实施例中，所述第二电极还延伸覆设于所述高阻区表面。进一步的，所述第二电极与所述高阻区表面形成肖特基接触。
在一个实施例中，所述激光器管芯结构还包括加厚电极，所述加厚电极叠设在所述第二电极上，并与所述第二电极电性结合。
在一个实施例中，所述第一电极直接与所述第一电极接触层电性结合。优选的，所述第一电极与所述第一电极接触层形成欧姆接触。
在一个实施例中，所述激光器管芯结构还包括导电衬底，所述衬底的第一面与第一电极电性结合，所述外延结构形成在所述衬底的第二面上，且所述第二电极接触层远离所述衬底设置。优选的，所述第一电极与导电衬底形成欧姆接触。
在一个实施例中，所述第一导电类型、第二导电类型分别为N型、P型。
在一个实施例中，所述外延结构的材质选自GaN基半导体材料，包括GaN、AlGaN、InGaN、InN或AlInGaN等，且不限于此。
在一个实施例中，所述导电衬底包括但不限于氮化镓、碳化硅、硅或砷化镓衬底等，且优选为氮化镓衬底。
本申请的一些实施例提供的一种高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构的制作方法包括：
提供外延片，所述外延片包括沿指定方向依次层叠设置的第一电极接触层、第一光学限制层、第一波导层、发光有源区、第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层，所述第一电极接触层、第一光学限制层和第一波导层是第一导电类型的，所述第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层是第二导电类型的；
将所述第二电极接触层、第二光学限制层及第二波导层均部分去除，从而在所述外延片上形成激光器的脊型结构，所述脊型结构的高度小于所述第二电极接触层和第二光学限制层及第二波导层的厚度之和；
至少对所述第二波导层的局部区域进行离子注入处理，以在所述脊型结构两侧形成高阻区，且使所述高阻区与所述脊型结构邻近设置；
制作第二电极，并使所述第二电极至少连续覆设在所述脊型结构表面，且与所述脊型结构表面直接接触；
制作第一电极，并使所述第一电极与第一电极接触层电连接；
沿预设的管芯分割道对具有所述脊型结构的外延片进行分割，形成单个激光器管芯结构。
在一个实施例中，所述的制作方法具体包括：对所述第二波导层及发光有源区内的局部区域进行离子注入处理，从而形成所述高阻区。
在一个实施例中，所述离子注入处理采用的离子包括H+、He+、B+、N+、Ar+中的一种或多种，且不限于此。
在一个实施例中，所述离子注入处理的工作参数包括：在所述脊型结构两侧的区域内注入He+，注入能量约为100keV，峰值浓度约为2e18cm-3，注入剂量约为4.7e13cm-2。
在一个实施例中，所述的制作方法具体包括：
直接在所述脊型结构表面或者所述脊型结构及高阻区表面连续沉积电极金属，从而形成所述第二电极，所述第二电极与所述脊型结构的顶端面形成欧姆接触，而与所述脊型结构的侧壁形成肖特基接触。
进一步的，所述第二电极还与所述高阻区形成肖特基接触。
在一个实施例中，所述的制作方法具体包括：在所述第二电极上形成加厚电极，且使所述加厚电极与所述第二电极电性结合。
在一个实施例中，所述外延片包括依次生长于衬底第二面上的缓冲层、第一光学限制层、第一波导层、发光有源区、第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层，所述衬底包括导电衬底或非导电衬底；
并且，所述制作方法还包括：
在所述导电衬底的第一面上设置所述第一电极，所述第一面与第二面相背；
或者，将所述衬底去除，并将所述第一电极直接与所述第一电极接触层电性结合。
在一些情况下，可以预先对所述导电衬底进行减薄等处理，之后在所述导电衬底的第一面上设置所述第一电极。所述导电衬底的材质如前所述。
在一些情况下，特别是对于衬底为蓝宝石衬底等非导电衬底时，可以先通过机械剥离、激光剥离或化学刻蚀等方式将衬底与缓冲层等剥离，之后在所述缓冲层远离所述第一光学限制层的表面上设置所述第一电极。
优选的，所述第一电极与所述导电衬底或缓冲层形成欧姆接触。
在本申请中，所述外延结构中的各半导体材料层可以利用HVPE(氢化物气相外延)、MOCVD(金属有机化学气相沉积)、MBE(分子束外延)等方式生长形成，且不限于此。
在本申请中，所述第一电极、第二电极可以采用金属蒸镀、磁控溅射等方式形成，其材质可以是Ti、Al、Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Cr、ITO等，且不限于此。
本申请通过在基膜氮化镓基激光器管芯结构的脊型结构两侧利用离子注入方式形成高阻区，同时直接在所述脊型结构上形成电极金属层，使电极金属层与脊型结构顶端面形成欧姆接触，而与脊型结构侧壁和脊型结构以外区域形成肖特基接触，利用高阻区和电极金属层增加了对高阶模光场的吸收，提高了激光高阶模的激射阈值电流密度，从而可以在较宽脊型宽度下实现基膜激光输出，有效增加基膜激光输出的工作电流，进而显著提高激光器的基膜激光输出功率，并能明显改善激光器散热效果，保障和提升其工作性能。
在一个较为典型的实施方式中，一种制作所述高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构的方法包括如下步骤：
1)利用MOCVD、MBE等方法在氮化镓、碳化硅、硅或砷化镓等衬底正面(可以定义为第二面)依次外延生长第一电极接触层(如N型GaN第一电极接触层)、第一光学限制层(如N型AlGaN光限制层)、第一波导层(如N型AlInGaN波导层)、发光有源区、第二波导层(如P型GaN波导层)、第二光学限制层(如P型AlGaN光限制层)和第二电极接触层(如P型GaN第二电极接触层)，得到氮化镓基激光器外延结构。
2)根据激光器管芯的结构和相应的管芯分割道的设计尺寸，利用光刻胶或介质膜(如氧化硅、氮化硅膜等)等做掩膜，通过干法和/或湿法刻蚀等方式将所述外延结构刻蚀至第二光限制层，并刻蚀去除部分第二波导层，形成激光器的脊型结构，该脊型结构的高度小于第二波导层和第二光限制层以及第二电极接触层的厚度之和。
3)利用离子注入技术在所述脊型结构的两侧注入H+、He+、B+、N+、Ar+等，从而形成高阻区。离子注入深度大于或等于与高阻区相应位置处的第二波导层的厚度，但小于与高阻区相应位置处的第二波导层及发光有源区的厚度之和。
4)在所述脊型结构的表面蒸镀电极金属并退火，形成第二电极，且使第二电极与所述脊型结构顶端面形成欧姆接触，而与脊型结构侧壁和脊型结构以外区域形成肖特基接触。
5)在所述第二电极表面通过光刻、蒸镀金属等方式形成加厚电极。
6)对所述衬底进行减薄，例如将其减薄到70μm～100μm，然后在减薄的衬底背面(可以定义为第一面)蒸镀电极金属形成第一电极，并使第一电极与衬底形成良好的欧姆接触特性。
7)以切割法或划片法将步骤(6)获得的器件结构沿所述管芯分割道分开，形成具有激光器腔面和预定腔长的单个氮化镓基激光器管芯。
其中，所述第一电极、第二电极的材质包括但不限于Au、Ag、Ni、Pt和Pd中的一种或几种，且其厚度可以为0.005-2μm。
在一些情况下，步骤(1)中可以先在衬底上生长缓冲层(如N型GaN缓冲层)，之后依次生长第一电极接触层、第一光学限制层等。
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本申请的具体实施例进行详细说明。这些优选实施例在附图中进行了例示。附图中所示和根据附图描述的本申请的实施例仅仅是示例性的，并且本申请并不限于这些实施例。
在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本申请，在附图中仅仅示出了与根据本申请的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本申请关系不大的其他细节。
实施例1一种高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构的制作方法包括如下步骤：
(1)利用MOCVD方法在GaN衬底10上依次外延生长N型GaN电极接触层11，N型AlGaN光限制层12，N型GaN波导层13，发光有源区14，P型GaN波导层15，P型AlGaN光限制层16和P型GaN电极接触层17，形成外延片，如图1所示。其中N型GaN电极接触层11的厚度约1.8μm，Si掺杂浓度约1×1018cm-3；N型AlGaN光限制层12的厚度约1.5μm、Si掺杂浓度约1×1018cm-3；N型GaN波导层13是非故意掺杂的，厚度约0.2μm；发光有源区14采用能发射450nm蓝光的GaN/InGaN量子阱有源区；P型GaN波导层15也是非故意掺杂的，厚度约0.1μm；P型AlGaN光限制层16的厚度约0.5μm、Mg掺杂浓度约1×1019cm-3；P型GaN电极接触层17的厚度约8nm，Mg掺杂浓度约1×1020cm-3。
(2)以光刻胶做掩膜，采用离子束技术对所述外延片进行刻蚀，刻蚀至P型AlGaN光限制层16，并刻去部分的P型波导层15，从而形成激光器的脊型结构20，该脊型结构的宽度为4μm左右，如图2所示。
(3)用离子注入技术在所述N型GaN波导层13和发光有源区14邻近所述脊型结构两侧的区域内注入He+，注入能量约为100keV，峰值浓度约为2e18cm-3，注入剂量约为4.7e13cm-2，从形成而高阻区30，如图3所示。
(4)在步骤(3)所形成的器件结构表面用蒸镀等方法沉积镍/金金属层，并在氮气气氛中于500℃左右合金化5分钟左右，从而在所述脊型结构20及高阻层30表面形成连续的P型电极40，该P型电极40与脊型结构20顶端面形成良好欧姆接触，而与脊型结构侧壁及脊型结构以外区域形成肖特基接触，再通过蒸镀等方式在P型电极40上沉积 金属层，形成加厚电极50，如图4所示。
(5)对于步骤(4)所形成的器件结构，将氮化镓衬底10从背面用研磨等方法减薄到80μm左右，再采用蒸镀等方式沉积Ti(0.1μm)/Al(0.4μm)Ti(0.1μm)/Al(0.5μm)金属层，从而形成N型欧姆接触电极60，其中也可以通过退火等方式使N型电极60与氮化镓衬底10形成良好欧姆接触，如图5所示。
(6)利用划片法等管芯分割技术沿设计好的管芯分割道对步骤(5)所形成的器件结构进行分割，形成具有腔面和一定腔长的单个激光器的管芯，该管芯的整体宽度为250μm左右、整体长度为1mm左右、脊型结构宽度为4μm左右，该产品被命名为实施例1产品。
对比例1本对比例提供的一种基膜氮化镓基激光器管芯结构的制作方法与实施例1的制作方法基本相同，区别在于：步骤(2)中所形成的脊型结构宽度约2μm；并且省略了步骤(3)。该对比例制得的激光器管芯被命名为对比例1产品。
对比例2本对比例提供的一种基膜氮化镓基激光器管芯结构的制作方法与实施例1的制作方法基本相同，区别在于：省略了步骤(3)。该对比例制得的激光器管芯被命名为对比例2产品。
对比例3本对比例提供的一种基膜氮化镓基激光器管芯结构的制作方法与实施例1的制作方法基本相同，区别在于：在完成步骤(3)之后，进行步骤(4)之前，还在脊型结构的侧壁和高阻区的表面上沉积了厚度为200nm左右的SiO2绝缘介质层。该对比例制得的激光器管芯被命名为对比例3产品。
分别测试实施例1产品、对比例1产品、对比例2产品、对比例3产品的最大基模输出功率，结果如下表1所示。
表1实施例1、对比例1及对比例2产品的工作性能测试结果
实施例2本实施例提供的一种基膜氮化镓基激光器管芯结构的制作方法与实施例1的制作方法基本相同，区别在于：
步骤(2)中所形成的脊型结构宽度约2μm。
本实施例产品的最大基模输出功率约为120mW。
实施例3本实施例提供的一种基膜氮化镓基激光器管芯结构的制作方法与实施例1的制作方法基本相同，区别在于：
步骤(2)中所形成的脊型结构宽度约3μm。
本实施例产品的最大基模输出功率约为135mW。
实施例4本实施例提供的一种基膜氮化镓基激光器管芯结构的制作方法与实施例1的制作方法基本相同，区别在于：
步骤(2)中所形成的脊型结构宽度约5μm。
本实施例产品的最大基模输出功率约为150mW。
实施例5本实施例提供的一种基膜氮化镓基激光器管芯结构的制作方法与实施例1的制作方法基本相同，区别在于：
步骤(2)中所形成的脊型结构宽度约4μm。
步骤(3)中注入的离子为Ar离子，注入能量约为250keV，峰值浓度约为5e18cm-3，注入剂量约为5.5e13cm-2。
本实施例产品的最大基模输出功率约为145mW。
以上实施例及对比例产品的测试结果表明，在本申请中利用离子注入形成的高阻区及与脊型结构直接电性接触的电极金属层协同作用，可以有效提高基膜氮化镓基激光器的基膜激光输出功率，并大幅改善其热特性。
应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例的技术方案也可以经适当组合形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (10)
1.一种高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构，包括外延结构、第一电极和第二电极，所述外延结构包括依次层叠设置的第一电极接触层、第一光学限制层、第一波导层、发光有源区、第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层，所述第一电极接触层、第一光学限制层和第一波导层是第一导电类型的，所述第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层是第二导电类型的，所述第一电极、第二电极分别与第一电极接触层、第二电极接触层电连接，并且所述第二电极接触层、第二光学限制层和部分的第二波导层配合形成所述激光器管芯结构的脊型结构；其特征在于：所述激光器管芯结构还包括高阻区，所述高阻区至少形成于所述第二波导层内，并分布在所述脊型结构两侧，且与所述脊型结构邻近设置；以及，所述第二电极至少连续覆设于所述脊型结构表面，且与所述脊型结构表面直接接触。
2.根据权利要求1所述的高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构，其特征在于：所述高阻区至少是通过对所述第二波导层的局部区域进行离子注入处理后形成。
3.根据权利要求2所述的高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构，其特征在于：所述高阻区是通过对所述第二波导层及发光有源区内的局部区域进行离子注入处理后形成；和/或，所述离子注入处理采用的离子包括H+、He+、B+、N+、Ar+中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构，其特征在于：所述激光器管芯结构还包括导电衬底，所述衬底的第一面与第一电极电性结合，所述外延结构形成在所述衬底的第二面上，且所述第二电极接触层远离所述衬底设置。
5.根据权利要求1所述的高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构，其特征在于：所述第二电极还延伸覆设于所述高阻区表面；
和/或，所述第二电极与所述脊型结构的顶端面形成欧姆接触，而与所述脊型结构的侧壁形成肖特基接触；
和/或，所述激光器管芯结构还包括加厚电极，所述加厚电极叠设在所述第二电极上，并与所述第二电极电性结合；
和/或，所述脊型结构的高度小于所述第二波导层与第二光限制层以及第二电极接触层的厚度之和；
和/或，所述第一导电类型、第二导电类型分别为N型、P型。
6.一种高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构的制作方法，其特征在于包括：
提供外延片，所述外延片包括沿指定方向依次层叠设置的第一电极接触层、第一光学限制层、第一波导层、发光有源区、第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层，所述第一电极接触层、第一光学限制层和第一波导层是第一导电类型的，所述第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层是第二导电类型的；
将所述第二电极接触层、第二光学限制层及第二波导层均部分去除，从而在所述外延片上形成激光器的脊型结构，所述脊型结构的高度小于所述第二电极接触层和第二光学限制层及第二波导层的厚度之和；
至少对所述第二波导层的局部区域进行离子注入处理，以在所述脊型结构两侧形成高阻区，且使所述高阻区与所述脊型结构邻近设置；
制作第二电极，并使所述第二电极至少连续覆设在所述脊型结构表面，且与所述脊型结构表面直接接触；
制作第一电极，并使所述第一电极与第一电极接触层电连接；
沿预设的管芯分割道对具有所述脊型结构的外延片进行分割，形成单个激光器管芯结构。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于具体包括：对所述第二波导层及发光有源区内的局部区域进行离子注入处理，从而形成所述高阻区。
8.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于所述离子注入处理采用的离子包括H+、He+、B+、N+、Ar+中的一种或多种。
9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于具体包括：
直接在所述脊型结构表面或者所述脊型结构及高阻区表面连续沉积电极金属，从而形成所述第二电极，所述第二电极与所述脊型结构的顶端面形成欧姆接触，而与所述脊型结构的侧壁形成肖特基接触；
和/或，在所述第二电极上形成加厚电极，且使所述加厚电极与所述第二电极电性结合。
10.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于：所述外延片包括依次生长于衬底第二面上的缓冲层、第一光学限制层、第一波导层、发光有源区、第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层，所述衬底包括导电衬底或非导电衬底；
并且，所述制作方法还包括：
在所述导电衬底的第一面上设置所述第一电极，所述第一面与第二面相背；
或者，将所述衬底去除，并将所述第一电极直接与所述第一电极接触层电性结合。
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