CN118017949A - 功率放大器、输出匹配电路和射频模块 - Google Patents
功率放大器、输出匹配电路和射频模块 Download PDFInfo
- Publication number
- CN118017949A CN118017949A CN202410145415.1A CN202410145415A CN118017949A CN 118017949 A CN118017949 A CN 118017949A CN 202410145415 A CN202410145415 A CN 202410145415A CN 118017949 A CN118017949 A CN 118017949A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- output
- matching unit
- power
- circuit
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 31
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本申请提供了一种功率放大器、输出匹配电路和射频模块,该输出匹配电路包括:信号输入端,接收功率放大电路提供的功率放大信号;第一预匹配单元,用于在信号输入端配置等效的第一1/4波长线;第二预匹配单元,用于在信号输入端配置等效的第二1/4波长线;其中,第一预匹配单元的第一端与信号输入端连接,第二预匹配单元的第一端与第一预匹配单元的第二端连接,该第一预匹配单元和第二预匹配单元的组合,能够在信号输入端产生等效负电容,从而能够很好的抵消功率管输出端的寄生电容造成的不良影响,拓宽了器件可用带宽,利于增加功率放大器的功率密度,以及减少功率放大器的体积。
Description
技术领域
本申请涉及无线通信技术领域,具体涉及一种功率放大器、输出匹配电路和射频模块。
背景技术
在无线传输过程中,信号的衰减将影响信号的传输距离。为了能够实现更远距离的信号传输,信号通常需要经过功率放大器放大后再经天线向外辐射,这里的功率放大器主要用于实现功率放大,以使被功率放大器放大后的信号具有足够大的功率。
以射频功率放大器为例,射频功率放大器的功率密度有限,为了获取大输出功率必须使用大尺寸的功率管,大尺寸功率管会产生较大输出电容,输出电容会减少器件高频输出功率以及高频增益,并且减少带宽。
目前,功率放大器的输出匹配结构仅能进行阻抗匹配,无法对抗输出电容造成的不良影响。且由于现代无线通讯、雷达系统带宽需求不断增长,传统的输出匹配结构无法满足高功率高带宽需求。
发明内容
为了解决上述技术问题,本申请提供了一种功率放大器、输出匹配电路和射频模块,用以拓宽可用带宽,增加功率放大器的功率密度,以及减少功率放大器的体积。
根据本申请第一方面,提供了一种输出匹配电路,包括:
信号输入端,接收功率放大电路提供的功率放大信号;
第一预匹配单元,用于在所述信号输入端配置等效的第一1/4波长线;
第二预匹配单元,用于在所述信号输入端配置等效的第二1/4波长线;
其中,所述第一预匹配单元的第一端与所述信号输入端连接,所述第二预匹配单元的第一端与所述第一预匹配单元的第二端连接,用于在所述信号输入端产生等效负电容,以实现对所述功率放大电路中功率管输出端的寄生电容的抵消效果。
可选地,所述第一预匹配单元包括:
第一电容,连接于所述信号输入端与参考地电位之间;
第一电感,第一端与所述信号输入端连接;
第二电容,连接于所述第一电感的第二端与参考地电位之间,
其中,所述第一电感的第一端作为所述第一预匹配单元的第一端,所述第一电感的第二端作为所述第一预匹配单元的第二端。
可选地,所述第二预匹配单元包括:
第三电容,连接于所述第一电感的第二端与参考地电位之间;
第二电感和第四电容,所述第二电感和所述第四电容串联连接于所述第一电感的第二端与参考地电位之间,
其中,所述第二电感的第一端作为所述第二预匹配单元的第一端。
可选地,所述第二电容和所述第三电容为同一电容元件。
可选地,所述输出匹配电路还包括:
阻抗匹配单元,与所述第一预匹配单元的第二端连接,用于实现所述功率放大信号的阻抗匹配,并向信号输出端提供输出信号。
可选地,所述输出匹配电路还包括:
隔直电容,所述阻抗匹配单元经所述隔直电容向所述信号输出端提供所述输出信号。
可选地,所述第一预匹配单元和所述第二预匹配单元封装于所述功率放大电路的管壳内。
根据本申请第二方面,提供了一种功率放大器,包括:
如本申请任一实施例所述的输出匹配电路;以及
功率放大电路,经所述输出匹配电路与后级电路结构连接,适于对输入信号进行功率放大以获得所述功率放大信号。
可选地,所述功率放大器还包括:
输入匹配电路,与所述功率放大电路的输入端连接,用于实现对所述功率放大电路的输入信号的阻抗匹配。
根据本申请第三方面,提供了一种射频模块,包括本申请任一实施例所述的功率放大器。
本申请的有益效果至少包括:
本申请实施例提供的输出匹配电路,其信号输入端(即功率放大电路中功率管的输出端)设置有可以提供等效的第一1/4波长线的第一预匹配单元和可以提供等效的第二1/4波长线的第二预匹配单元,结合第一预匹配单元和第二预匹配单元之间的连接关系,可以在输出匹配电路的信号输入端(即功率放大电路中功率管的输出端)产生具有类似负电容效果的等效负电容,从而利用该等效负电容能够很好的抵消功率放大电路中功率管输出端的寄生电容造成的不良影响,有利于拓宽功率器件的可用带宽,增加功率放大器的功率密度,以及减少功率放大器的体积。
应当说明的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本申请。
附图说明
图1示出根据本申请实施例提供的功率放大器的结构示意图;
图2示出根据本申请实施例提供的输出匹配电路的结构示意图;
图3示出根据本申请实施例提供的输出电容匹配单元的一种具体结构示意图;
图4示出图3中输出电容匹配单元的等效结构示意图;
图5a示出图3中功率管输出端处的阻抗仿真结果示意图;
图5b根据本申请实施例提供的输出电容匹配单元产生的等效阻抗的仿真结果示意图;
图5c示出图3中电容匹配输出节点处的阻抗仿真结果示意图;
图6示出根据本申请实施例提供的射频模块的示意性框图。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施例。但是,本申请可以通过不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反的,提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。
在本说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此,在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例,而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”,除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”,除非是以其他方式另外特别强调。
本申请的描述中,“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例不应被解释为比其他实施例更优选或更具优势。本文中的“和/或”是对关联对象的关联关系的一种描述,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。“多个”是指两个或多于两个。另外,为了便于清楚描述本申请实施例的技术方案,使用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分。本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定,并且“第一”、“第二”等字样也并不限定一定不同。
另外,在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略对它们的重复描述,也即本说明书中各个部分采用并列和递进相结合的方式描述,每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处,各个部分之间相同或相似部分互相参见即可。
应理解,本申请实施例中的A与B连接/耦接,表示A与B可以串联连接或并联连接,或者A与B通过其他的器件,本申请实施例对此不作限定。
本申请提供的功率放大器(以射频功率放大器,如GaN射频功率放大器为例)及其输出匹配电路可以应用于各种通信系统中的发送端的射频模块,例如应用于雷达设备、通信设备、导航设备、卫星地面站、电子对抗设备等。其中,通信系统例如但不限于为:全球移动通讯(global systemof mobilecommunication,GSM)系统、码分多址(code divisionmultiple access,CDMA)系统、宽带码分多址(wideband code division multipleaccess,WCDMA)系统、通用分组无线业务(general packet radio service,GPRS)、长期演进(long term evolution,LTE)系统、LTE频分双工(frequency division duplex,FDD)系统、LTE时分双工(time division duplex,TDD)、通用移动通信系统(universal mobiletelecommunication system,UMTS)、全球互联微波接入(worldwide interoperabilityfor microwave access,WiMAX)通信系统、无线局域网(wireless local area network,WLAN)、第五代无线通信系统等。
功率放大器的主要功能是对前级电路产生的小功率信号进行放大,以获得具有足够功率的输出信号,该输出信号经天线向外辐射并能够传输足够远的距离。作为示例,功率放大器可利用双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor,简称BJT,也可称为三极管)的电流控制作用或场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)的电压控制作用将电源的功率转换为按照输入信号变化的电流,从而起到电流电压放大作用。
然而,功率放大器中功率管的输出端通常产生有寄生的输出电容(本文中也可简称为寄生电容),在需要获取大输出功率时,现有的功率放大器结构所产生的寄生输出电容较大,该较大的寄生输出电容会减少器件的高频输出功率以及高频增益,并且也会减少功率放大器的带宽。
本申请实施例提供的功率放大器及其输出匹配电路通过在功率放大器的输出端(也即功率放大器中功率管的输出端)设置一种输出电容抵消预匹配结构,可以很好的抵消功率管输出端的寄生电容在功率放大器运行过程中造成的不良影响,从而有利于拓宽器件的可用带宽,增加功率放大器的功率密度和减少功率放大器的体积。
下面将结合附图对本申请提供的功率放大器的实施例进行描述。
图1示出了本申请实施例提供的功率放大器200的结构示意图。应理解,本申请实施例中的功率放大器可以应用在Doherty功放架构、异相(Outphasing)放大器、包络跟踪放大器等功放架构中,或者是应用到其他的功放架构中,本申请实施例对此不作限定。
如图1所示,本申请实施例的功率放大器200包括:输入端210、功率放大电路(Power Amplifier,简称PA)220,输出匹配电路230、输出端240和供电端250。
供电端250接收电源提供的供电电压VCC。该供电电压VCC可以是功率放大器内供电电路提供的电压或功率放大器所在的射频模块中的供电电路提供的电压。在另一些未示出的实施例中,供电电压VCC还可以是功率放大器接收到的接入电压VDD,本申请对此不做限制。
输入端210用于接收输入信号in0,该输入信号in0例如为射频信号。在一些可选的实施例中,功率放大器200还包括输入匹配电路260,耦接在输入端210与功率放大电路220的输入端之间,用于实现功率放大电路220与输入端210之间的阻抗匹配,即用于实现对功率放大电路220的输入信号in0的阻抗匹配。其中,输入匹配电路260的具体实现结构可参考现有方案进行理解。
功率放大电路220用于对输入端210接收到的输入信号in0(或输入匹配电路260传输至功率放大电路220的输入信号in0)进行功率放大以获得功率放大信号out_p,并将功率放大信号out_p经放大输出节点p0提供至输出匹配电路230。功率放大电路220至少包括功率管M0,该功率管M0例如为双极型晶体管、场效应管或其他类型的晶体管,可以等效为一个受控的电流源或电压源,用于根据输入信号in0将电源提供的不包含信息的能量转化为包含有用信息的输出能量,从而输出满足功率指标的功率放大信号out_p。
作为一种示例,用于实现功率管M0的双极型晶体管的发射极可以耦接至参考地电位,集电极经输出匹配电路230耦接或直接耦接至供电端250以接收电源提供的能量,基极可以耦接至输入端210(或经由输入匹配电路耦接至输入端210)以接收输入信号in0,从而功率管M0可以等效为受控于输入信号in0、且提供流向参考地电位的电流的电流源,以及与该电流源并联的寄生电容等,且功率管M0的集电极作为功率管M0的输出端以提供上述功率放大信号out_p。
类似地,作为另一示例,如图2所示,用于实现功率管M0的场效应管的源极可以耦接至参考地电位,衬底与源极耦接,漏极可以经输出匹配电路230耦接至供电端250以接收电源提供的能量,栅极可以耦接至输入端210以接收输入信号in0,从而功率管M0可以等效为受控于输入信号in0、且提供流向参考地电位的电流的电流源,以及与该电流源并联的漏源寄生电容Cds等,且功率管M0的漏极作为功率管M0的输出端以提供上述功率放大信号out_p,功率管M0的输出端的寄生电容例如包括寄生电容Cds。
输出匹配电路230连接在放大输出节点p0和输出端240之间,根据功率放大信号out_p获得可以被提供至输出端240的输出信号out0。
输出端240用于将输出匹配电路230耦接至功率放大器的负载,从而将输出信号out0输出至负载。功率放大器的负载例如但不限于为:传输线、下一级放大器、天馈和/或双工器等后级结构。
具体实施时,图2示出根据本申请实施例提供的输出匹配电路的结构示意图,图3示出根据本申请实施例提供的输出电容匹配单元的一种具体结构示意图,图4示出图3中输出电容匹配单元的等效结构示意图。
在图2示出的示例中,输出匹配电路230包括:信号输入端RF_in、信号输出端RF_out、输出电容匹配单元231、偏置网络232以及阻抗匹配单元233。
信号输入端RF_in与放大输出节点p0耦接以接收功率放大信号out_p。信号输出端RF_out与功率放大器200的输出端240耦接以提供输出信号out0。
输出电容匹配单元231连接在信号输入端RF_in与电容匹配输出节点p1之间,用于在信号输入端RF_in(即功率管M0的输出端)产生等效负电容,从而实现对功率管M0输出端的寄生电容(例如Cds)的抵消效果,避免该寄生电容在功率放大器运行过程中对功率器件的高频输出功率以及高频增益所造成的不良影响,增强器件带宽。
偏置网络232连接在供电端250与电容匹配输出节点p1之间,从而偏置网络232可以根据供电电压VCC经输出电容匹配单元231向信号接入端RF_in提供偏置电压。或者,在一些其他实施例中,偏置网络232也可连接在供电端250与放大输出节点p0之间,从而偏置网络232可以根据供电电压VCC向信号接入端RF_in提供偏置电压。其中,偏置网络232的具体实现结构可参考现有方案进行理解。
阻抗匹配单元233耦接在电容匹配输出节点p1与信号输出端RF_out之间,用于对输出电容匹配单元231的输出端信号进一步进行阻抗配置,从而实现对功率放大信号out_p的阻抗匹配,并向信号输出端提供输出信号out0。其中,阻抗匹配单元233的具体实现结构可参考现有方案进行理解。
在一些可选的示例中,输出匹配电路230还包括用于阻隔直流信号、传递交流信号的隔直电容Cb,隔直电容Cb的第一端与阻抗匹配单元233连接,第二端与信号输出端RF_out连接,从而阻抗匹配单元233经隔直电容Cb向信号输出端RF_out提供输出信号out0。
作为一种可选的输出电容匹配单元231的实现示例,参考图3,在图3示出的示例中,输出电容匹配单元231进一步包括第一预匹配单元2311和第二预匹配单元2312,输出电容匹配单元231通过该第一预匹配单元2311和第二预匹配单元2312在信号输入端RF_in(即功率管M0的输出端)处产生等效负电容。
第一预匹配单元2311的第一端与信号输入端RF_in连接,第二预匹配单元2312的第一端与第一预匹配单元2311的第二端连接,第一预匹配单元2311用于在信号输入端RF_in配置等效的第一1/4波长线(Quarter-wave Lines),第二预匹配单元2312用于在信号输入端RF_in配置等效的第二1/4波长线,相当于在信号输入端RF_in(即功率管M0的输出端)处配置了相互连接的两个等效的1/4波长线结构,且基于该相互连接后的两个等效的1/4波长线结构所存在的类似负电容的特征,从而实现了对功率管M0输出端的寄生电容(例如Cds)的抵消效果,从而有利于拓宽器件的可用带宽,并增加功率放大器的功率密度,使得在获取相同输出功率的情形下,所需的功率放大器的体积更小。
本实施例中,第一预匹配单元2311包括:电容C1、电感L2以及电容C2。其中,电容C1连接于信号输入端RF_in与参考地电位之间,电感L2的第一端与信号输入端RF_in连接,电容C2连接于电感L2的第二端与参考地电位之间。本实施例中,电感L2的第一端作为第一预匹配单元2311的第一端,电感L2的第二端作为第一预匹配单元2311的第二端。
第二预匹配单元2312包括:电容C2、电感L4以及电容C3。其中,电容C2连接于电感L2的第二端与参考地电位之间,电感L4和电容C3串联连接于电感L2的第二端与参考地电位之间。其中,电感L4的第一端作为第二预匹配单元2312的第一端。
参考图4,本实施例中,第一预匹配单元2311中的电容C1、电感L2以及电容C2可以等效成类似图4中所示出的1/4波长线TLIN1,第二预匹配单元2312中的电容C2、电感L4以及电容C3可以等效成类似图4中所示出的1/4波长线TLIN2,其中,等效后的1/4波长线TLIN1的第一端与功率管M0的输出端(如漏极)连接,等效后的1/4波长线TLIN1的第二端与电容匹配输出节点p1连接,等效后的1/4波长线TLIN2的第一端与等效后的1/4波长线TLIN1的第二端连接,等效后的1/4波长线TLIN2的第二端开路。
可以理解,通过在功率管M0的输出端(如漏极)处设置类似1/4波长线TLIN1和1/4波长线TLIN2的等效组合结构,使得在功率管M0的输出端(如漏极)处形成了具有类似负电容特征的等效结构,此时,相当于在功率管M0的输出端(如漏极)处同时存在有寄生的输出电容和等效的负电容结构,参考图5a、图5b和图5c所示,其中,图5a示出图3中功率管输出端处的阻抗仿真结果示意图,图5b根据本申请实施例提供的输出电容匹配单元产生的等效阻抗的仿真结果示意图,图5c示出图3中电容匹配输出节点处的阻抗仿真结果示意图,结合如图5a和图5b,可以看出,功率管M0输出端的寄生电容和输出电容匹配单元231二者对功率管M0的输出测阻抗(或功率放大电路220的输出测阻抗)所造成的影响是相反的,因此二者对功率器件的高频输出功率、高频增益、带宽等性能的影响可以相互抵消,进而,如图5c所示,通过在功率放大器的功率管M0的输出端增设如上各实施例中所描述的输出电容匹配单元231,可以抵消掉功率管M0输出端的寄生电容在功率放大器运行过程中造成的至少大部分的不良影响,大幅降低了功率放大器的输出测阻抗,从而可以显著拓宽功率器件的可用带宽,增加功率器件的功率密度,在能够满足功率放大器的高功率高带宽需求的同时,显著减少了功率放大器的体积。
此外,本申请实施例中是利用电容和电感的组合方式来等效设置的1/4波长线结构,相较于在电路中或封装中直接设置1/4波长线的结构而言,本申请方案对工艺的要求性较低,且只需选择合适的元件参数即可实现对功率放大电路输出的任意信号的1/4波长效果,准确性和适配性更高,对寄生电容的抵消效果更好。
需要说明的是,在图3示出的示例中,第一预匹配单元2311和第二预匹配单元2312共用电容C2,一定程度上减少了电路所需的元器件数量,有利于减小电路的布局面积,并降低成本。当然,其他的实施方式也是可能的,输出电容匹配单元231例如还可在电感L2的第二端与参考地电位之间设置两个并联连接的电容,此时,第一预匹配单元2311利用电容C1、电感L2和其中一个电容来等效实现第一1/4波长线,第二预匹配单元2312利用其中另一个电容、电感L4和电容C3来等效实现第二1/4波长线。
需要说明的是,图3或图4中,电感L1为功率管M0的漏极与电感L2的第一端之间的传输线上的寄生电感,电感L3为电感L2的第二端与电容匹配输出节点p1之间的传输线上的寄生电感。
上文描述了本申请实施例的功率放大器的一些示例,然而本申请实施例不限于此,还可能存在其他方式的扩展和变形。
例如,应当理解,前述实施例中的参考地电位可以在替代实施例中替换为其他非零的基准电位(具有正电压幅值或负电压幅值)或受控变化的参考信号。
又例如,本申请实施例提供的电感、电容可以是集总参数的电容元件和电感元件,也可以是其他功能与电容和电感类似的等效元件,这里所述的等效结构例如但不限于为微带线、变容管、具有一定图案的导体结构等可提供感性阻抗和/或容性阻抗的结构。
再例如,前述的功率放大器200可以为分立器件,也可以作为一个电路单元,也可以组合成一个高效高线性的宽带功放模块。在另一些实现方式中,前述的功率放大电路220可以被封装在某器件中,而输出匹配电路230可以作为该器件外围的负载线结构,或者,输出电容匹配单元231中的第一预匹配单元2311和第二预匹配单元2312可以被封装于功率放大电路220的管壳内,从而实现管壳内的电容预匹配。
又或者,前述的输出电容匹配单元231也可以适用在其他任何包含有功率管的场景中,从而实现对该场景中功率管输出端的寄生电容的抵消预匹配。
同时,本领域普通技术人员可以意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各示例的结构和方法,可以使用不同的配置方法或调节方法对每个结构或该结构的合理变形来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本申请的范围。并且,应理解,本申请实施例中前述的图的放大器各个部件之间的连接关系为示意性举例,并不对本申请实施例造成任何限制。
另一方面,本申请实施例还提供了一种包括功率放大器的射频模块,可以应用于各种无线设备。
图6示出本申请实施例的射频模块的示意性框图。如前文所述,这里描述的射频模块600以应用在各种通信系统中的发送端,在此不再赘述。
如图6所示,射频模块600至少包括功率放大电路610和输出匹配电路620或至少包括包含功率放大610和输出匹配电路620的功率放大器。其中,功率放大器、功率放大电路610和输出匹配电路620的具体实现方式可以参见上述各实施例的描述,在此不再赘述。
射频模块600的硬件实现方式可以有多种,例如可以由集成于同一衬底的电路实现,也可以由多芯片实现,本申请实施例对此不作限定。
射频模块600还可以包括开关/双工器630,输出匹配电路620提供的输出信号经开关/双工器630被馈送至天线640,从而以满足要求的功率向外辐射。天线640可以包括至少一个子天线,不同子天线可以面向不同的频段,从而能够将宽频范围内的输出信号向外辐射。
可选的,射频模块600还可以发射电路650,用于根据指定数据产生相应的模拟信号作为前述实施例所述的输入信号,从而功率放大电路610可以对该输入信号进行功率放大,以将包含数据信息的输入信号的功率提升至目标水准。进一步的,射频模块600还可以包括处理器,用于向发射电路650提供需要发射的指定数据。
此外,在一些同时应用于发送端和接收端的射频模块600中,还可以包括接收路径,该接收路径可以经由开关/双工器630接收天线640接收到的信号,并对该信号进行低噪声放大等一系列的处理,从而获得能够被存储在存储介质中的接收数据或能够被相应电路结构转换为数字信号的模拟信号。
最后应说明的是:显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明本申请所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本申请的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种输出匹配电路,包括:
信号输入端,接收功率放大电路提供的功率放大信号;
第一预匹配单元,用于在所述信号输入端配置等效的第一1/4波长线;
第二预匹配单元,用于在所述信号输入端配置等效的第二1/4波长线;
其中,所述第一预匹配单元的第一端与所述信号输入端连接,所述第二预匹配单元的第一端与所述第一预匹配单元的第二端连接,用于在所述信号输入端产生等效负电容,以实现对所述功率放大电路中功率管输出端的寄生电容的抵消效果。
2.根据权利要求1所述的输出匹配电路,其中,所述第一预匹配单元包括:
第一电容,连接于所述信号输入端与参考地电位之间;
第一电感,第一端与所述信号输入端连接;
第二电容,连接于所述第一电感的第二端与参考地电位之间,
其中,所述第一电感的第一端作为所述第一预匹配单元的第一端,所述第一电感的第二端作为所述第一预匹配单元的第二端。
3.根据权利要求2所述的输出匹配电路,其中,所述第二预匹配单元包括:
第三电容,连接于所述第一电感的第二端与参考地电位之间;
第二电感和第四电容,所述第二电感和所述第四电容串联连接于所述第一电感的第二端与参考地电位之间,
其中,所述第二电感的第一端作为所述第二预匹配单元的第一端。
4.根据权利要求3所述的输出匹配电路,其中,所述第二电容和所述第三电容为同一电容元件。
5.根据权利要求1所述的输出匹配电路,其中,所述输出匹配电路还包括:
阻抗匹配单元,与所述第一预匹配单元的第二端连接,用于实现所述功率放大信号的阻抗匹配,并向信号输出端提供输出信号。
6.根据权利要求5所述的输出匹配电路,其中,所述输出匹配电路还包括:
隔直电容,所述阻抗匹配单元经所述隔直电容向所述信号输出端提供所述输出信号。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的输出匹配电路,其中,所述第一预匹配单元和所述第二预匹配单元封装于所述功率放大电路的管壳内。
8.一种功率放大器,其中,包括:
如权利要求1至7任一项所述的输出匹配电路;以及
功率放大电路,经所述输出匹配电路与后级电路结构连接,适于对输入信号进行功率放大以获得所述功率放大信号。
9.根据权利要求8所述的功率放大器,其中,所述功率放大器还包括:
输入匹配电路,与所述功率放大电路的输入端连接,用于实现对所述功率放大电路的输入信号的阻抗匹配。
10.一种射频模块,其中,包括权利要求8-9中任一项所述的功率放大器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202410145415.1A CN118017949A (zh) | 2024-02-01 | 2024-02-01 | 功率放大器、输出匹配电路和射频模块 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202410145415.1A CN118017949A (zh) | 2024-02-01 | 2024-02-01 | 功率放大器、输出匹配电路和射频模块 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN118017949A true CN118017949A (zh) | 2024-05-10 |
Family
ID=90951543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202410145415.1A Pending CN118017949A (zh) | 2024-02-01 | 2024-02-01 | 功率放大器、输出匹配电路和射频模块 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN118017949A (zh) |
-
2024
- 2024-02-01 CN CN202410145415.1A patent/CN118017949A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110784185B (zh) | 功率放大器、输出匹配电路和射频模块 | |
US10637404B2 (en) | Power amplifier apparatus, envelope tracking amplifier apparatus and method of amplifying a signal | |
US6085074A (en) | Apparatus and method for amplifying an amplitude-varying signal | |
US7193472B2 (en) | Power amplifier | |
US20040119533A1 (en) | High linearity doherty communication amplifier with bias control | |
CN104011998A (zh) | 用于功率放大器的装置和方法 | |
US11201591B2 (en) | Asymmetric Doherty amplifier circuit with shunt reactances | |
Park et al. | A 1.9-GHz CMOS power amplifier using three-port asymmetric transmission line transformer for a polar transmitter | |
CN213990604U (zh) | 放大器偏置电路和射频功率放大器 | |
Nakatani et al. | Millimeter-wave GaN power amplifier MMICs for 5G application | |
US20030218500A1 (en) | Power amplifier capable of switching gain while suppressing noise power in reception band | |
Nakatani et al. | A highly integrated RF frontend module including Doherty PA, LNA and switch for high SHF wide-band massive MIMO in 5G | |
US7042294B2 (en) | Power amplifier system | |
US7746173B1 (en) | Power amplifier with output harmonic resonators | |
CN111525894B (zh) | 一种宽带、高干扰消除能力的射频低噪声放大器 | |
Lie et al. | A short survey on recent highly efficient cm-Wave 5G linear power amplifier design | |
CN113067554B (zh) | 一种基于CMOS实现的Ka频段低噪声放大器 | |
Lee et al. | An adaptively biased stacked power amplifier without output matching network in 90-nm CMOS | |
CN116317989A (zh) | 具有偏置控制和谐波终止的集成功率放大器 | |
Zou et al. | Design of Ka-band broadband low-noise amplifier using 100nm gate-length GaN on silicon technology | |
CN118017949A (zh) | 功率放大器、输出匹配电路和射频模块 | |
US20150014041A1 (en) | Envelope tracking power amplifier with low impedance supply feed | |
CN110417355B (zh) | 一种集成高阻线多赫蒂放大器 | |
KR101910896B1 (ko) | 피킹 증폭기의 출력 정합회로에 공진회로를 사용하는 광대역 도허티 전력증폭기 | |
CN111064438B (zh) | 模拟预失真电路、功率放大器及射频模块 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |