CN118016777A - 一种提高应力释放的发光二极管外延片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种提高应力释放的发光二极管外延片及其制备方法，包括衬底以及依次沉积在衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、复合n型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层以及P型GaN层；其中，复合n型GaN层包括依次沉积在非掺杂GaN层上的周期性结构层及多孔n型GaN层，周期性结构层包括周期性层叠的BN层、n型GaN层及低温InN层。本发明通过BN层可以阻挡位错向外延层延伸，以提高外延层晶体质量，还可以引入压应力抵消外延层累积的张应力，通过低温InN可以释放GaN外延层积累的应力，并且通过复合n型GaN层可以提高晶体质量，避免外延片产生问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种提高应力释放的发光二极管外延片及其制备方法。
背景技术
第三代半导体材料GaN，具有直接带隙宽(室温下3.39eV)、热导率高、电子饱和迁移率高，发光效率高，耐高温和抗辐射等优异特点，在短波长蓝光-紫外光发光器件、微波器件和大功率半导体器件等方面有巨大的应用前景。研究开发GaN基器件的基本前提是生长出高质量的Ga N材料，所以GaN材料的研究便成为了材料研究领域的热点，引起众多物理、化学、材料科学工作者的注意。迄今为止，采用GaN基材料已经制备出了蓝绿光发光二极管(LEDs)、激光器(LDs)等电子器件。
本征GaN晶体电导率较低，可以通过有效的掺杂提升GaN的电导率，在电流注入时可以不断产生电子参与有源区中的辐射复合。掺杂元素一般要求与GaN原子半径接近且在生长温度下仍能保持一定稳定性。在MOCVD外延生长GaN中，使用最多的n型掺杂元素为Si，掺杂源为SiH4。
现有技术当中，GaN外延层沉积在异质衬底上，因晶格失配较大，GaN外延层承受较大的晶格失配应力，位错密度较高，晶体质量较差。另外GaN外延层与衬底的热失配较大，在降温过程中使得外延层中存在巨大的压应力，严重时甚至会在外延片中产生大量裂纹。
发明内容
基于此，本发明的目的是提供一种提高应力释放的发光二极管外延片及其制备方法，以至少解决上述现有技术当中的不足。
第一方面，本发明提供一种提高应力释放的发光二极管外延片，包括衬底以及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、复合n型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层以及P型GaN层；
其中，所述复合n型GaN层包括依次沉积在所述非掺杂GaN层上的周期性结构层及多孔n型GaN层，所述周期性结构层包括周期性层叠的BN层、n型GaN层及低温InN层。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过BN层可以阻挡位错向外延层延伸，以提高外延层晶体质量，还可以引入压应力抵消外延层累积的张应力，通过低温InN可以释放GaN外延层积累的应力，并且通过复合n型GaN层可以进行阻挡位错，提高晶体质量，避免外延片中产生大量裂纹。
进一步的，所述BN层的厚度为1nm～10nm，所述n型GaN层的厚度为10nm～500nm，所述低温InN层的厚度为1nm～10nm。。
进一步的，所述周期性结构层的周期为1个～100个。
进一步的，所述n型GaN层的si掺杂浓度为1E+19atoms/cm3～1E+20atoms/cm3，所述n型GaN层的电阻率高于所述P型GaN层上的透明电极的电阻率。
进一步的，所述多孔n型GaN层的厚度为10nm～500nm，所述多孔n型GaN层中si的掺杂浓度为1E+19atoms/cm3～1E+20atoms/cm3，所述多孔n型GaN层上的孔的直径为50nm～500nm，所述多孔n型GaN层上的孔的密度为1E+8cm-2～1E+9cm-2。
第二方面，本发明还提供一种提高应力释放的发光二极管外延片的制备方法，用于制备上述的提高应力释放的发光二极管外延片，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次沉积缓冲层、非掺杂GaN层、复合n型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层以及P型GaN层，以得到发光二极管外延片；
其中，所述复合n型GaN层包括依次沉积在所述非掺杂GaN层上的周期性结构层及多孔n型GaN层，所述周期性结构层包括周期性层叠的BN层、n型GaN层及低温InN层。
进一步的，所述BN层沉积在所述非掺杂GaN层上，所述BN层沉积时的温度为900℃～1100℃，所述BN层沉积时的压力为50torr～300torr，所述BN层沉积时的气氛条件为N2或NH3。
进一步的，所述n型GaN层沉积在所述BN层上，所述n型GaN层沉积时的温度为1000℃～1200℃，所述n型GaN层沉积时的压力为50torr～300torr，所述n型GaN层沉积时的气氛条件为N2、H2或NH3中的一种。
进一步的，所述低温InN层沉积在所述n型GaN层上，所述低温InN层沉积时的温度为800℃～1000℃，所述低温InN层沉积时的压力为50torr～300torr所述低温InN层沉积时的气氛条件为N2或NH3。
进一步的，所述多孔n型GaN层沉积在所述低温InN层上，所述多孔n型GaN层沉积时的温度为1000℃～1200℃，所述多孔n型GaN层沉积时的压力为50torr～300torr，所述多孔n型GaN层沉积时的气氛条件为N2、H2或NH3中的一种。
附图说明
图1为本发明第一实施例中的提高应力释放的发光二极管外延片结构示意图。
主要元件符号说明：
10、衬底；
20、缓冲层；
30、非掺杂GaN层；
40、复合n型GaN层；41、周期性结构层；411、BN层；412、n型GaN层；413、低温InN层；42、多孔n型GaN层；
50、多量子阱层；
60、电子阻挡层；
70、P型GaN层。
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
实施例1
请参阅图1，所示为本发明第一实施例中的提高应力释放的发光二极管外延片，发光二极管外延片包括：
衬底以及依次沉积在所述衬底10上的缓冲层20、非掺杂GaN层30、复合n型GaN层40、多量子阱层50、电子阻挡层60以及P型GaN层70；
其中，所述复合n型GaN层40包括依次沉积在所述非掺杂GaN层30上的周期性结构层41及多孔n型GaN层42，所述周期性结构层41包括周期性层叠的BN层411、n型GaN层412及低温InN层413。
需要解释的是，BN层、n型GaN层以及低温InN层周期性依次层叠，在本实施例中，周期为20个，通过周期结构多次阻挡位错，提高外延层晶体质量，减少发光二极管漏电，而压应力及张应力交替变化，释放外延层应力，降低多量子阱层极化效应，提高发光二极管发光效率。在其它可选实施例中，BN层、n型GaN层以及低温InN层层叠的周期数在1个～100个的范围内可选。
其中，在本实施例中，所述衬底为蓝宝石衬底，蓝宝石是目前最常用的GaN基LED衬底材料，蓝宝石衬底具有制备工艺成熟、价格较低、易于清洗和处理，高温下有很好的稳定性。在其它可选实施例中，衬底还可以采用SiO2蓝宝石复合衬底、硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、氧化锌衬底中的一种。
其中，在本实施例中，缓冲层采用AlN缓冲层，AlN缓冲层的厚度为15nm，采用AlN缓冲层提供了与衬底取向相同的成核中心，释放了GaN和衬底之间的晶格失配产生的应力以及热膨胀系数失配所产生的热应力，进一步的生长提供了平整的成核表面，减少其成核生长的接触角使岛状生长的GaN晶粒在较小的厚度内能连成面，转变为二维外延生长。在本实施例中，采用中微A7MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition金属有机气相沉积，简称MOCVD)设备，高纯H2(氢气)、高纯N2(氮气)、高纯H2和高纯N2的混合气体中的一种作为载气，高纯NH3作为N源，三甲基镓(TMGa)及三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，三甲基铝(TMAl)作为铝源，硅烷(SiH4)作为N型掺杂剂，二茂镁(CP2Mg)作为P型掺杂剂进行外延生长。在其它可选实施例中，缓冲层还可以采用GaN缓冲层，缓冲层的厚度在10nm～50nm的范围内可选。
其中，在本实施例中，非掺杂的GaN层的厚度为2.5um，非掺杂的GaN层生长温度为1100℃，生长压力为400torr，非掺杂GaN层生长温度较高，压力较低，制备的到GaN的晶体质量较优，同时厚度随着GaN厚度的增加，压应力会通过堆垛层错释放，线缺陷减少，晶体质量提高，反向漏电降低，但提高GaN层厚度对Ga源材料消耗较大，大大提高了LED的外延成本，因此目前LED外延片通常非掺杂GaN生长2～3um，不仅节约生产成本，而且GaN材料又具有较高的晶体质量。在其它可选实施例中，非掺杂的GaN层生长温度在1050℃～1200℃的范围内可选，生长压力在100torr～600torr的范围内可选，厚度在1um～5um的范围内可选。
其中，在本实施例中，BN层的厚度为3.5nm，BN层的晶格常数小于非掺杂GaN层的晶格常数、n型GaN层的晶格常数以及P型GaN层的晶格常数，不仅可以阻挡位错向外延层延伸，提高外延层晶体质量，还可以引入压应力抵消外延层累积的张应力。在本实施例中，BN层在沉积时的温度为1000℃，沉积时的压力为150torr，沉积时的气氛条件为N2，在其它可选实施例中，BN层的厚度在1nm～10nm的范围内可选，BN层在沉积时的温度在900℃～1100℃的范围内可选，沉积时的压力在50torr～300torr的范围内可选。
其中，在本实施例中，n型GaN层的厚度为100nm，n型GaN层的si掺杂浓度为5E+19atoms/cm3，n型GaN层的电阻率高于P型GaN层上的透明电极的电阻率，因此足够的Si掺杂，可以有效的降低n型GaN层电阻率，提高发光二极管发光效率。另外n型GaN层沉积时的温度为1100℃，沉积时的压力为150torr，在沉积时的气氛条件为N2。在其他可选实施例中，n型GaN层的厚度在10nm～500nm的范围内可选，n型GaN层的si掺杂浓度在1E+19atoms/cm3～1E+20atoms/cm3的范围内可选，n型GaN层沉积时的温度在1000℃～1200℃的范围内可选，沉积时的压力在50torr～300torr的范围内可选，在沉积时的气氛条件为H2或NH3中的一种。
其中，在本实施例中，低温InN层的厚度为2.5nm，低温InN层在沉积时的温度为900℃，在沉积时的压力为150torr，沉积时的气氛条件在N2，低温InN层的沉积温度较低，可以释放GaN外延层积累的热应力，低温InN层的晶格常数大于非掺杂GaN层的晶格常数、复合n型GaN层的晶格常数、n型GaN层的晶格常数以及P型GaN层的晶格常数，以引入张应力，降低多量子阱层的极化效应。在其它可选实施例中，低温InN层的厚度在1nm～10nm的范围内可选，低温InN层在沉积时的温度在800℃～1000℃的范围内可选，沉积时的压力在50torr～300torr的范围内可选，沉积时的气氛条件可采用NH3。
其中，在本实施例中，多孔n型GaN层的厚度为200nm，多孔n型GaN层在沉积时的温度为1100℃，沉积时的压力为150torr，沉积时的气氛条件为N2，多孔n型GaN层中si的掺杂浓度为5E+19atoms/cm3，多孔n型GaN层上的孔的直径为150nm，多孔n型GaN层上的孔的密度为6E+8cm-2，以使得多孔n型GaN层增加发光二极管的光提取表面积，多量子阱层应力松弛导致的内量子效率的提高，提高发光效率。在其它可选实施例中，多孔n型GaN层的厚度在10nm～500nm的范围内可选，多孔n型GaN层中si的掺杂浓度在1E+19atoms/cm3～1E+20atoms/cm3的范围内可选，多孔n型GaN层上的孔的直径在50nm～500nm的范围内可选，多孔n型GaN层上的孔的密度在1E+8cm-2～1E+9cm-2的范围内可选，多孔n型GaN层在沉积时的温度在1000℃～1200℃的范围内可选，沉积时的压力在50torr～300torr的范围内可选，沉积时的气氛条件为H2或NH3。在具体实施时，以n型GaN作为阳极，以Pt作为阴极，在草酸溶液中进电化学刻蚀，孔直径150nm，密度6E+8cm-2。
其中，多量子阱层为交替堆叠的InGaN量子阱层和AlGaN量子垒层，堆叠周期数5个～20个，其中InGaN量子阱层生长温度为790℃～810℃，厚度为2nm～5nm，生长压力50torr～300torr，AlGaN量子垒层生长温度为800℃～900℃，厚度为5nm～15nm，生长压力50torr～300torr，Al组分为0.01～0.1，在本实施例中，多量子阱层为交替堆叠的InGaN量子阱层和AlGaN量子垒层，堆叠周期数为10个，其中InGaN量子阱生长温度为795℃，厚度为3.5nm，压力200torr，In组分为0.15，AlGaN量子垒层生长温度为855℃，厚度为9.8nm，生长压力为200torr，Al组分为0.05，多量子阱为电子和空穴复合的区域，合理的结构设计可以显著增加电子和空穴波函数交叠程度，从而提高LED器件发光效率。
其中，电子阻挡层为AlInGaN厚度10～40nm，生长温度900℃～1000℃，压力100torr～300torr，其中Al组分0.01～0.1，In组分浓度为0.01～0.2。在本实施例中，电子阻挡层为AlInGaN厚度15nm，其中Al组分浓度0.05，In组分浓度为0.01，生长温度965℃，生长压力200torr，既可以有效地限制电子溢流，也可以减少对空穴的阻挡，提升空穴向量子阱的注入效率，减少载流子俄歇复合，提高发光二极管的发光效率。
其中，P型GaN层生长温度900℃～1050℃，厚度10nm～50nm，生长压力100torr～600torr，Mg掺杂浓度1E+19atoms/cm3～1E+21atoms/cm3。在本实施例中，P型GaN层生长温度985℃，厚度15nm，生长压力200torr，Mg掺杂浓度2E+20atoms/cm3，Mg掺杂浓度过高会破坏晶体质量，而掺杂浓度较低则会影响空穴浓度。同时，对于含V形坑的LED结构来说，P型GaN层较高的生长温度也有利于合并V形坑，得到表面光滑的LED外延片。
进一步的，本实施例制备上述提高应力释放的发光二极管外延片的制备方法，包括以下步骤：
S1，提供一衬底；
具体的，衬底为蓝宝石衬底，蓝宝石是目前最常用的GaN基LED衬底材料，蓝宝石衬底具有制备工艺成熟、价格较低、易于清洗和处理，高温下有很好的稳定性。
S2，在所述衬底上依次沉积缓冲层、非掺杂GaN层、复合n型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层以及P型GaN层，以得到发光二极管外延片；
具体的，所述步骤S2包括步骤S21至步骤S22：
S21，将沉积完所述缓冲层后的所述衬底置入MOCVD中，并在H2气氛进行预处理，在本实施例中，所述预处理的温度为1000℃，在其它可选实施例中，预处理的温度在1000℃～1200℃的范围内可选；
S22，对沉积完所述缓冲层后的所述衬底进行氮化处理,；
需要解释的是，在本实施例中将已镀完AlN缓冲层的蓝宝石衬底转入MOCVD中，在H2气氛进行预处理5min，预处理温度为1000℃，在其它可选实施例中，预处理的时间在1min～10min的范围内可选，预处理温度在1000℃～1200℃的范围内可选，再对蓝宝石衬底进行氮化处理，提升AlN缓冲层的晶体质量，并且可以有效提高后续沉积GaN外延层的晶体质量。
S3，其中，所述复合n型GaN层包括依次沉积在所述非掺杂GaN层上的周期性结构层及多孔n型GaN层，所述周期性结构层包括周期性层叠的BN层、n型GaN层及低温InN层。
其中，多量子阱层为交替堆叠的InGaN量子阱层和AlGaN量子垒层，堆叠周期数5个～20个，其中InGaN量子阱层生长温度为790℃～810℃，厚度为2nm～5nm，生长压力50torr～300torr，AlGaN量子垒层生长温度为800℃～900℃，厚度为5nm～15nm，生长压力50torr～300torr，Al组分为0.01～0.1，在本实施例中，多量子阱层为交替堆叠的InGaN量子阱层和AlGaN量子垒层，堆叠周期数为10个，其中InGaN量子阱生长温度为795℃，厚度为3.5nm，压力200torr，In组分为0.15，AlGaN量子垒层生长温度为855℃，厚度为9.8nm，生长压力为200torr，Al组分为0.05，多量子阱为电子和空穴复合的区域，合理的结构设计可以显著增加电子和空穴波函数交叠程度，从而提高LED器件发光效率。
其中，电子阻挡层为AlInGaN厚度10～40nm，生长温度900℃～1000℃，压力100torr～300torr，其中Al组分0.01～0.1，In组分浓度为0.01～0.2。在本实施例中，电子阻挡层为AlInGaN厚度15nm，其中Al组分浓度0.05，In组分浓度为0.01，生长温度965℃，生长压力200torr，既可以有效地限制电子溢流，也可以减少对空穴的阻挡，提升空穴向量子阱的注入效率，减少载流子俄歇复合，提高发光二极管的发光效率。
其中，P型GaN层生长温度900℃～1050℃，厚度10nm～50nm，生长压力100torr～600torr，Mg掺杂浓度1E+19atoms/cm3～1E+21atoms/cm3。在本实施例中，P型GaN层生长温度985℃，厚度15nm，生长压力200torr，Mg掺杂浓度2E+20atoms/cm3，Mg掺杂浓度过高会破坏晶体质量，而掺杂浓度较低则会影响空穴浓度。同时，对于含V形坑的LED结构来说，P型GaN层较高的生长温度也有利于合并V形坑，得到表面光滑的LED外延片。
根据本实施例的制备方法制备的提高应力释放的发光二极管外延片与采用现有制备方法制备得到的对照例芯片，制成为10mil×24mil规格的LED芯片，在120mA或60mA的测试电流条件下，较三个对照例提升了1％～5％，具体如表1所示。
对照例1
本对照例采用现有技术制备的发光二极管外延片，与实施例1相比，本对照例的发光二极管外延片无BN层，将本对照例的发光二极管外延片采用现有芯片制造工艺制成10mil×24mil规格的LED芯片，在120mA的测试电流条件下,经测试仪器测试光效提升为1.5％，具体结果如表1所示。
对照例2
本对照例采用现有技术制备的发光二极管外延片，与实施例1相比，本对照例的发光二极管外延片无低温InN层，将本对照例的发光二极管外延片采用现有芯片制造工艺制成10mil×24mil规格的LED芯片，在120mA的测试电流条件下,经测试仪器测试光效提升为0.8％，具体结果如表1所示。
对照例3
本对照例采用现有技术制备的发光二极管外延片，与实施例1相比，本对照例的发光二极管外延片无多孔n型GaN层，将本对照例的发光二极管外延片采用现有芯片制造工艺制成10mil×24mil规格的LED芯片，在120mA的测试电流条件下,经测试仪器测试光效提升为1.2％，具体结果如表1所示。
表1
综上，本发明中的提高应力释放的发光二极管外延片，BN层的晶格常数小于GaN,不仅可以阻挡位错向外延层延伸，提高外延层晶体质量，还可以引入压应力抵消外延层累积的张应力。首先，n型GaN层为LED发光提供充足电子，其次n型GaN层的电阻率要比p-GaN上的透明电极的电阻率高，因此足够的Si掺杂，可以有效的降低n型GaN层电阻率，提高发光二极管发光效率。低温InN层沉积温度较低可以释放GaN外延层积累的热应力，InN的晶格常数大于GaN,引入张应力，降低多量子阱层的极化效应。通过周期结构多次阻挡位错，提高外延层晶体质量，减少发光二极管漏电，而压应力及张应力交替变化，释放外延层应力，降低多量子阱层极化效应，提高发光二极管发光效率。多孔n型GaN层增加发光二极管的光提取表面积，多量子阱层应力松弛导致的内量子效率的提高，提高发光效率。以上，本发明释放外延层应力，提高外延层晶体质量，减少发光二极管漏电，提升发光二极管的发光效率。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种提高应力释放的发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底以及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、复合n型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层以及P型GaN层；
其中，所述复合n型GaN层包括依次沉积在所述非掺杂GaN层上的周期性结构层及多孔n型GaN层，所述周期性结构层包括周期性层叠的BN层、n型GaN层及低温InN层。
2.根据权利要求1所述的提高应力释放的发光二极管外延片，其特征在于，所述BN层的厚度为1nm～10nm，所述n型GaN层的厚度为10nm～500nm，所述低温InN层的厚度为1nm～10nm。。
3.根据权利要求1所述的提高应力释放的发光二极管外延片，其特征在于，所述周期性结构层的周期为1个～100个。
4.根据权利要求1所述的提高应力释放的发光二极管外延片，其特征在于，所述n型GaN层的si掺杂浓度为1E+19atoms/cm3～1E+20atoms/cm3，所述n型GaN层的电阻率高于所述P型GaN层上的透明电极的电阻率。
5.根据权利要求1所述的提高应力释放的发光二极管外延片，其特征在于，所述多孔n型GaN层的厚度为10nm～500nm，所述多孔n型GaN层中si的掺杂浓度为1E+19atoms/cm3～1E+20atoms/cm3，所述多孔n型GaN层上的孔的直径为50nm～500nm，所述多孔n型GaN层上的孔的密度为1E+8cm-2～1E+9cm-2。
6.一种提高应力释放的发光二极管外延片的制备方法，用于制备如权利要求1～5任一项所述的提高应力释放的发光二极管外延片，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次沉积缓冲层、非掺杂GaN层、复合n型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层以及P型GaN层，以得到发光二极管外延片；
其中，所述复合n型GaN层包括依次沉积在所述非掺杂GaN层上的周期性结构层及多孔n型GaN层，所述周期性结构层包括周期性层叠的BN层、n型GaN层及低温InN层。
7.根据权利要求6所述的提高应力释放的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述BN层沉积在所述非掺杂GaN层上，所述BN层沉积时的温度为900℃～1100℃，所述BN层沉积时的压力为50torr～300torr，所述BN层沉积时的气氛条件为N2或NH3。
8.根据权利要求6所述的提高应力释放的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述n型GaN层沉积在所述BN层上，所述n型GaN层沉积时的温度为1000℃～1200℃，所述n型GaN层沉积时的压力为50torr～300torr，所述n型GaN层沉积时的气氛条件为N2、H2或NH3中的一种。
9.根据权利要求6所述的提高应力释放的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述低温InN层沉积在所述n型GaN层上，所述低温InN层沉积时的温度为800℃～1000℃，所述低温InN层沉积时的压力为50torr～300torr所述低温InN层沉积时的气氛条件为N2或NH3。
10.根据权利要求6所述的提高应力释放的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述多孔n型GaN层沉积在所述低温InN层上，所述多孔n型GaN层沉积时的温度为1000℃～1200℃，所述多孔n型GaN层沉积时的压力为50torr～300torr，所述多孔n型GaN层沉积时的气氛条件为N2、H2或NH3中的一种。
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