CN118016570A - 半导体防护装置和半导体工艺设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种半导体防护装置和半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，可以防止管路区的药液挥发气体进入电气区，避免产生燃烧爆炸的安全问题。半导体防护装置包括框架结构，所述框架结构包括框架本体和框架板；所述框架板设置在所述框架本体的内部，用于将所述框架本体的内部空间分隔成管路区和电气区，所述电气区填充有工艺气体，所述管路区设置有储液单元，所述管路区的气体压力值小于所述电气区的气体压力值。

Description

半导体防护装置和半导体工艺设备

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体防护装置和半导体工艺设备。

背景技术

随着科技的发展，电子设备功能和质量的提升对于芯片的需求和种类大幅增加。因此芯片制作过程中产生很多新工艺，而新工艺的产生需要相应的集成设备来完成。其中，对晶圆片的清洗是很重要的一道工序。不同工艺步骤后的清洗也不相同，因此需要根据不同需求使用不同药液，药液成分也随之变的更加复杂和危险。其中无色无味、易挥发、易燃易爆的药液危害性很高。

目前此类药液设备一般包括管路区和电气区，若管路区的药液挥发后进入电气区，一旦上电，上电过程中产生的任何火花或者电气区内产生的静电，都会引起燃烧爆炸的安全隐患，对环境和工作人员产生不可估量的损害，造成严重的安全问题，因此使用此类药液设备的安全性和密封性尤其重要。

发明内容

本申请的实施例提供一种半导体防护装置和半导体工艺设备，可以防止管路区的药液挥发气体进入电气区，避免产生燃烧爆炸的安全问题。

为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：

一方面，本申请实施例提供了一种半导体防护装置，包括框架结构，所述框架结构包括框架本体和框架板；所述框架本体用于隔绝所述半导体防护装置的外部环境；所述框架板设置在所述框架本体的内部，用于将所述框架本体的内部空间分隔成管路区和电气区，所述电气区填充有工艺气体，所述管路区设置有储液单元，所述储液单元用于储存工艺液体，所述管路区的气体压力值小于所述电气区的气体压力值。

可选的，所述管路区的气体压力值小于所述半导体防护装置的外部环境的气体压力值，所述电气区的气体压力值大于所述半导体防护装置的外部环境的气体压力值。

可选的，所述管路区的气体压力值与所述半导体防护装置的外部环境的气体压力值的差值范围为[-520pa，-480pa]，所述电气区的气体压力值与所述半导体防护装置的外部环境的气体压力值的差值范围为[3pa，6pa]。

可选的，所述框架结构为一体式框架结构，所述框架本体的材料和所述框架板的材料均为防爆材料。

可选的，所述储液单元包括储液罐和漏液盘，所述漏液盘与所述储液罐为一体结构，所述漏液盘设置在所述储液罐的下端；

所述管路区还设置有第一漏液检测单元；所述第一漏液检测单元设置在所述漏液盘上，用于检测所述漏液盘上是否存在液体。

可选的，所述框架本体的底部设置有凹槽；所述凹槽与所述储液罐的出液口相对设置，所述凹槽的底部设置有漏液孔；

所述管路区还设置有第二漏液检测单元；所述第二漏液检测单元设置在所述凹槽内、且不遮挡所述漏液孔，用于检测所述凹槽内是否存在液体，并输出第二漏液检测信号。

可选的，所述管路区还设置有火焰安装盒和火焰检测单元；所述火焰检测单元设置在所述火焰安装盒的内部，用于检测所述储液罐上是否产生火焰；

所述火焰安装盒位于所述储液罐的上方、且固定设置在所述框架本体的顶部；所述火焰安装盒的材料为防爆材料。

可选的，所述管路区还设置有加热单元和温度检测单元；所述加热单元用于加热所述储液罐存储的液体；所述温度检测单元用于检测所述加热单元所在位置的温度是否大于预设温度，所述预设温度小于所述储液罐存储的液体的燃点。

可选的，所述电气区设置有压力检测控制单元，用于获得所述电气区的气体压力值与所述半导体防护装置的外部环境的气体压力值的实际压差是否在预设压差范围内。

可选的，所述半导体防护装置应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括上电电路和负载，所述上电电路用于向所述负载提供交流电源信号；

所述电气区还设置有第一继电器单元、中间继电器和接触器；

所述第一继电器单元用于在所述第一漏液检测单元、所述第二漏液检测单元、所述火焰检测单元、所述温度检测单元和所述压力检测控制单元五个单元中任意单元组合的控制下，控制所述中间继电器的通断状态；

所述接触器用于在所述中间继电器的控制下，控制所述上电电路在所述任意单元组合检测到异常时断开。

可选的，所述半导体工艺设备还包括第一电源和第二电源；所述上电电路包括交流电源；

所述电气区还设置有交流电源端、第一电源端和第二电源端，所述交流电源端用于接收所述交流电源输出的交流电源信号，所述第一电源端用于接收所述第一电源输出的第一电源信号，所述第二电源端用于接收所述第二电源输出的第二电源信号；

所述第一继电器单元包括五个继电器；所述第一漏液检测单元、所述第二漏液检测单元、所述火焰检测单元、所述温度检测单元和所述压力检测控制单元分别与所述五个继电器的线圈一一对应电连接；所述五个继电器的线圈还分别与所述第一电源端电连接；

所述中间继电器的线圈和所述五个继电器的常闭触点依次串联设置在所述第二电源端和所述第一电源端之间；

所述接触器的线圈分别与所述中间继电器的中间触点和所述第二电源端电连接，所述中间继电器的常开触点还与所述第一电源端电连接；

所述上电电路包括依次电连接的所述交流电源端、上电开关和所述接触器的多个接触触点；所述接触器的多个接触触点设置在所述上电开关和所述负载之间；所述中间继电器的中间触点和所述接触器的多个接触触点均为常开触点或者常闭触点；所述上电电路在所述第一漏液检测单元、所述第二漏液检测单元、所述火焰检测单元、所述温度检测单元和所述压力检测控制单元五个单元中任意单元组合检测到异常时断开。

另一方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室和上述半导体防护装置，所述半导体防护装置用于向所述工艺腔室提供工艺液体。

本申请实施例提供了一种半导体防护装置和半导体工艺设备，该半导体防护装置中，电气区填充有工艺气体，管路区的气体压力值小于电气区的气体压力值，基于压差原理，可以防止管路区中的储液单元储存的工艺液体挥发形成的气体进入电气区，进而避免产生燃烧爆炸的安全问题。

上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为相关技术提供的一种药液设备的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种半导体防护装置的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种第一走线孔的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的第二漏液检测单元的结构示意图之一；

图5a为本申请实施例提供的一种凹槽的结构示意图；

图5b图为本申请实施例提供的第二漏液检测单元的结构示意图之二；

图6为本申请实施例提供的一种火焰检测单元的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的一种排风单元的结构示意图；

图8中，a图为本申请实施例提供的上电电路的电路结构示意图之一，b图为第一继电器单元、中间继电器和接触器的连接结构示意图之一；

图9中，a图为本申请实施例提供的上电电路的电路结构示意图之二，b图为第一继电器单元、中间继电器和接触器的连接结构示意图之二；

图10中，a图为本申请实施例提供的电路控制结构示意图之一，b图为本申请实施例提供的电路控制结构示意图之二；

图11为本申请实施例提供的一种消除静电的结构示意图；

图12为本申请实施例提供的一种正压检测结果示意图。

图13为本申请实施例提供的一种负压检测结果示意图；

图14为本申请实施例提供的一种温度检测结果示意图；

图15为本申请实施例提供的一种半导体工艺设备的结构示意图；

图16为本申请实施例提供的另一种半导体工艺设备的结构示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的实施例中，采用“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，仅为了清楚描述本申请实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

在本申请的实施例中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“正面”、“背面”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

图1是现有技术中的一种药液设备，参考图1所示，该药液设备包括电气区和管路区；管路区主要用于机械件的安装、以及管路的安装布局，管路区内设置有工艺槽(ProcessTank)、隔离防爆盒、泵(Pump)、加热器(Heater)、漏液传感器(Leak Sensor)；其中，工艺槽为带盖子的工艺槽，用于储存易燃易爆液体；隔离防爆盒把工艺槽整体罩住，呈现一种密闭的状态，将工艺槽与管路区的其他器件进行分离，以防止易燃易爆液体进入管路区的其他空间；加热器用于根据需求将液体加热到指定温度；泵用于将液体从工艺槽抽取输送给加热器；漏液传感器用于检测是否有液体，当检测到液体时，传感器发送信号给上位机，上位机收到信号后发出报警信号，设备停止工作。电气区主要用于电气件的安装以及所有器件供电线、信号线的连接。电气区和管路区之间设置有隔板，隔板可以防止管路区的液体挥发后进入电气区，避免接触电气区的电气器件。隔板上设置有第一进线口，该第一进线口为长方形的孔，用于管路区设备接线的走线口；电气区设置有第二进线口，该第二进线口为长方形的孔，用于设备厂务端供电线缆的走线口。

由于管路区和电气区需要设置电缆的进线口，所以图1所示的设备很难完全隔离管路区和电气区；而防爆盒需要预留管路的进出孔位，因此图1所示的设备很难完全密封工艺槽。一旦密封出现问题，或者液体在高温加热过程中加速挥发充满管路区，当浓度达到一定范围，会引起自燃爆炸。或者液体挥发后进入电气区，一但上电，上电过程中产生的任何火花，或者电气区内产生的静电，都会引起燃烧爆炸的安全问题。

另外，图1的检测方式单一，只有一种漏液传感器，安全等级低。同时也没有接入整个供电系统，在设备的上电和运行前进行预先安全检测。图1所示设备是一种自体爆炸系统，如果爆炸，会在隔离防爆盒内爆炸，隔离防爆盒只是防止爆炸蔓延的一种保护装置，不具备其他功能。隔离防爆盒的尺寸设计不易过大，正好包裹住槽子即可，适用于容积在10升以下的小型储存液体槽子。因为隔离防爆盒的空间小，结构条件的限制，因此无法安装检测装置，所以无法采用密封性检测，空间温度检测，火焰检测等方式，也就无法根据这些检测结果在设备的上电和运行前进行预先安全检测。

同时隔离防爆盒在设计、测试、认证方面都有严格要求，对盒体本身要求很高。首先防爆盒不易过大，不能适用于30-60升等大型储存液体槽子，而且防爆盒里面除了设备使用的液体，不可有引起火花和静电的任何装置。防爆盒设计完成后需要第三方具有资质的认证机构和设计人员一起配合进行防爆测试，并且需要认证机构通过并颁发防爆认证证书，才能在机台上使用。野外的测试条件包括模拟设备在实际使用环境中可能遇到的各种情况，进行不同条件下的组合和多次测试。测试条件包括浓度、温度、防尘、密封、防静电、冲击、振动、湿度、防腐蚀等。因此防爆盒从设计到最终使用的周期长，高难度的设计加工，成本费用高，性价比低。

基于上述，本申请实施例提供了一种半导体防护装置，参考图2所示，包括框架结构1，框架结构1包括框架本体11和框架板12；框架本体用于隔绝半导体防护装置的外部环境；框架板12设置在框架本体11的内部，用于将框架本体的内部空间分隔成管路区A和电气区B，电气区填充有工艺气体，管路区A设置有储液单元2，储液单元用于储存工艺液体，管路区的气体压力值小于电气区的气体压力值。

上述框架本体围成的空间即为框架本体的内部空间，上述半导体防护装置的外部环境是指框架本体围成的空间之外的空间领域环境。这里对于半导体防护装置的外部环境的要求不做限定，需要根据半导体防护装置的应用场景确定。示例的，该半导体防护装置设置在工艺腔室外，且两者处于同一环境C(例如：大气环境)中，则半导体防护装置的外部环境即为环境C(例如：大气环境)。

上述半导体防护装置能够分隔框架本体的内部空间与半导体防护装置的外部环境，储液单元设置在框架本体的内部空间的管路区内，则该半导体防护装置能够有效防止储液单元中的工艺液体挥发后形成的易燃易爆气体泄漏到半导体防护装置的外部环境，从而避免对半导体防护装置的外部环境的影响，提升对于储液单元的防护作用，从而提升安全性。需要说明的是，上述管路区的储液单元用于储存工艺液体，则该半导体防护装置可以是储存有工艺液体的装置，或者，也可以是未储存有工艺液体的装置，这里不做限定。

上述电气区填充的工艺气体的类型不做限定，示例的，该工艺气体可以是惰性气体，例如：氮气、氩气或者氦气，该工艺气体还可以是CDA(Clean DryAir，干燥气体)。

上述储液单元的结构不做限定，示例的，该储液单元可以是储液槽或者储液罐等。该储液单元用于储存的工艺液体的类型不做限定，示例的，该工艺液体可以是易燃易爆易挥发液体，例如：IPA(异丙醇)等。

上述电气区用于电气件的安装，以及所有器件供电线、信号线的连接。因此保证电气区没有易燃易爆气体非常重要，易燃易爆气体遇到任何的火花，或者静电，会引起火灾或者爆炸。

上述管路区主要用于机械件的安装，例如储液罐，抽液泵，加热单元，排风单元，管路，接头，各种检测单元等，以及走线布局。在清洗晶圆片的工艺中，该半导体防护装置用于向腔室区提供化学药液。管路区存在大量的易燃易爆液体，因此良好的密封装置，隔离装置和检测装置的设计尤其重要。

本申请实施例提供的半导体防护装置中，电气区填充有工艺气体，管路区的气体压力值小于电气区的气体压力值，基于压差原理，可以防止管路区中的储液单元储存的工艺液体挥发后形成的气体进入电气区，进而避免产生燃烧爆炸的安全问题。

在一个或者多个实施例中，为了进一步避免管路区中的液体挥发后形成的气体从管路区中泄漏到外部环境，尽可能地降低对于外部环境的影响，管路区的气体压力值小于半导体防护装置的外部环境的气体压力值，此时，管路区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的差值为负值；为了避免管路区液体挥发后形成的易燃易爆气体进入电气区，电气区的气体压力值大于半导体防护装置的外部环境的气体压力值，此时，电气区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的差值为正值。

考虑药液使用处于密闭空间，管路区尺寸，体积，药液使用温度，管的粗细，进入的压力等这些因素，管路区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的差值范围为[-520pa，-480pa]，从而确保防止管路区液体挥发后形成的易燃易爆气体泄漏到外部环境。示例的，管路区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的差值可以是-520pa、-500pa、-490pa或者-480pa等。

考虑电气区器件的使用环境，空间的大小等这些因素，同时，在密闭空间内，电气区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的差值不易过大，否则会引发爆炸危险，导致设备的损坏和结构的破坏，因此，电气区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的差值需要设置在合理范围内。可选的，电气区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的差值范围为[3pa，6pa]，示例的，电气区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的差值可以是3pa、4pa、5pa或者6pa等。

为了提高密封性，以提高装置安全性，框架结构为一体式框架结构，上述框架本体和框架板可以通过焊接方式形成为一体结构，采用焊接设计可以确保框架板与框架本体连接处无缝隙，提高密封性。框架本体的材料和框架板的材料均为防爆材料，从而提高防爆性能。示例的，该防爆材料可以是防爆金属，例如：铁、铜或者金等；或者，该防爆材料还可以是防爆金属合金，例如：不锈钢防爆材料。

由于管路区的线缆需要通过框架板进入电气区，参考图3所示，框架板12设置有多个孔径不同的第一走线孔120，不同孔径的第一走线孔可以适配不同粗细的线缆，适配度高，相较现有技术中设置的长方形的孔，一方面可以提高适配度，另一方面可以最大限度保证框架板的密封性。

上述第一走线孔的形状、具体数量和分布位置不做限定，可以根据实际需求选择。由于线缆的截面多为圆形，因此，第一走线孔可以为圆孔。

为了进一步提高密封性和防爆性，每个第一走线孔可以采用防爆材质的电缆固定器固定，并采用防爆材料填充孔洞，从而在保证密封良好的情况下，兼具防爆和安全性，安全等级高。

在一个或者多个实施例中，参考图2所示，储液单元2包括储液罐21和漏液盘22，漏液盘22与储液罐21为一体结构，漏液盘22设置在储液罐21的下端。

上述储液罐为一体式储液罐，用于储存易燃易爆易挥发液体，集成度高、密封性好、不易泄漏。漏液盘采用焊接的方式与储液罐形成一体结构，漏液盘用于承载从储液罐泄露的液体，防止当储液罐有微小漏液时液体流入管路区其他地方。

由于储液罐设置在一体式防爆框架结构中，因此，无需在储液罐外设置隔离防爆盒，可以根据实际要求选择相应容积的储液罐，示例的，该储液罐可以是10升以下的小型容积储液罐，或者，还可以是30-60升的大型容积储液罐。

本申请实施例提供的半导体防护装置中，摒弃了现有技术中隔离防爆盒的设计，采用一体式整机防爆框架和一体式储液罐的结构，不仅满足了大容量液体的储存需求，同时降低了设计加工要求，另外，无需对某一容器或者器件进行第三方模拟测试，验证周期大大缩短，大幅节约了成本，提高了性价比，整机结构更加简单，更加符合行业的发展，以及量产需求。

为了确保设备安全运行，需要检测设备的状态，以采取相应措施，确保在潜在的爆炸性环境中不会引发危险事件。要实现这一设计，需要克服以下关键挑战：

安装位置的选择，选择适当的检测器件位置至关重要，以确保准确检测环境条件。在防爆设备中，通常需要在潜在的最危险点安装检测器件，这要求仔细考虑设备的布局和周围环境，以确保能够捕捉环境中的危险物质或条件。

安装方式，在防爆设备中，必须确保所使用的检测元件能够在极端条件下长时间可靠运行。这要求考虑安装材料、角度、封装方式，以防止环境中的危险物质侵蚀、遮挡和损坏检测元件。

防爆电气连接和接地，连接检测器件到上电互锁系统需要正确的电气连接，同时确保设备的接地是可靠的。在危险环境中，任何静电或电气故障都可能导致危险事件。

防爆性能要求，检测器件本身必须具备防爆性能，以防止在危险环境中引发火花或产生其他危险。这需要特殊的设计和使用防爆材料，以确保设备在这些环境中能够安全运行。

爆炸性环境的复杂性，爆炸性环境通常包括易燃气体、蒸气或粉尘等，这些环境可能在温度、湿度、浓度和压力等方面变化很大。因此，检测器件必须能够在各种不同条件下可靠工作。

法规和标准要求，防爆设备必须符合特定的法规和标准，以确保其在危险环境中的安全性。因此，设计和制造防爆设备必须满足这些标准和法规，这也增加了设计的复杂性。

根据上述要求，本申请实施例提供的半导体防护装置设置有第一漏液检测单元、第二漏液检测单元、火焰检测单元、温度检测单元和压力检测控制单元。下面分别进行说明。

在一个或者多个实施例中，参考图2所示，管路区还设置有第一漏液检测单元LS1；第一漏液检测单元LS1设置在漏液盘22上，用于检测漏液盘上是否存在液体。

第一漏液检测单元通过检测漏液盘上是否存在液体，进而检测储液罐是否发生泄露，即使储液罐有微小泄露也能及时发现。

这里对于第一漏液检测单元的结构不做限定，只要能满足相关功能即可。

在一个或者多个实施例中，参考图4所示，框架本体11的底部设置有凹槽110；凹槽110与储液罐21的出液口相对设置，凹槽110的底部设置有漏液孔111。

管路区还设置有第二漏液检测单元3；第二漏液检测单元3设置在凹槽110内、且不遮挡漏液孔111，用于检测凹槽内是否存在液体，并输出第二漏液检测信号。需要说明的是，参考图4所示，为了固定第二漏液检测单元3的位置，可以设置固定支架4，这里对于第二漏液检测单元和固定支架的固定方式不做限定，图4中以第二漏液检测单元3穿过固定支架4，并与固定支架4固定为例进行绘示，图4中第二漏液检测单元3的部分设置在固定支架4的上方、另一部分设置在固定支架4的下方。图4中第二漏液检测单元3的标记线标注在第二漏液检测单元3设置在固定支架4下方的部分；图5b中由于“h”的遮挡，第二漏液检测单元3的标记线标注在第二漏液检测单元3设置在固定支架4上方的部分；图4和图5b中，虽然第二漏液检测单元3的标记线位置不同，但均指代第二漏液检测单元。

由于储液罐的出液口下方区域的管路设置较多，容易出现漏液问题，因此需要在储液罐的出液口下方区域设置凹槽和第二漏液检测单元，通过凹槽可以收集泄漏的液体，同时便于检测；另外，凹槽的底部设置有漏液孔，当漏液发生时，可以从漏液孔排出，即兼具排液功能。

上述框架本体的底部厚度不能设计的太厚，否则重量大成本高，也不能设计的太薄，否则不利于形成凹槽。可选的，框架本体的底部厚度范围为1-3cm，示例的，框架本体的底部厚度为1cm、2cm或者3cm。

这里对于第二漏液检测单元的结构不做限定，只要能满足相关功能即可。第二漏液检测单元的结构和第一漏液检测单元的结构可以相同，或者不同。

为了提高检测的准确度，确保最大程度的检测漏液是否排净，参考图5a所示，凹槽110包括相通的第一子槽1101和第二子槽1102；第一子槽1101的底部设置有漏液孔111，参考图5b所示，第二漏液检测单元3设置在第二子槽1102；第二子槽1102的尺寸大于第一子槽1101的尺寸。

上述第二子槽的尺寸大于第一子槽的尺寸是指：参考图5a所示，第二子槽的长度L2大于第一子槽的长度L1，同时，第二子槽的宽度W2大于第一子槽的宽度W1；这样一方面可以更好地将泄漏的液体聚集到第一子槽，以便于从漏液孔排出；另一方面，便于安装第二漏液检测单元。上述第一子槽和第二子槽的形状不做限定，示例的，第一子槽和第二子槽形成的凹槽的轮廓类似图5b所示的“h”型。第一子槽的开口尺寸适配漏液孔的尺寸。参考图5b所示，第二子槽内还可以设置固定支架4，以固定第二漏液检测单元3的位置，使其尽可能地靠近漏液孔。参考图4所示，漏液孔111的下方可以设置漏液管路5，以将漏液排至安全位置。

由于储液罐是管路区内装有易燃易爆液体最多的器件，也是最危险最容易发生燃烧的区域，因此需要在储液罐的上方设置火焰检测单元，以在最短时间内检测到危险，从而做出反应。在一个或者多个实施例中，参考图6所示，管路区还设置有火焰安装盒6和火焰检测单元；火焰检测单元设置在火焰安装盒的内部，用于检测储液罐上是否产生火焰；火焰安装盒6位于储液罐21的上方、且固定设置在框架本体11的顶部；火焰安装盒的材料为防爆材料。

火焰安装盒可以通过焊接方式与框架本体固定，以形成一体式结构。因为火焰检测单元是通过光的原理进行检测，因此，参考图6所示，火焰安装盒6面向储液罐21的一侧设置有透光部61，透光部的材料为防爆玻璃。防爆玻璃具备透明，防爆，防污染，防雾气的特点。火焰安装盒除过透光部的其余部分可以采用金属铁形成。

在一个或者多个实施例中，参考图2所示，管路区A还设置有加热单元7和温度检测单元8；加热单元7用于加热储液罐21存储的液体；温度检测单元8用于检测加热单元所在位置的温度是否大于预设温度，预设温度小于储液罐存储的液体的燃点。

上述预设温度需要根据储液罐存储的液体的燃点设置，示例的，若储液罐存储的液体为IPA，IPA的燃点为80度左右，因此，预设温度可以设置为70度。

由于整个管路区加热单元所在位置的温度最高，在加热液体时，也最容易从加热单元的管路连接处挥发出一定高温气体，因此，为了更准确的检测加热单元所在位置的温度，上述温度检测单元可以设置在加热单元的出液位置。

参考图2所示，该管路区A还可以包括抽液泵9，抽液泵9将储液罐21中的液体通过管路抽取到加热单元7，加热单元7对液体加热后，经管路回到储液罐21中。

上述温度检测单元检测加热单元所在位置的温度是否大于预设温度，若检测到的温度大于预设温度，可以发出预警信息。

在一个或者多个实施例中，参考图2所示，管路区A还设置有排风单元9，排风单元9设置在框架板12上，用于排出管路区的气体，使得管路区的气体压力值小于半导体防护装置的外部环境的气体压力值。

上述排风单元始终在抽取管路区内气体，使得管路区与半导体防护装置的外部环境形成负压，上述排风单元可以将管路区液体挥发后形成的易燃易爆气体排出至大气环境或者气体处理装置等，从而进一步避免管路区的气体泄漏到半导体防护装置的外部环境中，避免半导体防护装置的外部环境产生危险。由于加热单元是管路区最容易产生泄露气体的地方，因此排风单元可以设置在框架板中靠近加热单元的位置，从而最大限度地将气体排出至装置外部，避免进入电气区。

上述加热单元可以为长条状，与框架板沿水平方向的长度相同，从而在水平方向上实现最大范围的排风，提高排风效果。缩短排风时间，尽可能地降低管路区的危险。

为了保证管路区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的差值维持在预设范围内，例如：[-520pa，-480pa]，可以在排风单元的出口位置设置如图7所示的两个压力检测器91和两个流量检测器92，实时检测，可以将检测值传输至厂务端的控制器，通过厂务端的控制器控制排气流量，从而控制管路区的压力。上述两个压力检测器和两个流量检测器同时工作，当其中一个压力检测器或者一个流量检测器故障时，还可以通过另一个压力检测器或者另一个流量检测器检测，满足冗余设计要求，提高可靠性。参考图7所示，排风单元9还可以包括排气孔95和与客户端连接的排风管路96；温度检测单元可以包括温度传感器80和支架81，温度传感器80固定在支架81，支架81可以设置在排风单元上。

在一个或者多个实施例中，参考图2所示，电气区B设置有压力检测控制单元CT，压力检测控制单元用于获得电气区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的实际压差是否在预设压差范围内。

这里对于压力检测控制单元获得电气区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的实际压差是否在预设压差范围内的具体方法也不做限定，示例的，压力检测控制单元可以分别检测电气区的气体压力值和半导体防护装置的外部环境的气体压力值，然后计算两者的差值，将差值与预设压差范围进行比较，从而获得电气区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的实际压差是否在预设压差范围内。

上述压力检测控制单元的结构不做限定，上述预设压差范围可以是[3pa，6pa]。参考图2所示，压力检测控制单元CT包括进气口IN、出气口OUT和压力传感器Sensor；工艺气体(GAS)经管路60从进气口IN进入压力检测控制单元CT中，然后经出气口OUT释放到电气区。

为了保证电气区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的压差维持在预设压差范围内，参考图2所示，电气区B还设置有进气管30和调节阀20；调节阀20设置在进气管30上；压力检测控制单元还用于根据实际压差和预设压差范围的关系，向调节阀输出调节信号；调节阀用于接收调节信号，并根据调节信号调节进气管的流量。

上述压力检测控制单元的结构不做限定，压力检测控制单元还可以实时显示电气区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的压差值。上述调节阀可以为自动调节阀(AV)，用于调节进气管中惰性气体的流量。此阀在开启状态下，可以通过调整内部针阀给电气区增压。

电气区B还设置有通风单元10和多个孔径不同的第二走线孔40；通风单元10和第二走线孔40均设置在框架本体11上；通风单元用于在电气区的气体压力值大于预设压力值时，自动释放电气区的工艺气体。

多个孔径不同的第二走线孔的结构与多个孔径不同的第一走线孔的结构类似。不同孔径的第二走线孔可以适配不同粗细的线缆，适配度高，相较现有技术中设置的长方形的孔，一方面可以提高适配度，以便于从电气区引出线缆，与厂务端连接；另一方面可以最大限度保证电气区的密封性。由于线缆的截面多为圆形，因此，第二走线孔可以为圆孔。

为了进一步提高电气区的密封性和防爆性，每个第二走线孔可以采用防爆材质的电缆固定器固定，并采用防爆材料填充孔洞，从而在保证密封良好的情况下，兼具防爆和安全性，安全等级高。

上述通风单元的结构不做限定，示例的，在电气区的气体压力值大于预设压力值时，该通风单元可以在气体压力作用下打开，从而释放电气区的工艺气体，从而防止压力过大导致框架结构变形或者裂开。

在一个或者多个实施例中，上述半导体防护装置应用于半导体工艺设备，半导体工艺设备包括上电电路和负载，上电电路用于向负载提供交流电源信号；电气区还设置有第一继电器单元、中间继电器和接触器。

第一继电器单元用于在第一漏液检测单元、第二漏液检测单元、火焰检测单元、温度检测单元和压力检测控制单元五个单元中任意单元组合的控制下，控制中间继电器的通断状态；接触器用于在中间继电器的控制下，控制上电电路在任意单元组合检测到异常时断开。

需要说明的是，第一漏液检测单元检测到异常是指第一漏液检测单元检测到漏液盘上存在液体；第二漏液检测单元检测到异常是指第二漏液检测单元检测到凹槽内存在液体；火焰检测单元检测到异常是指火焰检测单元检测到储液罐上产生火焰；温度检测单元检测到异常是指温度检测单元检测到加热单元所在位置的温度大于预设温度；压力检测控制单元检测到异常是指压力检测控制单元检测到电气区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的实际压差不在预设压差范围内，此时，电气区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的实际压差可能为负值，或者不在预设压差范围内的正值。

上述任意单元组合是指：第一漏液检测单元、第二漏液检测单元、火焰检测单元、温度检测单元和压力检测控制单元五个单元中任意两个单元、任意三个单元、任意四个单元或者全部单元的组合。

上述第一继电器单元、中间继电器和接触器的具体结构和连接方式不做限定，只要能满足上述控制要求即可。

本申请实施例提供的半导体防护装置中，在半导体工艺设备启动过程中，第一漏液检测单元、第二漏液检测单元、火焰检测单元、温度检测单元和压力检测控制单元五个单元中任意单元组合对半导体防护装置的状态进行预先检测；若检测到异常，则通过控制第一继电器单元控制中间继电器，进而控制接触器，最终实现上电电路在任意单元组合检测到异常时断开，使得半导体工艺设备无法上电和运行；若没有检测到异常，则第一继电器单元、中间继电器和接触器相互配合，保证上电电路处于闭合状态，使得半导体工艺设备正常上电和运行。另外，在半导体工艺设备运行过程中，第一漏液检测单元、第二漏液检测单元、火焰检测单元、温度检测单元和压力检测控制单元五个单元中任意单元组合对半导体防护装置的状态进行实时检测，若检测到异常，可以通过控制第一继电器单元控制中间继电器，进而控制接触器，最终实现上电电路在任意单元组合检测到异常时断开，使得半导体工艺设备停止运行，从而大幅提升设备的安全性。

在一个或者多个实施例中，半导体工艺设备还包括第一电源和第二电源；上电电路包括交流电源；参考图8中a图所示，电气区还设置有交流电源端、第一电源端和第二电源端，交流电源端用于接收交流电源输出的交流电源信号，第一电源端用于接收第一电源输出的第一电源信号，第二电源端用于接收第二电源输出的第二电源信号。

上述第一电源和第二电源可以单独设置，或者可以通过对交流电源输出的电源进行转换得到，这里不做限定。第一电源输出的第一电源信号和第二电源输出的第二电源信号可以相同(例如：24V电压信号)，或者也可以不同。

参考图8中b图所示，第一继电器单元包括五个继电器；第一漏液检测单元LS1、第二漏液检测单元LS2、火焰检测单元FS、温度检测单元TS和压力检测控制单元CT分别与五个继电器的线圈(分别标注为R1、R2、R3、R4、R5)一一对应电连接；五个继电器的线圈还分别与第一电源端电连接；中间继电器的线圈(S/R)和五个继电器的常闭触点(分别标注为R1触点、R2触点、R3触点、R4触点、R5触点)依次串联设置在第二电源端和第一电源端之间；接触器的线圈MC分别与中间继电器的中间触点(S/R触点)和第二电源端电连接，中间继电器的中间触点(S/R触点)还与第一电源端电连接。

上电电路包括依次电连接的交流电源端、上电开关和接触器的多个接触触点；上电开关设置在电气区内；负载设置在电气区外，接触器的多个接触触点设置在上电开关和负载之间。中间继电器的中间触点和接触器的多个接触触点均为常开触点或者常闭触点。上电电路在第一漏液检测单元、第二漏液检测单元、火焰检测单元、温度检测单元和压力检测控制单元五个单元中任意单元组合检测到异常时断开。

第一漏液检测单元LS1还用于在检测到漏液盘上存在液体时，向对应的继电器的线圈R1输出第一漏液异常信号，对应的继电器的线圈R1得电，以使得对应继电器的常闭触点R1触点打开；第二漏液检测单元LS2还用于在检测到凹槽内存在液体时，向对应的继电器的线圈R2输出第二漏液异常信号，对应的继电器的线圈R2得电，以使得对应继电器的常闭触点R2触点打开；火焰检测单元FS还用于在检测到储液罐上产生火焰时，向对应的继电器的线圈R3输出火焰异常信号，对应的继电器的线圈R3得电，以使得对应继电器的常闭触点R3触点打开；温度检测单元TS还用于在检测到加热单元所在位置的温度大于预设温度时，向对应的继电器的线圈R4输出温度异常信号，对应的继电器的线圈R4得电，以使得对应继电器的常闭触点R4触点打开；压力检测控制单元CT还用于在检测到所述电气区的气体压力值与所述半导体防护装置的外部环境的气体压力值的实际压差不在所述预设压差范围内时，向对应的继电器的线圈R5输出压力异常信号，对应的继电器的线圈R5得电，以使得对应继电器的常闭触点R5触点打开。

以中间继电器的中间触点和接触器的多个接触触点均为常开触点为例进行说明。由于常闭触点R1-R5串联，因此，上述常闭触点R1-R5中任一个触点处于打开状态时，中间继电器的线圈(S/R)都处于失电状态，如图9中b图所示中间继电器的常开触点(S/R触点)打开，则接触器的线圈MC失电，继而使得如图9中a图所示接触器的多个常开触点(MC触点)处于打开状态，上电开关和负载之间的线路断开。图9中b图以常闭触点R1-R5中所有触点均处于打开状态，即第一漏液检测单元、第二漏液检测单元、火焰检测单元、温度检测单元和压力检测控制单元五个单元均检测到异常为例进行绘示。

即在半导体工艺设备启动过程或者运行过程中，漏液盘和凹槽内无漏液、储液罐上无火焰、温度不大于预设温度和电气区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的实际压差在预设压差范围内五个条件中任一个条件不满足，都说明半导体防护装置处于异常状态，上电电路断开，设备停止运行或者不能正常上电。

当然，若第一漏液检测单元LS1没有检测到漏液盘上存在液体，则向对应的继电器的线圈R1输出第一漏液正常信号，维持对应的继电器的线圈R1处于失电状态，则对应继电器的常闭触点R1触点维持闭合状态；第二漏液检测单元LS2没有检测到凹槽内存在液体，则向对应的继电器的线圈R2输出第二漏液正常信号，维持对应的继电器的线圈R2处于失电状态，则对应继电器的常闭触点R2触点维持闭合状态；火焰检测单元FS还用于在检测到储液罐上没有产生火焰，向对应的继电器的线圈R3输出火焰正常信号，维持对应的继电器的线圈R3处于失电状态，则对应继电器的常闭触点R3触点维持闭合状态；温度检测单元TS在检测到加热单元所在位置的温度小于或者等于预设温度时，向对应的继电器的线圈R4输出温度正常信号，维持对应的继电器的线圈R4处于失电状态，则对应继电器的常闭触点R4触点维持闭合状态；压力检测控制单元CT在检测到所述电气区的气体压力值与所述半导体防护装置的外部环境的气体压力值的实际压差在所述预设压差范围内时，向对应的继电器的线圈R5输出压力正常信号，维持对应的继电器的线圈R5处于失电状态，则对应继电器的常闭触点R5触点维持闭合状态。

以中间继电器的中间触点和接触器的多个接触触点均为常开触点为例进行说明。由于常闭触点R1-R5串联，因此，如图8中b图所示在常闭触点R1-R5均处于闭合状态时，中间继电器的线圈(S/R)处于得电状态，中间继电器的常开触点(S/R触点)闭合，则接触器的线圈MC处于得电状态，如图8中a图所示，接触器的多个常开触点(MC触点)保持闭合，上电开关和负载之间的线路导通；半导体工艺设备可以正常启动，或者，继续保持正常运行状态。图8中b图以常闭触点R1-R5中所有触点均处于闭合状态，即第一漏液检测单元、第二漏液检测单元、火焰检测单元、温度检测单元和压力检测控制单元五个单元均未检测到异常为例进行绘示。

即在半导体工艺设备启动过程或者运行过程中，半导体防护装置需要同时满足漏液盘和凹槽内无漏液、储液罐上无火焰、温度不大于预设温度和电气区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的实际压差在预设压差范围内五个条件，才能说明半导体防护装置处于安全状态，上电电路可以导通，设备可正常上电或者可以继续正常运行。

当然，上述半导体防护装置不局限于需要满足上述五个条件，或者，还可能需要同时满足更多其他条件才能正常运行，这里对此不做限定，具体可以根据实际增加相应的检测单元。

上述第一漏液检测单元和第二漏液检测单元的检测目的相同，都是为了检测储液罐是否漏液，互为冗余设计；若其中一个检测单元损坏，另一个还可以正常工作，提高装置的可靠性和稳定性。

上述半导体防护装置中，参考图10中a图所示，需要满足第一回路里面的所有条件都是正常状态，即不可被触发；第二回路才能正常工作，处于导通状态；最终才能供给上电回路信号，即上电回路闭合。参考图10中b图所示，第一回路中只要其中任意一个条件被触发，即为异常状态；第二回路不能正常工作，即处于不导通状态；最终不能供给上电回路信号，即上电回路无法闭合。参考图8中b图所示，第一回路是由第一漏液检测单元LS1、第二漏液检测单元LS2、火焰检测单元FS、温度检测单元TS和压力检测控制单元CT，和其对应的5个继电器的线圈构成的信号接收回路；参考图8中b图所示，第二回路是由第一漏液检测单元LS1、第二漏液检测单元LS2、火焰检测单元FS、温度检测单元TS和压力检测控制单元CT对应的5个继电器的触点构成的反馈回路。

上述半导体防护装置采用了漏液，火焰，温度，压力等多种条件的共同检测，并接入设备上电电路。在设备上电前，可以进行预先的安全判断，提高了安全性；在设备运行期间，可以实时监测装置的情况，若出现异常，可及时断电，停止运行，大幅提升安全性。该半导体防护装置采用同一套安全保护检测电路实现安全上电和实时检测功能，可以节约空间和降低成本。另外，该半导体防护装置采用多回路分别对漏液，火焰，温度，压力进行检测，满足冗余需求，能够大幅提升控制的稳定性，降低设备的风险等级和提升设备的安全性。

上述半导体防护装置可以采用如下静电消除方式：

1、管路区的所有管路采用防止静电产生的材料制作，例如：石墨烯或者碳等材料制作的管路，确保管路里面使用易燃易爆液体时，不会产生静电。

2、管路区设置有加热器，泵等大型器件，这些器件在工作时，管路必然会产生震动；而连接管路的接头处会因为震动产生摩擦，从而产生静电。为了消除因震动产生的静电，可以如图11所示，采用导电绑带100连接所有接头，并与整体框架结构连接，整体框架接地，从而彻底消除静电，保证管路区的安全。

对上述半导体防护装置进行三方面的测试：1、电气区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的差值检测，即电气区的正压值检测；2、管路区的气体压力值与半导体防护装置的外部环境的气体压力值的差值检测，即管路区的负压值检测；3、管路区的温度检测。

测试数据随机选取三天的同一时间段的数据，参考图12所示，电气区的正压值的三次测量数据均在3.5Pa和5.5Pa之间，位于预设范围[3pa，6pa]内，说明电气区的密封性好，达到所要求的标准。参考图13所示，管路区的负压值的均稳定在-515Pa至-490Pa之间，波动幅度小，优于预设范围[-520pa，-480pa]，说明管路区的密封性好，同时优于所要求的标准。参考图14所示，管路区的温度值的三次测量数据均稳定地保持在25℃至45℃的范围内，均未超出预设温度值(70℃)，说明装置达到了安全性要求。综上，上述半导体防护装置在密封性、安全性和稳定性方面均达到预设要求。

本申请实施例还提供了一种半导体工艺设备，参考图15所示，包括工艺腔室200和上述半导体防护装置300，半导体防护装置用于向工艺腔室提供工艺液体。

上述半导体防护装置的相关结构说明可以参考前述说明，这里不再赘述。上述工艺腔室可以是清洗腔室，用于清洗晶圆。

上述半导体工艺设备的安全性好、可靠性高。

本申请实施例还提供了一种半导体工艺设备，参考图16所示，该半导体工艺设备包括：进气口、气体分布器、反应腔，真空系统，排气口，检测控制装置组成。进气口用于将反应气体和载气等引入反应腔。气体分布器用于将从进气口进入的气体均匀地分布在反应腔中。气体与半导体材料在反应腔发生化学反应，形成薄膜或进行其他处理。反应腔通常配有真空系统，用于保持真空度，以防止发生爆炸。排气口用于将反应气体和副产物排出设备。检测控制装置包括温度检测单元、浓度检测单元和压力检测单元。

该半导体工艺设备中，所使用的化学药液或者气体，同样具有易燃易爆的风险，在特定温度、浓度、压力下会自行燃烧；或者，遇到火花、静电会产生火焰，导致爆炸。因此，同样需要设置安全保护电路。

图16所示的半导体工艺设备与图15所示的半导体工艺设备的区别在于：气体与半导体材料发生化学反应形成薄膜，无法进行气体的本质隔离，只能对气体所在区域进行多方位的控制，使其无法达到气体燃烧或者爆炸的条件，从而实现易燃易爆的控制和保护。因此，可以对反应室内进行真空处理，同时通过设置温度检测单元、浓度检测单元、压力检测单元等对反应室内的温度、浓度、压力、气体流量等参数进行检测和控制，温度检测单元、浓度检测单元、压力检测单元等检测单元可以接入上电电路，通过设置继电器、中间继电器和接触器，控制上电电路在温度、浓度、压力等参数出现异常时断开；该部分电路控制结构可以参考图8所示的结构，图8采用的是第一漏液检测单元、第二漏液检测单元、火焰检测单元、温度检测单元和压力检测控制单元，分别对应设置了5个继电器；而图16所示的半导体工艺设备采用温度检测单元、浓度检测单元、压力检测单元，分别设置3个继电器即可，其余电路结构类似，这里不再赘述。

该半导体工艺设备还可采用冷却系统控制温度，使其达到一种安全的环境条件，实现有效的保护。

需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。

本申请中所称的“一个实施例”、“实施例”或者“一个或者多个实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或者特性包括在本申请的至少一个实施例中。此外，请注意，这里“在一个实施例中”的词语例子不一定全指同一个实施例。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。

Claims (12)

1.一种半导体防护装置，其特征在于，包括框架结构，所述框架结构包括框架本体和框架板；所述框架本体用于隔绝所述半导体防护装置的外部环境；所述框架板设置在所述框架本体的内部，用于将所述框架本体的内部空间分隔成管路区和电气区，所述电气区填充有工艺气体，所述管路区设置有储液单元，所述储液单元用于储存工艺液体，所述管路区的气体压力值小于所述电气区的气体压力值。

2.根据权利要求1所述的半导体防护装置，其特征在于，所述管路区的气体压力值小于所述半导体防护装置的外部环境的气体压力值，所述电气区的气体压力值大于所述半导体防护装置的外部环境的气体压力值。

3.根据权利要求2所述的半导体防护装置，其特征在于，所述管路区的气体压力值与所述半导体防护装置的外部环境的气体压力值的差值范围为[-520pa，-480pa]，所述电气区的气体压力值与所述半导体防护装置的外部环境的气体压力值的差值范围为[3pa，6pa]。

4.根据权利要求1所述的半导体防护装置，其特征在于，所述框架结构为一体式框架结构，所述框架本体的材料和所述框架板的材料均为防爆材料。

5.根据权利要求4所述的半导体防护装置，其特征在于，所述储液单元包括储液罐和漏液盘，所述漏液盘与所述储液罐为一体结构，所述漏液盘设置在所述储液罐的下端；

所述管路区还设置有第一漏液检测单元；所述第一漏液检测单元设置在所述漏液盘上，用于检测所述漏液盘上是否存在液体。

6.根据权利要求5所述的半导体防护装置，其特征在于，所述框架本体的底部设置有凹槽；所述凹槽与所述储液罐的出液口相对设置，所述凹槽的底部设置有漏液孔；

所述管路区还设置有第二漏液检测单元；所述第二漏液检测单元设置在所述凹槽内、且不遮挡所述漏液孔，用于检测所述凹槽内是否存在液体，并输出第二漏液检测信号。

7.根据权利要求6所述的半导体防护装置，其特征在于，所述管路区还设置有火焰安装盒和火焰检测单元；所述火焰检测单元设置在所述火焰安装盒的内部，用于检测所述储液罐上是否产生火焰；

所述火焰安装盒位于所述储液罐的上方、且固定设置在所述框架本体的顶部；所述火焰安装盒的材料为防爆材料。

8.根据权利要求7所述的半导体防护装置，其特征在于，所述管路区还设置有加热单元和温度检测单元；所述加热单元用于加热所述储液罐存储的液体；所述温度检测单元用于检测所述加热单元所在位置的温度是否大于预设温度，所述预设温度小于所述储液罐存储的液体的燃点。

9.根据权利要求8所述的半导体防护装置，其特征在于，所述电气区设置有压力检测控制单元，用于获得所述电气区的气体压力值与所述半导体防护装置的外部环境的气体压力值的实际压差是否在预设压差范围内。

10.根据权利要求9所述的半导体防护装置，其特征在于，所述半导体防护装置应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括上电电路和负载，所述上电电路用于向所述负载提供交流电源信号；

所述电气区还设置有第一继电器单元、中间继电器和接触器；

所述第一继电器单元用于在所述第一漏液检测单元、所述第二漏液检测单元、所述火焰检测单元、所述温度检测单元和所述压力检测控制单元五个单元中任意单元组合的控制下，控制所述中间继电器的通断状态；

所述接触器用于在所述中间继电器的控制下，控制所述上电电路在所述任意单元组合检测到异常时断开。

11.根据权利要求10所述的半导体防护装置，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括第一电源和第二电源；所述上电电路包括交流电源；

所述电气区还设置有交流电源端、第一电源端和第二电源端，所述交流电源端用于接收所述交流电源输出的交流电源信号，所述第一电源端用于接收所述第一电源输出的第一电源信号，所述第二电源端用于接收所述第二电源输出的第二电源信号；

所述第一继电器单元包括五个继电器；所述第一漏液检测单元、所述第二漏液检测单元、所述火焰检测单元、所述温度检测单元和所述压力检测控制单元分别与所述五个继电器的线圈一一对应电连接；所述五个继电器的线圈还分别与所述第一电源端电连接；

所述中间继电器的线圈和所述五个继电器的常闭触点依次串联设置在所述第二电源端和所述第一电源端之间；

所述接触器的线圈分别与所述中间继电器的中间触点和所述第二电源端电连接，所述中间继电器的常开触点还与所述第一电源端电连接；

所述上电电路还包括依次电连接的所述交流电源端、上电开关和所述接触器的多个接触触点；所述接触器的多个接触触点设置在所述上电开关和所述负载之间；所述中间继电器的中间触点和所述接触器的多个接触触点均为常开触点或者常闭触点；所述上电电路在所述第一漏液检测单元、所述第二漏液检测单元、所述火焰检测单元、所述温度检测单元和所述压力检测控制单元五个单元中任意单元组合检测到异常时断开。

12.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室和权利要求1-11任意一项所述的半导体防护装置，所述半导体防护装置用于向所述工艺腔室提供工艺液体。