CN117999627A - 均匀等离子线性离子源 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种离子源。离子源可包含容纳等离子体的等离子体腔室和沿等离子体腔室侧面安置且包括至少一个提取孔的提取组合件。离子源可还包含沿第一轴延伸穿过等离子体腔室的天线组合件。天线组合件可包含介电外壳、在介电外壳内沿第一轴延伸的多个导电天线。

Description

均匀等离子线性离子源

相关申请的交叉引用

本申请主张2021年9月15日申请的标题为“均匀等离子体线性离子源(UNIFORMPLASMA LINEAR ION SOURCE)”的美国非临时专利申请第17/476,200号的优先权，且以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开大体上涉及处理设备，且尤其是涉及基于等离子体的离子源。

背景技术

在当今，等离子体用于处理衬底，例如电子装置，以用于例如衬底蚀刻、层沉积、离子注入以及其它处理的应用。一些处理设备使用产生等离子体以充当用于衬底处理的离子源的等离子体腔室。离子束可经由提取组合件提取且导引到邻近腔室中的衬底。这一等离子体可以各种方式产生。

在各种商用系统中，天线安置在等离子体腔室外部，接近介电窗。随后，天线使用RF电源激发。随后，由天线产生的电磁能穿过介电窗以激发安置于等离子体腔室内的原料气。这种配置提供相对简单的建构，且可产生适于使用通过可集中放置在等离子体腔室内的提取孔的提取而产生高电流离子束的密集等离子体。然而，这类等离子体可倾向于在腔室中间具有峰值等离子体密度，且对于多孔、高电流离子束系统可为不理想的，其中两个或大于两个孔沿等离子体腔室的一个边缘布置为平行槽。

在其它已知方法中，两个天线可安置于等离子体腔室内，且可称为内部天线。如先前的实施例，RF电源电连接到内部天线。这些内部天线各自包含导管可为石英或另一介电材料的外部导管以形成在等离子体内延伸的两个天线结构。导电线圈安置于外部导管内且通常与外部导管间隔开。RF电源电连接到线圈，所述线圈通过外部导管发射电磁能，从而在等离子体腔室内产生等离子体。然而，使用两个天线结构产生的等离子体在整个等离子体腔室中可不具有所要的均匀性。举例来说，等离子体密度在内部天线附近可更大且在远离内部天线的区域中可减小。

这一等离子体非均匀性可影响所提取的离子束。举例来说，并非提取跨离子束宽度具有恒定离子密度的离子束，离子束可在例如接近中心的第一部分中具有比例如在离子束端处的第二部分中更大的离子浓度。

为了解决这一问题，已提出可在等离子体内移动多个天线结构的方法。然而，这类方法可提供不太稳固的设计，要求容纳天线结构的介电外部导管的移动。此外，产生的等离子体均匀性可仍小于多孔处理系统的目标均匀性。

相对于这些和其它考量来提供本公开。

发明内容

各种实施例涉及天线组合件、离子源以及处理设备。在一个实施例中，离子源可包含容纳等离子体的等离子体腔室，及沿等离子体腔室侧面安置且包括至少一个提取孔的提取组合件。离子源可还包含沿第一轴延伸穿过等离子体腔室的天线组合件。天线组合件可包含介电外壳、在介电外壳内沿第一轴延伸的多个导电天线。

在另一实施例中，提供一种处理系统，包含容纳等离子体的等离子体腔室和沿等离子体腔室的侧面安置且包括至少一个提取孔的提取组合件。处理系统还可包含沿第一轴延伸穿过等离子体腔室的天线组合件。天线组合件可包含介电外壳和在介电外壳内沿第一轴延伸的多个导电天线。处理系统可还包含邻近于提取组合件且包括可沿垂直于第一轴的扫描方向扫描的衬底平台的处理腔室。处理系统可还包含连接到天线组合件的电力发电机。

在另一实施例中，提供一种用于电感耦合离子源的天线组合件，包含沿第一方向从第一端延伸到第二端的介电外壳。天线组合件可包含从第一端延伸穿过介电外壳到第二端的第一导电天线和从第一端延伸穿过介电外壳到第二端的第二导电天线。由此，第一导电天线和第二导电天线中的至少一者可在介电外壳内沿垂直于第一方向的至少第二方向移动。

附图说明

图1示出根据本公开的实施例的第一配置中的示例性系统的端视图。

图2A示出根据本公开的实施例的第一配置中的示例性等离子体腔室的端视图。

图2B示出根据本公开的实施例的提取组合件的俯视图。

图2C示出图2A的示例性等离子体腔室的侧视图。

图2D示出图2A的示例性等离子体腔室的俯视图。

图2E示出根据本公开的实施例的第二配置中的图2A的示例性等离子体腔室的端视图。

图3A为示出在具有已知天线配置的参考等离子体腔室中的模拟等离子体密度的复合图示。

图3B为示出根据本发明实施例的在具有天线组合件的等离子体腔室中的模拟等离子体密度的复合图示。

图4A呈现根据本公开的一个实施例的天线组合件的介电外壳的示例性结构。

图4B呈现根据本公开的另一实施例的天线组合件的介电外壳的示例性结构。

图4C呈现根据本公开的另一实施例的天线组合件的介电外壳的示例性结构。

图4D呈现根据本公开的额外实施例的天线组合件的介电外壳的示例性结构。

图5呈现根据本公开的一个实施例的天线组合件的示例性天线配置的俯视图。

图6呈现根据本公开的另一实施例的天线组合件的示例性天线配置的俯视图。

图7呈现根据本公开的另一实施例的示例性天线组合件的端视图。

图8呈现根据本公开的另一实施例的示例性天线组合件的俯视图。

图9呈现根据本公开的另一实施例的另一示例性天线组合件的俯视图。

附图未必按比例。附图仅为表示，并不意欲描绘本公开的具体参数。附图意图描绘本公开的示例性实施例，且因此不应被视为在范围上受到限制。在附图中，相似编号表示相似元件。

具体实施方式

现将在下文中参考附图更全面地描述根据本公开的设备、系统以及方法，在所述附图中示出系统和方法的实施例。系统和方法可以许多不同形式实施，且不应解释为受限于本文中所阐述的实施例。实际上，提供这些实施例是以使得本公开将是透彻且完整的，且这些实施例将系统和方法的范围完整地传达给本领域的技术人员。

例如“顶部”、“底部”、“上部”、“下部”、“竖直”、“水平”、“横向”以及“纵向”的术语在本文中可用于描述这些组件和其组成部分在呈现在附图中时相对于半导体制造装置的组件的几何形状和定向的相对放置和定向。术语可包含具体提到的词、其派生词以及类似意思的词。

如本文中所使用，以单数形式叙述且以字词“一(a/an)”进行的元件或操作理解为潜在地还包含多个元件或操作。此外，对本公开的“一个实施例”的提及并不意欲解释为排除同样并入所叙述特征的额外实施例的存在。

本文提供用于提高处理设备中的等离子体均匀性的方法，且尤其是在紧凑离子束处理设备中。本发明实施例可适于其中离子束的提取点处的等离子体均匀性跨一或多个方向上有用的应用。

图1示出根据本公开的实施例的第一配置中的示例性系统的端视图。系统将在本文中称为处理系统100，且适于衬底132的离子束处理。系统100包含：等离子体腔室102，用以容纳等离子体106；电力发电机104，当合适气态物质(未单独地示出)递送到等离子体腔室102时耦合以递送电力以产生等离子体106。电力发电机104可为例如RF电力发电机。

为了处理衬底132，沿等离子体腔室102的侧面提供提取组合件120，其中提取组合件120包含产生示出为离子束134的对应离子束的至少一个提取孔。在图1的实例中，出于解释目的，示出四个提取孔，而任何合适数目个提取孔可包含于根据本发明实施例的提取组合件中。

处理系统100还包含天线组合件110，其中天线组合件110沿第一轴(在这种情况下，示出笛卡尔坐标系(Cartesian coordinate system)的X轴)延伸穿过等离子体腔室102。下文论述关于图2C和图2D示出的天线组合件110的变体的其它细节。简单来说，天线组合件110包含介电外壳114，所述外壳可由充当介电窗的合适绝缘材料(例如，石英)形成。天线组合件110可还包含在介电外壳114内沿第一轴(X轴)延伸的多个导电天线。在示出的实例中，多个导电天线包含第一天线116和第二天线118。

由此，电力发电机104、等离子体腔室102、天线组合件110以及提取组合件120可构成离子源，所述离子源用以产生用于处理衬底132的至少一个离子束。在操作中，电力发电机104耦合到第一天线116和第二天线118，以例如通过第一天线116和第二天线118到等离子体106的电感耦合来为等离子体106供电。

更尤其是，当处理气体经导引到等离子体腔室102中时，电力施加于第一天线116和第二天线118，使得等离子体106在等离子体腔室102中点燃。举例来说，参看图2C和图2D，第一天线116和第二天线118可(直接或通过电路元件)连接于等离子体腔室102的第一侧150上且可附接到等离子体腔室102的第二侧152上的电力发电机104。

当偏压电压由提取电压供应器126施加于等离子体腔室102与衬底132或衬底固持器130(组件可安置于处理腔室108中)之间时，离子束134通过提取孔122(也参见图2B)提取且导引到衬底132。在不同实施例中，提取电压供应器126可操作以在衬底132与等离子体腔室102之间施加脉冲DC偏压电压或RF偏压电压。此外，在一些实施例中，提取组合件120可包含已知等离子体处理系统中的束阻断器(图中未示出)，以便通过提取孔122提取成角度离子束，其中离子束134可相对于衬底法线(Z轴)形成非零入射角。

现转而参考图2A、图2C以及图2D，示出包含天线组合件110的等离子体腔室102的不同视图。在图2A的视图中，呈现等离子体106，而出于清楚起见，图2C和图2D省略等离子体106。如图2A中所示出，等离子体106围绕介电外壳114延伸。在一个实施中，介电外壳114可位于沿Y方向的等离子体腔室102的中间。由此，等离子体106可围绕介电外壳114在Y方向上大体对称地延伸。如图2C和图2D中所示出，介电外壳114可从第一端160延伸到第二端162，完全从第一侧150延伸到第二侧152。由此，天线组合件110还可从第一侧150完全延伸穿过等离子体腔室102到第二侧152。

如下文相对于图3B更详细论述，等离子体腔室102中间(至少相对于Y方向)的介电外壳114的存在可倾向于修改等离子体106的形状和分布。举例来说，介电外壳114的存在可倾向于使等离子体106的密集区域朝向壁141和壁142向外位移。举例来说，根据一些非限制性实施例，介电外壳114的直径可等于沿Y方向的等离子体腔室102的宽度的10％到50％。因此，通过使来自正常密集等离子体中间区域的等离子体的部分位移，沿Y方向的等离子体106的整体均匀性可提高。

根据本公开的各种实施例，介电外壳114可在等离子体腔室102内例如沿Y轴或沿Z轴或沿两个轴移动。以这种方式，可调整等离子体106的分布和均匀性。

在一些实施例中，介电外壳内的多个天线中的至少一个天线可在介电外壳114内移动。换句话说，至少一个天线可在相对于介电外壳114的壁内沿Y轴、沿Z轴中的任一者或沿两个轴独立地移动。在具体实施例中，第一天线116和第二天线118两者可在介电外壳114内移动。换句话说，第一天线116和第二天线118可在相对于介电外壳114的壁内沿Y轴、沿Z轴中的任一者或沿两个轴独立地移动。在各个实施例中，第一天线116和第二天线118可在相对于介电外壳114的壁内独立地移动，且一个天线可相对于另一天线沿Y轴、沿Z轴中的任一者或沿两个轴独立地移动。

作为实例，在图2A中，第一天线116和第二天线118可在介电外壳114内沿Y轴移动到由箭头d指示的程度，接近介电外壳114的直径。举例来说，第一天线116和第二天线118可朝向介电外壳的相对壁移动，由此增加第一天线116与第二天线118之间的空间，或替代地，可如图2E的配置所示出使彼此极为接近。

在具体实施例中，如图1中所描绘，天线组合件110或类似组合件可耦合到移动机构140，其中移动机构140耦合以彼此协同或相对于彼此的相对运动移动第一天线116、第二天线118、介电外壳114或这些元件的任何组合。移动机构140可为例如根据一些非限制性实施例的外部电动机、致动器、机械杠杆、滑道或磁性组合件。由此，移动机构140可提供用于操控等离子体腔室102内的天线组合件110的这些组件的相对位置的方便方法。

通过提供介电外壳114内的第一天线116和第二天线118的相对移动，可方便地操控等离子体106的分布和密度。为了进一步示出这点，图3A提供示出在具有已知天线配置的参考等离子体腔室中的模拟等离子体密度的复合图示，而图3B提供示出根据本发明实施例的在具有天线组合件的等离子体腔室中的模拟等离子体密度的复合图示。在图3A的图示中，外部天线组合件304周向地包围等离子体腔室302以在其中产生等离子体306。等离子体腔室302叠置于沿Y-Z平面的横截面中示出的等离子体306的图像上方，其中等离子体密度由不同阴影指示。如所示出，密度从等离子体腔室302的极外部边缘上的3E14/立方厘米区间到等离子体腔室302的中心中的中间E17/立方厘米变化。

在图3B的图示中，天线组合件110安置于如上文大体描述的等离子体腔室102内。等离子体腔室102叠置于在沿Y-Z平面的横截面中示出的等离子体106的图像上方，其中等离子体密度由不同阴影指示。如所示出，大部分等离子体106的密度从E16/立方厘米区间到E17/立方厘米区间变化，其中等离子体密度通常朝向等离子体腔室102的下部部分更高。

与衬底处理的均匀性问题更密切相关，在图3B的实例中，沿等离子体腔室的下部边缘沿Y方向的等离子体密度的均匀性提高。更尤其是，在图3A的实例中，发生离子束提取的均匀性沿Y轴为18.5％，而图3B中发生离子束提取的沿Y轴的均匀性为1％，其中均匀性可表达为：(最大提取电流值-最低提取电流值)/平均提取电流值。

详细转向图3B，这一复合图示强调由本发明实施例提供的若干特征。在这一实例中，介电外壳114的直径大致为7厘米，提供大容量以容纳第一天线116和第二天线118的相对位移。这一相对移动促进能够调变第一天线116和/或第二天线118到安置在介电外壳114的外部的等离子体106的电感耦合，且由此提供操控等离子体106的密度和分布的方便方式。在示出的具体实例中，天线彼此横向位移大致5厘米。在其它实施例中，依据气体物质、等离子体功率以及其它因素，天线的相对位置可改变，例如将天线更接近彼此放置或放置在沿Z轴的不同位置处，以便相应地调整等离子体密度均匀性。

再次参考图1，对于要求跨衬底132进行均匀离子束处理的应用，在操作中，提取孔122可沿X轴延长，以便在一定程度上覆盖如示出的沿X方向的全部衬底132。举例来说，在一些非限制性实施例中，提取孔可具有沿Y方向的约若干毫米到若干厘米的宽度和沿X方向的数十厘米的长度。为了覆盖全部衬底，例如具有数十厘米的直径的半导体晶片，衬底固持器130可沿Y轴扫描，因此可在Y方向上跨全部衬底132扫描提取孔122，由此将全部衬底132暴露于离子束134。

为了增加施加于衬底132的束电流，多个提取孔122设置于根据本公开的实施例的等离子体腔室102中。由此，导引到衬底132的束电流将等于通过个别提取孔导引的束电流的总和。应注意，在束电流跨X轴均匀的情况中，例如借助扫描从点P1到点P2的全提取组合件下的全部衬底132，衬底132将暴露于均匀离子剂量。如图3A中，这一结果即使在等离子体密度沿Y方向不均匀的情况中也为正确的，使得不同束电流从不同提取孔冲击于衬底132上。当暴露于具有不同束电流的不同孔时，跨衬底132的束剂量应为均匀的原因为因为束电流沿X方向为均匀的。此外，衬底132沿Y方向的各点依序暴露于相同孔，使得在暴露于所有相同的孔之后，总离子剂量冲击衬底132的任何区域。由此，为了实现暴露于多提取孔等离子体腔室的经扫描衬底中的剂量均匀性，等离子体密度沿X方向应为均匀的，而在原则上沿Y方向无需为均匀的。

然而，在其中等离子体密度沿Y方向为不均匀的例如图3A的已知的装置的情况中，自不同提取孔提取的离子束可以除不同束电流以外的附加方式彼此不同。本发明人已意识到，在各种提取孔组合件中，离子的角度和经提取离子束的平均入射角与等离子体腔室中的等离子体密度成比例。在提取孔处形成的等离子体弯月面的形状取决于等离子体密度，使得跨等离子体弯月面离开等离子体106的离子束的平均角以及入射角的范围(角展度)随等离子体密度变化。由此，在如图3A中的不均匀等离子体腔室中，多提取孔提取板可在相对较低等离子体密度的外部位置处放置一些提取孔，其中离子束的入射角不同于通过位于等离子体腔室的高密度区域的中间区域的提取孔提取的离子束的入射角。图3B的实施例，通过提供沿Y方向1％均匀等离子体密度促进两个增加的束电流以及通过不同孔撞击衬底132的离子的更均匀入射角，这是由于等离子体密度和弯月面形状随沿Y轴的位置而几乎恒定。

根据本公开的另外实施例，天线组合件的介电外壳的形状可经修改以进一步修改等离子体腔室内的等离子体密度。图4A呈现根据本公开的一个实施例的天线组合件的介电外壳示例性结构。在这一实施例中，介电外壳114A具有圆柱体形状。图4B呈现根据本公开的另一实施例的天线组合件的介电外壳114B的示例性结构。在这一实施例中，介电外壳114B具有沿Y方向延长的椭圆横截面的柱体形状，其伸长可用于调整Y方向上等离子体均匀性。

图4C呈现根据本公开的另一实施例的天线组合件的介电外壳的示例性结构。在这一实施例中，介电外壳114C具有椭圆形状以在X方向和Y方向两者上增加等离子体腔室的壁附近的等离子体密度。图4D呈现根据本公开的额外实施例的天线组合件的介电外壳的示例性结构。在这一实施例中，介电外壳114D具有双球体形状/倒置椭圆形状以在等离子体腔室的中心区域中产生更高等离子体密度。

在一些实施例中，导电天线对可布置在介电外壳内，其中天线对在中间部分中更接近彼此安置。为了示出这点，图5呈现根据本公开的一个实施例的天线组合件的示例性天线配置的俯视图。示出等离子体腔室102的实施例，其中天线组合件500包含介电外壳502。如所示出，介电外壳502可为延长的，具有沿X方向延伸的壁。导电天线对示出为具有弓形形状的天线504和天线506，其中导电天线对在X-Y平面上弯曲，使得所述导电天线对在导电天线对的各远侧端处更接近彼此安置，即在沿Y轴延伸的等离子体腔室102的壁附近的区域中更接近彼此安置。换句话说，导电天线对在中间区域中进一步远离彼此安置，使得导电天线对越接近介电外壳502的壁，且由此越接近等离子体510。因此，这种配置可倾向于增加沿X轴的等离子体腔室的中间区域中的等离子体密度。

图6呈现根据本公开的另一实施例的天线组合件的示例性天线配置的俯视图。

示出等离子体腔室102的实施例，其中天线组合件600包含介电外壳602。如所示出，介电外壳602可为延长的，具有沿X方向延伸的壁。导电天线对示出为天线604和天线606，其中导电天线对在X-Y平面上弯曲，使得所述导电天线对在导电天线对的中间区域中更接近彼此安置，即在沿Y轴延伸的等离子体腔室102的中间区域中更接近彼此安置。换句话说，导电天线对进一步远离介电外壳602的壁安置，且由此在中间区域中进一步远离等离子体610。因此，这种配置可倾向于朝向等离子体腔室102的端部壁增加等离子体密度，即靠近沿Y轴延伸的壁。根据本公开的各种实施例，图5或图6中描绘的配置的天线可围绕X轴旋转，因此沿X轴的两个不同天线之间的相对接近度可轻易地改变。举例来说，图5和图6的不同配置可通过围绕X轴的相同弯曲天线的相互旋转来实现。

为了进一步操控根据本发明实施例的等离子体密度，天线组合件可包含安置于介电外壳内的铁磁性插件。图7呈现根据本公开的另一实施例的示例性天线组合件的端视图。在这一实例中，如上文关于图1和图2A至图2D大体描述，提供天线组合件710在等离子体腔室102内沿X轴延伸。除第一天线116和天线118外，天线组合件710包含安置于介电外壳114内的铁磁性插入组合件712。铁磁性插入组合件712可仅包含一个铁磁性插入件或可包含根据本公开的不同实施例的多个铁磁性插入件。在图7中所描绘的实施例中，铁磁性插入组合件712安置于第一天线116与第二天线118之间，且可相应地减小第一天线116与第二天线118之间的耦合。这一减小的耦合将增加等离子体腔室102在操作中的效率。

图8呈现根据本公开的另一实施例的示例性天线组合件的俯视横截面平面图。在这一实例中，天线组合件710A可如相对于图7大体描述，其中铁磁性插入组合件安置于第一天线116与第二天线118之间。在这一实例中，铁磁性插入组合件712A仅包含沿X轴穿过介电外壳114延伸的一个片件，以便沿X轴沿整个介电外壳114阻断第一天线116与第二天线118之间的耦合。

图9呈现根据本公开的另一实施例的另一示例性天线组合件的俯视横截面平面图。在这一实例中，天线组合件910包含成形为包围第一天线116和第二天线118的中间部分的铁磁性柱体形状的铁磁性插入件912，以便减小与中间部分中的等离子体906的电感耦合。以这种方式，在等离子体腔室102的中心C中(在X方向上)等离子体产生减小，而接近边缘O(Y轴壁)的等离子体产生增加。在示出的实例中，边缘O处的等离子体密度可或可不大于中心C中的等离子体密度。尤其是，即使来自第一天线116和第二天线118的电感耦合由铁磁性柱体阻断，等离子体将仍在中心C中形成。在一个实例中，来自中心C中的导电天线的等离子体形成相对于边缘O中的等离子体形成的密度可减小以抵消在应另外发生的中心C中增加的等离子体密度，导致沿X方向产生更均匀等离子体密度。

此外，除使用铁磁性插入件912调整沿X方向的等离子体密度外，在图9的实施例中，第一天线116和第二天线118可在由“d”指示的范围内沿Y轴移动以便调整沿Y方向的等离子体密度均匀性。

应注意，上述实施例已强调能够通过调整放置天线的介电外壳的位置和形状以及单个大介电外壳内的铁磁性插入件的放置来提高等离子体均匀性。然而，在目标的不均匀等离子体密度可用于衬底处理的情况下，相同实施例提供通过相同组件的调整来调谐等离子体非均匀性。

鉴于上文，本公开提供至少以下优点。如第一优点，出于维护或放置目的，本发明实施例提供对单个大介电外壳内的导电天线的轻松存取。如第二优点，通过提供对介电外壳内的导电天线的位置的简单调整来促进等离子体腔室内的等离子体密度的调谐。此外，另一优点为由天线组合件放置在等离子体腔室内提供的减小的等离子体腔室的占用面积。另一优点为能够轻易地放置且调整介电外壳内的铁磁性组件的配置以用于进一步等离子体密度调谐。

虽然已在本文中描述了本公开的某些实施例，但本公开不限于此，因为本公开在范围上与本领域将允许的一样宽泛，且可同样地来理解本说明书。因此，不应将以上描述解释为限制性的。本领域的技术人员将设想在本文所附的权利要求的范围和精神内的其它修改。

Claims (20)

1.一种离子源，包括：

等离子体腔室，用以容纳等离子体；

提取组合件，沿所述等离子体腔室的侧面安置，且包括至少一个提取孔；以及

天线组合件，所述天线组合件沿第一轴延伸穿过所述等离子体腔室，所述天线组合件包括：

介电外壳；以及

多个导电天线，在所述介电外壳内沿所述第一轴延伸。

2.根据权利要求1所述的离子源，其中所述至少一个提取孔沿第一方向延长；且

其中所述多个导电天线可在所述介电外壳内沿垂直于所述第一方向的至少第二方向相对于彼此移动。

3.根据权利要求2所述的离子源，其中所述至少一个提取孔包括沿所述第一方向延长的多个提取孔。

4.根据权利要求1所述的离子源，其中所述提取组合件包括安置于第一平面内的提取板，且其中所述多个导电天线在平行于所述第一平面的第二平面内具有弓形形状。

5.根据权利要求4所述的离子源，其中所述多个导电天线包括天线对，其中所述天线对在中间部分中更接近彼此安置。

6.根据权利要求4所述的离子源，其中所述多个导电天线包括天线对，其中所述天线对在所述天线对的各远侧端处更接近彼此安置。

7.根据权利要求1所述的离子源，还包括安置于所述介电外壳内的铁磁性插入组合件。

8.根据权利要求7所述的离子源，其中所述多个导电天线包括天线对，且其中所述铁磁性插入组合件在所述天线对中的第一天线与所述天线对中的第二天线之间延伸。

9.根据权利要求1所述的离子源，还包括耦合成在所述介电外壳内相对于所述多个天线中的另一天线移动所述多个导电天线中的至少一个天线的移动机构。

10.一种处理系统，包括：

等离子体腔室，用以容纳等离子体；

提取组合件，沿所述等离子体腔室的侧面安置，且包括至少一个提取孔；

天线组合件，所述天线组合件沿第一轴延伸穿过所述等离子体腔室，所述天线组合件包括：

介电外壳；以及

多个导电天线，在所述介电外壳内沿所述第一轴延伸；

处理腔室，邻近于所述提取组合件，且包括可沿垂直于所述第一轴的扫描方向扫描的衬底平台；以及

电力发电机，连接到所述天线组合件。

11.根据权利要求10所述的处理系统，其中所述至少一个提取孔沿第一方向延长，且其中所述多个导电天线可在所述介电外壳内沿垂直于所述第一方向的至少第二方向相对于彼此移动。

12.根据权利要求11所述的处理系统，其中所述至少一个提取孔包括沿所述第一方向延长的多个提取孔。

13.根据权利要求10所述的处理系统，其中所述提取组合件包括安置于第一平面内的提取板，且其中所述多个导电天线在平行于所述第一平面的第二平面内具有弓形形状。

14.根据权利要求13所述的处理系统，其中所述多个导电天线包括天线对，其中所述天线对在中间部分中更接近彼此安置。

15.根据权利要求13所述的处理系统，其中所述多个导电天线包括天线对，其中所述天线对在所述天线对的各远侧端处更接近彼此安置。

16.根据权利要求10所述的处理系统，还包括安置于所述介电外壳内的铁磁性插入组合件。

17.根据权利要求16所述的处理系统，其中所述多个导电天线包括天线对，且其中所述铁磁性插入组合件在所述天线对中的第一天线与所述天线对中的第二天线之间延伸。

18.根据权利要求10所述的处理系统，还包括耦合成在所述介电外壳内相对于所述多个天线中的另一天线移动所述多个导电天线中的至少一个天线的移动机构。

19.一种用于电感耦合离子源的天线组合件，包括；

介电外壳，沿第一方向从第一端延伸到第二端；

第一导电天线，从所述第一端延伸穿过所述介电外壳到所述第二端；以及

第二导电天线，从所述第一端延伸穿过所述介电外壳到所述第二端，

其中所述第一导电天线和所述第二导电天线中的至少一者可在所述介电外壳内沿垂直于所述第一方向的至少第二方向移动。

20.根据权利要求19所述的天线组合件，还包括安置于所述介电外壳内的铁磁性插入组合件。