CN117998916A - 显示基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示基板及显示装置。其中，显示基板具有阵列排布的多个子像素，包括：衬底基板；驱动控制层；和多个发光器件，发光器件发出第一颜色的光线；其中，多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素包括第一数据线和第一阳极，第二子像素包括第二数据线和第二阳极；量子点转换层，设置在子像素的出光方向一侧，用于转换第一颜色的光线；其中，第一子像素的第一阳极在衬底基板的正投影与第一数据线在衬底基板的正投影部分重叠；和/或第二子像素的第二阳极在衬底基板的正投影与第二数据线在衬底基板的正投影部分重叠。增大了子像素的阳极与数据线之间的寄生电容，进而增大该子像素的亮度，从而改善色偏。

Description

显示基板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术

寄生电容会造成显示画面的相邻帧缓慢的上升沿和下降沿，不利于高刷新率的需求。寄生电容的存在会导致有效器件电容下降，器件下降沿的响应时间随有效器件电容减小而变大，换言之，下降沿响应时间随寄生电容增大而增大。而寄生电容在有机电致发光器件(Organic Light-Eimitting Diode，OLED)显示领域包括薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)的金属电极与有源层之间的寄生电容和有机电致发光器件像素电极与金属走线之间的寄生电容等。随着屏幕像素密度(Pixels Per Inch，简称PPI)的增大，金属走线排布更紧密，寄生电容对画质的危害性可能会更大。

在OLED显示领域，包括利用OLED作为激发光源，激发的光经过量子点转化后显示的QD-OLED(Quantum Dot-Light Emitting Diodes)。相关技术中的QD-OLED中存在色偏。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提出一种显示基板及显示装置。

基于上述目的，本申请提供了一种显示基板，具有阵列排布的多个子像素，包括：

衬底基板；

驱动控制层，所述驱动控制层包括连接外部电路的数据线和多个开关元件，所述开关元件包括源/漏电极；和

多个发光器件，所述发光器件包括阳极、第一颜色发光层和阴极，被配置为发出第一颜色的光线；其中，

源/漏电极阳极源/漏电极所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素；所述第一子像素包括第一数据线和第一阳极；所述第二子像素包括第二数据线和第二阳极，所述第三子像素包括第三数据线和第三阳极；

量子点转换层，设置在所述子像素的出光方向一侧，用于将所述第一子像素发出的第一颜色的光线转换为第二颜色的光线，并将第二子像素发出的第一颜色的光线转换为第三颜色的光线，并将第三子像素发出的第一颜色的光线透射为第一颜色的光线；

其中，第一阳极在所述衬底基板的正投影与所述第一数据线在所述衬底基板的正投影部分重叠；和/或所述第二阳极在所述衬底基板的正投影与所述第二数据线在所述衬底基板的正投影部分重叠。

本申请实施例还提供了一种显示装置，包括如前任意一项所述的显示基板。

从上面所述可以看出，本申请提供的显示基板，通过在子像素中，第一子像素和第二子像素中的至少一个子像素中的阳极(例如第一阳极或第二阳极)与该子像素对应的数据线(例如第一数据线或第二数据线)重叠，相较于子像素的阳极与对应的数据线未重叠的方案，阳极(例如第一阳极或第二阳极)与数据线(例如第一数据线或第二数据线)重叠之后，即可使得该子像素(例如第一子像素或第二子像素)中阳极与对应的数据线之间的寄生电容的电容极板的正对面积增大，从而增大了子像素的阳极与数据线之间的寄生电容，进而增大该子像素的亮度，从而在一定程度上改善色偏。

附图说明

为了更清楚地说明本申请或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为示例性的下降沿响应时间与器件有效电容之间的关系示意图；

图2为示例性的金属走线之间交叠产生寄生电容的示意图；

图3a为本申请实施例的示例性的子像素的结构示意图；

图3b为本申请实施例的示例性的第一子像素、第二子像素和第三子像素的结构示意图；

图4为本申请实施例的实施例性的显示基板的示意图；

图5a为本申请实施例的立方形的阳极在衬底基板的正投影与数据线在衬底基板的正投影的一种重叠示意图；

图5b为本申请实施例的非立方形的阳极在衬底基板的正投影与数据线在衬底基板的正投影的一种重叠示意图；

图5c为本申请实施例的立方形的阳极在衬底基板的正投影与数据线在衬底基板的正投影的另一种重叠示意图；

图5d为本申请实施例的非立方形的阳极在衬底基板的正投影与数据线在衬底基板的正投影的另一种重叠示意图；

图6a为本申请实施例的增加第三阻挡层之前的寄生电容的示意图；

图6b为本申请实施例的增加第三阻挡层之后的寄生电容的示意图；

图7为本申请实施例的增加阻挡层之后的薄膜晶体管的结构示意图；

图8为本申请实施例的第三空穴阻挡层与第三有源层的价带能级的关系示意图；

图9为本申请实施例的第三有源层、第三中间层和第三空穴阻挡层的价带能级的关系示意图；

图10为本申请实施例的第三电子阻挡层与第三有源层的导带能级的关系示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本申请进一步详细说明。

需要说明的是，除非另外定义，本申请实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

图1示出了示例性的下降沿响应时间与器件有效电容之间的关系示意图。

如图1所示，器件的下降沿的响应时间(纵坐标)随器件有效电容Cp减小而变大。可见，下降沿的响应时间随而寄生电容的增大而增大。

图2示出了示例性的金属走线之间交叠产生寄生电容的示意图。

在低PPI的情况下，金属走线间的布局可以间隔较远，从而降低寄生电容的影响，但像素或金属走线与金属走线之间的交叠不可避免，如图2中的A处所示。因此，随着PPI的增大，金属走线排布更紧密，寄生电容对画质的危害性可能会更大。

目前的QD-OLED主要利用蓝光OLED作为激发光源，激发量子点转换层中的量子点(QD,例如红色量子点或绿色量子点)，QD吸收并将相对高能量的蓝光转换为相对低能量的红光和绿光。QD-OLED具有色域广、视角大的特点。在相关的QD-OLED中，针对OLED激发QD粒子发光的情况，可能会出现色偏(例如偏粉或偏绿)等。

另一方面，在OLED显示方案中，包括QD-OLED，存在TFT迟滞的现象，例如显示屏从48灰阶(亮度为L1)至255灰阶(亮度为L2)后返回48灰阶(亮度为L1’)时，亮度发生了变化(L1与L1’不相等)。这样，容易产生短残(短期残像)，例如显示器因TFT迟滞导致下一帧仍保留上一帧的部分画面。短残产生的原因主要为缺陷态捕获载流子，Vth偏移导致TFT迟滞。而缺陷态主要包括：GI(栅极绝缘层)内部缺陷态；ACT(有源层)和GI(栅极绝缘层)间界面缺陷态。目前的解决方案有TFT改善和电路外部补偿。其中，TFT改善的措施主要有：提升迁移率和钝化缺陷。针对GI内部缺陷态，可通过退火处理钝化缺陷；降低沉积速率，形成更致密的薄膜，减少缺陷。为了不引入外部缺陷，相关技术中通过设置杂质吸收层(金属层与缓冲层之间)，可以有效减少氢元素、氧元素和金属元素扩散到晶体管的有源层，有效保证了晶体管的电学稳定性，有效保证了晶体管电学特性的均一性，提高了显示效果。但是针对ACT-GI界面缺陷，未有通过调控能级的方式进行改善的先例。

基于此，本申请实施例提供了显示基板，将红色子像素的阳极和绿色子像素的阳极中的至少一种与对应的数据线叠置的方式，能够在一定程度上解决寄生电容对显示画面画质的危害和显示画面存在色偏等问题。

图3a、图3b和图4示出了本申请实施例的示例性的显示基板的结构示意图。其中，图3a为本申请实施例的示例性的子像素的结构示意图。图3b为本申请实施例的示例性的第一子像素、第二子像素和第三子像素的结构示意图。

如图4所示，本申请实施例提供的显示基板，可以包括衬底基板10，阵列设置在衬底基板10上的多个子像素30，设置在子像素30的出光方向一侧的量子点转换层20。

其中，衬底基板10可以是刚性衬底基板10，刚性衬底基板10可以是玻璃或者石英等。衬底基板10也可以是柔性衬底基板10，柔性衬底基板10可以是聚酰亚胺材质(PI)或其他柔性材质等。

在衬底基板上可以设置有驱动控制层，所述驱动控制层包括连接外部电路的数据线(例如Data信号线)和多个开关元件。其中，所述开关元件可以包括源/漏电极。

如图3a和图4示，在衬底基板10上可以阵列设置有多个子像素30。其中，子像素30可以包括在远离衬底基板10的方向上层叠设置的阳极32、像素界定层33和发光层。所述像素界定层33可以包括多个开口，该开口可以将阳极32和发光层划分形成多个子像素30。其中，发光层可以为发光器件(例如，蓝色有机电致发光器件)，包括阳极、第一颜色发光层341和阴极，被配置为发出第一颜色的光线。

其中，如图3b所示，所述多个子像素30包括第一子像素30a、第二子像素30b和第三子像素30c；所述第一子像素30a包括第一数据线312a和第一阳极32a；所述第二子像素30b包括第二数据线和第二阳极32b；所述第三子像素30c包括第三数据线和第三阳极32c。

量子点转换层20用于转换第一子像素30a和第二子像素30b发出的第一颜色的光线。例如，量子点转换层20可以包括第一量子点转化区21、第二量子点转化区22和透射区，分别与第一子像素30a、第二子像素30b和第三子像素30c对应设置。其中，第一量子点转换区具有量子点(QD,例如红色量子点)，用于将所述第一子像素30a(例如，红色子像素)发出的第一颜色的光线转换为第二颜色(例如，红色)的光线。第二量子点转换区具有量子点(QD,例如绿色量子点)，用于将所述第二子像素30b(例如，绿色子像素)发出的第一颜色的光线转换为第三颜色(例如，绿色)的光线。在透射区，不具有电子点，无需对第三子像素发出的第一颜色的光进行颜色转换，而直接透射为第一颜色(例如，蓝色)的光线。在透射区可以具有散射粒子，用于将第三子像素发出的第一颜色的光线打散，以扩大出光方向。

其中，仅第一阳极32a在所述衬底基板10的正投影与所述第一数据线312a在所述衬底基板10的正投影部分重叠；或仅所述第二阳极32b在所述衬底基板10的正投影与所述第二数据线在所述衬底基板10的正投影部分重叠；或者第一阳极32a在所述衬底基板10的正投影与所述第一数据线312a在所述衬底基板10的正投影部分重叠且第二阳极32b在所述衬底基板10的正投影与所述第二数据线在所述衬底基板10的正投影部分重叠。而第三阳极32c在所述衬底基板10的正投影与所述第三数据线在所述衬底基板10的正投影不重叠。由电容的计算公式，即式(1)，其中，C为电容，ε为相对介电常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，通过阳极32与数据线312的重叠可以增加电容极板的正对面积，从而增大第一子像素30a或者第二子像素30b中的阳极与数据线的寄生电容。

应当理解的是，子像素30的阳极32在衬底基板10的正投影可以为立方形，例如矩形等，也可以为非立方形，例如圆形、六边形或八边形等。而数据线312在衬底基板10的正投影通常为长条形等。这样，子像素30的阳极32在衬底基板10的正投影的面积显然大于数据线312在衬底基板10的正投影的面积。因此，阳极32(例如第一阳极32a或第二阳极32b)在衬底基板10的正投影与该子像素30对应的数据线312(例如第一数据线312a或第二数据线)在衬底基板10的正投影的重叠，可以为数据线312(例如第一数据线312a或第二数据线)在衬底基板10的正投影被阳极32(例如第一阳极32a或第二阳极32b)在衬底基板10的正投影完全覆盖，即数据线312(例如第一数据线312a或第二数据线)在衬底基板10的正投影被阳极32(例如第一阳极32a或第二阳极32b)在衬底基板10的正投影完全重叠，例如图5a和图5b所示。也可以为数据线312(例如第一数据线312a或第二数据线)在衬底基板10的正投影与阳极32(例如第一阳极32a或第二阳极32b)在衬底基板10的正投影仅部分重叠，例如图5c和图5d所示。因此，重叠区域的面积小于信号线在衬底基板10的投影面积。具体的重叠方式和重叠面积，可以根据需要调整的色偏的程度来决定。

本申请实施例的显示基板，通过在子像素30中，第一子像素30a和第二子像素30b中的至少一个的阳极32(例如第一阳极32a或第二阳极32b)与该子像素对应的数据线312(例如第一数据线312a或第二数据线)重叠，相较于子像素30的阳极32与对应的数据线312未重叠的方案，阳极32(例如第一阳极32a或第二阳极32b)与数据线312(例如第一数据线312a或第二数据线)重叠之后，即可使得该子像素30(例如第一子像素30a或第二子像素30b)中阳极32与对应的数据线312之间的寄生电容的电容极板的正对面积增大，从而增大了该子像素30的阳极32与数据线312之间的寄生电容，进而增大该子像素30的亮度，从而在一定程度上改善色偏。

在一些实施例中，还可以包括设置在量子点转换层20远离衬底基板10一侧的彩膜层40。彩膜层40可以包括第一彩膜区40a、第二彩膜区40b和第三彩膜区40c，分别与第一子像素30a、第二子像素30b和第三子像素30c对应。这样，经过第一量子点(例如红色量子点)转换出的第二颜色(例如，红色)的光线经过第一彩膜区40a，经过第二量子点(例如绿色量子点)转换出的第三颜色(例如，绿色)的光线经过第二彩膜区40b，而激发光源的蓝色光经过散射离子的扩散后直接经过第三彩膜区40c，形成全彩显示。这样，通过使特定子像素30的阳极32(例如第一子像素30a的第一阳极32a和第二子像素30b的第二阳极32b的至少一种)与对应的数据线312(例如第一数据线312a或第二数据线中的至少一种)叠置，仅增大部分子像素30(例如第一子像素30a或第二子像素30b)的亮度，可以改善色偏。

在一些实施例中，发光器件还包括和第一颜色发光层341层叠设置的第三颜色发光层342。也即，发光器件中的发光层包括两种不同颜色的发光层，例如图3a和图3b所示。第一颜色发光层341可以包括发光层包括至少两层层叠设置的第一颜色子发光层。例如，第一颜色子发光层可以设置为两层、三层或者四层，具体可以根据发光效率等确定即可。此时，仅第一子像素30a中的第一阳极32a在衬底基板10的正投影与第一数据线312a在衬底基板10的正投影部分重叠，形成第一重叠区域。第一重叠区域的具体位置可以根据需要调节的色偏和第一阳极32a的形状来确定。例如，对衬底基板10上投影面积为立方形的第一阳极32a，可以将第一数据线312a设置在第一阳极32a的边缘区域，以使仅部分第一数据线312a与第一阳极32a重叠。或者将第一数据线312a设置在第一阳极32a的中间区域，以使第一数据线312a整体与第一阳极32a重叠。应当理解的是，在平行于衬底基板10的方向，第一重叠区域的尺寸(也即宽度)小于或等于第一信号线在衬底基板10的正投影的尺寸(也即宽度)，根据具体的色偏改善程度确定即可。

在一些实施例中，发光器件中发光层可以仅包括一种颜色的发光层，即仅包括第一颜色发光层341。该第一颜色发光层341可以包括至少两层层叠设置的第一颜色子发光层。例如，第一颜色子发光层可以设置为两层、三层或者四层，具体可以根据发光效率等确定即可。此时，仅第一阳极32a在所述衬底基板10的正投影与所述第一数据线312a在所述衬底基板10的正投影部分重叠；或仅所述第二阳极32b在所述衬底基板10的正投影与所述第二数据线在所述衬底基板10的正投影部分重叠；或者第一阳极32a在所述衬底基板10的正投影与所述第一数据线312a在所述衬底基板10的正投影部分重叠且第二阳极32b在所述衬底基板10的正投影与所述第二数据线在所述衬底基板10的正投影部分重叠。

在一些实施例中，所述第一阳极32a在衬底基板10的正投影与所述第一数据线312a在衬底基板10的正投影重叠，具有第一重叠区域；且所述第二阳极32b在所述衬底基板10的正投影与所述第二数据线在所述衬底基板10的正投影重叠，具有第二重叠区域。应当理解的是，与前述的第一子像素30a类似，在平行于衬底基板10的方向，第二重叠区域的尺寸(也即宽度)小于或等于第二信号线在衬底基板10的正投影的尺寸(也即宽度)，根据具体的色偏改善程度确定即可。这样，可以更大程度的增加寄生电容，更好地改善色偏。

在一些实施例中，第一子像素30a为红色子像素，第二子像素30b为绿色子像素，第一重叠区域的面积可以大于第二重叠区域的面积，这样可以综合人眼对绿色的敏感度高于对红色的敏感度，且绿色量子点的光致发光量子效率(PLQY)通常大于红色量子点等因素,使得通过红色量子点转换后的第一子像素30a的亮度提升量与通过绿色量子点的转换后的第二子像素30b的提升量持平。重叠区域的面积的设置可以通过调节第一数据线312a与第一阳极32a的重叠位置来实现。

如图3a所示，驱动控制层还包括在所述衬底基板上的有源层35和栅极绝缘层36。也即，所述子像素30还可以包括有源层35、栅极绝缘层36和栅极层37。其中，所述第一子像素30a还包括第一栅极绝缘层和第一有源层，所述第二子像素30b还包括第二栅极绝缘层和第二有源层。所述第三子像素30c还包括第三栅极绝缘层和第三有源层。在一些实施例中，第一子像素30a可以为红色子像素，第二子像素30b可以为绿色子像素，第三子像素30c可以为蓝色子像素。第三子像素30c的启亮电压高于第二子像素30b的启亮电压，第二子像素30b的启亮电压高于第一子像素30a的启亮电压。在各个子像素30中，漏极饱和电流通过式(2)表示。I＝(1/2)UnCox(W/L)×(Vgs-Vth)² (2)，其中I为漏极饱和电流，Vgs为栅源的最大驱动电压，Vth为阈值电压。

在一些实施例中，驱动控制层还可以包括设置在衬底基板10与栅极绝缘层之间的缓冲层301、设置在源/漏电极311与栅极绝缘层36之间的层间绝缘层302，和设置在源/漏电极311与阳极32之间的平坦层303。

在一些实施例中，在第三子像素30c中还可以包括第三阻挡层38。也即，所述第三栅极绝缘层和所述第三有源层35c之间设置有第三阻挡层38，所述第三阻挡层38与所述第三栅极绝缘层的厚度的和值为1000～1500埃。增加阻挡层之后的薄膜晶体管的结构可以如图7所示。这样，相较于不具有第三阻挡层38的第三子像素30c，增加第三阻挡层38之后，并不会改变除第三栅极绝缘层36c之外的其他层级结构(例如有源层35c和第三栅极层37c)的厚度，如图6a和图6b所示。可以增大第三子像素30c的源极与栅极之间的寄生电容，即增大该第三子像素30c对应的第三薄膜晶体管的亮度，从而增大第三薄膜晶体管的寄生电容造成的耦合电压，使漏极饱和电流增大，进而使第三子像素30c的亮度增大，一定程度上改善低灰阶色偏粉或低灰阶偏绿等。

在一些实施例中，可以通过旋涂、磁控溅射、物理气相沉积和化学气相沉积等方法形成第三阻挡层38。第三阻挡层38的材料可以为n型半导体材料，也可以为P型半导体材料，根据第三阻挡层38的材料类型确定即可。在实际应用中，可以通过改变第三阻挡层38的面积大小，来调整寄生电容的增大程度，改善具体的低灰阶色偏。例如，如果增加预设厚度的第三阻挡层38之后出现低灰阶偏粉，可以通过增大第三阻挡层38的厚度来增大第三子像素30c的亮度，改善低灰阶偏粉。

在一些实施例中，有源层35为P型掺杂半导体层，例如重掺杂的P型掺杂半导体层，第三阻挡层38为第三空穴阻挡层38a。所述第三空穴阻挡层38a的价带能级低于所述第三有源层35c的价带能级，如图8所示。通过设置该种能级结构的第三空穴阻挡层38a，可以使得第三有源层35c上的空穴无法通过第三空穴阻挡层38a跃迁至第三栅极绝缘层36c，从而第三有源层35c上的空穴无法被ACT-GI间的界面缺陷所捕获，进而降低TFT迟滞，以保证第三子像素30c的电路层中TFT的正常电学特性，从而避免了显示基板出现短残现象。

在一些实施例中，第三空穴阻挡层38a的材料可以为n型半导体材料，且能够减小与周围层的晶格失配，例如可以为氧化锡(SnO₂)。该层级结构中，第三空穴阻挡层38a与P型有源层35间形成了P-N结，有源层35中的载流子空穴形成空间电荷区中，载流子浓度通过下述公式(3)、(4)和(5)计算。其中，n(x)为电子浓度，p(x)为空穴浓度，V_D为PN结接触电势差，以P-Si为例，当N_A＝10¹⁷cm^-3,N_D＝10¹⁵cm^-3,本征硅载流子浓度n_i＝1.5×10¹⁰cm^-3,则V_D约为0.7V，当位置x满足V(x)＝V_D-0.1eV时，n(x)约为0.02N_D，p(x)约为10^-10N_A，这样，空穴浓度与电离载流子浓度相比可忽略不计。因此，虽然该种材料的有源层35中的多数载流子空穴理论上会因形成空间电荷区而有一定的损失，但在耗尽层中的载流子数目可忽略不计，因此与不具有第三无阻挡层的结构相比，增加第三空穴阻挡层38a并不会对载流子数目有明显损耗。

在一些实施例中，还包括设置在所述第三有源层35c和所述第三空穴阻挡层38a之间的第三中间层39c。所述第三空穴阻挡层38a、所述第三中间层39c与所述第三栅极绝缘层的厚度的和值为1000～1500埃，且第三中间层39c的价带能级低于所述第三空穴阻挡层38a的价带能级，如图9所示，这样相较于不具有第三阻挡层38的第三子像素30c，增加第三阻挡层38之后，并不会改变除栅极绝缘层36之外的其他层级结构的厚度，在降低TFT迟滞，以保证第三子像素30c的电路层中TFT的正常电学特性，从而避免了显示基板出现短残现象，降低引入新缺陷态的概率，且能够避免第三阻挡层38与有源层35之间晶格失配。第三中间层39c为非晶氧化物，可以更好地避免所述第三有源层35c和所述第三空穴阻挡层38a之间的晶格失配。第三中间层39c的材质可以与第三阳极32c的材质相同，例如可以为ITO(氧化铟锡，In₂O₃·SnO₂)材料。

在一些实施例中，有源层35为N型掺杂半导体层，例如重掺杂的N型掺杂半导体层，第三阻挡层38为第三电子阻挡层38b。所述第三电子阻挡层38b的导带能级高于所述第三有源层35c的导带能级，如图10所示。通过设置该种能级结构的第三电子阻挡层38b，可以使得第三有源层35c上的电子无法通过第三电子阻挡层38b跃迁至第三栅极绝缘层36c，从而第三有源层35c上的电子无法被ACT-GI间的界面缺陷所捕获，进而降低TFT迟滞，以保证第三子像素30c的电路层中TFT的正常电学特性，从而避免了显示基板出现短残现象。

在一些实施例中，第三电子阻挡层38b的材料可以为P型半导体材料，且能够减小与周围层的晶格失配，例如可以为氧化镍(NiO_x)。可以理解的是，与前述的第三空穴阻挡层38a的计算类似，在该层级结构中，虽然第三电子阻挡层38b与N型有源层35间形成了P-N结，但是耗尽层中的载流子数目可忽略不计。因此，第三电子阻挡层38b并不会对载流子数目有明显损耗。

在一些实施例中，还包括设置在所述第三有源层35c和所述第三电子阻挡层38b之间的第三中间层。所述第三电子阻挡层38b、所述第三中间层与所述第三栅极绝缘层36c的厚度的和值为1000～1500埃，且第三中间层的导带能级高于所述第三阻挡层38的导带能级，这样第三阻挡层38的设置能够降低TFT迟滞，以保证第三子像素30c的电路层中TFT的正常电学特性，从而避免了显示基板出现短残现象，降低引入新缺陷态的概率，且能够避免阻挡层与有源层35之间晶格失配。第三中间层为非晶氧化物，可以更好地避免所述第三有源层35c和所述第三电子阻挡层38b之间的晶格失配。第三中间层的材质可以为氧化铋(Bi₂O₃)。

在一些实施例中，在第一子像素30a中还可以包括第一阻挡层。也即，所述第一栅极绝缘层和所述第一有源层之间设置有第一阻挡层，所述第一阻挡层与所述第一栅极绝缘层的厚度的和值为1000～1500埃。这样，第一阻挡层的设置可以增大第一子像素30a的源极与栅极之间的寄生电容，即增大该第一子像素30a对应的第一薄膜晶体管的亮度，从而增大第一薄膜晶体管的寄生电容造成的耦合电压，使漏极饱和电流增大，进而使第一子像素30a的亮度增大，一定程度上改善低灰阶偏绿等。

在一些实施例中，有源层35为P型掺杂半导体层，例如重掺杂的P型掺杂半导体层，第一阻挡层为第一空穴阻挡层。所述第一空穴阻挡层的价带能级低于所述第一有源层35的价带能级。第一空穴阻挡层的材料可以为n型半导体材料，且能够减小与周围层的晶格失配，例如可以为氧化锡(SnO₂)。第一空穴阻挡层作用原理可以与前述的第三空穴阻挡层38a的相同，此处不再赘述。

在一些实施例中，还包括设置在所述第一有源层和所述第一空穴阻挡层之间的第一中间层。所述第一空穴阻挡层、所述第一中间层与所述第一栅极绝缘层36的厚度的和值为1000～1500埃，且第一中间层的价带能级低于所述第一阻挡层的价带能级。第一中间层为非晶氧化物，可以更好地避免所述第一有源层和所述第一空穴阻挡层之间的晶格失配。第一中间层的材质可以与第一阳极32a的材质相同，例如可以为ITO材料。第一中间层的具体作用原理可以与前述的设置在所述第三有源层35c和所述第三空穴阻挡层38a之间的第三中间层39c第一中间层的相同，此处不再赘述。

在一些实施例中，有源层35为N型掺杂半导体层，例如重掺杂的N型掺杂半导体层，第一阻挡层为第一电子阻挡层。所述第一电子阻挡层的导带能级高于所述第一有源层的导带能级。第一电子阻挡层的作用原理可以与前述的第三电子阻挡层38b的作用原理相同，此处不再赘述。第一电子阻挡层的设置可以降低TFT迟滞，以保证第一子像素30a的电路层中TFT的正常电学特性，从而避免了显示基板出现短残现象。

在一些实施例中，第一电子阻挡层的材料可以为P型半导体材料，且能够减小与周围层的晶格失配，例如可以为氧化镍(NiO_x)。其具体原理与前述的第三电子阻挡层类似，此处不再赘述。

在一些实施例中，还包括设置在所述第一有源层和所述第一电子阻挡层之间的第一中间层。所述第一电子阻挡层、所述第一中间层与所述第一栅极绝缘层的厚度的和值为1000～1500埃，且第一中间层的导带能级高于所述第一阻挡层的导带能级。第一中间层为非晶氧化物，可以更好地避免所述第一有源层35和所述第一电子阻挡层之间的晶格失配。第一中间层的材质可以为氧化铋(Bi₂O₃)。

在一些实施例中，在第三子像素30c中还可以包括第三阻挡层38，且在第一子像素30a中还可以包括第一阻挡层。第三阻挡层38的具体设置与前述的第三子像素30c中的第三阻挡层38的具体设置相同，此处不再详细描述。且第一阻挡层的具体设置与前述的第一子像素30a中的第一阻挡层的具体设置相同，此处不再详细描述。可以理解为，本申请实施例还包括，在第一子像素30a和第三子像素30c中分别设置对应的阻挡层和对应的中间层的实施例，这样可以更好地改善低灰阶偏绿等，更好地降低TFT迟滞，以同时实现第三子像素30c和第一子像素30a的电路层中TFT的正常电学特性，避免了显示基板出现短残现象。

这样，本申请实施例提供的显示基板根据QD-OLED中发光层选用3Blue+1Green或All-blue的情况，设置第一子像素30a(红色子像素)的阳极与Data信号线(也即第一数据线312a)叠置增大第一子像素30a的寄生电容，或者同时设置第一子像素30a(红色子像素)的阳极与Data信号线(也即第一数据线312a)叠置增大第一子像素30a的寄生电容，且第二子像素30b(绿色子像素)的阳极与Data信号线(也即第二数据线)叠置增大第二子像素30b的寄生电容，从而在一定程度上改善色偏。通过在第一子像素30a和或第三子像素30c中增加阻挡层(例如第一阻挡层和/或第三阻挡层38)后，利用增大的TFT栅-源寄生电容，来增大第一子像素30a和/或第三子像素30c的电流和亮度，能够改善低灰阶偏色(发粉或发绿)，且能够通过改变阻挡层的厚度或面积调节叠置面积，改变寄生电容的增大程度，且能够减少有源层35中载流子被ACT-GI间的界面缺陷捕获的概率，改善显示基板出现短残现象。通过在阻挡层和有源层35之间引入的中间层，能够降低晶格失配风险。

基于同一发明构思，与上述任意实施例方法相对应的，本申请还提供了一种显示装置。

所述显示装置，包括如前任意一项所述的显示基板。

上述实施例的显示装置具有前述任一实施例中相应的显示基板，并且具有相应的显示基板实施例的有益效果，在此不再赘述。

所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本申请的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本申请的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本申请实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。

另外，为简化说明和讨论，并且为了不会使本申请实施例难以理解，在所提供的附图中可以示出或可以不示出与集成电路(IC)芯片和其它部件的公知的电源/接地连接。此外，可以以框图的形式示出装置，以便避免使本申请实施例难以理解，并且这也考虑了以下事实，即关于这些框图装置的实施方式的细节是高度取决于将要实施本申请实施例的平台的(即，这些细节应当完全处于本领域技术人员的理解范围内)。在阐述了具体细节(例如，电路)以描述本申请的示例性实施例的情况下，对本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本申请实施例。因此，这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。

尽管已经结合了本申请的具体实施例对本申请进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。例如，其它存储器架构(例如，动态RAM(DRAM))可以使用所讨论的实施例。

本申请实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本申请实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种显示基板，具有阵列排布的多个子像素，其特征在于，所述显示基板包括：

衬底基板；

驱动控制层，所述驱动控制层包括连接外部电路的数据线和多个开关元件，所述开关元件包括源/漏电极；和

多个发光器件，所述发光器件包括阳极、第一颜色发光层和阴极，被配置为发出第一颜色的光线；其中，

所述多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素包括第一数据线和第一阳极，所述第二子像素包括第二数据线和第二阳极，所述第三子像素包括第三数据线和第三阳极；

量子点转换层，设置在所述发光器件的出光方向一侧，用于将所述第一子像素发出的第一颜色的光线转换为第二颜色的光线，并将第二子像素发出的第一颜色的光线转换为第三颜色的光线，并将第三子像素发出的第一颜色的光线透射；

其中，第一阳极在所述衬底基板的正投影与所述第一数据线在所述衬底基板的正投影部分重叠；和/或

所述第二阳极在所述衬底基板的正投影与所述第二数据线在所述衬底基板的正投影部分重叠。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光器件还包括和所述第一颜色发光层层叠设置的第三颜色发光层，所述第一颜色发光层包括层叠设置的至少两层子发光层；所述第一阳极在所述衬底基板的正投影与第一数据线在所述衬底基板的正投影部分重叠。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一颜色发光层包括层叠设置的至少两层子发光层；所述第一阳极在所述衬底基板的正投影与第一数据线在衬底基板的正投影部分重叠；和/或

所述第二阳极在衬底基板的正投影与第二数据线在衬底基板的正投影部分重叠。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一阳极在衬底基板的正投影与所述第一数据线在衬底基板的正投影具有第一重叠区域；且所述第二阳极在所述衬底基板的正投影与所述第二数据线在所述衬底基板的正投影具有第二重叠区域；

其中，所述第一重叠区域的面积大于所述第二重叠区域的面积。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，在平行于衬底基板的方向上，所述第一重叠区域的尺寸小于或等于所述第一数据线在所述衬底基板的正投影的尺寸；所述第二重叠重叠区域的尺寸小于或等于所述第二数据线在所述衬底基板的正投影的尺寸。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述驱动控制层还包括在所述衬底基板上的有源层和栅极绝缘层；所述第一子像素还包括第一栅极绝缘层和第一有源层；所述第三子像素包括第三栅极绝缘层和第三有源层；所述第一栅极绝缘层和所述第一有源层之间设置有第一阻挡层；和/或

所述第三栅极绝缘层和所述第三有源层之间设置有第三阻挡层。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一阻挡层与所述第一栅极绝缘层的厚度的和值为1000～1500埃；所述第三阻挡层与所述第三栅极绝缘层的厚度的和值为1000～1500埃。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第三有源层为P型掺杂半导体层，所述第三阻挡层为第三空穴阻挡层，所述第三空穴阻挡层的价带能级低于所述第三有源层的价带能级；所述第一有源层为P型掺杂半导体层，所述第一阻挡层为第一空穴阻挡层，所述第一空穴阻挡层的价带能级低于所述第一有源层的价带能级。

9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，还包括设置在所述第三有源层和所述第三空穴阻挡层之间的第三中间层，所述第三空穴阻挡层、所述第三中间层与所述第三栅极绝缘层的厚度的和值为1000～1500埃，所述第三中间层的价带能级低于所述第三空穴阻挡层的价带能级。

10.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，还包括设置在所述第一有源层和所述第一空穴阻挡层之间的第一中间层，所述第一空穴阻挡层、所述第一中间层与所述第一栅极绝缘层的厚度的和值为1000～1500埃，所述第一中间层的价带能级低于所述第一空穴阻挡层的价带能级。

11.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第三有源层为N型掺杂半导体层，所述第三阻挡层为第三电子阻挡层，所述第三电子阻挡层的导带能级高于所述第三有源层的导带能级；所述第一有源层为N型掺杂半导体层，所述第一阻挡层为第一电子阻挡层，所述第一电子阻挡层的导带能级高于所述第一有源层的导带能级。

12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，还包括设置在所述第三有源层和所述第三电子阻挡层之间的第三中间层，所述第三电子阻挡层、所述第三中间层与所述第三栅极绝缘层的厚度的和值为1000～1500埃，所述第三中间层的导带能级高于所述第三电子阻挡层的导带能级。

13.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，还包括设置在所述第一有源层和所述第一电子阻挡层之间的第一中间层，所述第一电子阻挡层、所述第一中间层与所述第一栅极绝缘层的厚度的和值为1000～1500埃，所述第一中间层的导带能级高于所述第一电子阻挡层的导带能级。

14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-13任一项所述的显示基板。