CN117998913A - 一种显示面板和显示装置 - Google Patents

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CN117998913A CN202410146276.4A CN202410146276A CN117998913A CN 117998913 A CN117998913 A CN 117998913A CN 202410146276 A CN202410146276 A CN 202410146276A CN 117998913 A CN117998913 A CN 117998913A
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魏启兵
张鹏
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Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
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Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种显示面板和显示装置,显示面板包括显示区和非显示区,显示区围绕至少部分非显示区;非显示区包括元件设置区和挡墙设置区,挡墙设置区围绕至少部分元件设置区,挡墙设置区设置有挡墙;挡墙设置于衬底的一侧;挡墙包括挡墙基体和隔断结构,隔断结构位于挡墙基体的至少一侧;隔断结构包括第一隔断层和第二隔断层,第一隔断层和第二隔断层背离衬底翘起且第一隔断层和第二隔断层之间形成空腔;有机层位于挡墙远离衬底的一侧,有机层在空腔处断开。通过调整挡墙侧刻区域背离衬底翘起,有利于实现挡墙上的有机层(COM层)断开,从而提高显示面板开孔(Hole)位置可靠性,保证显示面板的显示效果。

Description

一种显示面板和显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
在显示面板中,随着刚性产品和柔性产品的不断发展,两种产品的优劣势也不断得到体现,结合产品的性能以及制作成本的双重考量,现在市面上涌现一种新型的面板产品叠构:One Glass,其中,One Glass工艺,是将触控感测层(Touch Sensor)与保护玻璃(Cover Glass)结合,,亦即在一般的保护玻璃内侧镀上ITO导电层,使该单片玻璃不仅具备保护玻璃的强度、安全性,同时也兼具触控功能。
但是目前该类型产品还不是很多样,目前还没有相应的One Glass的打孔屏问世,One Glass产品的开孔(Hole)位置可靠性还难以保障。
发明内容
本发明提供一种显示面板和显示装置,通过调整挡墙侧刻区域背离衬底翘起,有利于实现挡墙上的有机层(COM层)断开,从而提高显示面板开孔(Hole)位置可靠性,保证显示面板的显示效果。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括显示区和非显示区,所述显示区围绕至少部分所述非显示区;
所述非显示区包括元件设置区和挡墙设置区,所述挡墙设置区围绕至少部分所述元件设置区,所述挡墙设置区设置有挡墙;
所述显示面板还包括:
衬底,所述挡墙设置于所述衬底的一侧;所述挡墙包括挡墙基体和隔断结构,所述隔断结构位于所述挡墙基体的至少一侧;所述隔断结构包括第一隔断层和第二隔断层,所述第一隔断层和所述第二隔断层背离所述衬底翘起且所述第一隔断层和所述第二隔断层之间形成空腔;
有机层,所述有机层位于所述挡墙远离所述衬底的一侧,所述有机层在所述空腔处断开。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,还显示装置包括第一方面提供的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板,通过调整挡墙侧刻区域的结构,至少将挡墙靠近元件设置区的部分结构侧刻形成背离衬底翘起的隔断结构,增大隔断结构的空腔高度,从而降低挡墙侧刻蚀的工艺难度,同时可将隔断结构上层的有机层在空腔处断开,避免水汽等沿有机层延伸至显示区内部,从而提高显示面板的元件设置区位置可靠性,保证显示面板的视觉成像效果。
附图说明
图1为现有技术中的一种显示面板的挡墙的剖面结构示意图;
图2是图1中挡墙塌陷导致有机层连接的剖面结构示意图;
图3是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图4是图3中沿EE’方向的一种截面示意图;
图5是图3中沿EE’方向的另一种截面示意图;
图6是图3中沿EE’方向的另一种截面示意图;
图7是图4中挡墙结构的放大示意图;
图8是图3中沿EE’方向的另一种截面示意图;
图9是图8中挡墙结构的放大示意图;
图10是图3中沿EE’方向的另一种截面示意图;
图11是图3中沿EE’方向的另一种截面示意图;
图12是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在本发明中能进行各种修改和变化,这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而,本发明意在覆盖落入所对应权利要求(要求保护的技术方案)及其等同物范围内的本发明的修改和变化。需要说明的是,本发明实施例所提供的实施方式,在不矛盾的情况下可以相互组合。
图1为现有技术中的一种显示面板的剖面结构示意图;图2是相关技术提供的一种显示面板的电镜图,结合图1-图2所示,相关技术中的一种显示面板100包括显示区A1、开孔区A2以及位于显示区A1和开孔区A2之间的隔离区A3,隔离区A3内设置隔离柱A4,现有的显示面板100中通常利用第三金属层M3侧刻蚀形成隔离柱A4,如图1所示,其中,第三金属层M3通常为像素电路层内薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的漏电极金属层与发光器件之间的连接电极层,但是现有的隔离柱A4至少存在以下问题:
(1)、隔离柱A4侧刻的量受工艺波动影响,其主要影响隔离区A4侧刻区域的宽度a值,现有技术中通常a值的取值范围为350nm~700nm,当a值小于350nm,该a值区域上方的有机层102蒸镀时不能断开;当大于700nm,易导致a值区域塌陷,如图2所示;进一步还会导致a值区域上方的有机层102无法断开,因此如若通过刻蚀来精准达到该取值范围,工艺难度大,不易调控;
(2)、断开的高度受隔离柱A4金属的总高度b0和以及隔离柱A4侧刻形成空腔的高度c值的影响,现有技术中,采用第三金属层M3侧刻蚀形成隔离柱A4的空腔结构,c值即为该空腔结构的高度,通常条件下高度c的范围在内,这容易导致a值过大和c值过小,均很难实现金属侧刻隔离柱A4断开上层有机层102的作用,从而易导致水汽等沿有机层102延伸至显示区内部,影响显示面板开孔区A2位置可靠性和显示面板的正常显示效果。
其中,显示面板100还包括衬底101、驱动电路层103、封装层(图中未示出)等,共同作用实现显示面板100的正常显示,这里不再一一示出。
基于上述技术问题,发明人研究发现,通过调整挡墙侧刻区域背离衬底翘起,有利于实现挡墙上的有机层(COM层)断开,从而提高显示面板开孔(Hole)位置可靠性。基于此,发明人进一步研究提出本发明实施例的技术方案。具体的,本发明实施例提供一种显示面板,包括显示区和非显示区,显示区围绕至少部分非显示区;非显示区包括元件设置区和挡墙设置区,挡墙设置区围绕至少部分元件设置区,挡墙设置区设置有挡墙;显示面板还包括衬底,挡墙设置于衬底的一侧;挡墙包括挡墙基体和隔断结构,隔断结构至少位于挡墙基体靠近元件设置区的一侧;隔断结构包括第一隔断层和第二隔断层,第一隔断层和第二隔断层背离衬底翘起,且第一隔断层和第二隔断层之间形成空腔,有机层,有机层位于挡墙远离衬底的一侧,有机层在空腔处断开。
采用上述技术方案,通过调整挡墙侧刻区域的结构,至少将挡墙靠近元件设置区的一侧设置成隔断结构,将隔断结构的第一隔断层和第二隔断层背离衬底翘起形成空腔,改变挡墙的方向来改善空腔的形状,实现隔断结构上层的有机层在空腔处断开,从而避免水汽等沿有机层延伸至显示区内部,从而提高显示面板的元件设置区位置可靠性,保证显示面板的视觉成像效果。
以上是本发明的核心思想,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下,所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图3是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;图4是图3中沿EE’方向的一种截面示意图。结合图3-图4所示,本发明实施例提供的显示面板200包括显示区AA和非显示区NA,显示区AA围绕至少部分非显示区NA;非显示区NA包括元件设置区01和挡墙设置区02,挡墙设置区02围绕至少部分元件设置区01,挡墙设置区02设置有挡墙20;显示面板200还包括:衬底201,挡墙20设置于衬底201的一侧;挡墙20包括挡墙基体21和隔断结构22,隔断结构22至少位于挡墙基体21靠近元件设置区01的一侧;隔断结构22包括第一隔断层22a和第二隔断层22b,第一隔断层22a和第二隔断层22b背离衬底201翘起且第一隔断层22a和第二隔断层22b之间形成空腔;有机层30,有机层30位于挡墙20远离衬底201的一侧,有机层30在空腔处断开。
具体的,结合图3和图4所示,显示面板200包括OLED(Organic Light EmittingDiode,有机发光二极管)显示面板、AMOLED(Active-Matrix Organic Light EmittingDiode,有源矩阵有机发光二极管)显示面板、QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes,量子点发光二极管)显示面板、LED(Light Emitting Diode,发光二极管)显示面板、MicroLED(Micro Light Emitting Diode,微发光二极管)显示面板、Mini LED(Mini LightEmitting Diode,亚毫米发光二极管)显示面板等,本发明实施例对显示面板200的类型不做具体的限制。
参考图3,图3示出了显示区AA围绕非显示区NA设置,位于非显示区NA中的挡墙设置区02位于元件设置区01和显示区AA之间,且挡墙设置区02围绕元件设置区01设置,可以理解的是,图3仅为示例性的示出,但不限于此。
参考图4,衬底201可以为玻璃或硅片等刚性材料,也可为超薄玻璃、金属箔或高分子塑料材料等柔性材料,柔性或者刚性衬底201可以阻挡氧和湿气,防止湿气或杂质通过衬底201向显示面板内部扩散。
结合参考图3和图4,可以理解的是,元件设置区01可以用于设置元件等,例如可以为光学传感器或者距离传感器,用于实现显示模组的其他附加功能,例如成像功能或者距离感测功能。进一步地,元件设置区01可以贯穿显示面板10中的至少部分膜层,形成通孔结构或者盲孔结构。本发明实施例对元件设置区01中设置的元件类型以及开孔类型均不做具体限定,仅以开孔为通孔为例进行说明。进一步地,元件设置区01与显示区AA之间还设置有挡墙设置区02,挡墙设置区02内设置有挡墙20,挡墙可以是一个或多个,挡墙20用于拦截封装层中的有机层30向着元件设置区01延伸。由于有机层30具有较好的吸收水和氧气的能力,通过挡墙设置区02中的至少一组挡墙20可以避免有机层30延伸至元件设置区01,避免水汽或者氧气沿着有机层30延伸至显示区AA,从而保证显示面板100的封装效果。图4仅示例性的示出挡墙设置区02设置一道挡墙20,其他实施例中,设置区02设置两道或者3道挡墙20结构,本申请实施例不再一一示出。
参考图4所示,挡墙20也可称为隔离柱,可以是多层金属膜层堆叠而成,图3仅为示例性的示出,但不限于此。挡墙20由挡墙基体21和隔断结构22组成,对挡墙基体21一端或者两端侧刻蚀获得隔断结构22,如图4所示,隔断结构22设置在靠近元件设置区01的一侧,隔断结构22的第一隔断层22a和第二隔断层22b背离衬底201翘起,第一隔断层22a和第二隔断层22b之间侧刻蚀形成的空腔结构存在断差,相比于现有技术,隔断结构22翘起,可以增加第一隔断层22a和第二隔断层22b之间空腔结构的高度C,进一步地,当在有机层30沿着挡墙20远离衬底201的一侧蒸镀有机层30时,由于第一隔断层22a和第二隔断层22b断差C增大,有利于有机层30在空腔处断开,避免元件设置区01处的水汽或者氧气等沿着有机层30进入显示区AA,起到更好阻隔水氧的作用,从而提高显示面板的元件设置区位置可靠性,保证元件设置区01的显示面板100的封装效果。
进一步地,挡墙20的外围为绝缘层202,对挡墙20侧刻蚀,第一隔断层22a和第二隔断层22b之间形成空腔结构时,相比于现有技术中的沿水平方向侧刻蚀挡墙20,隔断结构22背离衬底201翘起,有利于实现光刻工艺,提高挡墙20侧刻蚀的光刻精度。
需要说明的是,图4仅示例性的示出了显示面板200的部分膜层结构,不限于此,具体膜层结构可根据实际需求进行设置,共同作用实现显示装置的显示功能,这里不做一一展开描述。
综上,本发明实施例提供的显示面板,通过调整挡墙侧刻区域的结构,至少将挡墙靠近元件设置区的部分结构侧刻形成背离衬底翘起的隔断结构,增大隔断结构的空腔高度,从而降低挡墙侧刻蚀的工艺难度,同时可将隔断结构上层的有机层在空腔处断开,避免水汽等沿有机层延伸至显示区内部,从而提高显示面板的元件设置区位置可靠性,保证显示面板的视觉成像效果。
图5是图3中沿EE’方向的另一种截面示意图,上述实施例的基础上,参照图5所示,显示面板200还包括位于衬底201一侧的第一金属层M1和第二金属层M2;第一金属层M1和第二金属层M2位于像素电路层40,挡墙20与第二金属层M2同层。
具体的,继续结合图3和图5所示,显示面板200还包括位于衬底201一侧的像素电路层40,像素电路层40包括多个像素电路,像素电路可以是2T1C、4T1C、7T1C、7T2C、8T1C、8T2C等等电路结构,像素电路包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)、存储电容和金属走线等膜层结构(图中未示出),示例性的,以Micro LED显示面板的顶栅型的薄膜晶体管为例进行的像素电路结构说明。参照图5所示,显示面板的像素电路层还包括位于衬底201上的有源层41;位于有源层41上的栅极绝缘层42;位于栅极绝缘层42上的栅极43;位于栅极43上的第一间绝缘层44,位于第一层间绝缘层44之上的电容层45,位于电容层45之上的第二层间绝缘层46,其中,层间绝缘层可以由氧化硅或氮化硅等的无机层绝缘形成;位于第二层间绝缘层46上的源电极47和漏电极48,其中,源电极47和漏电极48分别通过接触孔(图中未示出)电连接到源极区域和漏极区域,源电极47和漏电极48可以为Cr、Pt、Ru、Au、Ag、Mo、Al、W、Cu、Ti/Al/Ti和/或AlNd的金属,或包括ITO、GIZO、GZO、IZO(InZnO)或AZO(AlZnO)的金属或导电氧化物;位于薄膜晶体管的源电极47和漏电极48上的钝化层49;还包括平坦化层410,具有平坦化作用,薄膜晶体管的漏电极48与发光元件50的阳极51通过过孔的方式电连接(图中未示出),在一些实施例中,通常漏电极48和发光元件50的阳极41之间还包括金属连接层M3和绝缘层(图中未示出),以保证过孔连接电流信号传输,实现驱动发光元件50发光。其中,发光元件50包括LED、Micro LED、Mini LED、QLED等,本申请实施例对发光元件的类型不做限制。
参照图5所示,第一金属层M1可以为薄膜晶体管31的栅极43金属层,第二金属层M2为薄膜晶体管的源电极47和漏电极48金属层,第一金属层M1还可以包括多条沿X方向延伸的扫描线(图中未示出),用于传输扫描信号,第二金属层M2包括多条沿Y方向延伸的数据线(图中未示出),用于传输数据信号。本申请实施例可以采用第二金属层M2制备挡墙20,在制备薄膜晶体管TFT的源电极47和漏电极48金属层时制备挡墙20结构,由于源电极47和漏电极48金属层的厚度限制,可以使挡墙基体21金属的总厚度B小于第三金属层M3的厚度b。
可选的,继续参照图4所示,沿显示面板200的厚度方向Z,挡墙基体21的厚度为B,B的取值范围小于或者等于示例性的,挡墙基体21金属的总厚度B的厚度在/>左右即可。
上述实施例的基础上,继续参照图4所示,第一隔断层22a和第二隔断层22b的材料包括Ti,挡墙基体22的材料包括Al。
在一些实施例中,图6是图3中沿EE’方向的另一种截面示意图,参照图5和图6所示,显示面板200还可以包括第三金属层M3,第三金属层M3为漏电极318金属层与发光元件40之间的金属连接层,通常第三金属层M3的厚度大于第三金属层M3的材料可以为Ti/AlTi的堆叠膜层,参照图6所示,还可以在第三金属层M3中制备挡墙20,以阻断其上方的有机层30,本申请实施例的挡墙20结构的制备不仅局限于第二层金属层M2,Ti/AlTi的堆叠金属层均可以制备挡墙20结构,本申请实施例不再一一示出。
图7是图4中挡墙结构的放大示意图,上述实施例的基础上,结合图4-图7所示,第一隔断层22a和第二隔断层22b沿第一方向x’延伸;其中,第一方向x’与衬底201所在平面的夹角为i,25°≤i≤75°。
具体的,结合图4-图7所示,一种可行的实施方式,可以将挡墙20的至少一端做一个倾斜角度i,该角度i在25°~75°之间,第一隔断层22a和第二隔断层22b沿着第一方向x’延伸,如此设置,可以使第一隔断层22a沿X方向的侧刻量A值相对自由度变大,不会因为工艺上的小波动导致塌陷而不能实现第一隔断层22a上方的有机层30断开。
进一步地,参照图7所示,沿第一方向x’,第一隔断层22a的长度为A,根据几何关系,A满足:A=a/cosi,其中,a的取值范围为350nm~700nm。
具体的,参照图7所示,隔断结构22翘起设置,第一隔断层22a的长度为A可以大于等于a值,在保持同样的侧刻量的基础上,根据几何关系可知,相比于现有技术的图2中的结构,可以增大挡墙20空腔的高度C值,增大第一隔断层22a和第二隔断层22b之间的断差,这样更有利于实现第一隔断层22a上方的有机材料的断开,如图4-图6所示。
可选的,继续参照图7所示,沿显示面板200的厚度方向Z,空腔的高度为C,C的取值范围为相比于现有技术,本申请实施例提供的挡墙20结构大大提高了空腔结构的高度C,即第一隔断层22a和第二隔断层22b之间的断差越大,越容易其上方的有机层断开。
在实施例的基础上,继续参照图4所示,沿第一方向x’,第一隔断层22a的长度A小于第二隔断层22b的长度A0。
具体的,设置A<A0,在增大第一隔断层22a和第二隔断层22b之间的断差的同时,控制第一隔断层22a的长度A,避免第一隔断层22a过长导致塌陷,保证有机层30在第一隔断层22a上方断开。
图8是图3中沿EE’方向的另一种截面示意图;图9是图8中挡墙结构的放大示意图,结合图3、图8和图9所示,本申请实施例还提供了一种显示面板,该显示面板200中的第一隔断层22a包括相互相连的第一隔断结构a1和第二隔断结构a2,第二隔断层22b包括相互相连的第三隔断结构b1和第四隔断结构b2;第一隔断结构a1和第三隔断结构b1沿第一方向x’延伸,第二隔断结构a2和第四隔断结构b2沿第二方向X延伸;其中,第一方向X’与衬底201所在平面的夹角为i,25°≤i≤75°;第二方向X与衬底201所在的平面平行。
具体的,参照图8和图9所示,还可以将挡墙20的至少一端设计成“Z字型”结构,其中,图8和图9仅展示了采用第二金属层M2制备金属隔离柱的右端。如此设计,第一方面,可以使挡墙基体21金属的总厚度B小于第三金属层M3的厚度b,将总厚度B控制在左右。
第二方面,第一隔断结构a1沿图中X’方向的侧刻量的长度D值相对自由度会更大,不会因为工艺上的小波动导致塌陷而不能实现有机膜断开;其中,根具几何关系,D=(a-A′)/cosi,A′为第二隔断结构a2沿图中X方向的长度,a的取值范围为350nm~700nm,A′的取值范围为小于350nm。
其中,D>A′,避免第二隔断结构a2沿图中X方向的长度过长导致塌陷。
第三方面,在保持相同的侧刻量上,C值大于现有技术中图1的c值,这样更有利于上层有机材料的断开。
在上述实施例的基础上,还可以采用第二金属层M2制备金属挡墙结构,更有利于实现One Glass产品的Hole位置有机层断开和提升可靠性。
在上述实施例的基础上,继续参照图7和图9所示,沿显示面板200的厚度方向Z,第一隔断层22a的截面厚度为h1,第二隔断层22b的截面厚度为h2,h1<h2。
具体的,如此设置,在现有侧刻蚀工艺的基础上,可以加大第一隔断层22a的侧刻两,增大空腔的高度C值,提高上层有机材料断开的可能性。
可选的,h1和h2的取值范围为在该取值范围内,可以避免第一隔断层22a塌陷。
在上述实施例的基础上,结合图4-图8所示,隔断结构22位于挡墙基体21靠近元件设置区01的一侧。
在一些实施例中,图10是图3中沿EE’方向的另一种截面示意图;图11是图3中沿EE’方向的另一种截面示意图。参考图10和我图11所示,隔断结构22位于挡墙基体21靠近元件设置区01的一侧和挡墙基体21靠近显示区AA的一侧。
具体的,在挡墙基体21的两端均设置隔断结构22,有利于隔断结构22上方的有机层30二次断开,确保阻断水汽或者氧气沿着有机层30延伸至显示区AA。
基于同样的发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置。图12为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图,如图12所示,该显示装置包括上述实施方式提供的任一种显示面板。示例性的,如图12所示,该显示装置300包括显示面板200。因此,该显示装置也具有上述实施方式中的显示面板所具有的有益效果,相同之处可参照上文对显示面板的解释说明进行理解,下文不再赘述。
本发明实施例提供的显示装置300可以为图12所示的手机,也可以为任何具有显示功能的电子产品,包括但不限于以下类别:电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、工控设备、医用显示屏、触摸交互终端等,本发明实施例对此不作特殊限定。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (14)

1.一种显示面板,其特征在于,包括显示区和非显示区,所述显示区围绕至少部分所述非显示区;
所述非显示区包括元件设置区和挡墙设置区,所述挡墙设置区围绕至少部分所述元件设置区,所述挡墙设置区设置有挡墙;
所述显示面板还包括:
衬底,所述挡墙设置于所述衬底的一侧;所述挡墙包括挡墙基体和隔断结构,所述隔断结构位于所述挡墙基体的至少一侧;所述隔断结构包括第一隔断层和第二隔断层,所述第一隔断层和所述第二隔断层背离所述衬底翘起且所述第一隔断层和所述第二隔断层之间形成空腔;
有机层,所述有机层位于所述挡墙远离所述衬底的一侧,所述有机层在所述空腔处断开。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述衬底一侧的第一金属层和第二金属层;
所述第一金属层和所述第二金属层位于像素电路层,所述挡墙与所述第二金属层同层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一隔断层和所述第二隔断层的材料包括Ti,所述挡墙基体的材料包括Al。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一隔断层和所述第二隔断层沿第一方向延伸;
其中,所述第一方向与所述衬底所在平面的夹角为i,25°≤i≤75°。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,沿所述第一方向,所述第一隔断层的长度为A,满足:A=a(cosi)-1,其中,a的取值范围为350nm~700nm。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,沿所述第一方向,所述第一隔断层的长度小于所述第二隔断层的长度。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一隔断层包括相互相连的第一隔断结构和第二隔断结构,所述第二隔断层包括相互相连的第三隔断结构和第四隔断结构;所述第一隔断结构和所述第三隔断结构沿第一方向延伸,所述第二隔断结构和所述第四隔断结构沿第二方向延伸;
其中,所述第一方向与所述衬底所在平面的夹角为i,25°≤i≤75°;所述第二方向与所述衬底所在的平面平行。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第一隔断结构沿所述第一方向的长度为D,满足:
D=(a-A′)/cosi,D>A′;
其中,A′为所述第二隔断结构a2沿所述第二方向的长度,a的取值范围为350nm~700nm。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,沿所述显示面板的厚度方向,所述第一隔断层的截面厚度为h1,所述第二隔断层的截面厚度为h2,h1<h2。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,h1和h2的取值范围为
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,沿所述显示面板的厚度方向,所述空腔的高度为C,C的取值范围为
12.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,沿所述显示面板的厚度方向,所述挡墙基体的厚度为B,B的取值范围小于或者等于
13.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述隔断结构位于所述挡墙基体靠近所述元件设置区的一侧;
或者,所述隔断结构位于所述挡墙基体靠近所述元件设置区的一侧和所述挡墙基体靠近所述显示区的一侧。
14.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-13任一项所述的显示面板。
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