CN117978123A - 一种全晶体谐振器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种全晶体谐振器及其制造方法。所述全晶体谐振器包括晶体封装盖、谐振主体、晶体基座；其中谐振主体连接于所述晶体封装盖的一侧；晶体基座连接于所述谐振主体远离所述晶体封装盖的一侧，包括晶体基板、绝缘层及导电结构，所述绝缘层设置在所述晶体基板远离所述谐振主体的一侧，所述绝缘层具有贯穿的第一导通孔，所述第一导通孔中具有导电材料，所述导电结构设置在所述绝缘层上且经由所述第一导通孔、所述晶体基座与所述谐振主体电连接。相较于现有技术，本申请所示的全晶体谐振器采用全晶体的封装盖和基座，密封效果更好且谐振效果更加优异；设置具有缓冲作用的绝缘层，减缓外部产生的机械震荡或冲击性等的应力对谐振主体的影响。

Description

一种全晶体谐振器及其制造方法

技术领域

本申请涉及全晶体谐振器技术领域，尤其涉及一种全晶体谐振器及其制造方法。

背景技术

晶体谐振器就是指用石英材料做成的石英晶体谐振器,俗称晶振。这种石英晶体薄片受到外加交变电场的作用时会产生机械振动，当交变电场的频率与石英晶体的固有频率相同时，振动便变得很强烈，这就是晶体谐振特性的反应。利用这种特性，就可以用石英谐振器取代LC(线圈和电容)谐振回路、滤波器等。由于石英谐振器具有体积小、重量轻、可靠性高、频率稳定度高等优点，被应用于家用电器和通信设备中。石英谐振器因具有极高的频率稳定性，故主要用在要求频率十分稳定的振荡电路中作谐振元件。

由于在应力作用下晶体谐振器的特性会发生改变，这会影响晶体谐振器的性能，因此需要提高晶体谐振器抵抗应力的能力。目前市场上的晶体谐振器都是采用陶瓷基座结合金属封装形成，利用其形成的气密结构结合具有一定抵抗力的基座来保护具有压电效应的晶体谐振器，其抵抗应力依赖于陶瓷基座，且晶体谐振器的制造生产依赖于陶瓷基座，并利用柔软的导电银胶实现电路导通，并结合固体晶体来降低应力对晶体谐振器的影响，这导致晶体谐振器抵抗应力的能力较弱，且生产效率低下，导致生产成本较高。

发明内容

鉴于此，有必要提供一种低成本的可靠性较高的具有较高应力抵抗能力的全晶体谐振器及其制造方法。

第一方面，本申请实施例提供一种全晶体谐振器，其包括：

晶体封装盖；

谐振主体，连接于所述晶体封装盖的一侧；以及

晶体基座，连接于所述谐振主体远离所述晶体封装盖的一侧，包括晶体基板、绝缘层及导电结构，所述绝缘层设置在所述晶体基板远离所述谐振主体的一侧，所述绝缘层具有贯穿的第一导通孔，所述第一导通孔中具有导电材料，所述导电结构设置在所述绝缘层上且经由所述第一导通孔、所述晶体基座与所述谐振主体电连接。

进一步地，在一些实施例中，所述谐振主体包括具有容置空间的框体、位于所述容置空间且与所述框体连接的晶体支撑部以及设置在所述晶体支撑部上的导电层，所述框体的一侧与所述晶体封装盖密封连接，且所述晶体基板与所述框体远离所述晶体封装盖的一侧密封连接，使得所述晶体支撑部被密封于所述容置空间中，所述导电层经由所述晶体基座、所述第一导通孔与所述导电结构电连接。

进一步地，在一些实施例中，所述导电层包括设置在所述晶体支撑部和所述框体靠近所述晶体封装盖一侧表面的第一部分和设置在所述晶体支撑部和所述框体靠近所述晶体基座一侧表面的第二部分，所述框体具有第二导通孔，所述晶体基座具有两个第三导通孔，所述第二导通孔具有导电材料，所述第三导通孔具有导电材料，所述导电结构包括第一导电端和第二导电端，所述第一导通孔的数量包括两个，所述第一部分经由所述第二导通孔、一个所述第三导通孔及一个所述第一导通孔与所述第一导电端电连接，所述第二部分经由另一个所述第三导通孔、另一个所述第一导通孔与所述第二导电端电连接。

进一步地，在一些实施例中，所述晶体支撑部与所述框体之间具有间隙槽，所述间隙槽通过刻蚀工艺形成。

进一步地，在一些实施例中，所述晶体封装盖、所述框体、所述晶体支撑部、所述晶体基座均采用石英晶体。

进一步地，在一些实施例中，所述绝缘层通过半导体沉积工艺形成在所述晶体基板上，所述第一导通孔通过刻蚀工艺形成在所述绝缘层上，所述第一导通孔中的导电材料及所述导电结构通过半导体沉积及刻蚀工艺形成。

第二方面，本申请还提供一种全晶体谐振器的制造方法，包括以下步骤：

提供晶体封装盖母片，所述晶体封装盖母片具有多个第一区域，每个所述第一区域具有一个晶体封装盖，多个所述第一区域的所述晶体封装盖连接在一起；

制作谐振主体母片，所述谐振主体母片具有多个第二区域，每个所述第二区域具有一个谐振主体，多个所述第二区域的所述谐振主体连接在一起；

制作晶体基座母片，所述晶体基座母片具有多个第三区域，每个所述第三区域具有一个晶体基座，多个所述第三区域的所述晶体基座连接在一起，每个所述晶体基座包括晶体基板、绝缘层及导电结构，所述绝缘层具有贯穿的第一导通孔，所述第一导通孔中具有导电材料，所述导电结构设置在所述绝缘层上与所述第一导通孔的导电材料电连接；

将所述晶体封装盖母片、所述谐振主体母片及所述晶体基座母片依次密封连接在一起形成封装母片，且所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域一一对应，进而所述导电结构能够经由所述第一导通孔的导电材料、所述晶体基座与所述谐振主体电连接；以及

对所述封装母片进行切割获得多个全晶体谐振器，其中，每个全晶体谐振器包括一个所述晶体基座、一个所述谐振主体和一个所述晶体封装盖。

进一步地，在一些实施例中，所述制作谐振主体母片的步骤包括：提供第一晶片，对所述第一晶片进行处理使得每个谐振主体形成框体及晶体支撑部，所述框体具有容置空间，所述晶体支撑部位于所述容置空间且与所述框体连接，在所述框体及所述支撑部上形成导电层。

进一步地，在一些实施例中，所述制作晶体基座母片的步骤包括：提供第二晶片，在所述第二晶片上通过半导体沉积工艺形成所述绝缘层；在所述绝缘层上形成所述第一导通孔；在所述第一导通孔沉积导电材料以及在所述绝缘层上形成所述导电材料层；以及去除部分所述导电材料层形成所述导电结构。

进一步地，在一些实施例中，所述导电层包括设置在所述晶体支撑部和所述框体靠近所述晶体封装盖一侧表面的第一部分和设置在所述晶体支撑部和所述框体靠近所述晶体基座一侧表面的第二部分，所述框体具有第二导通孔，所述晶体基座具有两个第三导通孔，所述第二导通孔具有导电材料，所述第三导通孔具有导电材料，所述导电结构包括第一导电端和第二导电端，所述第一导通孔的数量包括两个，所述第一部分经由所述第二导通孔、一个所述第三导通孔及一个所述第一导通孔与所述第一导电端电连接，所述第二部分经由另一个所述第三导通孔、另一个所述第一导通孔与所述第二导电端电连接；所述晶体封装盖、所述框体、所述晶体支撑部、所述晶体基座均采用石英晶体。

本申请实施例提供的全晶体谐振器及其制造方法中，与现有技术相比，采用晶体封装盖及晶体基座，使得全晶体谐振器在封装密封时能够更好地结合在一起，使得密封效果更好，且效果更加优异；同时，在晶体基座中设置绝缘层于晶体基板和导电结构之间，使得在受到外界应力作用时，经过一层绝缘层将受到的应力减弱后传入晶体基板中，减弱后的应力在经过晶体基板后传入至谐振主体时被进一步减弱，从而对谐振主体形成保护，增强全晶体谐振器抵抗应力的能力，从而较好地保护全晶体谐振器的特性，防止器特性被改变；其次通过在谐振主体上设置框体及其中的支撑部，可以使得在应力抵达谐振主体时，能够进一步地削弱应力带来的影响，从而使得全晶体谐振器具有更好的抗机械振动/冲击性应力的特性；另外本申请所提供的全晶体谐振器制造方法，利用全晶体谐振器的片状结构的特性，使得在生产制造的时候可以单独加工每一层结构，而后依次密封形成封装母片，并统一进行切割，实现产品各部件的单独生产制造，相较于现有生产制造工艺，明显提升了生产效率，从而降低生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的全晶体谐振器的立体结构示意图。

图2是本申请实施例提供的全晶体谐振器的立体分解示意图。

图3是本申请实施例提供的全晶体谐振器的另一角度的立体分解示意图。

图4是图1所示全晶体谐振器的沿线IV-IV的剖面示意图。

图5是图1所示全晶体谐振器的沿线V-V的剖面示意图。

图6是本申请实施例提供的全晶体谐振器制造方法的流程图。

图7-13是本申请实施例提供的全晶体谐振器制造方法各步骤的结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“内”、“外”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体地实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参阅图1、图2和图3，图1是本申请实施例提供的全晶体谐振器100的立体结构示意图；图2是本申请实施例提供的全晶体谐振器100的立体分解示意图；图3是本申请实施例提供的全晶体谐振器100的另一角度的立体分解示意图。本申请实施例提供一种全晶体谐振器100，其包括晶体封装盖10、谐振主体20、晶体基座30；其中谐振主体20连接于所述晶体封装盖10的一侧；晶体基座30连接于所述谐振主体20远离所述晶体封装盖10的一侧，包括晶体基板31、绝缘层32及导电结构33，所述绝缘层32设置在所述晶体基板31远离所述谐振主体20的一侧，所述绝缘层32具有贯穿的第一导通孔321，所述第一导通孔321中具有导电材料，所述导电结构33设置在所述绝缘层32上且经由所述第一导通孔321、所述晶体基座30与所述谐振主体20电连接。

具体地，本实施例中，所述绝缘层32为树脂材料。可以理解，采用全晶体的封装盖和基座，产品在封装密封的时候可以很好地结合在一起，密封效果更好且谐振效果更加优异；采用树脂材料作为绝缘层32，利用树脂本身的特性，使得绝缘层32具有缓冲作用，减缓外部产生的机械震荡或冲击性等产生的应力对谐振主体20的影响，同时在连接和固定晶体基板31和导电结构33时十分方便，便于生产制造，另外，还可以隔绝导电结构33带来的热量等，从而可以降低全晶体谐振器100受到外部应力的影响发生特性改变的几率。

为了方便理解，结合图4和图5，图4是图1所示全晶体谐振器100的沿线IV-IV的剖面示意图；图5是图1所示全晶体谐振器100的沿线V-V的剖面示意图。本实施例中，所述谐振主体20包括具有容置空间211的框体21、位于所述容置空间211且与所述框体21连接的晶体支撑部22以及设置在所述晶体支撑部22上的导电层23，所述框体21的一侧与所述晶体封装盖10密封连接，且所述晶体基板31与所述框体21远离所述晶体封装盖10的一侧密封连接，使得所述晶体支撑部22被密封于所述容置空间211中，所述导电层23经由所述晶体基座30、所述第一导通孔321与所述导电结构33电连接。设置所述框体21和所述支撑部，不仅可以使得谐振主体20的特性更好地体现出来，还能进一步减缓外部应力对谐振主体20的作用，从而增加全晶体谐振器100的抗应力的能力，进一步保护全晶体谐振器100。

具体地，所述导电层23包括设置在所述晶体支撑部22和所述框体21靠近所述晶体封装盖10一侧表面的第一部分231和设置在所述晶体支撑部22和所述框体21靠近所述晶体基座30一侧表面的第二部分232，所述框体21具有第二导通孔212，所述晶体基座30具有两个第三导通孔34，所述第二导通孔212具有导电材料，所述第三导通孔34具有导电材料，所述导电结构33包括第一导电端331和第二导电端332，所述第一导通孔321的数量包括两个，所述第一部分231经由所述第二导通孔212、一个所述第三导通孔34及一个所述第一导通孔321与所述第一导电端331电连接，所述第二部分232经由另一个所述第三导通孔34、另一个所述第一导通孔321与所述第二导电端332电连接。在通孔中填充导电材料，使得导电的同时，还能增加全晶体谐振器100的密封性，保证了全晶体谐振器100的内部的严密封装，气密性更好。

继续参阅图2和图3，所述晶体支撑部22与所述框体21之间具有间隙槽，所述间隙槽通过刻蚀工艺形成。设置间隙，使得框体21对晶体支撑部22有进一步地保护。

具体地，所述晶体封装盖10、所述框体21、所述晶体支撑部22、所述晶体基座30均采用石英晶体。所述绝缘层32通过半导体沉积工艺形成在所述晶体基板31上，所述第一导通孔321通过刻蚀工艺形成在所述绝缘层32上，所述第一导通孔321中的导电材料及所述导电结构33通过半导体沉积及刻蚀工艺形成。

请参阅图6，图6是本申请实施例提供的全晶体谐振器100制造方法的流程图。本申请所述提供的全晶体谐振器100的三个部分均可单独生产制造，如图7所示，图7示出了全晶体谐振器100的制造方法中所采用的晶体封装盖母片1、谐振主体母片2和晶体基座母片3的示意图，其三种母片的尺寸大小保持一致。

本申请所提供全晶体谐振器100的制造方法，包括以下步骤：

S1，提供晶体封装盖母片1，所述晶体封装盖母片1具有多个第一区域1a，每个所述第一区域1a具有一个晶体封装盖10，多个所述第一区域1a的所述晶体封装盖10连接在一起；

其中，晶体封装盖母片1如图7所示，一并参阅图8，图8示出了在所述晶体封装盖母片1中设计出多组晶体封装盖10，使得在生产制造晶体封装盖10的时候能够大规模生产制造。

S2，制作谐振主体母片2，所述谐振主体母片2具有多个第二区域2a，每个所述第二区域2a具有一个谐振主体20，多个所述第二区域2a的所述谐振主体20连接在一起；

其中，谐振主体母片2如图7所示，一并参阅图9和图10，图9和图10分别示出了在所述谐振主体20母片上设计多组谐振主体20的两侧的示意图，多组谐振主体20设计在一个谐振主体母片2上，实现大规模的生产制造。当然，所述谐振主体母片2上的每组谐振主体20与晶体封装盖母片1上的每组晶体封装盖10的位置及尺寸一一对应，即每个第二区域2a与每个第一区域1a相对应。

具体地，在S2步骤中还包括：提供第一晶片，对所述第一晶片进行处理使得每个谐振主体20形成框体21及晶体支撑部22，所述框体21具有容置空间211，所述晶体支撑部22位于所述容置空间211且与所述框体21连接，在所述框体21及所述支撑部上形成导电层23。

S3，制作晶体基座母片3，所述晶体基座母片3具有多个第三区域3a，每个所述第三区域3a具有一个晶体基座30，多个所述第三区域3a的所述晶体基座30连接在一起，每个所述晶体基座30包括晶体基板31、绝缘层32及导电结构33，所述绝缘层32具有贯穿的第一导通孔321，所述第一导通孔321中具有导电材料，所述导电结构33设置在所述绝缘层32上与所述第一导通孔321的导电材料电连接；

其中，晶体基座30母片参考图7所示，一并参阅图11和图12，图11示出了在晶体基座母片3一侧设计的多组晶体基板31的示意图，并在晶体基座30母片的另一侧对应位置设计多组绝缘层32和导电结构33区域，可以理解，其晶体基板31及绝缘层32和导电结构33的数量和尺寸均与晶体封装盖10和谐振主体20的数量及尺寸一一对应。

具体地，S3步骤还包括：提供第二晶片，在所述第二晶片上通过半导体沉积工艺形成所述绝缘层32；在所述绝缘层32上形成所述第一导通孔321；在所述第一导通孔321沉积导电材料以及在所述绝缘层32上形成所述导电材料层；以及去除部分所述导电材料层形成所述导电结构33。

S4，如图13所示，将所述晶体封装盖母片1、所述谐振主体母片2及所述晶体基座母片3依次密封连接在一起形成封装母片4，且所述第一区域1a、所述第二区域2a和所述第三区域3a一一对应，进而所述导电结构33能够经由所述第一导通孔321的导电材料、所述晶体基座30与所述谐振主体20电连接。

S5，对所述封装母片4进行切割获得多个全晶体谐振器100，其中，每个全晶体谐振器100包括一个所述晶体基座30、一个所述谐振主体20和一个所述晶体封装盖10。

经上述工艺步骤生产所得的全晶体谐振器100的所述导电层23包括设置在所述晶体支撑部22和所述框体21靠近所述晶体封装盖10一侧表面的第一部分231和设置在所述晶体支撑部22和所述框体21靠近所述晶体基座30一侧表面的第二部分232，所述框体21具有第二导通孔212，所述晶体基座30具有两个第三导通孔34，所述第二导通孔212具有导电材料，所述第三导通孔34具有导电材料，所述导电结构33包括第一导电端331和第二导电端332，所述第一导通孔321的数量包括两个，所述第一部分231经由所述第二导通孔212、一个所述第三导通孔34及一个所述第一导通孔321与所述第一导电端331电连接，所述第二部分232经由另一个所述第三导通孔34、另一个所述第一导通孔321与所述第二导电端332电连接；所述晶体封装盖10、所述框体21、所述晶体支撑部22、所述晶体基座30均采用石英晶体。

本申请实施例提供的全晶体谐振器100及其制造方法中，与现有技术相比，采用晶体封装盖10及晶体基座30，使得全晶体谐振器100在封装密封时能够更好地结合在一起，使得密封效果更好，且效果更加优异；同时，在晶体基座30中设置绝缘层32于晶体基板31和导电结构33之间，使得在受到外界应力作用时，经过一层绝缘层32将受到的应力减弱后传入晶体基板31中，减弱后的应力在经过晶体基板31后传入至谐振主体20时被进一步减弱，从而对谐振主体20形成保护，增强全晶体谐振器100抵抗应力的能力，从而较好地保护全晶体谐振器100的特性，防止器特性被改变；其次通过在谐振主体20上设置框体21及其中的支撑部，可以使得在应力抵达谐振主体20时，能够进一步地削弱应力带来的影响，从而使得全晶体谐振器100具有更好的抗机械振动/冲击性应力的特性；另外本申请所提供的全晶体谐振器100制造方法，利用全晶体谐振器100的片状结构的特性，使得在生产制造的时候可以单独加工每一层结构，而后依次密封形成封装母片，并统一进行切割，实现产品各部件的单独生产制造，相较于现有生产制造工艺，明显提升了生产效率，从而降低生产成本。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种全晶体谐振器，其特征在于，所述全晶体谐振器包括：

晶体封装盖；

谐振主体，连接于所述晶体封装盖的一侧；以及

晶体基座，连接于所述谐振主体远离所述晶体封装盖的一侧，包括晶体基板、绝缘层及导电结构，所述绝缘层设置在所述晶体基板远离所述谐振主体的一侧，所述绝缘层具有贯穿的第一导通孔，所述第一导通孔中具有导电材料，所述导电结构设置在所述绝缘层上且经由所述第一导通孔、所述晶体基座与所述谐振主体电连接。

2.根据权利要求1所述的全晶体谐振器，其特征在于，所述谐振主体包括具有容置空间的框体、位于所述容置空间且与所述框体连接的晶体支撑部以及设置在所述晶体支撑部上的导电层，所述框体的一侧与所述晶体封装盖密封连接，且所述晶体基板与所述框体远离所述晶体封装盖的一侧密封连接，使得所述晶体支撑部被密封于所述容置空间中，所述导电层经由所述晶体基座、所述第一导通孔与所述导电结构电连接。

3.根据权利要求2所述的全晶体谐振器，其特征在于，所述导电层包括设置在所述晶体支撑部和所述框体靠近所述晶体封装盖一侧表面的第一部分和设置在所述晶体支撑部和所述框体靠近所述晶体基座一侧表面的第二部分，所述框体具有第二导通孔，所述晶体基座具有两个第三导通孔，所述第二导通孔具有导电材料，所述第三导通孔具有导电材料，所述导电结构包括第一导电端和第二导电端，所述第一导通孔的数量包括两个，所述第一部分经由所述第二导通孔、一个所述第三导通孔及一个所述第一导通孔与所述第一导电端电连接，所述第二部分经由另一个所述第三导通孔、另一个所述第一导通孔与所述第二导电端电连接。

4.根据权利要求2所述的全晶体谐振器，其特征在于，所述晶体支撑部与所述框体之间具有间隙槽，所述间隙槽通过刻蚀工艺形成。

5.根据权利要求2所述的全晶体谐振器，其特征在于，所述晶体封装盖、所述框体、所述晶体支撑部、所述晶体基座均采用石英晶体。

6.根据权利要求1所述的全晶体谐振器，其特征在于，所述绝缘层通过半导体沉积工艺形成在所述晶体基板上，所述第一导通孔通过刻蚀工艺形成在所述绝缘层上，所述第一导通孔中的导电材料及所述导电结构通过半导体沉积及刻蚀工艺形成。

7.一种全晶体谐振器的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：

提供晶体封装盖母片，所述晶体封装盖母片具有多个第一区域，每个所述第一区域具有一个晶体封装盖，多个所述第一区域的所述晶体封装盖连接在一起；

制作谐振主体母片，所述谐振主体母片具有多个第二区域，每个所述第二区域具有一个谐振主体，多个所述第二区域的所述谐振主体连接在一起；

制作晶体基座母片，所述晶体基座母片具有多个第三区域，每个所述第三区域具有一个晶体基座，多个所述第三区域的所述晶体基座连接在一起，每个所述晶体基座包括晶体基板、绝缘层及导电结构，所述绝缘层具有贯穿的第一导通孔，所述第一导通孔中具有导电材料，所述导电结构设置在所述绝缘层上与所述第一导通孔的导电材料电连接；

将所述晶体封装盖母片、所述谐振主体母片及所述晶体基座母片依次密封连接在一起形成封装母片，且所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域一一对应，进而所述导电结构能够经由所述第一导通孔的导电材料、所述晶体基座与所述谐振主体电连接；以及

对所述封装母片进行切割获得多个全晶体谐振器，其中，每个全晶体谐振器包括一个所述晶体基座、一个所述谐振主体和一个所述晶体封装盖。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述制作谐振主体母片的步骤包括：

提供第一晶片，对所述第一晶片进行处理使得每个谐振主体形成框体及晶体支撑部，所述框体具有容置空间，所述晶体支撑部位于所述容置空间且与所述框体连接，在所述框体及所述支撑部上形成导电层。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述制作晶体基座母片的步骤包括：

提供第二晶片，在所述第二晶片上通过半导体沉积工艺形成所述绝缘层；

在所述绝缘层上形成所述第一导通孔；

在所述第一导通孔沉积导电材料以及在所述绝缘层上形成所述导电材料层；以及

去除部分所述导电材料层形成所述导电结构。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述导电层包括设置在所述晶体支撑部和所述框体靠近所述晶体封装盖一侧表面的第一部分和设置在所述晶体支撑部和所述框体靠近所述晶体基座一侧表面的第二部分，所述框体具有第二导通孔，所述晶体基座具有两个第三导通孔，所述第二导通孔具有导电材料，所述第三导通孔具有导电材料，所述导电结构包括第一导电端和第二导电端，所述第一导通孔的数量包括两个，所述第一部分经由所述第二导通孔、一个所述第三导通孔及一个所述第一导通孔与所述第一导电端电连接，所述第二部分经由另一个所述第三导通孔、另一个所述第一导通孔与所述第二导电端电连接；所述晶体封装盖、所述框体、所述晶体支撑部、所述晶体基座均采用石英晶体。