CN117976655A - 电致发光测试结构、测试分拣方法及芯片转移方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种电致发光测试结构、测试分选方法及芯片转移方法。电致发光测试结构包括：衬底；芯片阵列，位于衬底的表面，包括多个呈多行多列间隔排布的芯片；各芯片远离衬底的表面均设有间隔排布的第一电极和第二电极；第一测试线，位于芯片阵列的一侧，与芯片阵列具有间距；第二测试线，芯片阵列远离所述第一测试线的一侧，与芯片阵列具有间距；第一连接导线，将各行芯片的第一电极均与第一测试线相连接；第二连接导线，将各行芯片的第二电极均与第二测试线相连接。上述的电致发光测试结构，在进行电致发光测试时，探针不用接触芯片，只需要接触测试线，就可以通过测试线对芯片进行电致发光检测，从而检测芯片的质量。

Description

电致发光测试结构、测试分拣方法及芯片转移方法

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，尤其涉及一种电致发光测试结构、测试分拣方法及芯片转移方法。

背景技术

Micro LED是新兴的显示技术，相对比常规的显示技术，以Micro LED技术为核心的显示具有响应速度快，自主发光、对比度高、使用寿命长、光电效率高等特点。Micro LED芯片的质量对于显示模块的组成非常重要，目前一般采用对Micro LED芯片进行EL(Electroluminescent，电致发光)检测，来检测Micro LED芯片的质量。

然而，由于Micro LED芯片过于微小，目前可以使用的接触式电致发光检测方法的探针都无法无损伤的接触Micro LED芯片的pad(焊盘)，因此，目前没有办法对Micro LED芯片进行电致发光检测。

因而，如何对Micro LED芯片进行电致发光检测是丞需解决的问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种对Micro LED芯片检测的电致发光测试结构和方法，旨在解决由于Micro LED芯片过于微小，无法对Micro LED芯片进行电致发光检测的问题。

第一方面，本申请提供一种电致发光测试结构，包括：

衬底；

芯片阵列，位于所述衬底的表面，包括多个呈多行多列间隔排布的芯片；各所述芯片远离所述衬底的表面均设有间隔排布的第一电极和第二电极；

第一测试线，位于所述芯片阵列的一侧，与所述芯片阵列具有间距；

第二测试线，位于所述芯片阵列远离所述第一测试线的一侧，与所述芯片阵列具有间距；

第一连接导线，将各行所述芯片的第一电极均与所述第一测试线相连接；

第二连接导线，将各行所述芯片的第二电极均与所述第二测试线相连接。

在其中的一个实施例中，所述第一连接导线的数量为多条，每条所述第一连接导线将位于同一行的所述芯片的第一电极均与所述第一测试线相连接；

所述第二连接导线的数量为多条，每条所述第二连接导线将位于同一行的所述芯片的第二电极均与所述第二测试线相连接。

在其中的一个实施例中，上述的电致发光测试结构，所述芯片包括氮化镓层，所述氮化镓层与所述衬底的表面相接触。

在其中的一个实施例中，所述第一连接导线的宽度大于所述芯片的第一电极宽度的2/5。

在其中的一个实施例中，所述第二连接导线的宽度大于所述芯片的第二电极宽度的2/5。

上述的电致发光测试结构包括：衬底，芯片阵列，第一测试线，第二测试线，第一连接导线，第二连接导线，在进行电致发光测试时，探针不用接触芯片，只需要接触测试线，就可以通过测试线对芯片进行电致发光检测，从而检测芯片的质量。通过设定第一连接导线的宽度与芯片的第一电极宽度及第二连接导线的宽度与芯片的第二电极宽度的关系，可以将第一连接导线和第二连接导线设定为合适的宽度，从而降低芯片侧面漏光，增强芯片的出光效率。

第二方面，基于同样的发明构思，本申请提供了一种电致发光测试分拣方法，其特征在于，包括：

提供上述第一方面中任一项所述的电致发光测试结构；

构建测试模型，所述测试模型包括目标数据；

对所述电致发光测试结构进行检测，以得到检测数据；

将所述检测数据导入所述测试模型中与所述目标数据进行比对；

基于比对结果分拣并去除失效的芯片。

上述的电致发光测试方法，通过用多条导线将所有芯片的第一电极连接到第一测试导线，用多条导线将所有芯片的第二电极连接到第二测试导线，在进行电致发光测试时，探针不用直接接触芯片，只需接触测试导线，就可检测芯片的质量。并对芯片进行发光测试，将对芯片进行发光测试得到的数据与输入测试模型进行比对，从而根据比对结果对芯片进行分选。

第三方面，本申请提供了一种芯片转移方法，该芯片转移方法包括：

提供如第二方面所述的电致发光测试分拣方法测试分拣后的对所述所述电致发光测试结构；

提供承载基板；

将测试分拣后的所述电致发光测试结构中保留的所有所述芯片转移至所述承载基板的表面。

在其中的一个实施例中，上述的芯片转移方法，还包括，测试分拣后的所述电致发光测试结构中保留的所有所述芯片均包括氮化镓层，所述氮化镓层与所述衬底的表面相接触；所述第一连接导线和所述第二连接导线均保留在所述芯片上；

将测试分拣后的所述电致发光测试结构中保留的所有所述芯片转移至所述承载基板的表面，包括：

采用选择性激光剥离工艺对所述芯片进行选择性悬空转移至所述承载基板；其中，在所述选择性悬空转移过程中，所述氮化镓层在激光的作用下分解为镓和氮气，以利用所述氮气将所述第一连接导线和所述第二连接导线冲断，使得所述芯片在脱离时对所述芯片的下冲进行缓冲。

在其中的一个实施例中，所述采用选择性激光剥离工艺对所述芯片进行选择性悬空转移至所述承载基板，包括：利用激光照射所述芯片与衬底接触面，以使得所述芯片的氮化镓层在激光的作用下分解为镓和氮气；利用所述氮气冲断所述第一连接导线和所述第二连接导线，以使得所述芯片与所述衬底分离，以转移至所述承载基板。

在其中的一个实施例中，在电致发光测试分拣过程中，所述电致发光测试结构中的失效芯片被完全去除；将测试分拣后的所述电致发光测试结构中保留的所有所述芯片转移至所述承载基板的表面之后，所述承载基板上存在与所述失效芯片对应的缺失区域；将测试分拣后的所述电致发光测试结构中保留的所有所述芯片转移至所述承载基板的表面之后，还包括：

提供第一方面的实施例中任一项所述的电致发光测试分拣方法测试分拣后的另一所述电致发光测试结构；

采用激光剥离工艺将测试分拣后的另一所述电致发光测试结构中保留的芯片选择性悬空转移至所述缺失区域的表面。

上述的芯片转移方法，在芯片转移的过程中，芯片本身在激光的照射下释放的气体冲击力较大，第一连接导线及第二连接导线在被气体冲断的过程中，会对分离的芯片的下冲起到缓冲作用，从而避免芯片转移过程中芯片对承载基板造成过大冲击，导致芯片大幅度的倾斜甚至断裂破损等问题的发生。在将芯片转移到承接基板后，对承载基板上的缺失区域进行修复，形成新的芯片，可以保证承接基板上覆盖上所有的芯片，对于后续的显示模块制备具有重要意义。

附图说明

图1为本发明一实施例中提供的电致发光测试结构的俯视结构示意图；

图2为沿图1中AA方向的截面结构示意图；

图3为另一实施例中提供的电致发光测试分拣方法的流程图；

图4为又一实施例中提供的芯片转移方法的流程图；

图5为芯片转移方法中芯片自衬底上掉落至承载基板上的截面结构示意图。

附图标记说明：10-衬底，11-芯片阵列，111-芯片，112-第一电极，113-第二电极，12-第一测试线，13-第二测试线，14-第一连接导线，15-第二连接导线，20-承载基板。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白，当术语“组成”和/或“包括”在该说明书中使用时，可以确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。同时，在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

Micro LED是新兴的显示技术，相对比常规的显示技术，以Micro LED技术为核心的显示具有响应速度快，自主发光、对比度高、使用寿命长、光电效率高等特点。Micro LED芯片的质量对于显示模块的组成非常重要，目前一般采用对Micro LED芯片进行EL(Electroluminescent，电致发光)检测，来检测Micro LED芯片的质量。

然而，由于Micro LED芯片过于微小，目前可以使用的接触式电致发光检测方法的探针都无法无损伤的接触Micro LED芯片的pad(焊盘)，因此，目前没有办法对Micro LED芯片进行电致发光检测。

因而，如何对Micro LED芯片进行电致发光检测是丞需解决的问题。

请参阅图1及图2，本发明提供一种电致发光测试结构，电致发光测试结构包括：衬底10；芯片阵列11，芯片阵列11位于衬底10的表面，芯片阵列11包括多个呈多行多列间隔排布的芯片111；各芯片111远离衬底10的表面均设有间隔排布的第一电极112和第二电极113；第一测试线12，第一测试线12位于芯片阵列11的一侧，与芯片阵列11具有间距；第二测试线13，第二测试线13位于芯片阵列11远离第一测试线12的一侧，与芯片阵列11具有间距；第一连接导线14，第一连接导线14将各行芯片111的第一电极112均与第一测试线12相连接；第二连接导线15，第二连接导线15将各行芯片111的第二电极113均与第二测试线13相连接。

上述的电致发光测试结构包括：衬底10、芯片阵列11、第一测试线12、第二测试线13、第一连接导线14及第二连接导线15，在进行电致发光测试时，探针不用接触芯片111，只需要接触测试线，就可以通过测试线对芯片111进行电致发光检测，从而检测芯片111的质量。

作为示例，衬底10可以包括但不仅限于硅衬底、氮化镓衬底、蓝宝石衬底或碳化硅衬底等等，本实施例中，衬底10可以为蓝宝石衬底，具体的，衬底10可以为蓝宝石晶圆。

具体的，衬底10的大小可以根据芯片111的数量和芯片阵列11的大小来确定，衬底10的厚度也可以根据实际需要进行确定，这里不作过多限制。

作为示例，芯片阵列11中包括多个呈多行多列排布的芯片111。需要说明的是，芯片阵列11中的所有芯片111可以均为电致发光测试结果合格的合格芯片，芯片阵列11中也可以为部分芯片111为电致发光测试结果合格的合格芯片，另一部分为电致发光测试结构不合格的失效的芯片。

作为示例，芯片可以包括但不仅限于Micro LED芯片。

作为示例，芯片111的形状可以为矩形，第一电极112的宽度及第二电极113的宽度均可以为15μm～30μm，具体的，第一电极112的宽度及第二电极113的宽度可以为15μm、20μm、25μm或30μm等等。当然，在其他示例中，第一电极112的宽度及第二电极113的宽度可以根据实际需要设置为其他尺寸。

作为示例，第一电极112和第二电极113可以均为金属电极，具体可以为金电极、铜电极、铝电极或镍电极等等，本实施例中，第一电极112和第二电极113可以均为金电极。

作为示例，第一电极112可以为P电极，第二电极113可以为N电极。

作为示例，第一测试线12及第二测试线13可以均为金属线，具体可以为金线、铜线、铝线或镍线等等，本实施例中，第一测试线12及第二测试线13可以均为金线。

具体的，为了确保测试过程中探针可以比较轻易接触到测试线，第一测试线12的宽度及第二测试线13的宽度不宜太小，本实施例中，第一测试线12的宽度可以大于第一连接导线14的宽度，第二测试线13的宽度可以大于第二连接导线15的宽度。

作为示例，第一连接导线14及第二连接导线15均可以为金属导线，具体可以为金导线、铜导线、铝导线或镍导线等等，本实施例中，第一连接导线14及第二连接导线15均可以为金导线。

作为示例，第一连接导线14的数量为多条，每条第一连接导线14将位于同一行的芯片111的第一电极112均与第一测试线12相连接；第二连接导线15的数量为多条，每条第二连接导线15将位于同一行的芯片111的第二电极113均与第二测试线13相连接。

作为示例，第一连接导线14的宽度大于第一电极112宽度的2/5，第二连接导线15的宽度大于第二电极113宽度的2/5。以第一电极112的宽度及第二电极113的宽度均可以为15μm～30μm作为示例，此时第一连接导线14的宽度可以大于6～12μm，第二连接导线15的宽度可以大于6～12μm。当然，为了保证第一连接导线14与第一电极112连接的稳定性及第二连接导线15与第二电极113连接的稳定性，也可以根据实际需要第一连接导线14的宽度及第二连接导线15的宽度做的更宽，这样也可以降低芯片111的侧面漏光问题。

通过设定第一连接导线14的宽度与第一电极112宽度及第二连接导线15的宽度与第二电极113宽度的关系，可以将第一连接导线14和第二连接导线15设定为合适的宽度，从而降低芯片111侧面漏光，增强芯片111的出光效率。

作为示例，上述的电致发光结构中的芯片包括氮化镓层，氮化镓层与衬底的表面相接触。

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，常用在发光二极管中。氮化镓结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光(405nm)激光。

请结合图1及图2参阅图3，本发明还提出了一种电致发光测试分拣方法，包括如下步骤：

S10：提供电致发光测试结构；

S11：构建测试模型，测试模型包括目标数据；

S12：对电致发光测试结构进行检测，以得到检测数据；

S13：将检测数据导入测试模型中与目标数据进行比对；

S14：基于比对结果分拣并去除失效的芯片。

在步骤S10中，请结合图1及图2参阅图3中的S10步骤，提供电致发光测试结构。

电致发光测试结构的具体结构请参阅图1、图2及相关文字描述，此处不再累述。

作为示例，在步骤S10与步骤S11之间，还可以包括如下步骤：

对电致发光测试结构进行背光断线检测；

若存在异常点，对异常点进行修复。

具体的，衬底10的材料及芯片111的材料均为透光材料；第一电极112的材料、第二电极113的材料、第一测试线12的材料、第二测试线13的材料、第一连接导线14的材料及第二连接导线15的材料均为不透光材料。可以利用金属的不透光性进行背光断线检测，完成背光断线检测后也需要进行相关处理，对于造成短路的线路，需要断掉其线路(此处可以用激光直接作用于芯片111形成有第一电极112及第二电极113的面，也可以在衬底10的背面用Laser Lift Off预先将该坐标的芯片111去除)；对于断掉的线路，可以使用电流体(EHD)修补法点银浆将线路修补。

电流体点银修补法是把导电流体银浆滴在需要修补的电路上，通过银奖起到将电路导通的作用。银浆系由高纯度的金属银的微粒、粘合剂、溶剂、助剂所组成的一种机械混和物的粘稠状的浆料。金属银的微粒是导电银浆的主要成份，薄膜开关的导电特性主要是靠它来体现。金属银在浆料中的含量直接与导电性能有关。从某种意义上讲，银的含量高，对提高它的导电性是有益的，但当它的含量超过临界体积浓度时，其导电性并不能提高。一般含银量在80～90％(重量比)时，导电量已达最高值，当含量继续增加，电性不再提高，电阻值呈上升趋势；当含量低于60％时，电阻的变化不稳定。在具体应用中，银浆中银微粒含量既要考虑到稳定的阻值，还要受固化特性、粘接强度、经济性等因素制约，如银微粒含量过高，被连结树脂所裹覆的几率低，固化成膜后银导体的粘接力下降，有银粒脱落的危险。故此，银浆中的银的含量一般在60～70％是适宜的。

在步骤S11中，请参阅图3中的S11步骤，构建测试模型，测试模型包括目标数据。

作为示例，目标数据可以包括多个维度的目标亮度及多个维度的目标色度。

作为示例，步骤S11中，构建测试模型可以包括：对已转移至背板的芯片进行电致发光测试，以得到目标数据，并基于目标数据建立测试模型。

需要说明的是，在对芯片进行检测之前，可以先对已转移至背板的合格芯片进行电致发光检测，由于考虑到芯片在激光转移过程中会出现倾斜的问题，在对合格芯片进行电致发光检测时需要做5个方向的亮度与色度检测，相机倾斜角以合格芯片转移过程中达到的最大倾斜角为参考。可以对每颗合格芯片收集10个维度(5个方向各自的亮度与色度)，分选时使用机器学习的方法对10个特征进行学习，以已经完成巨量转移到背板上的合格芯片进行电致发光检测后得到的亮度和色度数据所分Bin的结果作为参考，对10个维度的特征建立神经网络模型，具体的模型层数与神经元涉及需要根据数据集情况进行调整。在一个示例中，输入层10个特征；中间层3层隐藏层的神经元数量分别为30、30和5；输出层为2(分别为Main Bin与Side Bin，Defect定义为检测中不亮的失效的芯片，需要提前排除)。模型训练完成后即得到测试模型。

在步骤S12中，请结合图1及图2参阅图3中的S12步骤，对电致发光测试结构进行检测，以得到检测数据。

作为示例，检测数据可以包括多个维度的测试亮度及多个维度的测试色度。

具体的，可以在对芯片111进行检测得到检测数据的过程中，考虑到芯片111在激光转移过程中会出现倾斜的问题，因此在对芯片111做电致发光检测时可以对芯片做5个方向的亮度与色度检测，相机倾斜角以芯片111转移过程中达到的最大倾斜角为参考，5个方向的亮度和色度加一起一共10个维度的数据。

作为示例，在检测过程中，可以将探针置于第一测试线12及第二测试线13处，探针与第一测试线12及第二测试线13相接触后，即可借助测试设备对芯片111进行电致发光检测。

在步骤S13中，请参阅图3中的S13步骤，将检测数据导入测试模型中与目标数据进行比对。

具体的，可以通过检测系统与测试模型相连接，以便于将检测数据及时导入测试模型中与目标数据进行比对。

在步骤S14中，请参阅图4中的S14步骤，基于比对结果分拣并去除失效的芯片。

如果电致发光测试结构中的芯片阵列11中有不发光的失效的芯片，通过比对可以及时发现不发光的失效的芯片，并将失效的芯片分拣出来。

上述实施例提供的对芯片进行电致发光检测的方法，包括：提供上述实施例中任一项所述的电致发光测试结构；构建测试模型，测试模型包括目标数据；对电致发光测试结构进行检测，以得到检测数据；将检测数据导入测试模型中与目标数据进行比对；基于比对结果分拣并去除失效的芯片。通过电致发光测试结构对芯片111进行电致发光检测得到检测数据，并且将检测数据与从已经检测合格的芯片中得到的目标数据进行对比，对芯片111进行筛选，使用上述的电致发光检测的方法可以准确的对芯片111进行筛选，及时筛选出不合格的失效的芯片，为后续芯片的转移做好准备。

请结合图1至图3参阅图4及图5，本发明还提供一种芯片转移方法，芯片转移方法包括如下步骤：

S20：提供电致发光测试分拣方法测试分拣后的电致发光测试结构；

S21：提供承载基板20；

S22：将测试分拣后的电致发光测试结构中保留的所有芯片111转移至承载基板20的表面。

在步骤S20中，请结合图1至图3参阅图4中的S20步骤，采用电致发光测试分拣方法对电致发光测试结构进行测试分拣。

具体的，可以采用如图3的电致发光测试分拣方法对电致发光测试结构进行测试分拣，具体对电致发光测试结构进行测试分拣的方法请参阅图3及相关文字描述，此处不再进行累述。

在步骤S21中，请结合图1至图3参阅图4中的S21步骤及图5，提供承载基板20。

作为示例，承载基板20可以包括暂态基板，也可以包括PCB板(印刷电路板)、背板等等。

作为示例，暂态基板可以包括硅基板、蓝宝石基板、氮化镓基板、碳化硅基板或玻璃基板等等。

作为示例，承载基板20的厚度可以根据实际情况设计，一般可以为10μm～50μm，这里不做具体限制。承载基板20的尺寸大小也与要转移的芯片的数量有关，芯片数量越多，承载基板20的面积越大，芯片数量越小，承载基板的面积越小，承载基板20的尺寸大小可以根据实际需要进行设定，此处不做限定。

在步骤S22中，请结合图1至图3参阅图4中的S22步骤及图5，将测试分拣后的电致发光测试结构中保留的所有芯片111转移至承载基板20的表面。

作为示例，测试分拣后的电致发光测试结构中保留的所有芯片均包括氮化镓层，氮化镓层与衬底的表面相接触；所述第一连接导线和所述第二连接导线均保留在所述芯片上；将测试分拣后的电致发光测试结构中保留的所有芯片转移至承载基板的表面，包括：

采用选择性激光剥离工艺对所述芯片进行选择性悬空转移至所述承载基板；其中，在所述选择性悬空转移过程中，所述氮化镓层在激光的作用下分解为镓和氮气，以利用所述氮气将所述第一连接导线和所述第二连接导线冲断，使得所述芯片在脱离时对所述芯片的下冲进行缓冲。

作为示例，可以采用Selective Laser Lift Off(选择性激光剥离工艺)将测试分拣后的电致发光测试结构中保留的所有芯片111分别采用悬空转移的方式转移至承载基板20的表面。

可选地，所述采用选择性激光剥离工艺对所述芯片进行选择性悬空转移至所述承载基板，包括：利用激光照射所述芯片与衬底接触面，以使得所述芯片的氮化镓层在激光的作用下分解为镓和氮气；利用所述氮气冲断所述第一连接导线和所述第二连接导线，以使得所述芯片与所述衬底分离，以缓慢转移至所述承载基板。

具体的，芯片111包括氮化镓(GaN)层，在激光的作用下，氮化镓层会分解产生氮气与镓，并使得芯片111与衬底10分离；在芯片111转移至承载基板20的表面的过程中，氮气会对芯片111产生较大的冲击力，第一连接导线14及第二连接导线15在被氮气冲断的过程中，会在发生断裂的同时对分离的芯片111的下冲起进行缓冲，从而避免芯片转移过程中芯片111对承载基板20造成过大冲击，导致芯片111大幅度的倾斜甚至断裂破损等问题的发生。

作为示例，电致发光测试分拣过程中，电致发光测试结构中的失效芯片被完全去除；将测试分拣后的电致发光测试结构中保留的所有芯片111转移至承载基板20的表面之后，承载基板20上存在与失效芯片对应的缺失区域(未)；将测试分拣后的所述电致发光测试结构中保留的所有芯片111转移至承载基板20的表面之后，还包括：

提供电致发光测试分拣方法，测试分拣后的另一所述电致发光测试结构；

采用激光剥离工艺将测试分拣后的另一所述电致发光测试结构中保留的芯片选择性悬空转移至所述缺失区域的表面。

应该理解的是，虽然如上的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

以上实施例仅表达了本公开的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本公开的保护范围。因此，本公开专利的保护范围应以所附权利要求为准。

应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种电致发光测试结构，其特征在于，包括：

衬底；

芯片阵列，位于所述衬底的表面，包括多个呈多行多列间隔排布的芯片；各所述芯片远离所述衬底的表面均设有间隔排布的第一电极和第二电极；

第一测试线，位于所述芯片阵列的一侧，与所述芯片阵列具有间距；

第二测试线，位于所述芯片阵列远离所述第一测试线的一侧，与所述芯片阵列具有间距；

第一连接导线，将各行所述芯片的第一电极均与所述第一测试线相连接；

第二连接导线，将各行所述芯片的第二电极均与所述第二测试线相连接。

2.根据权利要求1所述的电致发光测试结构，其特征在于，

所述第一连接导线的数量为多条，每条所述第一连接导线将位于同一行的所述芯片的第一电极均与所述第一测试线相连接；

所述第二连接导线的数量为多条，每条所述第二连接导线将位于同一行的所述芯片的第二电极均与所述第二测试线相连接。

3.根据权利要求1所述的电致发光测试结构，其特征在于，所述芯片包括氮化镓层，所述氮化镓层与所述衬底的表面相接触。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电致发光测试结构，其特征在于，所述第一连接导线的宽度大于所述芯片的第一电极宽度的2/5。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的电致发光测试结构，其特征在于，所述第二连接导线的宽度大于所述芯片的第二电极宽度的2/5。

6.一种电致发光测试分拣方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1至5中任一项所述的电致发光测试结构；

构建测试模型，所述测试模型包括目标数据；

对所述电致发光测试结构进行检测，以得到检测数据；

将所述检测数据导入所述测试模型中与所述目标数据进行比对；

基于比对结果分拣并去除失效的芯片。

7.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求6所述的电致发光测试分拣方法测试分拣后的所述电致发光测试结构；

提供承载基板；

将测试分拣后的所述电致发光测试结构中保留的所有所述芯片转移至所述承载基板的表面。

8.根据权利要求7所述的芯片转移方法，其特征在于，测试分拣后的所述电致发光测试结构中保留的所有所述芯片均包括氮化镓层，所述氮化镓层与所述衬底的表面相接触；所述第一连接导线和所述第二连接导线均保留在所述芯片上；

将测试分拣后的所述电致发光测试结构中保留的所有所述芯片转移至所述承载基板的表面，包括：

采用选择性激光剥离工艺对所述芯片进行选择性悬空转移至所述承载基板；

其中，在所述选择性悬空转移过程中，所述氮化镓层在激光的作用下分解为镓和氮气，以利用所述氮气将所述第一连接导线和所述第二连接导线冲断，使得所述芯片在脱离时对所述芯片的下冲进行缓冲。

9.根据权利要求8所述的芯片转移方法，其特征在于，所述采用选择性激光剥离工艺对所述芯片进行选择性悬空转移至所述承载基板，包括：

利用激光照射所述芯片与衬底接触面，以使得所述芯片的氮化镓层在激光的作用下分解为镓和氮气；

利用所述氮气冲断所述第一连接导线和所述第二连接导线，以使得所述芯片与所述衬底分离，以转移至所述承载基板。

10.根据权利要求8或9所述的芯片转移方法，其特征在于，电致发光测试分拣过程中，所述电致发光测试结构中的失效芯片被完全去除；将测试分拣后的所述电致发光测试结构中保留的所有所述芯片转移至所述承载基板的表面之后，所述承载基板上存在与所述失效芯片对应的缺失区域；将测试分拣后的所述电致发光测试结构中保留的所有所述芯片转移至所述承载基板的表面之后，还包括：

提供如权利要求6所述的电致发光测试分拣方法测试分拣后的另一所述电致发光测试结构；

采用激光剥离工艺将测试分拣后的另一所述电致发光测试结构中保留的芯片选择性悬空转移至所述缺失区域的表面。