CN117968840B - 一种光探测器及芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种光探测器及芯片，包括光电转换单元、第一模斑转换单元和第二模斑转换单元；光电转换单元包括平板波导和吸收区；第一模斑转换单元和第二模斑转换单元均包括接触连接的耦合波导和多模干涉结构；多模干涉结构远离耦合波导的一端与平板波导接触连接；吸收区在长度方向上的延长线落于多模干涉结构的部分表面，且不落于耦合波导的表面。利用多模干涉结构的自映像原理使得入射光和出射光不在同一直线上，因此反射光和透射光只有部分进入耦合波导，从而降低了光的反射和透射；通过改变多模干涉结构的尺寸能够选出最大的耦合效率，保证了光探测器的响应度，解决了如何在保证响应度的同时，降低光探测器中光的反射和透射的问题。
Description
技术领域
本发明涉及光学器件技术领域，特别涉及一种光探测器及芯片。
背景技术
作为一类可将所检测到的光转换成电信号的半导体器件，光探测器在许多领域具有重要的应用，如图像传感、数据通信、远程控制、环境监测等。随着集成技术的发展，硅基光子技术兼容CMOS工艺，具备工艺成熟和高集成度的优势，能满足光电子器件的集成化、低成本的需求，其中，硅基锗光电探测器是实现光电转换的核心器件。
光探测器的响应度是决定该光探测器性能的一个重要指标。当前，通常采用单模波导耦合、类拉锥波导型侧向耦合、多模干涉器耦合等形式来保证光探测器的响应度符合需求。
然而，现有的耦合方式，无法降低光耦合进入光探测器时的反射，且部分未转化为光电流的光会透射回光探测器结构中，这在一定程度上会影响光探测器的耦合效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光探测器及芯片，以解决如何在保证响应度的同时，降低光探测器中光的反射和透射的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种光探测器，包括光电转换单元、第一模斑转换单元和第二模斑转换单元；所述光电转换单元包括自下而上依次堆叠设置的平板波导和吸收区，且所述吸收区覆盖所述平板波导的部分表面；所述第一模斑转换单元和所述第二模斑转换单元分位于所述光电转换单元长度方向的两端，所述第一模斑转换单元和所述第二模斑转换单元均包括接触连接的耦合波导和多模干涉结构；所述多模干涉结构远离所述耦合波导的一端与所述平板波导接触连接；所述吸收区在长度方向上的延长线落于所述多模干涉结构的部分表面，且不落于所述耦合波导的表面。
可选的，在所述的光探测器中，所述吸收区的长度小于等于所述平板波导的长度，且在宽度方向上和长度方向上均位于所述平板波导的中间。
可选的，在所述的光探测器中，所述第一模斑转换单元和所述第二模斑转换单元以所述吸收区的中心为中心镜像对称设置。
可选的，在所述的光探测器中，所述第一模斑转换单元和所述第二模斑转换单元位于所述吸收区长度方向的同侧，且以所述平板波导宽度方向上的中心线为对称轴对称设置。
可选的，在所述的光探测器中，所述耦合波导的长度方向的中心线相对于所述多模干涉结构的长度方向的中心线的偏移量小于所述多模干涉结构的宽度的一半。
可选的，在所述的光探测器中，所述光探测器还包括衬底、下包层和上包层；所述下包层位于所述衬底表面；所述光电转换单元、所述第一模斑转换单元和所述第二模斑转换单元均位于所述下包层表面；所述上包层覆盖所述光电转换单元、所述第一模斑转换单元和所述第二模斑转换单元。
可选的，在所述的光探测器中，所述第一模斑转换单元、所述第二模斑转换单元和所述平板波导的厚度均为200nm~250nm。
可选的，在所述的光探测器中，所述多模干涉结构的长度为15~200μm，宽度为1~8μm。
可选的，在所述的光探测器中，所述吸收区的长度为5~80μm，所述平板波导的长度为5~80μm；所述吸收区的长度与所述平板波导的长度的差值不大于2μm。
可选的，在所述的光探测器中，所述吸收区部分嵌入所述平板波导，所述吸收区嵌入所述平板波导的深度小于150nm。
为解决上述技术问题，本发明还提供一种芯片，包括如上任一项所述的光探测器。
本发明提供的光探测器及芯片，包括光电转换单元、第一模斑转换单元和第二模斑转换单元；所述光电转换单元包括自下而上依次堆叠设置的平板波导和吸收区，且所述吸收区覆盖所述平板波导的部分表面；所述第一模斑转换单元和所述第二模斑转换单元分位于所述光电转换单元长度方向的两端，所述第一模斑转换单元和所述第二模斑转换单元均包括接触连接的耦合波导和多模干涉结构；所述多模干涉结构远离所述耦合波导的一端与所述平板波导接触连接；所述吸收区在长度方向上的延长线落于所述多模干涉结构的部分表面，且不落于所述耦合波导的表面。由于位于多模干涉结构两端的耦合波导和吸收区在长度方向上相错开，而多模干涉结构的自映像原理使得入射光和出射光不在同一直线上，因此从光电转换单元反射回的光和透射的光只有部分能进入耦合波导，从而降低了光的反射和透射；同时，通过改变多模干涉结构的尺寸能够调整进入光电转换单元内的光场分布，从而能够选择最大的耦合效率，进而保证了光探测器的响应度，解决了如何在保证响应度的同时，降低光探测器中光的反射和透射的问题。
附图说明
图1为本实施例提供的光探测器结构示意图；
图2为本实施例提供的另一种光探测器结构的示意图；
图3为本实施例提供的第一模斑转换单元的结构示意图；
图4为本实施例提供的光探测器在A1-A1处的截面示意图；
图5为本实施例提供的光探测器在A2-A2处的截面示意图；
图6为本实施例提供的光探测器在A3-A3处的截面示意图；
图7为本实施例提供的光探测器在B-B处的截面示意图；
图8为本实施例提供的另一种光探测器在A1-A1处的截面示意图；
图9为本实施例提供的第三种光探测器在A1-A1处的截面示意图；
其中，各附图标记说明如下：
110-第一模斑转换单元；111-耦合波导；112-多模干涉结构；110’-第二模斑转换单元；111’-耦合波导；112’-多模干涉结构；120-光电转换单元；121-平板波导；122-吸收区；130-下包层；140-衬底；150-上包层。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的光探测器及芯片作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及附图说明中的“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，以便描述本发明的实施例，而不用于描述特定的顺序或先后次序，应该理解这样使用的结构在适当情况下可以互换。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
本实施例提供一种光探测器，如图1所示，包括光电转换单元120、第一模斑转换单元110和第二模斑转换单元110’；所述光电转换单元120包括自下而上依次堆叠设置的平板波导121和吸收区122，且所述吸收区122覆盖所述平板波导121的部分表面；所述第一模斑转换单元110和所述第二模斑转换单元110’分位于所述光电转换单元120长度方向的两端，所述第一模斑转换单元110和所述第二模斑转换单元110’均包括接触连接的耦合波导111（111’）和多模干涉结构112（112’）；所述多模干涉结构112远离所述耦合波导111的一端与所述平板波导121接触连接；所述吸收区122在长度方向上的延长线落于所述多模干涉结构112的部分表面，且不落于所述耦合波导111的表面。
本实施例提供的光探测器，由于位于多模干涉结构112两端的耦合波导111和吸收区122在长度方向上相错开，而多模干涉结构112的自映像原理使得入射光和出射光不在同一直线上，因此从光电转换单元120反射回的光和透射的光只有部分能进入耦合波导111，从而降低了光的反射和透射；同时，通过改变多模干涉结构112的尺寸能够调整进入光电转换单元120内的光场分布，从而能够选择最大的耦合效率，进而保证了光探测器的响应度，解决了如何在保证响应度的同时，降低光探测器中光的反射和透射的问题。
在实际应用过程中，平板波导121可以为硅平板波导；吸收区122可以为锗吸收区；耦合波导111可以为耦合硅波导；多模干涉结构112可以为硅波导多模干涉器。当然，在其他实施例中，平板波导121的材质还可以为硅的氧化物、硅的氮化物等；吸收区122的材质还可以为磷化铟等；耦合波导的材质还可以为氮化硅、氮氧化硅、铌酸锂、磷化铟、氧化铝、聚合物等高于氧化硅折射率的材料。本领域技术人员能够通过实际需求合理选择各个结构的材质，本申请对此不做限制。
以及，在实际应用过程中，耦合波导111可以为直波导或锥形波导，其中锥形波导的变化曲线可以采用线性、指数、抛物线、贝塞尔曲线、sin曲线、欧拉曲线、亚波长结构等策略实现模式转化，也可同时采用以上几种方式的组合来实现模式转化。
进一步的，在本实施例中，所述吸收区122的长度小于等于所述平板波导121的长度，且在宽度方向上和长度方向上均位于所述平板波导121的中间。如此，便于如图1所示的结构中第一模斑转换单元110和第二模斑转换单元110’以所述吸收区122的中心为中心镜像对称设置时，与平板波导121相对接的多模干涉结构112能够全部与平板波导121对接，从而有利于减小光探测器的体积。
在另一种实施例中，如图2所示，所述第一模斑转换单元110和所述第二模斑转换单元110’位于所述吸收区122长度方向的同侧，且以所述平板波导121宽度方向上的中心线为对称轴对称设置。如此，不必严格要求吸收区122位于平板波导121的中心位置，且同样可以实现从光电转换单元反射回的光和透射的光只有部分能进入耦合波导，从而降低了光的反射和透射。
为了保证耦合波导111输入的光能够全部进入多模干涉结构112，而多模干涉结构112中反射的光尽可能少的进入耦合波导111，在本实施例中，如图3所示，所述耦合波导111的长度方向的中心线相对于所述多模干涉结构112的长度方向的中心线的偏移量offset小于所述多模干涉结构112的宽度的一半。
较佳的，多模干涉结构112的输入端和输出端以多模干涉结构112的中心镜像对称，即，耦合波导111与多模干涉结构112的连接处，和吸收区122在平板波导121的垂直投影处与多模干涉结构112的连接处，以多模干涉结构112的中心镜像对称。如此，可以充分利用多模干涉结构112的自映像原理。
在实际应用中，为了便于光探测器的制造，以及为了对光电转换单元120、第一模斑转换单元110和第二模斑转换单元110’进行防护，如图4至图7所示，所述光探测器还包括衬底140、下包层130和上包层150；所述下包层130位于所述衬底140表面；所述光电转换单元120、所述第一模斑转换单元110和所述第二模斑转换单元110’均位于所述下包层130表面；所述上包层150覆盖所述光电转换单元120、所述第一模斑转换单元110和所述第二模斑转换单元110’。如此，所述光电转换单元120、所述第一模斑转换单元110和所述第二模斑转换单元110’上下分别被上包层150和下包层130所包围，从而保证了器件不会被损坏。
在光探测器的制造过程中，其工艺步骤主要包括：提供衬底140，在衬底140上沉积下包层130；在下包层130上形成硅波导层，并通过光刻或刻蚀工艺，使得硅波导层的不同区域分别形成耦合波导111、多模干涉结构112和平板波导121；在平板波导121上形成吸收层122；沉积上包层150。当然，在实际制造中，本领域技术人员可以根据光探测器的结构及工艺要求，合理选择工艺及参数，本申请对此不再赘述。
进一步的，为了降低工艺制造难度及成本，其中如图8所示，平板波导121可以被部分刻蚀，即可以存在部分表面的不平整。以及，如图9所示，所述吸收区122部分嵌入所述平板波导121，所述吸收区122嵌入所述平板波导121的深度小于150nm。
在一具体实施例中，所述第一模斑转换单元110、所述第二模斑转换单元110’和所述平板波导121的厚度均为200nm~250nm，具体的，例如可以为220nm；所述多模干涉结构122的长度为15~200μm，宽度为1~8μm，具体的，例如长度可以为45.3μm，宽度为3μm；所述耦合波导111的长度方向的中心线相对于所述多模干涉结构112的长度方向的中心线的偏移量具体可以为0.8μm。所述吸收区122的长度为5~80μm，所述平板波导121的长度为5~80μm，且所述吸收区的长度与所述平板波导的长度的差值不大于2μm，具体的，例如所述吸收区122的长度和所述平板波导121的长度均为9μm。
此结构尺寸下的光探测器，在实际使用时，光从第一模斑转换单元110的耦合波导111中进入，由模斑较小的单模波导转换为模斑较大的单模波导；然后经过多模干涉结构112产生镜像模式后，从多模干涉结构112靠近平板波导121的一端进入光电转换单元；吸收区122吸收产生光电流，而未被吸收的光，一部分进入第二模斑转换单元110’的多模干涉结构112’，另一部分反射回第一模斑转换单元110的多模干涉结构112；但由于多模干涉结构112/112’的自映像原理，由于多模干涉结构112/112’的输入光与输出光不在同一直线上，因此只有少部分的反射光能够进入耦合波导111，以及少部分的透射光能够进入耦合波导111’，从而降低了光的反射和透射，提高了光探测器的性能。
具体的，此结构尺寸下的光探测器，其响应度约为1A/W，且输入端的光反射由现有光探测器的-35dB降低到-38dB，输出端的光透射从-33dB降低到-40dB，性能得到显著提升。
需要说明的是，虽然在上述实施例中，将第一模斑转换单元110作为光输入端，将第二模斑转换单元110’作为光输出端，但是在实际应用过程中，也可以将将第一模斑转换单元110作为光输出端，将第二模斑转换单元110’作为光输入端，即，两个模斑转换单元分别作为光的输入端和输出端，并不限制光路的传播方向。
本实施例提供的光探测器及芯片，包括光电转换单元、第一模斑转换单元和第二模斑转换单元；所述光电转换单元包括自下而上依次堆叠设置的平板波导和吸收区，且所述吸收区覆盖所述平板波导的部分表面；所述第一模斑转换单元和所述第二模斑转换单元分位于所述光电转换单元长度方向的两端，所述第一模斑转换单元和所述第二模斑转换单元均包括接触连接的耦合波导和多模干涉结构；所述多模干涉结构远离所述耦合波导的一端与所述平板波导接触连接；所述吸收区在长度方向上的延长线落于所述多模干涉结构的部分表面，且不落于所述耦合波导的表面。由于位于多模干涉结构两端的耦合波导和吸收区在长度方向上相错开，而多模干涉结构的自映像原理使得入射光和出射光不在同一直线上，因此从光电转换单元反射回的光和透射的光只有部分能进入耦合波导，从而降低了光的反射和透射；同时，通过改变多模干涉结构的尺寸能够调整进入光电转换单元内的光场分布，从而能够选择最大的耦合效率，进而保证了光探测器的响应度，解决了如何在保证响应度的同时，降低光探测器中光的反射和透射的问题。
需要说明的是，本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可，此外，各个实施例之间不同的部分也可互相组合使用，本发明对此不作限定。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (11)
1.一种光探测器，其特征在于，包括光电转换单元、第一模斑转换单元和第二模斑转换单元；所述光电转换单元包括自下而上依次堆叠设置的平板波导和吸收区，且所述吸收区覆盖所述平板波导的部分表面；所述第一模斑转换单元和所述第二模斑转换单元分位于所述光电转换单元长度方向的两端，所述第一模斑转换单元和所述第二模斑转换单元均包括接触连接的耦合波导和多模干涉结构；所述多模干涉结构远离所述耦合波导的一端与所述平板波导接触连接；所述吸收区在长度方向上的延长线落于所述多模干涉结构的部分表面，且不落于所述耦合波导的表面。
2.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述吸收区的长度小于等于所述平板波导的长度，且在宽度方向上和长度方向上均位于所述平板波导的中间。
3.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述第一模斑转换单元和所述第二模斑转换单元以所述吸收区的中心为中心镜像对称设置。
4.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述第一模斑转换单元和所述第二模斑转换单元位于所述吸收区长度方向的同侧，且以所述平板波导宽度方向上的中心线为对称轴对称设置。
5.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述耦合波导的长度方向的中心线相对于所述多模干涉结构的长度方向的中心线的偏移量小于所述多模干涉结构的宽度的一半。
6.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述光探测器还包括衬底、下包层和上包层；所述下包层位于所述衬底表面；所述光电转换单元、所述第一模斑转换单元和所述第二模斑转换单元均位于所述下包层表面；所述上包层覆盖所述光电转换单元、所述第一模斑转换单元和所述第二模斑转换单元。
7.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述第一模斑转换单元、所述第二模斑转换单元和所述平板波导的厚度均为200nm~250nm。
8.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述多模干涉结构的长度为15~200μm，宽度为1~8μm。
9.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述吸收区的长度为5~80μm，所述平板波导的长度为5~80μm；所述吸收区的长度与所述平板波导的长度的差值不大于2μm。
10.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述吸收区部分嵌入所述平板波导，所述吸收区嵌入所述平板波导的深度小于150nm。
11.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1~10任一项所述的光探测器。
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| CN202410370051.7A Active CN117968840B (zh) | 2024-03-29 | 2024-03-29 | 一种光探测器及芯片 |
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1437289A (zh) * | 2002-02-06 | 2003-08-20 | 中国科学院半导体研究所 | 连续自对准半导体光电子器件与模斑转换器的集成 |
| CN211293365U (zh) * | 2019-11-25 | 2020-08-18 | 武汉华工正源光子技术有限公司 | 一种光接收次组件 |
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-
2024
- 2024-03-29 CN CN202410370051.7A patent/CN117968840B/zh active Active
Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| CN1437289A (zh) * | 2002-02-06 | 2003-08-20 | 中国科学院半导体研究所 | 连续自对准半导体光电子器件与模斑转换器的集成 |
| CN211293365U (zh) * | 2019-11-25 | 2020-08-18 | 武汉华工正源光子技术有限公司 | 一种光接收次组件 |
| CN112304347A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-02 | 中国科学院半导体研究所 | 相干探测器芯片及其制备方法 |
| CN117276365A (zh) * | 2023-09-26 | 2023-12-22 | 中国科学院半导体研究所 | InP基平衡探测器集成芯片及其制备方法 |
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