CN117915724A - 电致发光显示装置 - Google Patents

电致发光显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN117915724A
CN117915724A CN202311135825.XA CN202311135825A CN117915724A CN 117915724 A CN117915724 A CN 117915724A CN 202311135825 A CN202311135825 A CN 202311135825A CN 117915724 A CN117915724 A CN 117915724A
Authority
CN
China
Prior art keywords
display device
electroluminescent display
adhesive layer
layer
heat sink
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202311135825.XA
Other languages
English (en)
Inventor
姜玟朱
金成俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN117915724A publication Critical patent/CN117915724A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8794Arrangements for heating and cooling
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/87Arrangements for heating or cooling
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/874Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

根据本公开内容的示例性实施方式的电致发光显示装置包括被配置成显示图像的显示部。此外,电致发光显示装置包括被布置在显示部上方的封装单元和被布置在封装单元上方的散热片。封装单元包括由第一粘合剂层、第二粘合剂层以及第一粘合剂层与第二粘合剂层之间的阻挡层组成的密封构件。此外,封装单元包括第二粘合剂层和阻挡层中的孔。阻挡层的侧表面可以通过注入到孔中的导电膏电连接至散热片。因此,可以改善电磁干扰。

Description

电致发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年10月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0133131号的权益和优先权,该韩国专利申请的全部内容出于所有目的通过引用并入本文,如同在本文中完全阐述的一样。
技术领域
本公开内容涉及电致发光显示装置,并且更具体地涉及能够减少电磁干扰(EMI)和/或散热的电致发光显示装置。
背景技术
随着信息时代的进入,用于可视地显示电子信息信号的显示装置的领域正在快速发展。因此,用于开发诸如薄化、重量减轻和低功耗的性能的研究仍在继续。
显示装置的代表性示例包括液晶显示(LCD)装置、电润湿显示(EWD)装置、有机发光显示(OLED)装置等。
包括OLED装置的电致发光显示装置是自发光显示装置,并且与LCD装置不同,不需要单独的光源。因此,电致发光显示装置可以被制造成重量轻且薄的形式。此外,电致发光显示装置不仅在通过低电压驱动的功耗方面有优势,而且具有优异的色彩表现能力、响应速度、视角和对比度(CR)。因此,电致发光显示装置有望用于各种领域。
发明内容
本公开内容的一方面是提供具有增加的显示面板刚度和改善的散热的电致发光显示装置。
本公开内容的另一方面是提供能够减少电磁干扰(EMI)的电致发光显示装置。
因此,本公开内容的实施方式针对基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更个问题的设备。
另外的特征和方面将在下面的描述中陈述,并且根据描述将部分地变得明显,或者可以通过本文提供的发明构思的实践来获知。本发明构思的其他特征和方面可以通过书面描述中特别指出的结构或由此可推导出的结构以及其权利要求和附图来实现和获得。
根据本公开内容的一方面,一种电致发光显示装置包括被配置成显示图像的显示部。此外,电致发光显示装置包括被布置在显示部上方的封装单元和被布置在封装单元上方的散热片。封装单元包括由第一粘合剂层、第二粘合剂层以及第一粘合剂层与第二粘合剂层之间的阻挡层组成的密封构件。在第二粘合剂层和阻挡层中形成孔。阻挡层的侧表面可以通过注入到孔中的导电膏(conductive paste)电连接至散热片。
根据本公开内容,封装结构具有包括相对较厚的增强基板的多层结构。因此,可以实现足够的刚性和散热。
根据本公开内容,通过穿透增强基板的孔注入导电膏,以实现到密封构件的阻挡层的电连接。提供这种电连接的其他方式也是可能的。因此,根据本公开内容,提供了穿过或穿透增强基板以提供到密封构件的阻挡层的电连接的导电构件。因此,可以减少EMI。此外,阻挡层可以设置在显示器的发光结构上。发光结构在工作期间可能会发热。阻挡层可以有助于将热量从发光结构周围的区域传导出去。设置在孔中并连接至阻挡层的导电构件使得热量能够从阻挡层传导出去。
其他系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员在检视以下附图和详细描述后将是或将变得明显。旨在将所有这样的另外的系统、方法、特征和优点包括在本说明书内、在本公开内容的范围内、并且由所附权利要求保护。本部分中的任何内容均不应当被视为对这些权利要求的限制。下面结合公开内容的各方面讨论其他方面和优点。
应当理解的是,本公开内容的前述一般描述和以下详细描述两者均是示例性和说明性的,并且旨在提供对所要求保护的本公开内容的进一步说明。
附图说明
被包括以提供对本公开内容的进一步理解并且被并入并构成本申请的一部分的附图示出了本公开内容的实施方式并且与说明书一起用于说明本公开内容的原理。
图1是示意性地示出根据本公开内容的第一示例性实施方式的电致发光显示装置的平面图;
图2是沿着图1的线I-I’截取的截面图;
图3是更详细地示出图2的层压结构的截面图;
图4是更详细地示出图2的层压结构的另一截面图;
图5是示出根据本公开内容的第一示例性实施方式的电致发光显示装置的子像素的截面图;
图6A至图6D是顺序示出图1的电致发光显示装置的制造过程的一部分的平面图;
图7A至图7D是顺序示出图4的电致发光显示装置的制造过程的一部分的截面图;
图8是示意性地示出根据本公开内容的第二示例性实施方式的电致发光显示装置的平面图;
图9是沿着图8的线II-II’截取的截面图;
图10是示意性示出根据本公开内容的第三示例性实施方式的电致发光显示装置的截面图;以及
图11是示意性示出根据本公开内容的第四示例性实施方式的电致发光显示装置的截面图。
遍及附图和详细描述,除非另有描述,否则相同的附图标记应被理解为指代相同的元件、特征或结构。为了清楚、说明和方便起见,可以扩大这些元件的相对尺寸和描绘。
具体实施方式
通过参考下面结合附图详细描述的示例性实施方式,本公开内容的优点和特性以及实现优点和特性的方法将变得清楚。然而,本公开内容不限于本文公开的示例性实施方式,而是将以各种形式实现。示例性实施方式仅仅作为示例来提供,使得本领域技术人员可以完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。
用于描述本公开内容的示例性实施方式的附图中所示的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅是示例,并且本公开内容不限于此。在整个说明书中,相同的附图标记通常表示相同的元件。此外,在本公开内容的以下描述中,可以省略已知相关技术的详细说明,以避免不必要地使本公开内容的主题模糊。本文中所使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”的术语通常旨在允许添加其他部件,除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另外明确说明,否则对单数的任何提及可以包括复数。
即使没有明确说明,部件也被解释为包括普通误差范围。
当使用诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“靠近”的术语来描述两个部分之间的位置关系时,一个或更多个部分可以位于两个部分之间,除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。
当元件或层被布置在另一元件或层“上”时,另一层或另一元件可以直接置于其他元件上或直接置入其间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各个部件,但这些部件不受这些术语限制。这些术语仅仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此,下面提及的第一部件可以是本公开内容的技术构思中的第二部件。
贯穿说明书,相似的附图标记通常表示相似的元件。
为了便于描述,示出了附图中示出的每个部件的尺寸和厚度,并且本公开内容不限于示出的部件的尺寸和厚度。
本公开内容的各个实施方式的特征可以部分地或全部地彼此依附或组合,并且可以在技术上以各种方式互锁和操作,并且这些实施方式可以彼此独立地或关联地执行。
在下文中,将参照附图详细描述根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置。
图1是示意性地示出根据本公开内容的第一示例性实施方式的电致发光显示装置的平面图。
参照图1,根据本公开内容的第一示例性实施方式的电致发光显示装置100可以包括显示部DP、封装单元FSPM、以及散热器(本文描述为散热片160,但本公开内容不限于形成为片状的散热器,并且可以设想其他结构)。电致发光显示装置100还可以包括柔性膜180。
显示部DP是用于向用户显示图像的面板。
虽然图中未显示,但用于显示图像的显示元件、用于驱动显示元件的驱动元件以及用于向显示元件和驱动元件传输各种信号的线可以被包括在显示部DP中。取决于显示部DP的类型,可以以不同的方式定义显示元件。例如,如果显示部DP是有机发光显示面板,则显示元件可以是包括阳极、有机层和阴极的有机发光二极管。例如,如果显示部DP是液晶显示面板,则显示元件可以是液晶显示元件。
在下文中,尽管显示部DP将被描述为有机发光显示面板,但本公开内容的显示部DP不限于有机发光显示面板。
显示部DP可以包括有源区域AA和非有源区域NA。
有源区域AA是显示部DP中显示图像的区域。
形成多个像素的多个子像素和用于驱动多个子像素的电路可以被布置在有源区域AA中。多个子像素是有源区域AA的最小发射单位,并且显示元件可以被布置在多个子像素的每一个子像素上。多个子像素可以形成像素。例如,由阳极、有机层和阴极组成的有机发光二极管可以被布置在多个子像素的每一个子像素上。然而,本公开内容不限于此。此外,用于驱动多个子像素的电路可以包括驱动元件和线。例如,该电路可以由薄膜晶体管、存储电容器、栅极线、数据线等组成,但不限于此。
非有源区域NA是不显示图像的区域。
尽管图1示出了非有源区域NA包围具有矩形形状的有源区域AA,但有源区域AA和非有源区域NA的形状和布置不限于图1所示的示例。
也就是说,有源区域AA和非有源区域NA可以具有适用于配备有电致发光显示装置100的电子装置的设计的形状。例如,有源区域AA可以具有五边形、六边形、圆形、椭圆形等形状。
在非有源区域NA中,可以布置用于驱动有源区域AA中的有机发光二极管的各种线和电路。例如,用于将信号传输到有源区域AA中的多个子像素和电路的链接线或者诸如栅极驱动器IC或数据驱动器IC的驱动器IC可以被布置在非有源区域NA中。然而,本公开内容不限于此。
此外,电致发光显示装置100可以包括用于生成各种信号或驱动有源区域AA中的像素的各种附加部件。此处,用于驱动像素的附加部件可以包括反相器电路、多路复用器、静电放电(ESD)电路等。电致发光显示装置100还可以包括与除了驱动像素的功能之外的功能相关联的部件。例如,电致发光显示装置100可以包括用于提供触摸感测功能、用户认证功能(例如,指纹扫描)、多级压力感测功能、触觉反馈功能等的附加部件。上述附加部件可以位于非有源区域NA中和/或连接至连接接口的外部电路上。
柔性膜180可以是其中各个部件被布置在具有延展性的基膜上的膜。具体地,柔性膜180用于向有源区域AA的多个子像素和电路提供信号,并且可以电连接到显示部DP。柔性膜180可以被布置在显示部DP的一端,以向有源区域AA的多个子像素和电路提供电源电压或数据电压。柔性膜180的数量可以根据设计而变化,并且不限于所示的示例。
同时,驱动IC例如栅极驱动器IC或数据驱动器IC可以被布置在柔性膜180上。驱动IC可以是处理用于显示图像的数据和用于处理数据的驱动信号的部件。驱动IC可以根据安装方法以玻璃上芯片(COG)、膜上芯片(COF)或带载封装(TCP)的方式布置。
此外,尽管图中未显示,但印刷电路板可以被布置在柔性膜180的一端并连接至柔性膜180。也就是说,印刷电路板可以是向驱动IC提供信号的部件。此外,印刷电路板可以向驱动IC提供各种信号,例如驱动信号或数据信号。例如,用于生成数据信号的数据驱动器可以安装在印刷电路板上,并且所生成的数据信号可以通过柔性膜180提供给显示部DP上的子像素和电路。
同时,封装单元FSPM可以被布置在显示部DP上。
封装单元FSPM可以由密封构件和增强基板组成。
散热片160可以被布置在封装单元FSPM上。然而,本公开内容不限于此。
根据本公开内容,封装结构具有包括相对较厚的增强基板的多层结构。因此,可以实现足够的刚性和散热。然而,如果使用塑料聚合物例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET,polyethylene terephthalate)来增强基板,则难以抑制电磁干扰(EMI)。根据常规方法,将导电带附接至散热片和增强基板的表面,并且密封构件的截面通过银点电连接至导电带。在这种情况下,当封装单元被切割时,由PET制成的增强基板可以沿着密封构件的侧表面向下流动,并覆盖由铝(Al)箔制成的阻挡层的侧表面。因此,可能不能进行银点与阻挡层之间的电连接。
根据本公开内容,形成孔H以穿透增强基板。导电构件172设置在孔H中,以例如经由导电带171电连接或热连接密封构件的阻挡层和散热器(其也可以具有耗散电流的能力)。导电带在本文中也可以可替选地描述为导电膜。因此,可以改善EMI。导电构件172可以是通过孔H注入的导电材料(例如,导电膏)。通过孔注入导电材料是提供导电构件的有效且可靠的方法,其节省了制造时间和成本,而不损害(compromise)可靠的性能。然而,导电构件不限于导电膏,并且制造方法不限于注入。
在下文中,将参照图2至图5详细描述本公开内容的封装单元FSPM和接地结构。
图2是沿图1中线I-I’截取的截面图。
图3是更详细地示出图2的层压结构的截面图。
图4是更详细地示出图2的层压结构的另一截面图。
图5是根据本公开内容的第一示例性实施方式的电致发光显示装置的子像素的截面图。
与图3和图4相比,图2示出了被布置在显示部DP和封装单元FSPM上的焊盘175、驱动IC 176和柔性膜180。柔性膜180可以如参照图1所述。
图3和图4示出了散热片160所附接至的显示部DP的侧部的上侧的截面图的示例。为了便于描述,图3和图4示意性地示出了有源区域AA中的像素单元125和非有源区域NA中的GIP单元126。
图3和图4分别示出了除了密封构件130’和130的一些部件(即第一粘合剂层131’和131)之外基本相同的构造。也就是说,图4示出了如下示例:当制造封装单元FSPM时,随着第一粘合剂层131被层压,第一粘合剂层131的一部分被压入到孔H中。
此外,图5是根据本公开内容的第一示例性实施方式的显示部DP的子像素的截面图。
参照图2至图5,驱动元件120可以被布置在基板101上。
此外,平坦化层105可以被布置在驱动元件120上。
电连接至驱动元件120的有机发光二极管150被布置在平坦化层105上,以及盖层107可以被布置在有机发光二极管150上。
此外,密封构件130’或130和增强基板140可以依次被布置在盖层107上。然而,也可以省略增强基板140。
然而,根据本公开内容的第一示例性实施方式的电致发光显示装置100不限于该层压结构。
具体地,基板101可以是玻璃或塑料基板。如果基板101是塑料基板,则可以使用聚酰亚胺基(polyimide-based)或聚碳酸酯基(polycarbonate-based)材料以具有柔性。特别地,聚酰亚胺可以应用于高温工艺,并且广泛用于塑料基板,因为它是可以被涂覆的材料。
缓冲层102可以被布置在基板101上。
缓冲层102用于保护各种电极/线免受从基板101或下层流出的杂质例如碱离子等的影响。缓冲层102可以具有包括第一缓冲层102a和第二缓冲层102b的多层结构,但是不限于此。缓冲层102可以由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或其多层形成。
此外,缓冲层102可以延迟渗入基板101的湿气和/或氧气的扩散。缓冲层102可以包括多缓冲物和/或有源缓冲物。有源缓冲物保护驱动元件120的由半导体制成的有源层124,并且可以用于阻挡从基板101引入的各种杂质。有源缓冲物可以由非晶硅(a-Si)等制成。
驱动元件120可以由有源层124、栅极电极121、源极电极122和漏极电极123组成。驱动元件120可以通过连接电极115电连接至有机发光二极管150,并且因此可以将电流或信号传输到有机发光二极管150。
有源层124可以被布置在缓冲层102上。有源层124可以由多晶硅(p-Si)制成。在这种情况下,预定区域可能掺杂有杂质。有源层124也可以由非晶硅(a-Si)制成,或者可以由各种有机半导体材料例如并五苯制成。可替选地,有源层124可以由氧化物半导体制成。
栅极绝缘层103可以被布置在有源层124上。
栅极绝缘层103可以由无机绝缘材料例如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)制成,或者可以由有机绝缘材料制成。
栅极电极121可以被布置在栅极绝缘层103上。
栅极电极121可以由各种导电材料制成,例如镍(Ni)、铬(Cr)、镁(Mg)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、金(Au)或其合金。
层间绝缘层104可以被布置在栅极电极121上。
层间绝缘层104可以由绝缘材料例如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)制成,或者可以由有机绝缘材料制成。
可以通过选择性移除栅极绝缘层103和层间绝缘层104以暴露有源层124的源极区和漏极区来形成接触孔。例如,源极电极122和漏极电极123可以由层间绝缘层104上的单层结构或多层结构中的电极材料制成。此外,源极电极122和漏极电极123可以分别连接至源极区和漏极区。
如果需要,还可以形成由无机绝缘材料制成的钝化层,以覆盖源极电极122和漏极电极123。
平坦化层105可以被布置在如上所述构造的驱动元件120上。
平坦化层105可以具有包括至少两层的多层结构。例如,平坦化层105可以包括第一平坦化层105a和第二平坦化层105b。第一平坦化层105a被布置成覆盖驱动元件120,并且可以被布置成暴露驱动元件120的源极电极122的一部分和漏极电极123的一部分。
平坦化层105可以延伸至非有源区域NA,以覆盖GIP单元126。
平坦化层105可以具有约2μm的厚度,但不限于此。
平坦化层105可以是涂覆层,但不限于此。
同时,连接电极115可以被布置在第一平坦化层105a上,以电连接驱动元件120和有机发光二极管150。尽管在图5中未示出,但是用作线/电极(例如数据线或信号线)的各种金属层可以被布置在第一平坦化层105a上。
此外,第二平坦化层105b可以被布置在第一平坦化层105a和连接电极115上。
也就是说,平坦化层105由根据本公开内容的第一示例性实施方式的显示部DP中的两层组成。这是因为随着显示部DP的分辨率增加,各种信号线的数量增加。因此,难以将所有的线布置在单个层中,以便彼此之间间隔最小的距离。因此,形成了附加层。由于附加层,即第二平坦化层105b,线可以被布置为具有多余的空间。因此,可以更容易地设计线/电极的布局。此外,如果将电介质材料用于具有多层结构的平坦化层105,则平坦化层105可以用于在金属层之间形成电容。
第二平坦化层105b可以形成为暴露连接电极115的一部分。驱动元件120的漏极电极123可以通过连接电极115电连接至有机发光二极管150的阳极151。
有机发光二极管150可以具有其中阳极151、多个有机层152和阴极153顺序布置的结构。也就是说,有机发光二极管150可以由形成在平坦化层105上的阳极151、形成在阳极151上的有机层152以及形成在有机层152上的阴极153组成。
取决于光发射方向,电致发光显示装置100可以是顶部发射型或底部发射型。对于顶部发射型,从有机层152发射的光可以从阳极151朝着向上的方向反射,即朝着其上方的阴极153反射。为此,由具有高反射率的不透明导电材料例如银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)或其合金制成的反射层可以进一步被布置在阳极151下方。对于底部发射型,阳极151可以由透明导电材料例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)等制成。在下文中,本公开内容的电致发光显示装置100将被描述为底部发射型电致发光显示装置。
除发射区域外,可以在平坦化层105上形成堤部106。也就是说,堤部106可以具有堤部孔,通过该堤部孔暴露与发射区域相对应的阳极151。堤部106可以由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料或者诸如BCB、丙烯酸树脂或酰亚胺基(imide-based)树脂的有机绝缘材料制成。
堤部106可以延伸至非有源区域NA。
堤部106可以延伸至非有源区域NA的一部分,以便与基板101的末端隔开预定距离。
堤部106可以具有约1μm的厚度,但不限于此。
堤部106可以覆盖GIP单元126的上部,但不限于此。
有机层152可以被布置在通过堤部106暴露的阳极151上。有机层152可以包括发射层、电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等。
有机层152可以延伸至非有源区域NA。
有机层152可以延伸至非有源区域NA的一部分,以与堤部106的末端隔开预定距离。
在非有源区域NA中,有机层152可以被布置在堤部106上。
阴极153可以被布置在有机层152上。
对于顶部发射型,阴极153可以包含透明导电材料。例如,阴极153可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)等制成。对于底部发射型,阴极153可以包含由金属材料如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钯(Pd)和铜(Cu)或其合金组成的组中的任何一种。可替选地,阴极153可以具有层压结构。层压结构可以包括由透明导电材料例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟镓锌(IGZO)制成的层。此外,层压结构可以包括由金属材料例如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钯(Pd)和铜(Cu)或其合金制成的层。然而,本公开内容不限于此。
阴极153可以延伸至非有源区域NA。
阴极153可以与堤部106的末端隔开预定距离,以便与堤部106的上表面的一部分接触。
在非有源区域NA中,阴极153可以被布置成覆盖有机层152的侧表面。在这种情况下,有机层152可以被布置成与阴极153的末端隔开预定距离。然而,本公开内容不限于此。
由具有高折射率和吸光率的材料制成的盖层107可以被布置在有机发光二极管150上,以减少外部光的漫反射。
盖层107可以是由有机材料制成的有机层,并且必要时可以省略。
盖层107可以延伸至非有源区域NA。在非有源区域NA中,盖层107可以被布置在阴极153上。
具有由密封构件130’或130以及增强基板140组成的多层结构的封装结构可以被布置在阴极153上。然而,本公开内容不限于此。如果需要,可以省略增强基板140。
在移动和便携式装置中使用的小尺寸显示面板具有小的面板面积。因此,热量从装置中迅速散发,并且几乎不存在粘附的问题。然而,在显示器、平板电脑和电视机中使用的大尺寸面板具有大的面板面积。因此,为了最佳的散热和粘附,需要封装结构。
此外,为了补偿刚性不足,电致发光显示装置还可以包括被布置在封装结构上的单独内板。在这种情况下,有必要确保用于在其中容纳单独内板的空间。由于内板的重量,电致发光显示装置的瘦身(slimming)和减重受到限制。此外,由于通过被布置成将封装基板与内板彼此附接的胶带的厚度而在封装基板与内板之间产生的垂直分离空间,生成了气隙。气隙可以位于带的端部附近,并且可以具有与带的厚度相似的厚度。由于气隙,散热可能减少。
因此,在本公开内容的第一示例性实施方式中,可以引入具有包括密封构件130’或130的多层结构的封装结构。在封装结构中,可以移除单独的内板,并且可以固定具有相对较大厚度的增强基板140。因此,封装结构可以抑制工艺缺陷的发生。增强基板可以提供额外的刚性,这使得封装结构被更可靠地应用,并且在封装层与显示面板(或TFT面板)之间的边界中出现更少的灰尘或其他工艺缺陷。
本公开内容的密封构件130’或130可以包括面向基板101的第一粘合剂层131’或131和面向增强基板140的第二粘合剂层133。此外,密封构件130’或130可以包括被布置在第一粘合剂层131’或131与第二粘合剂层133之间的阻挡层132。
第一粘合剂层131’或131和第二粘合剂层133中的每一个都可以由具有粘合性的聚合物材料制成。例如,第一粘合剂层131’或131可以由烯烃基、环氧基和丙烯酸酯基聚合物之一的聚合物材料制成。此外,第二粘合剂层133可以由不含羧基(carboxyl group)的烯烃基、环氧基、丙烯酸酯基、胺基、酚基和酸酐基聚合物之一的聚合物材料制成。具体地,为了阻挡层132的腐蚀抑制和膜的均匀性,第二粘合剂层133可以优选地由不含羧基的聚合物材料制成。
对于基板101的散热,第一粘合剂层131’或131和第二粘合剂层133中的至少第一粘合剂层131’或131可以由包括具有粘合性的聚合物材料和金属颗粒的混合物制成。例如,金属颗粒可以是由Ni制成的粉末。与基板101直接接触的第一粘合剂层131’或131由包括具有粘合性的聚合物材料和金属颗粒的混合物制成。因此,第一粘合剂层131’或131可以具有比具有粘合性的聚合物材料更高的热导率。
同样,第二粘合剂层133由包括具有粘合性的聚合物材料和金属颗粒的混合物制成。因此,第二粘合剂层133可以具有比具有粘合性的聚合物材料更高的热导率。
以这种方式,可以提高从基板101生成的热量通过密封构件130’或130消散的速率。因此,可以改善从基板101的散热。
此外,为了抑制湿气渗透到像素单元125中,第一粘合剂层131’或131可以由还包括吸湿性无机填料的混合物制成。吸湿性无机填料可以是氧化钡(BaO)、氧化钙(CaO)和氧化镁(MgO)中的至少一种。
与第一粘合剂层131’或131不同,第二粘合剂层133不与像素单元125直接接触。因此,第二粘合剂层133不需要包括用于抑制湿气渗透到像素单元125中的吸湿性无机填料。因此,第二粘合剂层133不包括吸湿性无机填料,而是可以仅包括具有粘合性的聚合物材料和金属颗粒。以这种方式,可以减少注入到密封构件130’或130中的相对昂贵的吸湿性无机填料的量。因此,可以降低制备密封构件130’或130的成本。
此外,由于第二粘合剂层133不包括吸湿性无机填料,因此与第一粘合剂层131’或131中包括的聚合物材料的混合比相比,第二粘合剂层133中包括的聚合物材料的混合比可以增加。因此,第二粘合剂层133的粘合性可以高于第一粘合剂层131’或131的粘合性。因此,随着增强基板140更牢固地被固定到第二粘合剂层133上,基板101与增强基板140之间的粘合可靠性可以进一步提高。
由于密封构件具有由第一粘合剂层131’或131和第二粘合剂层133组成的多层结构,因此可以减少显示面板弯曲的翘曲量。因此,也可以提高可靠性。
第一粘合剂层131’或131和第二粘合剂层133中的每一个层的厚度可以被限制为等于或小于可以抑制工艺缺陷的阈值厚度。此外,第一粘合剂层131’或131与第二粘合剂层133的厚度之和可以被限制为等于或大于可以确保固定增强基板140的可靠性的阈值厚度。
例如,第一粘合剂层131’或131和第二粘合剂层133中的每一个层的厚度可以在10μm至100μm的范围内。
阻挡层132可以由金属材料制成。也就是说,阻挡层132可以包括诸如Al、Cu、Sn、Ag、Fe或Zn的金属材料。
可以引入阻挡层132以实现用于增强与第一粘合剂层131’或131和第二粘合剂层133的粘合并减少翘曲的层压结构。
具体地,第一粘合剂层131’或131和第二粘合剂层133中的每一个层包括具有粘合性的聚合物材料。因此,由相对较硬的材料制成的阻挡层132被布置在第一粘合剂层131’或131与第二粘合剂层133之间。因此,第一粘合剂层131’或131和第二粘合剂层133分别附接至阻挡层132的一个表面和另一表面。因此,可以提高粘附性。
在这种情况下,可以将阻挡层132的厚度限制为小于第一粘合剂层131’或131和第二粘合剂层133的厚度,以使由阻挡层132导致的密封构件130’或130的厚度增加最小化。例如,阻挡层132的厚度可以大于10μm,并且小于第一粘合剂层131’或131和第二粘合剂层133的厚度中的每一个厚度。
根据本公开内容的第一示例性实施方式的密封构件130’或130包括经由阻挡层132分隔的第一粘合剂层131’或131和第二粘合剂层133。因此,密封构件130’或130可以具有是单层粘合材料的厚度的大约两倍的厚度,同时抑制工艺缺陷的发生。因此,由密封构件130’或130固定的增强基板140可以具有更大的厚度。因此,可以增加刚性,并且可以容易地实现散热。也就是说,当密封构件130’或130具有在30μm至300μm范围内的厚度时,增强基板140可以具有在0.1mm至1.5mm范围内的厚度。
例如,增强基板140可以由选自玻璃和塑料聚合物(例如PET)的一种材料制成。
本文中,密封构件130’或130和增强基板140可以延伸至非有源区域NA,以覆盖平坦化层105的一部分和堤部106的一部分。
如上所述,根据本公开内容,封装结构具有包括相对较厚的增强基板140的多层结构。因此,可以实现足够的刚性和散热。然而,如果将塑料聚合物例如PET用于增强基板140,则难以抑制EMI。也就是说,根据常规方法,将导电带附接至散热片和增强基板的表面,并且密封构件的截面通过银点电连接至导电带。在这种情况下,当封装单元被切割时,由PET制成的增强基板可以沿着密封构件的侧表面向下流动,并且覆盖由Al箔制成的阻挡层的侧表面。因此,可能不能进行银点与阻挡层之间的电连接。
因此,根据本公开内容,孔H形成为穿透增强基板140。导电构件被布置在孔中,以电连接密封构件130’或130的阻挡层132和导电带171。导电构件可以是已经注入孔H中/通过孔H注入的导电膏172。因此,可以改善(即,减少)EMI。作为参考,通过导电膏172电连接至阻挡层132的导电带171可以附接至散热片160。此外,导电带171可以通过另一导电带经由印刷电路板电连接至由金属制成的盖底。
根据本公开内容的第一示例性实施方式,孔H可以穿透增强基板140的一部分以及密封构件130’或130的第二粘合剂层133和阻挡层132的一部分。同时,如果省略增强基板140,则孔H可以穿透密封构件130’或130的第二粘合剂层133和阻挡层132的一部分。
孔H可以通过冲压过程形成。
孔H可以形成在增强基板140、第二粘合剂层133和阻挡层132中。此外,可以将导电膏172注入并填充在孔H中。因此,密封构件130’或130的阻挡层132可以以改进的方式电连接至导电带171(例如,不需要其他连接配置例如在增强基板140上流动的导电膏)。
注入孔H中的导电构件(例如,导电膏172)可以与阻挡层132的侧表面接触,并且导电带171电连接至导电膏172。这可以通过提供附接在导电膏172上的导电带来实现。例如,导电带被施加到孔穿透的最上层的最上表面(即,增强基板140或第二粘合剂层133的最上表面)上。因此,密封构件130’或130的阻挡层132可以经由导电构件电连接至导电带171。
此处,参照图4,如上所述,在制造封装单元FSPM时,随着第一粘合剂层131被层压,第一粘合剂层131的一部分可以被压入孔H中。在这种情况下,第一粘合剂层131可以凸出地突出到孔H中。然而,本公开内容不限于此。如图3所示,第一粘合剂层131’可以具有平坦的上表面。
根据本公开内容的第一示例性实施方式,孔H被定位成比散热片160更靠近有源区域AA。然而,本公开内容不限于此。也就是说,根据本公开内容,孔H可以被定位成比散热片160更靠近有源区域AA,并且也可以被定位成比散热片160更远离有源区域AA。此外,孔H可以位于有源区域AA中。
同时,焊盘175和驱动IC 176可以被布置在散热片160上。以这种方式,散热片160还有助于从焊盘和/或驱动IC散热。
此外,柔性膜180可以附接至显示部DP的末端(例如,在其边缘处或紧邻其边缘),以覆盖焊盘175和驱动IC 176。此外,侧表面密封剂181可以形成在显示部DP的侧表面(即,边缘)上。侧表面密封剂181可以用于阻挡湿气渗入到像素单元125中。
此外,可以将防潮树脂182涂覆在显示部DP与柔性膜180之间的接合部分上,以抑制湿气渗透。本文中,防潮树脂182和侧表面密封剂181可以是被称为“泰菲(TuffyRTM)”的环氧基树脂,但不限于此。
同时,将参照附图详细描述根据本公开内容的包括接地结构的电致发光显示装置的制造过程的一部分。
图6A至图6D是顺序示出图1的电致发光显示装置的制造过程的一部分的平面图。
图7A至图7D是顺序示出图4的电致发光显示装置的制造过程的一部分的截面图。
参照图6A和图7A,制备包括密封构件130的一部分和增强基板140的封装单元FSPM的一部分。本文中,封装单元FSPM的一部分可以包括密封构件130的第二粘合剂层133和阻挡层132以及增强基板140。
即,在封装单元FSPM的一部分中形成孔H后,第一粘合剂层131可以附接至阻挡层132的下表面。
第一粘合剂层131和第二粘合剂层133中的每一个层可以由具有粘合性的聚合物材料制成。例如,第一粘合剂层131可以由烯烃基、环氧基和丙烯酸酯基聚合物之一的聚合物材料制成。此外,第二粘合剂层133可以由不含羧基的烯烃基、环氧基、丙烯酸酯基、胺基、酚基和酸酐基聚合物之一的聚合物材料制成。
第一粘合剂层131和第二粘合剂层133中的至少第一粘合剂层131可以由包括具有粘合性的聚合物材料和金属颗粒的混合物制成。例如,金属颗粒可以是由Ni制成的粉末。
同样,第二粘合剂层133由包括具有粘合性的聚合物材料和金属颗粒的混合物制成。因此,第二粘合剂层133可以具有比具有粘合性的聚合物材料更高的热导率。
此外,第一粘合剂层131可以由还包含吸湿性无机填料的混合物制成。吸湿性无机填料可以是氧化钡(BaO)、氧化钙(CaO)和氧化镁(MgO)中的至少一种。
第二粘合剂层133不包括吸湿性无机填料,而是可以仅包括具有粘合性的聚合物材料和金属颗粒。
第一粘合剂层131和第二粘合剂层133中的每一个层的厚度可以被限制为等于或小于可以抑制工艺缺陷的阈值厚度。此外,第一粘合剂层131和第二粘合剂层133的厚度之和可以被限制为等于或大于可以确保固定增强基板140的可靠性的阈值厚度。第一粘合剂层131和第二粘合剂层133中的每一个层的厚度可以在10μm至100μm的范围内。例如,第一粘合剂层131可以具有大约75μm的厚度,以及第二粘合剂层133可以具有大约50μm的厚度,但是不限于此。
阻挡层132可以由金属材料制成。例如,阻挡层132可以包括诸如Al、Cu、Sn、Ag、Fe或Zn的金属材料。
阻挡层132的厚度可以被限制为小于第一粘合剂层131和第二粘合剂层133的厚度,以使由阻挡层132导致的密封构件130厚度的增加最小化。在这种情况下,阻挡层132的厚度可以大于10μm,并且小于第一粘合剂层131和第二粘合剂层133的厚度中的每一个厚度。例如,阻挡层132可以具有大约30μm的厚度,但是不限于此。
例如,增强基板140可以由选自玻璃和塑料聚合物(例如PET)的一种材料制成。例如,增强基板140可以具有大约75μm的厚度,但是不限于此。
然后,对封装单元FSPM的一部分即增强基板140、第二粘合剂层133和阻挡层132的上部或下部执行冲压过程。结果,可以形成穿透增强基板140、第二粘合剂层133和阻挡层132的孔H。
孔H的形状不限于所示的圆形(即垂直于孔的中心轴的截面的形状),并且可以是各种形状之一,各种形状包括例如三角形和四边形的多边形、椭圆形等。
此外,孔H的数量不限于图中所示的4个,而是可以是1至3个,或5个或更多。
孔H可以位于有源区域AA周围,即比散热片更靠近有源区域AA,如图所示。可替选地,孔H可以被定位成比散热片更远离有源区域AA,或者可以位于有源区域AA中。
此后,第一粘合剂层131可以附接(层压)至其中形成有孔H的封装单元FSPM的一部分(即增强基板140、第二粘合剂层133和阻挡层132)的下表面。
本文中,当层压第一粘合剂层131时,第一粘合剂层131的一部分可能被压入孔H中。在这种情况下,第一粘合剂层131可以凸出地突出到孔H中。然而,本公开内容不限于此。
参照图6B和图7B,其中形成有孔H的封装单元FSPM可以通过使用第一粘合剂层131接合到显示部DP。
然后,参照图6C和图7C,可以涂覆导电膏172以填充在孔H中。
例如,导电膏172可以包括银膏(silver paste)。
导电膏172可以与通过孔H暴露的阻挡层132的侧表面接触。
也可以将导电膏172涂覆在增强基板140的上表面的一部分上。
此后,参照图6D和图7D,可以将预定量的导电带171附接至封装单元FSPM的上表面。
导电带171可以附接至封装单元FSPM的上表面,以覆盖导电膏172。
在附接导电带171之前或之后,可以将散热片160附接至封装单元FSPM的上表面的一部分。阻挡层132和导电膏172可以通过导电带171电连接至散热片160。
孔H可以被定位成比散热片160更靠近有源区域AA。然而,如上所述,孔H可以被定位成比散热片160更远离有源区域AA。这将参照图8和图9进行详细描述。
图8是示意性地示出根据本公开内容的第二示例性实施方式的电致发光显示装置的平面图。
图9是沿图8中线II-II’截取的截面图。
除了孔H、导电带271和导电膏272的位置之外,根据图8和图9所示的第二示例性实施方式的电致发光显示装置200与根据图1和图2所示的第一示例性实施方式的电致发光显示装置100基本相同。因此,将省略对其的重复描述。
参照图8和图9,根据本公开内容的第二示例性实施方式的电致发光显示装置200可以包括显示部DP、封装单元FSPM、以及散热片260。电致发光显示装置200还可以包括柔性膜280。
封装单元FSPM可以被布置在显示部DP上。
封装单元FSPM可以由密封构件和增强基板组成。
散热片260可以被布置在封装单元FSPM上。然而,本公开内容不限于此。
如上所述,孔H可以形成为穿透增强基板的一部分以及密封构件的第二粘合剂层和阻挡层的一部分。
导电膏272可以被注入到孔H中,并且可以与阻挡层的侧表面接触。
根据本公开内容的第二示例性实施方式,孔H被定位成比散热片260更远离有源区域AA。在这种情况下,由于孔H的形成,散热片260与本公开内容的第一示例性实施方式相比可以被定位成更靠近有源区域AA。
导电带271也可以被定位成比散热片260更远离有源区域AA,以便将导电膏272电连接至散热片260。
焊盘175和驱动IC 176还可以被布置在散热片260上。在这种情况下,类似于散热片260,焊盘175和驱动IC 176与本公开内容的第一示例性实施方式中相比可以被定位成更靠近有源区域AA。
此外,柔性薄膜280可以附接至显示部DP的末端,以覆盖焊盘175和驱动IC 176。在这种情况下,由于焊盘175和驱动IC 176的移动,柔性膜280与本公开内容的第一示例性实施方式相比可以进一步朝向有源区AA延伸。
此外,侧表面密封剂181可以形成在显示部DP的侧表面上。
此外,可以将防潮树脂182涂覆在显示部DP与柔性薄膜280之间的接合部分上,以抑制湿气渗透。
同时,在用于形成孔H的冲压过程中,第二粘合剂层可以根据冲压方向而向上或向下流动。这将参照图10和图11进行详细描述。
图10是示意性地示出根据本公开内容的第三示例性实施方式的电致发光显示装置的截面图。
除密封构件330的配置外,根据图10所示的第三示例性实施方式的电致发光显示装置300与根据图3所示的第一示例性实施方式的电致发光显示装置100基本相同。因此,将省略对其的重复描述。
图10示出了散热片160所附接至的显示部DP的侧部的上侧的截面图的示例。为了便于描述,图10示意性地示出了有源区域AA中的像素单元125和非有源区域NA中的GIP单元126。
参照图10,封装单元FSPM可以被布置在显示部DP上。
封装单元FSPM可以由密封构件330和增强基板140组成。
散热片160可以被布置在封装单元FSPM上。然而,本公开内容不限于此。
与第一示例性实施方式和第二示例性实施方式相同,密封构件330可以包括面向基板101的第一粘合剂层331和面向增强基板140的第二粘合剂层333。此外,密封构件330可以包括被布置在第一粘合剂层331与第二粘合剂层333之间的阻挡层332。
此外,孔H可以形成为穿透增强基板140的一部分以及密封构件330的第二粘合剂层333和阻挡层332的一部分。
孔H可以通过冲压过程形成。
在本公开内容的第三示例性实施方式中,从增强基板140的上部向下执行冲压过程。在这种情况下,阻挡层332的上端的一部分可能在冲压过程期间被向下压,使得在阻挡层中形成直径大于孔H的空间。第二粘合剂层333可能向下流入该空间。因此,阻挡层332与导电膏172之间的接触面积可能减小。所述空间的形状不限于圆形,并且可以包括各种形状,只要空间的截面积大于孔H的截面积即可。
注入到孔H中的导电膏172可以与阻挡层332的侧表面接触,并且导电带171附接在导电膏172上。因此,密封构件330的阻挡层332可以电连接至导电带171。
图11是示意性地示出根据本公开内容的第四示例性实施方式的电致发光显示装置的截面图。
除了密封构件430和增强基板440的配置之外,根据图11所示的第四示例性实施方式的电致发光显示装置400与根据图3所示的第一示例性实施方式的电致发光显示装置100基本相同。因此,将省略对其的重复描述。
图11示出了散热片160所附接至的显示部DP的侧部的上侧的截面图的示例。为了便于描述,图11示意性地示出了有源区域AA中的像素单元125和非有源区域NA中的GIP单元126。
参照图11,封装单元FSPM可以被布置在显示部DP上。
封装单元FSPM可以由密封构件330和增强基板440组成。
散热片160可以被布置在封装单元FSPM上。然而,本公开内容不限于此。
与第一示例性实施方式和第二示例性实施方式一样,密封构件430可以包括面向基板101的第一粘合剂层431和面向增强基板440的第二粘合剂层433。此外,密封构件430可以包括被布置在第一粘合剂层431与第二粘合剂层433之间的阻挡层432。
此外,孔H可以形成为穿透增强基板440的一部分以及密封构件430的第二粘合剂层433和阻挡层432的一部分。
孔H可以通过冲压过程形成。
在本公开内容的第四示例性实施方式中,从阻挡层432的下部朝向增强基板440执行冲压过程。在这种情况下,增强基板440的下端的一部分可能在冲压过程期间被向上压,使得在增强基板中形成直径大于孔H的空间。第二粘合剂层433可以填充在该空间中。然而,在这种情况下,第二粘合剂层433不会向下流到阻挡层432。因此,可以抑制阻挡层432的侧表面与导电膏172之间的接触面积的减小。所述空间的形状不限于圆形,并且可以包括各种形状,只要空间的截面积大于孔H的截面积即可。
注入孔H中的导电膏172可以与阻挡层432的侧表面接触,并且导电带171附接在导电膏172上。因此,密封构件430的阻挡层432可以电连接至导电带171。
本公开内容的示例性实施方式也可以描述如下:
根据本公开内容的一方面,提供了一种电致发光显示装置。该电致发光显示装置包括被配置成显示图像的显示部、被布置在显示部上方的封装单元以及被布置在封装单元上方的散热片,其中,封装单元可以包括由第一粘合剂层、第二粘合剂层以及第一粘合剂层与第二粘合剂层之间的阻挡层组成的密封构件,在第二粘合剂层和阻挡层中形成孔,并且其中,阻挡层的侧表面可以通过注入到孔中的导电膏电连接至散热片。
第一粘合剂层的一部分可以被压入到孔中,并且凸出地突出到孔中。
第一粘合剂层和第二粘合剂层可以由具有粘合性的聚合物材料制成。
阻挡层可以由金属材料制成。
电致发光显示装置还可以包括被布置在密封构件上方的增强基板,其中,孔也可以形成在增强基板中。
增强基板可以由塑料聚合物材料制成。
导电膏可以包括银膏。
可以将导电膏涂覆在增强基板的上表面的一部分上。
电致发光显示装置还可以包括附接至封装单元的上表面以覆盖导电膏的导电带。
增强基板的下端的一部分可以被向上压,使得形成直径大于孔的空间。
第二粘合剂层可以填充在增强基板的内表面与孔之间的、直径大于孔的空间中。
显示部可以包括:包括有源区域和非有源区域的基板、被布置在基板上方的驱动元件、被布置在驱动元件上方的平坦化层以及被布置在平坦化层上方并电连接至驱动元件的发光二极管。
孔可以被定位成比散热片更靠近显示部中的用于显示图像的有源区域。
导电带可以被定位成比散热片更靠近有源区域。
孔可以被定位成比散热片更远离显示部中的用于显示图像的有源区域。
导电带可以被定位成比散热片更远离有源区域。
孔可以位于显示部中的用于显示图像的有源区域中。
电致发光显示装置还可以包括被布置在散热片上方的焊盘和驱动IC。
电致发光显示装置还可以包括附接至显示部的末端以覆盖焊盘和驱动IC的柔性膜。
电致发光显示装置还可以包括涂覆在显示部的侧表面上的密封剂以及涂覆在显示部与柔性膜之间的接合部分上的防潮树脂。
阻挡层的上端的一部分可以被向下压,使得形成直径大于孔的空间。
阻挡层和导电膏可以通过导电带电连接至散热片。
对于本领域技术人员将明显的是,在不脱离本公开内容的技术构思或范围的情况下,可以对本公开内容的显示设备进行各种修改和变化。因此,本公开内容旨在覆盖本公开内容的修改和变化,只要它们落入所附权利要求书及其等同物的范围内。

Claims (22)

1.一种电致发光显示装置,包括:
被配置成显示图像的显示部;
被布置在所述显示部上方的封装单元;以及
被布置在所述封装单元上方的散热片,
其中,所述封装单元包括:
由第一粘合剂层、第二粘合剂层以及所述第一粘合剂层与所述第二粘合剂层之间的阻挡层组成的密封构件,
其中,在所述第二粘合剂层和所述阻挡层中形成孔,以及
其中,所述阻挡层的侧表面通过注入到所述孔中的导电膏电连接至所述散热片。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述第一粘合剂层的一部分被压入到所述孔中,并且凸出地突出到所述孔中。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述第一粘合剂层和所述第二粘合剂层由具有粘合性的聚合物材料制成。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述阻挡层由金属材料制成。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,还包括:
被布置在所述密封构件上方的增强基板,
其中,所述孔也形成在所述增强基板中。
6.根据权利要求5所述的电致发光显示装置,其中,所述增强基板由塑料聚合物材料制成。
7.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述导电膏包括银膏。
8.根据权利要求5所述的电致发光显示装置,其中,所述导电膏被涂覆在所述增强基板的上表面的一部分上。
9.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,还包括:
附接至所述封装单元的上表面以覆盖所述导电膏的导电带。
10.根据权利要求5所述的电致发光显示装置,其中,所述增强基板的下端的一部分被向上压,使得形成直径大于所述孔的空间。
11.根据权利要求10所述的电致发光显示装置,其中,所述第二粘合剂层填充在所述增强基板的内表面与所述孔之间的、直径大于所述孔的所述空间中。
12.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述显示部包括:
包括有源区域和非有源区域的基板;
被布置在所述基板上方的驱动元件;
被布置在所述驱动元件上方的平坦化层;以及
发光二极管,其被布置在所述平坦化层上方并电连接至所述驱动元件。
13.根据权利要求9所述的电致发光显示装置,其中,所述孔被定位成比所述散热片更靠近所述显示部中的用于显示所述图像的有源区域。
14.根据权利要求13所述的电致发光显示装置,其中,所述导电带被定位成比所述散热片更靠近所述有源区域。
15.根据权利要求9所述的电致发光显示装置,其中,所述孔被定位成比所述散热片更远离所述显示部中的用于显示所述图像的有源区域。
16.根据权利要求15所述的电致发光显示装置,其中,所述导电带被定位成比所述散热片更远离所述有源区域。
17.根据权利要求9所述的电致发光显示装置,其中,所述孔位于所述显示部中的用于显示所述图像的有源区域中。
18.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,还包括:
被布置在所述散热片上方的焊盘和驱动IC。
19.根据权利要求18所述的电致发光显示装置,还包括:
柔性膜,其附接至所述显示部的末端,以覆盖所述焊盘和所述驱动IC。
20.根据权利要求19所述的电致发光显示装置,还包括:
涂覆在所述显示部的侧表面上的密封剂;以及
涂覆在所述显示部与所述柔性膜之间的接合部分上的防潮树脂。
21.根据权利要求5所述的电致发光显示装置,其中,所述阻挡层的上端的一部分被向下压,使得形成直径大于所述孔的空间。
22.根据权利要求9所述的电致发光显示装置,其中,所述阻挡层和所述导电膏通过所述导电带电连接至所述散热片。
CN202311135825.XA 2022-10-17 2023-09-05 电致发光显示装置 Pending CN117915724A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220133131A KR20240053250A (ko) 2022-10-17 2022-10-17 전계 발광 표시 장치
KR10-2022-0133131 2022-10-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117915724A true CN117915724A (zh) 2024-04-19

Family

ID=88017036

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311135825.XA Pending CN117915724A (zh) 2022-10-17 2023-09-05 电致发光显示装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20240130208A1 (zh)
KR (1) KR20240053250A (zh)
CN (1) CN117915724A (zh)
DE (1) DE102023125934A1 (zh)
GB (1) GB2623616A (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2144290A1 (en) * 2008-07-08 2010-01-13 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Electronic device and method of manufacturing the same
JP5673546B2 (ja) * 2009-09-30 2015-02-18 大日本印刷株式会社 熱伝導性封止部材およびエレクトロルミネッセンス素子
KR101801352B1 (ko) * 2011-01-18 2017-11-27 삼성디스플레이 주식회사 평판표시장치 및 그 제조방법
US10985345B2 (en) * 2018-09-03 2021-04-20 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device
US20220131107A1 (en) * 2020-10-27 2022-04-28 Lg Display Co., Ltd. Display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20240053250A (ko) 2024-04-24
GB202312089D0 (en) 2023-09-20
DE102023125934A1 (de) 2024-04-18
GB2623616A (en) 2024-04-24
US20240130208A1 (en) 2024-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11791253B2 (en) Display device
KR102554963B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN112863375B (zh) 显示装置
KR20240037224A (ko) 유기발광 표시장치
EP3876298A1 (en) Display device and method of fabricating the same
EP3660909A1 (en) Display apparatus
US20240130208A1 (en) Electroluminescent display device
KR20190004008A (ko) 표시장치
KR102471936B1 (ko) 플렉서블 표시장치 및 그의 제조방법
KR102150839B1 (ko) 표시 장치
TW202418535A (zh) 電致發光顯示裝置
US20240164185A1 (en) Electroluminescent display device
US20240099107A1 (en) Electroluminescent display device
TW202423268A (zh) 電致發光顯示裝置
CN216015370U (zh) 显示设备
US20240212554A1 (en) Display device
US20230199990A1 (en) Display panel
US20240023412A1 (en) Electroluminescent display device
US20240160250A1 (en) Display apparatus
US20230217683A1 (en) Display panel
JP2024042665A (ja) 電界発光表示装置
CN116367642A (zh) 显示面板及包括该显示面板的显示装置
KR20230101260A (ko) 표시 장치
CN116363943A (zh) 显示面板
CN118284238A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination