CN117894722A - 基底处理设备和基底处理方法 - Google Patents

基底处理设备和基底处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117894722A
CN117894722A CN202311157507.3A CN202311157507A CN117894722A CN 117894722 A CN117894722 A CN 117894722A CN 202311157507 A CN202311157507 A CN 202311157507A CN 117894722 A CN117894722 A CN 117894722A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
carrier
adapter region
load port
transfer robot
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202311157507.3A
Other languages
English (en)
Inventor
安秉仁
金泰容
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN117894722A publication Critical patent/CN117894722A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769—Storage means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67775—Docking arrangements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2865—Holding devices, e.g. chucks; Handlers or transport devices
    • G01R31/2867—Handlers or transport devices, e.g. loaders, carriers, trays
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2879—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to electrical aspects, e.g. to voltage or current supply or stimuli or to electrical loads
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2893—Handling, conveying or loading, e.g. belts, boats, vacuum fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

提供了一种能够提高装备的利用率并使装备的占用空间最小化的基底处理设备和基底处理方法，该基底处理设备包括：装载端口模块，装载端口模块装载有第一载具，第一基底存放在第一载具中；传送机器人，传送机器人用于从第一载具传送第一基底；第一适配器区域，第一适配器区域用于临时存放由传送机器人传送的第一基底；第二适配器区域，第二适配器区域用于在从装载端口模块卸载了第一载具之后，临时存放由传送机器人从装载到装载端口模块上的第二载具传送的第二基底；以及控制器，控制器用于向传送机器人施加第一基底传送控制信号以将被临时存放在第一适配器区域中并且完成了处理的第一基底存放在空的第二载具中。

Description

基底处理设备和基底处理方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年10月13日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0131691号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种基底处理设备和基底处理方法，并且，更具体地，涉及一种因为通过使用嵌入式双适配器而利用一个装载端口模块执行双装载器的功能，所以能够提高装备的利用率并使装备的占用空间最小化的基底处理设备和基底处理方法。
背景技术
通常，用于对诸如晶片的基底执行电测试处理的探针装备可以包括例如装载有诸如盒(cassette)的载具的装载端口模块、前开式晶片传送盒(FOUP)或前开口装运箱(FOSB)、用于从装载端口模块传送基底的传送机器人、以及用于通过使用具有多个探针的探针卡对传送的基底执行电测试处理的测试模块。
现有的探针装备使用所谓的回到原位方法(come back home method)进行操作，通过所述方法，存放在装载到装载端口模块上的第一载具中的第一基底在测试完成之后返回到第一载具。
然而，根据回到原位的探针设备，因为载具必须停留在装载端口模块上直到最初存放在载具中的基底返回到载具，所以可能发生严重的载具拥塞，并且因而可能大大地降低生产率。即使当使用包括两个或更多个装载端口模块以装载两个或更多个载具的所谓双装载器来解决上述问题时，可能引起其它问题。例如，装备的占用空间可能增加、由于安装了额外的装载端口模块而可能使成本显著增加、使用的载具的数量可能大大地增加，并且基底的内部传送路径(即装载和卸载路径)可能非常复杂。
发明内容
本发明提供了一种基底处理设备和基底处理方法，所述基底处理设备和所述基底处理方法因为基底返回到除最初存放基底的载具之外的下一载具并且通过使用嵌入式双适配器而利用一个装载端口模块来执行双装载器的功能，所以能够提高装备的利用率并使装备的占用空间最小化。然而，以上描述仅仅是示例，并且本发明的范围不限于此。
根据本发明的一方面，提供了一种基底处理设备，该基底处理设备包括：装载端口模块，装载端口模块装载有第一载具，第一基底存放在第一载具中；传送机器人，传送机器人用于从第一载具传送第一基底；第一适配器区域，第一适配器区域用于临时存放由传送机器人传送的第一基底；第二适配器区域，第二适配器区域用于在从装载端口模块卸载了第一载具之后，临时存放由传送机器人从装载到装载端口模块上的第二载具传送的第二基底；以及控制器，控制器用于向传送机器人施加第一基底传送控制信号，以将被临时存放在第一适配器区域中并且完成了处理的第一基底存放在空的第二载具中。
在从装载端口模块卸载了第二载具之后，控制器可以向传送机器人施加第三基底传送控制信号以将第三基底从装载到装载端口模块上的第三载具传送到空的第一适配器区域。
控制器可以向传送机器人施加第二基底传送控制信号以将被临时存放在第二适配器区域中并且完成了处理的第二基底存放在空的第三载具中。
在从装载端口模块卸载了第二载具并且再次装载了空的第一载具之后，控制器可以向传送机器人施加第二基底传送控制信号以将被临时存放在第二适配器区域中并且完成了处理的第二基底传送到第一载具。
装载端口模块可以是一次仅装载有一个载具以减小装备的占用空间的单个装载端口模块。
传送机器人可以从安置在装载端口模块上的第一载具的高度上升或下降到第一适配器区域的高度或第二适配器区域的高度。
第一适配器区域和第二适配器区域可以设置在竖直方向上以减小装备的占用空间。
基底处理设备可以进一步包括测试模块，测试模块用于通过使用具有多个探针的探针卡对基底执行电测试处理。
传送机器人可以将存放在第一适配器区域中的第一基底传送到测试模块，并将完成了测试处理的第一基底存放回第一适配器区域中，或者传送机器人将存放在第二适配器区域中的第二基底传送到测试模块，并将完成了测试处理的第二基底存放回第二适配器区域中。
第一基底或第二基底可以是晶片，并且第一载具或第二载具可以包括盒、前开式晶片传送盒(FOUP)以及前开口装运箱(FOSB)中的至少一个。
第一适配器区域可以存放数量大于或等于存放在第一载具中的第一基底的最大数量的基底。
第一适配器区域可以通过旋转装置旋转或者通过提升装置上升。
根据本发明的另一方面，提供了一种基底处理方法，所述该基底处理方法包括：步骤(a)：第一次将存放有第一基底的第一载具装载到装载端口模块上；步骤(b)：由传送机器人将第一基底从第一载具传送到第一适配器区域；步骤(c)：从装载端口模块卸载第一载具；步骤(d)：第二次将存放有第二基底的第二载具装载到装载端口模块上；步骤(e)：由传送机器人将第二基底从第二载具传送到第二适配器区域；以及步骤(f)：由传送机器人将第一适配器区域中的完成了处理的第一基底传送到空的第二载具。
基底处理方法可以进一步包括：步骤(g)：从装载端口模块卸载第二载具；步骤(h)：第三次将存放有第三基底的第三载具装载到装载端口模块上；以及步骤(i)：在步骤(f)之后，由传送机器人将第三基底从第三载具传送到空的第一适配器区域。
基底处理方法可以进一步包括：步骤(j)：在步骤(i)之后，由传送机器人将第二适配器区域中的完成了处理的第二基底传送到空的第三载具。
基底处理方法可以进一步包括：步骤(k)：从装载端口模块卸载第二载具；步骤(l)：将空的第一载具再次装载到装载端口模块上；以及步骤(m)：在步骤(f)之后，由传送机器人将第二适配器区域中的完成了处理的第二基底传送到第一载具。
在步骤(b)中，传送机器人可以从安置在装载端口模块上的第一载具的高度上升或下降到第一适配器区域的高度，并且在步骤(e)中，传送机器人可以从安置在装载端口模块上的第二载具的高度上升或下降到第二适配器区域的高度。
基底处理方法可以进一步包括：步骤(n)：在步骤(b)之后，由测试模块通过使用具有多个探针的探针卡对第一适配器区域中的第一基底执行电测试处理。
在步骤(n)中，传送机器人可以将存放在第一适配器区域中的第一基底传送到测试模块，并且将完成了测试处理的第一基底存放回第一适配器区域中。
根据本发明的另一方面，提供了一种基底处理设备，该基底处理设备包括：装载端口模块，装载端口模块装载有第一载具，第一基底存放在第一载具中；传送机器人，传送机器人用于从第一载具传送第一基底；第一适配器区域，第一适配器区域用于临时存放由传送机器人传送的第一基底；第二适配器区域，第二适配器区域用于在从装载端口模块卸载了第一载具之后，临时存放由传送机器人从装载到装载端口模块上的第二载具传送的第二基底；以及控制器，控制器用于将第一基底传送控制信号施加到传送机器人，以将被临时存放在第一适配器区域中并且完成了处理的第一基底存放在空的第二载具中，其中：在从装载端口模块卸载了第二载具之后，控制器向传送机器人施加第三基底传送控制信号，以将第三基底从装载到装载端口模块上的第三载具传送到空的第一适配器区域；并且控制器向传送机器人施加第二基底传送控制信号，以将被临时存放在第二适配器区域中并且完成了处理的第二基底存放在空的第三载具中；或者在从装载端口模块卸载了第二载具并且再次装载了空的第一载具之后，控制器向传送机器人施加第二基底传送控制信号以将被临时存放在第二适配器区域中并且完成了处理的第二基底传送到第一载具。
附图说明
通过参考附图详细地描述本发明的实施例，本发明的上述及其它特征和优点将变得更加明显，在附图中：
图1是根据本发明的一些实施例的基底处理设备的外部透视图；
图2是图1的基底处理设备的水平截面图；
图3是图1的基底处理设备的竖直截面图；
图4至图11是逐步示出了图1的基底处理设备的操作的侧视截面图；
图12是根据本发明的一些实施例的基底处理方法的流程图；
图13是根据本发明的其它实施例的基底处理方法的流程图；
图14是根据本发明的其它实施例的基底处理方法的流程图；以及
图15是根据本发明的其它实施例的基底处理方法的流程图。
具体实施方式
在下文中，将通过参考附图解释本发明的实施例来详细地描述本发明。
然而，本发明可以以许多不同的形式体现并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域普通技术人员充分传达本发明的构思。在附图中，为了清楚和便于说明起见，夸大了层的厚度或尺寸。
本文中所使用的术语是为了描述特定实施例的目的，并非旨在限制本发明。除非上下文另有明确指示，否则如本文中所使用的单数形式”一”、”一个”以及“所述(该)”也旨在包括复数形式。将进一步理解的是，术语“包括(comprises)”和/或“包含(comprising)”当在本说明书中使用时指定存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在本文中参考本发明的理想化实施例(及中间结构)的示意性图示来描述本发明的实施例。因而，可以预料到由于例如制造技术和/或公差而导致的图示形状的变化。因此，本发明的实施例不必被解释为限于本文中示出的区域的特定形状，而是包括由例如制造所导致的形状偏差。
图1是根据本发明的一些实施例的基底处理设备100的外部透视图，图2是图1的基底处理设备的水平截面图，图3是图1的基底处理设备100的竖直截面图，并且图4是图1的基底处理设备100的操作的侧视截面图。
最初，如图1至图4中所示，根据本发明的一些实施例的基底处理设备100可以主要包括装载端口模块10、传送机器人20、双适配器、控制器30以及测试模块40。
例如，装载端口模块10可以是这样的模块，在该模块上，第一次装载其中存放有第一基底W1的第一载具C1，并且提供有与第一载具C1的底表面相对应的装载端口台(loadport stage)以及与第一载具C1的可打开式前表面相对应的挡板(shutter)。
具体地，例如，装载端口模块10可以是一次仅装载有一个载具以减小装备的占用空间的单个装载端口模块。
然而，装载端口模块10不限于单个装载端口模块并且可以使用双装载端口模块或多装载端口模块。
因此，可以通过使用装载端口模块10将存放基底的载具一个接一个地装载到设备上以及从设备上卸载。
例如，传送机器人20可以是一种能够将第一基底W1从第一载具C1传送到双适配器或测试模块40的传送装置，并且可以安装在装载端口模块10与双适配器之间或者安装在装载端口模块10与测试模块40之间。
传送机器人20不限于图示，并且可以使用通过使用传送臂等能够使基底从底表面上升并将底表面传送到期望位置的各种类型的机器人或传送装置中的任何一种。
例如，双适配器可以是在设备内部的一种缓冲器或台结构，所述缓冲器或台结构具有用于存放被存放在两个或更多个载具中的所有基底的容量。
例如，当每个载具中存放多达25个基底时，双适配器可以具有用于存放50个或更多个的容量。
具体地，双适配器可以包括：第一适配器区域A，第一适配器区域A第一次临时存放由传送机器人20传送的第一基底W1；以及第二适配器区域B，第二适配器区域B在从装载端口模块10卸载了第一载具C1之后，第二次临时存放由传送机器人20从第二次装载到装载端口模块10上的第二载具C2传送的第二基底W2。
在本文中，第一适配器区域A和第二适配器区域B可以一体地提供于一个主体(body)中或者安装在独立的多个主体中，并且可以单独地或者一起地通过旋转装置50旋转或者通过提升装置60上升。
例如，第一适配器区域A可以存放数量大于或等于存放在第一载具C1中的第一基底W1的最大数量的基底，并且第二适配器区域B可以存放数量大于或等于存放在第二载具C2中的第二基底W2的最大数量的基底。例如，当在每个载具中存放多达25个基底时，第一适配器区域A可以具有用于存放25个基底或更多个基底的容量，并且第二适配器区域B也可以具有用于存放25个基底或更多个基底的容量。
因此，当使用双适配器时，在将存放在装载到装载端口模块10上的第一载具C1中的所有第一基底W1传送到第一适配器区域A之后，可以从装载端口模块10卸载第一载具C1，并且此后可以将第二载具C2装载到装载端口模块10上，并且可以将存放在第二载具C2中的所有第二基底W2传送到第二适配器区域B。
例如，控制器30可以是能够向装载端口模块10、传送机器人20、双适配器和测试模块40施加控制信号并对它们进行控制的各种控制装置(例如，控制电路、控制板、算术单元、中央处理单元、安装有程序的存储装置、微处理器、集成电路、半导体芯片、电子组件、控制面板、电子通信终端、智能电话、智能平板、计算机、服务器计算机以及智能装置)中的任何一种。
具体地，例如，控制器30可以向传送机器人20施加第一基底传送控制信号，以将被临时存放在第一适配器区域A中并且完成了处理的第一基底W1存放在空的第二载具C2中。
例如，在从装载端口模块10卸载了第二载具C2之后，控制器30可以向传送机器人20施加第三基底传送控制信号以将第三基底W3从第三次装载到装载端口模块10上的第三载具C3传送到空的第一适配器区域A。
例如，控制器30可以向传送机器人20施加第二基底传送控制信号以将被临时存放在第二适配器区域B中并且完成了处理的第二基底W2存放在空的第三载具C3中。
例如，在从装载端口模块10卸载了第二载具C2并且再次装载了空的第一载具C1之后，控制器30可以向传送机器人20施加第二基底传送控制信号以将被临时存放在第二适配器区域B中并且完成了处理的第二基底W2传送到第一载具C1。
由控制器30控制的传送机器人20可以从安置在装载端口模块10上的第一载具C1的高度上升或下降到第一适配器区域A的高度或第二适配器区域B的高度。
在本文中，第一适配器区域A和第二适配器区域B可以设置在竖直方向上以减小装备的占用空间。
同时，例如，测试模块40可以是用于通过使用具有多个探针41的探针卡42对基底执行电测试处理的测试装置。
因此，传送机器人20可以将存放在第一适配器区域A中的第一基底W1传送到测试模块40，并且将完成了测试处理的第一基底存放回第一适配器区域A中，或者传送机器人20将存放在第二适配器区域B中的第二基底W2传送到测试模块40，并且将完成了测试处理的第二基底W2存放回第二适配器区域B中。
在本文中，例如，第一基底W1、第二基底W2和第三基底W3可以是晶片，并且第一载具C1、第二载具C2和第三载具C3可以包括盒、前开式晶片传送盒(FOUP)和前开口装运箱(FOSB)中的至少一个。
图4至图11是逐步示出了图1的基底处理设备100的操作的侧视截面图。
现在将参考图4至图11逐步详细地描述根据本发明的一些实施例的基底处理设备100的操作。最初，如图4中所示，可以第一次将其中存放有第一基底W1的第一载具C1装载到装载端口模块10上。
在这种情况下，第一适配器区域A和第二适配器区域B两者可以是空的。
此后，如图5中所示，传送机器人20可以将第一基底W1从第一载具C1传送到第一适配器区域A。
在这种情况下，可以使传送机器人20从安置在装载端口模块10上的第一载具C1的高度上升或下降到第一适配器区域A的高度以传送第一基底W1。
在本文中，尽管在附图中第一适配器区域A安装在上侧处并且第二适配器区域B安装在下侧处，但是第一适配器区域A和第二适配器区域B不限于此，并且可以以各种方式安装。例如，第一适配器区域A可以安装在下侧处并且第二适配器区域B可以安装在上侧处。
此时，如图3中所示，可以开始第一测试模式。传送机器人20可以将第一适配器区域A中的第一基底W1传送到测试模块40，并且测试模块40可以通过使用具有多个探针41的探针卡42对第一适配器区域A中的第一基底W1执行电测试处理。
此后，如图6中所示，可以从装载端口模块10卸载空的第一载具C1，并且可以第二次将其中存放有第二基底W2的新的第二载具C2装载到装载端口模块10上。
此后，如图7中所示，传送机器人20可以将第二基底W2从第二载具C2传送到第二适配器区域B。
在这种情况下，可以使传送机器人20从安置在装载端口模块10上的第二载具C2的高度上升或下降到第二适配器区域B的高度以传送第二基底W2。
此时，如图3中所示，可以开始第二测试模式。传送机器人20可以将第二适配器区域B中的第二基底W2传送到测试模块40，并且测试模块40可以通过使用具有多个探针41的探针卡42对第二适配器区域B中的第二基底W2执行电测试处理。
在本文中，传送机器人20可以将存放在第一适配器区域A中的第一基底W1传送到测试模块40，并且将完成了测试处理的第一基底W1存放回第一适配器区域A中。
此后，如图8中所示，传送机器人20可以将第一适配器区域A中的完成了处理的第一基底W1传送到空的第二载具C2。
也就是说，对其完成了测试的第一基底W1可以不原位地回到最初存放它们的第一载具C1，而是存放在新的第二载具C2中。
此后，如图9中所示，可以从装载端口模块10卸载第二载具C2，并且可以第三次将其中存放有第三基底W3的新的第三载具C3装载到装载端口模块10上。
此后，如图10中所示，传送机器人20可以将第三基底W3从第三载具C3传送到空的第一适配器区域A。
此后，如图11中所示，传送机器人20可以将第二适配器区域B中的完成了处理的第二基底W2传送到空的第三载具C3。
因此，尽管最初的第一载具C1可以是空的，但是第一基底W1可以最终存放在第二载具C2中，并且第二基底W2可以最终存放在第三载具C3中，并且可以在随后处理中重复上述过程。
同时，当载具尺寸和基底尺寸需要匹配时，如图9中所示，在从装载端口模块10卸载了第二载具C2之后，可以将空的第一载具C1装载到装载端口模块10上。
因而，传送机器人20可以将第二适配器区域B中的完成了处理的第二基底W2传送到第一载具C1。
也就是说，在这种情况下，第二基底W2可以最终被存放在第一载具C1中，并且第一基底W1可以最终被存放在第二载具C2中。
因此，根据本发明，因为基底返回到除最初存放基底的载具之外的下一载具，并且通过使用嵌入式双适配器而利用一个装载端口模块10来执行双装载器的功能，所以可以提高装备的利用率，可以使装备的占用空间最小化，可以防止载具拥塞以大大地提高生产率，可以防止由于安装附加模块而造成的成本浪费，可以减少所使用的载具的数量，并且可以使基底的内部传送路径(即装载和卸载路径)简单化。
图12是根据本发明的一些实施例的基底处理方法的流程图。
如图1至图12中所示，根据本发明的一些实施例的基底处理方法可以包括：步骤(a)：第一次将存放有第一基底W1的第一载具C1装载到装载端口模块10上；步骤(b)：由传送机器人20将第一基底W1从第一载具C1传送到第一适配器区域A；步骤(n)：由测试模块40通过使用具有多个探针41的探针卡42对第一适配器区域A中的第一基底W1执行电测试处理；步骤(c)：从装载端口模块10卸载第一载具C1；步骤(d)：第二次将存放有第二基底W2的第二载具C2装载到装载端口模块10上；步骤(e)：由传送机器人20将第二基底W2从第二载具C2传送到第二适配器区域B；步骤(f)：由传送机器人20将第一适配器区域A中的完成了处理的第一基底W1传送到空的第二载具C2；步骤(g)：从装载端口模块10卸载第二载具C2；步骤(h)：第三次将存放有第三基底W3的第三载具C3装载到装载端口模块10上；步骤(i)：由传送机器人20将第三基底W3从第三载具C3传送到空的第一适配器区域A；以及步骤(j)：由传送机器人20将第二适配器区域B中的完成了处理的第二基底W2传送到空的第三载具C3。
在本文中，例如，在步骤(b)中，可以使传送机器人20从安置在装载端口模块10上的第一载具C1的高度上升或下降到第一适配器区域A的高度，并且在步骤(e)中，可以使传送机器人20从安置在装载端口模块10上的第二载具C2的高度上升或者下降到第二适配器区域B的高度。
例如，在步骤(n)中，传送机器人20可以将存放在第一适配器区域A中的第一基底W1传送到测试模块40，并且将完成了测试处理的第一基底W1存放回第一适配器区域A中。
图13是根据本发明的其它实施例的基底处理方法的流程图。
如图1至图13中所示，根据本发明的其它实施例的基底处理方法可以包括：步骤(a)：第一次将存放有第一基底W1的第一载具C1装载到装载端口模块10上；步骤(b)：由传送机器人20将第一基底W1从第一载具C1传送到第一适配器区域A；步骤(n)：由测试模块40通过使用具有多个探针41的探针卡42对第一适配器区域A中的第一基底W1执行电测试处理；步骤(c)：从装载端口模块10卸载第一载具C1；步骤(d)：第二次将存放有第二基底W2的第二载具C2装载到装载端口模块10上；步骤(e)：由传送机器人20将第二基底W2从第二载具C2传送到第二适配器区域B；步骤(f)：由传送机器人20将第一适配器区域A中的完成了处理的第一基底W1传送到空的第二载具C2；步骤(k)：从装载端口模块10卸载第二载具C2；步骤(l)：将空的第一载具C1再次装载到装载端口模块10上；以及步骤(m)：由传送机器人20将第二适配器区域B中的完成了处理的第二基底W2传送到第一载具C1。
图14是根据本发明的其它实施例的基底处理方法的流程图。
如图14中所示，最初，盒1(或第一载具)可以被装载到装载端口模块(LPM)上(S101)，并且盒1中的晶片(或第一基底)可以被传送到第一适配器A(或第一适配器区域)(S102)。
此后，可以确定晶片是否是第一适配器A中的第一晶片(S103)。当晶片不是第一晶片时，可以确定所有晶片是否被传送到第一适配器A(S104)。当晶片是第一晶片时，可以在台(或测试模块)上执行处理(测试)(S105)。当传送了所有晶片时，可以终止对盒1(或第一载具)中的晶片(或第一基底)的传送(S106)。
此后，可以卸载盒1(或第一载具)并且此后可以装载盒2(或第二载具)(S107)，并且可以将盒2中的晶片(或第二基底)传送到第二适配器B(或第二适配器区域)(S108)。
此后，可以确定盒2(或第二载具)中的所有晶片(或第二基底)是否被传送到第二适配器B(S109)，并且可以终止对盒2(或第二载具)中的晶片(或第二基底)的传送(S110)。
此后，可以将第一适配器A中的完成了测试的晶片(或第一基底)传送到盒2(或第二载具)(S111)。
随后，可以确定第一适配器A中的所有晶片(或第一基底)是否被传送到盒2(或第二载具)(S112)，并且可以终止向盒2(或第二载具)的传送，并且此后可以卸载盒2(或第二载具)(S113)。
此后，可以卸载盒2(或第二载具)并且此后可以装载盒3(或第三载具)(S114)，并且可以将盒3中的晶片(或第三基底)传送到第一适配器A(S115)。
此后，可以确定盒3(或第三载具)中的所有晶片(或第三基底)是否被传送到第一适配器A(S116)，并且可以终止对盒3(或第三载具)中的晶片(或第三基底)的传送(S117)。
此后，可以将第二适配器B中的完成了测试的晶片(或第二基底)传送到盒3(或第三载具)(S118)。
随后，可以确定第二适配器B中的所有晶片(或第二基底)是否被传送到盒3(或第三载具)(S119)，并且可以终止向盒3(或第三载具)的传送，并且此后可以卸载盒3(或第三载具)(S120)。
此后，可以重复上述过程直到盒n(S121)，并且当批次结束事件(lot end event)发生时终止(S122)。
图15是根据本发明的其它实施例的基底处理方法的流程图。
如图15中所示，最初，盒1(或第一载具)可以被装载到装载端口模块(LPM)上(S201)，并且盒1中的晶片(或第一基底)可以被传送到第一适配器A(S202)。
此后，可以确定晶片是否是第一适配器A中的第一晶片(S203)。当晶片不是第一晶片时，可以确定所有晶片是否被传送到第一适配器A(S204)。当晶片是第一晶片时，可以在台(或测试模块)上执行处理(测试)(S205)。当传送了所有晶片时，可以终止对盒1(或第一载具)中的晶片(或第一基底)的传送(S206)。
此后，可以卸载盒1(或第一载具)并且此后可以装载盒2(或第二载具)(S207)，并且可以将盒2中的晶片(或第二基底)传送到第二适配器B(或第二适配器区域)(S208)。
此后，可以确定盒2(或第二载具)中的所有晶片(或第二基底)是否被传送到第二适配器B(S209)，并且可以终止对盒2(或第二载具)中的晶片(或第一基底)的传送(S210)。
此后，可以卸载盒2(或第二载具)(S211)。
此后，可以再次装载盒1(或第一载具)(S212)，并且可以将第一适配器A中的完成了测试的晶片(或第一基底)传送到盒1(或第一载具)(S213)。
随后，可以确定第一适配器A中的所有晶片(或第一基底)是否被传送到盒1(或第一载具)(S214)，并且可以终止向盒1(或第一载具)的传送，并且此后可以卸载盒1(或第一载具)(S215)。
此后，可以卸载盒1(或第一载具)，并且此后可以装载盒3(或第三载具)(S216)，并且可以将盒3中的晶片(或第三基底)传送到第一适配器A(S217)。
此后，可以确定盒3(或第三载具)中的所有晶片(或第三基底)是否被传送到第一适配器A(S218)，并且可以终止对盒3(或第三载具)中的晶片(或第三基底)的传送(S219)。
此后，可以卸载盒3(或第三载具)(S220)。
此后，可以再次装载盒2(或第二载具)(S221)，并且可以将第二适配器B中的完成了测试的晶片(或第二基底)传送到盒2(或第二载具)(S222)。
随后，可以确定第二适配器B中的所有晶片(或第二基底)是否被传送到盒2(或第二载具)(S223)，并且可以终止向盒2(或者第二载具)的传送，并且此后可以卸载盒2(或第二载具)(S224)。
此后，可以重复上述过程直到盒n(S225)，并且当批次结束事件发生时终止(S226)。
根据本发明的上述实施例，因为基底返回到除最初存放基底的载具之外的下一载具，并且通过使用嵌入式双适配器而利用一个装载端口模块来执行双装载器的功能，所以可以提高装备的利用率，可以使装备的占用空间最小化，可以防止载具拥塞以大大地提高生产率，可以防止由于安装附加模块而造成的成本浪费，可以减少所使用的载具的数量，并且可以使基底的内部传送路径(即装载和卸载路径)简单化。然而，本发明的范围不限于上述效果。
虽然已经参考本发明的实施例具体地示出并描述了本发明，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以在文中做出形式和细节上的各种变化。

Claims (20)

1.一种基底处理设备，包括：
装载端口模块，所述装载端口模块装载有第一载具，第一基底存放在所述第一载具中；
传送机器人，所述传送机器人用于从所述第一载具传送所述第一基底；
第一适配器区域，所述第一适配器区域用于临时存放由所述传送机器人传送的所述第一基底；
第二适配器区域，所述第二适配器区域用于在从所述装载端口模块卸载了所述第一载具之后，临时存放由所述传送机器人从装载到所述装载端口模块上的第二载具传送的第二基底；以及
控制器，所述控制器用于向所述传送机器人施加第一基底传送控制信号，以将被临时存放在所述第一适配器区域中并且完成了处理的所述第一基底存放在空的所述第二载具中。
2.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，在从所述装载端口模块卸载了所述第二载具之后，所述控制器向所述传送机器人施加第三基底传送控制信号，以将第三基底从装载到所述装载端口模块上的第三载具传送到空的所述第一适配器区域。
3.根据权利要求2所述的基底处理设备，其中，所述控制器向所述传送机器人施加第二基底传送控制信号以将被临时存放在所述第二适配器区域中并且完成了处理的所述第二基底存放在空的所述第三载具中。
4.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，在从所述装载端口模块卸载了所述第二载具并且再次装载了空的所述第一载具之后，所述控制器向所述传送机器人施加第二基底传送控制信号，以将被临时存放在所述第二适配器区域中并且完成了处理的所述第二基底传送到所述第一载具。
5.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，所述装载端口模块是一次仅装载有一个载具以减小装备的占用空间的单个装载端口模块。
6.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，所述传送机器人从安置在所述装载端口模块上的所述第一载具的高度上升或下降到所述第一适配器区域的高度或所述第二适配器区域的高度。
7.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，所述第一适配器区域和所述第二适配器区域设置在竖直方向上以减小装备的占用空间。
8.根据权利要求1所述的基底处理设备，进一步包括测试模块，所述测试模块用于通过使用具有多个探针的探针卡对所述基底执行电测试处理。
9.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，所述传送机器人将存放在所述第一适配器区域中的所述第一基底传送到所述测试模块，并将完成了测试处理的所述第一基底存放回所述第一适配器区域中，或者所述传送机器人将存放在所述第二适配器区域中的所述第二基底传送到所述测试模块，并将完成了测试处理的所述第二基底存放回所述第二适配器区域中。
10.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，所述第一基底或所述第二基底是晶片，并且
其中，所述第一载具或所述第二载具包括盒、前开式晶片传送盒(FOUP)以及前开口装运箱(FOSB)中的至少一个。
11.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，所述第一适配器区域存放数量大于或等于存放在所述第一载具中的第一基底的最大数量的基底。
12.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，所述第一适配器区域通过旋转装置旋转或者通过提升装置上升。
13.一种基底处理方法，包括：
步骤(a)：第一次将存放有第一基底的第一载具装载到装载端口模块上；
步骤(b)：由传送机器人将所述第一基底从所述第一载具传送到第一适配器区域；
步骤(c)：从所述装载端口模块卸载所述第一载具；
步骤(d)：第二次将存放有第二基底的第二载具装载到所述装载端口模块上；
步骤(e)：由所述传送机器人将所述第二基底从所述第二载具传送到第二适配器区域；以及
步骤(f)：由所述传送机器人将所述第一适配器区域中的完成了处理的所述第一基底传送到空的所述第二载具。
14.根据权利要求13所述的基底处理方法，进一步包括：
步骤(g)：从所述装载端口模块卸载所述第二载具；
步骤(h)：第三次将存放有第三基底的第三载具装载到所述装载端口模块上；以及
步骤(i)：在步骤(f)之后，由所述传送机器人将所述第三基底从所述第三载具传送到空的所述第一适配器区域。
15.根据权利要求14所述的基底处理方法，进一步包括步骤(j)：在步骤(i)之后，由所述传送机器人将所述第二适配器区域中的完成了处理的所述第二基底传送到空的所述第三载具。
16.根据权利要求13所述的基底处理方法，进一步包括：
步骤(k)：从所述装载端口模块卸载所述第二载具；
步骤(l)：将空的所述第一载具再次装载到所述装载端口模块上；以及
步骤(m)：在步骤(f)之后，由所述传送机器人将所述第二适配器区域中的完成了处理的所述第二基底传送到所述第一载具。
17.根据权利要求13所述的基底处理方法，其中，在步骤(b)中，所述传送机器人从安置在所述装载端口模块上的所述第一载具的高度上升或下降到所述第一适配器区域的高度，并且
其中，在步骤(e)中，所述传送机器人从安置在所述装载端口模块上的所述第二载具的高度上升或下降到所述第二适配器区域的高度。
18.根据权利要求13所述的基底处理方法，进一步包括步骤(n)：在步骤(b)之后，由测试模块通过使用具有多个探针的探针卡对所述第一适配器区域中的所述第一基底执行电测试处理。
19.根据权利要求18所述的基底处理方法，其中，在步骤(n)中，所述传送机器人将存放在所述第一适配器区域中的所述第一基底传送到所述测试模块，并且将完成了测试处理的所述第一基底存放回所述第一适配器区域中。
20.一种基底处理设备，包括：
装载端口模块，所述装载端口模块装载有第一载具，第一基底存放在所述第一载具中；
传送机器人，所述传送机器人用于从所述第一载具传送所述第一基底；
第一适配器区域，所述第一适配器区域用于临时存放由所述传送机器人传送的所述第一基底；
第二适配器区域，所述第二适配器区域用于在从所述装载端口模块卸载了所述第一载具之后，临时存放由所述传送机器人从装载到所述装载端口模块上的第二载具传送的第二基底；以及
控制器，所述控制器用于将第一基底传送控制信号施加到所述传送机器人，以将被临时存放在所述第一适配器区域中并且完成了处理的所述第一基底存放在空的所述第二载具中，
其中：
在从所述装载端口模块卸载了所述第二载具之后，所述控制器向所述传送机器人施加第三基底传送控制信号，以将第三基底从装载到所述装载端口模块上的第三载具传送到空的所述第一适配器区域；并且
所述控制器向所述传送机器人施加第二基底传送控制信号，以将被临时存放在所述第二适配器区域中并且完成了处理的所述第二基底存放在空的所述第三载具中；或者
在从所述装载端口模块卸载了所述第二载具并且再次装载空的所述第一载具之后，所述控制器向所述传送机器人施加第二基底传送控制信号以将被临时存放在所述第二适配器区域中并且完成了处理的所述第二基底传送到所述第一载具。
CN202311157507.3A 2022-10-13 2023-09-08 基底处理设备和基底处理方法 Pending CN117894722A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220131691A KR20240051699A (ko) 2022-10-13 2022-10-13 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR10-2022-0131691 2022-10-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117894722A true CN117894722A (zh) 2024-04-16

Family

ID=90626882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311157507.3A Pending CN117894722A (zh) 2022-10-13 2023-09-08 基底处理设备和基底处理方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240128111A1 (zh)
KR (1) KR20240051699A (zh)
CN (1) CN117894722A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20240051699A (ko) 2024-04-22
US20240128111A1 (en) 2024-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9022046B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method for successively processing a plurality of substrates
KR101666227B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
US6257827B1 (en) Apparatus and method for transporting substrates
US20050220576A1 (en) Substrate manufacturing apparatus and substrate transfer module used therein
KR101295494B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20110082579A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
KR102552935B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20100086952A (ko) 도포, 현상 장치
JP3971601B2 (ja) 基板受渡装置および基板処理装置
JP2008511142A5 (zh)
US8292563B2 (en) Nonproductive wafer buffer module for substrate processing apparatus
CN106486403B (zh) 基板处理装置和基板输送方法
US20060182560A1 (en) Substrate processing apparatus
JP2017112252A (ja) 基板整列方法、基板受取方法、基板液処理方法、基板整列装置、基板受取装置、基板液処理装置、及び基板処理システム
EP1132947A2 (en) Fabrication system with extensible equipment sets
KR101215712B1 (ko) 기판 처리 장치
US9022232B2 (en) Wafer stocker
CN117894722A (zh) 基底处理设备和基底处理方法
KR101399223B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20050034139A (ko) 기판세정장치 및 그 방법
JP5421043B2 (ja) 基板処理装置及びこれを備えた基板処理システム
JP4229497B2 (ja) 基板処理装置および基板の処理方法
US20070231763A1 (en) Vertical Type of Thermal Processing Apparatus and Method of Using the Same
US20080124192A1 (en) Relay Station And Substrate Processing System Using Relay Station
JP2743274B2 (ja) 基板処理装置および基板搬送装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication