CN117835763A - 光电器件的制备方法及其驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供光电器件的制备方法及其驱动方法，涉及显示技术领域。光电器件的制备方法包括：提供预制器件；在第一预设时间段内，利用第一脉冲电压驱动所述预制器件；以及在第二预设时间段内，利用紫外光照射所述预制器件，以得到光电器件。通过该制备方法制备出的光电器件的响应时间短。

Description

光电器件的制备方法及其驱动方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及光电器件的制备方法及其驱动方法。

背景技术

光电器件是一类具有重要应用价值的器件，常见的光电器件包括发光二极管、太阳能电池以及光电探测器，具有广阔发展前景。

但光电器件存在响应时间的问题，即光电器件从开始输出功率到输出额定功率需要一段时间的延迟。以LED为例，LED的发光效率已经达到商业化的需求，然而，LED器件在电驱动的过程中，每次点亮前可能存在较长的响应时间，在对应于响应时间的响应过程中，器件亮度会缓慢上升直至目标亮度。由于每次电驱动光电器件的过程都是区间电荷累计饱和的过程，若光电器件的发光层与电子传输层的界面缺陷过多，导致电荷在此处累积，则会使响应时间变长。因此，如何降低光电器件点亮时的响应时间是近年来的重点研发方向。

发明内容

本发明的目的在于提供光电器件的制备方法，通过该方法制备出的光电器件的响应时间短。

本发明的另一目的在于提供光电器件的驱动方法，通过该驱动方法能够进一步降低光电器件的响应时间。

本发明解决技术问题是采用以下技术方案来实现的：

本发明提供光电器件的制备方法，包括：

提供预制器件；

在第一预设时间段内，利用第一脉冲电压驱动预制器件；以及

在第二预设时间段内，利用紫外光照射预制器件，以形成光电器件。

可选的，在本发明的一些实施例中，第一预设时间段与第二预设时间段至少部分重叠。

可选的，在本发明的一些实施例中，紫外光为脉冲紫外光，脉冲紫外光的脉冲频率与第一脉冲电压的脉冲频率相同。

可选的，在本发明的一些实施例中，第一脉冲电压输出高电平时，脉冲紫外光输出峰值功率。

可选的，在本发明的一些实施例中，第一脉冲电压的脉冲频率为2000～5000Hz；和/或

第一脉冲电压的占空比为25～75％；和/或

脉冲紫外光的波长为254～365nm；和/或

脉冲紫外光的平均功率为4～6W；和/或

脉冲紫外光的脉冲宽度为20～25ns；和/或

脉冲紫外光的脉冲频率为2000～5000Hz。

可选的，在本发明的一些实施例中，第一预设时间段的时长为10～30min；和/或

第二预设时间段的时长为10～30min；和/或

第一预设时间段与第二预设时间段重叠的时长为10～30min。

可选的，在本发明的一些实施例中，预制器件包括层叠设置的阳极、发光层以及阴极，发光层设于阳极和阴极之间。

可选的，在本发明的一些实施例中，阴极的材料选自于金属材料、碳材料、金属氧化物中的一种或多种，其中，金属材料选自于Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Mg中的一种或多种，碳材料选自于石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种，金属氧化物选自于ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO、AMO中的一种或多种；和/或

发光层的材料选自于单一组分和/或核壳结构的II-VI族化合物、单一组分和/或核壳结构的III-V族化合物、单一组分和/或核壳结构的IV-VI族化合物、单一组分和/或核壳结构的I-III-VI族化合物、无机钙钛矿量子点、有机钙钛矿量子点、有机-无机杂化钙钛矿量子点中的一种或多种；

其中，II-VI族化合物选自于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe中的一种或多种，III-V族化合物选自于GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb中的一种或多种，IV-VI族化合物选自于SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的一种或多种，I-III-VI族化合物选自于CuInS₂、CuInSe₂或AgInS₂中的一种或多种；

无机钙钛矿量子点的结构通式为AMX₃，其中A为Cs⁺离子，M为二价金属阳离子，M选自于Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺、Eu²⁺中的一种，X为卤素阴离子；

有机钙钛矿量子点的结构通式为CMX₃，其中，C为甲脒基，M为二价金属阳离子，M选自于Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺、Eu²⁺中的一种，X为卤素阴离子；

有机-无机杂化钙钛矿量子点的结构通式为BMX₃，其中，B选自有机胺阳离子，有机胺阳离子选自于CH₃(CH₂)_n-2NH³⁺(n≥2)或NH₃(CH₂)_nNH₃ ²⁺(n≥2)，M为二价金属阳离子，M选自于Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺、Eu²⁺中的一种，X为卤素阴离子；和/或

阳极的材料选自于ITO、FTO、IZO、ITZO、ICO、SnO₂、In₂O₃、Cd:ZnO、F:SnO₂、In:SnO₂、Ga:SnO₂、AZO、Ni、Pt、Au、Ag、Ir中的一种或多种。

另外，本发明提供光电器件的驱动方法，包括：

利用第二脉冲电压驱动上述制备方法制得的光电器件，直至光电器件点亮，第二脉冲电压的脉冲频率为200～500Hz。

可选的，在本发明的一些实施例中，在光电器件点亮之后，还包括：将驱动光电器件的第二脉冲电压切换为恒定电压。

可选的，在本发明的一些实施例中，其特征在于，利用第二脉冲电压驱动光电器件的时间为5～10s；和/或

第二脉冲电压的占空比为25～75％。

相对于现有技术，本发明包括以下有益效果：

本发明提供光电器件的制备方法，在制备光电器件的过程中利用第一脉冲电压驱动光电器件的预制器件，并利用紫外光对前述预制器件进行照射，在第一脉冲电压驱动和紫外光辐照的作用下，能够激发光电器件功能层的材料，使功能层的材料分子排序更加有序，减少功能层界面处的缺陷并老化预制器件，进而降低光电器件的响应时间，并提高光电器件的寿命与效率。

具体实施方式

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供的技术方案将在以下内容进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本发明的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本发明的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。

本发明提供光电器件的制备方法，包括：

提供预制器件；

在第一预设时间段内，利用第一脉冲电压驱动预制器件；以及

在第二预设时间段内，利用紫外光照射预制器件，以形成光电器件。

预制器件是指包括阴极、功能层以及阳极的光电器件，预制器件可以为未经封装的光电器件，也可以为经过封装的光电器件。预制器件也可以被称为器件半成品或器件中间品，其所表示的涵义与本发明中预制器件的涵义相同。利用脉冲电压驱动预制器件，即利用脉冲宽度调制(Pulse width modulation,PWM)的方式驱动预制器件，并利用紫外光对预制器件进行辐照，能够快速老化器件，使器件达到稳定的状态，如此，能够降低器件的响应时间，并且提高器件的寿命与效率。以发光二极管为例，响应时间是指从给发光二极管点亮信号起计算，发光二极管达到目标亮度所用的时间。可以理解的是，在一些实施例中，也可以是利用脉冲电流驱动预制器件。

在一些实施例中，第一预设时间段与第二预设时间段至少部分重合。

需要说明的是，第一预设时间段与第二预设时间段至少部分重合，即，并不限定紫外照射和PWM驱动的相对时间长短，也不限定紫外照射和PWM驱动的开始与结束的时间点，只要在制备过程中存在一个时间段，该时间段内紫外照射和PWM驱动同时进行即可。例如，在一些实施例中，可以是第一预设时间段与第二预设时间段同时开始，同时结束，即第一预设时间段和第二预设时间段完全重合；也可以是第一预设时间段，第一预设时间段持续一段时间后第二预设时间段再开始，并且第一预设时间段和第二预设时间段同时结束；还可以是先开始第二预设时间段，第二预设时间段持续一段时间后再开始第一预设时间段，并且第一预设时间段和第二预设时间段同时结束。可以理解的是以上并未穷尽列举第一预设时间段与第二预设时间段开始和结束的可能情况，只要第一预设时间段与第二预设时间段至少部分重叠即可，在此不作限定。优选地，可以是第一预设时间段和第二预设时间段完全重合，如此，老化的效率最高。

需要说明的是，在老化光电器件的工艺过程中，相比于常规电驱动，利用第一脉冲电压驱动光电器件能够加速光电器件的老化过程，而在利用第一脉冲电压驱动光电器件的过程中使用紫外光对光电器件进行辐照能够进一步大幅加速光电器件老化的过程，从而节约老化工艺的时间，避免过长时间的脉冲电压驱动或紫外光辐照对光电器件产生其他负面影响。

另外，相对于仅利用脉冲电压驱动的技术方案，由于紫外辐照使预制器件中各层材料的分子活动性增加，电荷在各层中的积累与释放速度大幅提升，因此脉冲电压驱动与紫外光辐照组合使用的退火工艺能够在更短时间使光电器件达到预期的老化效果，节约退火工艺时间，避免过长的退火时间对光电器件产生其他的不良影响。

在一些实施例中，光电器件可以为发光二极管、太阳能电池、光电探测器中的其中一种。进一步地，发光二极管可以为量子点发光二极管、有机发光二极管、微米发光二极管中的一种，其中，本发明提供的制备方法能够有效激发量子点材料，使量子点发光层的材料分子排序更有序，因此，本发明提供的制备方法尤其适用于量子点发光二极管的制备。

在一些实施例中，紫外光为脉冲紫外光，脉冲紫外光的脉冲频率与脉冲电压的脉冲频率相同，如此，能够进一步提高对发光二极管的老化效率。

在一些实施例中，第一脉冲电压输出高电平时，脉冲紫外光输出峰值功率。即第一脉冲电压作用于预制器件使预制器件处于点亮状态时，脉冲紫外光照射预制器件。其中，峰值功率在数值上等于脉冲紫外光能量与脉冲紫外光脉宽之商。

在一些实施例中，第一脉冲电压的脉冲频率可以为2000～5000Hz。当第一脉冲电压的脉冲频率在上述范围内时，能够高效率地老化预制器件，并且在此范围内，驱动预制器件的第一脉冲电压的脉冲频率越高，预制器件的老化速度就越快。

在一些实施例中，第一脉冲电压的占空比可以为25～75％。

在一些实施例中，脉冲紫外光的波长可以为254～365nm。

在一些实施例中，脉冲紫外光的平均功率可以为4～6W。其中，平均功率是指每个脉冲紫外光输出的能量与脉冲紫外光周期之商。

在一些实施例中，脉冲紫外光的脉冲宽度可以为20～25ns。

在一些实施例中，脉冲紫外光的脉冲频率可以为2000～5000Hz。

当脉冲紫外光的波长、平均功率以及脉冲宽度各自分别在上述范围内时，能够较好的完成光电器件的老化。

在一些实施例中，第一预设时间段的时长可以为10～30min。

在一些实施例中，第二预设时间段的时长可以为10～30min。

在一些实施例中，第一预设时间段与第二预设时间段重叠的时长可以为10～30min。

当第一预设时间段的时长、第二预设时间段的时长在上述范围内时，能够达到老化光电器件的效果，降低光电器件的响应时间，并且能够避免对光电器件造成其他不良影响。

在一些实施例中，预制器件可以包括层叠设置的阳极、发光层、以及阴极，发光层设于阳极和阴极之间。在一些实施例中，预制器件还可以包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层以及封装层等层结构。预制器件可以为正置结构的器件，也可以为倒置结构的器件；预制器件可以为顶发射器件，也可以为底发射器件，还可以为双面发射器件，在此不作限定。

在一些实施例中，阳极的材料可以选自于ITO、FTO、IZO、ITZO、ICO、SnO₂、In₂O₃、Cd:ZnO、F:SnO₂、In:SnO₂、Ga:SnO₂、AZO、Ni、Pt、Au、Ag、Ir中的一种或多种。上述Cd:ZnO中的“：”表示掺杂。

在一些实施例中，空穴注入层的材料可以选自于聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌(F4-TCNQ)、铜酞菁(CuPc)、1,4,5,8,9,11-六氮杂苯甲腈(HATCN)、NiO_x、MoO_x、WO_x、CrO_x、CuO、MoS_x、MoSe_x、WS_x、WSe_x、CuS中的一种或多种，所述x的取值范围为1～3中的一种或多种。在一些实施例中，空穴传输层还可以为其他金属硫系化合物。

在一些实施例中，空穴传输层的材料可以选自于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯基咔唑(PVK)、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(POLY-TPD)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(DCBP)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、石墨烯、C60中的一种或多种。

在一些实施例中，发光层的材料选自于单一组分和/或核壳结构的II-VI族化合物、单一组分和/或核壳结构的III-V族化合物、单一组分和/或核壳结构的IV-VI族化合物、单一组分和/或核壳结构的I-III-VI族化合物、无机钙钛矿量子点、有机钙钛矿量子点、有机-无机杂化钙钛矿量子点中的一种或多种；

其中，II-VI族化合物选自于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe中的一种或多种，III-V族化合物选自于GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb中的一种或多种，IV-VI族化合物选自于SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的一种或多种，I-III-VI族化合物选自于CuInS₂、CuInSe₂或AgInS₂中的一种或多种；

无机钙钛矿量子点的结构通式为AMX₃，其中A为Cs⁺离子，M为二价金属阳离子，M选自于Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺、Eu²⁺中的一种，X为卤素阴离子；

有机钙钛矿量子点的结构通式为CMX₃，其中，C为甲脒基，M为二价金属阳离子，M选自于Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺、Eu²⁺中的一种，X为卤素阴离子；

有机-无机杂化钙钛矿量子点的结构通式为BMX₃，其中，B选自有机胺阳离子，有机胺阳离子选自于CH₃(CH₂)_n-2NH³⁺(n≥2)或NH₃(CH₂)_nNH₃ ²⁺(n≥2)，M为二价金属阳离子，M选自于Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺、Eu²⁺中的一种，X为卤素阴离子。

在一些实施例中，电子传输层的材料可以为氧化物半导体。进一步地，电子传输层的材料可以选自于ZnO、TiO₂、SnO₂、Ta₂O₃、ZrO₂、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO中的一种或多种。

在一些实施例中，阴极的材料可以选自于金属材料、碳材料、金属氧化物中的一种或多种。进一步地，金属材料可以包括但不限于Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Mg。碳材料可以包括但不限于石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维。金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，包括但不限于ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO、AMO。进一步地，当阴极材料选自于金属材料、碳材料、金属氧化物中的多种时，阴极可以为掺杂或非掺杂的透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，具体地，复合电极可以包括但不限于AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂。上述AZO/Ag/AZO的表述表示AZO之间夹有Ag。为了保证量子点发光二极管的出光效率，上述金属或金属复合电极的金属部分的厚度可以小于等于35nm，金属或金属复合电极对可见光透光率可以高于90％

另外，本发明提供光电器件的驱动方法，包括：利用第二脉冲电压驱动上述光电器件，使光电器件点亮，第二脉冲电压的脉冲频率为200～500Hz。

通过第一脉冲电压驱动配合脉冲紫外照射的退火工艺后，光电器件的响应时间已经大幅降低，而每次驱动光电器件时，利用脉冲频率为200～500Hz的第二脉冲电压驱动光电器件，能够进一步降低光电器件的响应时间，在一些实施例中，光电器件的响应时间甚至可以低于10s。

具体地，本发明提供的光电器件的驱动方法尤其适用于发光二极管，特别是量子点发光二极管的驱动。

需要说明的是，上述驱动方法可以应用于发光二极管在制造端的驱动，也可以应用于发光二极管在实验端的驱动，还可以应用于发光二极管在消费端的驱动，只要驱动发光二极管时涉及该方法，即在本方案保护范围内；另外，驱动的实现不限于是显示面板内设置对应模块完成还是利用外部设备完成，只要是涉及该方法，即在本方案保护范围内。

在一些实施例中，在光电器件点亮之后，还包括：将驱动光电器件的第二脉冲电压切换为恒定电压。

在一些实施例中，利用第二脉冲电压驱动光电器件的时间为5～10s。

在一些实施例中，第二脉冲电压的占空比为25～75％。进一步地，在利用第二脉冲电压驱动光电器件5～10s后，可以将驱动模式切换为常规的电压，即，切换恒压驱动光电器件。

实施例1

本实施例提供一种正置顶发射结构的量子点发光二极管的制备方法，包括：

步骤1：提供ITO衬底，在ITO衬底上，旋涂PEDOT：PSS，转速5000，时间30秒，随后150℃加热15分钟，制得空穴注入层；

步骤2：在制得的空穴注入层上旋涂浓度为8mg/mL的TFB的氯苯溶液，转速3000，时间30秒，随后120℃加热10分钟，制得空穴传输层；

步骤3：在制得的空穴传输层上旋涂浓度为20mg/mL的CdS的正辛烷溶液，转速2000，时间30秒，随后120℃加热5分钟，制得量子点发光层；

步骤4：在制得的量子点发光层上旋涂浓度为30mg/mL的ZnO的乙醇溶液，转速3000，时间30秒，随后100℃加热5分钟，制得电子传输层；

步骤5：通过热蒸发，真空度在2.5×10^-4Pa的工艺条件下蒸镀Ag，蒸镀速度为1埃/秒，时间200秒，厚度20nm，制得阴极，得到预制器件；

步骤6：在第一预设时间段内利用第一脉冲电压对预制器件进行驱动，第一脉冲电压的脉冲频率为4000Hz，占空比50％，第一预设时间段的时长为20min，并在第二预设时间段内利用波长为365nm脉冲紫外光照射预制器件，第二预设时间段的时长为20min，且第一预设时间段与第二预设时间段同时开始和结束(完全重合)，紫外光的脉冲频率为4000Hz，脉冲宽度为22ns，平均功率为5W，当第一脉冲电压输出高电平时，脉冲紫外光输出峰值功率；

步骤7：利用环氧树脂对经过步骤6处理的预制器件封装。

实施例2

本实施例提供一种正置顶发射结构的量子点发光二极管的制备方法与驱动方法，其中制备方法与实施例1提供的制备方法相同。

本实施例还提供一种光电器件的驱动方法，包括：

采用实施例1提供的制备方法制备光电器件后，对所述光电器件进行短时间的第二脉冲电压驱动，第二脉冲电压的脉冲频率为300Hz，占空比为50％，持续时间为5s。

实施例3

本实施例提供一种正置顶发射结构的量子点发光二极管的制备方法与驱动方法，其中制备方法与实施例1提供的制备方法相同。

本实施例还提供一种光电器件的驱动方法，包括：

采用实施例1提供的制备方法制备光电器件后，对所述光电器件进行短时间的第二脉冲电压驱动，第二脉冲电压的脉冲频率为200Hz，占空比为75％，持续时间为10s，然后切换恒定电压对光电器件进行驱动。

实施例4

本实施例提供一种正置顶发射结构的量子点发光二极管的制备方法，本实施例提供的制备方法将实施例1步骤6中脉冲紫外光的频率变更为2000Hz，即，脉冲电压的脉冲频率与脉冲紫外光的脉冲频率不相同，其余步骤与实施例1中的步骤均相同。

实施例5

本实施例提供一种正置顶发射结构的量子点发光二极管的制备方法，包括：

步骤1：提供FTO衬底，在FTO衬底上，旋涂F4-TCNQ，转速5000，时间30秒，随后150℃加热15分钟，制得空穴注入层；

步骤2：在制得的空穴注入层上喷墨打印浓度为10mg/mL的PVK的氯苯溶液，时间30秒，随后120℃加热10分钟，制得空穴传输层；

步骤3：在制得的空穴传输层上喷墨打印浓度为18mg/mL的ZnS的正辛烷溶液，时间30秒，随后120℃加热5分钟，制得量子点发光层；

步骤4：在制得的量子点发光层上喷墨打印浓度为30mg/mL的SnO₂的乙醇溶液，时间30秒，随后100℃加热5分钟，制得电子传输层；

步骤5：通过热蒸发，真空度在2.5×10^-4Pa的工艺条件下蒸镀Al，蒸镀速度为1埃/秒，时间200秒，厚度20nm，制得阴极，得到预制器件；

步骤6：在第一预设时间段内利用第一脉冲电压对预制器件进行驱动，第一脉冲电压的脉冲频率为2000Hz，占空比25％，第一预设时间段的时长为10min，并在第二预设时间段内利用持续波长为254nm脉冲紫外光照射预制器件，第二预设时间段的时长为10min，且第一预设时间段与第二预设时间段同时开始和结束(完全重合)，紫外光的脉冲频率为2000Hz，脉冲宽度为20ns，平均功率为4W；

步骤7：利用环氧树脂对经过步骤6处理的预制器件封装。

实施例6

本实施例提供一种正置顶发射结构的量子点发光二极管的制备方法，包括：

步骤1：提供AZO衬底，在AZO衬底上，旋涂CuPc，转速5000，时间30秒，随后150℃加热15分钟，制得空穴注入层；

步骤2：在制得的空穴注入层上喷墨打印浓度为10mg/mL的TPD的氯苯溶液，时间30秒，随后120℃加热10分钟，制得空穴传输层；

步骤3：在制得的空穴传输层上喷墨打印浓度为18mg/mL的CdSe的正辛烷溶液，时间30秒，随后120℃加热5分钟，制得量子点发光层；

步骤4：在制得的量子点发光层上喷墨打印浓度为30mg/mL的ZnSnO的乙醇溶液，时间30秒，随后100℃加热5分钟，制得电子传输层；

步骤5：通过热蒸发，真空度在2.5×10^-4Pa的工艺条件下蒸镀Cu，蒸镀速度为1埃/秒，时间200秒，厚度20nm，制得阴极，得到预制器件；

步骤6：在第一预设时间段内利用第一脉冲电压对预制器件进行驱动，第一脉冲电压的脉冲频率为5000Hz，占空比75％，第一预设时间段的时长为30min，并在第二预设时间段内利用持续波长为365nm脉冲紫外光照射预制器件，第二预设时间段的时长为30min，第一预设时间段与第二预设时间段同时开始和结束(完全重合)，紫外光的脉冲频率为5000Hz，脉冲宽度为25ns，平均功率为6W；

步骤7：利用环氧树脂对经过步骤6处理的预制器件封装。

实施例7

本实施例提供一种倒置底发射结构的量子点发光二极管的制备方法，包括：

步骤1：提供衬底基板，通过热蒸发，真空度在2.8×10^-4Pa的工艺条件下在衬底基板上，蒸镀Ag，蒸镀速度为1埃/秒，时间200秒，厚度20nm，制得阴极；

步骤2：在制得的阴极上旋涂浓度为30mg/mL的ZnO的乙醇溶液，转速3000，时间30秒，随后100℃加热5分钟，制得电子传输层；

步骤3：在制得的电子传输层上旋涂浓度为20mg/mL的CdS的正辛烷溶液，转速2000，时间30秒，随后120℃加热5分钟，制得量子点发光层；

步骤4：在制得的量子点发光层上旋涂浓度为8mg/mL的TFB的氯苯溶液，转速3000，时间30秒，随后120℃加热10分钟，制得空穴传输层；

步骤5：在制得的空穴传输层上旋涂PEDOT：PSS，转速5000，时间30秒，随后150℃加热15分钟，制得空穴注入层；

步骤6：在第一预设时间段内利用第一脉冲电压对预制器件进行驱动，第一脉冲电压的脉冲频率为4000Hz，占空比50％，第一预设时间段的时长为20min，并在第二预设时间段内利用持续波长为365nm脉冲紫外光照射预制器件，第二预设时间段的持续时间为20min，且第一预设时间段和第二预设时间段同时开始和结束(完全重合)，紫外光的脉冲频率为4000Hz，脉冲宽度为25ns，平均功率为5W；

步骤7：利用环氧树脂对经过步骤6处理的预制器件封装。

实施例8

本实施例提供一种正置顶发射结构的有机发光二极管的制备方法，包括：

步骤1：提供FTO衬底，在FTO衬底上，旋涂F4-TCNQ，转速5000，时间30秒，随后150℃加热15分钟，制得空穴注入层；

步骤2：在制得的空穴注入层上喷墨打印浓度为10mg/mL的PVK的氯苯溶液，时间30秒，随后120℃加热10分钟，制得空穴传输层；

步骤3：在制得的空穴传输层上蒸镀Alq3，制得有机发光层；

步骤4：在制得的有机发光层上喷墨打印浓度为30mg/mL的SnO₂的乙醇溶液，时间30秒，随后100℃加热5分钟，制得电子传输层；

步骤5：通过热蒸发，真空度在2.5×10^-4Pa的工艺条件下蒸镀Al，蒸镀速度为1埃/秒，时间200秒，厚度20nm，制得阴极，得到预制器件；

步骤6：在第一预设时间段内利用第一脉冲电压对预制器件进行驱动，第一脉冲电压的脉冲频率为2000Hz，占空比25％，第一预设时间段的时长为10min，并在第二预设时间段内利用持续波长为254nm紫外光照射预制器件，第二预设时间段的时长为10min，且第一预设时间段和第二预设时间段同时开始和结束(完全重合)，紫外光平均功率为4W；

步骤7：利用环氧树脂对经过步骤6处理的预制器件封装。

实施例9

本实施例提供一种正置顶发射结构的量子点发光二极管的制备方法，包括：

步骤1：提供FTO衬底，在FTO衬底上，旋涂F4-TCNQ，转速5000，时间30秒，随后150℃加热15分钟，制得空穴注入层；

步骤2：在制得的空穴注入层上喷墨打印浓度为10mg/mL的PVK的氯苯溶液，时间30秒，随后120℃加热10分钟，制得空穴传输层；

步骤3：在制得的空穴传输层上利用喷墨打印法沉积CdSe溶液，制得量子点发光层；

步骤4：在制得的量子点发光层上喷墨打印浓度为30mg/mL的SnO₂的乙醇溶液，时间30秒，随后100℃加热5分钟，制得电子传输层；

步骤5：通过热蒸发，真空度在2.5×10^-4Pa的工艺条件下蒸镀Al，蒸镀速度为1埃/秒，时间200秒，厚度20nm，制得阴极，得到预制器件；

步骤6：在第一预设时间段内利用第一脉冲电压对预制器件进行驱动，第一脉冲电压的脉冲频率为2000Hz，占空比25％，第一预设时间段的持续时间为20min，同时在第二预设时间段内利用持续波长为254nm紫外光照射预制器件，紫外光平均功率为4W，第二预设时间段为脉冲电压驱动开始两分钟起至脉冲电压驱动结束1分钟后止，第二预设时间段的持续时间为20min，第一预设时间段与第二预设时间段的重叠时长为19min；

步骤7：利用环氧树脂对经过步骤6处理的预制器件封装。

对比例1

本对比例提供一种正置顶发射结构的量子点发光二极管的制备方法，本对比例提供的制备方法不进行实施例1中步骤6的操作，进行完步骤5的操作后，利用环氧树脂对步骤5得到的预制器件直接进行封装。

对比例2

本对比例提供一种正置顶发射结构的量子点发光二极管的制备方法，本对比例提供的制备方法对实施例1中步骤6进行如下变更：利用第一脉冲电压对预制器件进行驱动，第一脉冲电压的脉冲频率为4000Hz，占空比50％，持续时间为20min。其余步骤与实施例1中的步骤均相同。

对比例3

本对比例提供一种正置顶发射结构的量子点发光二极管的制备方法，本对比例提供的制备方法对实施例1中步骤6进行如下变更：利用波长为365nm脉冲紫外光照射预制器件，紫外光的脉冲频率为4000Hz，脉冲宽度为22ns，平均功率为5W。其余步骤与实施例1中的步骤均相同。

以2mA恒流驱动实施例1～8、对比例1～4制得的发光二极管，并进行器件效率、寿命、断电后响应时间测试，测试结果参见表1。其中对实施例2和实施例3中发光二极管进行测试时，利用实施例2提供的驱动方式对发光二极管进行驱动。

表1.以2mA恒流驱动器件时的测试结果

表中，L表示器件亮度，在相同电流下，器件亮度越高表示器件效率越好。

T95表示在2mA恒流驱动下器件亮度由100％衰减至95％所用的时间，在相同电流下，器件T95时间越长表示器件性能越好，稳定性越出色。

T95_1k nit表示当器件在1000nit亮度下，亮度由100％衰减至95％所用时间。此值由L与T95的值计算得出。

C.E表示器件的电流效率，在发光区面积和驱动电流一致的前提下，C.E越高器件性能越好。

Tr7表示将制得的器件断电放置7天后，再次点亮时的响应时间。

通过测试数据可以看到，现有的QLED，每次开机时为了达到目标亮度，屏幕需要在预点亮5-270min，显然如此长的响应时间不利于量子点器件的大规模应用，响应时间过长成为了制约量子点器件量产的一大因素。而相对现有技术，通过本发明提供的制备方法制得的发光二极管的各项性能均显著提高。尤其是响应时间缩短至1.2min，而通过本发明提供的驱动方法可以进一步将量子点发光二极管的响应时间缩短至0.1min。满足实际生产中，屏幕在低亮度下达到稳定状态的响应时间需低于10s的条件。综上，相对于现有技术，本发明具有显著的进步。

以上对本发明实施例所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.光电器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供预制器件；

在第一预设时间段内，利用第一脉冲电压驱动所述预制器件；以及

在第二预设时间段内，利用紫外光照射所述预制器件，以形成所述光电器件。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一预设时间段与所述第二预设时间段至少部分重叠。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述紫外光为脉冲紫外光，所述脉冲紫外光的脉冲频率与所述第一脉冲电压的脉冲频率相同。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一脉冲电压输出高电平时，所述脉冲紫外光输出峰值功率。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一脉冲电压的脉冲频率为2000～5000Hz；和/或

所述第一脉冲电压的占空比为25～75％；和/或

所述脉冲紫外光的波长为254～365nm；和/或

所述脉冲紫外光的平均功率为4～6W；和/或

所述脉冲紫外光的脉冲宽度为20～25ns；和/或

所述脉冲紫外光的脉冲频率为2000～5000Hz。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一预设时间段的时长为10～30min；和/或

所述第二预设时间段的时长为10～30min；和/或

所述第一预设时间段与所述第二预设时间段重叠的时长为10～30min。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预制器件包括层叠设置的阳极、发光层以及阴极，所述发光层设于所述阳极和所述阴极之间。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述阴极的材料选自于金属材料、碳材料、金属氧化物中的一种或多种，其中，所述金属材料选自于Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Mg中的一种或多种，所述碳材料选自于石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种，所述金属氧化物选自于ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO、AMO中的一种或多种；和/或

所述发光层的材料选自于单一组分和/或核壳结构的II-VI族化合物、单一组分和/或核壳结构的III-V族化合物、单一组分和/或核壳结构的IV-VI族化合物、单一组分和/或核壳结构的I-III-VI族化合物、无机钙钛矿量子点、有机钙钛矿量子点、有机-无机杂化钙钛矿量子点中的一种或多种；

其中，所述II-VI族化合物选自于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe中的一种或多种，所述III-V族化合物选自于GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb中的一种或多种，所述IV-VI族化合物选自于SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的一种或多种，所述I-III-VI族化合物选自于CuInS₂、CuInSe₂或AgInS₂中的一种或多种；

所述无机钙钛矿量子点的结构通式为AMX₃，其中A为Cs⁺离子，M为二价金属阳离子，M选自于Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺、Eu²⁺中的一种，X为卤素阴离子；

所述有机钙钛矿量子点的结构通式为CMX₃，其中，C为甲脒基，M为二价金属阳离子，M选自于Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺、Eu²⁺中的一种，X为卤素阴离子；

所述有机-无机杂化钙钛矿量子点的结构通式为BMX₃，其中，B选自有机胺阳离子，所述有机胺阳离子选自于CH₃(CH₂)_n-2NH³⁺(n≥2)或NH₃(CH₂)_nNH₃ ²⁺(n≥2)，M为二价金属阳离子，M选自于Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺、Eu²⁺中的一种，X为卤素阴离子；和/或

所述阳极的材料选自于ITO、FTO、IZO、ITZO、ICO、SnO₂、In₂O₃、Cd:ZnO、F:SnO₂、In:SnO₂、Ga:SnO₂、AZO、Ni、Pt、Au、Ag、Ir中的一种或多种。

9.光电器件的驱动方法，其特征在于，包括：

利用第二脉冲电压驱动权利要求1～8任一项所述的制备方法制得的光电器件，直至所述光电器件点亮，所述第二脉冲电压的脉冲频率为200～500Hz。

10.根据权利要求8所述的驱动方法，其特征在于，在所述光电器件点亮之后，还包括：将驱动所述光电器件的所述第二脉冲电压切换为恒定电压；和/或

利用所述第二脉冲电压驱动所述光电器件的时间为5～10s；和/或

所述第二脉冲电压的占空比为25～75％。