CN116437768A - 一种发光器件的后处理方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种发光器件的后处理方法，所述后处理方法是在预设的时间范围内对完成制备的发光器件进行通电处理和间断式的光照处理，通电处理能够降低发光器件中各个层因阻值不均匀而产生的能势差异，从而促进载流子注入平衡，间断式光照处理能够有效控制发光器件的内光电效应水平，防止出现因发光器件的内光电效应水平过高而损伤发光层的问题，促进发光器件的载流子注入平衡，从而有效地提高了发光器件的光电性能，并延长了发光器件的使用寿命，有效缩短了发光器件的整个制作周期。

Description

一种发光器件的后处理方法

技术领域

本申请涉及光电技术领域，具体涉及一种发光器件的后处理方法。

背景技术

发光器件包括但不限于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)，发光器件为“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。

在发光器件的制备过程中，由于各个层的材料存在差异，且制备工艺亦存在差异，所以发光器件的各个层阻值分布不均匀，并且相邻层之间存在能势差异，从而导致载流子注入不平衡的问题，该问题在QLED中尤为严重，进而对发光器件的光电性能和使用寿命造成不利影响。

因此，如何改善发光器件的载流子注入不平衡的问题对发光器件的应用与发展具有重要意义。

发明内容

本申请提供了一种发光器件的后处理方法，以改善发光器件存在的载流子注入不平衡的问题。

本申请的技术方案如下：

一种发光器件的后处理方法，所述后处理方法包括如下步骤：

提供发光器件，所述发光器件包括相对设置的阳极和阴极，以及设置于所述阳极与所述阴极之间的发光层；

在预设的时间范围内，对所述发光器件进行通电处理，并对所述发光器件进行间断式的光照处理。

可选地，所述通电处理为连续不间断式的。

进一步地，所述光照处理的间隔时间为5min至20min，每次光照时间为1s至20s。

可选地，所述通电处理为间断式的。

进一步地，相邻所述通电处理的间隔时间为1s至20s。

可选地，所述通电处理与所述光照处理交替进行。

进一步地，单次所述通电处理的时间为5min至20min，单次所述光照处理的时间为1s至20s。

可选地，所述通电处理为恒流式通电处理，且所述通电处理的电流值为1微安至100微安。

进一步地，所述通电处理的电流值低于所述发光器件的启亮电流值。

可选地，所述通电处理为恒压式通电处理，且所述通电处理的电压为0.1V至1.5V。

进一步地，所述通电处理的电压值低于所述发光器件的启动电压。

进一步地，所述对所述发光器件的阳极与阴极进行通电处理，并对所述发光器件进行间断式的光照处理的步骤是在不透光的密封腔体中进行。进一步地，所述发光层的材料为有机发光材料或量子点；

其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；

所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述量子点的组分选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS₂、CuInSe₂或AgInS₂中的至少一种。

进一步地，所述光照处理的光源选自发射光波长为100nm至400nm的紫外光和/或发射光波长为400nm至500nm的可见光；

和/或，所述光照处理的光源的光照强度为400lx至40000lx。

进一步地，所述光照处理的光源选自发射光波长为200nm至380nm的紫外光，且所述光照处理的光源的光照强度为4000lx至10000lx。

本申请提供了一种发光器件的后处理方法，具有如下技术效果：

本申请的后处理方法是在预设的时间范围内对完成制备的发光器件进行通电处理和间断式的光照处理，通电处理能够降低发光器件中各个层因阻值不均匀而产生的能势差异，从而促进载流子注入平衡，间断式光照处理能够有效控制发光器件的内光电效应水平，防止出现因发光器件的内光电效应水平过高而损伤发光层的问题，促进发光器件的载流子注入平衡，从而有效地提高了发光器件的光电性能，并延长了发光器件的使用寿命，此外，所述后处理方法通过促使发光器件快速熟化而缩短发光器件的整个制作周期。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请实施例提供的一种发光器件的后处理方法的流程示意图。

图2为本申请实施例提供的第一种发光器件的结构示意图。

图3为本申请实施例提供的第二种发光器件的结构示意图。

图4为本申请实施例提供的第三种发光器件的结构示意图。

图5为实施例1的整个后处理过程中发光器件的电压变化情况图。

图6为实施例2的整个后处理过程中发光器件的电压变化情况图。

图7为实施例3的整个后处理过程中发光器件的电压变化情况图。

图8为实施例4的整个后处理过程中发光器件的电压变化情况图。

图9为实施例5的整个后处理过程中发光器件的电流变化情况图。

图10为实施例6的整个后处理过程中发光器件的电流变化情况图。

图11为实验例中实施例1、实施例4、实施例5以及对比例的发光器件的外量子效率-电流密度特性曲线图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

除非另行定义，文中所使用的所有专业与科学用语与本领域技术人员所熟悉的意义相同。此外，任何与所记载内容相似或均等的方法及材料皆可应用于本发明中。文中所述的较佳实施方法与材料仅作示范之用，但不能限制本申请的内容。

需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”，术语“多个”或“多层”是指两个/两层以上。本申请的各个实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。

本申请实施例提供了一种发光器件的后处理方法，如图1所示，所述后处理方法包括如下步骤：

S1、提供发光器件，发光器件包括相对设置的阳极和阴极，以及设置于阳极与阴极之间的发光层；

S2、在预设的时间范围内，对步骤S1的发光器件进行通电处理，并对所述发光器件进行间断式的光照处理。

在步骤S2中，“预设的时间范围”是指操作者自行设定的时间范围，该时间范围可由多次重复实验获得，并且发光器件的类型不相同，该时间范围也会有所区别。在本申请的一些实施例中，“预设的时间范围”是指30min至8h。

如本申请所用，“通电处理”是将发光器件的阳极与阴极通电。本申请对外接电源的选择不作具体限定，根据不同的发光器件规模选定即可。

如本申请所用，“光照处理”是将发光器件置于设有光源的环境中，从光源发射的光照射于发光器件的表面，并使发光器件的各个层均能受到光照。在本申请的一示例中，发光器件中顶电极的材料为透光率不小于90％的透光材料，光源设置于顶电极的上方；在本申请的另一示例中，发光器件中底电极的材料为透光率不小于90％的透光材料，光源设置于底电极的下方。

本申请的后处理方法是在预设的时间范围内对完成制备的发光器件进行通电处理和间断式的光照处理，完成制备的发光器件例如可以是完成封装的发光器件，通电处理能够降低发光器件中各个层因阻值不均匀而产生的能势差异，从而促进载流子注入平衡；光照处理对发光层具有一定程度的光催化作用，例如当发光层的材料为量子点时，光照会激发发光层产生荧光反应，提高量子点的活跃度，从而提升发光器件的光电性能和稳定性；此外，通电处理结合光照处理的后处理方法，能够促使发光器件快速熟化，有利于缩短发光器件的整个制作周期。相较于通电处理结合连续式光照处理的后处理方法，通电处理结合间断式光照处理的后处理方法更具优势，这是因为：经光照处理的发光器件会产生内光电效应，即光照会激发电子-空穴对形成载流子，并且载流子富集于发光层，但当对发光器件进行连续式光照处理时，会造成过量的载流子富集于发光层，从而损伤发光层，导致发光器件的发光效率下降；然而，当对发光器件进行间断式光照处理时，由于每次光照时间短暂，部分电子-空穴对很快分离，从而避免过量的载流子富集于发光层，有效降低了内光电效应的水平，防止内光电效应水平过高而损伤发光层。

在步骤S1中，发光器件包括但不限于是OLED或QLED，并且发光器件可以是正置型结构，发光器件还可以是倒置型结构。

在本申请的一示例中，如图2所示，发光器件1包括依次层叠设置的阳极11、发光层12以及阴极13。阳极11、发光层12以及阴极13的材料可以是本领域常见的材料，例如：

阳极11和阴极13彼此独立地选自金属、碳材料以及金属氧化物中的至少一种，其中，金属包括但不限于是Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca或Mg中的至少一种；碳材料包括但不限于石墨、碳纳米管、石墨烯或碳纤维中的至少一种；金属氧化物可以是未掺杂的金属氧化物，也可以是掺杂的金属氧化物，金属氧化物包括但不限于是氧化铟锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、氧化锡锑(ATO)、铝掺杂的氧化锌(AZO)、镓掺杂的氧化锌(GZO)、铟掺杂的氧化锌(IZO)或镁掺杂的氧化锌(MZO)中的至少一种。阳极11的厚度例如可以是60nm至150nm，阴极的厚度例如可以是60nm至100nm。

发光层12的材料选自有机发光材料或量子点。发光层12的厚度例如可以是20nm至60nm。

有机发光材料包括但不限于是二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种。

量子点包括但不限于是红色量子点、绿色量子点或蓝色量子点中的至少一种，并且量子点包括但不限于是单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种。量子点的粒径例如可以是5nm至10nm。

对于单一组分量子点和核壳结构量子点，量子点的组分包括但不限于是II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS₂、CuInSe₂或AgInS₂中的至少一种。

对于无机钙钛矿量子点，无机钙钛矿量子点的结构通式为AMX₃，其中A为Cs⁺离子，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺或Eu²⁺，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl^-、Br^-或I^-。

对于有机-无机杂化钙钛矿量子点，有机-无机杂化钙钛矿量子点的结构通式为BMX₃，其中B为有机胺阳离子，包括但不限于是CH₃(CH₂)_n-2NH³⁺(n≥2)或NH₃(CH₂)_nNH₃ ²⁺(n≥2)，M为二价金属阳离子，M包括但不限于是Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Cd²⁺、Cr²⁺、Mn²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Ge²⁺、Yb²⁺或Eu²⁺，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl^-、Br^-或I^-。

为了获得更佳的光电性能和使用寿命，本申请实施例的发光器件还包括空穴功能层和/或电子功能层，以促进电子-空穴传输平衡，从而提高电子和空穴在发光层的复合效率。

在本申请的一些实施例中，如图3所示，在图2所示发光器件的基础上，发光器件1还包括空穴功能层14，空穴功能层14设置于阳极11与发光层12之间。空穴功能层包括但不限于是空穴传输层和空穴注入层中的至少一种，在本申请的一示例中，空穴功能层包括层叠设置的空穴注入层和空穴传输层，空穴注入层设置于阳极与发光层之间，空穴传输层设置于空穴注入层与发光层之间。空穴功能层14的厚度例如可以是20nm至100nm。

空穴传输层的材料包括但不限于是聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(简称为TFB，CAS号为220797-16-0)、3-己基取代聚噻吩(CAS号为104934-50-1)、聚(9-乙烯咔唑)(简称为PVK，CAS号为25067-59-8)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](简称为Poly-TPD，CAS号为472960-35-3)、聚(N,N'-二(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-1,4-苯二胺-CO-9,9-二辛基芴)(简称为PFB，CAS号为223569-28-6)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(简称为TCTA，CAS号为139092-78-7)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(简称为CBP，CAS号为58328-31-7)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(简称TPD，CAS号为65181-78-4)或N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(简称NPB，CAS号为123847-85-8)中的至少一种，此外，空穴传输层的材料还可以选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于是NiO、WO₃、MoO₃或CuO中的至少一种。

空穴注入层的材料包括但不限于是聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)(CAS号为155090-83-8)、酞菁铜(简称为CuPc,CAS号为147-14-8)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌(简称为F4-TCNQ,CAS号为29261-33-4)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(简称为HATCN,CAS号为105598-27-4)、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的一种或多种，其中，过渡金属氧化物可以是NiO_x、MoO_x、WO_x或CrO_x中的至少一种，金属硫系化合物可以是MoS_x、MoSe_x、WS_x、WSe_x或CuS中的至少一种。

在本申请的一些实施例中，如图4所示，在图2所示发光器件的基础上，发光器件1还包括电子功能层15，电子功能层15设置于阴极13与发光层12之间。电子功能层包括但不限于是电子传输层和电子注入层中的至少一种，在本申请的一示例中，电子功能层包括层叠设置的电子注入层和电子传输层，电子注入层设置于阴极与发光层之间，电子传输层设置于电子注入层与发光层之间。电子功能层15的厚度例如可以是20nm至100nm。

电子注入层的材料包括但不限于是LiF、8-羟基喹啉锂、有机氧化磷化合物、有机硫代膦化合物或有机硒代膦化合物中的至少一种。

电子传输层的材料包括但不限于是纳米金属氧化物，纳米金属氧化物可以是未掺杂的金属氧化物纳米颗粒，也可以是掺杂的纳米金属氧化物。纳米金属氧化物例如选自ZnO、TiO₂、SnO₂、Ta₂O₃、ZrO₂、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO或AlZnO中的至少一种。

需要说明的是，当发光器件包含空穴功能层和电子功能层时，光照处理对空穴功能层和电子功能层也具有一定程度的光催化作用，尤其是当电子功能层的材料包括纳米ZnO时，在通电和光照的双重作用下，纳米ZnO的降解率会升高，而纳米ZnO降解会生成羟基自由基(原本是连接于纳米ZnO外表面的配体)，从而提高了空穴和电子的数量，有效提高了发光器件中空穴-电子的复合效率，进而提高了发光器件的综合性能。

在本申请的一些实施例中，通电处理为连续不间断式的，即在整个后处理过程中，始终保持对发光器件进行通电处理。进一步地，光照处理的间隔时间为5min至20min，每次光照时间为1s至20s，在尽可能提高光照处理对发光器件的光促熟化水平的同时，有效控制发光器件的内光电效应水平，避免对发光层的损坏。可以理解的是，光照处理的间隔时间过长或过短均对发光器件的综合性能提升程度有限，若光照处理的间隔时间过长，则达到理想的光促熟化水平所需的时间较长，若光照处理的间隔时间过短，则发光器件的内光电效应水平较高；此外，每次光照的时间过长或过短均对发光器件的综合性能提升程度有限，若每次光照的时间过长，则发光器件的内光电效应水平较高；若每次光照的时间过短，则达到理想的光促熟化水平所需的时间较长。

在本申请的另一些实施例中，通电处理为间断式的。进一步地，相邻通电处理的间隔时间为1s至20s。

在本申请的一些实施例中，通电处理与光照处理交替进行。进一步地，单次通电处理的时间为5min至20min，单次光照处理的时间为1s至20s。

在本申请的一些实施例中，通电处理为恒流式通电处理，且通电处理的电流值为1微安至100微安。通电处理的电流过高或过低均对发光器件的综合性能提升程度有限，若通电处理的电流过高，则发光材料的荧光淬灭程度较高；若通电处理的电流过低，则对发光器件的熟化的促进作用较小。

在本申请的一些实施例中，通电处理的电流值低于发光器件的启亮电流值。

作为替代性实施方案，通电处理为恒压式通电处理，且通电处理的电压为0.1V至1.5V。通电处理的电压过高或过低均对发光器件的综合性能提升程度有限，若通电处理的电压过高，则发光材料的荧光淬灭程度较高；若通电处理的电压过低，则对发光器件的熟化的促进作用较小。

在本申请的一些实施例中，通电处理的电压值低于发光器件的启动(启亮)电压。

需要说明的是，对于恒流式通电处理发光器件，通过监测发光器件的电压值来判断后处理的截止时间点，当发光器件的电压值呈明显下降趋势时停止后处理，例如：在恒流式通电处理发光器件的过程中，发光器件的电压值会上下波动，当发光器件的电压值在3min内持续下降时，停止后处理。对于恒压式通电处理发光器件，通过监测发光器件的电流值来判断后处理的截止时间点，当通过发光器件的电流值呈明显上升趋势时停止后处理，例如：在恒压式通电处理发光器件的过程中，发光器件的电流值会上下波动，当发光器件的电流值在3min内持续上升时，停止后处理。

为了进一步地提高后处理的效果，在本申请的一些实施例中，步骤S2是在不透光的密封腔体中进行，以避免外界光线干扰发光器件的后处理，例如外界光线引发发光器件发生荧光反应，导致发光器件的熟化效果不理想。密封腔体例如可以是密封的暗盒，此外，密封腔体的内壁的材料例如可以是具有光反射性能的材料，以提高发光器件的照射率，使得发光器件的各层充分接受光照。

为了进一步地提高后处理的效果，在本申请的一些实施例中，密封腔体中的温度为20℃至30℃，湿度为50％至70％。温度过高或过低均对发光器件的综合性能提升程度有限，若温度过高，则可能损伤发光器件；若温度过低，则对发光器件的熟化的促进作用较小。此外，湿度过高或过低均对发光器件的综合性能提升程度有限，若湿度过高，则导致过量的水氧侵蚀发光器件；若湿度过低，则对发光器件的熟化的促进作用较小。

为了进一步地提高发光器件的综合性能，在本申请的一些实施例中，光照处理的光源选自发射光波长为100nm至400nm的紫外光和/或发射光波长为400nm至500nm的可见光；和/或，光照处理的光源的光照强度为400lx至40000lx。光源的发射光波长过大或过小均对发光器件的综合性能提升程度有限，若光源的发射光波长小于100nm，则可能对发光器件造成损伤，从而发光器件易发生老化；若光源的发射光波长大于500nm，则对发光器件的光促熟化水平较低。此外，光照处理的光源的强度过高或过低同样也对发光器件的综合性能提升程度有限，若光照处理的光源的强度高于40000lx，则会提高发光层的荧光淬灭程度；若光照处理的光源的强度低于400lx，则达到理想的光促熟化水平所需的时间较长。

在本申请的一些实施例中，光照处理的光源选自发射光波长为200nm至380nm的紫外光，且所述光照处理的光源的光照强度为4000lx至10000lx。

在本申请的一个实施例中，光照处理的光源选自发射光波长为380nm的紫外光，且光照处理的光源的光照强度为10000lx。

下面通过具体实施例对本申请的技术方案及技术效果进行详细说明，以下实施例仅仅是本申请的部分实施例，并非对本申请作出具体限定。

实施例1

本实施例提供了一种发光器件的后处理方法及经由后处理获得的发光器件，所述发光器件为正置型结构的量子点发光二极管，在下至上的方向上，发光器件包括依次设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极，并且发光器件采用环氧树脂和玻片封装，其中，发光器件中各个层的材料及厚度如下：

衬底的材料为玻璃，厚度为0.55mm；

阳极的材料为ITO，厚度为50nm；

阴极的材料为Ag，厚度为80nm；

空穴注入层的材料为PEDOT：PSS，厚度为30nm；

空穴传输层的材料为TFB，厚度为30nm；

发光层的材料为CdZnSe/ZnS量子点，厚度为30nm；

电子传输层的材料为粒径是6nm的纳米ZnO，厚度为30nm。

本实施例的后处理方法包括如下步骤：

S1.1、制备发光器件，获得完成封装的发光器件；

S1.2、对步骤S1.2制备完成的发光器件进行外观检查，检查发光器件的表面是否存在异常点，封胶处是否具有开裂的地方，然后将外观无异常的发光器件放置于夹具中，并将夹持有发光器件的夹具置于不透光且密封的暗盒中，暗盒中的环境温度为25℃，湿度为60％；

S1.3、将发光器件连接至外接电源(吉时利2400电源)以进行连续式恒流通电处理，通电电流为3微安，并在通电过程中对发光器件进行间断式的光照处理，其中，光照处理的光源选自发射波长为430nm的紫外光，光照强度为10000lx，光照处理的间隔时间为10min，每次光照时间为3s，直至发光器件的电压值呈明显下降趋势时停止通电处理和光照处理，整个后处理过程中发光器件的电压变化情况如图5所示，整个后处理时间为75min，其中，图5中的A点即为停止后处理的时间点。

实施例2

本申请提供了一种发光器件的后处理方法及经由后处理获得的发光器件，相较于实施例1的后处理方法，本实施例的后处理的区别之处仅在于：将步骤S1.3替换为“将发光器件连接至外接电源(吉时利2400电源)以进行连续式恒流通电处理，通电电流为3微安，并在通电过程中对发光器件进行间断式光照处理，其中，光照处理的光源选自发射波长为430nm的紫外光，光照强度为10000lx，光照处理的间隔时间为3min，每次光照时间为3s，直至发光器件的电压值呈明显下降趋势时停止通电处理和光照处理，整个后处理过程中发光器件的电压变化情况如图6所示，其中，图6中的B点即为停止后处理的时间点”，本实施例中整个后处理的时间为66min。

相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：后处理方法不相同。

实施例3

本申请提供了一种发光器件的后处理方法及经由后处理获得的发光器件，相较于实施例1的后处理方法，本实施例的后处理的区别之处仅在于：将步骤S1.3替换为“将发光器件连接至外接电源(吉时利2400电源)以进行连续式恒流通电处理，通电电流为3微安，并在通电过程中对发光器件进行间断式光照处理，其中，光照处理的光源选自发射波长为430nm的紫外光，光照强度为10000lx，光照处理的间隔时间为25min，每次光照时间为3s，直至发光器件的电压值呈明显下降趋势时停止通电处理和光照处理，整个后处理过程中发光器件的电压变化情况如图7所示，其中，图7中的C点即为停止后处理的时间点”，本实施例中整个后处理的时间为155min。

相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：后处理方法不相同。

实施例4

本申请提供了一种发光器件的后处理方法及经由后处理获得的发光器件，相较于实施例1的后处理方法，本实施例的后处理的区别之处仅在于：将步骤S1.3替换为“将发光器件连接至外接电源(吉时利2400电源)以进行间断式恒流通电处理(通电电流为3微安)，并进行间断式光照处理(光照处理的光源选自发射波长为430nm的紫外光，光照强度为10000lx，通电处理和光照处理交替进行，每次通电处理的时间为30min，且每次光照处理的时间为3s，直至发光器件的电压值呈明显下降趋势时停止通电处理和光照处理，整个后处理过程中发光器件的电压变化情况如图8所示，其中，图8中的D点即为停止后处理的时间点”，本实施例中整个后处理的时间为160min。

相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：后处理方法不相同。

实施例5

本申请提供了一种发光器件的后处理方法及经由后处理获得的发光器件，相较于实施例1的后处理方法，本实施例的后处理的区别之处仅在于：将步骤S1.3替换为“将发光器件连接至外接电源(吉时利2400电源)以进行连续式恒压通电处理，通电电压为0.5V，并在通电过程中对发光器件进行间断式光照处理，其中，光照处理的光源选自发射波长为380nm的紫外光，光照强度为10000lx，光照处理的间隔时间为10min，每次光照时间为3s，直至通过发光器件的电流值呈明显的上升趋势时停止通电处理和光照处理，整个后处理过程中发光器件的电流变化情况如图9所示，其中，图9中的E点即为停止后处理的时间点”，本实施例中整个后处理的时间为55min。

相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：后处理方法不相同。

实施例6

本申请提供了一种发光器件的后处理方法及经由后处理获得的发光器件，相较于实施例1的后处理方法，本实施例的后处理的区别之处仅在于：将步骤S1.3替换为“将发光器件连接至外接电源(吉时利2400电源)以进行间断式恒压通电处理(通电电压为0.8V)和间断式光照处理(光照处理的光源选自发射波长为380nm的紫外光，光照强度为10000lx)，并且通电处理和光照处理交替进行，每次通电处理的时间为20min，且每次光照处理的时间为2s，直至通过发光器件的电流值呈明显的上升趋势时停止通电处理和光照处理，整个后处理过程中发光器件的电流变化情况如图10所示，其中，图10中的F点即为停止后处理的时间点”，本实施例中整个后处理的时间为85min。

相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：后处理方法不相同。

对比例

本申请提供了一种发光器件的后处理方法及经由后处理获得的发光器件，相较于实施例1的后处理方法，本实施例的后处理的区别之处仅在于：将步骤S1.3替换为“将发光器件连接至外接电源(吉时利2400电源)以进行连续式恒流通电处理(通电电流为3微安)，并进行连续式光照处理(光照处理的光源选自发射波长为380nm的紫外光，光照强度为10000lx)，处理时间为1h”。

相较于实施例1的发光器件，本实施例的发光器件的区别之处仅在于：后处理方法不相同。

实验例

对实施例1至实施例6以及对比例中经后处理获得的发光器件进行性能检测，采用弗士达FPD光学特性测量设备检测获得各个发光器件的电压、电流、亮度、发光光谱等参数，然后计算获得外量子点效率、功率效率等关键参数，并采用寿命测试设备测试上述的各个发光器件的使用寿命，各个发光器件的外量子效率-电流密度特性曲线如图11所示，各个发光器件的最大外量子效率(EQE_max,％)以及亮度由100％衰减至95％所需的时间(T95,h)的性能数据详见下表1：

表1实施例1至实施例6以及对比例的发光器件的性能检测结果

由表1和图11可知，相较于对比例的发光器件，实施例1至实施例6的发光器件的综合性能具有显著的优势，充分说明：相较于采用连续式通电处理结合连续式光照处理的后处理方法，采用通电处理结合间断式光照处理的后处理方法对封装完成的发光器件进行后处理，对发光器件的综合性能的提升效果更佳。

由实施例1与实施例4以及实施例5与实施例6可知，相较于采用连续式通电处理结合间断式光照处理的后处理方法，采用通电处理与光照处理交替进行的后处理方法对封装完成的发光器件进行后处理，能够进一步地降低发光器件的内光电效应水平，从而进一步地提升发光器件的综合性能。

由实施例1至实施例3可知，在本实验例的发光器件中，光照处理的光源和光源强度相同的前提下，光照处理的间隔时间优选为5min至20min，每次光照时间优选为1s至5s，若光照处理的间隔时间过长(例如实施例3)，则达到理想的光促熟化水平所需的时间较长；若光照处理的间隔时间过长(例如实施例2)，则发光器件的内光电效应水平较高，导致实施例2中发光器件的EQE_max和T95均不如实施例1中发光器件的EQE_max和T95。

以上对本申请实施例所提供的一种发光器件的后处理方法，进行了详细介绍。本文中使用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (15)

1.一种发光器件的后处理方法，其特征在于，所述后处理方法包括如下步骤：

提供发光器件，所述发光器件包括相对设置的阳极和阴极，以及设置于所述阳极与所述阴极之间的发光层；

在预设的时间范围内，对所述发光器件进行通电处理，并对所述发光器件进行间断式的光照处理。

2.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述通电处理为连续不间断式的。

3.根据权利要求2所述的后处理方法，其特征在于，所述光照处理的间隔时间为5min至20min，每次光照时间为1s至20s。

4.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述通电处理为间断式的。

5.根据权利要求4所述的后处理方法，其特征在于，相邻所述通电处理的间隔时间为1s至20s。

6.根据权利要求4所述的后处理方法，其特征在于，所述通电处理与所述光照处理交替进行。

7.根据权利要求6所述的后处理方法，其特征在于，单次所述通电处理的时间为5min至20min，单次所述光照处理的时间为1s至20s。

8.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述通电处理为恒流式通电处理，且所述通电处理的电流值为1微安至100微安。

9.根据权利要求8所述的后处理方法，其特征在于，所述通电处理的电流值低于所述发光器件的启亮电流值。

10.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述通电处理为恒压式通电处理，且所述通电处理的电压为0.1V至1.5V。

11.根据权利要求10所述的后处理方法，其特征在于，所述通电处理的电压值低于所述发光器件的启动电压。

12.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述对所述发光器件的阳极与阴极进行通电处理，并对所述发光器件进行间断式的光照处理的步骤是在不透光的密封腔体中进行。

13.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述发光层的材料为有机发光材料或量子点；

其中，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPA荧光材料、TBRb荧光材料或DBP荧光材料中的至少一种；

所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述量子点的组分选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物或I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS₂、CuInSe₂或AgInS₂中的至少一种。

14.根据权利要求1至13任一项中所述的后处理方法，其特征在于，所述光照处理的光源选自发射光波长为100nm至400nm的紫外光和/或发射光波长为400nm至500nm的可见光；

和/或，所述光照处理的光源的光照强度为400lx至40000lx。

15.根据权利要求14所述的后处理方法，其特征在于，所述光照处理的光源选自发射光波长为200nm至380nm的紫外光，且所述光照处理的光源的光照强度为4000lx至10000lx。

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