CN117832357A - 一种发光二极管及发光装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管中的外延层包括第一半导体层、有源层及第二半导体层，外延层的辐射波长处于第一波长范围。欧姆接触层设置于第一半导体层远离有源层的一侧，欧姆接触层包括若干个间隔设置的欧姆接触块，每个欧姆接触块与第一半导体层相接触的底部区域的最大宽度小于或者等于第一波长范围中的最大波长。欧姆接触电极至少覆盖所有欧姆接触块以及相邻欧姆接触块之间的第一半导体层。第一焊盘电极设置于欧姆接触电极上，与第一半导体层形成电连接。在本发明中，当光波经过欧姆接触块时，光波会发生衍射效应，使得大多数的光能够由发光二极管的出光面出射，整个发光二极管的亮度能够提升。

Description

一种发光二极管及发光装置

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种发光二极管及发光装置。

背景技术

发光二极管是一种将电能转换为光能的固体发光器件，由于其具有寿命长，体积小，耐震性好，节电，高效，响应时间快，驱动电压低，环保等优点，而广泛用于指示，显示，装饰，照明等诸多领域。

目前，在一些LED芯片的出光面上会设置一些金属材料以作为电极层或者是欧姆接触层。然而，欧姆接触层或者电极层均具有一定的吸光性，会造成发光二极管的光提取效率降低。而欧姆接触层用于改善电极与半导体层的电性接触，电极用于实现与外部电路结构的导通，均是不可避免的结构。如何进一步减小欧姆接触层或者电极对外延层的吸光，以提高发光二极管的外量子效率成为本领域亟需解决的问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种发光二极管及发光装置，以避免设置在出光面上的金属材料对外延层发出光的吸收，提高发光二极管的出光效率。

为了实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种发光二极管，包括：

外延层，包括第一半导体层、有源层及第二半导体层，外延层的辐射波长处于第一波长范围；

欧姆接触层，设置于第一半导体层远离有源层的一侧，欧姆接触层包括若干个间隔设置的欧姆接触块，每个欧姆接触块与第一半导体层相接触的底部区域的最大宽度小于或者等于第一波长范围中的最大波长；

欧姆接触电极，至少覆盖所有欧姆接触块以及相邻欧姆接触块之间的第一半导体层；

第一焊盘电极，设置于欧姆接触电极上，通过欧姆接触电极与第一半导体层形成电连接。

根据本发明的一个方面，本发明还提供一种发光装置，包括封装基板以及至少一个发光二极管，发光二极管为上述的发光二极管，且发光二极管具有基板的一侧键合于封装基板上。

与现有技术相比，本发明所述的发光二极管及发光装置至少具备如下有益效果：

本发明中的发光二极管包括外延层、欧姆接触层、欧姆接触电极以及第一焊盘电极。外延层包括第一半导体层、有源层及第二半导体层，外延层的辐射波长处于第一波长范围。欧姆接触层设置于第一半导体层远离有源层的一侧，欧姆接触层包括若干个间隔设置的欧姆接触块，每个欧姆接触块与第一半导体层相接触的底部区域的最大宽度小于或者等于第一波长范围中的最大波长。欧姆接触电极至少覆盖所有欧姆接触块以及相邻欧姆接触块之间的第一半导体层。第一焊盘电极设置于欧姆接触电极上，通过欧姆接触电极与第一半导体层形成电连接。在本发明中，当光波经过欧姆接触块时，由于欧姆接触块与第一半导体层相接触的底部区域的最大宽度小于第一波长范围的最大波长，光波会发生衍射效应。也即，欧姆接触块不会对光波进行吸收，光波会绕过欧姆接触块(阻光体)而发生衍射现象，使得外延层发出的光大多数能够由发光二极管的出光面出射，整个发光二极管的亮度能够提升。

本发明中的发光装置包括上述发光二极管，同样地具备上述技术效果。

附图说明

图1为现有技术中发光二极管的俯视结构示意图；

图2为图1中沿A-A’向截面的结构示意图；

图3为本发明实施例1中发光二极管俯视结构示意图；

图4为图3中沿B-B’向截面的结构示意图；

图5为本发明实施例1一可选示例中发光二极管的俯视结构示意图；

图6为本发明实施例1中一可选示例中发光二极管的截面(沿图3中B-B’向)结构示意图；

图7为本发明实施例2中发光二极管的俯视结构示意图；

图8为本发明实施例3中发光装置的结构示意图。

附图标记列表：

10 硅基板

20 金属键合层

30 反射层

40 外延层

50 电极条

60 电路导通层

70 焊盘电极

100 基板

200 键合层

301 金属反射层

302 介电层

303 导电柱

400 外延层

401 第一半导体层

402 有源层

403 第二半导体层

500 欧姆接触层

501 欧姆接触块

510 第一欧姆接触条

520 第二欧姆接触条

530 第三欧姆接触条

540 第四欧姆接触条

600 欧姆接触电极

610 电极部

611 第一电极条

612 第二电极条

613 第三电极条

614 第四电极条

620 导通部

621 第一导通条

622 第二导通条

623 第三导通条

624 第四导通条

700 第一焊盘电极

800 绝缘保护层

900 第二焊盘电极

001 发光二极管

002 封装基板

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。

须知，本发明实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本申请可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本申请所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。

在现有技术中，为了实现外延层与电极之间的电流扩展，一般会在外延层上设置电流扩展条。如图1和2所示，硅基板10的上方依次形成有金属键合层20、反射层30以及外延层40，在外延层40上形成有指状的电极条50，在电极条50的上方及电极条50与焊盘电极70之间形成了电路导通层60以实现焊盘电极70与电极条50之间的导通。然而，由于发光二极管的出光面与电极条50、电路导通层60位于同侧，且电极条50与电路导通层60均是金属材料，将电极条50及电路导通层60设置在发光二极管的出光面上，金属材质的电极条50及电路导通层60均会对外延层40发出的光进行吸收，影响发光二极管的出光效率。

基于背景技术以及上述存在的技术问题，本实施例提供一种发光二极管及发光装置，以避免设置在出光面上的金属电极材料对发光二极管的出光效率产生影响，提高发光二极管的出光效率。

具体地，本实施例提供一种发光二极管，包括：

外延层，包括第一半导体层、有源层及第二半导体层，外延层的辐射波长处于第一波长范围；

欧姆接触层，设置于第一半导体层远离有源层的一侧，欧姆接触层包括若干个间隔设置的欧姆接触块，每个欧姆接触块与第一半导体层相接触的底部区域的最大宽度小于或者等于第一波长范围中的最大波长；

欧姆接触电极，至少覆盖所有欧姆接触块以及相邻欧姆接触块之间的第一半导体层；

第一焊盘电极，设置于欧姆接触电极上，通过欧姆接触电极与第一半导体层形成电连接。由此，当光波经过欧姆接触块时，由于欧姆接触块与第一半导体层相接触的底部区域的最大宽度小于第一波长范围的最大波长，光波会发生衍射效应。也即，欧姆接触块不会对光波进行吸收，光波会绕过欧姆接触块(阻光体)而发生衍射现象，使得外延层发出的光大多数能够由发光二极管的出光面出射，整个发光二极管的亮度能够提升。

可选地，每个欧姆接触块沿垂直于第一半导体层的方向上的高度小于第一波长范围内的最大波长。由此，能够有更多的光波发生衍射现象，也即绕过欧姆接触块由发光二极管的出光面出射的光更多，以进一步提高发光二极管的出光效率。

可选地，相邻欧姆接触块之间的距离小于或者等于第一波长范围内的最大波长，进一步增强衍射现象，提高出光效率。

可选地，欧姆接触层包括：

第一欧姆接触条；

第二欧姆接触条；

第三欧姆接触条；

第四欧姆接触条；

其中，第一欧姆接触条、第二欧姆接触条、第三欧姆接触条及第四欧姆接触条自各个欧姆接触条的延伸方向沿第一焊盘电极的周围环向排布，且第一欧姆接触条、第二欧姆接触条、第三欧姆接触条及第四欧姆接触条彼此不连接。

可选地，欧姆接触电极包括电极部，电极部包括第一电极条、第二电极条、第三电极条以及第四电极条，其中，第一电极条覆盖在第一欧姆接触条上，第二电极条覆盖在第二欧姆接触条上，第三电极条覆盖在第三欧姆接触条上，第四电极条覆盖在第四欧姆接触条上。

可选地，欧姆接触电极还包括导通部，导通部包括第一导通条、第二导通条、第三导通条以及第四导通条，第一导通条连接第一焊盘电极与第一电极条，第二导通条连接第一焊盘电极与第二电极条，第三导通条连接第一焊盘电极与第三电极条，第四导通条连接第一焊盘电极与第四电极条。

可选地，每个导通条的宽度小于或者等于第一波长范围内的最大波长，当导通条是非透明材质的金属材质时，这样的设置能够进一步增加光波的衍射，提高出光效率。

可选地，每个导通条与第一半导体层之间设置有欧姆接触层。

可选地，欧姆接触电极完全覆盖第一半导体层，在欧姆接触电极为透明电极时，将欧姆接触电极做整层覆盖第一半导体层不会对外延层的出射光造成损失，而且还能提高电流扩展效果。

可选地，欧姆接触层至多占据第一半导体层的表面面积的30％。

可选地，第一波长范围介于550nm～950nm，欧姆接触块与第一半导体层相接触的底部区域的最大宽度小于550nm。

可选地，欧姆接触块的形状呈圆柱形，欧姆接触块的形状为圆柱形，该圆柱形的欧姆接触块能够与欧姆接触电极有较大的面积接触，提高电流扩展效果。

可选地，欧姆接触电极为透明电极。

可选地，欧姆接触块的材料为金、锗、镍、钛、铬中的一种或者多种。

可选地，欧姆接触电极的厚度介于1μm～5μm。

可选地，发光二极管还包括：

键合层，设置于外延层的第二半导体层远离有源层的一侧；

基板，与键合层远离外延层的一侧相键合。

可选地，发光二极管还包括：

第二焊盘电极，形成于基板远离键合层的一侧，基板为导电基板。

可选地，发光二极管还包括：

金属反射层，设置于键合层与第二半导体层之间。

可选地，发光二极管还包括：

介电层，设置于金属反射层与第二半导体层之间，介电层沿垂直于基板的方向上设置有贯穿介电层的开口，开口内形成有导电柱，导电柱导通金属反射层与第二半导体层。

本实施例还提供一种发光装置，包括：

封装基板；

至少一个发光二极管，发光二极管为上述的发光二极管，且发光二极管具有基板的一侧键合于封装基板上。

实施例1

本实施例提供一种发光二极管，参照图3和4，该发光二极管包括外延层400、欧姆接触层500、欧姆接触电极600以及第一焊盘电极700。

具体地，参照图4，外延层400包括依次叠置的第一半导体层401、有源层402及第二半导体层403。外延层400靠近第一半导体层401的一侧为第一面，也为整个发光二极管的出光面，外延层400靠近第二半导体层403的一侧为第二面。其中，第一半导体层401可以是N型半导体层，第二半导体层403为P型半导体层，当然，第一半导体层401为P型半导体层，第二半导体层403为N型半导体层也是可以的。第一半导体层401用于提供进行复合发光的电子，第二半导体层403用于提供进行复合发光的空穴。有源层402为单量子阱或多量子阱，用于进行电子和空穴的复合发光。该外延层400能够辐射红光、黄光或者红外光，且外延层400的辐射波长处于第一波长范围。在本实施例中，外延层400的第一波长范围介于550nm～950nm。

参照图4，欧姆接触层500设置在第一半导体层401远离有源层402的一侧，也即欧姆接触层500设置在外延层400的第一面上。欧姆接触层500包括若干个间隔设置的欧姆接触块501，每个欧姆接触块501与第一半导体层401相接触的底部区域的最大宽度小于或者等于第一波长范围的最大波长。由此，当光波经过欧姆接触块501时，由于欧姆接触块501与第一半导体层401相接触的底部区域的最大宽度小于第一波长范围的最大波长，光波会发生衍射效应。也即，欧姆接触块501不会对光波进行吸收，光波会绕过欧姆接触块501(阻光体)而发生衍射现象(附图4中的箭头方向为光波走向)，使得外延层400发出的光大多数能够由发光二极管的出光面出射，整个发光二极管的亮度能够提升。

参照图4，为了进一步提高出光效率，每个欧姆接触块501沿垂直于第一半导体层401的方向上的高度小于第一波长范围内的最大波长。并且，相邻欧姆接触块501之间的距离小于或者等于第一波长范围内的最大波长。由此，能够有更多的光波发生衍射现象，也即绕过欧姆接触块501由发光二极管的出光面出射的光更多，进一步提高发光二极管的出光效率。可选地，欧姆接触块501的形状可以为锥形、圆柱形或者方形等，本实施例对欧姆接触块501的形状不做限制，只要控制欧姆接触块501的尺寸小于或者等于第一波长范围内的最大波长，使得由外延层400发射出的光能够发生衍射现象即可。在本实施例中，欧姆接触块501的形状为圆柱形，该圆柱形的欧姆接触块501能够与欧姆接触电极600有较大的面积接触，提高电流扩展效果。欧姆接触块501与第一半导体层401相接触的底部区域的最大宽度小于550nm，当欧姆接触块501呈圆柱型时，欧姆接触块501的底面圆的直径小于550nm，圆柱的高度也小于550nm。

参照图3，欧姆接触层500的整体具有形状。在本实施例中，欧姆接触层500的形状呈“田”字形。并且，欧姆接触层500至多占据第一半导体层401的表面面积的30％，以保证较好的出光效果。具体地，欧姆接触层500包括第一欧姆接触条510、第二欧姆接触条520、第三欧姆接触条530及第四欧姆接触条540，每个欧姆接触条均是由间隔排布的欧姆接触块501形成。其中，第一欧姆接触条510、第二欧姆接触条520、第三欧姆接触条530及第四欧姆接触条540自各个欧姆接触条的延伸方向沿第一焊盘电极700的周围环向排布，且第一欧姆接触条510、第二欧姆接触条520、第三欧姆接触条530及第四欧姆接触条540彼此不连接。可选地，欧姆接触块501的材料为金、锗、镍、钛、铬中的一种或者多种。

欧姆接触电极600至少覆盖所有欧姆接触块501及相邻欧姆接触块501之间的第一半导体层401。例如，参照图5，欧姆接触电极600可以全部覆盖在第一半导体层401上，并完全覆盖第一半导体层401上的欧姆接触块501。参照图3，也可以覆盖在欧姆接触块501及部分第一半导体层401上，以将欧姆接触块501与第一半导体层401上的第一焊盘电极700导通。在本实施例中，参照图3，欧姆接触电极600包括电极部610及导通部620，电极部610覆盖在所有欧姆接触块501上，用于连接所有的欧姆接触块501。导通部620设置于欧姆接触块501与第一焊盘电极700之间，用于将欧姆接触块501与第一焊盘电极700导通。具体地，电极部610包括第一电极条611、第二电极条612、第三电极条613以及第四电极条614，其中，第一电极条611覆盖在欧姆接触层500的第一欧姆接触条510上，第二电极条612覆盖在欧姆接触层500的第二欧姆接触条520上，第三电极条613覆盖在欧姆接触层500的第三欧姆接触条530上，第四电极条614覆盖在欧姆接触层500的第四欧姆接触条540上。导通部620包括第一导通条621、第二导通条622、第三导通条623以及第四导通条624，第一导通条621连接第一焊盘电极700与第一电极条611，第二导通条622连接第一焊盘电极700与第二电极条612，第三导通条623连接第一焊盘电极700与第三电极条613，第四导通条624连接第一焊盘电极700与第四电极条614。

导通部620与第一半导体层401之间可以设置欧姆接触层500，也可以不设置欧姆接触层500。参照图3，在本实施例中，导通部620与第一半导体层401之间设置欧姆接触层500，以使得整个欧姆接触层500呈“田”字型。并且，为了避免欧姆接触电极600对于外延层400发出光的吸收，欧姆接触电极600设置为透明电极，此时欧姆接触电极600的电极部610及导通部620均是透明电极，不会对外延层400发出的光吸收，进而也避免了欧姆接触电极600对发光二极管的外延层400的出光量的吸收。可选地，该透明电极的材料可以为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，在本实施例中，欧姆接触电极600的材料为IZO，欧姆接触电极600的厚度介于1μm～5μm。

参照图3和4，第一焊盘电极700设置于欧姆接触电极600上，通过欧姆接触电极600与第一半导体层401形成电连接。在本实施例中，第一焊盘电极700位于第一半导体层401的中心。可选地，第一焊盘电极700的材料可以为诸如A1、Ni、Ti、Pt、Cr、Au等一种材料或者这些材料中的至少两种组成的合金。

参照图4，绝缘保护层800形成在欧姆接触电极600、第一焊盘电极700以及暴露的第一半导体层401的表面，且绝缘保护层800在第一焊盘电极700上形成有开口，该开口暴露第一焊盘电极700的部分表面，以用于发光二极管与外部形成电性连接。可选地，绝缘保护层800的材料可以为SiO₂、Si₃N₄、TiO₂、Ti₂O₃、Ti₃O₅、Ta₂O₅、ZrO₂等材料中的一种或多种。

在本实施例中，参照图4，发光二极管还包括键合层200，键合层200设置于外延层400的第二半导体层403远离有源层402的一侧。基板100与键合层200远离外延层400的一侧相键合。基板100可以为导电基板100也可以为非导电基板100。例如，蓝宝石基板100等。当基板100为非导电基板100时，可以在外延层400上刻蚀台阶暴露出第二半导体层403靠近有源层402的一面，在该暴露的第二半导体层403上形成第二焊盘电极900，此时的第二焊盘电极900与第一焊盘电极700同侧，形成为水平结构芯片。在本实施例中，基板100为导电基板100，第二焊盘电极900设置于基板100远离键合层200的一侧，使得发光二极管形成为垂直结构的芯片，可选地，基板100可以为具有导电性能的GaP、SiC、Si或者是GaAs中的一种。可选地，第二焊盘电极900的材料可以为诸如A1、Ni、Ti、Pt、Cr、Au等一种材料或者这些材料中的至少两种组成的合金。

可选地，参照图4，发光二极管在键合层200与第二半导体层403之间还设置有金属反射层301。该金属反射层301可以将外延层400射向基板100的光反射至出光面，有利于提高出光效率。金属反射层301采用包括Au、Ag、Al或者Pt中的至少一种材料制成。

为了进一步提高反射效率，参照图6，在金属反射层301与第二半导体层403之间还设置有介电层302，该介电层302与金属反射层301能够形成ODR反射结构，更有利于反射效率的提高。该介电层302可以为单层结构或者多层结构，本实施例中优选该介电层302为DBR反射层。该DBR反射层302是由不同折射率材料交替层叠形成的布拉格反射层。布拉格反射层的材料为SiO₂、TiO₂、ZnO₂、ZrO₂、Cu₂O₃中不同材料中的至少两种。具体可以是高折射率以及低折射率材料交替层叠的方式形成。在本实施例中，该DBR反射层302包括多个由第一材料层和第二材料层组成的层对。第一材料层的折射率大于第二材料层的折射率。也即，第一材料层为低折射率层，例如SiO₂。第二材料层为高折射率层，例如TiO₂。为了实现第二半导体层403与金属反射层301之间的电性导通，DBR反射层302沿垂直于基板100的方向上设置有贯穿DBR反射层302的开口，开口内形成有导电柱303，导电柱303导通金属反射层301与第二半导体层403。

实施例2

本实施例提供一种发光二极管，该发光二极管实施例1的相同之处在此不再赘述，其不同之处在于：

在本实施例中，参照图7，导通部620与第一半导体层401之间不设置欧姆接触层500。欧姆接触层500的形状呈“口”字形。欧姆接触电极600可以为透明电极，也可以不是透明电极。当欧姆接触电极600不是透明电极时，为了避免欧姆接触电极600对于外延层400发出光的吸收，可以设置电极部610的每个电极条的宽度小于或者等于第一波长范围内的最大波长，导通部620的每个导通条的宽度小于或者等于第一波长范围内的最大波长，以使得更多的光波发生衍射现象，增加发光二极管的出光效果。

实施例3

本实施例提供一种发光装置，参照图8，该发光装置包括封装基板002以及设置于封装基板002的表面上的至少一个发光二极管001。该封装基板002与发光二极管001上的第二焊盘电极900形成电性连接。该发光二极管为实施例1或者实施例2中的发光二极管。如上所述，由于本实施例中的发光装置包括实施例1或者实施例2中的发光二极管，进而该发光装置具有较好的出光效果。

综上，本发明中的发光二极管包括外延层、欧姆接触层、欧姆接触电极以及第一焊盘电极。外延层包括第一半导体层、有源层及第二半导体层，外延层的辐射波长处于第一波长范围。欧姆接触层设置于第一半导体层远离有源层的一侧，欧姆接触层包括若干个间隔设置的欧姆接触块，每个欧姆接触块与第一半导体层相接触的底部区域的最大宽度小于或者等于第一波长范围中的最大波长。欧姆接触电极至少覆盖所有欧姆接触块以及相邻欧姆接触块之间的第一半导体层。第一焊盘电极设置于欧姆接触电极上，通过欧姆接触电极与第一半导体层形成电连接。在本发明中，当光波经过欧姆接触块时，由于欧姆接触块与第一半导体层相接触的底部区域的最大宽度小于第一波长范围的最大波长，光波会发生衍射效应。也即，欧姆接触块不会对光波进行吸收，光波会绕过欧姆接触块(阻光体)而发生衍射现象，使得外延层发出的光大多数能够由发光二极管的出光面出射，整个发光二极管的亮度能够提升。

本发明中的发光装置包括上述发光二极管，同样地具备上述技术效果。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (20)

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

外延层，包括第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述外延层的辐射波长处于第一波长范围；

欧姆接触层，设置于所述第一半导体层远离所述有源层的一侧，所述欧姆接触层包括若干个间隔设置的欧姆接触块，每个所述欧姆接触块与所述第一半导体层相接触的底部区域的最大宽度小于或者等于所述第一波长范围中的最大波长；

欧姆接触电极，至少覆盖所有所述欧姆接触块以及相邻所述欧姆接触块之间的第一半导体层；

第一焊盘电极，设置于所述欧姆接触电极上，通过所述欧姆接触电极与所述第一半导体层形成电连接。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，每个所述欧姆接触块沿垂直于所述第一半导体层的方向上的高度小于或等于所述第一波长范围内的最大波长。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，相邻所述欧姆接触块之间的距离小于或者等于所述第一波长范围内的最大波长。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触层包括：

第一欧姆接触条；

第二欧姆接触条；

第三欧姆接触条；

第四欧姆接触条；

其中，所述第一欧姆接触条、所述第二欧姆接触条、所述第三欧姆接触条及所述第四欧姆接触条自各欧姆接触条的延伸方向沿所述第一焊盘电极的周围环向排布，且所述第一欧姆接触条、所述第二欧姆接触条、所述第三欧姆接触条及所述第四欧姆接触条彼此不连接。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触电极包括电极部，所述电极部包括第一电极条、第二电极条、第三电极条以及第四电极条，其中，所述第一电极条覆盖在所述第一欧姆接触条上，所述第二电极条覆盖在所述第二欧姆接触条上，所述第三电极条覆盖在第三欧姆接触条上，所述第四电极条覆盖在所述第四欧姆接触条上。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触电极还包括导通部，所述导通部包括第一导通条、第二导通条、第三导通条以及第四导通条，所述第一导通条连接所述第一焊盘电极与所述第一电极条，所述第二导通条连接所述第一焊盘电极与所述第二电极条，所述第三导通条连接所述第一焊盘电极与所述第三电极条，所述第四导通条连接所述第一焊盘电极与所述第四电极条。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，每个所述导通条的宽度小于或者等于所述第一波长范围内的最大波长。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，每个所述导通条与所述第一半导体层之间设置有所述欧姆接触层。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触电极完全覆盖所述第一半导体层。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触层至多占据所述第一半导体层的表面面积的30％。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一波长范围介于550nm～950nm，所述欧姆接触块与所述第一半导体层相接触的底部区域的最大宽度小于550nm。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触块的形状呈圆柱形。

13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触电极为透明电极。

14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触块的材料为金、锗、镍、钛、铬中的一种或者多种。

15.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述欧姆接触电极的厚度介于1μm～5μm。

16.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

键合层，设置于所述外延层的第二半导体层远离所述有源层的一侧；

基板，与所述键合层远离所述外延层的一侧相键合。

17.根据权利要求16所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

第二焊盘电极，设置于所述基板远离所述键合层的一侧，所述基板为导电基板。

18.根据权利要求16所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

金属反射层，设置于所述键合层与所述第二半导体层之间。

19.根据权利要求18所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

介电层，设置于所述金属反射层与所述第二半导体层之间，所述介电层沿垂直于所述基板的方向上设置有贯穿所述介电层的开口，所述开口内形成有导电柱，所述导电柱导通所述金属反射层与所述第二半导体层。

20.一种发光装置，其特征在于，包括：

封装基板；

至少一个发光二极管，所述发光二极管为权利要求1～19中任一项所述的发光二极管，且所述发光二极管具有基板的一侧键合于所述封装基板上。