CN117794277A - 一种量子点发光器件及其制作方法、显示基板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种量子点发光器件及其制作方法、显示基板、显示装置，本发明实施例提供的量子点发光器件通过在第一空穴传输层和空穴注入层之间设置多个第一金属微纳结构，该多个第一金属微纳结构可以改变界面处的反射和折射条件，使得量子点发光层发射的光可以向多个不同方向反射和折射，降低发生全反射的概率，从而能够提高发光器件的出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光器件及其制作方法、显示基板、显示装置。
背景技术
量子点(Quantum Dot，简称QD)作为新型的发光材料，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，已成为目前新型发光二级管中发光材料的研究热点。因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(Quantum Dot Light EmittingDiodes，简称QLED)成为了目前新型显示器件研究的主要方向。
但是，目前QLED器件存在出光效率普遍较低的问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种量子点发光器件及其制作方法、显示基板、显示装置，用以提高量子点发光器件的出光效率。
本发明实施例提供了一种量子点发光器件，包括：相对设置的第一电极和第二电极，位于所述第一电极和所述第二电极之间的量子点发光层，位于所述第二电极和所述量子点发光层之间的第一空穴传输层，位于所述第一空穴传输层和所述第二电极之间的空穴注入层，以及位于所述第一空穴传输层和所述空穴注入层之间的多个第一金属微纳结构。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，还包括位于所述第一空穴传输层和所述第一金属微纳结构之间的第二空穴传输层，所述第二空穴传输层通过相邻所述第一金属微纳结构之间的间隙与所述空穴注入层接触设置，且所述第一空穴传输层的LUMO能级浅于所述第二空穴传输层的LUMO能级。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，还包括位于所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层之间的多个第二金属微纳结构，所述第一空穴传输层通过相邻所述第二金属微纳结构之间的间隙与所述第二空穴传输层接触设置。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述空穴注入层的材料包括金属氧化物，所述第一金属微纳结构与所述空穴注入层之间通过化学键配位连接。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，还包括位于所述第一金属微纳结构和所述空穴注入层之间的第二空穴传输层，所述第一空穴传输层通过相邻所述第一金属微纳结构之间的间隙与所述第二空穴传输层接触设置，且所述第一空穴传输层的LUMO能级浅于所述第二空穴传输层的LUMO能级。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述第一金属微纳结构的材料包括Ag。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述第一金属微纳结构在沿所述第一电极指向所述第二电极的第一方向上的厚度为2nm～12nm，所述第一金属微纳结构在垂直于所述第一方向上的宽度为1nm～7nm，相邻所述第一金属微纳结构之间的距离为2nm～100nm。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述第一金属微纳结构的形状为半圆形或半椭圆形。
可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，还包括位于所述第一电极和所述量子点发光层之间的电子传输层。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示基板，包括本发明实施例提供的上述任一项所述的多个量子点发光器件。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述多个量子点发光器件包括多个不同发光波长的量子点发光器件，各所述量子点发光器件中相邻所述金属微纳结构之间的距离与所述量子点发光器件的发光波长呈正相关趋势。
可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，各所述量子点发光器件中的所述金属微纳结构厚度与所述量子点发光器件的发光波长呈反相关趋势。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任一项所述的显示基板。
相应地，本发明实施例还提供了一种用于制作本发明实施例提供的上述任一项所述的量子点发光器件的制作方法，包括：
制作相对设置的第一电极和第二电极，位于所述第一电极和所述第二电极之间的量子点发光层，位于所述第二电极和所述量子点发光层之间的第一空穴传输层，位于所述第一空穴传输层和所述第二电极之间的空穴注入层，以及位于所述第一空穴传输层和所述空穴注入层之间的多个第一金属微纳结构；其中，
采用蒸镀工艺制作所述多个第一金属微纳结构。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述蒸镀工艺的蒸镀速率为
本发明实施例的有益效果如下：
本发明实施例提供的一种量子点发光器件及其制作方法、显示基板、显示装置，本发明实施例提供的量子点发光器件通过在第一空穴传输层和空穴注入层之间设置多个第一金属微纳结构，该多个第一金属微纳结构可以改变界面处的反射和折射条件，使得量子点发光层发射的光可以向多个不同方向反射和折射，降低发生全反射的概率，从而能够提高发光器件的出光效率。
附图说明
图1为相关技术中提供的一种量子点发光器件的结构示意图；
图2为图1对应的量子点发光器件的亮度-电流效率示意图；
图3为本发明实施例提供的一种量子点发光器件的结构示意图；
图4为蒸镀Ag形成的微纳结构阵列的SEM照片；
图5为本发明实施例提供的又一种量子点发光器件的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种量子点发光器件的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种量子点发光器件的结构示意图；
图8为图6对应的量子点发光器件的亮度-电流效率示意图；
图9为图7对应的量子点发光器件的亮度-电流效率示意图；
图10为本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
相关技术中的一种量子点发光器件的结构，如图1所示，包括依次层叠设置的光取出层1、第一电极2、电子传输层3、量子点发光层4、第一空穴传输层5、第二空穴传输层6、空穴注入层7和第二电极8，以该量子点发光器件为倒置底出光为例，本案的发明人对该量子点发光器件的发光效率进行了测试，具体的测试参数为：在衬底基板(未示出)上蒸镀光取出层1(厚度为50nm～100nm)；在光取出层1上制作第一电极2；通过旋涂法在第一电极2(例如ITO)上旋涂电子传输层3(材料为ZnO，浓度为30mg/mL，转速为3000r/min)，并在120℃下退火10min；在电子传输层3上采用旋涂法制作量子点发光层4(浓度为15mg/mL，转速为3000r/min)，并在120℃下退火10min；在量子点发光层4上采用蒸镀法制作第一空穴传输层5(厚度为10nm)；在第一空穴传输层5上采用蒸镀法制作第二空穴传输层6(厚度为30nm)；在第二空穴传输层6上采用蒸镀法制作空穴注入层7(材料为MoO3，厚度为7nm)；在空穴注入层7上采用蒸镀法制作第二电极8(材料为Mg/Ag，厚度为2nm/8nm)。如图2所示，图2为图1所示的量子点发光器件对应亮度-电流效率测试曲线图，可以看出，该量子点发光器件的电流效率最大约为25cd/A，发光器件的出光效率较低。
有鉴于此，为了提高量子点发光器件的出光效率，本发明实施例提供了一种量子点发光器件，如图3所示，包括：相对设置的第一电极2和第二电极8，位于第一电极2和第二电极8之间的量子点发光层4，位于第二电极8和量子点发光层4之间的第一空穴传输层5，位于第一空穴传输层5和第二电极8之间的空穴注入层7，以及位于第一空穴传输层5和空穴注入层7之间的多个第一金属微纳结构91。
本发明实施例提供的上述量子点发光器件，通过在第一空穴传输层和空穴注入层之间设置多个第一金属微纳结构，该多个第一金属微纳结构可以改变界面处的反射和折射条件，使得量子点发光层发射的光可以向多个不同方向反射和折射，降低发生全反射的概率，从而能够提高发光器件的出光效率。
在具体实施时，可以在第一空穴传输层上通过蒸镀分子质量较大且容易形成岛状结构的金属材料，通过控制金属膜层的厚度和蒸镀速率来形成岛状的微阵列，经本案的发明人研究发现，通过控制Ag的蒸镀速率，可以形成均匀的第一金属微纳结构91微阵列结构，因此，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，如图3所示，第一金属微纳结构的材料可以为但不限于Ag，第一金属微纳结构91在沿第一电极指向第二电极的第一方向(Y)上的厚度可以为2nm～12nm，第一金属微纳结构91垂直于第一方向上(即X方向)的宽度可以为1nm～7nm，相邻第一金属微纳结构91之间的距离可以为2nm～100nm。并且，通过蒸镀的方式可以形成均匀的第一金属微纳结构91的微阵列结构，方法简单，工艺可控。
如图4所示，图4为本案的发明人采用蒸镀的方式在基底(例如玻璃基板)上蒸镀Ag之后进行测试的SEM照片，其蒸镀参数为：首先准备玻璃基板，用水和异丙醇超声清洗干净后转入蒸镀机中，抽真空至10-4pa以下，蒸镀Ag的蒸镀速率为蒸镀Ag的厚度为2nm～12nm。从图4中可以看出，Ag的薄膜可以形成规则的岛状结构，因此证明Ag可以用来制作发光器件中的微纳结构，来提高出光。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，如图3所示，第一金属微纳结构91的形状可以为但不限于半圆形或半椭圆形。
在具体实施时，由于量子点发光器件中一般电子传输的效率高于空穴传输的效率，使得量子点发光器件中出现多电子的问题，导致电子-空穴传输不平衡，因此在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，如图5所示，还包括位于第一空穴传输层5和第一金属微纳结构91之间的第二空穴传输层6，第二空穴传输层6通过相邻第一金属微纳结构91之间的间隙与空穴注入层7接触设置，且第一空穴传输层5的LUMO能级浅于第二空穴传输层6的LUMO能级。这样第一空穴传输层5可以起到阻挡电子向量子点发光层4传输的作用，提高空穴向量子点发光层4传输的性能。
具体地，如图5所示，可以仅在第二空穴传输层6和空穴注入层7之间设置第一金属微纳结构91。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，如图6所示，还包括位于第一空穴传输5和第二空穴传输6之间的多个第二金属微纳结构92，第一空穴传输层5通过相邻第二金属微纳结构92之间的间隙与第二空穴传输层6接触设置。通过在第一空穴传输层5和第二空穴传输6之间以及第二空穴传输6和空穴注入层7之间均设置金属微纳结构，可以进一步的提高量子点发光器件的出光效率。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，如图5和图6所示，由于在第二空穴传输层6和空穴注入层7之间设置第一金属微纳结构91，为了减弱第二空穴传输层6和空穴注入层7之间的界面作用，空穴注入层7的材料可以选择具有悬挂键的材料，例如空穴注入层7的材料可以包括金属氧化物，例如MoO3、NiO、V2O5、WO2等，这些金属氧化物一般包括没有进行配位的悬挂键，这些悬挂键可以和Ag进行键合，因此本发明实施例图5和图6所示的结构中的第一金属微纳结构91与空穴注入层7之间通过化学键(悬挂键)配位连接，使得第一金属微纳结构91与空穴注入层7之间的界面由物理接触变为键合连接接触，提高器件性能。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，如图6所示，第一金属微纳结构91在第一电极2上的正投影与第二金属微纳结构92在第一电极2上的正投影可以一一对应且重合。这样通过第一金属微纳结构91和第二金属微纳结构92的相互配合，可以使得更多的光可以向更多个不同方向反射和折射，进一步降低发生全反射的概率，从而能够显著提高发光器件的出光效率。当然，由于蒸镀工艺影响，各第一金属微纳结构91在第一电极2上的正投影与个第二金属微纳结构92在第一电极2上的正投影不可能做到完全重合，会存在一定的偏差。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，如图6所示，第一金属微纳结构91的材料可以与第二金属微纳结构92的材料相同，第一金属微纳结构91的形状可以与第二金属微纳结构92的形状相同，第一金属微纳结构91的厚度可以与第二金属微纳结构92的厚度相同。这样可以统一第一金属微纳结构91和第二金属微纳结构92的制作工艺，降低工艺难度。当然，由于蒸镀工艺影响，第一金属微纳结构91的形状和第二金属微纳结构92的形状不可能做到完全相同，第一金属微纳结构91的厚度与第二金属微纳结构92的厚度也不可能做到完全相同，会存在一定的偏差。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，如图7所示，还包括位于第一金属微纳结构91和空穴注入层7之间的第二空穴传输层6，第一空穴传输层5通过相邻第一金属微纳结构91之间的间隙与第二空穴传输层6接触设置，且第一空穴传输层5的LUMO能级浅于第二空穴传输层6的LUMO能级。这样第一空穴传输层5可以起到阻挡电子向量子点发光层4传输的作用，提高空穴向量子点发光层4传输的性能。
具体地，如图7所示，可以仅在第一空穴传输层5和第二空穴传输层6之间设置第一金属微纳结构91。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，如图3、图5-图7所示，空穴注入层7的厚度可以为3nm～15nm。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，如图3、图5-图7所示，还包括位于第一电极2和量子点发光层4之间的电子传输层3。具体地，电子传输层3的材料可以为ZnO、ZnMgO，电子传输层3的厚度可以为20nm～50nm。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，如图3、图5-图7所示，量子点发光层4的厚度可以为20nm～50nm，量子点发光层4的材料包括但不限于CdS、CdSe、ZnSe、InP、PbS、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnSe、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS或CsPhI3/ZnS等量子点材料。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，如图3所示，第一空穴传输层5的厚度可以为20nm～60nm。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，如图5-图7所示，第一空穴传输层5的厚度可以为10nm～20nm，第二空穴传输层6的厚度可以为20nm～60nm。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，如图3、图5-图7所示，还包括位于第一电极2背离第二电极8一侧的光取出层1，光取出层1的材料可以为有机材料，光取出层1的厚度可以为50nm～100nm。
从结构上来划分，量子点发光器件可以为正置结构，也可以为倒置结构，二者区别在于膜层制作顺序不同，具体为：倒置结构是在基底上依次形成第一电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和第二电极，正置结构是在基底上依次形成第二电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和第一电极。
本发明实施例提供的图3、图5-图7所示的量子点发光器件是以倒置结构为例，当然本发明实施例提供的量子点发光器件也可以为正置结构。
从出光方式来划分，量子点发光器件可以为顶出光和底出光两种方式，本发明实施例提供的图3、图5-图7所示的量子点发光器件是以底出光为例，当然本发明实施例提供的量子点发光器件也可以为顶出光。
对于倒置底出光结构来说，如图3、图5-图7所示，第一电极2为透明电极或半透半反膜层，可以让光线透过，第二电极8为不透明电极或包括不透明膜层作为反射膜层。具体地，第一电极2的材料可以包括Al、Ag、Mg:Ag合金等，第一电极2的厚度可以是10nm～20nm；第一电极2的材料也可以采用透明导电的ITO、IZO等，其厚度可以为40nm～200nm。第二电极8的材料可以是不透明的Al、Ag、Ti、Mo、Mg:Ag(厚度为60nm～150nm)等，还可以在Al、Ag、Ti、Mo、Mg:Ag的上方沉积ITO、FTO或者导电聚合物(厚度为5nm～50nm)等。本发明实施例以第一电极2的材料为ITO，第二电极8的材料为Mg:Ag为例。
具体地，本案的发明人对图5所示的量子点发光器件的发光效率进行了测试，具体的测试参数为：在衬底基板(未示出)上蒸镀光取出层1(厚度为50nm～100nm)；在光取出层1上制作第一电极2；通过旋涂法在第一电极2(例如ITO)上旋涂电子传输层3(材料为ZnO，浓度为30mg/mL，转速为3000r/min)，并在120℃下退火10min；在电子传输层3上采用旋涂法制作量子点发光层4(浓度为15mg/mL，转速为3000r/min)，并在120℃下退火10min；在量子点发光层4上采用蒸镀法制作第以空穴传输层5(厚度为10nm)；在第一空穴传输层5上采用蒸镀法制作第二空穴传输层6(厚度为30nm)；在第二空穴传输层6上蒸镀Ag形成第一金属微纳结构91(蒸镀速率为 蒸镀Ag的厚度为2nm～12nm)；在第一金属微纳结构91上采用蒸镀法制作空穴注入层7(材料为MoO3，厚度为7nm)；在空穴注入层7上采用蒸镀法制作第二电极8(材料为Mg/Ag，厚度为2nm/8nm)。如图9所示，图9为图7所示的量子点发光器件对应亮度-电流效率测试曲线图，可以看出，该量子点发光器件的电流效率最大可以达到30cd/A，因此本发明实施例提供的量子点发光器件的出光效率相比于现有技术中显著提升。
具体地，本案的发明人还对图6所示的量子点发光器件的发光效率进行了测试，具体的测试参数为：在衬底基板(未示出)上蒸镀光取出层1(厚度为50nm～100nm)；在光取出层1上制作第一电极2；通过旋涂法在第一电极2(例如ITO)上旋涂电子传输层3(材料为ZnO，浓度为30mg/mL，转速为3000r/min)，并在120℃下退火10min；在电子传输层3上采用旋涂法制作量子点发光层4(浓度为15mg/mL，转速为3000r/min)，并在120℃下退火10min；在量子点发光层4上采用蒸镀法制作第一空穴传输层5(厚度为10nm)；在第一空穴传输层5上蒸镀Ag形成第二金属微纳结构92(蒸镀速率为 蒸镀Ag的厚度为2nm～12nm)；在第二金属微纳结构92上采用蒸镀法制作第二空穴传输层6(厚度为30nm)；在第二空穴传输层6上蒸镀Ag形成第一金属微纳结构91(蒸镀速率为/>蒸镀Ag的厚度为2nm～12nm)；在第一金属微纳结构91上采用蒸镀法制作空穴注入层7(材料为MoO3，厚度为7nm)；在空穴注入层7上采用蒸镀法制作第二电极8(材料为Mg/Ag，厚度为2nm/8nm)。如图8所示，图8为图6所示的量子点发光器件对应亮度-电流效率测试曲线图，可以看出，该量子点发光器件的电流效率最大可以达到31cd/A，因此本发明实施例提供的量子点发光器件的出光效率相比于现有技术中显著提升。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种用于制作本发明实施例提供的上述量子点发光器件的制作方法，包括：
制作相对设置的第一电极和第二电极，位于第一电极和第二电极之间的量子点发光层，位于第二电极和量子点发光层之间的第一空穴传输层，位于第一空穴传输层和第二电极之间的空穴注入层，以及位于第一空穴传输层和空穴注入层之间的多个第一金属微纳结构；其中，
采用蒸镀工艺制作多个第一金属微纳结构。
本发明实施例提供的上述量子点发光器件的制作方法，通过在第一空穴传输层和空穴注入层之间采用蒸镀工艺制作多个第一金属微纳结构，该多个第一金属微纳结构可以改变界面处的反射和折射条件，使得光可以向多个不同方向反射和折射，降低发生全反射的概率，从而能够提高发光器件的出光效率。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在蒸镀第一金属微纳结构时，蒸镀工艺的蒸镀速率可以为本发明通过采用蒸镀的方式形成均匀的第一金属微纳结构的微阵列结构，方法简单，工艺可控。
需要说明的是，本发明实施例提供的量子点发光器件的具体制作方法可以参见前述一种量子点发光器件中对其制作方法的相关描述，在此不做赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示基板，如图10所示，包括本发明实施例提供的上述多个量子点发光器件。该量子点发光器件以图7所示的结构为例，当然也可以为图3、图5和图6所示的结构。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图10所示，多个量子点发光器件可以包括多个不同发光波长的量子点发光器件(例如红色量子点发光器件R、绿色量子点发光器件G和蓝色量子点发光器件B)，各量子点发光器件(红色量子点发光器件R、绿色量子点发光器件G和蓝色量子点发光器件B)中相邻金属微纳结构(第一金属微纳结构91)之间的距离与量子点发光器件的发光波长呈正相关趋势。具体地，红色量子点发光器件R中相邻第一金属微纳结构91之间的距离D1最大，绿色量子点发光器件G中相邻第一金属微纳结构91之间的距离D2次之，蓝色量子点发光器件B中相邻第一金属微纳结构91之间的距离D3最小，这样通过相应的发光波长设计对应的金属微纳结构之间的距离，可以使得不同发光波长的量子点发光器件的出光效率均达到最佳。
在具体实施时，在采用蒸镀工艺制作金属微纳结构时，由于发光波长最大的量子点发光器件中相邻金属微纳结构之间的距离最大，说明蒸镀的金属微纳结构的厚度最小，因此在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图10所示，各量子点发光器件(例如红色量子点发光器件R、绿色量子点发光器件G和蓝色量子点发光器件B)中的金属微纳结构(第一金属微纳结构91)的厚度与量子点发光器件的发光波长呈反相关趋势。具体地，红色量子点发光器件R中第一金属微纳结构91的厚度最小，绿色量子点发光器件G中第一金属微纳结构91的厚度次之，蓝色量子点发光器件B中第一金属微纳结构91的厚度最大，这样通过相应的发光波长设计对应的金属微纳结构厚度，可以使得不同发光波长的量子点发光器件的出光效率均达到最佳。
需要说明的是，本发明实施例提供的图10所示的结构仅是为了说明红色量子点发光器件R、绿色量子点发光器件G和蓝色量子点发光器件B中相邻第一金属微纳结构91的距离、各自厚度，其中这三种发光波长的量子点发光器件中某些具有相同功能的膜层可以为一体结构，也可以为独立的结构，这些功能性膜层与相关技术中相同，在此不做详述。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示基板还可以包括本领域技术人员熟知的其它膜层，在此不做详述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示基板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该显示装置的实施可以参见上述量子点发光器件的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的一种量子点发光器件及其制作方法、显示基板、显示装置，本发明实施例提供的量子点发光器件通过在第一空穴传输层和空穴注入层之间设置多个第一金属微纳结构，该多个第一金属微纳结构可以改变界面处的反射和折射条件，使得量子点发光层发射的光可以向多个不同方向反射和折射，降低发生全反射的概率，从而能够提高发光器件的出光效率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (15)
1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：相对设置的第一电极和第二电极，位于所述第一电极和所述第二电极之间的量子点发光层，位于所述第二电极和所述量子点发光层之间的第一空穴传输层，位于所述第一空穴传输层和所述第二电极之间的空穴注入层，以及位于所述第一空穴传输层和所述空穴注入层之间的多个第一金属微纳结构。
2.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，还包括位于所述第一空穴传输层和所述第一金属微纳结构之间的第二空穴传输层，所述第二空穴传输层通过相邻所述第一金属微纳结构之间的间隙与所述空穴注入层接触设置，且所述第一空穴传输层的LUMO能级浅于所述第二空穴传输层的LUMO能级。
3.如权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，还包括位于所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层之间的多个第二金属微纳结构，所述第一空穴传输层通过相邻所述第二金属微纳结构之间的间隙与所述第二空穴传输层接触设置。
4.如权利要求3所述的量子点发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料包括金属氧化物，所述第一金属微纳结构与所述空穴注入层之间通过化学键配位连接。
5.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，还包括位于所述第一金属微纳结构和所述空穴注入层之间的第二空穴传输层，所述第一空穴传输层通过相邻所述第一金属微纳结构之间的间隙与所述第二空穴传输层接触设置，且所述第一空穴传输层的LUMO能级浅于所述第二空穴传输层的LUMO能级。
6.如权利要求1-5任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一金属微纳结构的材料包括Ag。
7.如权利要求1-5任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一金属微纳结构在沿所述第一电极指向所述第二电极的第一方向上的厚度为2nm～12nm，所述第一金属微纳结构在垂直于所述第一方向上的宽度为1nm～7nm，相邻所述第一金属微纳结构之间的距离为2nm～100nm。
8.如权利要求1-5任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一金属微纳结构的形状为半圆形或半椭圆形。
9.如权利要求1-5任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，还包括位于所述第一电极和所述量子点发光层之间的电子传输层。
10.一种显示基板，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的多个量子点发光器件。
11.如权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述多个量子点发光器件包括多个不同发光波长的量子点发光器件，各所述量子点发光器件中相邻所述金属微纳结构之间的距离与所述量子点发光器件的发光波长呈正相关趋势。
12.如权利要求10所述的显示基板，其特征在于，各所述量子点发光器件中的所述金属微纳结构厚度与所述量子点发光器件的发光波长呈反相关趋势。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10-12任一项所述的显示基板。
14.一种用于制作如权利要求1-9任一项所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，包括：
制作相对设置的第一电极和第二电极，位于所述第一电极和所述第二电极之间的量子点发光层，位于所述第二电极和所述量子点发光层之间的第一空穴传输层，位于所述第一空穴传输层和所述第二电极之间的空穴注入层，以及位于所述第一空穴传输层和所述空穴注入层之间的多个第一金属微纳结构；其中，采用蒸镀工艺制作所述多个第一金属微纳结构。
15.如权利要求14所述的制作方法，其特征在于，所述蒸镀工艺的蒸镀速率为
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