CN117767005A - 一种全连接的多波束相控阵架构、芯片以及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种全连接的多波束相控阵架构、芯片以及电子设备，涉及天线技术领域。多个天线通道中每个天线通道，通过功率分配网络与多个移相衰减通道连接；每个天线通道对应的多个移相衰减通道，与其它天线通道对应的多个移相衰减通道，通过全连接结构的功率合成网络与多个波束输出接口连接；其中，波束输出接口的数量与每个天线通道对应的移相衰减通道的数量相等；功率分配网络的传输线由50ohm传输线构成，功率合成网络的传输线由多抽头8字型电感构成。本发明采用新的整体架构以及全新的全连接的功率分配/合成方案，在芯片紧凑的版图面积下可以得到较好的射频性能和通道一致性。多波束相控阵架构的对称性高、版图面积小、插入损耗低。
Description
技术领域
本发明涉及天线技术领域，尤其涉及一种全连接的多波束相控阵架构、芯片以及电子设备。
背景技术
近年来，通信技术快速发展，人们对无线传输数据率的需求越来越高，系统容量成为了主要瓶颈。目前主要的商用通信系统大多工作在6GHz以下，提升工作频率是解决这一瓶颈问题的有效方法。过去十年来，毫米波通信技术飞速发展，尤其是相控阵技术，由于能提高等效全向辐射功率(EIRP)、降低噪声系数、灵活调节波束方向而收到了广泛关注。
在传统相控阵的基础上，多波束模拟波束赋形的射频前端阵列公用一个天线阵列，同时产生多个独立的通信波束，在不牺牲波束精度的前提下可大大提高信道和天线阵列的使用效率，从而提高通信系统的容量。
目前阶段多波束毫米波波束赋形射频前端技术还有一些关键的技术挑战亟待克服，由于多波束赋形连线的复杂性，目前报道的阵列往往规模较小，单通道芯片面积较大。
对于天线阵列，相邻天线单元间距一般取为1/2波长以避免出现栅瓣，每个天线单元所对应的芯片面积是一定的。对于N波束的射频前端，每个天线需要连接到N个移相衰减通路，因此每个通路的芯片面积受大极大的限制。
此外，常见的射频端的波束成形方案将每一个通道的射频信号进行功率合成之后一起混频再交给数字基带去处理，这种方式设计复杂度相对较低，波束扫描范围也能比较轻易的实现360°全覆盖，且大部分功耗只会消耗在射频部分。但是射频信号的多路合成会引入较大的插入损耗。毫米波多波束相控阵的一个关键的挑战在于多通道和多波束信号之间功率合成或分配的布局设计。
发明内容
鉴于上述问题，提出了本发明以提供解决上述问题或者部分地解决上述问题的一种全连接的多波束相控阵架构、芯片以及电子设备。
本发明实施例第一方面提供一种全连接的多波束相控阵架构，所述多波束相控阵架构包括：多个天线通道、多个移相衰减通道以及多个波束输出接口；
多个所述天线通道中每个天线通道，通过功率分配网络与多个所述移相衰减通道连接；
每个天线通道对应的多个移相衰减通道，与其它天线通道对应的多个移相衰减通道，通过全连接结构的功率合成网络与多个所述波束输出接口连接；
其中，所述波束输出接口的数量与每个天线通道对应的移相衰减通道的数量相等；
所述功率分配网络的传输线由50ohm传输线构成，所述功率合成网络的传输线由多抽头8字型电感构成。
可选地，多个所述波束输出接口布局于芯片版图的右侧；
多个所述天线通道在所述芯片版图的左侧竖直布局；
所有所述移相衰减通道集中布局于多个所述天线通道的右侧。
可选地，当所述天线通道为四个，每个天线通道通过功率分配网络与八个所述移相衰减通道连接的情况下，所述波束输出接口为八个；
四个所述天线通道通过4个1到8的功率分配网络，与三十二个所述移相衰减通道连接，其中，每个所述天线通道通过1个1到8的功率分配网络，与八个所述移相衰减通道连接；
三十二个所述移相衰减通道通过2个16到4的全连接结构的功率合成网络，与八个所述波束输出接口连接。
可选地，所述1到8的功率分配网络由三级完全对称的1到2的功率分配网络级联而成；
所述2个16到4的全连接结构的功率合成网络，分别由4个4到1的功率合成网络交叉组成。
可选地，所述多抽头8字型电感的结构为：
将平面螺旋电感等分，以一个等分点作为一个抽头，每个抽头分接到地电容；
将平面螺旋电感分为面积相等的两部分，再将其中一部分镜像翻转180°而连接关系不变。
可选地，所述多抽头8字型电感的上半线圈走线方向与下半线圈走线方向相反，则磁通量方向相互抵消，外部无源器件与所述多抽头8字型电感的耦合系数为0；
所述多抽头8字型电感的每个抽头分接到地电容，构成一个电感电容谐振网络，以等效传输线的集总模型。
可选地，所述传输线在需要交叉的地方，均上下跳层，以中间层当作地线。
可选地，当四个所述天线通道中每个天线通道对应的八个移相衰减通道为一个通道组时，与四个所述通道组相连的全连接结构的功率合成网络被分为：四个功率合成网络单元，每个功率合成网络单元包括：八根传输线；
第一功率合成网络单元中的第一传输线的末端，与第二功率合成网络单元中的第一传输线的末端、第三功率合成网络单元中的第一传输线的末端、第四功率合成网络单元中的第一传输线的末端均相连后，再与八个所述波束输出接口中的第一波束输出接口连接；
第一功率合成网络单元中的第二传输线的末端，与第二功率合成网络单元中的第二传输线的末端、第三功率合成网络单元中的第二传输线的末端、第四功率合成网络单元中的第二传输线的末端均相连后，再与八个所述波束输出接口中的第二波束输出接口连接……，第一功率合成网络单元中的第八传输线的末端，与第二功率合成网络单元中的第八传输线的末端、第三功率合成网络单元中的第八传输线的末端、第四功率合成网络单元中的第八传输线的末端均相连后，再与八个所述波束输出接口中的第八波束输出接口连接。
本发明实施例第二方面提供一种芯片，所述芯片包括如第一方面任一所述的全连接的多波束相控阵架构。
本发明实施例第三方面提供一种电子设备，所述电子设备包括如第一方面任一所述的全连接的多波束相控阵架构。
本发明提供的全连接的多波束相控阵架构包括：多个天线通道、多个移相衰减通道以及多个波束输出接口；多个天线通道中每个天线通道，通过功率分配网络与多个移相衰减通道连接；每个天线通道对应的多个移相衰减通道，与其它天线通道对应的多个移相衰减通道，通过全连接结构的功率合成网络与多个波束输出接口连接；
其中，波束输出接口的数量与每个天线通道对应的移相衰减通道的数量相等；功率分配网络的传输线由50ohm传输线构成，功率合成网络的传输线由多抽头8字型电感构成。
本发明所提全连接的多波束相控阵架构，区别于传统相控阵的架构，创造性的采用了新的整体架构以及全新的全连接的功率分配/合成方案，实现了多天线通道到多波束信号的功率分配和合成，且保证了多个移相衰减通道之间的较好的一致性。
此外，多个集中放置的纯无源的移相衰减通道周围环境有较好的一致性，功率分配网络由完全对称的多个更小功率分配网络级联而成，全连接的功率合成网络横向由多个更小功率合成网络交叉组成，走线交汇处使用交叉跳层可以较好的保证长度的一致性，使得多波束相控阵架构的对称性高。
使用全连接的走线方式实现多天线到多波束的信号馈通，尽可能多的复用电路模块尤其是放大器等比较占面积和消耗电流的放大器，相控阵的核心模块：移向器和衰减器联合设计，紧密布局，传输线使用集总模型代替节省面积，使得多波束相控阵架构的版图面积小。
传统毫米波段每条走线都会或多或少引入额外的损耗，而本发明中使用八字型抽头电感代替了传统意义上的四分之一波长传输线，版图更加紧凑，避免了一些不必要的长走线。此外，电感的使用避免了宽度过小的金属的使用，无源器件的Q值能得到一定的提高，使得多波束相控阵架构的插入损耗低。因此本发明所提全连接的多波束相控阵架构具有极高的实用性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例中以八个波束输出接口、三十二个移相衰减通道、四个天线通道为例示出的全连接的多波束相控阵架构的电路结构图；
图2是本发明实施例中一种3抽头8字型电感的原理图和版图；
图3是本发明实施例中示例性的4到8的全连接功率网络结构图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提出的一种全连接的多波束相控阵架构，其包括：多个天线通道、多个移相衰减通道以及多个波束输出接口；多个天线通道中每个天线通道，通过功率分配网络与多个移相衰减通道连接；每个天线通道对应的多个移相衰减通道，与其它天线通道对应的多个移相衰减通道，通过全连接结构的功率合成网络与多个波束输出接口连接；
其中，波束输出接口的数量与每个天线通道对应的移相衰减通道的数量相等；功率分配网络的传输线由50ohm传输线构成，功率合成网络的传输线由多抽头8字型电感构成。
在一些可能的实施例中，上述结构较优的布局的方式为：多个波束输出接口布局于芯片版图的右侧；多个天线通道在芯片版图的左侧竖直布局；所有移相衰减通道集中布局于多个天线通道的右侧。
以具体的波束输出接口、天线通道、移相衰减通道数量为例：当天线通道为四个，每个天线通道通过功率分配网络与八个移相衰减通道连接的情况下，波束输出接口为八个。
四个天线通道通过4个1到8的功率分配网络，与三十二个移相衰减通道连接，其中，每个天线通道通过1个1到8的功率分配网络，与八个移相衰减通道连接；三十二个移相衰减通道通过2个16到4的全连接结构的功率合成网络，与八个波束输出接口连接。
而每个1到8的功率分配网络均由三级完全对称的1到2的功率分配网络级联而成；2个16到4的全连接结构的功率合成网络，分别由4个4到1的功率合成网络交叉组成。
为了更好的解释和说明本发明所提全连接的多波束相控阵架构，参照图1所示的一种全连接的多波束相控阵架构的电路结构图。图1中包括：四个天线通道T1、T2、T3、T4，每个天线通道都各自与一个天线输入接口ANT1、ANT2、ANT3、ANT4连接，八个波束输出接口BEAM1、BEAM2、BEAM3、BEAM4、BEAM5、BEAM6、BEAM7、BEAM8，三十二个移相衰减通道PSAC1～8、PSAC9～16、PSAC17～24、PSAC25～32,由于每个天线通道通过功率分配网络与八个移相衰减通道连接，图1中为了图示的简洁，示例性的以PSAC1～8、PSAC9～16、PSAC17～24、PSAC25～32标识出与四个天线通道T1、T2、T3、T4各自对应的4组通道结构，每组通道均有8个移相衰减通道，图1中也示例性的示出了每组通道有8个移相衰减通道。
需要说明的是，图1所示均为示例性的连接关系及其元器件，并不表示本发明所提全连接的多波束相控阵架构仅能为这样的连接关系以及元器件，一切可以实现对应功能的电路结构或者元器件均可在本发明公开技术方案的基础上进行替换，本发明实施例中不做一一举例。
如前描述，在布局上，一种较优的布局方式为：八个波束输出接口BEAM1、BEAM2、BEAM3、BEAM4、BEAM5、BEAM6、BEAM7、BEAM8布局于芯片版图的右侧。
三十二个移相衰减通道PSAC1～8、PSAC9～16、PSAC17～24、PSAC25～32,集中布局于四个天线通道T1、T2、T3、T4的右侧，保证较好的通道一致性；四个天线通道在芯片版图的左侧竖直布局。
四个天线通道T1、T2、T3、T4通过4个1到8的功率分配网络，与三十二个移相衰减通道PSAC1～8、PSAC9～16、PSAC17～24、PSAC25～32连接，每个天线通道通过1个1到8的功率分配网络，与八个移相衰减通道连接；例如图1中天线通道T1通过1个1到8的功率分配网络，与移相衰减通道PSAC1～8连接，其余天线通道与移相衰减通道的连接情况结合图1所示可以轻松得知，不再赘述。
三十二个移相衰减通道PSAC1～8、PSAC9～16、PSAC17～24、PSAC25～32通过2个16到4的功率合成网络，与八个波束输出接口BEAM1、BEAM2、BEAM3、BEAM4、BEAM5、BEAM6、BEAM7、BEAM8连接。
结合图1可知：当四个天线通道T1、T2、T3、T4中每个天线通道对应的八个移相衰减通道为一个通道组时，与四个通道组相连的全连接结构的功率合成网络被分为：四个功率合成网络单元，每个功率合成网络单元对应一个由八个移相衰减通道构成的通道组，因此每个功率合成网络单元均包括：八根传输线。
第一功率合成网络单元中的第一传输线(图1中示例性的以A1表示)的末端，与第二功率合成网络单元中的第一传输线(图1中示例性的以B1表示)的末端、第三功率合成网络单元中的第一传输线(图1中示例性的以C1表示)的末端、第四功率合成网络单元中的第一传输线(图1中示例性的以D1表示)的末端均相连后，再与八个波束输出接口中的第一波束输出接口BEAM1连接。
第一功率合成网络单元中的第二传输线的末端，与第二功率合成网络单元中的第二传输线的末端、第三功率合成网络单元中的第二传输线的末端、第四功率合成网络单元中的第二传输线的末端均相连后，再与八个波束输出接口中的第二波束输出接口BEAM2连接……，其余6根传输线的连接方式以此类推，直至第一功率合成网络单元中的第八传输线(图1中示例性的以A8表示)的末端，与第二功率合成网络单元中的第八传输线(图1中示例性的以B8表示)的末端、第三功率合成网络单元中的第八传输线(图1中示例性的以C8表示)的末端、第四功率合成网络单元中的第八传输线(图1中示例性的以D8表示)的末端均相连后，再与八个波束输出接口中的第八波束输出接口BEAM8连接。
三十二个集中放置的纯无源的移相衰减通道PSAC1～8、PSAC9～16、PSAC17～24、PSAC25～32，使得周围环境有较好的一致性。每个1到8的功率分配网络均由三级完全对称的1到2的功率分配网络级联而成；2个16到4全连接功率合成网络均由4个4到1的功率合成网络交叉组成，走线交汇处使用交叉跳层可以较好的保证长度的一致性。而所有传输线在需要交叉的地方，均上下跳层，以中间层当作地线，这样的设计可以增强隔离，加强多波束相控阵架构的对称性。
本发明所提全连接的多波束相控阵架构，使用全连接的走线方式实现多天线到多波束的信号馈通，尽可能多的复用电路模块尤其是放大器等比较占面积和消耗电流的放大器，相控阵的核心模块：移向器和衰减器联合设计，紧密布局，传输线使用集总模型代替节省面积，使得多波束相控阵架构的版图面积小。
本发明所提全连接的多波束相控阵架构，对于功率分配网络、功率合成网络，在具体的实现上，一般需要包括传统的50ohm传输线和四分之一波长传输线。其中，50ohm传输线可以使用传统wilkinson功分网络中的结构。其主要为了便于和前后模块端口之间的匹配，且这部分传输线不会占用过多面积，因为通道到功率分配网络的走线是必需的。
而在四分之一传输线部分，由于要求特征阻抗为50ohm的倍即70.7ohm，如果依然采用传统的共面波导或者微带线的传输线结构，需要走线的宽度特别细，或者走线下方地平面的挖槽过于复杂，这会导致恶化插入损耗的同时也不利于设计和仿真的验证。
因此本发明创造性的提出使用多抽头8字型电感代替四分之一传输线，使用多抽头的电感进行等效替换，可以减小版图占用面积，插入损耗也有一定的减小。进一步的，将多抽头电感设计成8字型，可以有效减小周围无源器件的耦合，有效增强隔离度，版图更加紧凑且改善了插入损耗和隔离度。
在具体的结构上，多抽头8字型电感的结构为：
将平面螺旋电感等分，以一个等分点作为一个抽头，每个抽头分接到地电容；将平面螺旋电感分为面积相等的两部分，再将其中一部分镜像翻转180°而连接关系不变。这样多抽头8字型电感的上半线圈走线方向与下半线圈走线方向相反，因此磁通量方向相互抵消，外部无源器件与多抽头8字型电感的耦合系数为0，隔离度得到优化；耦合的存在使得整个多抽头电感引入的插入损耗能够更小。而电感绕线的方式能够避免传输线长走线的方式带来的面积消耗。
多抽头8字型电感的每个抽头分接到地电容，构成一个电感电容谐振网络(即LCLCL的高阶网络)，以等效传输线的集总模型。通过参数扫描仿真能够得到需求的感值和容值。
由前述说明可知：功率分配网络的传输线由50ohm传输线构成，50ohm传输线沿用传统的结构，此外微带线或共面波导皆可。而功率合成网络的传输线由多抽头8字型电感构成。为了更好的解释和说明本发明所提多抽头8字型电感的结构，参照图2所示的一种示例性的多抽头8字型电感的原理图和版图。
图2中示例性的将平面螺旋电感3等分，以一个等分点作为一个抽头，则一共有两个抽头，每个抽头分接到地电容CC1、CC2，图2中左图为3抽头8字型电感的原理图，右图为其对应的版图。
原理图中，平面螺旋电感3等分为三个小电感LC1、LC2、LC3，且这三个电感之间存在相互的磁耦合，图2中MC1表示小电感LC1与LC2之间的互感、MC2表示小电感LC2与LC3之间的互感、MC3表示小电感LC3与LC1之间的互感，P1、P2分别表示输入输出端口。
图2中版图中C1、C2分别表示两个到地电容，IO1、IO2即为对应左边原理图中的P1、P2，表示输入输出端口。黑色部分表示顶部金属层1(Top Metal1)，带有斜杆黑线的部分表示顶部金属层2(Top Metal2)，其余白色部分(指黑框100以内的白色部分)表示接地层(GND)。
传统毫米波段每条走线都会或多或少引入额外的损耗，而本发明中使用八字型抽头电感代替了传统意义上的四分之一波长传输线，版图更加紧凑，避免了一些不必要的长走线。此外，电感的使用避免了宽度过小的金属的使用，无源器件的Q值能得到一定的提高，使得多波束相控阵架构的插入损耗低。
此外，为了更好的解释和说明本发明所提交叉走线形成的全连接功率网络的结构，参照图3所示的一种示例性的4到8的全连接功率网络结构图。图3中示例性的以4个波束输出接口BEAM1、BEAM2、BEAM3、BEAM4的全连接为例进行了示出。灰色部分表示每个圆柱形的连接结构即为3抽头8字型电感，具体结构可以参照图2所示，图3中为了图示的简洁，简单的示出。
图3中最下方的放大示意图示出了交叉走线的结构，放大示意图中左边的为俯视图，右边的为侧视图。对于两条传输线CH1_4和CH2_3交叉走线，两者交叉时上下跳层，以中间层当作地线，即该放大示意图中所有黑色部分表示中间层，其当作地线(GND)，带有网格状的部分表示传输线CH2_3，带有斜杆黑线的部分表示传输线CH1_4。因为上下层的厚度基本能保持一致。可以知晓，该全连接网络每条信号支路的物理长度基本保持一致的上下两部分的走线方向相反，因此对称性较好。
基于上述全连接的多波束相控阵架构，在毫米波Ka波段进行仿真、测试得到，本发明所提全连接的多波束相控阵架构的天线，其工作范围可以覆盖27GHz-31GHz。在Ka波段，此种布局的相控阵芯片能在紧凑的版图面积下实现较好的射频性能和通道一致性。验证了本发明所提全连接的多波束相控阵架构实用性。
基于上述全连接的多波束相控阵架构，本发明还提出一种芯片，所述芯片包括如上任一所述的全连接的多波束相控阵架构。
基于上述全连接的多波束相控阵架构，本发明还提出一种电子设备，所述电子设备包括如上任一所述的全连接的多波束相控阵架构。
通过上述示例，本发明所提全连接的多波束相控阵架构，区别于传统相控阵的架构，创造性的采用了新的整体架构以及全新的全连接的功率分配/合成方案，实现了多天线通道到多波束信号的功率分配和合成，且保证了多个移相衰减通道之间的较好的一致性。
此外，多个集中放置的纯无源的移相衰减通道周围环境有较好的一致性，功率分配网络由完全对称的多个更小功率分配网络级联而成，全连接的功率合成网络横向由多个更小功率合成网络交叉组成，走线交汇处使用交叉跳层可以较好的保证长度的一致性，使得多波束相控阵架构的对称性高。
使用全连接的走线方式实现多天线到多波束的信号馈通，尽可能多的复用电路模块尤其是放大器等比较占面积和消耗电流的放大器，相控阵的核心模块：移向器和衰减器联合设计，紧密布局，传输线使用集总模型代替节省面积，使得多波束相控阵架构的版图面积小。
传统毫米波段每条走线都会或多或少引入额外的损耗，而本发明中使用八字型抽头电感代替了传统意义上的四分之一波长传输线，版图更加紧凑，避免了一些不必要的长走线。此外，电感的使用避免了宽度过小的金属的使用，无源器件的Q值能得到一定的提高，使得多波束相控阵架构的插入损耗低。因此本发明所提全连接的多波束相控阵架构具有极高的实用性。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。
Claims (10)
1.一种全连接的多波束相控阵架构，其特征在于，所述多波束相控阵架构包括：多个天线通道、多个移相衰减通道以及多个波束输出接口；
多个所述天线通道中每个天线通道，通过功率分配网络与多个所述移相衰减通道连接；
每个天线通道对应的多个移相衰减通道，与其它天线通道对应的多个移相衰减通道，通过全连接结构的功率合成网络与多个所述波束输出接口连接；
其中，所述波束输出接口的数量与每个天线通道对应的移相衰减通道的数量相等；
所述功率分配网络的传输线由50ohm传输线构成，所述功率合成网络的传输线由多抽头8字型电感构成。
2.根据权利要求1所述的多波束相控阵架构，其特征在于，多个所述波束输出接口布局于芯片版图的右侧；
多个所述天线通道在所述芯片版图的左侧竖直布局；
所有所述移相衰减通道集中布局于多个所述天线通道的右侧。
3.根据权利要求1所述的多波束相控阵架构，其特征在于，当所述天线通道为四个，每个天线通道通过功率分配网络与八个所述移相衰减通道连接的情况下，所述波束输出接口为八个；
四个所述天线通道通过4个1到8的功率分配网络，与三十二个所述移相衰减通道连接，其中，每个所述天线通道通过1个1到8的功率分配网络，与八个所述移相衰减通道连接；
三十二个所述移相衰减通道通过2个16到4的全连接结构的功率合成网络，与八个所述波束输出接口连接。
4.根据权利要求3所述的多波束相控阵架构，其特征在于，所述1到8的功率分配网络由三级完全对称的1到2的功率分配网络级联而成；
所述2个16到4的全连接结构的功率合成网络，分别由4个4到1的功率合成网络交叉组成。
5.根据权利要求1所述的多波束相控阵架构，其特征在于，所述多抽头8字型电感的结构为：
将平面螺旋电感等分，以一个等分点作为一个抽头，每个抽头分接到地电容；
将平面螺旋电感分为面积相等的两部分，再将其中一部分镜像翻转180°而连接关系不变。
6.根据权利要求5所述的多波束相控阵架构，其特征在于，所述多抽头8字型电感的上半线圈走线方向与下半线圈走线方向相反，则磁通量方向相互抵消，外部无源器件与所述多抽头8字型电感的耦合系数为0；
所述多抽头8字型电感的每个抽头分接到地电容，构成一个电感电容谐振网络，以等效传输线的集总模型。
7.根据权利要求1所述的多波束相控阵架构，其特征在于，所述传输线在需要交叉的地方，均上下跳层，以中间层当作地线。
8.根据权利要求3所述的多波束相控阵架构，其特征在于，当四个所述天线通道中每个天线通道对应的八个移相衰减通道为一个通道组时，与四个所述通道组相连的全连接结构的功率合成网络被分为：四个功率合成网络单元，每个功率合成网络单元包括：八根传输线；
第一功率合成网络单元中的第一传输线的末端，与第二功率合成网络单元中的第一传输线的末端、第三功率合成网络单元中的第一传输线的末端、第四功率合成网络单元中的第一传输线的末端均相连后，再与八个所述波束输出接口中的第一波束输出接口连接；
第一功率合成网络单元中的第二传输线的末端，与第二功率合成网络单元中的第二传输线的末端、第三功率合成网络单元中的第二传输线的末端、第四功率合成网络单元中的第二传输线的末端均相连后，再与八个所述波束输出接口中的第二波束输出接口连接……，第一功率合成网络单元中的第八传输线的末端，与第二功率合成网络单元中的第八传输线的末端、第三功率合成网络单元中的第八传输线的末端、第四功率合成网络单元中的第八传输线的末端均相连后，再与八个所述波束输出接口中的第八波束输出接口连接。
9.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括如权利要求1-8任一所述的全连接的多波束相控阵架构。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1-8任一所述的全连接的多波束相控阵架构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410151664.1A CN117767005A (zh) | 2024-02-02 | 2024-02-02 | 一种全连接的多波束相控阵架构、芯片以及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410151664.1A CN117767005A (zh) | 2024-02-02 | 2024-02-02 | 一种全连接的多波束相控阵架构、芯片以及电子设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117767005A true CN117767005A (zh) | 2024-03-26 |
Family
ID=90314690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202410151664.1A Pending CN117767005A (zh) | 2024-02-02 | 2024-02-02 | 一种全连接的多波束相控阵架构、芯片以及电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117767005A (zh) |
-
2024
- 2024-02-02 CN CN202410151664.1A patent/CN117767005A/zh active Pending
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