CN117766368A - 喷头和包括该喷头的衬底处理装置 - Google Patents

Abstract

一种喷头，包括：内板，包括在第一方向上穿透内板的至少一个气孔；以及外板，至少部分地围绕内板，该外板具有轴线在第一方向上延伸的环形状，其中，外板包括：第一内表面，向下延伸，并与对应于第一方向的线形成锐角；第一底表面，从第一内表面向外延伸；以及第一外表面，从第一底表面向上延伸，并且其中，第一内表面与对应于第一方向的线之间的第一角度大于外板的第一外表面与对应于第一方向的线之间的第二角度。

Description

喷头和包括该喷头的衬底处理装置

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求2023年2月3日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2023-0015187和2022年9月23日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2022-0121106的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开的示例实施例涉及一种喷头和包括该喷头的衬底处理装置，并且更具体地，涉及一种能够防止衬底被污染的喷头和包括该喷头的衬底处理装置。

背景技术

半导体器件可以通过使用各种工艺来制造。例如，可以通过允许硅晶片经历光刻工艺、蚀刻工艺、沉积工艺等来制造半导体器件。可以在这样的工艺中使用各种流体。例如，可以在蚀刻工艺和/或沉积工艺中使用等离子体。电极可以在处理期间用于形成和/或控制等离子体。

本背景技术部分中公开的信息在实现本申请的实施例的过程之前或期间已经为发明人所知或由发明人导出，或者是在实现实施例的过程中获取的技术信息。因此，它可以包含不构成公众已知的现有技术的信息。

发明内容

一个或多个示例实施例提供了一种能够防止外部颗粒向内移动并引起内部颗粒向外移动的喷头、以及包括该喷头的衬底处理装置。

一个或多个示例实施例提供了一种能够防止衬底被污染的喷头、以及包括该喷头的衬底处理装置。

一个或多个示例实施例提供了一种能够增加组件的寿命以增加维护周期的喷头、以及包括该喷头的衬底处理装置。

附加方面部分地将在以下描述中阐述，且部分地将通过以下描述而变得清楚明白，或者可以通过实践所呈现的实施例来获知。

根据示例实施例的一个方面，一种喷头可以包括：内板，包括在第一方向上穿透内板的至少一个气孔；以及外板，至少部分地围绕内板，该外板具有轴线在第一方向上延伸的环形状，其中，外板可以包括：第一内表面，向下延伸，并与对应于第一方向的线形成锐角；第一底表面，从第一内表面向外延伸；以及第一外表面，从第一底表面向上延伸，并且其中，第一内表面与对应于第一方向的线之间的第一角度可以大于外板的第一外表面与对应于第一方向的线之间的第二角度。

根据示例实施例的一个方面，一种衬底处理装置可以包括：喷头；以及至少部分地围绕喷头的外环，其中，喷头可以包括内板，该内板包括多个气孔，并且其中，内板的底表面可以在比外环的底表面的水平低的水平处。

根据示例实施例的一个方面，一种衬底处理装置可以包括：喷头；外环，至少部分地围绕喷头；以及加热衬垫环，至少部分地围绕外环，其中，喷头可以包括：内板，包括气孔；以及外板，至少部分地围绕内板，其中，外环可以包括石英，并且加热衬垫环包括与外环的材料不同的材料。

附图说明

根据结合附图的以下描述，本公开的某些示例实施例的上述和其他方面、特征以及优点将更清楚，在附图中：

图1是示出了根据本公开的一些实施例的衬底处理装置的截面图；

图2是示出了根据本公开的一些实施例的图1的部分X的放大截面图；

图3是示出了根据本公开的一些实施例的衬底处理装置的图；

图4是示出了根据本公开的一些实施例的衬底处理装置的图；

图5是示出了根据本公开的一些实施例的图1的部分Y的放大截面图；

图6是示出了根据本公开的一些实施例的喷头的截面图；

图7是示出了根据本公开的一些实施例的喷头的截面图；

图8是示出了根据本公开的一些实施例的衬底处理装置的截面图；

图9是示出了根据本公开的一些实施例的喷头的底视图；

图10是示出了根据本公开的一些实施例的图9的部分Z的放大底视图；

图11是示出了根据本公开的一些实施例的衬底处理方法的流程图；以及

图12、图13、图14、图15和图16是示出了根据本公开的一些实施例的根据图11的流程图的衬底处理方法的截面图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图来详细描述本公开的示例实施例。附图中，相同的附图标记用于相同的组件，并且省略其冗余描述。本文所描述的实施例是示例实施例，并且因此，本公开不限于此，并且可以以各种其他形式来实现。

如本文所使用的，诸如“......中的至少一个”之类的表述在元件列表之后修饰整个元件列表而不是修饰列表中的单独元件。例如，表述“a、b和c中的至少一个”应当被理解为仅包括a、仅包括b、仅包括c、包括a和b两者、包括a和c两者、包括b和c两者、或包括a、b和c的全部。

图1是示出了根据本公开的一些实施例的衬底处理装置的截面图。

贯穿本公开，D1可以指示第一方向，D2可以指示与第一方向D1交叉的第二方向，并且D3可以指示与第一方向D1和第二方向D2中的每一个交叉的第三方向。第一方向D1可以被称为竖直方向。第二方向D2和第三方向D3中的每一个可以被称为水平方向。

参考图1，可以提供衬底处理装置A。衬底处理装置A可以被配置为允许衬底经历蚀刻工艺和/或沉积工艺。术语“衬底”可以指代硅(Si)晶片，但本公开不限于此。衬底处理装置A可以使用等离子体来处理衬底。衬底处理装置A可以以各种方式来生成等离子体。例如，衬底处理装置A可以是电容耦合等离子体(CCP)装置和/或电感耦合等离子体(ICP)装置。本文描述了CCP型衬底处理装置，但实施例不限于此。衬底处理装置A可以包括处理室1、平台7、喷头3、外环51、加热衬垫环(heating liner ring)53、直流(DC)电力生成器2、射频(RF)电力生成器4、真空泵VP、以及气体供应设备GS。

处理室1可以包括处理空间1h。可以在处理空间1h中执行衬底处理。处理空间1h可以与外部空间分离。处理空间1h可以在衬底处理期间处于基本真空状态。处理室1可以具有圆柱形形状，但本公开不限于此。

平台7可以置于处理室1中。例如，平台7可以置于处理空间1h中。平台7可以支撑和/或固定衬底。可以在将衬底放置在平台7上的状态下执行衬底处理。平台7将在下面进一步描述。

喷头3可以置于处理室1中。例如，喷头3可以置于处理空间1h中。喷头3可以被设置为向上与平台7间隔开。从气体供应设备GS供应的气体可以通过喷头3均匀地喷射到处理空间1h中。喷头3可以包括内板31和外板33。内板31和外板33可以彼此分离。例如，内板31和外板33可以是彼此分离的组件。将在下面进一步详细描述喷头3。

外环51可以围绕或至少部分地围绕喷头3。例如，当在平面图中观察时，在喷头3的外侧，外环51可以围绕或至少部分地围绕喷头3。外环51可以接触喷头3。外环51可以包括石英。将在下面进一步详细描述外环51。

加热衬垫环53可以围绕或至少部分地围绕外环51。例如，在平面图中，在外环51的外侧，加热衬垫环53可以围绕或至少部分地围绕外环51。加热衬垫环53可以支撑外环51。加热衬垫环53可以包括与外环51的材料不同的材料。例如，加热衬垫环53可以包括铝(Al)和钇(Y₂O₃)。更具体地，钇(Y₂O₃)可以涂覆在铝(Al)上，以形成加热衬垫环53。下面对加热衬垫环53进行进一步详细描述。

DC电力生成器2可以将DC电力施加到平台7。从DC电力生成器2施加的DC电力可以将衬底刚性地放置在平台7上的特定位置上。

RF电力生成器4可以向平台7供应RF电力。因此，可以控制处理空间1h内的等离子体。其详细描述将在下面进一步描述。

真空泵VP可以连接到处理空间1h。真空泵VP可以在衬底处理期间向处理空间1h施加真空压力。

气体供应设备GS可以向处理空间1h供应气体。气体供应设备GS可以包括储气罐、压缩机和阀门。等离子体可以由从气体供应设备GS供应至处理空间1h的气体的一部分生成。

图2是示出了根据本公开的一些实施例的图1的部分X的放大截面图。

参考图2，平台7可以包括卡盘71和冷却板73。

衬底可以设置在卡盘71上。卡盘71可以将衬底固定在其位置上。卡盘71可以包括卡盘主体711、等离子体电极713、卡盘电极715和加热器717。

卡盘主体711可以具有圆柱形形状。卡盘主体711可以包括陶瓷，但本公开不限于此。衬底可以设置在卡盘主体711的顶表面上。卡盘主体711可以被聚焦环(focus ring)FR和/或边缘环ER围绕或至少部分地围绕。

等离子体电极713可以置于卡盘主体711中。等离子体电极713可以包括铝(Al)。等离子体电极713可以具有盘形状，但本公开不限于此。等离子体电极713可以被提供有RF电力。例如，RF电力生成器4可以将RF电力施加到等离子体电极713。施加到等离子体电极713的RF电力可以控制处理空间(参见图1的1h)中的等离子体。

卡盘电极715可以置于卡盘主体711中。卡盘电极715可以置于高于等离子体电极713。卡盘715可以被供应有DC电力。例如，DC电力生成器2可以将DC电力施加到卡盘电极715。施加到卡盘电极715的DC电力可以将衬底刚性地放置在卡盘主体711上的某位置上。卡盘电极715可以包括铝(Al)，但本公开不限于此。

加热器717可以置于卡盘主体711中。加热器717可以置于卡盘电极715和等离子体电极713之间。加热器717可以包括热丝。例如，加热器717可以包括同心圆形的热丝。加热器717可以将热量辐射到周围环境。因此，卡盘主体711可以具有增加的温度。

冷却板73可以置于卡盘71下方。例如，卡盘71可以置于冷却板73上。冷却板73可以提供冷却孔73h。冷却水可以在冷却孔73h中流动。冷却孔73h中的冷却水可以从冷却板73吸收热量。

图3是示出了根据本公开的一些实施例的衬底处理装置的图。图4是示出了根据本公开的一些实施例的衬底处理装置的图。图5是示出了根据本公开的一些实施例的图1的部分Y的放大截面图。

参考图3、图4和图5，喷头3可以包括内板31和外板33。

内板31可以具有盘形状，该盘形状的轴线AX在第一方向D1上延伸。内板31可以包括气孔31h。气孔31h可以在第一方向D1上延伸以穿透内板31。内板31可以包括多个气孔(例如，包括气孔31h)。多个气孔可以在水平方向上彼此间隔开。描述了单个气孔31h，但本公开不限于此。气孔31h将在下面进一步详细描述。内板31可以包括硅(Si)和/或碳化硅(SiC)，但本公开不限于此。内板31将在下面进一步详细描述。

外板33可以围绕或至少部分地围绕内板31。例如，在平面图中，外板33可以围绕内板31(例如，置于内板31周围)。外板33可以具有环形状。例如，外板33可以具有环形状，该环形状的轴线AX在第一方向D1上延伸。因此，外板33可以具有绕轴线AX旋转的旋转体。外板33可以包括硅(Si)和/或碳化硅(SiC)，但本公开不限于此。外板33将在下面进一步详细描述。

图6是示出了根据本公开的一些实施例的喷头的截面图。

参考图6，内板31可以具有顶表面31u、底表面31bx、第一外表面31ex、突出底表面31by和第二外表面31ey。内板31的顶表面31u和底表面31bx之间的最小距离可以是内板31的厚度h2。内板31的厚度h2可以在约11mm至约13mm的范围内。例如，内板31的厚度h2可以为约12mm。第一外表面31ex可以从内板31的底表面31bx的边缘向上延伸。突出底表面31by可以从第一外表面31ex的上端向外延伸。突出底表面31by可以位于比内板31的底表面31bx的水平高的水平处。可以不在突出底表面31by上设置孔。第二外表面31ey可以从突出底表面31by的边缘向上延伸。第二外表面31ey可以连接到内板31的顶表面31u。

图7是示出了根据本公开的一些实施例的喷头的截面图。

参考图7，外板33可以具有第一内表面33nx、第一底表面33bx、第一外表面33ex、第二底表面33by、第二内表面33ny、突出顶表面33uy、第三内表面33nz、顶表面33ux、第二外表面33ey、以及连接底表面33bz。

第一内表面33nx可以向下延伸，同时与第一方向D1形成锐角(例如，与对应于第一方向D1的线形成锐角)。例如，可以在第一内表面33nx与第一方向D1之间形成第一角度α。第一角度α可以是锐角。第一角度α可以在约45°至约65°的范围内。例如，第一角度α可以为约55°。

第一底表面33bx可以从第一内表面33nx向外延伸。第一底表面33bx可以垂直于第一方向D1。第一底表面33bx可以连接到第一外表面33ex。例如，第一底表面33bx可以将第一内表面33nx连接到第一外表面33ex。如图5中所示，第一底表面33bx可以位于比内板31的底表面31bx的水平低的水平处。

第一外表面33ex可以从第一内表面33nx向上延伸。第二角度或90°-β(即，90度减β)可以指代第一外表面33ex和第一方向D1之间形成的角度(例如，第一外表面33ex与对应于第一方向D1的线之间的角度)。第二角度90°-β可以小于第一角度α。例如，第一角度α可以大于第二角度90°-β。第二角度90°-β可以等于或小于约10°。例如，第二角度90°-β可以为约0°。例如，第一外表面33ex可以平行于第一方向D1。第一外表面33ex可以垂直于第一底表面33bx。第一外表面33ex可以由竖直线限定。

第一半径R1可以指代第一外表面33ex的半径。第一半径R1可以例如等于或大于约150mm。例如，第一外表面33ex可以具有等于或大于约300mm的直径。第一半径R1可以例如在约175mm至约225mm的范围内。

第二底表面33by可以从第一内表面33nx向内延伸。第二底表面33by可以垂直于第一方向D1。

第二内表面33ny可以从第二底表面33by向上延伸。第二内表面33ny可以平行于第一方向D1。第二内表面33ny可以接触内板(参见图6的31)。例如，第二内表面33ny可以接触内板(参见图6的31)的第一外表面(参见图6的31ex)。

突出顶表面33uy可以从第二内表面33ny的上端向外延伸。突出顶表面33uy可以垂直于第一方向D1。可以不在突出顶表面33uy上设置孔。

第三内表面33nz可以从突出顶表面33uy向上延伸。第三内表面33nz可以平行于第一方向D1。第三内表面33nz可以连接到外板33的顶表面33ux。

外板33的顶表面33ux可以从第三内表面33nz的上端向外延伸。外板33的顶表面33ux可以垂直于第一方向D1。

外板33的顶表面33ux和第一底表面33bx之间的距离可以被称为外板33的第一厚度h3。第一厚度h3可以在约15mm至约19mm的范围内。例如，第一厚度h3可以为约17mm。

外板33的顶表面33ux和第二底表面33by之间的距离可以被称为外板33的第二厚度h4。第二厚度h4可以小于第一厚度h3。第二厚度h4可以在约11mm至约13mm的范围内。例如，第二厚度h4可以为约12mm。第二厚度h4可以与内板(参见图6的31)的厚度(参见图6的h2)基本相同或相似。

第二外表面33ey可以从外板33的顶表面33ux向下延伸。第二外表面33ey可以平行于第一方向D1。

连接底表面33bz可以从第二外表面33ey的下端向内延伸。连接底表面33bz可以垂直于第一方向D1。连接底表面33bz可以连接到第一外表面33ex。例如，连接底表面33bz可以将第二外表面33ey连接到第一外表面33ex。

图8是示出了根据本公开的一些实施例的衬底处理装置的截面图。

参考图8，外环51可以具有内表面51n、第一底表面51bx、外表面51e、第二底表面51by、第一顶表面51ux、第二顶表面51uy和第三顶表面51uz。

外环51的内表面51n可以在第一方向D1上延伸。如图5中所示，外环51的内表面51n可以接触第一外表面(参见图7的31ex)。

外环51的第一底表面51bx可以从外环51的内表面51n向外延伸。

外环51的外表面51e可以从外环51的第一底表面51bx的边缘向上延伸。

外环51的第二底表面51by可以从外环51的外表面51e的上端向外延伸。

外环51的第一顶表面51ux可以垂直于第一方向D1。如图5中所示，外环51的第一顶表面51ux可以位于与内板31的顶表面(参见图6的31u)的水平基本相同的水平处。例如，外环51的第一顶表面51ux可以置于与内板31的顶表面(参见图6的31u)相同的平面上。

外环51的第二顶表面51uy可以垂直于第一方向D1。外环51的第二顶表面51uy可以位于比外环51的第一顶表面51ux的水平低的水平处。

外环51的第三顶表面51uz可以垂直于第一方向D1。外环51的第三顶表面51uz可以位于比外环51的第二顶表面51uy的水平低的水平处。外环51的第三顶表面51uz可以连接到外环51的内表面51n。

加热衬垫环53可以具有底表面53b、外表面53e、第一顶表面53ux、第二顶表面53uy和内表面53n。

加热衬垫环53的底表面53b可以垂直于第一方向D1。

加热衬垫环53的外表面53e可以从加热衬垫环53的底表面53b的边缘向上延伸。

加热衬垫环53的第一顶表面53ux可以从加热衬垫环53的外表面53e向内延伸。

加热衬垫环53的第二顶表面53uy可以垂直于第一方向D1。加热衬垫环53的第二顶表面53uy可以接触外环51的第二底表面51by。加热衬垫环53的第二顶表面53uy可以位于比加热衬垫环53的第一顶表面53ux的水平低的水平处。

加热衬垫环53的内表面53n可以在第一方向D1上延伸。加热衬垫环53的内表面53n可以接触外环51的外表面51e。

返回参考图5，内板31的突出底表面(参见图6的31by)可以接触外板33的突出顶表面(参见图7的33uy)。例如，内板31的突出底表面(参见图6的31by)可以接触外板33的突出顶表面(参见图7的33uy)的表面。

内板31的底表面31bx可以位于与外板33的第二底表面(参见图7的33by)的水平基本相同或相似的水平处。例如，内板31的底表面31bx可以置于与外板(参见图7的33)的第二底表面(参见图7的33by)相同的平面上。

内板31的底表面31bx可以位于比外环51的第一底表面51bx的水平低的水平处。第一间隙h1可以被定义为指代内板31的底表面31bx与外环51的第一底表面51bx之间的水平差。第一间隙h1可以在约1mm至约3mm的范围内。例如，第一间隙h1可以为约2mm。

外板33的第一外表面(参见图7的33ex)可以连接到外环51的第一底表面51bx。例如，外板33的第一外表面33ex可以与外环51的第一底表面51bx相交。

图9是示出了根据本公开的一些实施例的喷头的底视图。图10是示出了根据本公开的一些实施例的图9的部分Z的放大底视图。

参考图9和图10，内板31可以包括多个气孔31h。多个气孔31h的数量可以在300至410的范围内。第二半径R2可以指代内板31的半径。第二半径R2可以在约150mm至约175mm的范围内。

图11是示出了根据本公开的一些实施例的衬底处理方法的流程图。

参考图11，示出了衬底处理方法S1100。衬底处理方法S1100可以是通过使用参考图1至图10描述的衬底处理装置(参见图1的A)来处理衬底的方法。衬底处理方法S1100可以包括：在操作S1中将衬底装载到衬底处理装置中、在操作S2中将处理气体供应到衬底处理装置中、以及在操作S3中将RF电力施加到等离子体电极。

下面将参考图12至图16详细描述图11的衬底处理方法。

图12、图13、图14、图15和图16是示出了根据本公开的一些实施例的根据图11的流程图的衬底处理方法的截面图。

参考图11、图12和图13，衬底装载操作S1可以包括：将衬底W放置在平台7上。当DC电力生成器2向卡盘电极715施加直流(DC)电压时，衬底W可以被固定在卡盘主体711上的特定位置上。

参考图11和图14，气体供应操作S2可以包括：允许气体供应设备GS向处理空间1h供应处理气体G，或者向处理空间1h供应处理气体G。可以通过喷头3将处理气体G分布到衬底W上。

参考图11、图15和图16，电力施加操作S3可以包括：允许RF电力生成器4将RF电力施加到平台7，或者将RF电力施加到平台7。当将RF电力施加到等离子体电极(参见图13的713)时，处理空间1h中的处理气体(参见图14的G)的一部分可以被转换成等离子体PL。等离子体PL可以处理平台7上的衬底W。

基于根据本公开的一些实施例的喷头和包括该喷头的衬底处理装置，外板可以具有向外倾斜的第一内表面。因此，附着到内板的底表面的颗粒可以沿第一内表面向外迁移。另外，外板可以具有斜率大于第一内表面的斜率的第一外表面。第一外表面可以阻止颗粒从颗粒所附着的外环的底表面移动到内板上。因此，喷头的底表面上的颗粒可以向外偏转。因此，可以防止喷头的底表面上的颗粒在处理期间向下落到衬底上。因此，可以防止衬底被污染。因此，可以提高衬底蚀刻的良率。

基于根据本公开的一些实施例的喷头和包括该喷头的衬底处理装置，内板可以具有置于与外板的第二底表面相同的平面上的底表面。另外，外板的第一外表面可以连接到外环的底表面。因此，内板的底表面上的颗粒可以顺序通过外板的第二底表面、第一内表面和第一底表面移动到外环。

根据本公开的一些实施例的喷头和包括该喷头的衬底处理装置，外环可以包括石英。石英可以在处理期间保持相对低的温度。颗粒可以有利地附着到温度低的材料上。因此，可以防止附着到外环的底表面的颗粒移动回喷头的底表面。

基于根据本公开的一些实施例的喷头和包括该喷头的衬底处理装置，喷头的底表面可以位于比外环的底表面的水平低的水平处。形成在喷头下方的等离子体可以由于受到竖直挤压而向外扩散。因此，等离子体可以均匀分布。因此，可以增加关于衬底的边缘区域的良率。

基于根据本公开的一些实施例的喷头和包括该喷头的衬底处理装置，喷头可以被划分为两个组件。因此，可以选择性地更换需要维护的组件。例如，当内板由于磨损而需要更换时，可以仅更换内板而无需更换外板。

基于根据本公开的一些实施例的喷头和包括该喷头的衬底处理装置，内板可以具有增加的厚度。因此，内板可以使用更长时间。因此，可以增加维护周期。

根据本公开的喷头和包括该喷头的衬底处理装置，可以防止外部颗粒的向内移动，并且可以引起内部颗粒的向外移动。

根据本公开的喷头和包括该喷头的衬底处理装置，可以防止衬底的污染。

根据本公开的喷头和包括该喷头的衬底处理装置，可以增加维护周期。

本公开的效果不限于上述，本领域技术人员通过下面的描述将清楚地理解上面未提及的其他效果。

上述描述中提供的实施例中的每一个不排除与本文同样提供或未提供但与本公开内容一致的另一示例或另一实施例的一个或多个特征相关联。

尽管已经参考本公开的实施例具体示出并描述了本公开，但是应当理解，在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种喷头，包括：

内板，包括在第一方向上穿透所述内板的至少一个气孔；以及

外板，至少部分地围绕所述内板，所述外板具有轴线在所述第一方向上延伸的环形状，

其中，所述外板包括：

第一内表面，向下延伸，并与对应于所述第一方向的线形成锐角；

第一底表面，从所述第一内表面向外延伸；以及

第一外表面，从所述第一底表面向上延伸，以及

其中，所述第一内表面与对应于所述第一方向的线之间的第一角度大于所述外板的所述第一外表面与对应于所述第一方向的线之间的第二角度。

2.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述外板还包括：

第二内表面，接触所述内板；以及

第二底表面，从所述第二内表面向外延伸，并连接到所述第一内表面，

其中，所述第二底表面在与所述内板的第一底表面的水平基本相同的水平处，并且

其中，所述第二底表面在与所述内板的所述第一底表面的平面基本相同的平面上。

3.根据权利要求2所述的喷头，其中，所述内板还包括：

第一外表面，从所述内板的所述第一底表面的边缘向上延伸；

突出底表面，从所述内板的所述第一外表面的上端向外延伸；

第二外表面，从所述突出底表面的边缘向上延伸，并连接到所述内板的顶表面，

其中，所述外板还包括：

突出顶表面，从所述第二内表面的上端向外延伸；以及

第三内表面，从所述突出顶表面的外边缘向上延伸，并连接到所述外板的第一顶表面，以及

其中，所述突出底表面接触所述突出顶表面。

4.根据权利要求3所述的喷头，其中，在所述突出底表面和所述突出顶表面中的每一个上未设置孔。

5.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述第一角度在约45°至约65°的范围内。

6.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述内板包括多个气孔，所述至少一个气孔在所述多个气孔之中，并且

其中，所述多个气孔为300个气孔至410个气孔。

7.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述第二角度等于或小于约10°。

8.根据权利要求1所述的喷头，其中，所述外板的所述第一外表面的直径等于或大于约300mm。

9.一种衬底处理装置，包括：

喷头；以及

外环，至少部分地围绕所述喷头，

其中，所述喷头包括内板，所述内板包括多个气孔，

其中，所述内板的底表面在比所述外环的底表面的水平低的水平处。

10.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，所述内板的厚度在约11mm至约13mm的范围内。

11.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，所述外环包括石英。

12.根据权利要求11所述的衬底处理装置，还包括：加热衬垫环，至少部分地围绕所述外环，

其中，所述加热衬垫环包括Y₂O₃。

13.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，所述外环的顶表面在与所述内板的顶表面的水平基本相同的水平处。

14.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其中，所述喷头还包括：外板，在所述内板和所述外环之间，

其中，所述外板包括：

第一内表面，向下延伸；以及

第一底表面，从所述第一内表面向外延伸，以及

其中，所述第一底表面在比所述内板的所述底表面的水平低的水平处。

15.一种衬底处理装置，包括：

喷头；

外环，至少部分地围绕所述喷头；以及

加热衬垫环，至少部分地围绕所述外环，

其中，所述喷头包括：

内板，包括气孔；以及

外板，至少部分地围绕所述内板，

其中，所述外环包括石英，并且

其中，所述加热衬垫环包括与所述外环的材料不同的材料。

16.根据权利要求15所述的衬底处理装置，

其中，所述外板具有轴线在第一方向上延伸的环形状，

其中，所述外板包括：

第一内表面，向下延伸，并与对应于所述第一方向的线形成锐角；

第一底表面，从所述第一内表面向外延伸；以及

第一外表面，从所述第一底表面向上延伸，以及

其中，所述外环的内表面接触所述第一外表面。

17.根据权利要求15所述的衬底处理装置，其中，所述加热衬垫环包括Y₂O₃。

18.根据权利要求15所述的衬底处理装置，还包括：

处理室，包括处理空间；以及

平台，设置在所述处理室中，

其中，所述喷头、所述外环和所述加热衬垫环设置在所述处理室内，并且

其中，所述喷头在向上方向上与所述平台间隔开。

19.根据权利要求15所述的衬底处理装置，其中，所述内板的底表面在比所述外环的底表面的水平低的水平处。

20.根据权利要求19所述的衬底处理装置，其中，所述内板的所述底表面和所述外环的所述底表面之间的水平差在约1mm至约3mm的范围内。