CN117739838A - 一种直拉单晶硅直径测量方法、装置和直拉单晶硅生长装置 - Google Patents

一种直拉单晶硅直径测量方法、装置和直拉单晶硅生长装置 Download PDF

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CN117739838A CN202311283865.9A CN202311283865A CN117739838A CN 117739838 A CN117739838 A CN 117739838A CN 202311283865 A CN202311283865 A CN 202311283865A CN 117739838 A CN117739838 A CN 117739838A
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金光勳
李寅锋
李嘉伟
赵旭良
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Abstract

本申请公开了一种直拉单晶硅直径测量方法、装置和直拉单晶硅生长装置，所述方法包括：控制第一校准光源和第二校准光源发光，基于第一测量设备获取第一校准光源的第一坐标并基于第二测量设备获取第二校准光源的第二坐标；基于第一坐标、第二坐标和第一距离获取直径测量系数；在晶棒长晶时使用第一测量设备获取晶棒直径的一端的第一直径坐标，使用第二测量设备获取晶棒直径的另一端的第二直径坐标；基于第一直径坐标、第二直径坐标和直径测量系数获取晶棒的直径测量值，减小了直拉单晶硅直径测量误差，提高了晶体生长过程中的晶体直径控制准确度，从而提高了直拉单晶硅生产效率。

Description

一种直拉单晶硅直径测量方法、装置和直拉单晶硅生长装置
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种直拉单晶硅直径测量方法。
背景技术
随着半导体产业的迅猛发展，半导体制造商对单晶材料提出了更加严格的要求。单晶硅晶棒的生长一般都采用大投量拉晶炉，通过提拉(Czochralski，CZ法)进行拉制生长，在拉制硅单晶过程中，单晶硅晶棒生长过程中，准确测量晶棒的直径是保证晶体生长稳定性的前提，也是保证晶体品质良率的核心要素。
现有的直拉单晶硅直径测量方法通常使用单组电荷耦合元件(Charge coupledDevice，简称CCD)相机对晶体直径进行检测。在拉制硅单晶过程中，受晶体旋转产生的晃动以及检测角度变化的影响，单组CCD相机对晶体直径的测量结果准确度较低，使得晶体拉制效率下降。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
本发明提供了一种直拉单晶硅直径测量方法，所述方法包括：控制第一校准光源和第二校准光源发光，所述第一校准光源和所述第二校准光源间隔第一距离，所述第一距离与预设晶棒直径的差的绝对值小于预设阈值，所述第一校准光源与所述第二校准光源之间连线的中点位于晶棒长晶时的与所述晶棒轴向垂直的截面的圆心处；基于第一测量设备获取所述第一校准光源的第一坐标并基于第二测量设备获取所述第二校准光源的第二坐标，所述第一测量设备和所述第二测量设备间隔距离等于预设晶棒直径；基于所述第一坐标、所述第二坐标和所述第一距离获取直径测量系数；在所述晶棒长晶时使用所述第一测量设备获取所述晶棒直径的一端的第一直径坐标，使用所述第二测量设备获取所述晶棒直径的另一端的第二直径坐标；基于所述第一直径坐标、所述第二直径坐标和所述直径测量系数获取所述晶棒的直径测量值。
示例性地，所述方法还包括：设置一组或更多组所述第一校准光源和所述第二校准光源，基于所述一组或更多组所述第一校准光源和所述第二校准光源获取所述直径测量系数。
示例性地，所述方法还包括：控制所述一组或多组所述第一校准光源和所述第二校准光源中的第一组所述第一校准光源和所述第二校准光源发光；基于所述第一测量设备获取所述第一组所述第一校准光源的第一坐标，基于所述第二测量设备获取所述第一组所述第二校准光源的第二坐标；基于所述第一坐标、所述第二坐标和所述第一组所述第一校准光源和所述第二校准光源的所述第一距离计获取第一直径测量系数；控制所述一组或多组所述第一校准光源和所述第二校准光源中的第二组所述第一校准光源和所述第二校准光源发光；基于所述第一测量设备获取所述第二组所述第一校准光源的第三坐标，基于所述第二测量设备获取所述第二组所述第二校准光源的第四坐标；基于所述第三坐标、所述第四坐标和所述第二组所述第一校准光源和所述第二校准光源的所述第二距离计获取第二直径测量系数；重复上述步骤获取与各组所述第一校准光源和所述第二校准光源相对应的多个直径测量系数；基于所述多个直径测量系数获取所述直径测量系数。
示例性地，所述基于所述第一坐标、所述第二坐标和所述第一距离获取直径测量系数包括：所述直径测量系数等于所述第一坐标和所述第二坐标的差的绝对值的倒数与所述第一距离的乘积。
示例性地，所述基于所述第一直径坐标、所述第二直径坐标和所述直径测量系数获取所述晶棒的直径测量值包括：所述晶棒的所述直径测量值等于所述第一直径坐标和所述第二直径坐标的差的绝对值与所述直径测量系数的乘积。
示例性地，所述方法还包括：在所述晶棒长晶后，获取所述晶棒的直径实际值，基于所述第一直径坐标、所述第二直径坐标和所述直径实际值获取实际直径测量系数，当所述实际直径测量系数与所述直径测量系数的差大于预设系数阈值时，使用所述实际直径测量系数更新所述直径测量系数。
示例性地，所述基于所述第一直径坐标、所述第二直径坐标和所述直径实际值获取实际直径测量系数包括：所述直径实际测量系数等于所述第一直径坐标和所述第二直径坐标的差的绝对值的倒数与所述直径实际值的乘积。
根据本申请的另一方面，还提供一种直拉单晶硅直径测量装置，所述装置包括第一测量设备、第二测量设备和校准设备，其中：所述第一测量设备和所述第二测量设备间隔距离等于预设晶棒直径，所述第一测量设备设置为获取所述校准设备上的第一校准光源的第一坐标，所述第二测量设备设置为获取所述校准设备上的第二校准光源的第二坐标；校准设备，所述校准设备上设置有所述第一校准光源和所述第二校准光源，所述第一校准光源和所述第二校准光源间隔第一距离，所述第一距离与预设晶棒直径的差的绝对值小于预设阈值，所述第一校准光源与所述第二校准光源之间连线的中点位于晶棒长晶时的与所述晶棒轴向垂直的截面的圆心处。
示例性地，所述第一测量设备的测量方向和所述第二测量设备的测量方向相互平行，所述第一测量设备与所述第二测量设备的连线与所述晶棒长晶时的轴向垂直。
示例性地，所述装置还包括导轨，所述导轨与所述晶棒长晶时的轴向垂直，所述第一测量设备和所述第二测量设备设置在所述导轨上，并且所述第一测量设备和所述第二测量设备可沿所述导轨移动。
示例性地，所述第一测量设备和所述第二测量设备包括电荷耦合器件相机。
示例性地，所述校准设备包括一组或更多组所述第一校准光源和所述第二校准光源。
根据本申请的另一方面，还提供一种直拉单晶硅生长装置，包括上述的直拉单晶硅直径测量装置。
本申请提供的直拉单晶硅直径测量方法，通过控制第一校准光源和第二校准光源发光，基于第一测量设备获取第一校准光源的第一坐标并基于第二测量设备获取第二校准光源的第二坐标，然后基于第一坐标、第二坐标和第一距离获取直径测量系数；在晶棒长晶时使用第一测量设备获取晶棒直径的一端的第一直径坐标，使用第二测量设备获取晶棒直径的另一端的第二直径坐标；再基于第一直径坐标、第二直径坐标和直径测量系数获取晶棒的直径测量值，减小了直拉单晶硅直径测量误差，提高了晶体生长过程中的晶体直径控制准确度，从而提高了单晶硅生产效率。
附图说明
通过结合附图对本申请实施例进行更详细的描述，本申请的上述以及其他目的、特征和优势将变得更加明显。附图用来提供对本申请实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请实施例一起用于解释本申请，并不构成对本申请的限制。在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤。
图1示出了根据本申请一个实施例的直拉单晶硅直径测量方法的流程图；
图2示出了根据本申请一个实施例的直拉单晶硅直径测量校准过程的示意图；
图3示出了根据本申请一个实施例的直拉单晶硅晶棒直径测量过程的示意图；
图4示出了根据本申请一个实施例的直拉单晶硅直径测量装置的结构示意图。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的″一″、″一个″和″所述/该″也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语″组成″和/或″包括″，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语″和/或″包括相关所列项目的任何及所有组合。
为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
本申请提供了一种直拉单晶硅直径测量方法的流程图，如图1所示，包括：
步骤S101：控制第一校准光源和第二校准光源发光，第一校准光源和第二校准光源间隔第一距离，第一距离与预设晶棒直径的差的绝对值小于预设阈值，第一校准光源与第二校准光源之间连线的中点位于晶棒长晶时的与晶棒轴向垂直的截面的圆心处；
步骤S102：基于第一测量设备获取第一校准光源的第一坐标并基于第二测量设备获取第二校准光源的第二坐标，第一测量设备和第二测量设备间隔距离等于预设晶棒直径；
步骤S103：基于第一坐标、第二坐标和第一距离获取直径测量系数；
步骤S104：在晶棒长晶时使用第一测量设备获取晶棒直径的一端的第一直径坐标，使用第二测量设备获取晶棒直径的另一端的第二直径坐标；
步骤S105：基于第一直径坐标、第二直径坐标和直径测量系数获取晶棒的直径测量值。
首先执行步骤S101，参考图2，控制第一校准光源111和第二校准光源121发光，第一校准光源111和第二校准光源121间隔第一距离D1，第一距离D1与预设晶棒直径的差的绝对值小于预设阈值，第一校准光源111与第二校准光源121之间连线的中点位于晶棒长晶时的与晶棒轴向垂直的截面的圆心处。
在一个示例中，预设阈值的取值范围是预设晶棒直径的3％～6％，第一校准光源111和第二校准光源121之间的距离接近预设晶棒直径。在一个示例中，第一校准光源111位于晶棒长晶时的与晶棒轴向垂直的截面的直径的一端，第二校准光源121位于晶棒长晶时的与晶棒轴向垂直的截面的直径的另一端，第一校准光源111和第二校准光源121用于模拟晶棒长晶时的与晶棒轴向垂直的截面的直径两端点所在位置。
示例性地，本申请的直拉单晶硅直径测量方法还包括：设置一组或更多组所述第一校准光源和所述第二校准光源，基于所述一组或更多组所述第一校准光源和所述第二校准光源获取所述直径测量系数。
在一个示例中，如图2所示，设置一组或更多组第一校准光源和第二校准光源，包括第一组第一校准光源111、第二组第一校准光源112、第三组第一校准光源113、第四组第一校准光源114、第一组第二校准光源121、第二组第二校准光源122、第三组第二校准光源123、第四组第二校准光源124。在一个示例中，第一组第一校准光源111和第一组第二校准光源121之间的距离为第一距离D1；第二组第一校准光源112和第二组第二校准光源122之间的距离为第二距离D2；第三组第一校准光源113和第三组第二校准光源123之间的距离为第三距离D3；第四组第一校准光源114和第四组第二校准光源124之间的距离为第四距离D4。其中，第一距离D1、第二距离D2、第三距离D3、第四距离D4均满足与预设晶棒直径的差的绝对值小于预设阈值。
接下来执行步骤S102，参照图2，基于第一测量设备101获取第一校准光源111的第一坐标并基于第二测量设备102获取第二校准光源121的第二坐标，第一测量设备101和第二测量设备102间隔距离D等于预设晶棒直径。
在一个示例中，第一测量设备101和第二测量设备102相互平行，且第一测量设备101和第二测量设备102的连线与第一校准光源和第二校准光源的连线相互平行。
在一个示例中，第一测量设备101为第一CCD相机，第二测量设备为第二CCD相机，第一测量设备101获取第一校准光源111的第一坐标包括：第一CCD相机捕捉到第一校准光源111发光，记录第一校准光源111的坐标位置为第一坐标；第二测量设备102获取第二校准光源121的第二坐标包括：第二CCD相机捕捉到第二校准光源121发光，记录第二校准光源121的坐标位置为第二坐标。
接下来执行步骤S103，基于第一坐标、第二坐标和第一距离获取直径测量系数。
示例性地，基于第一坐标、第二坐标和第一距离获取直径测量系数包括：直径测量系数等于第一坐标和第二坐标的差的绝对值的倒数与第一距离的乘积。
在一个示例中，由于CCD相机获取的是校准光源的坐标位置，需要对坐标位置进行处理以转换为距离。基于第一坐标X1、第二坐标X2和第一距离D1获取直径测量系数K的方法如下等式：
示例性地，方法还包括：控制一组或多组第一校准光源和第二校准光源中的第一组第一校准光源和第二校准光源发光；基于第一测量设备获取第一组第一校准光源的第一坐标，基于第二测量设备获取第一组第二校准光源的第二坐标；基于第一坐标、第二坐标和第一组第一校准光源和第二校准光源的第一距离计获取第一直径测量系数；控制一组或多组第一校准光源和第二校准光源中的第二组第一校准光源和第二校准光源发光；基于第一测量设备获取第二组第一校准光源的第三坐标，基于第二测量设备获取第二组第二校准光源的第四坐标；基于第三坐标、第四坐标和第二组第一校准光源和第二校准光源的第二距离计获取第二直径测量系数；重复上述步骤获取与各组第一校准光源和第二校准光源相对应的多个直径测量系数；基于多个直径测量系数获取直径测量系数。
在一个示例中，对于一组或更多组第一校准光源和第二校准光源获取多个直径测量系数K1、K2......Kn，基于多个直径测量系数获取直径测量系数包括：
对多个直径测量系数K1、K2......Kn取平均值：
在一个示例中，对于一组或更多组第一校准光源和第二校准光源获取多个直径测量系数K1、K2......Kn，基于多个直径测量系数获取直径测量系数包括：在多个直径测量系数K1、K2......Kn中取中位数作为直径测量系数K。
在一个示例中，对于一组或更多组第一校准光源和第二校准光源获取多个直径测量系数K1、K2......Kn，基于多个直径测量系数获取直径测量系数包括：去除其中的一个或更多个最大值，去除其中的一个或更多个最小值，对于剩余的多个直径测量系数取平均值作为直径测量系数K。
接下来执行步骤S104，如图3所示，在晶棒301长晶时使用第一测量设备101获取晶棒301直径D0的一端A的第一直径坐标XA，使用第二测量设备102获取晶棒301直径D0的另一端B的第二直径坐标XB。
在一个示例中，在晶棒301长晶时，第一测量设备101为第一CCD相机，第二测量设备102为第二CCD相机，在晶棒301长晶过程中，第一CCD相机和第二CCD相机同步记录晶棒301直径D0的两端AB的位置坐标。
然后执行步骤S105，基于第一直径坐标XA、第二直径坐标XB和直径测量系数K获取晶棒的直径测量值Dm。
在一个示例中，基于第一直径坐标XA、第二直径坐标XB和直径测量系数K获取晶棒的直径测量值Dm的方法如下等式：
Dm＝K·|XA-XB|
在一个示例中，第一测量设备101和第二测量设备102同步持续获取多组第一直径坐标XA、第二直径坐标XB，基于多组第一直径坐标XA、第二直径坐标XB和直径测量系数K可以持续监控晶棒直径，从而在晶棒长晶过程中控制晶棒直径保持稳定。
在一个示例中，由于采用两组测量设备，且第一测量设备的检测方向和第二测量设备的检测方向相互平行且间隔距离等于第一预设距离，使得第一检测设备和第二检测设备在晶棒长晶过程中第一检测设备和第二检测设备正对检测目标且保持平行的检测方向，从而减小了实际值和被测值之间的误差。
示例性地，在晶棒长晶后，获取晶棒的直径实际值，基于第一直径坐标、第二直径坐标和直径实际值获取实际直径测量系数，当实际直径测量系数与直径测量系数的差大于预设系数阈值时，使用实际直径测量系数更新直径测量系数。
示例性地，基于第一直径坐标、第二直径坐标和直径实际值获取实际直径测量系数包括：直径实际测量系数等于第一直径坐标和第二直径坐标的差的绝对值的倒数与直径实际值的乘积。
在一个示例中，在晶棒长晶结束后，使用其他测量工具测量晶棒的直径实际值D*，基于第一直径坐标XA、第二直径坐标XB和直径实际值D*获取实际直径测量系数K*的方法如下等式：
在一个示例中，比较直径测量系数K和实际直径测量系数K*，当实际直径测量系数与直径测量系数的差大于预设系数阈值时使用实际直径测量系数K*更新直径测量系数K，即使K＝K*。
本申请提供的直拉单晶硅直径测量方法，通过控制第一校准光源和第二校准光源发光，基于第一测量设备获取第一校准光源的第一坐标并基于第二测量设备获取第二校准光源的第二坐标，然后基于第一坐标、第二坐标和第一距离获取直径测量系数；在晶棒长晶时使用第一测量设备获取晶棒直径的一端的第一直径坐标，使用第二测量设备获取晶棒直径的另一端的第二直径坐标；再基于第一直径坐标、第二直径坐标和直径测量系数获取晶棒的直径测量值，减小了直拉单晶硅直径测量误差，提高了晶体生长过程中的晶体直径控制准确度，从而提高了单晶硅生产效率。
根据本申请的另一方面，还提供一种直拉单晶硅直径测量装置400，包括第一测量设备401、第二测量设备402和校准设备403，其中：
第一测量设备401和第二测量设备402间隔距离D等于预设晶棒直径，第一测量设备401设置为获取校准设备403上的第一校准光源411的第一坐标，第二测量设备402设置为获取校准设备403上的第二校准光源421的第二坐标；
校准设备403，校准设备406上设置有第一校准光源411和第二校准光源421，第一校准光源411和第二校准光源421间隔第一距离D1，第一距离D1与预设晶棒直径的差的绝对值小于预设阈值，第一校准光源411与第二校准光源421之间连线的中点位于晶棒长晶时的与晶棒轴向垂直的截面的圆心处。
在一个示例中，预设阈值的取值范围是预设晶棒直径的3％～6％，第一校准光源411和第二校准光源421之间的距离接近预设晶棒直径。在一个示例中，第一校准光源411位于晶棒长晶时的与晶棒轴向垂直的截面的直径的一端，第二校准光源421位于晶棒长晶时的与晶棒轴向垂直的截面的直径的另一端，第一校准光源411和第二校准光源421用于模拟晶棒长晶时的与晶棒轴向垂直的截面的直径两端点所在位置。
在一个示例中，直拉单晶硅直径测量装置400可以包括多个校准设备403，校准设备403上设置的第一校准光源411与第二校准光源421之间的距离与预设晶棒直径不同的晶棒相对应，根据预设晶棒直径选择校准设备403。
示例性地，校准设备403包括一组或更多组第一校准光源和第二校准光源。
在一个示例中，如图4所示，校准设备403包括第一组第一校准光源411和第二校准光源421、第二组第一校准光源412和第二校准光源422、第一校准光源413和第二校准光源423以及第四组第一校准光源414和第二校准光源424。第一组第一校准光源411和第一组第二校准光源421之间的距离为第一距离D1；第二组第一校准光源412和第二组第二校准光源422之间的距离为第二距离D2；第三组第一校准光源413和第三组第二校准光源423之间的距离为第三距离D3；第四组第一校准光源414和第四组第二校准光源424之间的距离为第四距离D4。其中，第一距离D1、第二距离D2、第三距离D3、第四距离D4均满足与预设晶棒直径的差的绝对值小于预设阈值。
示例性地，第一测量设备411的测量方向和第二测量设备421的测量方向相互平行，第一测量设备411与第二测量设备421的连线与晶棒长晶时的轴向垂直。
示例性地，第一测量设备411和第二测量设备421包括电荷耦合器件相机。
在一个示例中，第一CCD相机411和第二CCD相机421的拍摄方向相互平行，晶棒长晶时，第一CCD相机411以垂直于晶棒轴向的角度拍摄晶棒的与晶棒轴向垂直的截面的直径的一端点，第二CCD相机421以垂直于晶棒轴向的角度拍摄晶棒的与晶棒轴向垂直的截面的直径的另一端点。
示例性地，装置400还包括导轨404，导轨404与晶棒长晶时的轴向垂直，第一测量设备401和第二测量设备402设置在导轨上，并且第一测量设备401和第二测量设备402可沿导轨移动。
在一个示例中，与预设晶棒直径不同的晶棒相对应，第一测量设备401和第二测量设备402之间的距离也不同，通过移动导轨上的第一测量设备401和第二测量设备402使它们之间的距离等于预设晶棒直径。
根据本申请的另一方面，还提供一种直拉单晶硅生长装置，包括上述的直拉单晶硅直径测量装置。
应该注意的是上述实施例对本申请进行说明而不是对本申请进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词″包含″不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词″一″或″一个″不排除存在多个这样的元件。本申请可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干车载系统的单元权利要求中，这些车载系统中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
以上，仅为本申请的具体实施方式或对具体实施方式的说明，本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种直拉单晶硅直径测量方法，其特征在于，所述方法包括：
控制第一校准光源和第二校准光源发光，所述第一校准光源和所述第二校准光源间隔第一距离，所述第一距离与预设晶棒直径的差的绝对值小于预设阈值，所述第一校准光源与所述第二校准光源之间连线的中点位于晶棒长晶时与所述晶棒轴向垂直的截面的圆心处；
基于第一测量设备获取所述第一校准光源的第一坐标并基于第二测量设备获取所述第二校准光源的第二坐标，所述第一测量设备和所述第二测量设备间隔距离等于预设晶棒直径；
基于所述第一坐标、所述第二坐标和所述第一距离获取直径测量系数；
在所述晶棒长晶时使用所述第一测量设备获取所述晶棒直径的一端的第一直径坐标，使用所述第二测量设备获取所述晶棒直径的另一端的第二直径坐标；
基于所述第一直径坐标、所述第二直径坐标和所述直径测量系数获取所述晶棒的直径测量值。
2.根据权利要求1所述的晶棒直径测量方法，其特征在于，所述方法还包括：
设置一组或更多组所述第一校准光源和所述第二校准光源，基于所述一组或更多组所述第一校准光源和所述第二校准光源获取所述直径测量系数。
3.根据权利要求2所述的晶棒直径测量方法，其特征在于，所述方法还包括：
控制所述一组或多组所述第一校准光源和所述第二校准光源中的第一组所述第一校准光源和所述第二校准光源发光；
基于所述第一测量设备获取所述第一组所述第一校准光源的第一坐标，基于所述第二测量设备获取所述第一组所述第二校准光源的第二坐标；
基于所述第一坐标、所述第二坐标和所述第一组所述第一校准光源和所述第二校准光源的所述第一距离计获取第一直径测量系数；
控制所述一组或多组所述第一校准光源和所述第二校准光源中的第二组所述第一校准光源和所述第二校准光源发光；
基于所述第一测量设备获取所述第二组所述第一校准光源的第三坐标，基于所述第二测量设备获取所述第二组所述第二校准光源的第四坐标；
基于所述第三坐标、所述第四坐标和所述第二组所述第一校准光源和所述第二校准光源的所述第二距离计获取第二直径测量系数；
重复上述步骤获取与各组所述第一校准光源和所述第二校准光源相对应的多个直径测量系数；
基于所述多个直径测量系数获取所述直径测量系数。
4.根据权利要求1所述的晶棒直径测量方法，其特征在于，所述基于所述第一坐标、所述第二坐标和所述第一距离获取直径测量系数包括：所述直径测量系数等于所述第一坐标和所述第二坐标的差的绝对值的倒数与所述第一距离的乘积。
5.根据权利要求1所述的晶棒直径测量方法，其特征在于，所述基于所述第一直径坐标、所述第二直径坐标和所述直径测量系数获取所述晶棒的直径测量值包括：所述晶棒的所述直径测量值等于所述第一直径坐标和所述第二直径坐标的差的绝对值与所述直径测量系数的乘积。
6.根据权利要求1所述的晶棒直径测量方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述晶棒长晶后，获取所述晶棒的直径实际值，基于所述第一直径坐标、所述第二直径坐标和所述直径实际值获取实际直径测量系数，当所述实际直径测量系数与所述直径测量系数的差大于预设系数阈值时，使用所述实际直径测量系数更新所述直径测量系数。
7.根据权利要求6所述的晶棒直径测量方法，其特征在于，所述基于所述第一直径坐标、所述第二直径坐标和所述直径实际值获取实际直径测量系数包括：所述直径实际测量系数等于所述第一直径坐标和所述第二直径坐标的差的绝对值的倒数与所述直径实际值的乘积。
8.一种直拉单晶硅直径测量装置，其特征在于，包括第一测量设备、第二测量设备和校准设备，其中：
所述第一测量设备和所述第二测量设备间隔距离等于预设晶棒直径，所述第一测量设备设置为获取所述校准设备上的第一校准光源的第一坐标，所述第二测量设备设置为获取所述校准设备上的第二校准光源的第二坐标；
校准设备，所述校准设备上设置有所述第一校准光源和所述第二校准光源，所述第一校准光源和所述第二校准光源间隔第一距离，所述第一距离与预设晶棒直径的差的绝对值小于预设阈值，所述第一校准光源与所述第二校准光源之间连线的中点位于晶棒长晶时与所述晶棒轴向垂直的截面的圆心处。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第一测量设备的测量方向和所述第二测量设备的测量方向相互平行，所述第一测量设备与所述第二测量设备的连线与所述晶棒长晶时的轴向垂直。
10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述装置还包括导轨，所述导轨与所述晶棒长晶时的轴向垂直，所述第一测量设备和所述第二测量设备设置在所述导轨上，并且所述第一测量设备和所述第二测量设备可沿所述导轨移动。
11.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第一测量设备和所述第二测量设备包括电荷耦合器件相机。
12.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述校准设备包括一组或更多组所述第一校准光源和所述第二校准光源。
13.一种直拉单晶硅生长装置，其特征在于包括权利要求8-12中任一项所述的直拉单晶硅直径测量装置。
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