CN117723163A - GaN HEMTs器件结温测试装置及方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种GaN HEMTs器件结温测试装置及方法。GaN HEMTs器件结温测试装置包括：样品台，样品台包括本体和分液管道，本体开设有用于容置分液管道的容纳腔，本体还用于承载待测器件；测温模块，用于测量本体表面的实际温度；冷却设备，用于根据实际温度和预设温度范围调节流过分液管道的冷却液的流量，以使本体表面的温度维持在预设温度范围内；反射率热成像设备，用于获取待测器件对可见光的反射率，并基于反射率获取结温测试结果。本申请的GaN HEMTs器件结温测试装置及方法能使样品台表面的温度始终维持在预设温度范围内，避免由于样品台温度不稳定而影响待测器件对可见光的反射率，导致最终测试结果不准确的情况发生，提高结温测试结果的准确性。

Description

GaN HEMTs器件结温测试装置及方法

技术领域

本申请涉及半导体器件测试领域，特别涉及一种GaN HEMTs器件结温测试装置及方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，GaN高电子迁移率器件（High electron mobilitytransistors，HEMTs）由于具有优异的功率和频率特性，在射频微波领域具有明显优势，逐渐用于大功率微波雷达、电子对抗武器中。对着电子装置对功率密度需求的显示提高，部分GaN HEMTs器件的功率已经超过1kw，对这类大功率GaN HEMTs器件进行结温测试时，存在环境温度不稳定导致结温测试结果不准确的问题。

发明内容

基于此，有必要提供一种实现温度可控和稳定的GaN HEMTs器件结温测试装置及方法。

第一方面，本申请提供了一种GaN HEMTs器件结温测试装置，包括：

样品台，所述样品台包括本体和分液管道，所述本体开设有用于容置所述分液管道的容纳腔，所述本体还用于承载待测器件；

测温模块，位于所述容纳腔且靠近所述待测器件设置，用于测量所述本体表面的实际温度；

冷却设备，分别与所述分液管道、测温模块连接，用于根据所述实际温度和预设温度范围调节流过所述分液管道的冷却液的流量，以使所述本体表面的温度维持在所述预设温度范围内；

反射率热成像设备，用于与所述待测器件连接，以获取所述待测器件对可见光的反射率，并基于所述反射率获取结温测试结果。

在其中一个实施例中，所述分液管道包括第一级管道和多个第二级管道，所述第一级管道与所述冷却设备连接，多个所述第二级管道分别所述第一级管道连通；其中，所述第二级管道相对所述第一级管道靠近所述待测器件设置。

在其中一个实施例中，多个所述第二级管道沿第一方向间隔设置在所述第一级管道上，多个所述第二级管道内冷却液沿第二方向流动，所述第一方向和所述第二方向垂直。

在其中一个实施例中，多个所述第二级管道的内径尺寸的量级为微米级。

在其中一个实施例中，所述冷却设备包括：

输液管道，和所述分液管道的入口连接；

回液管道，和所述分液管道的出口连接；

流量泵，设置在所述输液管道上；

流量控制器，分别和所述测温模块、所述流量泵连接，用于根据所述实际温度和所述预设温度范围输出驱动信号至所述流量泵，以及控制所述流量泵根据所述驱动信号调节流过所述输液管道的冷却液的流量，以使所述本体表面的温度维持在所述预设温度范围内。

在其中一个实施例中，所述冷却设备还包括：

冷却液存储组件，分别和所述输液管道、回液管道连接，用于储存冷却液。

在其中一个实施例中，所述冷却设备还包括流量指示器，设置在所述回液管道上，用于监测所述回液管道的实际流量，并将所述实际流量发送至所述流量控制器；

所述流量控制器还用于基于所述实际流量判断所述输液管道和所述回液管道是否出现异常。

在其中一个实施例中，所述冷却设备还包括冷凝器，设置在所述回液管道上。

在其中一个实施例中，所述测温模块包括嵌入式热电偶。

第二方面，本申请还提供了一种GaN HEMTs器件结温测试方法，应用于如上述任一实施例提供的GaN HEMTs器件结温测试装置，其中，所述方法包括：

将待测器件置于样品台本体表面；

获取所述样品台本体表面的实际温度；

基于所述实际温度和预设温度范围调节分液管道的冷却液的流量，以使所述本体表面的温度维持在所述预设温度范围内；

获取所述待测器件表面对可见光的反射率，并基于所述反射率获取结温测试结果。

上述GaN HEMTs器件结温测试装置及方法中，GaN HEMTs器件结温测试装置包括样品台、测温模块、冷却设备和反射率成像设备。其中，样品台包括本体和分液管道，所述本体开设有用于容置所述分液管道的容纳腔，所述本体还用于承载待测器件，测温模块位于所述容纳腔且靠近所述待测器件设置，冷却设备分别与所述分液管道、测温模块连接，反射率热成像设备与所述待测器件连接，获取所述待测器件对可见光的反射率，并基于所述反射率获取结温测试结果。通过测温模块实时获取样品台本体表面的实际温度，并通过冷却设备根据实际温度和预设温度范围调节流过所述分液管道的冷却液的流量，使样品台本体表面的温度维持在预设温度范围内，也即在实际温度高于预设温度范围的上限时，通过增大分液管道的冷却液的流量，增强样品台的散热能力；在实际温度低于预设温度范围的下限时，通过减小分液管道的冷却液的流量，降低样品台的散热能力，使样品台表面的温度始终维持在预设温度范围内，避免采用反射率热成像设备进行结温测试时，由于样品台温度不稳定而影响待测器件对可见光的反射率，导致最终测试结果不准确的情况发生，提高结温测试结果的准确性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一个实施例中GaN HEMTs器件结温测试装置的结构示意图；

图2为一个实施例中样品台的结构示意图；

图3为一个实施例中冷却设备的结构示意图；

图4为一个实施例中GaN HEMTs器件结温测试方法的流程示意图；

图5为一个具体的实施例中GaN HEMTs器件结温测试装置的结构示意图。

附图标记说明：

100-样品台，110-分液管道，111-第一级管道，112-第二级管道，120-容纳腔，200-测温模块，300-冷却设备，310-输液管道，320-回液管道，330-流量泵，340-流量控制器，350-冷却液存储组件，360-冷凝器，370-流量指示器，380-压力传感器，400-反射率热成像设备，500-待测器件。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

可以理解，以下实施例中的“连接”，如果被连接的电路、模块、单元等相互之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。

可以理解，“至少一个”是指一个或多个，“多个”是指两个或两个以上。“元件的至少部分”是指元件的部分或全部。

在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

GaN高电子迁移率器件（High electron mobility transistors，HEMTs）由于具有优异的功率和频率特性，在射频微波领域具有明显优势，逐渐用于大功率微波雷达、电子对抗武器中。随着电子装置对功率密度需求的显示提高，部分GaN HEMTs器件的功率已经超过1kw。结温测试是指对GaN HEMTs器件的PN结温度进行检测。由于PN结通常位于沟道内，难以直接检测，一般都是通过检测PN结周围区域的温度，将其作为结温。对GaN HEMTs器件进行结温测试时，通常将GaN HEMTs器件放置在金属冷板上，以实现散热。但对于功率超过1kw的GaN HEMTs器件，其工作时产生的热量很高，但目前常用的金属冷板的散热能力只有几十瓦，无法及时散热以维持环境温度的稳定。

基于此，本申请提出了一种在GaN HEMTs器件结温测试时能实现温度可控和稳定的GaN HEMTs器件结温测试装置。如图1所示，该GaN HEMTs器件结温测试装置包括样品台100、测温模块200、冷却设备300和反射率热成像设备400。

其中，样品台100包括本体和分液管道110，样品台100本体上开设有用于容纳分液管道的容纳腔120，样品台100本体用于承载待测器件500，分液管道110中有冷却液流动。测温模块200位于该容纳腔120内，靠近待测器件500的位置，也即接近样品台100本体表面，可用于测量本体表面的实际温度。冷却设备300分别和分液管道110、测温模块200连接，可基于测温模块200获取样品台100本体表面的实际温度，并根据实际温度和预设温度范围调节流过分液管道110的冷却液的流量，以使样品台100本体表面的温度维持在预设温度范围内。

反射率热成像设备400与所述待测器件500连接，可以为待测器件500提供进行结温测试所需的激励信号，并可获取待测器件500对可见光的反射率，并基于所述反射率获取结温测试结果。需要说明的是，采用反射率热成像设备进行结温测试的原理是可见光照射在某种材料表面时，材料表面对可见光的反射率随材料温度的变化而变化，并且，材料表面对可见光的反射率与材料表面的温度的变化量呈线性关系。可以理解，在对待测器件进行结温测试时，为了降低环境温度变化较大影响待测器件的反射率，从而影响结温测试结果，必须保证环境温度可控和稳定。在本申请实施例中，环境温度主要指样品台本体表面的温度。

在一些实施例中，反射率热成像设备400可以包括激励源、可见光源、显微装置和CCD相机。激励源对待测器件产生激励，可见光源发出的可见光通过显微装置集中照射在待测器件表面，由CCD相机记录待测器件反射后的可见光，由后台软件对CCD相机记录的反射光进行分析，得到待测器件对可见光的反射率，并基于该反射率和温度的线性关系得到待测器件的结温。

在整个结温测试过程中，测温模块200实时检测样品台100本体表面的实际温度，并将检测到的实际温度发送至冷却设备300。由冷却设备300根据实际温度和预设温度范围的差异值调节流过分液管道110的冷却液的流量。具体地，当实际温度低于预设温度范围的下限值时，说明样品台100散热过快，冷却设备300可以适当减小冷却液的流量，以使样品台100本体表面的温度升高至预设温度范围内；当实际温度高于预设温度范围的上限值时，说明样品台100散热不足，冷却设备300可以适当增大冷却液的流量，以使样品台100本体表面的温度降低至与预设温度范围内。

在本申请实施例中，GaN HEMTs器件结温测试装置包括样品台100、测温模块200、冷却设备300和反射率成像设备400。其中，样品台100包括本体和分液管道110，本体开设有用于容置分液管道的容纳腔120，本体还用于承载待测器件500，测温模块200位于容纳腔120且靠近待测器件500设置，冷却设备300分别与分液管道110、测温模块200连接，反射率热成像设备400与待测器件500连接，获取待测器件500对可见光的反射率，并基于反射率获取结温测试结果。通过测温模块200实时获取样品台本体表面的实际温度，通过冷却设备300根据实际温度和预设温度范围调节流过分液管道110的冷却液的流量，使样品台本体表面的温度维持在预设范围内，也即在实际温度高于预设温度范围的上限时，通过增大分液管道的冷却液的流量，增强样品台的散热能力；在实际温度低于预设温度范围的下限时，通过减小分液管道的冷却液的流量，降低样品台的散热能力，使样品台表面的温度维持在预设温度范围内，降低采用反射率热成像设备进行结温测试时，样品台温度不稳定对待测器件表面反射率的影响，提高结温测试结果的准确性。

在一些实施例中，测温模块可以包括嵌入式热电偶。

在一个实施例中，如图2所示，分液管道110包括第一级管道111和多个第二级管道112。第一级管道111和冷却设备300连接，多个第二级管道112分别和第一级管道111连通，并且，第二级管道112相对第一级管道111靠近待测器件500设置，第二级管道112和样品台表面接触的一端密封设置。可以理解，多个第二级管道112更靠近样品台表面，待测器件500产生的热量传递到样品台上后，与第二级管道112的冷却液进行热交换。多个第二级管道112的数量可以根据实际需求设置，本申请实施例在此不做限制。

进一步地，多个第二级管道112沿第一方向间隔设置在第一级管道上，多个第二级管道112内冷却液沿第二方向流动。第一级管道111和第二级管道112可以垂直设置。

其中，第一方向和第二方向垂直。在一些实施例中，多个第二级管道112的内径尺寸的量级为微米级。第一级管道111的内径尺寸大于第二级管道112的内径尺寸。

冷却液流入样品台的分液管道110后，先进入第一级管道111，由较宽的第一级管道111将冷却液平均分配到整个样品台内，然后第一级管道111内的冷却液再流经第二级管道112，冷却液在第二级管道112内和样品台表面完成热交换后，通过第一级管道111流出样品台。由于第二级管道112的内径尺寸较小，在流量一定的情况，第二级管道112内冷却液的流速更快，热交换能力更强。

在本申请实施例中，设置两级分液管道，通过较宽的第一级管道111保证冷却液的流量满足散热需求，通过设置第二级管道112，使和样品台表面直接进行热交换的冷却液的流速加快，能够明显提高样品台的散热能力。

在一个实施例中，如图3所示，冷却设备300包括输液管道310、回液管道320、流量泵330和流量控制器340。

其中，输液管道310和分液管道110的入口连接，回液管道320和分液管道110的出口连接。冷却液经输液管道310流入分液管道110，和样品台完成热交换后，从分液管道110流出到回液管道320。输液管道310和分液管道110的连接处的部分需要保证能够紧密嵌合，回液管道320和分液管道110连接处的部分同样需要保证能够紧密嵌合，避免冷却液漏出。输液管道310和回液管道320的其余部分的形状和直径本申请实施例不做限制。

流量泵330设置在输液管道310上，可以调节输液管道310的冷却液的流量，从而调节样品台分液管道110的流量。

流量控制器340分别和测温模块200、流量泵330连接，可用于根据实际温度和预设温度范围输出驱动信号至流量泵330，以及控制该流量泵330根据驱动信号调节流过输液管道310的冷却液的流量，以使样品台本体表面的温度维持在预设温度范围内。

可以理解，在结温测试过程中，测温模块200实时检测样品台本体表面的实际温度，并将检测到的实际温度发送至流量控制器340。流量控制器340将样品台本体表面的实际温度和预设温度范围进行比较，在实际温度低于预设温度范围的下限值的情况下，输出驱动信号至流量泵330，降低流量泵330的转速，以减小输液管道310的冷却液的流量，从而减小流入样品台的分液管道110的冷却液的流量，使得样品台的散热能力减弱，样品台本体表面温度上升至预设温度范围。可选地，在实际温度高于预设温度的情况下，流量控制器340输出驱动信号至流量泵，提高流量泵330的转速，以增加输液管道310的冷却液的流量，从而增加流入样品台的分液管道110的冷却液的流量，使得样品台的散热能力增强，样品台本台表面温度下降至预设温度范围内。

在本申请实施例中，设置流量控制器340判断实际温度是否在预设温度范围内，并输出驱动信号至流量泵330，以使流量泵330基于驱动信号调节输液管道310的冷却液的流量，进而调节样品台的分液管道110的流量，使得样品台的温度始终稳定在预设温度范围内，实现了精准控温，并且，可以避免样品台温度变化影响待测器件对可见光的反射率，提高了结温测试结果的准确性。

在一个实施例中，冷却设备还包括冷却液存储组件。冷却液存储组件和输液管道、回液管道连接，用于存储冷却液。

在一个实施例中，冷却设备还包括流量指示器。流量指示器设置在回液管道上，用于监测回液管道的实际流量，并将实际流量发送至流量控制器。流量指示器可以是螺纹式流量指示器、焊接式流量指示器或法兰式流量指示器等。进一步地，流量控制器还可基于实际流量判断输液管道和回液管道是否出现异常。流量是指单位时间内流过某一截面的流体量。在本申请实施例中，输液管道、回液管道以及样品台的分液管道内冷却液的流量，流速不同。因此，仅在回液管道设置流量指示器即可。可选地，也可以在输液管道或样品台的分液管道上设置流量指示器。

在本申请实施例中，通过设置流量指示器监测回液管道的实际流量，通过流量控制器根据回液管道的冷却液的实际流量确定输液管道、分液管道、回液管道是否出现异常，以便于测试人员及时结束测试进程，避免冷却液泄漏对影响设备性能。

在一个实施例中，冷却设备还包括冷凝器。冷凝器设置在回液管道上。分液管道内的冷却液和样品台表面进行热交换时，如果样品台温度超过了冷却液的沸点，冷却液会气化。由于输液管道、回液管道以及样品台内分液管道均是密封设置，且冷却液流向为输液管道-分液管道-回液管道，因此气化后的蒸气会随着未气化的冷却液进入回液管道，从而进入冷凝器中。冷凝器可以将蒸气液化。

在本申请实施例中，通过设置冷凝器将气化后的蒸气液化为液体，实现冷却液的循环使用。

在一个实施例中，本申请还提供了一种GaN HEMTs器件结温测试方法，其可以应用于上述任一实施例提供的GaN HEMTs器件结温测试装置中。如图4所示，GaN HEMTs器件结温测试方法包括步骤S402-S408。

S402，将待测器件置于样品台本体表面。

将待测器件置于样品台本体表面，和发射率热成像设备对应设置。

S404，获取样品台本体表面的实际温度。

通过测温模块实时检测样品台本体表面的实际温度。

S406，基于实际温度和预设温度范围调节分液管道的冷却液的流量，以使本体表面的温度维持在预设温度范围内。

冷却设备将样品台本体表面的实际温度和预设温度范围的上限值和下限值进行对比，在实际温度低于预设温度范围的下限值的情况下，减小分液管道的冷却液的流量，以降低样品台的散热能力，使样品台表面温度上升，维持在预设温度范围内。可选地，在实际温度高于预设温度范围的上限值的情况下，增加分液管道的冷却液的流量，以增加样品台的散热能力，使样品台表面温度下降，维持在预设温度范围内。

S408，获取待测器件表面对可见光的反射率，并基于反射率获取结温测试结果。

由反射率热成像设备对待测器件发射可见光，并获取待测器件表面反射的可见光，进而计算待测器件表面对可见光的反射率，从而基于反射率与温度的线性关系获取待测器件的结温测试结果。

需要说明的是，在本申请实施例中，虽然采用步骤S402-S408的顺序描述本方案，但实际上本方案并不是必须按照该顺序进行实施的。步骤S408和步骤S404、步骤S406可能是同时实施的。可以理解，可以在步骤S408执行之前，先执行步骤S404和步骤S406，以使样品台本体表面的初始温度在预设温度范围内。可选地，在执行步骤S408采用反射率热成像设备获取待测器件表面对可见光的反射率，并基于反射率获取结温测试结果的同时，执行步骤S404获取样品台本体表面的实际温度和步骤S406基于实际温度和预设温度范围调节分液管道的冷却液的流量，这样才能保证整个测试过程中样品台本体表面的温度都维持在预设温度范围内。

在本申请实施例中，通过将待测器件置于样品台本体表面，获取待测器件表面对可见光的反射率，并基于反射率获取结温测试结果，并且，在整个测试过程中获取样品台本体表面的实际温度，并根据实际温度和预设温度范围调节分液管道的冷却液的流量，使样品台本体表面的温度维持在预设温度范围内，降低采用反射率热成像设备进行结温测试时，样品台温度不稳定而影响待测器件对可见光的反射率，提高结温测试结果的准确性。

为了更好地理解，如图5所示，以一个具体的实施例说明本申请的GaN HEMTs器件结温测试装置。GaN HEMTs器件结温测试装置包括样品台100、测温模块200、输液管道310、回液管道320、流量泵330、流量控制器340、冷却液存储组件350、冷凝器360、流量指示器370、压力传感器380和反射率热成像设备400。样品台内设置有分液管道110，分液管道110包括第一级管道111和多个第二级管道112。各设备之间的连接关系上述实施例中已经描述过，在此不再赘述。需要说明的是，图5中短虚线表示两个设备之间电连接。

在对GaN HEMTs器件进行结温测试时，首先开启GaN HEMTs器件结温测试装置，并设置样品台100的预设温度范围。然后，通过测温模块200实时获取样品台100表面的实际温度，并将实际温度发送至流量控制器340。由流量控制器340对比实际温度和预设温度范围，输出驱动信号至流量泵330，以调节输液管道的冷却液的流量，使样品台表面的温度在预设温度范围内。接下来，采用反射率热成像设备400对待测器件500输出365nm波长的紫外光，并获取待测器件500反射的光线，以计算待测器件500表面的反射率，并基于反射率变化和温度变化的线性关系获取结温测试结果。在采用反射率热成像设备400的整个测试过程中，测温模块200、流量控制器340、流量泵330始终处于工作状态中，以在样品台100表面温度超出预设温度范围时，及时调节冷却液的流量，使样品台100表面温度维持稳定。同时，流量指示器370会始终监测回液管道320的流量，以便于工作人员发现流量异常情况，压力传感器380也会始终检测输液管道310的压力值，避免冷却液流量太大，对输液管道310造成损坏。

在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，包括：

样品台，所述样品台包括本体和分液管道，所述本体开设有用于容置所述分液管道的容纳腔，所述本体还用于承载待测器件；

测温模块，位于所述容纳腔且靠近所述待测器件设置，用于测量所述本体表面的实际温度；

冷却设备，分别与所述分液管道、测温模块连接，用于根据所述实际温度和预设温度范围调节流过所述分液管道的冷却液的流量，以使所述本体表面的温度维持在所述预设温度范围内；

反射率热成像设备，用于与所述待测器件连接，以获取所述待测器件对可见光的反射率，并基于所述反射率获取结温测试结果。

2.根据权利要求1所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，所述分液管道包括第一级管道和多个第二级管道，所述第一级管道与所述冷却设备连接，多个所述第二级管道分别所述第一级管道连通；其中，所述第二级管道相对所述第一级管道靠近所述待测器件设置。

3.根据权利要求2所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，多个所述第二级管道沿第一方向间隔设置在所述第一级管道上，多个所述第二级管道内冷却液沿第二方向流动，所述第一方向和所述第二方向垂直。

4.根据权利要求3所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，多个所述第二级管道的内径尺寸的量级为微米级。

5.根据权利要求1所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，所述冷却设备包括：

输液管道，和所述分液管道的入口连接；

回液管道，和所述分液管道的出口连接；

流量泵，设置在所述输液管道上；

流量控制器，分别和所述测温模块、所述流量泵连接，用于根据所述实际温度和所述预设温度范围输出驱动信号至所述流量泵，以及控制所述流量泵根据所述驱动信号调节流过所述输液管道的冷却液的流量，以使所述本体表面的温度维持在所述预设温度范围内。

6.根据权利要求5所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，所述冷却设备还包括：

冷却液存储组件，分别和所述输液管道、回液管道连接，用于储存冷却液。

7.根据权利要求5所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，所述冷却设备还包括流量指示器，设置在所述回液管道上，用于监测所述回液管道的实际流量，并将所述实际流量发送至所述流量控制器；

所述流量控制器还用于基于所述实际流量判断所述输液管道和所述回液管道是否出现异常。

8.根据权利要求5所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，所述冷却设备还包括冷凝器，设置在所述回液管道上。

9.根据权利要求1所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其特征在于，所述测温模块包括嵌入式热电偶。

10.一种GaN HEMTs器件结温测试方法，其特征在于，应用于如权利要求1-9任一项所述的GaN HEMTs器件结温测试装置，其中，所述方法包括：

将待测器件置于样品台本体表面；

获取所述样品台本体表面的实际温度；

基于所述实际温度和预设温度范围调节分液管道的冷却液的流量，以使所述本体表面的温度维持在所述预设温度范围内；

获取所述待测器件表面对可见光的反射率，并基于所述反射率获取结温测试结果。