CN117712048A - 一种多芯片的clip先进封装 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种多芯片的clip先进封装，其包括：绝缘基板，其下方紧密贴合有防护层，所述绝缘基板的下端面排布有多个线路铜层，所述线路铜层嵌入固定在防护层内，所述绝缘基板的上方对应分布有多个凸层，各所述凸层上均贴合固定有芯片，所述芯片下方设置有接触导层；所述芯片的接触导层上垂直固定有接线铜柱，用于连接与之相邻的芯片，使得多个芯片互连；采用环氧树脂对芯片进行封装，并形成第一塑封层，所述芯片外位于接触导层的上方设置有定位校调机构；所述第一塑封层覆盖芯片底部的接触导层，采用环氧树脂对芯片进行再次封装，并形成第二塑封层，所述芯片上贴附有水冷构层，所述定位校调机构与水冷构层相连接。
Description
技术领域
本发明属于芯片封装技术领域，具体是一种多芯片的clip先进封装。
背景技术
对于多芯片的封装，其包含有多种封装形式，在传统封装时基本都是将多个芯片用粘结物料(导电胶或锡膏)固定在基岛上，使得芯片的漏极与基岛连接；然后利用键合机进行键合操作，通过键合线将芯片的源极区域与源极引脚连接，再经过塑封，形成单颗封装结构，现有的，芯片在装片的时候对对位精度调整困难，尤其多芯片封装中不利于合封；同时由于芯片采用塑封方式，其散热性差，易导致芯片长期处于高温环境下，严重影响芯片寿命。
因此，有必要提供一种多芯片的clip先进封装，以解决上述背景技术中提出的问题。
发明内容
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种多芯片的clip先进封装，其包括：绝缘基板，其下方紧密贴合有防护层，所述绝缘基板的下端面排布有多个线路铜层，所述线路铜层嵌入固定在防护层内，所述绝缘基板的上方对应分布有多个凸层，各所述凸层上均贴合固定有芯片，所述芯片下方设置有接触导层，所述芯片通过其下方的焊盘与接触导层接触，并由接触导层上的焊柱穿过绝缘基板上的通孔与线路铜层相连接；所述芯片的接触导层上垂直固定有接线铜柱，用于连接与之相邻的芯片，使得多个芯片互连；
采用环氧树脂对芯片进行封装，并形成第一塑封层，所述芯片外位于接触导层的上方设置有定位校调机构，所述定位校调机构对芯片辅助定位，同时通过多个冷却液管持续进行冷却液输送循环；所述第一塑封层覆盖芯片底部的接触导层，并达到定位校调机构中部高度位置；采用环氧树脂对芯片进行再次封装，并形成第二塑封层，所述芯片上贴附有水冷构层，所述定位校调机构与水冷构层相连接，所述第二塑封层完全覆盖水冷构层。
进一步，作为优选，所述芯片上的铜柱局部露出所述第二塑封层，采用环氧树脂进行最后封装，并形成第三塑封层。
进一步，作为优选，所述定位校调机构包括：外延部，对称固定在芯片四周，所述接触导层上方固定有定位轴件，所述外延部与定位轴件相滑动连接，所述外延部与定位轴件之间设置有弹簧垫片；
且各所述外延部与定位轴件之间配合形成流动腔，所述外延部上均连接有液管，所述液管与流动腔相连通。
进一步，作为优选，所述接触导层上设有凸起，所述当芯片四周的流动腔完成注液定位后，采用点焊方式实现外延部与接触导层之间的固定。
进一步，作为优选，所述芯片上固定有导通件，所述导通件内设有内通道，所述内通道与流动腔密封连通，所述水冷构层通过内通道与所述流动腔相连通，所述内通道的上端分布在芯片四角位置。
进一步，作为优选，所述水冷构层的内部设为圆形腔体，所述圆形腔体内同轴设置有边环，处于对角的两个内通道连通在边环外围；且两个所述内通道均为进液通道；
所述水冷构层的内部还设置有中间环，所述中间环位于边环内，所述边环上开设有多个孔口，且所述中间环上中心对称开设有液孔；所述中间环上开设有外流道，所述外流道与其中一个所述内通道连通；
所述水冷构层的内部还设置有内环，所述中间环与内环之间对称开设有两个直流道，所述直流道与内环相连通，所述内环上连接有排道，所述排道贯穿中间环与边环，并与另一所述内通道连通。
进一步，作为优选，所述外流道处的内通道能够自由转换为排液通道或进液通道。
进一步，作为优选，所述排道处的内通道被设置为排液通道。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、本发明中采用的三层塑封层能提高塑封整体性，保证塑封质量；
2、本发明中在第一塑封层完成后，能够由定位校调机构对芯片作最后定位调节，提高装片精度，而后采用点焊进行固定，避免装片位移，再进行第二塑封层成型，安装可靠性高；
3、本发明中还采用的水冷构层(类似于水冷板)能够在芯片工作中进行液冷降温，延长芯片使用寿命。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明中定位校调机构的结构示意图；
图3为本发明中水冷构层的结构示意图；
图4为本发明中水冷循环示意图一；
图5为本发明中水冷循环示意图二；
图中：1、绝缘基板；11、防护层；12、线路铜层；13、凸层；2、芯片；21、接触导层；22、接线铜柱；23、第一塑封层；24、第二塑封层；25、第三塑封层；3、定位校调机构；31、延部；32、定位轴件；33、凸起；34、导通件；35、内通道；36、流动腔；4、水冷构层；41、边环；42、中间环；43、液孔；44、外流道；45、内环；46、直流道；47、排道。
具体实施方式
请参阅图1-3，本发明实施例中，一种多芯片的clip先进封装，其包括：绝缘基板1，其下方紧密贴合有防护层11，所述绝缘基板1的下端面排布有多个线路铜层12，所述线路铜层12嵌入固定在防护层11内，所述绝缘基板1的上方对应分布有多个凸层13，各所述凸层13上均贴合固定有芯片2，所述芯片2下方设置有接触导层21，所述芯片2通过其下方的焊盘与接触导层21接触，并由接触导层21上的焊柱穿过绝缘基板1上的通孔与线路铜层12相连接；所述芯片2的接触导层上垂直固定有接线铜柱22，用于连接与之相邻的芯片2，使得多个芯片2互连；进行clip形式的封装时，采用芯片的表面焊盘与接线铜柱相连接/焊接；
采用环氧树脂对芯片2进行封装，并形成第一塑封层23，所述芯片2外位于接触导层21的上方设置有定位校调机构3，所述定位校调机构3对芯片辅助定位，同时通过多个冷却液管持续进行冷却液输送循环；所述第一塑封层23覆盖芯片2底部的接触导层21，并达到定位校调机构3中部高度位置；采用环氧树脂对芯片进行再次封装，并形成第二塑封层24，所述芯片2上贴附有水冷构层4，所述定位校调机构3与水冷构层相连接，所述第二塑封层24完全覆盖水冷构层，水冷构层采用类水冷板结构，其内部设置水冷通道，从而实现对芯片接触式降温。
本实施例中，所述芯片2上的铜柱22局部露出所述第二塑封层24，采用环氧树脂进行最后封装，并形成第三塑封层25，提高封装紧固性。
作为较佳的实施例，所述定位校调机构3包括：外延部31，对称固定在芯片2四周，所述接触导层21上方固定有定位轴件32，所述外延部31与定位轴件32相滑动连接，所述外延部31与定位轴件32之间设置有弹簧垫片；
且各所述外延部31与定位轴件32之间配合形成流动腔36，所述外延部31上均连接有液管，所述液管与流动腔36相连，其中第一塑封层成型主要用于芯片初步装片，而第一塑封层完成后，芯片能够在各流动腔注液调节下进行水平方向的定位微调，从而提高装片精度，而后进行第二塑封层成型。
本实施例中，所述接触导层21上设有凸起33，所述当芯片2四周的流动腔36完成注液定位后，采用点焊方式实现外延部31与接触导层33之间的固定，也就是说，当芯片完成装片后，能够由外延部与接触导层连接固定，此时在对流动腔注液调节时，芯片不会产生位置变化，以便配合水冷构层进行液冷散热。
本实施例中，所述芯片2上固定有导通件34，所述导通件34内设有内通道35，所述内通道35与流动腔36密封连通，所述水冷构层4通过内通道35与所述流动腔36相连通，所述内通道35的上端分布在芯片四角位置。
本实施例中，所述水冷构层4的内部设为圆形腔体，所述圆形腔体内同轴设置有边环41，处于对角的两个内通道35连通在边环41外围；且两个所述内通道35均为进液通道；即用于冷却液的持续输入，冷却液经过内通道进入圆形腔体与边环之间。
所述水冷构层4的内部还设置有中间环42，所述中间环42位于边环41内，所述边环41上开设有多个孔口，且所述中间环42上中心对称开设有液孔43；所述中间环42上开设有外流道44，所述外流道44与其中一个所述内通道35连通；
所述水冷构层4的内部还设置有内环45，所述中间环52与内环54之间对称开设有两个直流道46，所述直流道46与内环45相连通，所述内环45上连接有排道47，所述排道47贯穿中间环42与边环41，并与另一所述内通道35连通，需要注意的是外流道与排道不影响边环与中间环形成整体流动腔，即边环与中间内的冷却液能扩散流动，不受外流道与排道阻碍。
作为较佳的实施例，所述外流道44处的内通道35能够自由转换为排液通道或进液通道。
本实施例中，所述排道47处的内通道35被设置为排液通道，从而在外流道处内通道切换工作中能进行两种不同降温方式：
针对性降温：外流道切换为排液通道，冷却液经过对角的内通道进入圆形腔体中，并通过边环上的孔口流入边环与中间环之间，此时一部分冷却液经过两个直流道进入内环，并通过排道外排，而另一部分则经过中间环上的液孔进入内环与中间环之间，从而通过外流道外排，此时在水冷构层中形成两个散热回路，即内圈散热与外环散热，通过控制外流道与排道的流通量以精度调整冷却降温回路，从而达到针对性降温工作，适用于芯片工作初期与中后期；
快速换液降温：外流道切换为进液通道，冷却液经过三个边角的内通道进入圆形腔体中，而通过外流道进入中间环的冷却液能通过液孔进入边环内，并在边环内进行汇合，此时冷却液直接通过直流道进入内环，以达到圆形腔体中冷却液整体快速换液，适用于芯片工作中期。
以上所述的，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种多芯片的clip先进封装，其特征在于：其包括：绝缘基板(1)，其下方紧密贴合有防护层(11)，所述绝缘基板(1)的下端面排布有多个线路铜层(12)，所述线路铜层(12)嵌入固定在防护层(11)内，所述绝缘基板(1)的上方对应分布有多个凸层(13)，各所述凸层(13)上均贴合固定有芯片(2)，所述芯片(2)下方设置有接触导层(21)，所述芯片(2)通过其下方的焊盘与接触导层(21)接触，并由接触导层(21)上的焊柱穿过绝缘基板(1)上的通孔与线路铜层(12)相连接；所述芯片(2)的接触导层上垂直固定有接线铜柱(22)，用于连接与之相邻的芯片(2)，使得多个芯片(2)互连；
采用环氧树脂对芯片(2)进行封装，并形成第一塑封层(23)，所述芯片(2)外位于接触导层(21)的上方设置有定位校调机构(3)，所述定位校调机构(3)对芯片辅助定位，同时通过多个冷却液管持续进行冷却液输送循环；所述第一塑封层(23)覆盖芯片(2)底部的接触导层(21)，并达到定位校调机构(3)中部高度位置；采用环氧树脂对芯片进行再次封装，并形成第二塑封层(24)，所述芯片(2)上贴附有水冷构层(4)，所述定位校调机构(3)与水冷构层相连接，所述第二塑封层(24)完全覆盖水冷构层。
2.根据权利要求1所述的一种多芯片的clip先进封装，其特征在于：所述芯片(2)上的铜柱(22)局部露出所述第二塑封层(24)，采用环氧树脂进行最后封装，并形成第三塑封层(25)。
3.根据权利要求1所述的一种多芯片的clip先进封装，其特征在于：所述定位校调机构(3)包括：外延部(31)，对称固定在芯片(2)四周，所述接触导层(21)上方固定有定位轴件(32)，所述外延部(31)与定位轴件(32)相滑动连接，所述外延部(31)与定位轴件(32)之间设置有弹簧垫片；
且各所述外延部(31)与定位轴件(32)之间配合形成流动腔(36)，所述外延部(31)上均连接有液管，所述液管与流动腔(36)相连通。
4.根据权利要求3所述的一种多芯片的clip先进封装，其特征在于：所述接触导层(21)上设有凸起(33)，所述当芯片(2)四周的流动腔(36)完成注液定位后，采用点焊方式实现外延部(31)与接触导层(33)之间的固定。
5.根据权利要求3所述的一种多芯片的clip先进封装，其特征在于：所述芯片(2)上固定有导通件(34)，所述导通件(34)内设有内通道(35)，所述内通道(35)与流动腔(36)密封连通，所述水冷构层(4)通过内通道(35)与所述流动腔(36)相连通，所述内通道(35)的上端分布在芯片四角位置。
6.根据权利要求5所述的一种多芯片的clip先进封装，其特征在于：所述水冷构层(4)的内部设为圆形腔体，所述圆形腔体内同轴设置有边环(41)，处于对角的两个内通道(35)连通在边环(41)外围；且两个所述内通道(35)均为进液通道；
所述水冷构层(4)的内部还设置有中间环(42)，所述中间环(42)位于边环(41)内，所述边环(41)上开设有多个孔口，且所述中间环(42)上中心对称开设有液孔(43)；所述中间环(42)上开设有外流道(44)，所述外流道(44)与其中一个所述内通道(35)连通；
所述水冷构层(4)的内部还设置有内环(45)，所述中间环(52)与内环(54)之间对称开设有两个直流道(46)，所述直流道(46)与内环(45)相连通，所述内环(45)上连接有排道(47)，所述排道(47)贯穿中间环(42)与边环(41)，并与另一所述内通道(35)连通。
7.根据权利要求6所述的一种多芯片的clip先进封装，其特征在于：所述外流道(44)处的内通道(35)能够自由转换为排液通道或进液通道。
8.根据权利要求6所述的一种多芯片的clip先进封装，其特征在于：所述排道(47)处的内通道(35)被设置为排液通道。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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