CN117711326A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括发光二极管、驱动晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和电流阻塞晶体管。电流阻塞晶体管是与驱动晶体管不同类型的晶体管，并且在驱动晶体管的栅电极的电压保持在初始化电压的情况下，电流阻塞晶体管在发光时段期间截止，以不将由驱动晶体管输出的发光电流传输到发光二极管的阳极。

Description

显示装置

本申请要求于2022年9月14日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0115814号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用被包含于此。

技术领域

公开涉及一种显示装置。

背景技术

诸如有机发光显示装置的显示装置包括显示面板，并且显示面板通过在基底上包括数个层和元件来制造。通常，玻璃已经被用作显示面板的基底。然而，由于玻璃基底是刚性的，因此难以使显示装置弯曲或变形。近来，正在开发使用轻且易于变形的柔性基底(诸如塑料)的柔性显示装置。

柔性显示装置可以根据其目的或形状而被分类为可弯曲显示装置、可折叠显示装置、可卷曲显示装置等。通过使用诸如塑料的柔性基底，这种柔性显示装置可以弯曲或者折叠。

在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，因此以上信息可能包含不形成对于本领域普通技术人员在本国已知的现有技术的信息。

发明内容

实施例提供了一种在一些晶体管中发生裂纹的情况下防止发光二极管发射光的显示装置。

实施例提供了一种显示装置，所述显示装置可以包括：发光二极管，包括阳极和阴极；驱动晶体管，包括栅电极、第一电极和将发光电流输出到发光二极管的阳极的第二电极；第二晶体管，包括连接到数据线的第一电极、连接到驱动晶体管的第一电极的第二电极和栅电极；第三晶体管，包括连接到驱动晶体管的第二电极的第一电极、连接到驱动晶体管的栅电极的第二电极和栅电极；第四晶体管，包括接收初始化电压的第一电极、连接到驱动晶体管的栅电极的第二电极和栅电极；以及电流阻塞晶体管，包括栅电极、第一电极和连接到发光二极管的阳极的第二电极。电流阻塞晶体管可以是与驱动晶体管不同类型的晶体管。在驱动晶体管的栅电极的电压保持在初始化电压的情况下，电流阻塞晶体管可以在发光时段期间截止，以不将由驱动晶体管输出的发光电流传输到发光二极管的阳极。

显示装置还可以包括：栅极电压传输晶体管，包括连接到驱动晶体管的栅电极的第一电极、连接到电流阻塞晶体管的栅电极的第二电极和栅电极。

栅极电压传输晶体管的栅电极可以与第三晶体管的栅电极接收相同的信号。

显示装置还可以包括：第一电容器，包括被施加有驱动电压的第一存储电极和连接到驱动晶体管的栅电极的第二存储电极；以及第二电容器，包括被施加有驱动电压的第一电极和连接到电流阻塞晶体管的栅电极的第二电极。

数据电压可以通过驱动晶体管和第三晶体管传输到第一电容器的第二存储电极并且可以存储为补偿了驱动晶体管的阈值电压的阈值电压补偿数据电压，并且阈值电压补偿数据电压也可以通过栅极电压传输晶体管施加到第二电容器的第二电极并且存储在第二电容器的第二电极中。

在第二晶体管或第三晶体管不工作的情况下，初始化电压可以存储在第一电容器的第二存储电极和第二电容器的第二电极中。

电流阻塞晶体管可以由存储在第二电容器的第二电极中的初始化电压截止，使得由驱动晶体管输出的发光电流可以不传输到发光二极管的阳极。

显示装置还可以包括：第二电容器充电晶体管，包括连接到电流阻塞晶体管的第二电极的第一电极、连接到电流阻塞晶体管的栅电极的第二电极和栅电极。

在第二电容器的第二电极的电压在发光时段中为阈值电压补偿数据电压的情况下，第二电容器充电晶体管可以将第二电容器的第二电极的电压改变为驱动电压。

显示装置还可以包括：第五晶体管，包括被施加有驱动电压的第一电极、连接到驱动晶体管的第一电极的第二电极和栅电极；以及第六晶体管，包括连接到驱动晶体管的第二电极的第一电极、连接到电流阻塞晶体管的第一电极的第二电极和栅电极。

第五晶体管的栅电极、第六晶体管的栅电极和第二电容器充电晶体管的栅电极可以在发光时段期间接收具有低电平电压的发光控制信号。

显示装置还可以包括：第七晶体管，包括被施加有初始化电压的第一电极、连接到发光二极管的阳极的第二电极和栅电极。

驱动晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第二电容器充电晶体管可以是p型晶体管，并且第三晶体管、栅极电压传输晶体管和电流阻塞晶体管可以是n型晶体管。

显示装置可以是柔性显示装置。

另一实施例提供了一种显示装置，所述显示装置可以包括：发光二极管，包括阳极和阴极；第一像素电路部，包括生成传输到发光二极管阳极的发光电流的驱动晶体管和将数据电压传输到驱动晶体管的第二晶体管；以及第二像素电路部，连接到驱动晶体管的栅电极，以根据驱动晶体管的栅电极的电压来将驱动晶体管的发光电流传输到发光二极管的阳极或者阻塞驱动晶体管的发光电流。

第二像素电路部可以包括电流阻塞晶体管，电流阻塞晶体管包括栅电极、第一电极和连接到发光二极管的阳极的第二电极，电流阻塞晶体管可以是与驱动晶体管不同类型的晶体管；并且电流阻塞晶体管可以根据驱动晶体管的栅电极的电压来将驱动晶体管的发光电流传输到阳极或者阻塞驱动晶体管的发光电流。

在驱动晶体管的栅电极的电压为初始化电压的情况下，电流阻塞晶体管可以截止，以不将发光电流传输到阳极；并且在驱动晶体管的栅电极的电压为从数据电压补偿了驱动晶体管的阈值电压的阈值电压补偿数据电压的情况下，电流阻塞晶体管可以导通，以将发光电流传输到阳极。

第二像素电路部还可以包括栅极电压传输晶体管，栅极电压传输晶体管包括栅电极、连接到驱动晶体管的栅电极的第一电极和连接到电流阻塞晶体管的栅电极的第二电极。

第二像素电路部还可以包括第二电容器充电晶体管，第二电容器充电晶体管包括栅电极、连接到电流阻塞晶体管的第二电极的第一电极和连接到电流阻塞晶体管的栅电极的第二电极。

第一像素电路部还可以包括第一电容器，第一电容器包括被施加有驱动电压的第一存储电极和连接到驱动晶体管的栅电极的第二存储电极，并且第二像素电路部还可以包括第二电容器，第二电容器包括被施加有驱动电压的第一电极和连接到电流阻塞晶体管的栅电极的第二电极。

根据实施例，在第二晶体管或第三晶体管因为像素中的裂纹而不工作的情况下，通过包括防止驱动晶体管的输出电流传输到发光二极管的阻塞部(第二像素电路部)，可以防止发光二极管发射光。

附图说明

图1示意性地示出了根据实施例的柔性显示装置的透视图。

图2示意性地示出了根据另一实施例的柔性显示面板的俯视平面图。

图3示意性地示出了其中柔性显示装置折叠的剖视图。

图4示意性地示出了根据实施例的有机发光显示装置的像素的等效电路。

图5示意性地示出了施加到根据图4的实施例的有机发光显示装置的像素的信号的时序图。

图6至图9示意性地示出了图4的像素在各个时段中的操作。

图10至图12示意性地示出了其中在第二晶体管或第三晶体管中发生裂纹的情况。

图13示意性地示出了根据实施例的像素的晶体管的电压-电流(V-I)特性的曲线图。

图14示意性地示出了根据对比示例的像素的等效电路。

图15示意性地示出了在根据对比示例的显示装置中发生的亮点缺陷。

具体实施方式

在下文中，将参照附图来更充分地描述公开，在附图中示出了实施例。如本领域技术人员将认识到的是，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，而均未脱离本公开的精神或范围。

为了清楚地描述实施例，可以省略与描述无关的部件或部分，并且在整个说明书中，相同或类似的构成元件由相同的附图标记指示。

此外，在附图中，为了便于描述，可以任意地示出每个元件的尺寸和厚度，并且公开不必限于附图中所示的那些。

将理解的是，当诸如层、膜、区域、区、基底、板或构成元件的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在居间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，可以不存在居间元件。此外，在说明书中，词语“在……上”或“在……上面”表示位于目标部分上或位于目标部分下，并且不必表示基于重力方向而位于目标部分的上侧上。

当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”、“具有”和/或“拥有”及其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是不排除存在或者添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或(以及/或者)”意图包括术语“和(以及)”和“或(或者)”的任何组合。例如，“A和/或B”可以被理解为表示包括“A、B或者A和B”的任何组合。术语“和”以及“或”可以以合取或析取含义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。

此外，在整个说明书中，短语“在平面图中”表示从顶部观看目标部分，短语“在剖视图中”表示从侧面观看通过竖直切割目标部分而形成的剖面。

此外，在整个说明书中，“连接”不仅表示当两个或更多个元件直接连接时，而且还表示当两个或更多个元件通过其它元件间接连接时以及当它们物理连接或电连接时，此外，“连接”可以根据位置或功能而由不同的名称指代，并且也可以被称为其中基本一体的各个部分彼此链接的情况。

此外，在整个说明书中，当提及诸如线、层、膜、区域、区、基底、板或构成元件的元件“在第一方向或第二方向上延伸”时，这不仅表示在对应的方向上直线延伸的直线形状，而且可以表示基本在第一方向或第二方向上延伸、部分弯曲、具有Z字形结构(zigzagstructure)或者在具有弯曲结构的同时延伸的结构。

此外，包括说明书中描述的显示装置或显示面板的电子装置(例如，移动电话、TV、监视器、膝上型计算机等)以及包括通过说明书中描述的制造方法制造的显示装置和显示面板的电子装置两者包括在公开的范围内。

除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关领域的上下文(背景)中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式的意义来解释，除非这里明确地如此定义。

图1示意性地示出了根据实施例的柔性显示装置的透视图。

根据实施例的发光显示装置可以是柔性显示装置1000，并且柔性显示装置1000是用于显示运动图像或静止图像的装置，并且可以用作便携式电子装置(诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置和超移动PC(UMPC))的显示屏幕，并且可以用作各种产品(诸如电视机、膝上型计算机、监视器、广告牌或物联网(IOT)装置)的显示屏幕。根据实施例的柔性显示装置1000可以用在诸如智能手表、手表电话、眼镜显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置中。根据实施例的柔性显示装置1000可以用作车辆的仪表面板、设置在车辆的中央仪表板或仪表盘上的中央信息显示器(CID)、代替车辆的侧视镜的室内镜显示器以及设置在前排座椅的后部上的用于车辆的后排座椅的娱乐的显示器。

参照图1，柔性显示装置1000可以在平行于第一方向DR1和第二方向DR2中的每个的显示表面上朝向第三方向DR3显示图像。其上显示图像的显示表面可以对应于柔性显示装置1000的前表面，并且图像可以包括静止图像以及运动图像。

在实施例中，可以基于显示图像所沿的方向来定义每个构件的前(或顶)表面和后(或底)表面。前表面和后表面可以在第三方向DR3上彼此相对，并且前表面和后表面中的每个的法线方向可以平行于第三方向DR3。前表面与后表面之间在第三方向DR3上的间隔距离可以对应于显示面板DP在第三方向DR3上的厚度。

根据实施例的柔性显示装置1000可以检测从外部施加的用户的输入。用户的输入可以包括各种类型的外部输入，诸如用户的身体的一部分、光、热或压力。在实施例中，用户的输入可以是由用户的手施加到前表面的输入或诸如笔(诸如由用户使用的手写笔)的输入，但是公开不限于此。柔性显示装置1000可以根据柔性显示装置1000的结构来感测施加到柔性显示装置1000的侧表面或后表面的用户的输入。

在实施例中，柔性显示装置1000可以包括显示区域DA和外围区域PA(在下文中，也被称为非显示区域)。显示区域DA可以是其中显示图像的区域，并且可以是其中感测外部输入的区域。显示区域DA可以是其中设置有稍后将描述的像素的区域。

显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域(参照图2的DA2)。

多个发光二极管和多个像素电路可以形成在第一显示区域DA1中，多个像素电路生成发光电流并将发光电流传输到发光二极管中的每个。这里，一个发光二极管和一个像素电路可以被称为像素。一个像素电路和一个发光二极管可以在第一显示区域DA1中以一比一的比率形成。

第一显示区域DA1可以被划分为第1-1显示区域DA1-1、第1-2显示区域DA1-2和折叠区域FA。第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2可以基于折叠轴FAX分别设置在左侧和右侧处(或者可以以折叠轴FAX为中心)，并且折叠区域FA可以设置在第1-1显示区域DA1-1与第1-2显示区域DA1-2之间。在基于折叠轴FAX向外折叠的情况下，第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2可以在第三方向DR3上设置在两侧处，并且可以在两个方向上显示图像。在基于折叠轴FAX向内折叠的情况下，从外部可以无法看到第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2。

在一些实施例中，显示区域DA还可以包括第二显示区域(参照图2的DA2)，并且将参照图2来描述该实施例。

在图2中，将描述根据另一实施例的可以包括在柔性显示装置1000中的显示面板DP的平面结构。

图2示意性地示出了根据另一实施例的柔性显示面板的俯视平面图。

包括在柔性显示装置1000中的显示面板DP也可以具有位于前表面的显示区域DA，并且显示区域DA可以被大部分划分为第一显示区域DA1(在下文中，也被称为主显示区域)和第二显示区域DA2(在下文中，也被称为组件区域)。

多个发光二极管和多个像素电路形成在第一显示区域DA1中，多个像素电路生成发光电流并将发光电流传输到发光二极管中的每个。这里，一个发光二极管和一个像素电路可以被称为像素。一个像素电路和一个发光二极管可以在第一显示区域DA1中以一比一的比率形成。

第二显示区域DA2可以包括透光区域，并且可以附加地包括用于显示图像的像素。第二显示区域DA2可以至少与光学元件(诸如相机或光学传感器)部分地叠置。图2示出了第二显示区域DA2以圆形形状设置在柔性显示装置1000的左侧处，但是公开不限于此。第二显示区域DA2可以根据光学元件的数量和形状而以各种数量和形状设置。

柔性显示装置1000可以通过第二显示区域DA2接收光学元件所需的外部信号，或者可以将从光学元件输出的信号提供到外部。在实施例中，第二显示区域DA2设置为与透光区域叠置，使得用于形成透光区域的外围区域PA的面积可以减小。

在一些实施例中，边界区域可以位于第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间。

外围区域PA还可以位于显示区域DA的外部。在图2的实施例中，由于第二显示区域DA2被第一显示区域DA1包围，因此显示区域DA的面积不会因为第二显示区域DA2减小，并且外围区域PA的面积不会增大。

参照图1和图2，在实施例中，柔性显示装置1000可以是可折叠柔性显示装置。柔性显示装置1000可以基于折叠轴FAX向外折叠或者向内折叠。在柔性显示装置1000基于折叠轴FAX向外折叠的情况下，柔性显示装置1000的显示表面可以各自位于第三方向DR3上的外侧处，使得可以在两个方向上显示图像。在柔性显示装置1000基于折叠轴FAX向内折叠的情况下，从外部可以无法看到柔性显示装置1000显示表面。

在图2中，外围区域PA也被示出为在显示区域DA的外部，并且驱动器50也被示出为在外围区域PA中。外围区域PA可以被划分为驱动器50、连接线和弯曲区域。在一些实施例中，可以将显示面板DP的其中布置有驱动器50的部分折叠到后表面以将驱动器50布置在显示区域DA后面，并且可以完成柔性显示装置1000。

在图2的实施例中，驱动器50被示出为在显示区域DA的在第一方向DR1侧处位于外围区域PA中，并且驱动器50在平行于折叠轴FAX的方向上延伸，但是驱动器50的位置可以进行各种改变。

将参照图3来描述其中柔性显示装置1000基于折叠轴FAX折叠的结构。

图3示意性地示出了其中柔性显示装置折叠的剖视图。

柔性显示装置1000可以被划分为折叠区域FA和位于其两侧处并具有平坦结构的平坦区域(Flat Area)。这里，平坦区域(Flat Area)可以对应于图1的第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2。

具体地，参照图3，在柔性显示装置1000的折叠区域FA折叠的情况下，剖面形状可以具有哑铃形状。在实施例中，在折叠区域FA中，与折叠轴FAX相邻的第一部分可以形成为具有大的曲率，稍微远离折叠轴FAX的第二部分可以形成为平坦或略微弯曲，并且折叠区域FA的端部可以通过形成为具有大的曲率而形成为以哑铃形状来折叠。

然而，在折叠的情况下的剖面形状可以不是图3的哑铃形状。

如上所述，在显示装置是柔性显示装置的情况下，位于折叠区域FA中的像素可能由于折叠操作和展开操作而受到应力，并且在一些像素中可能发生裂纹，使得像素的一些晶体管可能不工作。在用手或手写笔触摸显示装置的上表面的情况下，可能发生这种裂纹。在下文中，将参照图4来描述还包括阻塞部的像素的电路结构，该阻塞部在像素中的一些晶体管不工作的情况下不将驱动晶体管的输出电流传输到发光二极管。

图4示意性地示出了根据实施例的有机发光显示装置的像素的等效电路。

参照图4，有机发光显示装置的像素可以包括连接到多条信号线127、151、152、153、154、155、171、172和741的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9和T10、存储电容器C1(在下文中，被称为第一电容器)、第二电容器C2以及发光二极管LED。这里，除了发光二极管LED之外的晶体管和电容器可以形成像素电路部。像素电路的包括晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7以及存储电容器C1的部分可以构成第一像素电路部(在下文中，也被称为发光二极管驱动器)，像素电路的包括其余晶体管T8、T9和T10以及第二电容器C2的部分可以构成第二像素电路部DCS(在下文中，也被称为阻塞部)。在一些实施例中，还可以包括附加晶体管或附加电容器。

在根据实施例的有机发光显示装置中，一个像素可以被构造有图4中所示的电路图，并且多个像素可以以各种方式(诸如矩阵)来布置。

包括在像素中的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9和T10中的一些晶体管T3、T4、T8和T9可以通过用氧化物半导体形成半导体层而具有n型晶体管特性，其余晶体管T1、T2、T5、T6、T7和T10可以通过用多晶半导体(polycrystalline semiconductor)形成半导体层而具有p型晶体管特性。这里，p型晶体管可以在其栅电极具有低电平(负极性)电压的情况下导通，n型晶体管可以在其栅电极具有高电平(正极性)电压的情况下导通。

信号线127、151、152、153、154、155、171、172和741连接到一个像素。信号线127、151、152、153、154、155、171、172和741可以包括初始化电压线127、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、旁路控制线154、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172和共电压线741。实施例中的旁路控制线154可以电连接到前一像素的第一扫描线151。

第一扫描线151可以连接到栅极驱动器(未示出)，以将第一扫描信号GW传输到第二晶体管T2。第二扫描线152可以连接到栅极驱动器，以将第二扫描信号GC传输到第三晶体管T3和第八晶体管T8。初始化控制线153可以连接到栅极驱动器，以将初始化控制信号GI传输到第四晶体管T4。旁路控制线154可以连接到栅极驱动器，以将旁路信号GB传输到第七晶体管T7。发光控制线155可以连接到发光控制器(未示出)，并且可以将控制发光二极管LED的发光时间的发光控制信号EM传输到第五晶体管T5、第六晶体管T6和第十晶体管T10。

数据线171可以是传输由数据驱动器(未示出)生成的数据电压DM的线，并且由发光二极管LED发射的亮度可以根据施加到像素的数据电压DM而改变。

驱动电压线172可以施加驱动电压ELVDD，初始化电压线127可以传输用于使驱动晶体管T1的栅电极和发光二极管LED的阳极初始化的初始化电压Vint，共电压线741可以将第二驱动电压ELVSS施加到发光二极管LED的阴极。施加到驱动电压线172、初始化电压线127和共电压线741的电压可以是恒定的。

在下文中，将详细地描述晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9和T10以及电容器C1和C2。

驱动晶体管T1(也被称为第一晶体管)可以是p型晶体管，并且具有硅半导体(在下文中，也被称为多晶半导体或第一半导体)作为半导体层。驱动晶体管T1可以是根据驱动晶体管T1的栅电极的电压(即，存储在存储电容器C1(在下文中，被称为“第一电容器”)中的电压)来调节输出到发光二极管LED的阳极的发光电流的量的晶体管。为此目的，驱动晶体管T1的第一电极可以设置为接收驱动电压ELVDD，并且可以经由第五晶体管T5连接到驱动电压线172。驱动晶体管T1的第一电极可以连接到第二晶体管T2的第二电极，以接收数据电压DM。驱动晶体管T1的第二电极可以将发光电流输出到发光二极管LED，并且可以经由第六晶体管T6(在下文中，被称为输出控制晶体管)和第九晶体管T9(在下文中，被称为“电流阻塞晶体管”)连接到发光二极管LED的阳极。驱动晶体管T1的第二电极也可以连接到第三晶体管T3，以将施加到驱动晶体管T1的第一电极的数据电压DM传输到第三晶体管T3。驱动晶体管T1的栅电极可以连接到存储电容器C1的一个电极(在下文中，被称为“第二存储电极”)。存储电容器C1的另一电极(在下文中，被称为“第一存储电极”)可以接收驱动电压ELVDD。因此，驱动晶体管T1的栅电极的电压可以根据存储在存储电容器C1中的电压而改变，并且因此，从驱动晶体管T1输出的发光电流可以改变。存储电容器C1可以用于在一帧内将驱动晶体管T1的栅电极的电压保持恒定。驱动晶体管T1的栅电极也可以连接到第三晶体管T3，使得施加到驱动晶体管T1的第一电极的数据电压DM通过第三晶体管T3以传输到驱动晶体管T1的栅电极。驱动晶体管T1的栅电极也可以连接到第四晶体管T4，以通过接收初始化电压Vint而被初始化。驱动晶体管T1的栅电极也可以连接到第八晶体管T8(在下文中，也被称为“栅极电压传输晶体管”)的第一电极，使得驱动栅电极的电压(即，存储电容器C1的第二存储电极的电压)传输到第二电容器C2的第二电极、第九晶体管T9的栅电极和第十晶体管T10(在下文中，也被称为“第二电容器充电晶体管”)的第一电极。

第二晶体管T2可以是p型晶体管，并且具有硅半导体作为半导体层。第二晶体管T2可以是使数据电压DM被接收到像素中的晶体管。第二晶体管T2的栅电极可以连接到第一扫描线151。第二晶体管T2的第一电极可以连接到数据线171，第二晶体管T2的第二电极可以连接到驱动晶体管T1的第一电极。在第二晶体管T2由通过第一扫描线151传输的第一扫描信号GW的负电压导通的情况下，通过数据线171传输的数据电压DM可以传输到驱动晶体管T1的第一电极，并且最终，数据电压DM可以传输到驱动晶体管T1的栅电极以存储在存储电容器C1中。

第三晶体管T3可以是n型晶体管，并且具有氧化物半导体(在下文中，也被称为第二半导体)作为半导体层。第三晶体管T3可以将驱动晶体管T1的第二电极和驱动晶体管T1的栅电极电连接。结果，第三晶体管T3可以是这样的晶体管，该晶体管使数据电压DM被驱动晶体管T1的阈值电压补偿并存储在存储电容器C1的第二存储电极中。第三晶体管T3的栅电极可以连接到第二扫描线152，第三晶体管T3的第一电极可以连接到驱动晶体管T1的第二电极。第三晶体管T3的第二电极可以连接到存储电容器C1的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极、第四晶体管T4的第二电极和第八晶体管T8的第一电极。第三晶体管T3可以由通过第二扫描线152传输的第二扫描信号GC的正电压导通，以将驱动晶体管T1的栅电极和驱动晶体管T1的第二电极连接，并且使施加到驱动晶体管T1的栅电极的电压传输到存储电容器C1的第二存储电极以存储在存储电容器C1中。存储在存储电容器C1中的电压可以以这样的状态来存储：在驱动晶体管T1截止的情况下，存储驱动晶体管T1的栅电极的电压，并且补偿驱动晶体管T1的阈值电压。

第四晶体管T4可以是n型晶体管，并且具有氧化物半导体作为半导体层。第四晶体管T4可以用于使驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器C1的第二存储电极初始化。第四晶体管T4的栅电极可以连接到初始化控制线153，并且第四晶体管T4的第一电极可以连接到初始化电压线127。第四晶体管T4的第二电极可以连接到第三晶体管T3的第二电极、存储电容器C1的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极和第八晶体管T8的第一电极。第四晶体管T4可以由通过初始化控制线153接收的初始化控制信号GI的正电压导通，并且在这种情况下，第四晶体管T4将初始化电压Vint传输到驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器C1的第二存储电极，以使它们初始化。

第五晶体管T5和第六晶体管T6可以是p型晶体管，并且具有硅半导体作为半导体层。

第五晶体管T5可以用于将驱动电压ELVDD传输到驱动晶体管T1。第五晶体管T5的栅电极可以连接到发光控制线155，第五晶体管T5的第一电极可以连接到驱动电压线172，第五晶体管T5的第二电极可以连接到驱动晶体管T1的第一电极。

第六晶体管T6可以用于将从驱动晶体管T1输出的发光电流传输到第九晶体管T9。第六晶体管T6的栅电极可以连接到发光控制线155，第六晶体管T6的第一电极可以连接到驱动晶体管T1的第二电极，第六晶体管T6的第二电极可以连接到第九晶体管T9的第一电极。

第七晶体管T7可以形成为p型晶体管或n型晶体管，并且可以具有硅半导体或氧化物半导体作为半导体层，并且在图4中，第七晶体管T7形成为p型晶体管。第七晶体管T7可以用于使发光二极管LED的阳极初始化。第七晶体管T7的栅电极可以连接到旁路控制线154，第七晶体管T7的第一电极可以连接到发光二极管LED的阳极和第十晶体管T10的第一电极，第七晶体管T7的第二电极可以连接到初始化电压线127。在第七晶体管T7由施加到旁路控制线154的旁路信号GB的负电压导通的情况下，初始化电压Vint可以施加到发光二极管LED的阳极以使其初始化。第七晶体管T7的栅电极可以连接到前一像素的第一扫描线151。在一些实施例中，施加到第七晶体管T7的初始化电压Vint和施加到第四晶体管T4的初始化电压Vint可以具有不同的电压电平。

存储电容器C1的第一存储电极可以连接到驱动电压线172，存储电容器C1的第二存储电极可以连接到驱动晶体管T1的栅电极、第三晶体管T3的第二电极、第四晶体管T4的第二电极和第八晶体管T8的第一电极。因此，存储电容器C1的第二存储电极可以与驱动晶体管T1的栅电极具有相同的电压，并且存储电容器C1可以通过第三晶体管T3的第二电极接收数据电压DM或者通过第四晶体管T4的第二电极接收初始化电压Vint。通过第八晶体管T8，存储电容器C1的第二存储电极的电压可以与第二电容器C2的第二电极的电压和第九晶体管T9的栅电极的电压相同。

在上文中，已经描述了像素的像素电路部的第一像素电路部(发光二极管LED的驱动部)。在下文中，将描述像素电路部的第二像素电路部DCS(阻塞部)的结构。

第二像素电路部DCS可以连接到驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器C1的第二存储电极，以根据驱动晶体管T1的栅电极的电压来使第六晶体管T6的第二电极和发光二极管LED的阳极连接或者断开。结果，驱动晶体管T1的输出电流可以传输到发光二极管LED或者可以被阻塞。

具体地，第二像素电路部DCS可以包括晶体管T8、T9和T10以及第二电容器C2。

第八晶体管T8可以是n型晶体管，并且可以具有氧化物半导体作为半导体层。第八晶体管T8可以用于将第二像素电路部DCS电连接到驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器C1的第二存储电极。具体地，第八晶体管T8可以用于将驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器C1的第二存储电极电连接到第九晶体管T9的栅电极、第十晶体管T10的第二电极和第二电容器C2的第二电极。结果，驱动晶体管T1的栅电极的电压可以通过第八晶体管T8传输到第二电容器C2的第二电极并存储在第二电容器C2的第二电极中，并且也可以传输到第九晶体管T9的栅电极。第八晶体管T8的栅电极可以连接到第二扫描线152，第八晶体管T8的第一电极可以连接到驱动晶体管T1的栅电极、存储电容器C1的第二存储电极和第四晶体管T4的第二电极。第八晶体管T8的第二电极可以连接到第二电容器C2的第二电极、第九晶体管T9的栅电极和第十晶体管T10的第二电极。第八晶体管T8可以与第三晶体管T3一起由通过第二扫描线152接收的第二扫描信号GC的正电压导通，使得存储电容器C1的第二存储电极的电压可以传输到第二电容器C2的第二电极并存储在第二电容器C2的第二电极中，并且也传输到第九晶体管T9的栅电极和第十晶体管T10的第二电极。结果，被补偿有存储在存储电容器C1的第二存储电极中的驱动晶体管T1的阈值电压值的电压也可以传输到第二电容器C2的第二电极并存储在第二电容器C2的第二电极中。在如图10和图11中所示的在第三晶体管T3或第二晶体管T2中发生裂纹的情况下，存储在存储电容器C1的第二存储电极中的初始化电压Vint也可以传输到第二电容器C2的第二电极并存储在第二电容器C2的第二电极中。

第九晶体管T9可以是n型晶体管，并且可以具有氧化物半导体作为半导体层。例如，驱动晶体管T1和第九晶体管T9可以形成为不同类型的晶体管。第九晶体管T9可以用于根据存储在第二电容器C2中的电压(即，第九晶体管T9的栅电极的电压)来使第六晶体管T6的第二电极和发光二极管LED的阳极电连接或电断开。例如，在存储在第二电容器C2中的电压是初始化电压Vint的情况下，第九晶体管T9可以截止，使得第六晶体管T6的第二电极和发光二极管LED的阳极可以电分离。第九晶体管T9的栅电极和第二电容器C2的第二电极以及驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器C1的第二存储电极可以通过第八晶体管T8彼此连接，使得它们可以具有相同的电压。因此，在驱动晶体管T1的栅电极的电压保持在初始化电压Vint的情况下，第九晶体管T9可以在发光时段期间截止，使得从驱动晶体管T1输出的发光电流可以不传输到发光二极管LED的阳极。在存储在第二电容器C2中的电压不是初始化电压Vint的情况下，第九晶体管T9可以导通，使得第六晶体管T6的第二电极和发光二极管LED的阳极可以电连接。由于第九晶体管T9的栅电极和第二电容器C2的第二电极以及驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器C1的第二存储电极通过第八晶体管T8彼此连接以使它们可以具有相同的电压，因此，在驱动晶体管T1的栅电极的电压在写入和补偿时段中为数据电压DM被补偿后的阈值电压补偿数据电压(如稍后将描述的图4和图7中所示)的情况下，第九晶体管T9可以在发光时段期间导通，使得第六晶体管T6的第二电极和发光二极管LED的阳极可以通过第九晶体管T9电连接。第九晶体管T9的栅电极可以连接到第八晶体管T8的第二电极、第十晶体管T10的第二电极和第二电容器C2的第二电极，并且第九晶体管T9的第一电极可以连接到第六晶体管T6的第二电极。第九晶体管T9的第二电极可以连接到发光二极管LED的阳极、第十晶体管T10的第一电极和第七晶体管T7的第一电极。第九晶体管T9可以根据第九晶体管T9的栅电极的电压来使第六晶体管T6的第二电极和发光二极管LED的阳极电连接或电断开。

第十晶体管T10可以是p型晶体管，并且可以具有硅半导体作为半导体层。第十晶体管T10可以用于在发光时段中将传输到第九晶体管T9的第二电极的驱动电压ELVDD传输到第九晶体管T9的栅电极和第二电容器C2的第二电极，以使第九晶体管T9能够完全导通。例如，即使存储在第二电容器C2中的电压是难以完全导通第九晶体管T9的电压，也可以在发光时段期间导通第十晶体管T10以将驱动电压ELVDD传输到第二电容器C2的第二电极，以完全导通第九晶体管T9。也就是说，在第二电容器C2的第二电极的电压在发光时段中是阈值电压补偿数据电压的情况下，第十晶体管T10可以将第二电容器C2的第二电极的电压改变为驱动电压ELVDD。第十晶体管T10的栅电极可以连接到发光控制线155，第十晶体管T10的第一电极可以连接到第九晶体管T9的第二电极、发光二极管LED的阳极和第七晶体管T7的第一电极，第十晶体管T10的第二电极可以连接到第二电容器C2的第二电极、第九晶体管T9的栅电极和第八晶体管T8的第二电极。

第二电容器C2的第一电极可以连接到驱动电压线172，第二电容器C2的第二电极可以连接到第八晶体管T8的第二电极、第九晶体管T9的栅电极和第十晶体管T10的第二电极。结果，第二电容器C2的第二电极可以具有与第九晶体管T9的栅电极的电压相同的电压，并且通过第八晶体管T8的第二电极接收存储电容器C1的第二存储电极的电压或者通过第十晶体管T10的第二电极接收驱动电压ELVDD。

图4中所示的第二像素电路部DCS的电路结构是示例，并且还可以包括附加电容器或附加晶体管。在一些实施例中，除了第二电容器C2或多个晶体管T8、T9和T10之中的第九晶体管T9之外，可以不包括第八晶体管T8和第十晶体管T10。与图4中不同，第九晶体管T9的栅电极可以连接到单独的信号线或单独的电极。

在上文中，已经描述了像素电路部的结构。

除了像素电路部之外，像素还可以包括发光二极管LED，并且发光二极管LED的阳极可以连接到第七晶体管T7的第一电极、第九晶体管T9的第二电极和第十晶体管T10的第一电极，发光二极管LED的阴极可以连接到传输第二驱动电压ELVSS的共电压线741。

在上文中，已经描述了一个像素包括十个晶体管T1至T10、两个电容器C1和C2，但是公开不限于此，并且在一些实施例中，可以添加晶体管或电容器或者移除它们中的一些。在上述实施例中，第三晶体管T3、第四晶体管T4、第八晶体管T8和第九晶体管T9形成为n型晶体管，但是可以将它们中的仅一个形成为n型晶体管，或者可以将其它晶体管(例如，第七晶体管T7)形成为n型晶体管。

如上所述，发光显示装置的像素可以包括位于不同层的两种类型的半导体，并且两种类型的半导体可以分别是多晶半导体(也被称为第一半导体)和氧化物半导体(也被称为第二半导体)。多晶半导体和氧化物半导体中的每个可以包括在晶体管中，并且在下文中，包括多晶半导体的晶体管被称为多晶晶体管，包括氧化物半导体的晶体管被称为氧化物晶体管。如上所述，一个像素可以包括多晶晶体管和氧化物晶体管，并且将驱动电流提供到发光二极管LED的驱动晶体管T1可以形成为多晶晶体管。除了驱动晶体管T1之外的所有其它晶体管也被称为开关晶体管，并且开关晶体管可以被划分为多晶开关晶体管和氧化物开关晶体管。每个晶体管还可以包括与半导体层叠置的叠置电极，并且叠置电极可以被施加有电压(例如，驱动电压ELVDD)或者可以连接到像素内的一个端子。叠置电极可以用于改变晶体管的沟道特性或者阻挡光或电场引入沟道中。

将参照图5至图9以及图4来描述根据实施例的柔性显示装置的一个像素的操作。

图5示意性地示出了施加到根据图4的实施例的有机发光显示装置的像素的信号的时序图，图6至图9示意性地示出了图4的像素在各个时段中的操作。

图6示意性地示出了第一初始化时段，图7示意性地示出了写入和补偿时段，图8示意性地示出了第二初始化时段，图9示意性地示出了发光时段。

在下文中，将首先描述第一初始化时段。

第一初始化时段可以包括可以施加高电平的初始化控制信号GI的时段，并且可以是其中第四晶体管T4由高电平的初始化控制信号GI导通的时段。参照图6，在第一初始化时段中，初始化电压Vint可以通过第四晶体管T4施加到驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器C1的第二存储电极，并且初始化电压Vint可以存储在存储电容器C1的第二存储电极中。初始化电压Vint可以用低电平电压导通驱动晶体管T1，使得驱动晶体管T1通过第一初始化时段改变为导通状态。高电平电压可以施加到第一扫描信号GW、发光控制信号EM和旁路信号GB，低电平电压可以施加到第二扫描信号GC，接收这些信号的晶体管可以保持在截止状态。

在初始化控制信号GI改变为低电平电压的情况下，可以结束第一初始化时段，并且可以进入写入和补偿时段。

低电平的初始化控制信号GI和高电平的发光控制信号EM可以在写入和补偿时段中施加，并且写入和补偿时段可以包括其中施加高电平的第二扫描信号GC、低电平的第一扫描信号GW和低电平的旁路信号GB的时段。参照图5，在写入和补偿时段中，第二扫描信号GC可以首先改变为高电平电压，并且第一扫描信号GW可以首先改变为低电平电压以保持1H(例如，“1H”是水平同步信号的一个时段)。之后，当第二扫描信号GC改变为低电平电压时，可以结束写入和补偿时段。旁路信号GB可以比第一扫描信号GW提前1H改变为低电平电压，并且可以保持1H。然而，在一些实施例中，旁路信号GB改变为低电平电压的时序可以是变化的，并且旁路信号GB在其期间保持在低电平电压的时段可以进行各种改变。

参照图7，第三晶体管T3和第八晶体管T8可以由高电平的第二扫描信号GC导通。结果，驱动晶体管T1的栅电极(存储电容器C1的第二存储电极)和驱动晶体管T1的第二电极可以通过第三晶体管T3连接，并且驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器C1的第二存储电极通过第八晶体管T8连接到第九晶体管T9的栅电极、第十晶体管T10的第二电极和第二电容器C2的第二电极。在第一初始化时段中，由于初始化电压Vint存储在存储电容器C1的第二存储电极中，因此初始化电压Vint也可以通过第八晶体管T8传输到第九晶体管T9的栅电极、第十晶体管T10的第二电极和第二电容器C2的第二电极，并且初始化电压Vint存储在第二电容器C2的第二电极中。

此后，第二晶体管T2可以由低电平的第一扫描信号GW导通，并且流过数据线171的数据电压DM可以到写入像素中。数据电压DM可以通过第二晶体管T2传输到驱动晶体管T1的第一电极。在第一初始化时段中，由于驱动晶体管T1由存储在存储电容器C1的第二存储电极中的初始化电压Vint导通，因此传输到驱动晶体管T1的第一电极的数据电压DM可以传输到驱动晶体管T1的第二电极，并且通过导通的第三晶体管T3传输到存储电容器C1的第二存储电极(驱动晶体管T1的栅电极)。数据电压DM可以通过导通的第八晶体管T8传输到第二电容器C2的第二电极。

在数据电压DM施加到存储电容器C1的第二存储电极的情况下，在第一初始化时段中，具有初始化电压Vint的存储电容器C1的第二存储电极(驱动晶体管T1的栅电极)的电压可以逐渐增大，并且在驱动晶体管T1的栅电极的电压比数据电压DM低驱动晶体管T1的阈值电压的情况下，它可以截止。因此，已经经过写入和补偿时段的存储电容器C1的第二存储电极(驱动晶体管T1的栅电极)的电压可以具有比数据电压DM低驱动晶体管T1的阈值电压的电压值(在下文中，也被称为“阈值电压补偿数据电压”)。由于针对每个驱动晶体管T1的不同阈值电压值补偿阈值电压补偿数据电压，因此即使在位于每个像素中的驱动晶体管T1由于工艺误差而具有不同阈值电压的情况下，也可以使驱动晶体管T1的输出电流恒定，使得可以改善驱动晶体管T1的特性之间的不均匀性。

由于第八晶体管T8导通，所以阈值电压补偿数据电压也可以传输到第二电容器C2的第二电极。这里，阈值电压补偿数据电压可以具有在驱动电压ELVDD施加到驱动晶体管T1和第九晶体管T9中的每个的第一电极的情况下可以使驱动晶体管T1和第九晶体管T9中的每个导通的电压值。

在写入和补偿时段中，第七晶体管T7可以由低电平的旁路信号GB导通，并且初始化电压Vint可以传输到发光二极管LED的阳极，以使发光二极管LED的阳极初始化。初始化电压Vint可以传输到第九晶体管T9的第二电极和第十晶体管T10的第一电极。

此后，当第二扫描信号GC改变为低电平电压时，可以结束写入和补偿时段，并且可以进行第二初始化时段。在一些实施例中，可以省略第二初始化时段。

在第二初始化时段中，可以施加低电平的初始化控制信号GI、低电平的第二扫描信号GC和高电平的发光控制信号EM，并且第二初始化时段包括其中施加低电平的第一扫描信号GW和低电平的旁路信号GB的时段。参照图5，在第二初始化时段中，旁路信号GB可以比第一扫描信号GW提前1H改变为低电平电压并且可以保持1H，并且第一扫描信号GW可以改变为低电平电压并且可以保持1H。然而，在一些实施例中，旁路信号GB改变为低电平电压的时序可以是变化的，在其期间保持低电平电压的时段可以进行各种改变，并且第一扫描信号GW在第二初始化时段期间可以不改变为低电平。

参照图8，首先，第七晶体管T7可以由低电平的旁路信号GB导通，并且初始化电压Vint可以传输到发光二极管LED的阳极，以使发光二极管LED的阳极初始化。初始化电压Vint可以传输到第九晶体管T9的第二电极和第十晶体管T10的第一电极。

此后，第二晶体管T2可以由低电平的第一扫描信号GW导通，并且数据电压DM可以传输到驱动晶体管T1的第一电极。在写入和补偿时段中，阈值电压补偿数据电压可以存储在驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器C1的第二存储电极中，并且在第二初始化时段中，由于驱动晶体管T1处于数据电压DM施加到驱动晶体管T1的第一电极且阈值电压补偿数据电压施加到驱动晶体管T1的栅电极的情况下，因此在阈值电压补偿数据电压比数据电压DM低驱动晶体管T1的阈值电压那么多的情况下驱动晶体管T1可以不导通。即使在驱动晶体管T1导通的情况下，第三晶体管T3也可以截止，使得驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器C1的第二存储电极的电压可以不改变。由于第六晶体管T6也截止，因此电流可以不流过发光二极管LED。因此，在第二初始化时段中进入像素的数据电压DM可以不执行具体操作。

此后，当从发光控制线155供应的发光控制信号EM改变为低电平电压时，可以进入发光时段。这里，发光控制信号EM可以在发光时段期间具有低电平电压。在发光时段中，可以施加低电平的初始化控制信号GI、低电平的第二扫描信号GC、高电平的第一扫描信号GW和高电平的旁路信号GB。

第五晶体管T5、第六晶体管T6和第十晶体管T10可以由低电平的发光控制信号EM导通。结果，驱动电压ELVDD可以通过第五晶体管T5施加到驱动晶体管T1的第一电极，并且驱动晶体管T1的第二电极可以通过第六晶体管T6连接到第九晶体管T9的第一电极。第十晶体管T10可以导通，使得第九晶体管T9的栅电极和第二电极可以彼此连接。

在驱动电压ELVDD通过第五晶体管T5施加到驱动晶体管T1的第一电极的情况下，驱动晶体管T1可以根据驱动晶体管T1的栅电极的电压(即，存储电容器C1的第二存储电极的电压)导通，并且驱动晶体管T1的输出电流可以根据驱动晶体管T1的栅电极的电压输出到其第二电极。由于第六晶体管T6也导通，因此驱动晶体管T1的输出电流和驱动电压ELVDD可以传输到第九晶体管T9的第一电极。第九晶体管T9也可以由施加到第九晶体管T9的第一电极的驱动电压ELVDD导通，但是第九晶体管T9可能不完全导通。未完全导通的第九晶体管T9可能难以将驱动晶体管T1的输出电流充分传输到发光二极管LED的阳极。然而，第九晶体管T9可以由第十晶体管T10完全导通，这将在下面描述。

在第九晶体管T9部分导通的情况下，驱动电压ELVDD可以传输到第十晶体管T10的第一电极。由于第十晶体管T10由低电平的发光控制信号EM导通，因此驱动电压ELVDD可以通过第十晶体管T10的第二电极施加到第九晶体管T9的栅电极和第二电容器C2的第二电极。由于第九晶体管T9是具有与驱动晶体管T1的特性相反的特性的n型晶体管，因此随着第九晶体管T9的栅电极的电压增大，第九晶体管T9的导通程度可以增大。在驱动电压ELVDD施加到第九晶体管T9的栅电极的情况下，第九晶体管T9可以完全导通。

因此，第五晶体管T5、第六晶体管T6和第九晶体管T9可以全部导通，使得从驱动晶体管T1输出的电流可以传输到发光二极管LED，并且发光二极管LED根据施加的电流而发射光。

图6至图9中的操作说明描述了在像素的每个晶体管没有问题的情况下的操作。然而，由于存在第二像素电路部DCS的原因在于用于在一些晶体管因裂纹而不工作的情况下去除亮点缺陷，因此在下文中，将参照图10至图12来描述在像素的一些晶体管(第二晶体管T2和/或第三晶体管T3)因裂纹等而不工作的情况下的第二像素电路部DCS的操作。

图10至图12示出了用于解释在第二晶体管或第三晶体管中发生裂纹的情况的图。

裂纹可能通过由于柔性显示装置的折叠、用手写笔或手接触显示装置的前表面或外部冲击而对晶体管施加的应力而产生。

首先，图10示意性地示出了其中第三晶体管T3因裂纹而不工作的情况。

图10示出了其中在写入和补偿时段中低电平的第一扫描信号GW传输到第二晶体管T2的栅电极并且高电平的第二扫描信号GC传输到第三晶体管T3和第八晶体管T8中的每个的栅电极的情况。

在施加高电平的第二扫描信号GC的情况下，第八晶体管T8可以导通，但是因裂纹而不工作的第三晶体管T3不会导通。结果，即使第二晶体管T2由低电平的第一扫描信号GW导通，使得写入数据电压DM，由于数据电压DM未被传输到驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器C1的第二存储电极，因此存储在存储电容器C1的第二存储电极中的电压也不会改变。由于初始化电压Vint在第一初始化时段中存储在存储电容器C1的第二存储电极中，因此即使在其中第三晶体管T3有缺陷的像素的写入和补偿时段中也可以在存储电容器C1的第二存储电极处保持初始化电压Vint。由于第八晶体管T8导通，因此第二电容器C2的第二电极和存储电容器C1的第二存储电极可以电连接，所以初始化电压Vint也可以施加到第二电容器C2的第二电极。由于第二电容器C2的第二电极的电压与第九晶体管T9的栅电极的电压相同并且第九晶体管T9是n型晶体管，因此，在作为低电平电压的初始化电压Vint施加到第九晶体管T9的栅电极的情况下，第九晶体管T9可以保持在截止状态，并且即使在发光时段期间第九晶体管T9也可以不导通。

图11示意性地示出了其中第二晶体管T2因裂纹而不工作的情况。

图11示出了其中在写入和补偿时段中低电平的第一扫描信号GW传输到第二晶体管T2的栅电极并且高电平的第二扫描信号GC传输到第三晶体管T3和第八晶体管T8中的每个的栅电极的情况。

即使施加低电平的第一扫描信号GW，第二晶体管T2也可能因裂纹而不导通。结果，数据电压DM不会输入到驱动晶体管T1，并且最终，数据电压DM不会传输到驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器C1的第二存储电极，使得存储在存储电容器C1的第二存储电极中的电压不会改变。结果，在第一初始化时段中存储的存储电容器C1的第二存储电极的电压(初始化电压Vint)会保持原样。由于第八晶体管T8导通，因此第二电容器C2的第二电极也可以具有初始化电压Vint。由于第二电容器C2的第二电极的初始化电压Vint，第九晶体管T9可以保持在截止状态，并且即使在发光时段期间第九晶体管T9也可以不导通。

在如上所述的图10和图11的情况下，如图12中所示，第九晶体管T9不导通。

例如，在第二晶体管T2或第三晶体管T3因裂纹而不导通的情况下，存储电容器C1的第二存储电极(即，驱动晶体管T1的栅电极)的电压可以保持为初始化电压Vint，并且第二电容器C2的第二电极也可以保持在初始化电压Vint。结果，由于第九晶体管T9的栅电极的电压可以保持在初始化电压Vint(其可以是低电平电压)，因此第九晶体管T9可以不导通。

如上所述，在初始化电压Vint在写入和补偿时段中施加到第二电容器C2的第二电极的情况下，将在下面描述发光时段中的操作。

在发光时段中，低电平的发光控制信号EM可以施加到第五晶体管T5、第六晶体管T6和第十晶体管T10中的每个的栅电极以导通。

在驱动电压ELVDD通过第五晶体管T5施加到驱动晶体管T1的第一电极的情况下，驱动晶体管T1可以根据驱动晶体管T1的栅电极的电压(即，存储电容器C1的第二存储电极的电压)导通，以将驱动晶体管T1的输出电流输出到驱动晶体管T1的第二电极。由于初始化电压Vint施加到驱动晶体管T1的栅电极，因此驱动晶体管T1的输出电流可以具有使发光二极管LED能够显示白色的大电流值。由于第六晶体管T6也由低电平的发光控制信号EM导通，因此驱动晶体管T1的输出电流和驱动电压ELVDD可以传输到第九晶体管T9的第一电极。初始化电压Vint可以施加到第九晶体管T9的栅电极。由于第九晶体管T9是n型晶体管，因此它可以仅在第九晶体管T9的栅电极的电压高于第九晶体管T9的第一电极的电压的情况下导通，然而，相对于第九晶体管T9的电压，作为第九晶体管T9的栅电极的电压的初始化电压Vint不能大于作为第九晶体管T9的第一电极的电压的驱动电压ELVDD，使得第九晶体管T9可以保持在截止状态。因此，驱动晶体管T1的输出电流可以不通过第九晶体管T9，并且可以不传输到发光二极管LED。结果，发光二极管LED可以不发光，以显示黑色。

如上所述，在第二晶体管T2和/或第三晶体管T3因裂纹而不工作的情况下，第二像素电路部DCS可以使作为存储电容器C1的第二存储电极的电压的初始化电压Vint原样传输到第二电容器C2的第二电极和第九晶体管T9的栅电极，使得第九晶体管T9可以不导通，从而由于驱动晶体管T1的输出电流不传输到发光二极管LED，因此不发生其中发光二极管LED显示白色的亮点缺陷。

总而言之，在第二像素电路部DCS中，在像素的晶体管正常工作的情况下，驱动晶体管T1的输出电流可以传输到发光二极管LED，而在像素的第二晶体管T2和/或第三晶体管T3不工作的情况下，阻塞驱动晶体管T1的输出电流传输到发光二极管LED。

在下文中，将参照图13来详细地描述作为n型晶体管的第九晶体管的电压-电流(V-I)特性。

图13示意性地示出了根据实施例的像素的晶体管的V-I特性的曲线图。

图13示出了非晶硅半导体(a-Si)的晶体管(在下文中，也被称为非晶晶体管)和使用氧化物半导体(IGZO)作为n型晶体管的半导体的晶体管(在下文中，也被称为氧化物晶体管)的Vg-Ids特性。

参照图13的部分“A”，非晶晶体管可以在导通状态下具有比氧化物晶体管的电荷迁移率低的电荷迁移率。因此，在第九晶体管T9使用非晶硅半导体(a-Si)的情况下，与使用氧化物半导体(IGZO)的情况相比，由于在发光时段中驱动晶体管T1的电流传输到发光二极管LED的程度低，因此可能无法向发光二极管LED传输足够的电流。

参照图13的部分“B”，非晶晶体管会在截止状态下比氧化物晶体管流动更多的电流。因此，在非晶硅半导体(a-Si)用于第九晶体管T9的情况下，驱动晶体管T1的电流可能在发光时段中作为泄漏电流传输到发光二极管LED，这可能导致亮点缺陷。在氧化物半导体(IGZO)用于第九晶体管T9的情况下，并且在第二晶体管T2和/或第三晶体管T3不工作的情况下，可以更可靠地确保驱动晶体管T1的电流在发光时段中不会传输到发光二极管LED。

因此，参照图13，作为n型晶体管的第九晶体管T9使用氧化物半导体(例如，IGZO)可以比使用非晶硅半导体(a-Si)更合适。

下面将参照图14和图15来描述在对比示例的像素中的第二晶体管T2和/或第三晶体管T3可能不工作的情况下而发生的亮点缺陷。

图14示意性地示出了根据对比示例的像素的等效电路，图15示意性地示出了在根据对比示例的显示装置中发生的亮点缺陷。

参照图14，与图4不同，对比示例的像素的像素电路部仅包括第一像素电路部(发光二极管驱动器)，而不包括第二像素电路部DCS。结果，在对比示例的像素中仅形成发光二极管LED、多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7以及存储电容器C1，并且对比示例的像素结构可以与图4的第一像素电路部的电路结构相同。

将在下面描述其中图14的对比示例中的第二晶体管T2和/或第三晶体管T3因裂纹而不工作的情况。施加到图14的信号可以与图5的时序图相同。

在第二晶体管T2和/或第三晶体管T3不导通的情况下，存储电容器C1的第二存储电极的电压在写入和补偿时段期间不改变，并且在第一初始化时段期间施加并存储的初始化电压Vint保持原样。

之后，在驱动电压ELVDD在发光时段中传输到驱动晶体管T1的第一电极的情况下，驱动晶体管T1根据驱动晶体管T1的栅电极的电压(即，初始化电压Vint)来生成高输出电流，并且已经接收该高输出电流的发光二极管LED显示白色。

因此，对比示例的像素不显示由数据电压DM决定的亮度，而是显示白色，导致亮点缺陷。

在图15中，拍摄了其中出现亮点缺陷的像素，并且显示了亮点缺陷BPE的一部分。

在如图14中所示的对比示例的基础上，通过包括如图4中所示的显示黑色的第二像素电路部DCS来防止在第二晶体管T2和/或第三晶体管T3不工作的情况下而发生的亮点缺陷的发生，使得可以防止看到坏像素。

虽然已经结合被认为是实际的实施例描述了本公开，但是应当理解的是，公开不限于所公开的实施例，而是相反，意图覆盖包括在公开的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

发光二极管，包括阳极和阴极；

驱动晶体管，包括栅电极、第一电极和将发光电流输出到所述发光二极管的所述阳极的第二电极；

第二晶体管，包括连接到数据线的第一电极、连接到所述驱动晶体管的所述第一电极的第二电极和栅电极；

第三晶体管，包括连接到所述驱动晶体管的所述第二电极的第一电极、连接到所述驱动晶体管的所述栅电极的第二电极和栅电极；

第四晶体管，包括接收初始化电压的第一电极、连接到所述驱动晶体管的所述栅电极的第二电极和栅电极；以及

电流阻塞晶体管，包括栅电极、第一电极和连接到所述发光二极管的所述阳极的第二电极，

其中，所述电流阻塞晶体管是与所述驱动晶体管不同类型的晶体管，并且

在所述驱动晶体管的所述栅电极的电压保持在所述初始化电压的情况下，所述电流阻塞晶体管在发光时段期间截止，以不将由所述驱动晶体管输出的所述发光电流传输到所述发光二极管的所述阳极。

2.根据权利要求1所述的显示装置，所述发光显示装置还包括：

栅极电压传输晶体管，包括连接到所述驱动晶体管的所述栅电极的第一电极、连接到所述电流阻塞晶体管的所述栅电极的第二电极和栅电极；

第一电容器，包括被施加有驱动电压的第一存储电极和连接到所述驱动晶体管的所述栅电极的第二存储电极；以及

第二电容器，包括被施加有所述驱动电压的第一电极和连接到所述电流阻塞晶体管的所述栅电极的第二电极，

其中，所述栅极电压传输晶体管的所述栅电极与所述第三晶体管的所述栅电极接收相同的信号，

数据电压通过所述驱动晶体管和所述第三晶体管传输到所述第一电容器的所述第二存储电极并且存储为补偿了所述驱动晶体管的阈值电压的阈值电压补偿数据电压，并且

所述阈值电压补偿数据电压也通过所述栅极电压传输晶体管施加到所述第二电容器的所述第二电极并且存储在所述第二电容器的所述第二电极中。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

在所述第二晶体管或所述第三晶体管不工作的情况下，所述初始化电压存储在所述第一电容器的所述第二存储电极和所述第二电容器的所述第二电极中，并且

所述电流阻塞晶体管由存储在所述第二电容器的所述第二电极中的所述初始化电压截止，使得由所述驱动晶体管输出的所述发光电流不传输到所述发光二极管的所述阳极。

4.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：

第二电容器充电晶体管，包括连接到所述电流阻塞晶体管的所述第二电极的第一电极、连接到所述电流阻塞晶体管的所述栅电极的第二电极和栅电极，

其中，在所述第二电容器的所述第二电极的电压在所述发光时段中为所述阈值电压补偿数据电压的情况下，所述第二电容器充电晶体管将所述第二电容器的所述第二电极的电压改变为所述驱动电压。

5.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：

第五晶体管，包括被施加有所述驱动电压的第一电极、连接到所述驱动晶体管的所述第一电极的第二电极和栅电极；以及

第六晶体管，包括连接到所述驱动晶体管的所述第二电极的第一电极、连接到所述电流阻塞晶体管的所述第一电极的第二电极和栅电极。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，

所述第五晶体管的所述栅电极、所述第六晶体管的所述栅电极和所述第二电容器充电晶体管的所述栅电极在所述发光时段期间接收具有低电平电压的发光控制信号。

7.根据权利要求5所述的显示装置，所述显示装置还包括：

第七晶体管，包括被施加有所述初始化电压的第一电极、连接到所述发光二极管的所述阳极的第二电极和栅电极。

8.根据权利要求5所述的显示装置，其中，

所述驱动晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第二电容器充电晶体管是p型晶体管，并且

所述第三晶体管、所述栅极电压传输晶体管和所述电流阻塞晶体管是n型晶体管。

9.一种显示装置，所述显示装置包括：

发光二极管，包括阳极和阴极；

第一像素电路部，包括生成传输到所述发光二极管的所述阳极的发光电流的驱动晶体管和将数据电压传输到所述驱动晶体管的第二晶体管；以及

第二像素电路部，连接到所述驱动晶体管的栅电极，以根据所述驱动晶体管的所述栅电极的电压来将所述驱动晶体管的所述发光电流传输到所述发光二极管的所述阳极或者阻塞所述驱动晶体管的所述发光电流。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，

所述第二像素电路部包括电流阻塞晶体管，所述电流阻塞晶体管包括栅电极、第一电极和连接到所述发光二极管的所述阳极的第二电极；

所述电流阻塞晶体管是与所述驱动晶体管不同类型的晶体管；

所述电流阻塞晶体管根据所述驱动晶体管的所述栅电极的所述电压来将所述驱动晶体管的所述发光电流传输到所述阳极或者阻塞所述驱动晶体管的所述发光电流；

在所述驱动晶体管的所述栅电极的所述电压为初始化电压的情况下，所述电流阻塞晶体管截止，以不将所述发光电流传输到所述阳极；

在所述驱动晶体管的所述栅电极的所述电压为从所述数据电压补偿了所述驱动晶体管的阈值电压的阈值电压补偿数据电压的情况下，所述电流阻塞晶体管导通，以将所述发光电流传输到所述阳极；

所述第二像素电路部还包括栅极电压传输晶体管，所述栅极电压传输晶体管包括栅电极、连接到所述驱动晶体管的所述栅电极的第一电极和连接到所述电流阻塞晶体管的所述栅电极的第二电极；

所述第二像素电路部还包括第二电容器充电晶体管，所述第二电容器充电晶体管包括栅电极、连接到所述电流阻塞晶体管的所述第二电极的第一电极和连接到所述电流阻塞晶体管的所述栅电极的第二电极；

所述第一像素电路部还包括第一电容器，所述第一电容器包括被施加有驱动电压的第一存储电极和连接到所述驱动晶体管的所述栅电极的第二存储电极；并且

所述第二像素电路部还包括第二电容器，所述第二电容器包括被施加有所述驱动电压的第一电极和连接到所述电流阻塞晶体管的所述栅电极的第二电极。