CN117702085A - 气体供应装置及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种气体供应装置和包括该气体供应装置的基板处理装置。气体供应装置向基板处理装置供应多组工艺气体，该基板处理装置内放置有多个晶圆。气体供应装置包括多个用于供应多组工艺气体的工艺气体供应单元；工艺气体临时储存器，包括内部空间，该空间被隔成多个相互独立的气体储存空间，每个气体储存空间用于存储从一个工艺气体供应单元供应的一组工艺气体，并同时向多个晶圆供应该组工艺气体。

Description

气体供应装置及基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种半导体器件制造设备，尤其涉及一种气体供应装置及基板处理装置。
背景技术
一般而言，半导体器件是通过在基板上重复进行沉积、扩散和刻蚀等一系列工艺来制造的。为了制造半导体器件，可以使用各种制造设备。沉积设备作为一种基板处理设备，包括化学气相沉积(CVD)设备和等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备。
CVD设备可以将基板(如晶圆)放置在沉积室中的基板支撑件(如基座)上对基板进行所需工艺。具体而言，CVD设备可以将基板放置在作为工艺腔室的沉积室中的基板支撑件上，将基板加热到设定温度，气体供应单元与基板上表面相对安装并向基板供应工艺气体，从而在基板上沉积出一层固定厚度的薄膜。
在PECVD方法中，通过在反应室中产生等离子体并与反应气体进行化学反应来沉积薄膜。PECVD方法可以沉积各种类型的薄膜。沉积薄膜的表面均匀性、表面粗糙度、厚度均匀性等薄膜特性可能会影响最终半导体器件的特性，从而在很大程度上影响半导体设备的产量及产率。
为此，需要在工艺腔室中将工艺气体均匀分布到晶圆上，以均匀地产生等离子体电荷，使得整个晶圆表面的薄膜特性例如薄膜厚度和电阻率等具备均匀性。
发明内容
本发明的实施例提供一种气体供应装置及包括该气体供应装置的基板处理装置，能够通过将工艺气体均匀地供应到工艺腔室内的晶圆上，从而改善薄膜特性。
本发明一实施例的用于向放置有多个晶圆的基板处理装置供应多组工艺气体的气体供应装置，可以包括：多个工艺气体供应单元，被配置为供应多组工艺气体；工艺气体临时储存器，包括内部空间，该内部空间被隔成多个相互隔离的气体储存空间，每个气体储存空间被配置为储存从一个工艺气体供应单元供应的一组工艺气体。
本发明一实施例的基板处理装置，可以包括：工艺腔室，包括配置在所述工艺腔室中对多个晶圆进行基板处理工艺的处理空间；以及气体供应装置，包括多个工艺气体供应单元，被配置为供应多组工艺气体；以及工艺气体临时储存器，包括内部空间，所述内部空间被隔成多个相互独立的气体储存空间，每个气体储存空间被配置为储存从一个工艺气体供应单元供应的一组工艺气体，并同时向多个晶圆供应该组工艺气体。
根据本发明一实施例的基板处理装置，在一个工艺腔室中同时对多个晶圆进行单元工艺时，可以将一定量的工艺气体储存在工艺气体临时储存器中，然后同时向多个晶圆均匀供应相同量的气体。因此，可以获得良好的薄膜特性，从而改善器件特性。
进一步地，单个工艺气体临时储存器可以被划分为多个气体储存空间，每个气体储存空间具有Z字形的内部结构，并储存包括几种不同气体的一组工艺气体。Z字形的内部结构的目的是更均匀地混合一组工艺气体中的几种不同气体。并且，每组工艺气体在相应的气体储存空间中均匀混合后，可以同时提供给多个晶圆。因此，简化了设备配置，减小了设备尺寸，从而提高了半导体设备的生产效率。
下文将描述以上及其他特征、方面和实施例。
附图说明
下面结合附图详细描述，以便于更清楚地理解本发明公开的上述内容及其他方面、特征和优点，其中：
图1是根据本发明一实施例中基板处理装置的横截面图；
图2是根据本发明一实施例中基板处理装置的平面图；
图3是根据本发明一实施例中基板处理装置的气体供应装置的立体图；
图4是根据本发明一实施例中气体供应装置的工艺气体临时储存器的横截面立体图；
图5是根据本发明一实施例中气体供应装置的工艺气体临时储存器的横截面图；
图6是根据本发明一实施例中气体供应装置同时向工艺腔室中的一个或多个晶圆供应多种工艺气体的方法的示意图；以及
图7是根据本发明一个实施例中气体供应装置的工艺气体临时储存器的横截面立体图。
具体实施方式
下文将结合附图更详细地描述本发明的示例性实施例，以便理解本发明的构造及效果。然而，本发明可以以许多不同的形式进行实施和修改，本文所描述的技术不限于特定的实施方式，而应理解为涵盖对本文实施例的各种修改、等效和/或替换。
本文所使用的术语仅用于描述特定的实施方式，并不限制本发明构思的范围。除上下文明确表示外，本文中使用的术语“一”或“一个”定义为一个或多于一个。此外，术语本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指定了存在所述特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。
除非另有定义，本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明构思所属领域中的普通技术人员所理解的相同含义。此外，除非在本文中明确定义，诸如常用词典中定义的术语应与其在相关领域中的含义一致，而不应理解为理想化或过于正式的含义。
应理解，本文中使用的术语“第一、第二、第三”等可能用于描述各种元件和/或组件，无论其顺序和/或重要性如何，这些元件和/或组件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分该元件或组件。因此，在不偏离本文所述范围的情况下，下面讨论的第一元件和/或组件可以被称为第二元件和/或组件，反之亦然。
为了便于描述，本文中可能使用空间相对术语，如“下方”、“在下方”、“较低”、“上方”、“较高”等，来描述如图所示一个元件或装置与另一个元件或装置之间的关系。例如，若图中的装置被翻转，被描述为“下方”或“在下方”的元件或装置将定位于其他元件或装置的“上方”。因此，“下方”一词既可以包括在上方的方向，也可以包括在下方的方向。
在附图中，为了清晰起见，层和区域的厚度和体积可能被夸大，相同的标号在附图的描述中指代相同的元件。
下文将参考附图详细描述本发明一实施例的基板处理装置。
图1是根据本发明一实施例的基板处理装置100的横截面图。
在本发明一实施例中，基板处理装置100可以是一种薄膜沉积装置，例如等离子增强化学气相沉积(PECVD)装置。基板处理装置100被配置为可以同时在一个或多个晶圆上执行单元工艺，例如在IC制造中使用PECVD方法沉积SiO2、SiNx等薄膜。
参考图1，根据一实施例的基板处理装置100可以包括工艺腔室110，晶圆W1可以装载到其中。工艺腔室110可以是薄膜沉积腔室，工艺腔室110可以包括主体111和位于主体111内部的处理空间115。
在工艺腔室110中，主体111的上部可以是开放的，并且被配置为在处理空间115中对晶圆W1执行单元工艺。后文所描述的气体供应单元120可以设置在主体111的上部开口，从而工艺腔室110的主体111可以被气体供应单元120密封。
处理空间115可以是设置在主体111内部的空间，并被配置为同时对装载到其中的多个晶圆执行单元工艺，例如在IC制造中使用PECVD方法沉积SiO2、SiNx等薄膜(参见图2)。可以理解的是，处理空间115装载的晶圆数可以更少，例如，一个或两个。
图2是根据本发明一实施例示例的基板处理装置100的平面图，展示了工艺腔室110在基板处理装置100中的平面结构。图1仅说明了工艺腔室110的处理空间115中用于进行单个晶圆的单元工艺的空间，例如，仅展示了在图2中所示的工艺腔室110的处理空间115中放置的多个晶圆的第一晶圆W1。
参考图2，工艺腔室110可以被配置为在主体111的处理空间115中同时对多个晶圆进行单元工艺。例如，工艺腔室110可以被配置为同时对三个晶圆W1、W3和W5进行单元工艺。
在工艺腔室110的处理空间115中可以提供多个晶圆放置单元，用于放置多个晶圆。工艺腔室110的主体111可以具有六边形结构，以便以三角形形式布置三个晶圆放置单元，用于放置三个晶圆，例如第一到第三晶圆W1、W3和W5。
在本实施例中，该多个晶圆可以包括第一晶圆W1、第二晶圆W3和第三晶圆W5。第一到第三晶圆W1、W3和W5可以分别放置在晶圆放置单元中，例如第一晶圆放置单元151、第二晶圆放置单元153和晶圆放置单元155。
在工艺腔室110的处理空间115中，可以设置多个待后文描述的加热器，分别对应多个晶圆。多个晶圆放置单元分别设置多个加热器，多个加热器可以同时加热放置在多个晶圆放置单元上的晶圆。
具体而言，该多个加热器可以包括：第一加热器171，设置在第一晶圆放置单元151中并被配置为加热第一晶圆W1；第二加热器173，设置在第二晶圆放置单元153中并被配置为加热第二晶圆W3；以及第三加热器175，设置在第三晶圆放置单元155中并被配置为加热第三晶圆W5。
图2中示例的工艺腔室110的主体111具有六边形结构，在本实施例中主体111中放置了三个晶圆，例如第一到第三晶圆W1、W3和W5分别放置在第一到第三晶圆放置单元151、153和155，但对此不作限制。任何在工艺腔室110的主体111中布置了一个或多个放置晶圆的晶圆放置单元，并且对一个或多个晶圆同时进行单元工艺的结构都可以应用于工艺腔室110的主体111。
重新参考图1，根据一实施例的基板处理装置100中的气体供应单元120可以被设置在工艺腔室110的主体111上部的开口并面向放置在基板支撑单元140上的晶圆。气体供应单元120可以被设置为用于遮住主体111上部的开口。
气体供应单元120可以包括气体供应部121，气体供应部121被配置为从工艺腔室110的主体111外部供应工艺气体用于薄膜沉积。气体供应单元120还可以包括气体喷洒部125，被配置为将气体供应部121供应的薄膜沉积工艺气体喷洒到放置在基板支撑单元140上的晶圆。
气体供应单元120的气体喷洒部125可以设置在主体111的上部开口，以面向放置在基板支撑单元140上的晶圆，从而密封主体111的处理空间115。因此，薄膜沉积工艺气体可以从气体供应单元120的气体喷洒部125喷洒到主体111的处理空间115中，从而在晶圆上沉积薄膜。
气体喷洒部125可以作为一个支撑板，用于构成工艺腔室110的上部主体。另外，气体喷洒部125可以包括具有喷头的喷头电极组件。电极组件可以被配置为组成主体111上部的顶板，从而密封工艺腔室110的主体111。
如图2所示例的工艺腔室110的平面结构，气体供应单元120可以被设置为与工艺腔室110的处理空间115完全对应。具体地，气体供应单元120的气体喷洒部125可以被设置为用于密封工艺腔室110的开放处理空间115，并被配置为同时向放置在处理空间115中的第一至第三晶圆W1、W3和W5供应工艺气体。因此，薄膜沉积工艺可以作为单元工艺，对在处理空间115内放置在的第一至第三晶圆W1、W3和W5同时进行沉积。
从气体供应单元120供应的薄膜沉积工艺气体可以包括各种工艺气体，例如源气、载气和吹扫气。气体供应单元120可以从喷淋头型、注射型和喷嘴型等各种类型的气体供应装置中选择。
根据一实施例，基板处理装置100还可以包括放置在工艺腔室110的处理空间115内的基板支撑单元140。图1仅示例了在处理空间115内对第一晶圆W1进行单元工艺的空间。基板支撑单元140可以被设置在工艺腔室110中，与晶圆的数量相对应。例如，可以在工艺腔室110中设置三个基板支撑单元140，与放置在处理空间115中的第一至第三晶圆W1、W3和W5相对应。这三个基板支撑单元140可以作为晶圆放置单元151、153和155。
基板支撑单元140可以包括用于支撑晶圆的基板支撑件141和多个销145，还包括被配置为用于支撑基板支撑件141的支撑轴147。晶圆可以放置在销145上，由基板支撑件141支撑。销145可以垂直穿过加热器171，并被配置为可以移动。如图1所示，销145可以使放置在其上的晶圆相对于加热器171上下移动。当销145向上移动时，晶圆与加热器171之间保持间隙，当销145向下移动时，晶圆可以放置在加热器171上。当晶圆放置在加热器171上时，可以对晶圆进行单元工艺。
在本实施例中，该基板支撑单元140的基板支撑件141可以为平面圆形，以便将晶圆水平放置在由基板支撑件141支撑的多个销145上。基板支撑件141与气体供应单元120的气体喷洒部125平行放置，但不限于此，可以进行各种修改。
在一种具体实施方式中，基板支撑单元140的支撑轴147可以被配置为固定在工艺腔室110的主体111上。在这种情况下，支撑轴147可以固定在主体111上并用于支撑基板支撑件141。
在另一种具体实施方式中，支撑轴147被配置为可以旋转，可以支撑并旋转基板支撑件141，进而旋转放置在基板支撑销145上的晶圆。此外，支撑轴147还可以被配置为可以移动，可以支撑并移动基板支撑件141，进而使放置在基板支撑销145中的晶圆相对于加热器171上下移动。在该示例中，尽管图1中未示出，但可以在主体111的一部分，例如在主体111底部相对于晶圆所放置的位置形成用于基板支撑单元140中支撑轴147插入和穿过的通孔。
根据一实施例，基板处理装置100还可以包括放置在工艺腔室110的处理空间115中的加热器单元170。加热器单元170用于加热晶圆。
如图2所示，加热器单元170可以包括多个加热器，加热器的数量与放置在处理空间115中的晶圆数量相同。加热器单元170可以从工艺腔室110外部的电源(图中未示出)接收电压，从而加热多个加热器。
例如，加热单元170可以包括第一至第三加热器171、173、175，这些加热器分别安装在晶圆放置单元151、153和155。加热单元170中的第一至第三加热器171、173和175可以分别加热放置在晶圆放置单元151、153和155上的第一至第三晶圆W1、W3和W5。
加热单元170可以包括与第一加热器171相对应并用于支撑第一加热器171的支撑轴177。参考图2，支撑轴177可以分别支撑与第一至第三晶圆W1、W3和W5相对应的第一至第三加热器171、173和175。
在一种具体实施方式中，加热单元170的支撑轴177可以被配置为固定在工艺腔室110的主体111上。在该示例中，加热器171的支撑轴177可以固定在主体111上并起到支撑加热器171的作用。
在另一种具体实施方式中，加热器171的支撑轴177被配置为可以旋转，从而可以支撑和旋转加热器171。此外，加热器171的支撑轴177被配置为可以移动，从而可以支撑和移动加热器171。在该示例中，尽管图1中未示出，但可以在主体111的一部分，例如主体111的底部形成用于加热单元170的支撑轴177插入并通过的通孔。
根据一实施例，基板处理装置100还可以包括设置在工艺腔室110外部的驱动单元180，可以设置在工艺腔室110的主体111外部。驱动单元180可以与晶圆支撑单元140和加热单元170中的任一单元连接，从而驱动晶圆支撑单元140或加热单元170。
尽管图中未示出，驱动单元180可以包括电机及诸如此类的驱动机。例如，驱动单元180可以包括直接驱动(DD)电机。驱动单元180可以使用DD电机旋转或移动任一晶圆或任一加热器。
在一种具体实施方式中，当晶圆支撑单元140的支撑轴147被配置为可以旋转时，驱动单元180可以与晶圆支撑单元140连接。在这种情况下，驱动单元180被配置为可以与晶圆支撑单元140的支撑轴147连接并驱动旋转晶圆，如图1所示。
在该示例中，加热单元170的支撑轴177被配置为可以固定在工艺腔室110的主体111上。通过在主体111的底部形成的通孔，驱动单元180与穿过通孔并与之连接的晶圆支撑单元140的支撑轴147的一部分被磁流体密封件包围。
在另一种具体实施方式中中，当加热单元170的支撑轴177被配置为可以旋转时，驱动单元180可以与加热单元170连接。在这种情况下，如图1所示，驱动单元180被配置为可以与加热单元170的支撑轴177连接并驱动旋转加热器171。
在该示例中，晶圆支撑单元140的支撑轴147被配置为可以固定在工艺腔室110的主体111上。通过在主体111的底部形成的通孔，驱动单元180与穿过通孔与之连接的加热单元170的支撑轴177的一部分被磁流体密封件包围。
另一种具体实施方式中中，当晶圆支撑单元140的支撑轴147和加热单元170的支撑轴177被配置为可以旋转时，驱动单元180可以与晶圆支撑单元140和加热单元170相连接。在这种情况下，驱动单元180被配置为可以与晶圆支撑单元140的支撑轴147和加热单元170的支撑轴177相连接，并同时旋转第一晶圆W1和第一加热器171。
在该示例中，驱动单元180可以包括与晶圆支撑单元140的支撑轴147相连接并被配置为用于旋转晶圆的第一驱动单元，也可以包括与第一驱动单元分开设置的与加热单元170的支撑轴177相连接并被配置为用于旋转加热器171的第二驱动单元。可以理解的是，第一驱动单元包括被配置为通过移动晶圆支撑单元140的支撑轴147使销141移动的电机，类似地，第二驱动单元包括被配置为通过移动加热单元170的支撑轴177使加热器171上下移动的电机。
在该示例中，穿过在主体111底部形成的通孔与第一驱动单元相连接的晶圆支撑单元140的支撑轴147的一部分被磁流体密封件包围，穿过在主体111底部形成的通孔中与第二驱动单元相连接的加热单元170的支撑轴177的一部分被磁流体密封件包围。
工艺腔室110的一部分是用于晶圆进/出主体111的进出门G。虽然图中示出进出门G位于主体111的一侧，但不限于此。进出门G可以在主体111的任何部分，用于晶圆进出工艺腔室110的主体111。
此外，尽管图中未示出，但主体111的一部分，如主体111的底部的一部分，可以提供与外部泵相连接的排气单元。排气单元可以使主体111的内部空间115作为处理空间115时处于真空状态，也可以在基板处理工艺后排出所产生的气体。
根据一实施例，基板处理装置100还可以包括控制工艺腔室110内被配置为控制整体操作的控制器190。控制器190可以控制设置主体111内的加热单元170、气体供应单元120、驱动单元180等，并通过与操作者的交互进行基板处理工艺如薄膜沉积工艺的控制参数设置等操作。尽管图中未示出，但控制器190可以包括中央处理单元(CPU)、存储器、输入/输出(I/O)接口等。此外，控制器190被配置为可以用于控制晶圆和加热器171的旋转操作。
下文将详细描述与图1中的气体供应单元120的气体供应部121相对应的一实施例的气体供应装置。
图3是根据本发明一实施例的基板处理装置中气体供应装置200的透视图。图4是根据本发明一实施例中气体供应装置200中的工艺气体临时储存器250的横截面透视图。图5是根据本发明一实施例中气体供应装置200中工艺气体临时储存器的横截面图。
根据一实施例，气体供应装置200被配置为可以向处理室110供应用于薄膜沉积的工艺气体。薄膜沉积的工艺气体可以分为多个不同的工艺气体组。每组工艺气体可以包括用于在晶圆表面形成一种薄膜的几种不同的工艺气体。例如，气体供应装置200被配置为可以向工艺腔室110交替供应用于形成SiO2薄膜的第一组工艺气体(例如TEOS、O2和Ar的混合气体)和用于形成Si3N4薄膜的第二组工艺气体(例如SiH4、NH3和Ar的混合气体)。
参考图3至图5，根据一实施例，气体供应装置200可以包括多个工艺气体供应单元，并被配置为用于供应多组工艺气体。工艺气体供应单元可以包括多个工艺气体源，这些工艺气体供应源被配置为用于提供多组工艺气体。换句话说，每个工艺气体供应单元可以包括一个工艺气体供应源，并被配置为用于提供一组工艺气体。工艺气体源被配置为可以向处理室110供应包括第一工艺气体供应源220的第一组工艺气体(参见图6中的G1)和包括第二工艺气体供应源225且与第一组工艺气体G1不同的第二组工艺气体(参见图6中的G2)。
根据一实施例，气体供应装置200可能包括工艺气体临时储存器250，该储存器用于临时存储从第一工艺气体供应源220提供的第一组工艺气体G1和从第二工艺气体供应源225提供的第二组工艺气体G2。
工艺气体临时存储器250可能包括多个气体储存空间(参见图4的252-1和252-2)，分别对应于多组工艺气体。气体储存空间可以彼此平行并垂直堆叠，并且每个气体储存空间被配置为可以临时存储一组工艺气体，通过如后所述的多个环形隔板部分隔开，以具有Z字形的内部结构，使得一组工艺气体中的几种不同气体混合更加均匀。气体储存空间可以包括被配置为存储第一组工艺气体G1的第一个气体储存空间252-1和被配置为存储第二组工艺气体G2的第二个气体储存空间252-2。
工艺气体临时存储器250的每个气体储存空间还可以包括一个位于气体储存空间中心的气体进口，被配置为将来自相应工艺气体供应源的一组工艺气体导入到工艺气体临时存储器的相应气体储存空间。工艺气体临时存储器250还可以包括一个被配置为将由第一工艺气体供应源220提供的第一组工艺气体G1注入第一气体储存空间252-1的第一工艺气体进口240，以及一个被配置为将从第二工艺气体供应源225提供的第二组工艺气体G2注入第二气体储存空间252-2的第二工艺气体进口245。
工艺气体临时储存器250的每个气体储存空间还可以包括多个均匀分布在其周边的气体出口，被配置为同时将气体储存空间中存储的一组工艺气体排放到工艺腔室110中的多个晶圆上。工艺气体临时储存器250还可以包括一个被配置为将存储在第一气体储存空间252-1中的第一组工艺气体G1排放到外部(例如工艺腔室110)的第一工艺气体出口260，以及一个被配置为将存储在第二气体储存空间252-2中的第二组工艺气体G2排放到外部(如工艺腔室110)的第二工艺气体出口265。
第一工艺气体出口260可以包括多个气体出口，其数量与工艺腔室110中同时处理的晶圆数量相对应。多个气体出口261至263可以同时将存储在工艺气体临时储存器250的第一气体储存空间252-1中的第一组工艺气体G1排放到工艺腔室110中的第一至第三个晶圆W1、W3和W5上。
第二工艺气体出气口265可以包括多个出口，其数量与工艺腔室110中同时处理的晶圆数量相对应。多个出口266至268可以同时将存储在工艺气体临时储存器250的第二气体储存空间252-2中的第二组工艺气体G2排放到工艺腔室110中的第一至第三个晶圆W1、W3和W5上。
每个气体供应单元还可以包括一条工艺气体供应管道，被配置为将每个气体供应单元的工艺气体供应源与工艺气体临时储存器的相应气体储存空间连接起来。根据一实施例，气体供应装置200中的第一工艺气体供应单元210和第二工艺气体供应单元215还可以分别包括一个用于供应第一组工艺气体G1的第一工艺气体供应管道230和一个用于供应第二组工艺气体G2的第二工艺气体供应管道235。
第一工艺气体供应管道230被配置为可以将从第一工艺气体供应源220提供的第一组工艺气体G1供应给工艺气体临时储存器250的第一个气体储存空间252-1。第二工艺气体供应管道235被配置为可以将从第二工艺气体供应源225提供的第二组工艺气体G2供应给工艺气体临时储存器250的第二个气体储存空间252-2。
第一工艺气体供应管道230可以包括供应管231和232，被配置为将来自第一工艺气体供应源220的第一组工艺气体G1供应到第一工艺气体进口240，连接部233被配置为连接供应管231和232，连接部234被配置为连接供应管232和第一工艺气体进口240。
第二工艺气体供应管道235可以包括供应管236和237，被配置为将来自第二工艺气体供应源225的第二组工艺气体G2供应到第二工艺气体进口245，连接部238被配置为连接供应管236和237，连接部239被配置为连接供应管237和第二工艺气体进口245。
根据一实施例，气体供应装置200可以大致分为两部分，即气体供应单元和工艺气体临时储存器。例如，第一工艺气体供应单元210和第二工艺气体供应单元215分别被配置为提供两组不同的工艺气体G1和G2，工艺气体临时储存器250被配置为分别暂时储存两组工艺气体G1和G2。
如上所述，被配置为供应第一组工艺气体G1的第一工艺气体供应单元210可以包括第一工艺气体供应源220和第一工艺气体供应管道230。被配置为供应第二组工艺气体G2的第二工艺气体供应单元215可以包括第二工艺气体供应源225和第二工艺气体供应管道235。
参考图4和图5，工艺气体临时储存器250还可以包括定义具有内部空间的主体251，该内部空间可以被划分为多个气体储存空间，被配置为存储多组工艺气体，例如，第一组工艺气体G1和第二组工艺气体G2。每个气体储存空间可以通过多个环形隔板划分为具有Z字形的内部结构，环形隔板包括从每个气体储存空间顶部向下延伸的多个第一环形隔板(例如253-1，254-1)和从每个气体储存空间底部向上延伸的多个第二环形隔板(例如253-2，254-2)，它们彼此交替且同心排列。每个气体储存空间均具有Z字形内部结构，使同一组工艺气体的几种不同气体混合更加均匀。
主体251的内部空间可以被中间隔板252划分为上部空间和下部空间。位于中间隔板252上侧的上部空间可以作为配置为存储第一组工艺气体G1的第一气体储存空间252-1。位于中间隔板252下侧的下部空间可以作为配置为存储第二组工艺气体G2的第二气体储存空间252-2。
第一气体储存空间252-1可以被上环形隔板253部分划分为具有Z字形的内部结构，第二气体储存空间252-2可以被下环形隔板254部分划分为具有Z字形的内部结构。第一气体储存空间252-1和第二气体储存空间252-2可以相对于中间隔板252具有对称结构。
具体地，第一气体储存空间252-1可以被从主体251向下延伸的第一上环形隔板253-1和从中间隔板252向上延伸的第二上环形隔板253-2划分为具有如图5所示的Z字形横截面结构。
此外，第二气体储存空间252-2可以被从中间隔板252向下延伸的第一下环形隔板254-1和从主体251向上延伸的第二下环形隔板254-2划分为具有如图5所示的Z字形横截面结构。
第一气体储存空间252-1可以从第一工艺气体进口240接收第一组工艺气体G1，存储一定量的第一组工艺气体G1，然后通过第一出口261至263排放存储的第一组工艺气体G1。
第二气体储存空间252-2可以从第二工艺气体进口245接收第二组工艺气体G2，存储一定量的第二组工艺气体G2，然后通过第二出口266至268排放存储的第二组工艺气体G2。
图6是根据本发明一实施例，使用气体供应装置200将第一组工艺气体G1或第二组工艺气体G2同时供应给装载在一个工艺腔室110中的三个晶圆W1、W3和W5的方法的示意图。值得注意的是，如图6所示，多个气体出口261至263和266至268可以直接将多组工艺气体(例如G1和G2)供应给三个晶圆W1、W3和W5。但在其他优选实施例中，多个气体出口261至263和266至268可以间接将多组工艺气体(例如G1和G2)供应给三个晶圆W1、W3和W5。例如，多个气体出口261至263和266至268可以与气体供应单元120的气体喷洒部125(图6中未显示)相连，从而向三个晶圆W1、W3和W5供应多组工艺气体。
参考图6及图1至图5，第一组工艺气体G1可以通过第一工艺气体供应管道230由第一工艺气体供应源220提供并进入第一工艺气体进口240，然后储存至工艺气体临时储存器250的第一气体储存空间252-1。
当储存在第一气体储存空间252-1中的第一组工艺气体G1达到一定量时，可以同时通过多个第一出口261至263将第一组工艺气体G1提供给放置在工艺腔室110中的晶圆W1、W3和W5上的晶圆放置单元151、153和155。
第二组工艺气体G2可以通过第二工艺气体供应管道235由第二工艺气体供应源225提供并进入第二工艺气体进口245，然后储存至工艺气体临时储存器250的第二气体储存空间252-2。
当储存在第二气体储存空间252-2中的第二组工艺气体G2达到一定量时，可以同时通过多个第一出口266至268将第二组工艺气体G2提供给放置在工艺腔室110中的晶圆W1、W3和W5上的晶圆放置单元151、153和155。
具体地，通过多个第一出口中的第一出口261排出的第一组工艺气体G1可以排向第一晶圆W1，通过多个第一出口中的第一出口262排出的第一组工艺气体G1可以排向第二晶圆W3，通过多个第一出口中的第一出口263排出的第一组工艺气体G1可以排向第三晶圆W5。此时，第一组工艺气体G1可以同时供应至第一至第三晶圆W1、W3和W5。
此外，通过多个第二出口中的第二出口266排出的第二组工艺气体G2可以排向第一晶圆W1，通过多个第二出口中的第二出口267排出的第二组工艺气体G2可以排向第二晶圆W3，通过多个第二出口中的第二出口268排出的第二组工艺气体G2可以排向第三晶圆W5。此时，第二组工艺气体G2可以同时供应给第一至第三晶圆W1、W3和W5。
在薄膜沉积过程中，第一组工艺气体G1和第二组工艺气体G2可以交替排向第一至第三晶圆W1、W3和W5。如上所述，每组工艺气体的气流路径在气体供应装置200中是独立的，因此在从一组工艺气体切换到另一组工艺气体时，只需对工艺腔室100内进行吹扫，而不需要对气体供应装置200进行操作，这样可以缩短工艺腔室100的吹扫时间。当然，根据薄膜沉积的工艺要求，吹扫操作可以同时对工艺室100和气体供应装置200进行。
在上述描述中，如图4所示，工艺气体临时储存器250可以包括两个气体储存空间252-1和252-2。在其他实施例中，工艺气体临时储存器250的气体储存空间的数量可以是三个、四个、五个等，根据晶圆上形成的薄膜类型的数量来确定。例如，如图7所示，工艺气体临时储存器350可以包括一个定义内部空间的主体351，该内部空间可以由两个平行的中间隔板352分成三个气体储存空间352-1、352-2和352-3。每个气体储存空间的多个环形隔板380可以包括从每个气体储存空间顶部向下延伸的多个第一环形隔板381和从每个气体储存空间底部向上延伸的多个第二环形隔板382，彼此交替且同心排列。
根据一实施例，当基板处理装置100为PECVD装置时，晶圆支撑单元140的晶圆支撑件141和气体供应单元120的气体喷洒部125中的任何一个都可以作为第一电极，晶圆支撑单元140的晶圆支撑件141和气体供应单元120的气体喷洒部125中的另一个可以作为第二电极。
在本示例中，基板处理装置100还可以包括一个阻抗匹配单元(图中未示出)。该阻抗匹配单元被配置为将一组特定的频率带宽作为等离子体电源，并通过与等离子体功率匹配的输出阻抗和主体111中的负载阻抗，避免由于高频功率从主体111反射而导致的反射损耗。
如图1和图2所示的基板处理装置100包括第一至第三载置单元151、153和155，分别被配置为放置第一至第三晶圆W1、W3和W5。第一至第三加热器171、173和175设置在第一至第三载置单元151、153和155，用于加热第一至第三晶圆W1、W3和W5，并且在工艺腔室110的主体111内的处理空间115中同时对三个晶圆W1、W3和W5进行单元工艺。然而，并不限于此，任何将多个晶圆装载到主体111的处理空间115中，并同时对多个晶圆进行单元工艺的结构都是可行的。
上述实施例中的基板处理装置可以应用于除PECVD装置之外的其他沉积装置，如原子层沉积(ALD)装置等。此外，根据实施例，基板处理装置可以应用于任何能够使用晶圆传输单元在单个处理室中传输多个晶圆，然后同时对多个晶圆进行单元处理的装置。
上述示例实施例和优点仅为示例，并不限制本发明。本教导可以容易地应用于其他类型的装置。此外，对于本发明各示例实施例的描述旨在说明，而不是限制权利要求的范围，对于本领域技术人员来说，许多替代方案、修改和改变都是显而易见的。

Claims (17)

1.一种气体供应装置，用于向放置有多个晶圆的基板处理装置供应多组工艺气体，其特征在于，包括：
多个工艺气体供应单元，被配置为供应多组工艺气体；
工艺气体临时储存器，包括内部空间，所述内部空间被隔成多个相互独立的气体储存空间，每个气体储存空间被配置为储存从一个工艺气体供应单元供应的一组工艺气体，并同时向多个晶圆供应该组工艺气体。
2.根据权利要求1所述的气体供应装置，其特征在于，所述气体储存空间被多个环形隔板部分隔开，使所述气体储存空间具有Z字形的内部结构。
3.根据权利要求2所述的气体供应装置，其特征在于，所述每个气体储存空间的多个环形隔板包括从所述气体储存空间的顶部向下延伸的多个第一环形隔板和从所述气体储存空间的底部向上延伸的多个第二环形隔板，所述第一环形隔板和所述第二环形隔板相互交替且同心排列。
4.根据权利要求1所述的气体供应装置，其特征在于，所述每个气体供应单元包括：
工艺气体供应源，被配置为提供一组工艺气体；
工艺气体供应管道，被配置为将所述每个气体供应单元的工艺气体供应源与所述工艺气体临时储存器相应的气体储存空间连接。
5.根据权利要求4所述的气体供应装置，其特征在于，所述工艺气体临时储存器的每个气体储存空间包括气体进口，将每个气体供应单元的工艺气体供应管道连接到所述工艺气体临时储存器相应的气体储存空间。
6.根据权利要求5所述的气体供应装置，其特征在于，所述每个气体储存空间的气体进口位于每个气体储存空间的中心。
7.根据权利要求4所述的气体供应装置，其特征在于，所述工艺气体临时储存器的每个气体储存空间包括多个气体出口，将存储在每个气体储存空间中的一组工艺气体同时分别提供给多个晶圆。
8.根据权利要求7所述的气体供应装置，其特征在于，所述每个气体储存空间的多个气体进口均匀地分布在每个气体储存空间的外围。
9.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
工艺腔室，包括被配置在所述工艺腔室中对多个晶圆进行基板处理工艺的处理空间；
气体供应装置，包括多个供应多组工艺气体的工艺气体供应单元；以及
工艺气体临时储存器，包括内部空间，所述内部空间被隔成多个相互独立的气体储存空间，每个所述气体储存空间被配置为储存从一个工艺气体供应单元供应的一组工艺气体，并同时向多个晶圆供应该组工艺气体。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述每个气体储存空间被多个环形隔板部分隔开，使所述气体储存空间具有Z字形的内部结构。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述每个气体储存空间的多个环形隔板包括从所述气体储存空间的顶部向下延伸的多个第一环形隔板和从所述气体储存空间的底部向上延伸的多个第二环形隔板，所述第一环形隔板和所述第二环形隔板相互交替且同心排列。
12.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体供应单元包括：工艺气体供应源，被配置为提供一组工艺气体；
工艺气体供应管道，被配置为将所述每个气体供应单元的工艺气体供应源与所述工艺气体临时储存器相应的气体储存空间连接。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述工艺气体临时储存器的每个所述气体储存空间包括气体进口，将每个气体供应单元的工艺气体供应管道连接到所述工艺气体临时储存器相应的气体储存空间。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，所述每个气体储存空间的气体进口位于每个气体储存空间的中心。
15.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述工艺气体临时储存器的每个气体储存空间包括多个气体出口，将存储在每个气体储存空间中的一组工艺气体同时提供给多个晶圆。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，所述每个气体储存空间的多个气体进口均匀地位于每个气体储存空间的外围。
17.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理工艺是在等离子增强化学气相沉积(PECVD)装置中进行的薄膜沉积工艺。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4283910B2 (ja) * 1998-07-07 2009-06-24 株式会社アルバック 半導体製造装置およびポリイミド膜の形成方法
IT1316286B1 (it) * 2000-01-20 2003-04-10 St Microelectronics Srl Processo di attacco a bassa velocita' di rimozione nella fabbricazionedi dispositivi integrati a semiconduttore, utilizzante una camera atta
JP2011117030A (ja) * 2009-12-02 2011-06-16 Ulvac Japan Ltd 蒸着重合装置
CN204080094U (zh) * 2014-10-01 2015-01-07 苏州涂冠镀膜科技有限公司 一种用于真空离子镀膜的送气系统
DE102016110884A1 (de) * 2016-06-14 2017-12-14 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden organischer Schichten auf ein oder mehreren Substraten

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