CN117691464A - 一种vcsel芯片及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体涉及一种VCSEL芯片及其制造方法，该VCSEL芯片自下而上依次为AlN陶瓷基板、AuInNiSn金属层、GaAs覆盖层、P‑DBR、P‑限制层、多量子阱有源层、N‑限制层、氧化层、氧化孔、N‑DBR、GaAs接触层、第一钝化层、电极层、第二钝化层；电极层包括N焊线电极、P焊线电极、反N接触电极、反P焊线电极；N焊线电极与反N接触电极相连，并与电源负极相连；P焊线电极与反P焊线电极分别与电源正极相连。本发明通过从芯片材料的结构进行优化，整体提升芯片器件的可靠性，同时还可节约后加工的成本及流程。
Description
技术领域
本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体是涉及一种VCSEL芯片及其制造方法。
背景技术
VCSEL（垂直腔面发射激光器）芯片是一种面发射半导体激光器，由于具有效率高、光束质量好、精度高、功耗低、调制速率快等优势，得到广泛应用。VCSEL芯片用途广泛，应用领域及场景不一，尤其在车载激光雷达、数据中心、手机领域等，使得芯片在光电转换效率、功率、器件结构、功能集成、空间/时间调制、独立控制、尺寸、散热性、稳定的可靠性等方面提出更高的要求。
在VCSEL芯片制作过程中，为了获得需求的光电性能、光斑质量，在外延材料生长及器件加工中会折中选择技术方案，从而降低相应的其他方面的要求，如散热特性、抗静电、抗大电流、抗反压等特性。从而将这部分的要求转化为对封装模组厂的需求，如模组厂选择散热特性好的基板，选择外接齐纳管等，这使得封装端的工艺复杂，成本增加。因此，一种具有高可靠性的VCSEL芯片结构亟待开发。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种VCSEL芯片及其制造方法，该VCSEL芯片通过从芯片材料的结构进行优化，提升芯片散热性能，改善抗反压冲击、抗大电流、外部静电影响，降低芯片自身漏电、水汽等影响，整体提高器件的可靠性，同时还可节约后加工的成本及流程。
本发明提供一种VCSEL芯片，所述VCSEL芯片自下而上依次为AlN陶瓷基板、AuInNiSn金属层、GaAs覆盖层、P-DBR、P-限制层、多量子阱有源层、N-限制层、氧化层、氧化孔、N-DBR、GaAs接触层、第一钝化层、电极层、第二钝化层；
所述电极层包括N焊线电极、P焊线电极、反N接触电极、反P焊线电极；
所述N焊线电极与所述反N接触电极相连，并与电源负极相连；
所述P焊线电极与所述反P焊线电极分别与电源正极相连。
本发明通过从芯片材料的结构进行优化，利用AuInNiSn金属层良好的延展性、浸润性和粘附性，将GaAs激光外延片与AlN陶瓷基板键合，通过衬底转移，将材料转移至AlN陶瓷基板上，提高散热性能；将N焊线电极与反N接触电极相连并与电源负极相连，P焊线电极与反P焊线电极分别与电源正极相连，形成并联通道，可有效抗大电流、抗反压冲击、有效释放外部静电影响；采用双钝化层进行保护，可有效降低芯片工艺自身漏电，以及有效隔绝外部水汽及腐蚀性气体的影响，整体提升芯片器件的可靠性，节约后加工成本及流程。
进一步的，上述技术方案中，所述反N接触电极与所述P-DBR连接，所述反P焊线电极与所述GaAs接触层连接。本发明在N焊线电极和P焊线电极所形成芯片结构的一侧形成一个并联结构，不仅可以分流、稳压，还可起到正向和反向保护的作用，进一步提高芯片的可靠性。
进一步的，上述技术方案中，所述P-DBR的材料为AlGaAs，其对数为42±2对；所述N-DBR的对数为18±1对。本发明P面和N面的外延材料体系相近，可直接一次成型电极，制作过程简单方便。
进一步的，上述技术方案中，所述氧化层中铝的组份为0.98，厚度为15±1nm；所述氧化孔位于截止于所述P-DBR的两条第一刻蚀沟道形成的台柱之间的氧化层上。本技术方案中在第一刻蚀沟道所形成的台柱中间制作氧化孔，可提高出光效率。
进一步的，上述技术方案中，所述第一钝化层为SiN膜，厚度为0.5±0.1μm；所述第二钝化层为氧化铝，厚度为200±10埃。本技术方案中通过在电极制作前后制作两层钝化层，可有效降低芯片工艺自身漏电问题，以及有效隔绝外部水汽及腐蚀性气体的影响；第二钝化层采用致密的氧化铝钝化层，对器件遭受水汽及腐蚀性气体影响的隔绝效果更好，进一步提高芯片的可靠性。
进一步的，上述技术方案中，所述电极层包括电极底层金属层和厚金层，所述电极底层金属层的材料为Ti/Au，厚度为100埃/3000埃；所述厚金层的材料为Au，厚度为2μm。本技术方案中的电极层的电极底层金属层采用溅镀方式制作，厚金层采用电镀方式制作，一次成型，操作方便，同时可精准控制电极厚度，成本低廉。
进一步的，上述技术方案中，所述AlN陶瓷基板的厚度为700±50μm；所述AuInNiSn金属层的厚度为3±0.5μm。
本发明还提供一种VCSEL芯片的制造方法，包括以下步骤：
S1.在GaAs衬底上，利用MOCVD（金属有机化学气相沉积）生长出AlGaAs激光外延片，所述外延片在GaAs衬底上依次生长GaAs缓冲层、腐蚀截止层、GaAs接触层、N-DBR、氧化层、N-限制层、多量子阱有源层、P-限制层、P-DBR、GaAs覆盖层；
S2.在外延片上，利用电子束蒸镀方式，蒸镀AuInNiSn金属层；
S3.提供一AlN陶瓷基板，采用有机溶液清洗表面，备用；
S4.将外延片的AuInNiSn金属层与清洗后的AlN陶瓷基板对齐，然后转移至专用治具中，进行键合；
S5.通过化学溶液腐蚀方式去除部分外延层，露出GaAs接触层；
S6.采用负胶套刻制作第一刻蚀沟道图形，通过ICP刻蚀（感应耦合等离子体刻蚀），刻蚀角度为90°；
S7.通过湿法氧化的方式对氧化层进行氧化，形成氧化孔（即出光孔）；
S8.利用有机溶液清洗所得晶片，采用负胶套刻制作第二刻蚀沟道图形，通过ICP刻蚀，刻蚀角度为90°；
S9.利用有机溶液清洗所得晶片，通过PECVD（等离子体增强化学的气相沉积法）沉积第一钝化层，利用负胶光刻胶制作掩膜接触孔图形，通过显影液将接触孔显现出来，利用含氟溶液蚀掉未被光刻胶覆盖的第一钝化层；
S10.利用有机溶液清洗所得晶片，利用负性光刻胶制作电极图形，通过sputter溅镀方式溅镀电极底层金属层，然后使用电镀工艺，电镀厚金层，配合lift-off工艺剥离，得到电极层，并在360℃下熔合；
S11.利用有机溶液清洗所得晶片，利用ALD(原子层沉积)设备生长第二钝化层，利用负胶光刻胶制作掩膜焊线图形，通过显影液将焊线图形显现出来，利用ICP蚀掉未被光刻胶覆盖的第二钝化层；
S12.将AlN陶瓷基板采用机械砂轮研磨的方式并配合抛光材料进行表面抛光；
S13.利用测试机对所得晶片进行测试，采用激光正切加刀片切穿的方式，以固定的间距，将晶片分开，形成单颗VCESL芯片并进行AOI分选。
进一步的，上述技术方案S4中，键合条件为：温度为220±5℃，压力为2500±500Kg，时间为60±5min；S10中，电镀工艺条件为：电镀金液温度为55±5℃，电流密度为0.025±0.005A/cm2，电镀时间为30±2min。
进一步的，上述技术方案S6中，ICP刻蚀条件为：功率500W，BCl3流量10sccm，Cl2流量5sccm，N2流量30sccm，SF6流量40sccm，刻蚀过2-4对P-DBR，台柱斜度为90°；S8中，ICP刻蚀条件为：功率500W，BCl3流量10sccm，Cl2流量5sccm，N2流量30sccm，SF6流量40sccm，刻蚀截止于AlN陶瓷基板，台柱斜度为90°。本技术方案中采用ICP刻蚀工艺，形成的第一刻蚀沟道可同时形成氧化通道、P焊线电极台面、反N接触电极台面；形成的第二刻蚀沟道可形成预切割道和阻断通道，方便后续制作。
本发明与现有技术相比，其有益效果有：
1.本发明通过从芯片材料的结构上进行优化，利用AuInNiSn金属层将GaAs激光外延片与AlN陶瓷基板键合，将材料转移至AlN陶瓷基板上，提高芯片的散热性能；通过刻蚀外延材料并通过芯片工艺形成并联通道，可有效抗大电流、抗反压冲击、有效释放外部静电影响；采用双钝化层进行保护，可有效降低芯片工艺自身漏电，以及有效隔绝外部水汽及腐蚀性气体的影响，整体提升了VCSEL芯片器件的可靠性；
2.本发明P面与N面外延材料体系相近，同时结合溅射镀和电镀方式，可直接一次成型电极且电极厚度精准可控，过程简单、操作方便、成本低廉；
3.本发明利用ICP方法形成第一刻蚀沟道和第二刻蚀沟道为后续制作提供必要的台面和通道，可节约后加工成本及流程；
4.本发明制作方法简单方便，只需从芯片结构上进行优化，提高芯片的可靠性，可省去封装端复杂工艺，成本低。
附图说明
图1为本发明VCSEL芯片的外延片结构示意图；
图2为本发明VCSEL芯片键合后的结构示意图；
图3为本发明VCSEL芯片制作完第一刻蚀沟道的结构示意图；
图4为本发明VCSEL芯片制作完氧化孔的结构示意图；
图5为本发明VCSEL芯片制作完第二刻蚀沟道的结构示意图；
图6为本发明VCSEL芯片制作完电极层的结构示意图；
图7为本发明VCSEL芯片结构示意图。
示意图中标号说明：
1、GaAs衬底；2、GaAs缓冲层；3、腐蚀截止层；4、GaAs接触层；5、N-DBR；6、氧化层；7、N-限制层；8、多量子阱有源层；9、P-限制层；10、P-DBR；11、GaAs覆盖层；12、AuInNiSn金属层；13、AlN陶瓷基板；14、第一刻蚀沟道；15、氧化孔；16、第二刻蚀沟道；17、第一钝化层；18-1、N焊线电极；18-2、P焊线电极；18-3、反N接触电极；18-4、反P焊线电极；19、第二钝化层。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本申请保护范围的限制。
在本申请的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
请参阅图1至图7，需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。用于清洗的有机溶液为丙酮、异丙醇等常用有机溶剂。
本发明的一些实施例提供一种VCSEL芯片，其结构示意图如图7所示，所述VCSEL芯片自下而上依次为AlN陶瓷基板13、AuInNiSn金属层12、GaAs覆盖层11、P-DBR10、P-限制层9、多量子阱有源层8、N-限制层7、氧化层6、氧化孔15、N-DBR5、GaAs接触层4、第一钝化层17、电极层、第二钝化层19；
具体地，所述电极层包括N焊线电极18-1、P焊线电极18-2、反N接触电极18-3、反P焊线电极18-4；
所述N焊线电极与所述反N接触电极相连，并与电源负极相连；
所述P焊线电极与所述反P焊线电极分别与电源正极相连。
本发明通过利用AuInNiSn金属层良好的延展性、浸润性和粘附性，将GaAs激光外延片与AlN陶瓷基板键合，通过衬底转移，将材料转移至AlN陶瓷基板上，提高散热性能；将N焊线电极与反N接触电极相连并与电源负极相连，P焊线电极与反P焊线电极分别与电源正极相连，形成并联通道，可有效抗大电流、抗反压冲击、有效释放外部静电影响；采用双钝化层进行保护，可有效降低芯片工艺自身漏电，以及有效隔绝外部水汽及腐蚀性气体的影响，整体提升芯片器件的可靠性。
具体地，所述反N接触电极与所述P-DBR连接，所述反P焊线电极与所述GaAs接触层连接；本发明在N焊线电极和P焊线电极所形成芯片结构的一侧形成一个并联结构，不仅可以分流、稳压，还可起到正向和反向保护的作用，进一步提高芯片的可靠性。
具体地，所述P-DBR的材料为AlGaAs，其对数为42±2对；所述N-DBR的对数为18±1对；通过设置P面和N面的外延材料体系相近，可直接一次成型电极，制作过程简单方便。
具体地，所述氧化层中铝的组份为0.98，厚度为15±1nm；所述氧化孔位于截止于所述P-DBR的两条第一刻蚀沟道形成的台柱之间的氧化层上。通过在两条第一刻蚀沟道所形成的台柱中间的氧化层（即出光面所对应的氧化层）进行氧化制作氧化孔，可提高出光效率。
具体地，所述第一钝化层为SiN膜，厚度为0.5±0.1μm；所述第二钝化层为氧化铝，厚度为200±10埃；通过在电极制作前后制作两层钝化层，可有效降低芯片工艺自身漏电问题，以及有效隔绝外部水汽及腐蚀性气体的影响；而第二钝化层选择致密的氧化铝钝化层，对器件遭受水汽及腐蚀性气体影响的隔绝效果更好，进一步提高芯片的可靠性。
本发明的另一些实施例还提供一种VCSEL芯片的制造方法，包括以下步骤：
S1.在GaAs衬底1上，利用MOCVD生长出AlGaAs激光外延片，其外延片结构示意图如图1所示；
具体地，先提供一双面抛光，厚度为650μm，0°偏角的GaAs衬底作为外延结构生长衬底，在MOCVD机台设置好程序，在GaAs衬底1上依次生长，GaAs缓冲层2，腐蚀截止层3，GaAs接触层4，N-DBR5，氧化层6，N-限制层7，多量子阱有源层8，P-限制层9，P-DBR10，GaAs覆盖层11，其中P-DBR对数为40±2对，N-DBR对数为18±1对，氧化层中铝组份为0.98，厚度为15±1nm；
S2.在外延片上，利用电子束蒸镀方式，蒸镀AuInNiSn金属层；具体地，采用有机溶液清洗方式处理后，利用电子束蒸镀方式，蒸镀3±0.5μm厚的AuInNiSn金属层；
S3.提供一AlN陶瓷基板，采用有机溶液清洗表面，备用；具体地，AlN陶瓷基板厚度为700±50μm，有机溶液为丙酮；
S4.将外延片的AuInNiSn金属层与清洗后的AlN陶瓷基板对齐，然后转移至专用治具中，进行键合；具体地，键合工艺为：键合时间为60±5min，键合温度为220±5℃，键合压力为2500±500Kg，键合后的外延片结构示意图如图2所示；
S5.通过化学溶液腐蚀方式去除部分外延层，露出GaAs接触层；具体地，使用化学溶液腐蚀方式依次腐蚀GaAs衬底及腐蚀截止层，采用氨水：水的混合液，将GaAs衬底去除，完全露出腐蚀截止层并进行QDR（快排冲洗槽）冲水，然后使用盐酸磷酸酸系混合液将腐蚀截止层去除后，露出GaAs接触层；
S6.采用负胶套刻制作第一刻蚀沟道14图形，通过ICP刻蚀，刻蚀角度为90°；具体地，ICP刻蚀工艺：刻蚀角度为90°，ICP刻蚀功率为500W，BCl3流量为10sccm，Cl2流量为5sccm，N2流量为30sccm，SF6流量为40sccm；刻蚀过2-4对P-DBR，台柱斜度为90°，其中，制作完第一刻蚀沟道的结构示意图如图3所示；
S7.通过湿法氧化的方式对氧化层进行氧化，形成氧化孔；具体地，湿法氧化工艺为：时间控制在30min，氧化温度为400℃，N2/H2流量为8L/min，水汽为40g/h，压力为850mbar，出光孔的大小可以通过控制时间来调整，其中，制作完氧化孔的结构示意图如图4所示；
S8.利用有机溶液清洗所得晶片，采用负胶套刻制作第二刻蚀沟道16图形，通过ICP刻蚀，刻蚀角度为90°；具体地，进一步采用负胶套刻制作第二刻蚀沟道图形，ICP刻蚀工艺：刻蚀角度为90°，ICP刻蚀功率为500W，BCl3流量为10sccm，Cl2流量为5sccm，N2流量为30sccm，SF6流量为40sccm；刻蚀截止于AlN陶瓷基板，台柱斜度为90°，其中，制作完第二刻蚀沟道的结构示意图如图5所示；
S9.利用有机溶液清洗所得晶片，通过PECVD沉积第一钝化层，利用负胶光刻胶制作掩膜接触孔图形，通过显影液将接触孔显现出来，利用含氟溶液蚀掉未被光刻胶覆盖的第一钝化层；具体地，第一钝化层为SiN膜，沉积温度为180℃，厚度为0.5±0.1μm；
S10.利用有机溶液清洗所得晶片，利用负性光刻胶制作电极图形，通过sputter溅镀方式溅镀电极底层金属层，然后使用电镀工艺，电镀厚金层，配合lift-off工艺剥离，得到电极层，并在360℃下熔合；具体地，电极底层金属层包括Ti/Au金属材料,厚度为100埃/3000埃；厚金层为Au，厚度为2μm，电镀工艺为：使用专用电镀定位卡槽，电镀金液温度为55±5℃，电流密度为0.025±0.005A/cm2，电镀时间为30±2min；进行360℃高温熔合后，可以获得电极材料与外延材料间形成良好的欧姆接触，同时增强粘附性，通过溅镀和电镀结合的工艺制作电极不仅制作简单一次成型，还可精准控制电极厚度，可靠性好，成本低，其中制作完电极层的结构示意图如图6所示；
S11.利用有机溶液清洗所得晶片，利用ALD设备生长第二钝化层，利用负胶光刻胶制作掩膜焊线图形，通过显影液将焊线图形显现出来，利用ICP蚀掉未被光刻胶覆盖的第二钝化层；具体地，第二钝化层为氧化铝钝化层，厚度为200埃，通过采用原子层沉积方式沉积第二钝化层，同时结合其致密性的材料，可有效隔绝器件遭受水汽及腐蚀性气体的影响，提高芯片的可靠性；
S12.将AlN陶瓷基板采用机械砂轮研磨的方式并配合抛光材料进行表面抛光；
S13.利用测试机对所得晶片进行测试，采用激光正切加刀片切穿的方式，以固定的间距，将晶片分开，形成单颗VCESL芯片并进行AOI分选。具体地，所得VCESL芯片厚度为150±10μm。
综上所述，本发明通过从芯片材料的结构上进行优化，利用AuInNiSn金属层将GaAs激光外延片与AlN陶瓷基板键合，将材料转移至AlN陶瓷基板上，提高芯片的散热性能；通过刻蚀外延材料并通过芯片工艺形成并联通道，可有效抗大电流、抗反压冲击、有效释放外部静电影响；采用双钝化层进行保护，可有效降低芯片工艺自身漏电，以及有效隔绝外部水汽及腐蚀性气体的影响，整体提升了VCSEL芯片器件的可靠性，制作方法简单成本低，有效解决了现有技术中从封装端改进、工艺复杂成本高的问题。
最后需要强调的是，以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种变化和更改，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种VCSEL芯片，其特征在于，所述VCSEL芯片自下而上依次为AlN陶瓷基板、AuInNiSn金属层、GaAs覆盖层、P-DBR、P-限制层、多量子阱有源层、N-限制层、氧化层、氧化孔、N-DBR、GaAs接触层、第一钝化层、电极层、第二钝化层；
所述电极层包括N焊线电极、P焊线电极、反N接触电极、反P焊线电极；
所述N焊线电极与所述反N接触电极相连，并与电源负极相连；
所述P焊线电极与所述反P焊线电极分别与电源正极相连。
2.根据权利要求1所述的一种VCSEL芯片，其特征在于，所述反N接触电极与所述P-DBR连接，所述反P焊线电极与所述GaAs接触层连接。
3.根据权利要求1所述的一种VCSEL芯片，其特征在于，所述P-DBR的材料为AlGaAs，其对数为42±2对；所述N-DBR的对数为18±1对。
4.根据权利要求1所述的一种VCSEL芯片，其特征在于，所述氧化层中铝的组份为0.98，厚度为15±1nm；所述氧化孔位于截止于所述P-DBR的两条第一刻蚀沟道形成的台柱之间的氧化层上。
5.根据权利要求1所述的一种VCSEL芯片，其特征在于，所述第一钝化层为SiN膜，厚度为0.5±0.1μm；所述第二钝化层为氧化铝，厚度为200±10埃。
6.根据权利要求1所述的一种VCSEL芯片，其特征在于，所述电极层包括电极底层金属层和厚金层，所述电极底层金属层的材料为Ti/Au，厚度为100埃/3000埃；所述厚金层的材料为Au，厚度为2μm。
7.根据权利要求1所述的一种VCSEL芯片，其特征在于，所述AlN陶瓷基板的厚度为700±50μm；所述AuInNiSn金属层的厚度为3±0.5μm。
8.根据权利要求1-7任一项所述的一种VCSEL芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.在GaAs衬底上，利用MOCVD生长出AlGaAs激光外延片，所述外延片在GaAs衬底上依次生长GaAs缓冲层、腐蚀截止层、GaAs接触层、N-DBR、氧化层、N-限制层、多量子阱有源层、P-限制层、P-DBR、GaAs覆盖层；
S2.在外延片上，利用电子束蒸镀方式，蒸镀AuInNiSn金属层；
S3.提供一AlN陶瓷基板，采用有机溶液清洗表面，备用；
S4.将外延片的AuInNiSn金属层与清洗后的AlN陶瓷基板对齐，然后转移至专用治具中，进行键合；
S5.通过化学溶液腐蚀方式去除部分外延层，露出GaAs接触层；
S6.采用负胶套刻制作第一刻蚀沟道图形，通过ICP刻蚀，刻蚀角度为90°；
S7.通过湿法氧化的方式对氧化层进行氧化，形成氧化孔；
S8.利用有机溶液清洗所得晶片，采用负胶套刻制作第二刻蚀沟道图形，通过ICP刻蚀，刻蚀角度为90°；
S9.利用有机溶液清洗所得晶片，通过PECVD沉积第一钝化层，利用负胶光刻胶制作掩膜接触孔图形，通过显影液将接触孔显现出来，利用含氟溶液蚀掉未被光刻胶覆盖的第一钝化层；
S10.利用有机溶液清洗所得晶片，利用负性光刻胶制作电极图形，通过sputter溅镀方式溅镀电极底层金属层，然后使用电镀工艺，电镀厚金层，配合lift-off工艺剥离，得到电极层，并在360℃下熔合；
S11.利用有机溶液清洗所得晶片，利用ALD设备生长第二钝化层，利用负胶光刻胶制作掩膜焊线图形，通过显影液将焊线图形显现出来，利用ICP蚀掉未被光刻胶覆盖的第二钝化层；
S12.将AlN陶瓷基板采用机械砂轮研磨的方式并配合抛光材料进行表面抛光；
S13.利用测试机对所得晶片进行测试，采用激光正切加刀片切穿的方式，以固定的间距，将晶片分开，形成单颗VCESL芯片并进行AOI分选。
9.根据权利要求8所述的一种VCSEL芯片的制造方法，其特征在于，S4中，键合条件为：温度为220±5℃，压力为2500±500Kg，时间为60±5min；S10中，电镀工艺条件为：电镀金液温度为55±5℃，电流密度为0.025±0.005A/cm2，电镀时间为30±2min。
10.根据权利要求8所述的一种VCSEL芯片的制造方法，其特征在于，S6中，ICP刻蚀条件为：功率500W，BCl3流量10sccm，Cl2流量5sccm，N2流量30sccm，SF6流量40sccm，刻蚀过2-4对P-DBR，台柱斜度为90°；S8中，ICP刻蚀条件为：功率500W，BCl3流量10sccm，Cl2流量5sccm，N2流量30sccm，SF6流量40sccm，刻蚀截止于AlN陶瓷基板，台柱斜度为90°。
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