CN117669804A - 电子产品的虚警率预计方法、装置、存储介质及电子设备 - Google Patents

电子产品的虚警率预计方法、装置、存储介质及电子设备 Download PDF

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CN117669804A CN202311559100.3A CN202311559100A CN117669804A CN 117669804 A CN117669804 A CN 117669804A CN 202311559100 A CN202311559100 A CN 202311559100A CN 117669804 A CN117669804 A CN 117669804A
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Abstract

本申请的实施例提供了一种电子产品的虚警率预计方法、装置、存储介质及电子设备，涉及测试性设计与分析技术领域，所述方法包括：基于新电子产品的各类参数确定用作比对的老电子产品；分析所述新电子产品和所述老电子产品的设计差异，分别得到所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息；基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算出所述新电子产品的虚警率。本申请的技术方案，通过与老电子产品进行比对分析，得到新电子产品的虚警率，实现了对新电子产品的虚警率预计。

Description

电子产品的虚警率预计方法、装置、存储介质及电子设备
技术领域
本申请涉及测试性设计与分析技术领域，具体而言，涉及一种电子产品的虚警率预计方法、一种电子产品的虚警率预计装置、一种计算机可读存储介质及一种电子设备。
背景技术
随着电子产品复杂程度不断增加，采用机内测试(BIT)技术对电子产品的故障进行自动诊断，可以缩短诊断时间、降低维修人员技能要求、减少维修保障成本。若诊断能力不足和诊断模糊，会导致BIT虚警频发，难以有效发挥其应有的作用。虚警率(FAR)是衡量BIT有效性和电子产品故障诊断能力的重要指标。开展虚警率预计不仅可以评价电子产品设计方案是否满足规定的测试性定量要求，而且可以从中发现设计的薄弱环节，为改进设计提供依据。
在已有成熟电子产品的基础上，进行新电子产品研制是适应技术进步、市场需求和提高电子产品质量的常用实现方式之一。但是，目前没有针对继承成熟产品技术状态研制的新电子产品的虚警率预计方法，所以，如何预计新电子产品的虚警率成为测试性定量指标预计领域的难题。
发明内容
本申请的实施例提供了一种电子产品的虚警率预计方法、一种电子产品的虚警率预计装置、一种计算机可读存储介质及一种电子设备，以实现对继承成熟产品技术状态研制的新电子产品的虚警率预计。
本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。
根据本申请实施例的第一方面，提供了一种电子产品的虚警率预计方法，包括：
基于新电子产品的各类参数确定用作比对的老电子产品；
分析所述新电子产品和所述老电子产品的设计差异，分别得到所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息；
基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算出所述新电子产品的虚警率。
在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述基于新电子产品的各类参数确定用作比对的老电子产品，包括：
选取在功能、性能、设计、材料、制造工艺、使用条件、环境条件和保障条件这些方面与新电子产品相似且具有应用验证数据的产品，作为所述老电子产品。
在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述分析所述新电子产品和所述老电子产品的设计差异，分别得到所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息，包括：
分析所述新电子产品和所述老电子产品的产品组成、结构布局、功能设计、工作模式、诊断策略、软/硬件设计和信息处理；
得到所述新电子产品的测试性设计信息，包括：内部被测单元的失效率、机内测试电路失效率、内部被测单元的电路工作时间、机内测试电路工作时间和内部被测单元的故障检测率；
以及得到所述老电子产品的测试性设计信息，包括：内部被测单元的失效率、机内测试电路失效率、内部被测单元的电路工作时间、机内测试电路工作时间、内部被测单元的故障检测率和虚警率。
在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算出所述新电子产品的虚警率，包括：
基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算所述新电子产品与所述老电子产品之间的第一相似因子；
基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算所述新电子产品与所述老电子产品之间的第二相似因子；
基于所述第一相似因子和所述第二相似因子计算得到所述新电子产品的虚警率；
其中，所述第一相似因子是指所述新电子产品内部被测单元的故障可检测能力和所述老电子产品内部被测单元的故障可检测能力的相似因子；
所述第二相似因子是指所述新电子产品的机内测试电路故障次数和所述老电子产品的机内测试电路故障次数的相似因子。
在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算所述新电子产品与所述老电子产品之间的第一相似因子，包括：
获取新电子产品的内部被测单元的数量、内部被测单元的失效率、内部被测单元的电路工作时间和内部被测单元的故障检测率，以及获取老电子产品的内部被测单元的数量、内部被测单元的失效率、内部被测单元的工作时间和内部被测单元的故障检测率；
基于获取到的新电子产品的内部被测单元信息以及老电子产品的内部被测单元信息，利用公式(1)计算得到所述第一相似因子；
其中，μ表示所述第一相似因子；n表示新电子产品内部被测单元的数量；m表示老电子产品内部被测单元的数量；表示新电子产品第i个内部被测单元的失效率；/>表示新电子产品第i个内部被测单元的工作时间；FDRbi表示新电子产品第i个内部被测单元的故障检测率；/>表示老电子产品第j个内部被测单元的失效率；/>表示老电子产品第j个内部被测单元的工作时间；FDRaj表示老电子产品第j个内部被测单元的故障检测率。
在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算所述新电子产品与所述老电子产品之间的第二相似因子，包括：
获取新电子产品的机内测试电路的数量、机内测试电路的失效率和机内测试电路的工作时间，以及获取老电子产品的机内测试电路的数量、机内测试电路的失效率和机内测试电路的工作时间；
基于获取到的新电子产品的机内测试电路信息和老电子产品的机内测试电路信息，利用公式(2)计算得到所述第二相似因子；
其中，v表示所述第二相似因子；n表示新电子产品机内测试电路的数量；m表示老电子产品机内测试电路的数量；表示新电子产品第i个机内测试电路的失效率；/>表示新电子产品第i个机内测试电路的工作时间；/>表示老电子产品第j个机内测试电路的失效率；/>表示老电子产品第j个机内测试电路的工作时间。
在本申请的一些实施例中，基于前述方案，所述基于所述第一相似因子和所述第二相似因子计算得到所述新电子产品的虚警率，包括：
分别获取所述第一相似因子、所述第二相似因子和老电子产品的虚警率；
基于获取到的所述第一相似因子、所述第二相似因子和老电子产品的虚警率，利用公式(3)计算得到所述新电子产品的虚警率；
其中，FARb表示新电子产品的虚警率；FARa表示老电子产品的虚警率；μ表示所述第一相似因子；v表示所述第二相似因子。
根据本申请实施例的第二方面，提供了一种电子产品的虚警率预计装置，包括：
确定单元，用于基于新电子产品的各类参数确定用作比对的老电子产品；
分析获取单元，用于分析所述新电子产品和所述老电子产品的设计差异，分别得到所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息；
计算单元，用于基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算出所述新电子产品的虚警率。
根据本申请实施例的第三方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质中存储有计算机指令，所述计算机指令在计算机上运行时，使得所述计算机执行上述第一方面所述的方法。
根据本申请实施例的第四方面，提供了一种电子设备，包括存储器和处理器；
所述存储器，用于存储计算机指令；
所述处理器，用于调用所述存储器中存储的计算机指令，使得所述电子设备执行上述第一方面所述的方法。
本申请的技术方案，通过与老电子产品进行比对分析，得到新电子产品的虚警率，实现了对新电子产品的虚警率预计。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1示出了根据本申请一个实施例的一种电子产品的虚警率预计方法流程示意图；
图2示出了根据本申请一个实施例的一种电子产品的虚警率预计方法装置的结构示意图；
图3示出了根据本申请一个实施例的一种电子设备的结构示意图；
图4示出了适于用来实现本申请实施例的电子设备的计算机系统的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本申请的各方面。
下面将结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
参见图1，示出了根据本申请一个实施例的一种电子产品的虚警率预计方法流程示意图。
如图1所示，展示了一种电子产品的虚警率预计方法，该方法通过分析老电子产品与新电子产品之间的设计差异，获得新老电子产品的测试下设计信息，并通过两种电子产品的测试设计信息计算得到新电子产品的虚警率，本方法不仅适用于电子产品，还适用于机电产品、电气产品、光电产品、电化学等产品，该方法包括步骤S100至步骤S300。
步骤S100，基于新电子产品的各类参数确定用作比对的老电子产品。
可以理解的是，该步骤主要为了保证寻找的老电子产品是与新电子产品参数相似的，以保证后续在以老电子产品为对照计算新电子产品的虚警率的过程中各类数据是属于相同类别的。
在一些可行的实施例中，基于前述方案，所述步骤100具体包括：
选取在功能、性能、设计、材料、制造工艺、使用条件、环境条件和保障条件这些方面与新电子产品相似且具有应用验证数据的产品，作为所述老电子产品。
继续参考图1，步骤S200，分析所述新电子产品和所述老电子产品的设计差异，分别得到所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息。
可以理解的是，寻找的老电子产品是与新电子产品参数相似的，所以二者的设计参数类别是相同的，但是二者的参数数值之间存在差异，通过分析这些差异，就可以获得新电子产品的虚警率。
在一些可行的实施例中，基于前述方案，所述步骤S200具体包括：
分析所述新电子产品和所述老电子产品的产品组成、结构布局、功能设计、工作模式、诊断策略、软/硬件设计和信息处理；
得到所述新电子产品的测试性设计信息，包括：内部被测单元的失效率、机内测试电路失效率、内部被测单元的电路工作时间、机内测试电路工作时间和内部被测单元的故障检测率；
以及得到所述老电子产品的测试性设计信息，包括：内部被测单元的失效率、机内测试电路失效率、内部被测单元的电路工作时间、机内测试电路工作时间、内部被测单元的故障检测率和虚警率。
步骤S300，基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算出所述新电子产品的虚警率。
在一些可行的实施例中，基于前述方案，所述步骤S300具体包括：
基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算所述新电子产品与所述老电子产品之间的第一相似因子；
基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算所述新电子产品与所述老电子产品之间的第二相似因子；
基于所述第一相似因子和所述第二相似因子计算得到所述新电子产品的虚警率；
其中，所述第一相似因子是指所述新电子产品内部被测单元的故障可检测能力和所述老电子产品内部被测单元的故障可检测能力的相似因子；
所述第二相似因子是指所述新电子产品的机内测试电路故障次数和所述老电子产品的机内测试电路故障次数的相似因子。
可以理解的是，本步骤通过将新电子产品与老电子产品进行相似比较计算，得到新电子产品的虚警率。
在一些可行的实施例中，基于前述方案，所述基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算所述新电子产品与所述老电子产品之间的第一相似因子，包括：
获取新电子产品的内部被测单元的数量、内部被测单元的失效率、内部被测单元的电路工作时间和内部被测单元的故障检测率，以及获取老电子产品的内部被测单元的数量、内部被测单元的失效率、内部被测单元的工作时间和内部被测单元的故障检测率；
基于获取到的新电子产品的内部被测单元信息以及老电子产品的内部被测单元信息，利用公式(1)计算得到所述第一相似因子；
其中，μ表示所述第一相似因子；n表示新电子产品内部被测单元的数量；m表示老电子产品内部被测单元的数量；表示新电子产品第i个内部被测单元的失效率；/>表示新电子产品第i个内部被测单元的工作时间；FDRbi表示新电子产品第i个内部被测单元的故障检测率；/>表示老电子产品第j个内部被测单元的失效率；/>表示老电子产品第j个内部被测单元的工作时间；FDRaj表示老电子产品第j个内部被测单元的故障检测率。
可以理解的是，第一相似因子是从内部被测单元的角度分析新电子产品与老电子产品之间的相似性。
在一些可行的实施例中，基于前述方案，所述基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算所述新电子产品与所述老电子产品之间的第二相似因子，包括：
获取新电子产品的机内测试电路的数量、机内测试电路的失效率和机内测试电路的工作时间，以及获取老电子产品的机内测试电路的数量、机内测试电路的失效率和机内测试电路的工作时间；
基于获取到的新电子产品的机内测试电路信息和老电子产品的机内测试电路信息，利用公式(2)计算得到所述第二相似因子；
其中，v表示所述第二相似因子；n表示新电子产品机内测试电路的数量；m表示老电子产品机内测试电路的数量；表示新电子产品第i个机内测试电路的失效率；/>表示新电子产品第i个机内测试电路的工作时间；/>表示老电子产品第j个机内测试电路的失效率；/>表示老电子产品第j个机内测试电路的工作时间。
可以理解的是，第一相似因子是从机内测试电路的角度分析新电子产品与老电子产品之间的相似性。
在一些可行的实施例中，基于前述方案，所述基于所述第一相似因子和所述第二相似因子计算得到所述新电子产品的虚警率，包括：
分别获取所述第一相似因子、所述第二相似因子和老电子产品的虚警率；
基于获取到的所述第一相似因子、所述第二相似因子和老电子产品的虚警率，利用公式(3)计算得到所述新电子产品的虚警率；
其中，FARb表示新电子产品的虚警率；FARa表示老电子产品的虚警率；μ表示所述第一相似因子；v表示所述第二相似因子。
综上，本申请技术方案提供的一种电子产品的虚警率预计方法，解决了继承成熟产品技术状态研制新电子产品缺乏虚警率预计计算方法的问题，为电子产品的虚警率预计提供了一种新的技术途径。
以下介绍本申请的装置实施例，可以用于执行本申请上述实施例中的一种电子产品的虚警率预计方法。对于本申请装置实施例中未披露的细节，请参照本申请上述方法的实施例。
参照图2所示，根据本申请的一个实施例的一种电子产品的虚警率预计装置，包括：确定单元201、分析获取单元202和计算单元203。
其中，确定单元201，用于基于新电子产品的各类参数确定用作比对的老电子产品；分析获取单元202，用于分析所述新电子产品和所述老电子产品的设计差异，分别得到所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息；计算单元203，用于基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算出所述新电子产品的虚警率。
在一些可行的实施例中，基于前述方案，所述确定单元201被配置为：
选取在功能、性能、设计、材料、制造工艺、使用条件、环境条件和保障条件这些方面与新电子产品相似且具有应用验证数据的产品，作为所述老电子产品。
在一些可行的实施例中，基于前述方案，所述分析获取单元202被配置为：
分析所述新电子产品和所述老电子产品的产品组成、结构布局、功能设计、工作模式、诊断策略、软/硬件设计和信息处理；
得到所述新电子产品的测试性设计信息，包括：内部被测单元的失效率、机内测试电路失效率、内部被测单元的电路工作时间、机内测试电路工作时间和内部被测单元的故障检测率；
以及得到所述老电子产品的测试性设计信息，包括：内部被测单元的失效率、机内测试电路失效率、内部被测单元的电路工作时间、机内测试电路工作时间、内部被测单元的故障检测率和虚警率。
在一些可行的实施例中，基于前述方案，所述计算单元203包括：
第一计算子单元，用于基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算所述新电子产品与所述老电子产品之间的第一相似因子；
第二计算子单元，用于基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算所述新电子产品与所述老电子产品之间的第二相似因子；
第三计算子单元，用于基于所述第一相似因子、所述第二相似因子和老电子产品的虚警率计算得到所述新电子产品的虚警率；
其中，所述第一相似因子是指所述新电子产品内部被测单元的故障可检测能力和所述老电子产品内部被测单元的故障可检测能力的相似因子；
所述第二相似因子是指所述新电子产品的机内测试电路故障次数和所述老电子产品的机内测试电路故障次数的相似因子。
在一些可行的实施例中，基于前述方案，所述第一计算子单元被配置为：
获取新电子产品的内部被测单元的数量、内部被测单元的失效率、内部被测单元的电路工作时间和内部被测单元的故障检测率，以及获取老电子产品的内部被测单元的数量、内部被测单元的失效率、内部被测单元的工作时间和内部被测单元的故障检测率；
基于获取到的新电子产品的内部被测单元信息以及老电子产品的内部被测单元信息，利用公式(1)计算得到所述第一相似因子；
其中，μ表示所述第一相似因子；n表示新电子产品内部被测单元的数量；m表示老电子产品内部被测单元的数量；表示新电子产品第i个内部被测单元的失效率；/>表示新电子产品第i个内部被测单元的工作时间；FDRbi表示新电子产品第i个内部被测单元的故障检测率；/>表示老电子产品第j个内部被测单元的失效率；/>表示老电子产品第j个内部被测单元的工作时间；FDRaj表示老电子产品第j个内部被测单元的故障检测率。
在一些可行的实施例中，基于前述方案，所述第二计算子单元被配置为：
获取新电子产品的机内测试电路的数量、机内测试电路的失效率和机内测试电路的工作时间，以及获取老电子产品的机内测试电路的数量、机内测试电路的失效率和机内测试电路的工作时间；
基于获取到的新电子产品的机内测试电路信息和老电子产品的机内测试电路信息，利用公式(2)计算得到所述第二相似因子；
其中，v表示所述第二相似因子；n表示新电子产品机内测试电路的数量；m表示老电子产品机内测试电路的数量；表示新电子产品第i个机内测试电路的失效率；/>表示新电子产品第i个机内测试电路的工作时间；/>表示老电子产品第j个机内测试电路的失效率；/>表示老电子产品第j个机内测试电路的工作时间。
在一些可行的实施例中，基于前述方案，所述第三计算子单元被配置为：
分别获取所述第一相似因子、所述第二相似因子和老电子产品的虚警率；
基于获取到的所述第一相似因子、所述第二相似因子和老电子产品的虚警率，利用公式(3)计算得到所述新电子产品的虚警率；
其中，FARb表示新电子产品的虚警率；FARa表示老电子产品的虚警率；μ表示所述第一相似因子；v表示所述第二相似因子。
如图3所示，本申请实施例还提供一种电子设备300，包括存储器310、处理器320及存储在存储器310上并可在处理器上运行的计算机程序311，处理器320执行计算机程序311时实现上述一种电子产品的虚警率预计方法。
由于本实施例所介绍的电子设备为实施本申请实施例中一种电子产品的虚警率预计装置所采用的设备，故而基于本申请实施例中所介绍的方法，本领域所属技术人员能够了解本实施例的电子设备的具体实施方式以及其各种变化形式，所以在此对于该电子设备如何实现本申请实施例中的方法不再详细介绍，只要本领域所属技术人员实施本申请实施例中的方法所采用的设备，都属于本申请所欲保护的范围。
在具体实施过程中，该计算机程序311被处理器执行时可以实现第一方面对应的实施例中任一实施方式。
图4示出了适于用来实现本申请实施例的电子设备的计算机系统的结构示意图。
需要说明的是，图4示出的电子设备的计算机系统400仅是一个示例，不应对本申请实施例的功能和使用范围带来任何限制。
如图4所示，计算机系统400包括中央处理单元(Central Processing ∪nit，CPU)401，其可以根据存储在只读存储器(Read-Only Memory，ROM)402中的程序或者从储存部分408加载到随机访问存储器(Random Access Memory，RAM)403中的程序而执行各种适当的动作和处理，例如执行上述实施例中所述的方法。在RAM 403中，还存储有系统操作所需的各种程序和数据。CPU 401、ROM 402以及RAM 403通过总线404彼此相连。输入/输出(Input/Output，I/O)接口405也连接至总线404。
以下部件连接至I/O接口405：包括键盘、鼠标等的输入部分406；包括诸如阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)、液晶显示器(Liquid CrystalDisplay，LCD)等以及扬声器等的输出部分407；包括硬盘等的储存部分408；以及包括诸如LAN(Local Area Network，局域网)卡、调制解调器等的网络接口卡的通信部分409。通信部分409经由诸如因特网的网络执行通信处理。驱动器410也根据需要连接至I/O接口405。可拆卸介质411，诸如磁盘、光盘、磁光盘、半导体存储器等等，根据需要安装在驱动器410上，以便于从其上读出的计算机程序根据需要被安装入储存部分408。
特别地，根据本申请的实施例，上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如，本申请的实施例包括一种计算机程序产品，其包括承载在计算机可读介质上的计算机程序，该计算机程序包含用于执行流程图所示的方法的程序代码。在这样的实施例中，该计算机程序可以通过通信部分409从网络上被下载和安装，和/或从可拆卸介质411被安装。在该计算机程序被中央处理单元(CPU)401执行时，执行本申请的系统中限定的各种功能。
需要说明的是，本申请实施例所示的计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM)、闪存、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(Compact Disc Read-Only Memory，CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本申请中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。而在本申请中，计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。计算机可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于：无线、有线等等，或者上述的任意合适的组合。
附图中的流程图和框图，图示了按照本申请各种实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。其中，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分，上述模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图或流程图中的每个方框、以及框图或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
描述于本申请实施例中所涉及到的单元可以通过软件的方式实现，也可以通过硬件的方式来实现，所描述的单元也可以设置在处理器中。其中，这些单元的名称在某种情况下并不构成对该单元本身的限定。
作为另一方面，本申请还提供了一种计算机程序产品或计算机程序，该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。计算机设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该计算机设备执行上述实施例中所述的一种电子产品的虚警率预计方法。
作为另一方面，本申请还提供了一种计算机可读介质，该计算机可读介质可以是上述实施例中描述的电子设备中所包含的；也可以是单独存在，而未装配入该电子设备中。上述计算机可读介质承载有一个或者多个程序，当上述一个或者多个程序被一个该电子设备执行时，使得该电子设备实现上述实施例中所述的一种电子产品的虚警率预计方法。
应当注意，尽管在上文详细描述中提及了用于动作执行的设备的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本申请的实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施方式可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本申请实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是CD-ROM，U盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、触控终端、或者网络设备等)执行根据本申请实施方式的方法。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的实施方式后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (10)

1.一种电子产品的虚警率预计方法，其特征在于，包括：
基于新电子产品的各类参数确定用作比对的老电子产品；
分析所述新电子产品和所述老电子产品的设计差异，分别得到所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息；
基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算出所述新电子产品的虚警率。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于新电子产品的各类参数确定用作比对的老电子产品，包括：
选取在功能、性能、设计、材料、制造工艺、使用条件、环境条件和保障条件这些方面与新电子产品相似且具有应用验证数据的产品，作为所述老电子产品。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分析所述新电子产品和所述老电子产品的设计差异，分别得到所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息，包括：
分析所述新电子产品和所述老电子产品的产品组成、结构布局、功能设计、工作模式、诊断策略、软/硬件设计和信息处理；
得到所述新电子产品的测试性设计信息，包括：内部被测单元的失效率、机内测试电路失效率、内部被测单元的电路工作时间、机内测试电路工作时间和内部被测单元的故障检测率；
以及得到所述老电子产品的测试性设计信息，包括：内部被测单元的失效率、机内测试电路失效率、内部被测单元的电路工作时间、机内测试电路工作时间、内部被测单元的故障检测率和虚警率。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算出所述新电子产品的虚警率，包括：
基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算所述新电子产品与所述老电子产品之间的第一相似因子；
基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算所述新电子产品与所述老电子产品之间的第二相似因子；
基于所述第一相似因子和所述第二相似因子计算得到所述新电子产品的虚警率；
其中，所述第一相似因子是指所述新电子产品内部被测单元的故障可检测能力和所述老电子产品内部被测单元的故障可检测能力的相似因子；
所述第二相似因子是指所述新电子产品的机内测试电路故障次数和所述老电子产品的机内测试电路故障次数的相似因子。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算所述新电子产品与所述老电子产品之间的第一相似因子，包括：
获取新电子产品的内部被测单元的数量、内部被测单元的失效率、内部被测单元的电路工作时间和内部被测单元的故障检测率，以及获取老电子产品的内部被测单元的数量、内部被测单元的失效率、内部被测单元的工作时间和内部被测单元的故障检测率；
基于获取到的新电子产品的内部被测单元信息以及老电子产品的内部被测单元信息，利用公式(1)计算得到所述第一相似因子；
其中，μ表示所述第一相似因子；n表示新电子产品内部被测单元的数量；m表示老电子产品内部被测单元的数量；表示新电子产品第i个内部被测单元的失效率；/>表示新电子产品第i个内部被测单元的工作时间；FDRbi表示新电子产品第i个内部被测单元的故障检测率；/>表示老电子产品第j个内部被测单元的失效率；/>表示老电子产品第j个内部被测单元的工作时间；FDRaj表示老电子产品第j个内部被测单元的故障检测率。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算所述新电子产品与所述老电子产品之间的第二相似因子，包括：
获取新电子产品的机内测试电路的数量、机内测试电路的失效率和机内测试电路的工作时间，以及获取老电子产品的机内测试电路的数量、机内测试电路的失效率和机内测试电路的工作时间；
基于获取到的新电子产品的机内测试电路信息和老电子产品的机内测试电路信息，利用公式(2)计算得到所述第二相似因子；
其中，ν表示所述第二相似因子；n表示新电子产品机内测试电路的数量；m表示老电子产品机内测试电路的数量；表示新电子产品第i个机内测试电路的失效率；/>表示新电子产品第i个机内测试电路的工作时间；/>表示老电子产品第j个机内测试电路的失效率；/>表示老电子产品第j个机内测试电路的工作时间。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一相似因子和所述第二相似因子计算得到所述新电子产品的虚警率，包括：
分别获取所述第一相似因子、所述第二相似因子和老电子产品的虚警率；
基于获取到的所述第一相似因子、所述第二相似因子和老电子产品的虚警率，利用公式(3)计算得到所述新电子产品的虚警率；
其中，FARb表示新电子产品的虚警率；FARa表示老电子产品的虚警率；μ表示所述第一相似因子；v表示所述第二相似因子。
8.一种电子产品的虚警率预计装置，其特征在于，包括：
确定单元，用于基于新电子产品的各类参数确定用作比对的老电子产品；
分析获取单元，用于分析所述新电子产品和所述老电子产品的设计差异，分别得到所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息；
计算单元，用于基于所述新电子产品的测试性设计信息和所述老电子产品的测试性设计信息计算出所述新电子产品的虚警率。
9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有计算机指令，所述计算机指令在计算机上运行时，使得所述计算机执行如权利要求1－7任一项所述的方法。
10.一种电子设备，其特征在于，包括存储器和处理器；
所述存储器，用于存储计算机指令；
所述处理器，用于调用所述存储器中存储的计算机指令，使得所述电子设备执行如权利要求1－7任一项所述的方法。
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